專利名稱：具有復(fù)合結(jié)構(gòu)基板的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)，特指發(fā)光二極管晶片直接設(shè)置在一金屬 導(dǎo)熱基板上者。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管是一種可發(fā)光的半導(dǎo)體元件，隨著材料或制程技術(shù)上的進(jìn)步，如今發(fā) 光二極管能夠高效率地將電能轉(zhuǎn)化為光能，并且擁有使用壽命長(zhǎng)、耗電量低、亮度高、體積 小、反應(yīng)速度快等優(yōu)點(diǎn)，因此發(fā)光二極管可望取代白熾燈、螢光燈等，發(fā)展成新一代光源。目前發(fā)光二極管的封裝，主要采多層次封裝的方式，參見圖12所示，所述的多層 次封裝方式即是將已完成第一層封裝的后的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)71電連接于金屬底的印刷電 路板(PCB)或金屬核心印刷電路板(MCPCB) 72上，隨后在印刷電路板的另一面上設(shè)置金屬 制散熱裝置73，又或者是將完成第一層封裝之后的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)電連接于具有薄介電層 與導(dǎo)電層的鋁基板上，如此，發(fā)光二極管運(yùn)作時(shí)所產(chǎn)生的熱可經(jīng)過印刷電路板傳導(dǎo)至散熱 裝置，或經(jīng)過介電層傳導(dǎo)至鋁基板從而散發(fā)。然而，由于所述的印刷電路板或金屬核心印刷電路板72主要由高分子材料制成， 而介電層是由高分子材料與陶瓷材料所制成的復(fù)合材料層，其熱傳導(dǎo)系數(shù)均相當(dāng)?shù)牡投?屬于熱的良導(dǎo)體，因此現(xiàn)有技術(shù)所使用的多層次封裝方式，熱量將會(huì)蓄積在印刷電路板或 金屬核心印刷電路板72或介電層，而難以傳導(dǎo)至散熱裝置73或鋁基板，是以無(wú)法有效的對(duì) 發(fā)光二極管進(jìn)行散熱。再者，前述封裝方式中，當(dāng)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)71電連接于金屬核心印刷電路板72 時(shí)，由于所述的金屬核心印刷電路板72的絕緣層太薄，所以無(wú)法耐高電壓，為能耐高電壓 而必須加厚其絕緣層，但如此則造成熱阻變大，進(jìn)一步降低散熱效果，是以現(xiàn)有技術(shù)的多層 次封裝方式不適用于交流發(fā)光二極管(AC LED)的封裝。此外，參見圖13A所示，現(xiàn)有技術(shù)中晶片直接封裝(chip on board, COB)的技術(shù)， 其是使用一個(gè)凹形容室81，并在容室81內(nèi)排列(array)有復(fù)數(shù)個(gè)直流發(fā)光二極管(DC LED) 晶片82，進(jìn)行封裝時(shí)，必須進(jìn)行打線接合在晶片82與晶片82間(chip to chip)拉金線83， 此時(shí)若晶片82數(shù)量過多，則容易造成晶片82與晶片82的對(duì)位失準(zhǔn)，并且由于晶片82上電 極尺寸微小，同樣也容易造成拉金線時(shí)對(duì)位失準(zhǔn)而造成不良品。因此，現(xiàn)有技術(shù)中是以機(jī)械 或光學(xué)方式劃出網(wǎng)格，再以光學(xué)對(duì)位，以提高拉金線時(shí)的合格率，盡管如此，由于晶片82的 電極尺寸甚小，致使良品率依然無(wú)法有效提升。此外，由于晶片82與晶片之間缺乏反射面， 是以晶片82的側(cè)向光無(wú)法有效反射出光。請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D13B以及圖13C所示，是采用交流發(fā)光二極管晶片84時(shí)的串接示意 圖，由于受限到家用驅(qū)動(dòng)電壓僅有IlOV或220V兩種，所以采用交流發(fā)光二極管晶片84時(shí)， 最多僅能在220V驅(qū)動(dòng)電壓下串接兩顆晶片84，無(wú)法如圖13A所示使用三顆以上的晶片相互 串聯(lián)的串接方式。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的多層次封裝方式，存在有散熱效果不良以及拉金線時(shí)易有 對(duì)位不準(zhǔn)的缺點(diǎn)，本發(fā)明是憑借改良其封裝結(jié)構(gòu)據(jù)以解決。本發(fā)明的一主要目的在于提供一種具有復(fù)合結(jié)構(gòu)基板的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其 可提供晶片良好散熱效果。本發(fā)明的另一主要目的在于提供一種具有復(fù)合結(jié)構(gòu)基板的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)， 其中晶片間拉金線時(shí)可準(zhǔn)確對(duì)位。本發(fā)明的再一主要目的在于提供一種具有復(fù)合結(jié)構(gòu)基板的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)， 其可具有多個(gè)交流發(fā)光二極管晶片，其中晶片間可呈相互并聯(lián)且滿足高潰電壓測(cè)試需求， 或者是可將二個(gè)交流發(fā)光二極管晶片串連后再及其他交流發(fā)光二極管晶片并聯(lián)。為達(dá)成上述發(fā)明目的，本發(fā)明所提供的具有復(fù)合結(jié)構(gòu)基板的發(fā)光二極管封裝結(jié) 構(gòu)，其包含有一高導(dǎo)熱金屬基板，其頂面凸設(shè)有復(fù)數(shù)反射罩杯，各反射罩杯自頂面內(nèi)凹形成有 一容室，容室具有底壁與側(cè)壁，所述的側(cè)壁是朝向容室的開口方向呈外擴(kuò)傾斜狀；一印刷電路板，其形成有配合反射罩杯數(shù)量以及位置的開槽，印刷電路板上設(shè)有 復(fù)數(shù)電流線路導(dǎo)電區(qū)域，在各開槽的周邊至少設(shè)有兩電流線路導(dǎo)電區(qū)域，且兩相鄰開槽之 間設(shè)有一電流線路導(dǎo)電區(qū)域，印刷電路板疊設(shè)在所述高導(dǎo)熱金屬基板的頂面，且高導(dǎo)熱金 屬基板上的反射罩杯進(jìn)入印刷電路板上對(duì)應(yīng)的開槽內(nèi)；至少一燈串，在所述反射罩杯的容室底壁上設(shè)置有至少一燈串，所述的燈串具有 至少一發(fā)光二極管晶片，且由打線接合與印刷電路板上的電流線路導(dǎo)電區(qū)域連接；一環(huán)體，環(huán)體貫穿形成有一收容空間，環(huán)體設(shè)置在印刷電路板頂面；一含螢光粉的封裝膠體，其涂布在所述環(huán)體的收容空間內(nèi)且包覆所述燈串。本發(fā)明所提供的具有復(fù)合結(jié)構(gòu)基板的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其另可包含有一高導(dǎo)熱金屬基板，其頂面凹設(shè)有復(fù)數(shù)容室，各容室具有底壁與側(cè)壁，所述的側(cè)壁 是朝向容室的開口方向呈外擴(kuò)傾斜狀；一印刷電路板，其形成有配合容室數(shù)量以及位置的開槽，印刷電路板上設(shè)有復(fù)數(shù) 電流線路導(dǎo)電區(qū)域，在各開槽的周邊至少設(shè)有一電流線路導(dǎo)電區(qū)域，且兩相鄰開槽之間設(shè) 有一電流線路導(dǎo)電區(qū)域，印刷電路板疊設(shè)在所述高導(dǎo)熱金屬基板的頂面，且其各開槽分別 相對(duì)于高導(dǎo)熱金屬基板上對(duì)應(yīng)的容室；至少一燈串，在所述容室底壁上設(shè)置有至少一燈串，所述的燈串具有至少一發(fā)光 二極管晶片，且由打線接合與印刷電路板上的電流線路導(dǎo)電區(qū)域連接；一環(huán)體，其貫穿形成有一收容空間，環(huán)體設(shè)置在印刷電路板頂面；一含螢光粉的封裝膠體，其涂布在所述環(huán)體的收容空間內(nèi)且包覆所述燈串。本發(fā)明所提供的具有復(fù)合結(jié)構(gòu)基板的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其尚可包含有一高導(dǎo)熱金屬基板；一印刷電路板，其形成有復(fù)數(shù)開槽，且印刷電路板上設(shè)有復(fù)數(shù)電流線路導(dǎo)電區(qū)域， 在各開槽的周邊至少設(shè)有一電流線路導(dǎo)電區(qū)域，且兩相鄰開槽之間設(shè)有一電流線路導(dǎo)電區(qū) 域，印刷電路板疊設(shè)在所述高導(dǎo)熱金屬基板的頂面；至少一燈串，設(shè)在所述開槽內(nèi)且位于所述的高導(dǎo)熱金屬基板上，所述的燈串具有至少一發(fā)光二極管晶片，且由打線接合與印刷電路板上的電流線路導(dǎo)電區(qū)域連接；一環(huán)體，其貫穿形成有一收容空間，環(huán)體設(shè)置在印刷電路板頂面；一含螢光粉的封裝膠體，其涂布在所述環(huán)體的收容空間內(nèi)且包覆所述燈串。本發(fā)明的次要目的在于提供所述高導(dǎo)熱金屬基板的制造方法所述高導(dǎo)熱金屬基板，其材料可選自于銅或銅合金，并以熱鍛、冷鍛或金屬射出成 形法加工成形；所述高導(dǎo)熱金屬基板，其材料可選自于鋁或鋁合金，并以熱鍛或冷鍛方式加工成 形，也或是以擠出或鑄造方式配合機(jī)械加工成形。與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本發(fā)明具有的有益效果是由上述可知，本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)中，各燈串的發(fā)光二極管晶片是直接 設(shè)置在高導(dǎo)熱金屬基板的反射罩杯內(nèi)，發(fā)光二極管晶片運(yùn)作時(shí)，射向反射罩杯側(cè)壁上的金 屬反射層的光線可反射而集中射出反射罩杯外，提升照明效果，并且運(yùn)作時(shí)所產(chǎn)生的熱量 是直接傳導(dǎo)至所述的高導(dǎo)熱金屬基板進(jìn)而散發(fā)，可有效解決發(fā)光二極管采用現(xiàn)有的封裝方 式時(shí)所遭遇的散熱不良的問題，并且印刷電路板上電流線路導(dǎo)電區(qū)域的設(shè)計(jì)不僅可輔助晶 片對(duì)位，也提升拉金線時(shí)的合格率；此外，當(dāng)發(fā)光二極管晶片是選用交流發(fā)光二極管晶片時(shí)，由于所述的交流發(fā)光二 極管晶片的驅(qū)動(dòng)電壓為Iiov或220V，故各燈串間可采用并聯(lián)連接，而本發(fā)明由于在印刷 電路板上位于各反射罩杯周邊處設(shè)有電流線路導(dǎo)電區(qū)域，是以可便于各燈串作并聯(lián)連接的 設(shè)計(jì)，另外，本實(shí)用新型可憑借提高印刷電路板的厚度而達(dá)成交流高電壓(3KVA)的穿透測(cè) 試，且由于晶片是直接設(shè)置在高導(dǎo)熱金屬基板上，是以增加印刷電路板的厚度并不影響散 熱效果。


圖IA為本發(fā)明第一實(shí)施例的剖視圖；圖IB為本發(fā)明第五實(shí)施例的剖視圖；圖IC為本發(fā)明第六實(shí)施例的剖視圖；圖2為本發(fā)明第一實(shí)施例的上視圖；圖3A以及圖IBB為本發(fā)明第二實(shí)施例的上視圖；圖4為本發(fā)明第三實(shí)施例的剖視圖；圖5為本發(fā)明第三實(shí)施例的上視圖；圖6為本發(fā)明第四實(shí)施例的上視圖；圖7為本發(fā)明第七實(shí)施例的剖視圖；圖8為本發(fā)明第八實(shí)施例的剖視圖；圖9為本發(fā)明第九實(shí)施例的剖視圖；圖10為本發(fā)明第十實(shí)施例的剖視圖；圖11為現(xiàn)有封裝結(jié)構(gòu)與本發(fā)明的具有復(fù)合結(jié)構(gòu)基板的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)在結(jié) 合有一散熱裝置時(shí)所測(cè)得的發(fā)光二極管晶片的溫度對(duì)時(shí)間曲線比較圖；圖12為現(xiàn)有技術(shù)的多層次封裝方式的示意圖；圖13A為以晶片直接封裝(chip on board)技術(shù)封裝直流發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)的上視圖；圖1 為采用晶片直接封裝(chip on board)技術(shù)封裝交流發(fā)光二極管的封裝結(jié) 構(gòu)的上視圖；圖13C為采用晶片直接封裝(chip on board)技術(shù)封裝交流發(fā)光二極管的封裝結(jié) 構(gòu)的上視圖。附圖標(biāo)記說明10、10‘、10〃、10A、10B、10C、10D-高導(dǎo)熱金屬基板；11、11A、 IlB-反射罩杯；IlUlll'、111A、111B-容室；1111-底壁；1112-側(cè)壁；12C-鰭片；12D-鰭 片；20、20A-印刷電路板；21-開槽；22-電流線路導(dǎo)電區(qū)域；30、30A_燈串；31-發(fā)光二極管 晶片；40-環(huán)體；50-封裝膠體；60-散熱鰭片；71-發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)；72-金屬核心印刷電路 板；73-散熱裝置；81-容室；82-晶片；83-金線；84-晶片。
具體實(shí)施例方式參見圖IA以及圖2所示，本發(fā)明的具有復(fù)合結(jié)構(gòu)基板的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，在 第一實(shí)施例中包含有一高導(dǎo)熱金屬基板10，其底面可為平面，而頂面凸設(shè)有復(fù)數(shù)反射罩杯11，所述的 些反射罩杯11可呈幾何圖形的規(guī)則性配置，如圖所示在本實(shí)施例中是凸設(shè)有16個(gè)反射罩 杯11呈4X4的矩陣配置，各反射罩杯11自頂面內(nèi)凹形成有一容室111，所述的容室111 具有底壁1111與側(cè)壁1112，在本實(shí)施例中容室111是呈圓錐形(Truncated Cylindrical Cone)，容室111的側(cè)壁1112是朝向容室111的開口方向呈外擴(kuò)傾斜狀，所述的側(cè)壁1112 上可另外鍍有金屬反射層圖中未示，所述的金屬反射層的材料可選自于鎳、鋁或者銀；一印刷電路板20，其形成有配合反射罩杯11數(shù)量以及位置的開槽21，印刷電路板 20上設(shè)有復(fù)數(shù)電流線路導(dǎo)電區(qū)域22，所述的電流線路導(dǎo)電區(qū)域22為導(dǎo)電層，在各開槽21 的周邊至少設(shè)有兩電流線路導(dǎo)電區(qū)域22，且兩相鄰開槽21之間設(shè)有一電流線路導(dǎo)電區(qū)域 22，印刷電路板20疊設(shè)在所述高導(dǎo)熱金屬基板10的頂面，且高導(dǎo)熱金屬基板10上的反射 罩杯11是進(jìn)入印刷電路板20上對(duì)應(yīng)的開槽21內(nèi)；至少一燈串30，在所述反射罩杯11的容室111底壁1111上設(shè)置有至少一所述的 燈串30，所述的燈串30具有至少一發(fā)光二極管晶片31，且由打線接合與反射罩杯11周圍 的印刷電路板20的電流線路導(dǎo)電區(qū)域22連接，由于印刷電路板20上在各反射罩杯11周 邊設(shè)有至少兩電流線路導(dǎo)電區(qū)域22，因此可依據(jù)需求將各燈串30進(jìn)行各種形式的串聯(lián)或 并聯(lián)的連接，如圖1以及圖2所示第一實(shí)施例即為將復(fù)數(shù)燈串30串聯(lián)后再并聯(lián)的設(shè)計(jì)，或 者參見圖3A以及圖;3B所示的第二實(shí)施例，當(dāng)使用的發(fā)光二極管晶片31選用交流發(fā)光二極 管晶片時(shí)，可將各燈串30間設(shè)計(jì)為并聯(lián)連接，此外，所述的電流線路導(dǎo)電區(qū)域22可設(shè)計(jì)為 具有一較大的尺寸，以利打線接合時(shí)可有較高的合格率，在第一以及第二實(shí)施例中各包含 有16個(gè)燈串30，各燈串30分別對(duì)應(yīng)設(shè)置在一反射罩杯11的容室111內(nèi)，且燈串30各具有 一發(fā)光二極管晶片31 ；一環(huán)體40，其可材質(zhì)可為金屬、陶瓷或塑膠，環(huán)體40貫穿形成有一收容空間41，環(huán) 體40設(shè)置在印刷電路板20頂面；一封裝膠體50，其涂布在所述環(huán)體40的收容空間41內(nèi)且包覆所述燈串30。請(qǐng)參見圖4以及圖5所示，即為本發(fā)明的第三實(shí)施例，本發(fā)明的二極管封裝結(jié)構(gòu)，在各反射罩杯IlA中也可配置有復(fù)數(shù)燈串30A，且各燈串30A具有復(fù)數(shù)發(fā)光二極管晶片31， 每一燈串30A各發(fā)光二極管晶片31間相互串接，而位于燈串30A兩端的發(fā)光二極管晶片31 再打線接合與印刷電路板20A上的電流線路導(dǎo)電區(qū)域22連接，在本實(shí)施例中，所述高導(dǎo)熱 金屬基板IOA上是凸設(shè)有四個(gè)反射罩杯11A，各反射罩杯IlA的容室IllA內(nèi)是設(shè)置有兩燈 串30A，各燈串30A具有兩發(fā)光二極管晶片31，每一燈串30A的兩發(fā)光二極管晶片31是相 互串接，燈串30A再打線接合與反射罩杯IlA周圍的印刷電路板20A的電流線路導(dǎo)電區(qū)域 22連接，此外，配合參見圖6所示本發(fā)明第四實(shí)施例，其中反射罩杯1IB的容室11IB也可呈 方維形(Truncated Cubic Cone)。參見圖IB所示，為本發(fā)明的第五實(shí)施例，其中所述高導(dǎo)熱金屬基板10'的頂面也 可直接凹設(shè)有復(fù)數(shù)所述容室111'，而所述燈串30是設(shè)置在所述的些容室111'內(nèi)；參見圖IC所示，為本發(fā)明的第六實(shí)施例，其中所述高導(dǎo)熱金屬基板10"的頂面也 可為一平面，而所述燈串30是直接設(shè)在所述印刷電路板20的開槽21內(nèi)且位于所述的高導(dǎo) 熱金屬基板10"上，高導(dǎo)熱金屬基板10"頂面上相對(duì)于開槽21處且可進(jìn)一步鍍有金屬反 射層。參見圖7所示，為本發(fā)明的第七實(shí)施例，其中高導(dǎo)熱金屬基板IOB的頂面是內(nèi)凹形 成有一定位槽101，而印刷電路板20A是嵌設(shè)在所述的定位槽101內(nèi)，如此可進(jìn)一步提升印 刷電路板20A與高導(dǎo)熱金屬基板IOB間的定位效果。請(qǐng)參見圖8所示的本發(fā)明第八實(shí)施例，其是在高導(dǎo)熱金屬基板10的下方進(jìn)一步設(shè) 置有一散熱鰭片60，或者請(qǐng)配合參見圖9以及圖10所示，分別為本發(fā)明第九以及第十實(shí)施 例，其中高導(dǎo)熱金屬基板IOC的底面是延伸形成有縱向平行排列的復(fù)數(shù)鰭片12C，而高導(dǎo)熱 金屬基板IOD底面是延伸形成有橫向平行排列的復(fù)數(shù)鰭片12D，據(jù)此可增加高導(dǎo)熱金屬基 板10CU0D的散熱效果。參見圖11所示，其顯示本發(fā)明的具有復(fù)合結(jié)構(gòu)基板的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，在結(jié) 合有一散熱裝置可如圖8所示的實(shí)施例中結(jié)合有一散熱鰭片60或者如第九以及十圖所示 的實(shí)施例中直接形成有鰭片12C、12D的情況下，所測(cè)得的時(shí)間對(duì)溫度的曲線圖，并與現(xiàn)有 的晶片直接封裝chip on board技術(shù)的封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行比較，由此圖可知，在相同的發(fā)熱功率 以及散熱裝置的條件下，在測(cè)試開始后，本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)中的晶片溫度相對(duì)低于現(xiàn)有技 術(shù)的封裝結(jié)構(gòu)的晶片溫度，可得知本發(fā)明的具有復(fù)合結(jié)構(gòu)基板的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)確實(shí) 具有較佳的散熱效果。以下說明所述各實(shí)施例中的高導(dǎo)熱金屬基板10、10'、10〃、10A、10B、10CU0D的制造方法首先，高導(dǎo)熱金屬基板10、10'、10〃、10A、10B、10CU0D的材料可選自于銅或銅 合金，并以熱鍛、冷鍛或金屬射出成形法(Metal Powder Injection Molding)加工成形；此外，所述高導(dǎo)熱金屬基板10、10'、10〃、10A、10B、10C、10D，其材料另可選自于 鋁或鋁合金，并以熱鍛或冷鍛方式加工成形為成品，也或是以擠出或鑄造方式制作粗胚后 再進(jìn)行機(jī)械加工成形為成品。以上說明對(duì)本發(fā)明而言只是說明性的，而非限制性的，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員理解， 在不脫離權(quán)利要求所限定的精神和范圍的情況下，可作出許多修改、變化或等效，但都將落 入本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種具有復(fù)合結(jié)構(gòu)基板的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含有一高導(dǎo)熱金屬基板，其頂面凸設(shè)有復(fù)數(shù)反射罩杯，各反射罩杯自頂面內(nèi)凹形成有一容 室，容室具有底壁與側(cè)壁，所述的側(cè)壁朝向容室的開口方向呈外擴(kuò)傾斜狀；一印刷電路板，其形成有配合反射罩杯數(shù)量以及位置的開槽，印刷電路板上設(shè)有復(fù)數(shù) 電流線路導(dǎo)電區(qū)域，在各開槽的周邊至少設(shè)有兩電流線路導(dǎo)電區(qū)域，且兩相鄰開槽之間設(shè) 有一電流線路導(dǎo)電區(qū)域，印刷電路板疊設(shè)在所述高導(dǎo)熱金屬基板的頂面，高導(dǎo)熱金屬基板 上凸設(shè)的反射罩杯進(jìn)入印刷電路板上對(duì)應(yīng)的開槽；至少一燈串，在所述反射罩杯的容室底壁上設(shè)置有至少一燈串，所述的燈串具有至少 一發(fā)光二極管晶片，且由打線接合與印刷電路板上的電流線路導(dǎo)電區(qū)域連接；一環(huán)體，其貫穿形成有一收容空間，環(huán)體設(shè)置在印刷電路板頂面；一含螢光粉的封裝膠體，其涂布在所述環(huán)體的收容空間內(nèi)且包覆所述燈串。
2.如權(quán)利要求1所述的具有復(fù)合結(jié)構(gòu)基板的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述 容室側(cè)壁上鍍有金屬反射層。
3.如權(quán)利要求2所述的具有復(fù)合結(jié)構(gòu)基板的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述 容室側(cè)壁上的金屬反射層的材料選自于銀、鋁或鎳。
4.如權(quán)利要求1所述的具有復(fù)合結(jié)構(gòu)基板的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述 高導(dǎo)熱金屬基板的頂面凸設(shè)有呈矩陣配置的復(fù)數(shù)反射罩杯。
5.如權(quán)利要求1所述的具有復(fù)合結(jié)構(gòu)基板的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述 高導(dǎo)熱金屬基板的頂面凸設(shè)有呈任何幾何圖形配置的復(fù)數(shù)反射罩杯。
6.如權(quán)利要求1所述的具有復(fù)合結(jié)構(gòu)基板的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述 燈串具有復(fù)數(shù)發(fā)光二極管晶片，各發(fā)光二極管晶片之間是相互串接，位于燈串兩端的發(fā)光 二極管晶片再打線接合與印刷電路板上的線路層連接。
7.如權(quán)利要求1所述的具有復(fù)合結(jié)構(gòu)基板的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述 容室是呈圓錐形。
8.如權(quán)利要求1所述的具有復(fù)合結(jié)構(gòu)基板的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述 容室是呈方錐形。
9.如權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的具有復(fù)合結(jié)構(gòu)基板的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特 征在于所述高導(dǎo)熱金屬基板，其底面延伸有復(fù)數(shù)鰭片。
10.如權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的具有復(fù)合結(jié)構(gòu)基板的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特 征在于所述高導(dǎo)熱金屬基板，其底面是一平面。
11.如權(quán)利要求1所述的具有復(fù)合結(jié)構(gòu)基板的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述 高導(dǎo)熱金屬基板的頂面內(nèi)凹形成有一定位槽，而印刷電路板嵌設(shè)在所述的定位槽內(nèi)。
12.—種具有復(fù)合結(jié)構(gòu)基板的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含有一高導(dǎo)熱金屬基板，其頂面凹設(shè)有復(fù)數(shù)容室，各容室具有底壁與側(cè)壁，所述的側(cè)壁朝向 容室的開口方向呈外擴(kuò)傾斜狀；一印刷電路板，其形成有配合容室數(shù)量以及位置的開槽，印刷電路板上設(shè)有復(fù)數(shù)電流 線路導(dǎo)電區(qū)域，在各開槽的周邊至少設(shè)有一電流線路導(dǎo)電區(qū)域，且兩相鄰開槽之間設(shè)有一 電流線路導(dǎo)電區(qū)域，印刷電路板疊設(shè)在所述高導(dǎo)熱金屬基板的頂面，且其各開槽分別相對(duì) 于高導(dǎo)熱金屬基板上對(duì)應(yīng)的容室；至少一燈串，在所述容室底壁上設(shè)置有至少一燈串，所述的燈串具有至少一發(fā)光二極 管晶片，且由打線接合與印刷電路板上的電流線路導(dǎo)電區(qū)域連接；一環(huán)體，其貫穿形成有一收容空間，環(huán)體設(shè)置在印刷電路板頂面；一含螢光粉的封裝膠體，其涂布在所述環(huán)體的收容空間內(nèi)且包覆所述燈串。
13.如權(quán)利要求12所述的具有復(fù)合結(jié)構(gòu)基板的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所 述容室側(cè)壁上鍍有金屬反射層。
14.如權(quán)利要求13所述的具有復(fù)合結(jié)構(gòu)基板的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所 述容室側(cè)壁上的金屬反射層的材料選自于銀、鋁或鎳。
15.如權(quán)利要求12所述的具有復(fù)合結(jié)構(gòu)基板的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所 述高導(dǎo)熱金屬基板的頂面凹設(shè)有呈矩陣配置的復(fù)數(shù)容室。
16.如權(quán)利要求12所述的具有復(fù)合結(jié)構(gòu)基板的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所 述高導(dǎo)熱金屬基板的頂面凹設(shè)有呈任何幾何圖形配置的復(fù)數(shù)容室。
17.如權(quán)利要求12所述的具有復(fù)合結(jié)構(gòu)基板的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所 述燈串具有復(fù)數(shù)發(fā)光二極管晶片，各發(fā)光二極管晶片之間是相互串接，位于燈串兩端的發(fā) 光二極管晶片再打線接合與印刷電路板上的線路層連接。
18.如權(quán)利要求12所述的具有復(fù)合結(jié)構(gòu)基板的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所 述容室呈圓錐形。
19.如權(quán)利要求12所述的具有復(fù)合結(jié)構(gòu)基板的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所 述容室呈方錐形。
20.如權(quán)利要求12至19中任一項(xiàng)所述的具有復(fù)合結(jié)構(gòu)基板的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其 特征在于所述高導(dǎo)熱金屬基板，其底面延伸有復(fù)數(shù)鰭片。
21.如權(quán)利要求12至19中任一項(xiàng)所述的具有復(fù)合結(jié)構(gòu)基板的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其 特征在于所述高導(dǎo)熱金屬基板，其底面是一平面。
22.如權(quán)利要求12所述的具有復(fù)合結(jié)構(gòu)基板的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所 述高導(dǎo)熱金屬基板的頂面內(nèi)凹形成有一定位槽，而印刷電路板嵌設(shè)在所述的定位槽內(nèi)。
23.一種具有復(fù)合結(jié)構(gòu)基板的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含有一高導(dǎo)熱金屬基板；一印刷電路板，其形成有復(fù)數(shù)開槽，且印刷電路板上設(shè)有復(fù)數(shù)電流線路導(dǎo)電區(qū)域，在各 開槽的周邊至少設(shè)有一電流線路導(dǎo)電區(qū)域，且兩相鄰開槽之間設(shè)有一電流線路導(dǎo)電區(qū)域， 印刷電路板疊設(shè)在所述高導(dǎo)熱金屬基板的頂面；至少一燈串，設(shè)在所述開槽內(nèi)且位于所述的高導(dǎo)熱金屬基板上，所述的燈串具有至少 一發(fā)光二極管晶片，且由打線接合與印刷電路板上的電流線路導(dǎo)電區(qū)域連接；一環(huán)體，其貫穿形成有一收容空間，環(huán)體設(shè)置在印刷電路板頂面；一含螢光粉的封裝膠體，其涂布在所述環(huán)體的收容空間內(nèi)且包覆所述燈串。
24.如權(quán)利要求23所述的具有復(fù)合結(jié)構(gòu)基板的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所 述高導(dǎo)熱金屬基板頂面上相對(duì)于開槽處鍍有金屬反射層。
25.如權(quán)利要求M所述的具有復(fù)合結(jié)構(gòu)基板的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所 述金屬反射層的材料選自于銀、鋁或鎳。
26.如權(quán)利要求23所述的具有復(fù)合結(jié)構(gòu)基板的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述印刷電路板上的開槽呈矩陣配置。
27.如權(quán)利要求23所述的具有復(fù)合結(jié)構(gòu)基板的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所 述印刷電路板上的開槽呈任何幾何圖形的配置。
28.如權(quán)利要求23所述的具有復(fù)合結(jié)構(gòu)基板的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所 述燈串具有復(fù)數(shù)發(fā)光二極管晶片，各發(fā)光二極管晶片之間是相互串接，位于燈串兩端的發(fā) 光二極管晶片再打線接合與印刷電路板上的線路層連接。
29.如權(quán)利要求23至觀中任一項(xiàng)所述的具有復(fù)合結(jié)構(gòu)基板的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其 特征在于所述高導(dǎo)熱金屬基板，其底面延伸有復(fù)數(shù)鰭片。
30.如權(quán)利要求23至觀中任一項(xiàng)所述的具有復(fù)合結(jié)構(gòu)基板的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其 特征在于所述高導(dǎo)熱金屬基板，其底面是一平面。
31.如權(quán)利要求23所述的具有復(fù)合結(jié)構(gòu)基板的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所 述高導(dǎo)熱金屬基板的頂面內(nèi)凹形成有一定位槽，而印刷電路板是嵌設(shè)在所述的定位槽內(nèi)。
32.—種制造如權(quán)利要求1至31中任一項(xiàng)所述具有復(fù)合結(jié)構(gòu)基板的發(fā)光二極管封裝結(jié) 構(gòu)中的高導(dǎo)熱金屬基板的方法，其特征在于高導(dǎo)熱金屬基板的材料選自于銅或銅合金。
33.如權(quán)利要求32所述制造具有復(fù)合結(jié)構(gòu)基板的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)中的高導(dǎo)熱金 屬基板的方法，其特征在于高導(dǎo)熱金屬基板是以熱鍛、冷鍛或金屬射出成形法加工成形。
34.一種制造如權(quán)利要求1至31中任一項(xiàng)所述具有復(fù)合結(jié)構(gòu)基板的發(fā)光二極管封裝結(jié) 構(gòu)中的高導(dǎo)熱金屬基板的方法，其特征在于所述高導(dǎo)熱金屬基板，其材料選自于鋁或鋁合 金其中之一。
35.如權(quán)利要求34所述制造具有復(fù)合結(jié)構(gòu)基板的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)中的高導(dǎo)熱金 屬基板的方法，其特征在于高導(dǎo)熱金屬基板是以熱鍛、冷鍛、擠出配合機(jī)械加工或鑄造配 合機(jī)械加工方式加工成形。
全文摘要
本發(fā)明是一種具有復(fù)合結(jié)構(gòu)基板的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包含有一高導(dǎo)熱金屬基板，其頂面凸設(shè)有復(fù)數(shù)反射罩杯，各反射罩杯內(nèi)凹形成有呈外擴(kuò)錐形的一容室；一印刷電路板，疊設(shè)在所述高導(dǎo)熱金屬基板的頂面且形成有開槽容置對(duì)應(yīng)的反射罩杯；至少一燈串，在反射罩杯的容室內(nèi)設(shè)置有至少一所述的燈串，燈串具有至少一發(fā)光二極管晶片，且燈串由打線接合與印刷電路板連接；一封裝膠體，其涂布在高導(dǎo)熱金屬基板以及印刷電路板的頂面且包覆燈串；由于燈串的發(fā)光二極管晶片直接設(shè)置在高導(dǎo)熱金屬基板上，因此運(yùn)作時(shí)的熱量可直接傳導(dǎo)至高導(dǎo)熱金屬基板進(jìn)而有效的散發(fā)。
文檔編號(hào)F21V9/10GK102042568SQ20091020550
公開日2011年5月4日 申請(qǐng)日期2009年10月16日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月16日
發(fā)明者林舜天, 鐘兆棟 申請(qǐng)人:新日興股份有限公司