專利名稱：質(zhì)譜儀離子源的加熱裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種包含電子轟擊離子源和化學(xué)離子源的質(zhì)譜儀離子源，尤其涉 及質(zhì)譜儀離子源中的加熱裝置。
背景技術(shù)：
質(zhì)譜儀離子源的加熱裝置，其作用是離子源保持在一定溫度，并使離子源受熱均 勻，防止樣品冷凝?，F(xiàn)有質(zhì)譜儀離子源的加熱裝置，使用單加熱棒，靠近加熱棒的位置溫度高，遠(yuǎn)離加 熱棒的位置溫度低，整個(gè)離子源的溫度不均衡。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種質(zhì)譜儀離子源的加熱裝置，使整 個(gè)離子源的溫度均衡。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案一種質(zhì)譜儀離子源的加熱 裝置，包括加熱棒、傳感器和電離室基座，所述電離室基座設(shè)為U型槽狀，所述U型槽狀的兩 側(cè)邊上部設(shè)有加熱棒安裝的插孔。優(yōu)選的，所述電離室基座的U型槽狀的一端側(cè)邊上部設(shè)有傳感器安裝孔。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有的優(yōu)點(diǎn)采用雙加熱棒的結(jié)構(gòu)，實(shí)行對(duì)稱加熱方 式，保證了質(zhì)譜儀離子源的溫度更加均衡，防止樣品冷凝，有利于提高提高活性化合物的信 號(hào)響應(yīng)。電離室基座左右對(duì)稱各安裝兩個(gè)加熱棒，左側(cè)使用PT100鉬電阻作為溫度傳感 器，通過(guò)PID算法實(shí)現(xiàn)精確的溫度控制。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，加工裝配方便，質(zhì)譜儀離子源的溫度均

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；附圖標(biāo)記說(shuō)明1-加熱棒；2_傳感器；3-電離室基座。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說(shuō)明。如圖1所示的一種質(zhì)譜儀離子源的加熱裝置，包括加熱棒1、傳感器2和電離室基 座3，所述電離室基座3設(shè)為U型槽狀，所述U型槽狀的兩側(cè)邊上部設(shè)有加熱棒1安裝的插
3孔。所述電離室基座的U型槽狀的一端側(cè)邊上部設(shè)有傳感器2安裝孔。上述的加熱裝置，由于在兩側(cè)邊上都設(shè)置有加熱棒1，為對(duì)稱結(jié)構(gòu)，保證了質(zhì)譜儀 離子源的溫度更加均衡，防止樣品冷凝，有利于提高提高活性化合物的信號(hào)響應(yīng)。以上所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技 術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和 潤(rùn)飾也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求一種質(zhì)譜儀離子源的加熱裝置，包括加熱棒、傳感器和電離室基座，其特征在于所述電離室基座設(shè)為U型槽狀，所述U型槽狀的兩側(cè)邊上部設(shè)有加熱棒安裝的插孔。
2.如權(quán)利要求1所述的一種質(zhì)譜儀離子源的加熱裝置，其特征在于所述電離室基座 的U型槽狀的一端側(cè)邊上部設(shè)有傳感器安裝孔。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種包含電子轟擊離子源和化學(xué)離子源的質(zhì)譜儀離子源的加熱裝置，包括加熱棒、傳感器和電離室基座，所述電離室基座設(shè)為U型槽狀，所述U型槽狀的兩側(cè)邊上部設(shè)有加熱棒安裝的插孔。本實(shí)用新型采用雙加熱棒的結(jié)構(gòu)，實(shí)行對(duì)稱加熱方式，保證了質(zhì)譜儀離子源的溫度更加均衡，防止樣品冷凝，有利于提高提高活性化合物的信號(hào)響應(yīng)。
文檔編號(hào)H01J49/10GK201608149SQ20092027831
公開(kāi)日2010年10月13日 申請(qǐng)日期2009年12月22日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月22日
發(fā)明者張洪剛, 王傳博 申請(qǐng)人:北京普析通用儀器有限責(zé)任公司