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質(zhì)譜儀離子源的燈絲熱輻射屏蔽裝置的制作方法

文檔序號:2893043閱讀:758來源:國知局
專利名稱:質(zhì)譜儀離子源的燈絲熱輻射屏蔽裝置的制作方法
技術領域
本實用新型涉及一種含電子轟擊離子源和化學離子源的質(zhì)譜儀離子源,尤其涉及 質(zhì)譜儀離子源的燈絲熱輻射屏蔽裝置。
背景技術
質(zhì)譜儀離子源的燈絲,主要作用是產(chǎn)生電離樣品分子需要的電子?,F(xiàn)有質(zhì)譜儀離子源的燈絲,無熱屏蔽設計;靠近燈絲的位置,離子源溫度高于設定 溫度,使整個離子源內(nèi)部的溫度不均衡,從而影響離子源內(nèi)部電場。

實用新型內(nèi)容針對于此,本實用新型的目的在于,提供一種質(zhì)譜儀離子源的燈絲熱輻射屏蔽裝 置,能減弱燈絲熱輻射對離子源內(nèi)部電場的影響。為解決上述技術問題,本實用新型提供的技術方案為一種質(zhì)譜儀離子源的燈絲 熱輻射屏蔽裝置,包括有燈絲,還包括有屏蔽室,所述屏蔽室包覆在燈絲外周。優(yōu)選的,所述屏蔽室設為直槽狀,倒扣在燈絲上。優(yōu)選的,所述屏蔽室的兩側面上設有通孔。優(yōu)選的,所述通孔設為圓形。與現(xiàn)有技術相比,本實用新型在燈絲的外周設置一屏蔽室,但是屏蔽室還設有相 應的通道,便于燈絲產(chǎn)生電子的透過,而又能有效屏蔽燈絲的熱輻射。本實用新型使離子源 內(nèi)部的溫度均衡,減弱了溫度對離子源內(nèi)部電場的影響,有利于提高活性化合物的信號響應。

圖1是本實用新型的結構示意圖。
具體實施方式

以下結合附圖對本實用新型進行詳細描述,本部分的描述僅是示范性和解釋性, 不應對本實用新型的保護范圍有任何的限制作用。如圖1所示的一種質(zhì)譜儀離子源的燈絲熱輻射屏蔽裝置,包括有燈絲1,還包括有 屏蔽室2,所述屏蔽室2包覆在燈絲1外周。屏蔽室2設為直槽狀,倒扣在燈絲1上。屏蔽 室2的兩側面上設有圓形通孔。本實用新型燈絲熱輻射屏蔽裝置,適用于質(zhì)譜儀的離子源,包括電子轟擊離子源 和化學離子源兩種類型。在燈絲1外周設置一個不銹鋼的屏蔽室2,既不影響燈絲產(chǎn)生電子 的透過,又能夠有效屏蔽燈絲的熱輻射。本實用新型使離子源內(nèi)部的溫度均衡,減弱了溫度對離子源內(nèi)部電場的影響,有 利于提高活性化合物的信號響應。[0015] 以上僅是本實用新型的優(yōu)選實施方式,應當指出,對于本技術領域的普通技術人 員來說,在不脫離本實用新型原理的前提下,還可以做出若干改進和潤飾,這些改進和潤飾 也應視為本實用新型的保護范圍。
權利要求一種質(zhì)譜儀離子源的燈絲熱輻射屏蔽裝置,包括有燈絲,其特征在于還包括有屏蔽室,所述屏蔽室包覆在燈絲外周。
2.根據(jù)權利要求1所述的質(zhì)譜儀離子源的燈絲熱輻射屏蔽裝置,其特征在于所述屏 蔽室設為直槽狀,倒扣在燈絲上。
3.根據(jù)權利要求2所述的質(zhì)譜儀離子源的燈絲熱輻射屏蔽裝置,其特征在于所述屏 蔽室的兩側面上設有通孔。
4.根據(jù)權利要求3所述的質(zhì)譜儀離子源的燈絲熱輻射屏蔽裝置,其特征在于所述通 孔設為圓形。
專利摘要本實用新型涉及一種包含電子轟擊離子源和化學離子源的質(zhì)譜儀離子源的燈絲熱輻射屏蔽裝置,包括有燈絲,還包括有屏蔽室,所述屏蔽室包覆在燈絲外周。本實用新型使離子源內(nèi)部的溫度均衡,減弱了溫度對離子源內(nèi)部電場的影響,有利于提高活性化合物的信號響應。
文檔編號H01J49/10GK201584397SQ200920278319
公開日2010年9月15日 申請日期2009年12月22日 優(yōu)先權日2009年12月22日
發(fā)明者張洪剛, 王傳博 申請人:北京普析通用儀器有限責任公司
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