專利名稱：等離子體顯示屏的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在顯示設(shè)備等中使用的等離子體顯示屏。
背景技術(shù)：
由于等離子體顯示屏(以下稱為"PDP")能夠?qū)崿F(xiàn)高清晰化、大畫面化，因此將100 英寸級(jí)的電視機(jī)等產(chǎn)品化。近年來，PDP比現(xiàn)有的NTSC方式更適用于掃描線數(shù)在2倍以上 的高清晰電視機(jī)。另外，要求能夠解決消耗功率的降低進(jìn)而應(yīng)對(duì)能量問題的PDP，并且考慮 環(huán)境問題而要求不含鉛成分的PDP。 PDP基本由前面板和背面板構(gòu)成。前面板由以下構(gòu)件構(gòu)成利用浮法制造的硼硅 酸鈉系玻璃的玻璃基板；由在玻璃基板的一個(gè)主面上形成的條狀的透明電極和匯流電極構(gòu) 成的顯示電極；覆蓋顯示電極作為電容器進(jìn)行工作的電介質(zhì)層；由在電介質(zhì)層上形成的氧 化鎂(Mg0)構(gòu)成的保護(hù)層。 另一方面，背面板由以下構(gòu)件構(gòu)成玻璃基板；在其一個(gè)主面上形成的條狀的尋 址電極(7 K ^》電極)；覆蓋尋址電極的基底電介質(zhì)層；在基底電介質(zhì)層上形成的隔墻； 在各隔墻間形成且分別發(fā)出紅光、綠光以及藍(lán)光的熒光體層。 前面板和背面板使其電極形成面?zhèn)葘?duì)置而氣密密封，在由隔墻隔開的放電空間中 將氖(Ne)-氙(Xe)放電氣體以400Torr(53300Pa) 600Torr (80000Pa)的壓力密封。PDP 通過將圖像信號(hào)電壓選擇地施加在顯示電極上而放電，該放電產(chǎn)生的紫外線激發(fā)各色熒光 體層從而進(jìn)行紅色、綠色、藍(lán)色的發(fā)光，實(shí)現(xiàn)彩色圖像顯示。 另外，作為這樣的PDP的驅(qū)動(dòng)方法，通常使用具有在容易進(jìn)行寫入的狀態(tài)調(diào)節(jié)壁 電荷的初始化期間、根據(jù)輸入圖像信號(hào)進(jìn)行寫入放電的寫入期間、和通過在進(jìn)行了寫入的 放電空間產(chǎn)生維持放電來進(jìn)行顯示的維持期間的驅(qū)動(dòng)方法。組合了上述各期間的期間(子 域)在相當(dāng)于圖像的一個(gè)片段(- 7 )的期間(一個(gè)域)內(nèi)重復(fù)多次，由此進(jìn)行PDP的灰 度顯示。 在這樣的PDP中，就在前面板的電介質(zhì)層上形成的保護(hù)層的作用而言，可以舉出 保護(hù)電介質(zhì)層以防受到放電產(chǎn)生的離子沖擊、放射用于產(chǎn)生尋址放電的初始電子等。保護(hù) 電介質(zhì)層以防受到離子沖擊是防止放電電壓上升的重要作用，另外，放射用于產(chǎn)生尋址放 電的初始電子是防止造成圖像閃爍的尋址放電失誤的重要作用。 為了使來自保護(hù)層的初始電子的放射數(shù)量增加而降低圖像的閃爍，例如，公開有 向氧化鎂(MgO)保護(hù)層中添加雜質(zhì)的例子、或在氧化鎂(MgO)保護(hù)層上形成了氧化鎂(MgO) 粒子的例子(例如，參照專利文獻(xiàn)1、2、3、4、5等)。 近年來，電視機(jī)朝著高清晰化發(fā)展，在市場(chǎng)中要求低成本、低消耗功率、高亮度的 全高清(high definition) (1920X1080像素漸進(jìn)式顯示)PDP。由于來自保護(hù)層的電子 放射特性決定PDP的畫質(zhì)，因此控制電子放射特性非常重要。 S卩，為了顯示高清晰化的圖像，盡管一個(gè)域的時(shí)間為恒定，但進(jìn)行寫入的像素的數(shù) 量增加，因此，在子域中的寫入期間中，需要使向?qū)ぶ冯姌O施加的脈沖的寬度變窄。然而，從電壓脈沖的上升到在放電空間內(nèi)產(chǎn)生放電為止存在被稱為放電延遲的時(shí)間延遲。因此，在 脈沖的寬度變窄的情況下，在寫入期間內(nèi)能夠結(jié)束放電的概率變低。其結(jié)果是，產(chǎn)生點(diǎn)燈不 良，閃爍這些畫質(zhì)性能降低的問題。 另外，為了降低消耗功率，提高放電引起的發(fā)光效率，考慮增大氙(Xe)分壓。但
是，產(chǎn)生放電電壓變高且放電延遲變大而導(dǎo)致點(diǎn)燈不良等畫質(zhì)降低的問題。 這樣，存在以下課題在實(shí)現(xiàn)PDP的高清晰化或低消耗功率時(shí)，需要同時(shí)實(shí)現(xiàn)使放
電電壓不變高且降低點(diǎn)燈不良而提高畫質(zhì)的要求。 進(jìn)行了使雜質(zhì)混雜在保護(hù)層中由此改善電子放射特性的嘗試。然而，在使雜質(zhì)混 雜在保護(hù)層中，改善了電子放射特性的情況下，電荷在保護(hù)層表面上積累，作為存儲(chǔ)功能使 用時(shí)的電荷隨時(shí)間減少的衰減率變大。因此，需要增大用于補(bǔ)充這樣的電荷的衰減的施加 電壓等對(duì)策。 另一方面，在氧化鎂(Mg0)保護(hù)層上形成氧化鎂(Mg0)晶粒的例子中，能夠減小放
電延遲，降低點(diǎn)燈不良。但是，存在不能降低放電電壓的問題。專利文獻(xiàn)1日本特開2002-260535號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2日本特開平11-339665號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3日本特開2006-59779號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)4日本特開平8-236028號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)5日本特開平10-334809號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于這樣的問題而做成的，實(shí)現(xiàn)具備高亮度的顯示性能，且能夠進(jìn)行低 電壓驅(qū)動(dòng)的PDP。 本發(fā)明的PDP具有第一基板，其以覆蓋在基板上形成的顯示電極的方式形成電 介質(zhì)層并且在電介質(zhì)層上形成有保護(hù)層；第二基板，其與第一基板對(duì)置配置而形成填充有 放電氣體的放電空間，且在與顯示電極交叉的方向上形成尋址電極，并且設(shè)有劃分放電空 間的隔墻。這里，保護(hù)層利用含有氧化鎂和氧化鈣的金屬氧化物來形成，且金屬氧化物如下 所述在保護(hù)層面處的X射線衍射分析中，在氧化鎂的峰值出現(xiàn)的衍射角和相同方位的氧 化鈣的峰值出現(xiàn)的衍射角之間存在峰值。 根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)可知，即使在提高保護(hù)層中的二次電子放射特性，為了提高亮度 而增大了放電氣體的氙(Xe)氣體分壓的情況下，也能夠?qū)崿F(xiàn)低電壓驅(qū)動(dòng)，實(shí)現(xiàn)高亮度、低 電壓驅(qū)動(dòng)的PDP。


圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的PDP的結(jié)構(gòu)的立體圖。 圖2是表示該P(yáng)DP的前面板的結(jié)構(gòu)的剖面圖。 圖3是表示該P(yáng)DP的保護(hù)層中的X射線衍射結(jié)果的圖。 圖4是用于說明該P(yáng)DP的凝集粒子的放大圖。 圖5是表示該P(yáng)DP的放電延遲和保護(hù)層中的鈣(Ca)濃度的關(guān)系的圖。 圖6是表示對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式中的PDP的電子放射性能和電荷保持性能進(jìn)行研究的結(jié)果的圖。
圖7是表示在該P(yáng)DP中使用的晶粒的粒徑和電子放射性能的關(guān)系的圖。符號(hào)說明1PDP2前面板3前面玻璃基板4掃描電極4a、5a透明電極4b、5b金屬匯流電極5維持電極6顯示電極7黑條(遮光層)8電介質(zhì)層9保護(hù)層10背面板ll背面玻璃基板12尋址電極13基底電介質(zhì)層14隔墻15熒光體層16放電空間81第一電介質(zhì)層82第二電介質(zhì)層92凝集粒子92a晶粒。
具體實(shí)施方式
以下，使用附圖，說明本發(fā)明的實(shí)施方式中的PDP。(實(shí)施方式) 圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的PDP1的結(jié)構(gòu)的立體圖。PDP1的基本結(jié)構(gòu)與普通 的交流面放電型PDP相同。如圖1所示，PDP1將由前面玻璃基板3等構(gòu)成的第一基板(以 下，稱為前面板2)和由背面玻璃基板ll等構(gòu)成的第二基板(以下，稱為背面板IO)對(duì)置配 置，PDP1的外周部通過玻璃粉等構(gòu)成的密封件氣密密封。在被密封的PDP1內(nèi)部的放電空 間16中，將氙(Xe)和氖(Ne)等放電氣體以400Torr (53300Pa) 600Torr (80000Pa)的壓 力封入。 在前面板2的前面玻璃基板3上，由掃描電極4以及維持電極5構(gòu)成的一對(duì)帶狀 的顯示電極6和黑條(遮光層)7相互平行地分別配置多列。在前面玻璃基板3上以覆蓋 顯示電極6和遮光層7的方式形成有電介質(zhì)層8，所述電介質(zhì)層8保持電荷而作為電容器進(jìn) 行工作，進(jìn)而，在電介質(zhì)層8上形成有保護(hù)層9。
另外，在背面板10的背面玻璃基板11上，在與前面板2的掃描電極4以及維持電極5正交的方向，多個(gè)帶狀的尋址電極12相互平行地配置，而且，基底電介質(zhì)層13將尋址電極12覆蓋。進(jìn)而，在尋址電極12間的基底電介質(zhì)層13上形成有劃分放電空間16的規(guī)定高度的隔墻14。在隔墻14間的每個(gè)槽中，依次涂敷形成有在紫外線的作用下分別發(fā)出紅光、綠光以及藍(lán)光的熒光體層15。在掃描電極4以及維持電極5和尋址電極12交叉的位置上形成放電空間，具有在顯示電極6方向上排列的紅色、綠色、藍(lán)色的熒光體層15的放電空間形成用于彩色顯示的像素。 圖2是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的PDP1的前面板2的結(jié)構(gòu)的剖面圖，圖2使圖1上下反轉(zhuǎn)表示。如圖2所示，在由浮法等制造的前面玻璃基板3上將由掃描電極4和維持電極5形成的顯示電極6和遮光層7形成圖案。掃描電極4和維持電極5分別由銦錫氧化物(IT0)或氧化錫(Sn02)等形成的透明電極4a、5a和在透明電極4a、5a上形成的金屬匯流電極4b、5b構(gòu)成。金屬匯流電極4b、5b用于在透明電極4a、5a的縱向賦予導(dǎo)電性，由以銀(Ag)材料作為主成分的導(dǎo)電性材料形成。 電介質(zhì)層8至少由第一電介質(zhì)層81和第二電介質(zhì)層82這2層構(gòu)成，第一電介質(zhì)層81以覆蓋在前面玻璃基板3上形成的上述透明電極4a、5a和金屬匯流電極4b、5b以及遮光層7的方式設(shè)置，第二電介質(zhì)層82在第一電介質(zhì)層81上形成。保護(hù)層9在第二電介質(zhì)層82上形成。 保護(hù)層9利用含有氧化鎂和氧化鈣的金屬氧化物來形成。進(jìn)而，通過在保護(hù)層9上附著氧化鎂(Mg0)的晶粒92a多個(gè)凝集而成的凝集粒子92而形成。
接下來，對(duì)PDP1的制造方法進(jìn)行說明。首先，在前面玻璃基板3上形成掃描電極4以及維持電極5和遮光層7。構(gòu)成掃描電極4和維持電極5的透明電極4a、5a和金屬匯流電極4b、5b使用光刻法等構(gòu)成圖案而形成。透明電極4a、5a使用薄膜工藝等形成，金屬匯流電極4b、5b通過將含有銀(Ag)材料的膏在規(guī)定溫度下燒成硬化而形成。另外，遮光層7也同樣地通過將含有黑色顏料的膏網(wǎng)板印刷的方法或在玻璃基板的整個(gè)面上形成黑色顏料后、使用光刻法構(gòu)成圖案并進(jìn)行燒成的方法形成。 接下來，以覆蓋掃描電極4、維持電極5以及遮光層7的方式在前面玻璃基板3上
將電介質(zhì)膏通過模涂法等涂敷從而形成電介質(zhì)膏(電介質(zhì)材料)層。在涂敷電介質(zhì)膏后，通
過放置規(guī)定的時(shí)間由此將被涂敷的電介質(zhì)膏表面整平而形成平坦的表面。其后，通過將電
介質(zhì)膏層燒成硬化，由此形成覆蓋掃描電極4、維持電極5以及遮光層7的電介質(zhì)層8。需
要說明的是，電介質(zhì)膏是含有玻璃粉末等電介質(zhì)材料、粘合劑以及溶劑的涂料。 接下來，在電介質(zhì)層8上形成保護(hù)層9。在本發(fā)明的實(shí)施方式中，利用含有氧化鎂
(Mg0)和氧化f丐(Ca0)的金屬氧化物形成保護(hù)層9。 保護(hù)層9使用氧化鎂(Mg0)或氧化鈣(Ca0)的單獨(dú)材料的顆?；蚧旌狭松鲜霾牧系念w粒，利用薄膜成膜方法來形成。作為薄膜成膜方法，可以適用電子束蒸鍍法、濺射法、離子鍍法等公知的方法。作為一例，考慮在濺射法中l(wèi)Pa，在作為蒸鍍法的一例的電子束蒸鍍法中0. 1Pa為實(shí)際可采用的壓力的上限。 另外，作為保護(hù)層9的成膜時(shí)的氣氛，為了防止水分附著或雜質(zhì)的吸附，在與外部隔斷的密閉狀態(tài)下調(diào)節(jié)成膜時(shí)的氣氛，由此能夠形成由具有規(guī)定的電子放射特性的金屬氧化物構(gòu)成的保護(hù)層9。
接下來，敘述在保護(hù)層9上附著形成的氧化鎂(Mg0)的晶粒92a的凝集粒子92。
晶粒92a可以通過以下所示的氣相合成法或前體燒成法中的任一個(gè)來制造。 在氣相合成法中，在充滿了惰性氣體的氣氛下，加熱純度為99.9%以上的鎂金屬
材料。進(jìn)而，通過向氣氛中導(dǎo)入少量的氧，從而能夠?qū)㈡V直接氧化，制造氧化鎂(Mg0)的晶
粒92a。 另一方面，在前體燒成法中，可以利用以下的方法來制造晶粒92a。在前體燒成法中，在70(TC以上的溫度條件下均勻地?zé)裳趸V(MgO)的前體，將其緩慢冷卻，得到氧化鎂(MgO)的晶粒92a。作為前體，例如，可以選擇鎂醇鹽(Mg(0R)2)、乙酰丙酮鎂(Mg(acac)》、氫氧化鎂(Mg(0H)2)、碳酸鎂(MgC02)、氯化鎂(MgCl2)、硫酸鎂(MgS04)、硝酸鎂(Mg(N03)2)、草酸鎂(MgC204)中任一種以上的化合物。此外，根據(jù)選擇的化合物，通常也存在水合物的形態(tài)，也可以使用這樣的水合物。 上述化合物調(diào)節(jié)為燒成后得到的氧化鎂(MgO)的純度為99.95%以上，優(yōu)選為99.98%以上。這是因?yàn)?，在這些化合物中，若各種堿金屬、硼(B)、硅(Si)、鐵(Fe)、鋁(Al)等雜質(zhì)元素以一定量以上混合，則在熱處理時(shí)產(chǎn)生無用的粒子間粘連或燒結(jié)，難以得到高結(jié)晶性的氧化鎂(MgO)的晶粒92a。從而，需要通過除去雜質(zhì)元素等來預(yù)先調(diào)節(jié)前體。
使利用上述任一個(gè)方法得到的氧化鎂(MgO)的晶粒92a分散于溶劑中。接著，利用濺射法或網(wǎng)板印刷法、靜電涂敷法等，將分散液散布于保護(hù)層9的表面。然后，經(jīng)過干燥*燒成工序，除去溶劑，將氧化鎂(MgO)的晶粒92a多個(gè)凝集而成的凝集粒子92固定于保護(hù)層9的表面。 利用這樣的一系列的工序，在前面玻璃基板3上形成掃描電極4、維持電極5、遮光層7、電介質(zhì)層8、保護(hù)層9，從而完成前面板2。 另一方面，背面板10如下所述形成。首先，在背面玻璃基板11上通過將含有銀(Ag)材料的膏網(wǎng)版印刷的方法或在整個(gè)面上形成金屬膜后、使用光刻法構(gòu)成圖案的方法等形成作為尋址電極12用的構(gòu)成物的材料層。然后，通過將材料層在規(guī)定的溫度下進(jìn)行燒成由此形成尋址電極12。接下來，在形成有尋址電極12的背面玻璃基板11上通過模涂法等以覆蓋尋址電極12的方式涂敷電介質(zhì)膏而形成電介質(zhì)膏層。其后，通過將電介質(zhì)膏層進(jìn)行燒成由此形成基底電介質(zhì)層13。需要說明的是，電介質(zhì)膏是含有玻璃粉末等電介質(zhì)材料、粘合劑以及溶劑的涂料。 接下來，在基底電介質(zhì)層13上涂敷含有隔墻材料的隔墻形成用膏而以規(guī)定形狀構(gòu)成圖案，由此形成隔墻材料層。其后，通過在規(guī)定溫度下對(duì)隔墻材料層進(jìn)行燒成而形成隔墻14。這里，作為將在基底電介質(zhì)層13上涂敷的隔墻用膏構(gòu)成圖案的方法，可以使用光刻法或噴砂法。接下來，在相鄰的隔墻14間的基底電介質(zhì)層13上以及隔墻14的側(cè)面涂敷含有熒光體材料的熒光體膏并進(jìn)行燒成，由此形成熒光體層15。通過以上工序，完成在背面玻璃基板11上具有規(guī)定的構(gòu)成部件的背面板10。 將具備了規(guī)定的構(gòu)成部件的前面板2和背面板10以掃描電極4和尋址電極12正交的方式對(duì)置配置，將其周圍通過玻璃粉密封，在放電空間16中將含有氙(Xe)和氖(Ne)等的放電氣體封入由此完成PDP1。 這里，對(duì)構(gòu)成前面板2的電介質(zhì)層8的第一 電介質(zhì)層81和第二電介質(zhì)82進(jìn)行詳細(xì)說明。第一電介質(zhì)層81的電介質(zhì)材料由以下的材料組成構(gòu)成。即，含有氧化鉍(Bi^》20重量％ 40重量％、含有從氧化|丐(Ca0)、氧化鍶(Sr0)、氧化鋇(Ba0)中選出的至少一種O. 5重量％ 12重量％、含有從氧化鉬(Mo03)、氧化鴇(W03)、氧化鈰(Ce02) 、二氧化錳(Mn02)中選出的至少一種O. 1重量％ 7重量％。 還有，也可以含有從氧化銅(Cu0)、氧化鉻(Cr203)、氧化鈷(Co203)、氧化釩(V207)、氧化銻(Sb203)中選出的至少一種0. 1重量％ 7重量％，來代替氧化鉬(Mo0》、氧化鴇(W03)、氧化鈰(Ce02) 、二氧化錳(Mn02)。 另外，作為上述以外的成分，也可以含有氧化鋅(ZnO)0重量X 40重量X、氧化硼(B203) 0重量％ 35重量％、氧化硅(Si02)0重量％ 15重量％、氧化鋁(A1203) 0重量％ 10重量％等不含鉛成分的材料組成。 將由這些組成成分構(gòu)成的電介質(zhì)材料通過濕式噴射式粉碎機(jī)或球磨機(jī)粉碎而使粒徑為0. 5 ii m 2. 5 ii m，制成電介質(zhì)材料粉末。接下來，將該電介質(zhì)材料粉末55重量％ 70重量％和粘合劑成分30重量％ 45重量％通過三分叉輥很好地混勻制成模涂用或印刷用的第一電介質(zhì)層81用膏。 粘合劑成分是乙基纖維素或含有丙烯樹脂1重量％ 20重量％的松油醇或者丁基卡必醇乙酸酯。另外，在膏中也可以根據(jù)需要添加鄰苯二甲酸二辛酯、鄰苯二甲酸二丁酯、磷酸三苯酯、磷酸三丁酯作為增塑劑，添加丙三醇單油酸酯、山梨糖醇酐倍半油酸酯、H0M0GEN0L(花王株式會(huì)社產(chǎn)品名)、烷基烯丙基的磷酸酯等作為分散劑從而提高印刷性。
接下來，使用該第一電介質(zhì)層用膏，以覆蓋顯示電極6的方式在前面玻璃基板3上通過模涂法或網(wǎng)板印刷法進(jìn)行印刷干燥，其后，以稍高于電介質(zhì)材料的軟化點(diǎn)的溫度575°C 590°C進(jìn)行燒成，從而形成第一 電介質(zhì)81 。 接下來，對(duì)第二電介質(zhì)層82進(jìn)行說明。第二電介質(zhì)層82的電介質(zhì)材料由以下的材料組成構(gòu)成。即，含有氧化鉍(81203) 11重量％ 20重量％、進(jìn)而含有從氧化鈣(Ca0)、氧化鍶(Sr0)、氧化鋇(Ba0)中選出的至少一種1. 6重量％ 21重量％、含有從氧化鉬(Mo03)、氧化鴇(W03)、氧化鈰(Ce02)中選出的至少一種0. 1重量％ 7重量％。
還有，也可以含有從氧化銅(Cu0)、氧化鉻(Cr203)、氧化鈷(Co203)、氧化釩(V207)、氧化銻(Sb^3)、氧化錳(Mn02)中選出的至少一種0. 1重量％ 7重量％，來代替氧化鉬(Mo03)、氧化鎢(W03)、氧化鈰(Ce02)。 另外，作為上述以外的成分，也可以含有氧化鋅(ZnO)0重量X 40重量X、氧化硼(B203) 0重量％ 35重量％、氧化硅(Si02)0重量％ 15重量％、氧化鋁(A1203) 0重量％ 10重量％等不含鉛成分的材料組成。 將由這些組成成分構(gòu)成的電介質(zhì)材料通過濕式噴射式粉碎機(jī)或球磨機(jī)粉碎而使粒徑為0. 5 ii m 2. 5 ii m，制成電介質(zhì)材料粉末。接下來，將該電介質(zhì)材料粉末55重量％ 70重量％和粘合劑成分30重量％ 45重量％通過三分叉輥很好地混勻制成模涂用或印刷用的第二電介質(zhì)層用膏。粘合劑成分是乙基纖維素或含有丙烯樹脂1重量％ 20重量％的松油醇或者丁基卡必醇乙酸酯。另外，在膏中也可以根據(jù)需要添加鄰苯二甲酸二辛酯、鄰苯二甲酸二丁酯、磷酸三苯酯、磷酸三丁酯作為增塑劑，添加丙三醇單油酸酯、山梨糖醇酐倍半油酸酯、H0M0GEN0L(花王株式會(huì)社產(chǎn)品名)、烷基烯丙基的磷酸酯等作為分散劑從而提高印刷性。 接下來，使用第二電介質(zhì)層用膏在第一電介質(zhì)層81上通過網(wǎng)板印刷法或模涂法進(jìn)行印刷干燥，其后，以稍高于電介質(zhì)材料的軟化點(diǎn)的溫度550°C 59(TC進(jìn)行燒成。
需要說明的是，對(duì)于電介質(zhì)層8的膜厚，為了確?？梢姽馔干渎剩瑑?yōu)選第一電介質(zhì)層81和第二電介質(zhì)層82合計(jì)在41ym以下。為了抑制與金屬匯流電極4b、5b的銀(Ag)發(fā)生發(fā)應(yīng)，第一電介質(zhì)層81使氧化鉍(Bi203)的含有量高于第二電介質(zhì)層82的氧化鉍(Bi203)的含有量，為20重量％ 40重量％。因此，第一電介質(zhì)層81的可見光透射率比第二電介質(zhì)層82的可見光透射率低，從而使第一電介質(zhì)層81的膜厚比第二電介質(zhì)層82的膜厚薄。
還有，在第二電介質(zhì)層82中，若氧化鉍(Bi203)的含有量為11重量％以下則著色難以產(chǎn)生，但是在第二電介質(zhì)層82中容易產(chǎn)生氣泡，因此不優(yōu)選。另外，若含有率超過40重量％則著色易于產(chǎn)生，透射率降低。 另外，由于電介質(zhì)層8的膜厚越小亮度的提高和降低放電電壓的效果越顯著，因此希望在絕緣耐壓不降低的范圍內(nèi)將膜厚設(shè)定得盡可能小。根據(jù)這樣的觀點(diǎn)，在本發(fā)明的實(shí)施方式中，將電介質(zhì)層8的膜厚設(shè)定在41iim以下，將第一電介質(zhì)層81設(shè)定在5iim 15 ii m，將第二電介質(zhì)層82設(shè)定在20 ii m 36 ii m。 可以確認(rèn)，在這樣制造的PDP1中，即使顯示電極6使用銀(Ag)材料，前面玻璃基板3的著色現(xiàn)象(變黃)也能減少，并且在電介質(zhì)層8中沒有氣泡的產(chǎn)生等，能夠?qū)崿F(xiàn)絕緣耐壓性能良好的電介質(zhì)層8。 接下來，在本發(fā)明的實(shí)施方式的PDP1中，對(duì)由這些電介質(zhì)材料構(gòu)成的第一電介質(zhì)層81中抑制變黃或氣泡的產(chǎn)生的原因進(jìn)行研究。即可知，通過在含有氧化鉍(Bi203)的電介質(zhì)玻璃中添加氧化鉬(Mo03)或氧化鎢(W0》，由此在58(TC以下的低溫易于生成Ag^004、Ag2Mo207、 Ag2Mo4013、 Ag2W04、 Ag2W207、 Ag2W4013等化合物。在本發(fā)明的實(shí)施方式中，電介質(zhì)層8的燒成溫度在550°C 590°C，因此燒成中在電介質(zhì)層8中擴(kuò)散的銀離子(Ag+)與電介質(zhì)層8中的氧化鉬(Mo0》、氧化鎢(W0》、氧化鈰(Ce0》、氧化錳(Mn02)發(fā)生反應(yīng)，生成穩(wěn)定的化合物而穩(wěn)定化。即，由于沒有將銀離子(Ag+)還原而使其穩(wěn)定化，因此不會(huì)發(fā)生凝集生成膠體。因此，通過使銀離子(Ag+)穩(wěn)定化，伴隨著銀(Ag)的膠化產(chǎn)生的氧也減少，因此向電介質(zhì)層8中的氣泡的產(chǎn)生也減少。 另一方面，為了有效地達(dá)到這些效果，優(yōu)選在含有氧化鉍(Bi203)的電介質(zhì)玻璃中使氧化鉬(Mo03)、氧化鎢(W03)、氧化鈰(Ce02)、氧化錳(Mn02)的含有量在0. 1重量％以上，進(jìn)而優(yōu)選在0. 1重量％以上7重量％以下。特別地，若小于0. 1重量％則抑制變黃的效果減弱，若超過7重量％則在玻璃中容易引起著色，因此不優(yōu)選。 S卩，本發(fā)明的實(shí)施方式的PDP1的電介質(zhì)層8能夠在與銀(Ag)材料構(gòu)成的金屬匯流電極4b、5b相接的第一電介質(zhì)層81中抑制變黃現(xiàn)象和氣泡產(chǎn)生。另外，通過設(shè)置在第一電介質(zhì)層81上的第二電介質(zhì)層82實(shí)現(xiàn)高的光透射率。其結(jié)果是，能夠?qū)崿F(xiàn)作為電介質(zhì)層8整體，極少產(chǎn)生氣泡或黃變且透射率高的PDP。
其次，說明本發(fā)明的實(shí)施方式中的保護(hù)層9的詳細(xì)情況。 在本發(fā)明的實(shí)施方式中，利用以氧化鎂(Mg0)和氧化鈣(Ca0)為原材料，通過電子束蒸鍍法形成的金屬氧化物構(gòu)成保護(hù)層9。進(jìn)而，金屬氧化物如下所述在保護(hù)層9面處的X射線衍射分析中，在氧化鎂(Mg0)的峰值出現(xiàn)的衍射角和與氧化鎂(Mg0)的峰值相同的面方位的氧化鈣(Ca0)的峰值出現(xiàn)的衍射角之間存在峰值。 圖3是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的PDP1的保護(hù)層9面處的X射線衍射分析結(jié)果、和氧化鎂(Mg0)單體和氧化鈣(CaO)單體的X射線衍射分析結(jié)果的圖。 在圖3中，橫軸為布拉格的衍射角(2e)，縱軸為X射線衍射波的強(qiáng)度。衍射角的
單位由以一周為360度的度來表示，強(qiáng)度由任意單位(arbitraryimit)來表示。另外，在圖
3中對(duì)各自的晶面方位標(biāo)注括號(hào)來表示。氧化鈣(CaO)單體的(111)面處的衍射角在32.2
度具有峰值。另外，氧化鎂(MgO)單體的(111)面處的衍射角在36.9度具有峰值。 同樣可知，氧化f丐(CaO)單體的(200)面處的衍射角在37. 3度具有峰值。另外，
氧化鎂(MgO)單體的(200)面處的衍射角在42.8度具有峰值。 另一方面，使用氧化鎂(MgO)或氧化鈣(CaO)的單獨(dú)材料的顆粒或混合了上述材料的顆粒，利用薄膜成膜方法形成的本發(fā)明的實(shí)施方式中的保護(hù)層9的X射線衍射分析結(jié)果為圖3的A點(diǎn)和B點(diǎn)。 S卩，構(gòu)成本發(fā)明的實(shí)施方式中的保護(hù)層9的金屬氧化物的(111)面處的衍射角在氧化鎂(MgO)和氧化鈣(CaO)各自單體的衍射角之間的A點(diǎn)即36.1度存在峰值。另夕卜，(200)面處的衍射角在氧化鎂(MgO)和氧化鈣(CaO)各自單體的衍射角之間的B點(diǎn)即41. 1度存在峰值。 保護(hù)層9的(111)面及(200)面處的衍射角由成膜條件或氧化鎂(MgO)和氧化鈣(CaO)的比例來確定。在本發(fā)明的實(shí)施方式中，使保護(hù)層9的峰值存在于氧化鎂(MgO)和氧化鈣(CaO)各自的單獨(dú)材料的衍射角峰值之間。 具有這樣的X射線衍射分析結(jié)果的金屬氧化物的能級(jí)也存在于氧化鎂(MgO)單體和氧化鈣(CaO)單體之間。其結(jié)果是，在保護(hù)層9中，與氧化鎂(MgO)單體相比，發(fā)揮良好的二次電子放射特性。因此，尤其在為了提高亮度而提高了作為放電氣體的氙(Xe)分壓的情況下，能夠降低放電電壓，以低電壓實(shí)現(xiàn)高亮度的PDP。 例如，在使用了氙(Xe)和氖(Ne)的混合氣體作為放電氣體的情況下，當(dāng)將氙(Xe)的分壓設(shè)定為10%到15%時(shí)，亮度上升大約30%。然而，在形成了氧化鎂(MgO)單體的保護(hù)層9的情況下，放電維持電壓上升大約10%。 另一方面，在本發(fā)明的實(shí)施方式中，利用含有氧化鎂(MgO)和氧化鈣(CaO)的金屬氧化物來形成保護(hù)層9。金屬氧化物如下所述在保護(hù)層9面處的X射線衍射分析中，峰值存在于氧化鎂(MgO)的峰值出現(xiàn)的衍射角和氧化鈣(CaO)的峰值出現(xiàn)的衍射角之間。通過形成為這樣的保護(hù)層9，能夠?qū)⒎烹娋S持電壓減少大約10%。 另外，在放電氣體全部為氙(Xe)的情況下，即將氙(Xe)分壓設(shè)為100%的情況下，亮度上升大約180%。另一方面，放電維持電壓上升大約35%，從而超過通常的工作電壓范圍。然而，若形成本發(fā)明的實(shí)施方式中的保護(hù)層9，則能夠?qū)⒎烹娋S持電壓減少大約20%。因此，能夠?qū)⒎烹娋S持電壓設(shè)在通常工作范圍內(nèi)。其結(jié)果是，能夠以高亮度實(shí)現(xiàn)低電壓驅(qū)動(dòng)的PDP。 此外，認(rèn)為本發(fā)明的實(shí)施方式中的保護(hù)層9能夠降低放電維持電壓的理由基于各自的金屬氧化物的能帶結(jié)構(gòu)。 SP，氧化鈣(CaO)的價(jià)電子帶的自真空能級(jí)的深度與氧化鎂(MgO)相比，存在于淺的區(qū)域。因此，認(rèn)為在氧化鈣(CaO)的能級(jí)存在的電子向氙(Xe)離子的基態(tài)躍遷時(shí)，通過俄歇效應(yīng)來放射的電子數(shù)量比氧化鎂(MgO)的情況多。 另外，本發(fā)明的實(shí)施方式中的保護(hù)層9如下所述以氧化鎂(MgO)和氧化鈣(CaO)為主成分，且在X射線衍射分析中，在作為上述主成分的氧化鎂(Mg0)和氧化鈣(CaO)單體 的衍射角之間存在峰值。 上述金屬氧化膜的能級(jí)具有氧化鎂(MgO)和氧化鈣(CaO)合成的性質(zhì)。從而，保 護(hù)層9的能級(jí)也存在于氧化鎂(MgO)單體和氧化鈣(CaO)單體之間，能夠使通過俄歇效應(yīng) 其他電子獲得的能量的量成為充分超過真空能級(jí)而放射的量。其結(jié)果是，在保護(hù)層9中，與 氧化鎂(MgO)單體相比，能夠發(fā)揮良好的二次電子放射特性，其結(jié)果是，能夠降低放電維持 電壓。 此外，氧化鈣(CaO)在單體的情況下，反應(yīng)性高，因此，容易與雜質(zhì)反應(yīng)，因此，具 有電子放射性能降低的問題。然而，像本發(fā)明的實(shí)施方式那樣，形成為氧化鎂(MgO)和氧化 鈣(CaO)的金屬氧化物的構(gòu)成，由此能夠降低反應(yīng)性，解決上述問題。 另外，氧化鍶(SrO)和氧化鋇(BaO)從其能帶結(jié)構(gòu)來說，自真空能級(jí)的深度與氧化 鎂(MgO)相比，存在于比較淺的區(qū)域。從而，在使用上述材料取代氧化鈣(CaO)的情況下， 也能夠產(chǎn)生相同的效果。 進(jìn)而，就本發(fā)明的實(shí)施方式中的保護(hù)層9來說，以氧化鈣(CaO)和氧化鎂(MgO)為 主成分，并且，在X射線衍射分析中，在作為上述主成分的氧化鎂(MgO)和氧化鈣(CaO)單 體的衍射角之間存在峰值，因此，以雜質(zhì)的混入或氧缺損少的結(jié)晶結(jié)構(gòu)來形成。因此，除了 在PDP的驅(qū)動(dòng)時(shí)抑制電子的過剩放射，同時(shí)實(shí)現(xiàn)低電壓驅(qū)動(dòng)和二次電子放射性能的效果之 外，還發(fā)揮具有適度的電荷保持性能的效果。該電荷保持性能保持在初始化期間貯存的壁 電荷，在寫入期間防止寫入不良，從而進(jìn)行可靠的寫入放電，因此，尤為必要。
其次，詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方式中的在保護(hù)層9上設(shè)置的氧化鎂(MgO)的晶粒 92a多個(gè)凝集而成的凝集粒子92。通過本申請(qǐng)發(fā)明人等的實(shí)驗(yàn)，確認(rèn)到凝集粒子92主要具 有抑制寫入放電中的放電延遲的效果和改善放電延遲的溫度依賴性的效果。即，凝集粒子 92與保護(hù)層9相比，具有高度的初始電子放射特性。因此，在本發(fā)明的實(shí)施方式中，將凝集 粒子92作為在放電脈沖上升時(shí)必要的初始電子供給部來設(shè)置。 在放電開始時(shí)，成為放電的觸發(fā)的初始電子從保護(hù)層9表面向放電空間16中放 射。認(rèn)為初始電子量不足是造成放電延遲的主要原因。因此，為了穩(wěn)定供給初始電子，將氧 化鎂(MgO)的凝集粒子92分散配置于保護(hù)層9的表面。由此，在放電脈沖上升時(shí)，在放電 空間16中使初始電子大量地存在，能夠消除放電延遲。從而，通過具有這樣的初始電子放 射特性，在PDP1為高清晰的情況等下，也能夠進(jìn)行放電響應(yīng)性良好的高速驅(qū)動(dòng)。此外，在保 護(hù)層9的表面配設(shè)氧化鎂(MgO)的凝集粒子92的結(jié)構(gòu)中，主要除抑制寫入放電中的放電延 遲的效果之外，還得到改善放電延遲的溫度依賴性的效果。 如上所述，在本發(fā)明的實(shí)施方式中的PDP1中，具有起到低電壓驅(qū)動(dòng)和電荷保持的 并行效果的保護(hù)層9和起到放電延遲的防止效果的氧化鎂(MgO)的凝集粒子92。因此，在 PDP1為高清晰的情況下，也能夠以低電壓高速驅(qū)動(dòng)。另外，能夠期待抑制了點(diǎn)燈不良的高質(zhì) 量的圖像顯示性能。 在本發(fā)明的實(shí)施方式中，在保護(hù)層9上離散地散布晶粒92a多個(gè)凝集而成的凝集 粒子92，使其在整個(gè)面大致均勻地分布而附著。圖4是用于說明凝集粒子92的放大圖。
凝集粒子92如圖4所示，是規(guī)定的一次粒徑的結(jié)晶粒子92a凝集狀態(tài)下的物質(zhì)。 即，不是通過作為固體所具有的大的結(jié)合力結(jié)合的物質(zhì)。而是在靜電或范德瓦爾斯力等的作用下多個(gè)一次粒子形成聚集體的物質(zhì)。另外，凝集粒子92在被施加超聲波等外力的情況 下，其局部或全部以分解為一次粒子的狀態(tài)的程度的力結(jié)合。優(yōu)選凝集粒子92的粒徑大約 為1 P m左右，結(jié)晶粒子92a具有14面體或12面體等帶有7面以上的面的多面體形狀。
另外，結(jié)晶粒子92a的一次粒子的粒徑可以根據(jù)結(jié)晶粒子92a的生成條件進(jìn)行控 制。例如，在將碳酸鎂或氫氧化鎂等MgO前體進(jìn)行燒成而生成的情況下，通過控制燒成溫度 或燒成氣氛，能夠控制粒徑。通常，燒成溫度可以在70(TC到150(TC的范圍內(nèi)進(jìn)行選擇，但 通過使燒成溫度在IOO(TC以上，能夠?qū)⒁淮瘟娇刂圃?. 3 ii m 2 ii m左右。進(jìn)而，加熱 MgO前體獲得結(jié)晶粒子92a的情況下，在其生成過程中，多個(gè)一次粒子彼此凝集而能夠獲得 凝集粒子92。 圖5是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的PDP1的放電延遲和保護(hù)層9中的鈣(Ca)濃度 的關(guān)系的圖。利用含有氧化鎂(MgO)和氧化鈣(CaO)的金屬氧化物來構(gòu)成保護(hù)層9。進(jìn)而， 就金屬氧化物來說，在保護(hù)層9面處的X射線衍射分析中，在氧化鎂(MgO)的峰值出現(xiàn)的衍 射角和氧化鈣(CaO)的峰值出現(xiàn)的衍射角之間存在峰值。 此外，在圖5中示出作為保護(hù)層9僅為基底膜91的情況和在基底膜91上配置有凝 集粒子92的情況。另外，放電延遲以在基底膜91中不含有鈣(Ca)的情況為基準(zhǔn)來示出。
需要說明的是，表示電子放射性能越大電子放射量越多的數(shù)值，通過表面狀態(tài)以 及氣體種類和其狀態(tài)所確定的初始電子放射量表示。初始電子放射量可以通過在表面照射 離子或電子束，測(cè)量從表面放射的電子電流量的方法進(jìn)行測(cè)量，但如果不破壞則難以實(shí)施 對(duì)PDP的前面板表面的評(píng)價(jià)。由此，使用日本特開2007-48733號(hào)公報(bào)所記載的方法。S卩，對(duì) 放電時(shí)的延遲時(shí)間中被稱為統(tǒng)計(jì)延遲時(shí)間的作為放電易于發(fā)生的基準(zhǔn)值的數(shù)值進(jìn)行測(cè)量， 然后，將該數(shù)值的倒數(shù)進(jìn)行積分，由此獲得與初始電子的放射量線性對(duì)應(yīng)的數(shù)值。這里使用 這樣獲得的數(shù)值進(jìn)行評(píng)價(jià)。放電時(shí)的延遲時(shí)間是指從脈沖的上升延遲進(jìn)行放電的放電延遲 的時(shí)間。放電延遲的主要原因是，在開始放電時(shí)，作為觸發(fā)的初始電子難以從保護(hù)層表面向 放電空間中放射。 從圖5明確可知，僅為基底膜91的情況下，伴隨鈣(Ca)濃度的增加，放電延遲變 大。另一方面，在基底膜91上配置有凝集粒子92的情況下，能夠大幅度減小放電延遲。另 外，即使鈣(Ca)濃度增加，放電延遲也幾乎不增加。 接下來，對(duì)為了確認(rèn)具有本發(fā)明的實(shí)施方式的保護(hù)層9的PDP1的效果而進(jìn)行的實(shí) 驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行說明。首先，試作了具有結(jié)構(gòu)不同的保護(hù)層9和在保護(hù)層9上設(shè)置的凝集粒子 92的PDP。在圖6中示出對(duì)這些PDP的電子放射性能和電荷保持性能進(jìn)行研究的結(jié)果。
試制件1是僅由氧化鎂(MgO)形成保護(hù)層9的PDP。試制件2是由摻雜有鋁(Al)、 硅(Si)等雜質(zhì)的氧化鎂(MgO)形成保護(hù)層9的PDP。試制件3是在由氧化鎂(MgO)構(gòu)成的 基底膜91上僅散布并附著氧化鎂(MgO)的晶粒92a的一次粒子而成的PDP。
另一方面，試制件4為本發(fā)明的實(shí)施方式中的PDP1。 S卩，基底膜91如下所述以 氧化鈣(CaO)和氧化鎂(MgO)為主成分，并且，在X射線衍射分析中，峰值存在于作為上述 主成分的氧化鎂(MgO)和氧化鈣(CaO)單體的衍射角之間。進(jìn)而，在基底膜91上，晶粒92a 凝集而成的凝集粒子92在整個(gè)面大致均勻地分布而附著。 另外，使用在制造PDP時(shí)為了抑制電荷放射現(xiàn)象所需要的、施加在掃描電極上的 電壓(以下稱為"Vscn點(diǎn)燈電壓")的電壓值作為電荷保持性能的指標(biāo)。S卩，Vscn點(diǎn)燈電壓低表示電荷保持性能高。這樣，在PDP的設(shè)計(jì)上，若電荷保持性能高，則可以使用耐壓及 電容小的部件作為電源或各電部件。在現(xiàn)有的產(chǎn)品中，用于將Vscn點(diǎn)燈電壓依次施加的 MOSFET等半導(dǎo)體開關(guān)元件使用耐壓150V左右的元件。因此，優(yōu)選考慮因溫度導(dǎo)致的變動(dòng)， 將Vscn點(diǎn)燈電壓抑制在120V以下。 從圖6明確可知，在本發(fā)明的實(shí)施方式中的在基底膜91上散布氧化鎂(MgO)的晶 粒92a凝集而成的凝集粒子92、并使其在整個(gè)面均勻地分布的試制件4，在電荷保持性能的 評(píng)價(jià)中，可以將Vscn點(diǎn)燈電壓設(shè)在120V以下。與僅為氧化鎂(MgO)的保護(hù)層的情況相比， 能夠得到高的電子放射性能。 通常，PDP的保護(hù)層的電子放射性能和電荷保持性能相反。例如，通過改變保護(hù)層 的成膜條件或在保護(hù)層中摻雜鋁(Al)或硅(Si)、鋇(Ba)等雜質(zhì)而成膜，能夠提高電子放射 性能。但是，作為副作用的是Vscn點(diǎn)燈電壓也上升。 形成了本發(fā)明的實(shí)施方式中的保護(hù)層9的試制件4的PDP1與使用了僅為氧化鎂
(MgO)的保護(hù)層9的試制件1相比，具有8倍以上的電子放射性能。另外，能夠得到Vscn點(diǎn)
燈電壓為120V以下的電荷保持性能。從而，對(duì)于在高清晰化導(dǎo)致掃描線數(shù)增加且電池尺寸
變小的趨勢(shì)下的PDP而言，能夠使電子放射性能和電荷保持性能雙方得到滿足。 根據(jù)圖6的結(jié)果可知，就本發(fā)明的實(shí)施方式中的PDP1來說，具有與試制件3的在
由氧化鎂(MgO)構(gòu)成的基底膜91上僅散布并附著氧化鎂(MgO)的晶粒92a的一次粒子而
成的PDP相等的Vscn點(diǎn)燈電壓，如上所述，還能夠降低放電維持電壓。 接下來，對(duì)在本發(fā)明的實(shí)施方式的PDP1的保護(hù)層9中使用的凝集粒子92的粒徑
進(jìn)行說明。需要說明的是，在以下的說明中，粒徑表示平均粒徑，平均粒徑表示體積累積平
均直徑(D50)。 圖7是表示在上述圖6所說明的本發(fā)明的試制件4中，使凝集粒子92的粒徑改變 而研究電子放射性能的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的特性圖。此外，在圖7中，凝集粒子92的粒徑通過SEM 觀察凝集粒子92來測(cè)定長度。如圖7所示可知，若粒徑變小至0. 3 P m左右，則電子放射性 能變低，若在大致0. 9 ii m以上，則得到高的電子放射性能。 這里，為了使放電電池內(nèi)的電子放射數(shù)量增加，希望保護(hù)層9上的每單位面積的 結(jié)晶粒子92a的數(shù)量越多越好。然而，根據(jù)本發(fā)明人等的實(shí)驗(yàn)可知，若在與保護(hù)層9緊密接 觸的相當(dāng)于隔墻14的頂部的部分存在凝集粒子92，則使隔墻14的頂部破損。進(jìn)而，還存 在破損的隔墻材料附著在熒光體層15上的情況。由此可知，產(chǎn)生該電池不能夠正常地點(diǎn)燈 滅燈的現(xiàn)象。只要凝集粒子92不在與隔墻14的頂部對(duì)應(yīng)的部分存在，就不容易發(fā)生這種 隔墻破損的現(xiàn)象，因此只要附著的凝集粒子92的數(shù)量多，隔墻14的破損發(fā)生概率就高。若 凝集粒徑變大至2. 5ym左右，則隔墻破損的概率急劇地變高。另一方面，若凝集粒徑小于 2. 5 ii m，則能夠?qū)⒏魤ζ茡p的概率抑制得比較小。 從以上的結(jié)果可知，在本發(fā)明的實(shí)施方式中的PDP1中，使用粒徑在0. 9 ii m 2 ii m 的范圍的凝集粒子92的情況下，得到上述本發(fā)明的效果。 如上所述，根據(jù)本發(fā)明可知，能夠得到電子放射性能高，作為電荷保持性能，Vscn 點(diǎn)燈電壓為120V以下的PDP。 此外，在本發(fā)明的實(shí)施方式中，作為晶粒，使用氧化鎂(MgO)粒子進(jìn)行了說明，但 使用其他單晶粒中，與氧化鎂(MgO)同樣具有高的電子放射性能的氧化鍶(SrO)、氧化鈣(Ca0)、氧化鋇(BaO)、氧化鋁(A1203)等金屬氧化物晶粒，也能夠得到相同的效果。因此，作 為粒子種類，并不限定于氧化鎂(MgO)。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性 根據(jù)本發(fā)明可知，在實(shí)現(xiàn)高畫質(zhì)的顯示性能，且低消耗功率的PDP方面是有用的 發(fā)明。
權(quán)利要求
一種等離子體顯示屏，具有第一基板，其以覆蓋在基板上形成的顯示電極的方式形成電介質(zhì)層并且在所述電介質(zhì)層上形成有保護(hù)層；第二基板，其與所述第一基板對(duì)置配置而形成填充有放電氣體的放電空間，且在與所述顯示電極交叉的方向上形成尋址電極，并且設(shè)有劃分所述放電空間的隔墻，所述等離子體顯示屏的特征在于，所述保護(hù)層利用含有氧化鎂和氧化鈣的金屬氧化物來形成，且所述金屬氧化物如下所述在所述保護(hù)層面處的X射線衍射分析中，在所述氧化鎂的峰值出現(xiàn)的衍射角和與所述峰值相同方位的所述氧化鈣的峰值出現(xiàn)的衍射角之間存在峰值。
全文摘要
本發(fā)明提供一種實(shí)現(xiàn)具備高清晰且高亮度的顯示性能，且低消耗功率的等離子體顯示屏。因此，在前面板形成顯示電極、電介質(zhì)層和保護(hù)層。顯示電極形成于前面玻璃基板上。電介質(zhì)層以覆蓋顯示電極的方式形成。保護(hù)層形成于電介質(zhì)層上。在背面板上，在與顯示電極交叉的方向上形成劃分尋址電極和放電空間的隔墻。前面板和背面板對(duì)置配置而形成填充有放電氣體的放電空間。保護(hù)層利用含有氧化鎂和氧化鈣的金屬氧化物來形成。金屬氧化物在保護(hù)層面處的X射線衍射分析中，在氧化鎂的峰值出現(xiàn)的衍射角和與峰值相同方位的氧化鈣的峰值出現(xiàn)的衍射角之間存在峰值。
文檔編號(hào)H01J11/12GK101785079SQ20098010022
公開日2010年7月21日 申請(qǐng)日期2009年9月28日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月29日
發(fā)明者加道博行, 后藤真志, 村井隆一, 橋本潤, 森田幸弘, 辻田卓司, 野口康幸 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社