專利名稱：等離子體顯示板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
各實(shí)施方式涉及等離子體顯示板。
背景技術(shù)：
等離子體顯示板包括由障壁隔開的放電單元內(nèi)部的磷光體層和多個(gè)電極。當(dāng)驅(qū)動(dòng)信號施加于等離子體顯示板的電極時(shí)，放電單元的內(nèi)部發(fā)生放電。更具體而言，當(dāng)通過將驅(qū)動(dòng)信號施加于電極而在放電單元的內(nèi)部發(fā)生放電時(shí)，放電單元中填充的 放電氣體產(chǎn)生真空紫外線，從而使得障壁之間的磷光體發(fā)射可見光。利用可見光在等離子 體顯示板的屏幕上顯示圖像。

發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)方案在一個(gè)方案中，提供一種等離子體顯示板，所述顯示板包括前基板；所述前基板 上的顯示電極，所述顯示電極包括彼此相鄰的第一顯示電極和第二顯示電極；與所述前基 板相對的后基板；相鄰的所述第一顯示電極和第二顯示電極之間的障壁；與所述障壁相對 的黑層，所述黑層設(shè)置為基本上平行于所述前基板上的所述第一顯示電極和第二顯示電 極；和位于至少一個(gè)黑層上的輔助電極，其中，所述輔助電極與所述第一顯示電極之間的最 短距離gl不同于所述輔助電極與所述第二顯示電極之間的最短距離g2。在另一個(gè)方案中，提供一種等離子體顯示板，所述顯示板包括前基板；設(shè)置在所 述前基板上的基本上彼此平行的掃描電極和維持電極；與所述前基板相對的后基板；所述 后基板上的障壁；與所述障壁相對的黑層，所述黑層設(shè)置為基本上平行于所述前基板上的 所述掃描電極和維持電極，所述黑層包括位于兩個(gè)相鄰的掃描電極之間的第一黑層和位于 兩個(gè)相鄰的維持電極之間的第二黑層；和所述第二黑層上的輔助電極，其中，當(dāng)所述兩個(gè)相 鄰的維持電極稱作第一維持電極和第二維持電極時(shí)，所述輔助電極與所述第一維持電極之 間的最短距離不同于所述輔助電極與所述第二維持電極之間的距離。


在此包含附圖以提供對本發(fā)明的進(jìn)一步的理解，并入并構(gòu)成本說明書一部分，其 說明了本發(fā)明的實(shí)施方式并與描述一同用于解釋本發(fā)明的原理。圖中圖1和2圖解了根據(jù)示例性實(shí)施方式的等離子體顯示板的結(jié)構(gòu)；圖3圖解了驅(qū)動(dòng)等離子體顯示板的示例性方法；圖4和5詳細(xì)圖解了輔助電極；圖6 10圖解了輔助電極與顯示電極之間的距離；圖11、12和13圖解了距離gl與距離g2之比；圖14、15和16圖解了第二黑層；圖17和18圖解了第一黑層和第二黑層與掃描及維持電極之間的位置關(guān)系；
圖19 23圖解了掃描電極和維持電極的排列結(jié)構(gòu)；圖24圖解了第一黑層和第二黑層的結(jié)構(gòu)；圖25圖解了輔助電極和總線電極的寬度；圖26 28圖解了輔助電極和障壁；和圖29圖解了輔助電極與掃描電極或維持電極之間的距離。
具體實(shí)施例方式下面詳細(xì)描述在附圖中圖解的本發(fā)明例的實(shí)施方式。圖1和2圖解了根據(jù)示例性實(shí)施方式的等離子體顯示板的結(jié)構(gòu)。如圖1所示，等離子體顯示板100可包括其上設(shè)置有多個(gè)顯示電極102和103的 前基板101，和其上設(shè)置有尋址電極113以與顯示電極102和103相交叉的后基板111。顯 示電極102和103可以是掃描電極102和維持電極103。在掃描電極102和維持電極103上可以形成上介電層104以限制掃描電極102和 維持電極103的放電電流，并提供掃描電極102和維持電極103之間的絕緣。上介電層114上可以形成保護(hù)層105以有利于放電條件。保護(hù)層105可以由具有 很高的二次電子發(fā)射系數(shù)的材料如氧化鎂(MgO)形成。尋址電極113上可以形成下介電層115以提供尋址電極113之間的絕緣。在下介電層115上可以形成條形、井形、三角形、蜂窩形等的障壁112以分隔放電 空間(即，放電單元)。因此，在前基板101和后基板111之間可以形成發(fā)射紅光的第一放 電單元、發(fā)射藍(lán)光的第二放電單元和發(fā)射綠光的第三放電單元等等。障壁112可包括彼此相交叉的第一障壁112a和第二障壁112b。第一障壁112a和 第二障壁112b的高度可以彼此不同。第一障壁112a可基本上平行于掃描電極102和維持 電極103，第二障壁112b可基本上平行于尋址電極113。第一障壁112a的高度可小于第二障壁112b的高度。因此，在排氣過程和注入放 電氣體的過程中，板100中的雜質(zhì)氣體可有效地排出至板100的外部，放電氣體可均勻地注 入。由障壁112分隔開的各放電單元可填充放電氣體。放電單元的內(nèi)部可形成磷光體層114以在尋址放電時(shí)發(fā)射用于圖像顯示的可見 光。例如，在放電單元的內(nèi)部可形成分別產(chǎn)生紅光、藍(lán)光和綠光的第一、第二和第三磷光體層。圖1顯示了各自具有單層結(jié)構(gòu)的上介電層104和下介電層115。上介電層104和 下介電層115中的至少一個(gè)可具有多層結(jié)構(gòu)。盡管尋址電極113可具有基本上恒定的寬度或厚度，不過放電單元內(nèi)部的尋址電 極113的寬度或厚度可不同于放電單元外部的尋址電極113的寬度或厚度。例如，放電單 元內(nèi)部的尋址電極113的寬度或厚度可大于放電單元外部的尋址電極113的寬度或厚度?？梢栽谇盎?01上設(shè)置基本平行于掃描電極102和維持電極103的輔助電極 106。如圖2所示，第一黑層107和第二黑層108可以設(shè)置為平行于前基板101上的掃 描電極102和維持電極103。輔助電極106可以設(shè)置在第二黑層108上。 輔助電極106可防止電荷在毗鄰的放電單元之間移動(dòng)，從而有助于防止串?dāng)_。輔助電極106可由具有優(yōu)異導(dǎo)電性的材料，如銀(Ag)、金(Au)、銅(Cu)、鋁(Al)等形成。
在其上設(shè)置有輔助電極106的第二黑層108上、第一黑層107上、掃描電極102上 和維持電極103上可以設(shè)置上介電層104。掃描電極102和維持電極103可包括透明電極102a和103a，以及總線電極102b和 103b。透明電極102a和103a可以由透明材料，例如氧化銦錫(ITO)形成?？偩€電極102b 和103b可以由諸如Ag等具有導(dǎo)電性的材料形成以改善掃描電極102和維持電極103的導(dǎo) 電性?？偩€電極102b和103b可以由與輔助電極106相同的材料形成。在掃描電極102的透明電極102a和總線電極102b之間可以設(shè)置第三黑層200，在 維持電極103的透明電極103a和總線電極103b之間可以設(shè)置第四黑層210。當(dāng)?shù)谝?、第二、第三和第四黑?07、108、200和210如上設(shè)置時(shí)，可以防止來自外 部的光的反射。改善了顯示圖像的對比度特性。優(yōu)選的是輔助電極106的寬度小于或基本上等于第二黑層108的寬度，從而通過 防止來自外部的光被輔助電極106反射來改善對比度特性。圖3圖解了驅(qū)動(dòng)等離子體顯示板的示例性方法。如圖3所示，上升信號RS和下降信號FS可以在復(fù)位期RP供應(yīng)至掃描電極Y以將 幀的多個(gè)子場中的至少一個(gè)子場初始化。更具體而言，上升信號RS可以在復(fù)位期RP的上升期SU供應(yīng)至掃描電極Y，下降 信號FS可以在上升期SU之后的下降期SD供應(yīng)至掃描電極Y。上升信號RS在放電單元內(nèi) 部可產(chǎn)生較弱的暗放電(即，上升放電)。因此，殘留的壁電荷可均勻地分布在放電單元內(nèi) 部。下降信號FS在放電單元內(nèi)部可產(chǎn)生較弱的擦除放電(S卩，下降放電)。因此，殘留的壁 電荷可均勻地分布在放電單元內(nèi)部至穩(wěn)定地發(fā)生尋址放電的程度。在復(fù)位期RP之后的尋址期AP，具有的電壓大于下降信號FS的最小電壓的掃描偏 壓信號Vsc可供應(yīng)至掃描電極Y。由掃描偏壓信號Vsc下降的掃描信號Scan在尋址期AP 可供應(yīng)至掃描電極Y。在幀的至少一個(gè)子場的尋址期供應(yīng)至掃描電極的掃描信號的脈沖寬度可能不同 于在該幀的其他子場的尋址期所供應(yīng)的掃描信號的脈沖寬度。一個(gè)子場中的掃描信號的脈 沖寬度可大于下一子場中的掃描信號的脈沖寬度。例如，掃描信號的脈沖寬度在連續(xù)排列 的子場中可以按照2. 6 μ s、2. 3 μ s、2. 1 μ S、1. 9 μ s等的次序逐漸減小，或者按照2. 6 μ S、 2. 3 μ s、2. 3μ s、2. 1 μ s、l. 9μ s、l. 9μ s 等的次序減小。當(dāng)掃描信號Scan供應(yīng)至掃描電極Y時(shí)，對應(yīng)于掃描信號Scan的數(shù)據(jù)信號Data可 供應(yīng)至尋址電極X。在掃描信號Scan與數(shù)據(jù)信號Data之間的電壓差增加至復(fù)位期RP生成 的壁電荷引起的壁電壓時(shí)，供應(yīng)了數(shù)據(jù)信號Data的放電單元內(nèi)可發(fā)生尋址放電。在尋址期AP之后的維持期SP，維持信號SUS可供應(yīng)至掃描電極Y或維持電極Z中 的至少一個(gè)。圖3顯示出維持信號SUS可交替供應(yīng)至掃描電極Y和維持電極Z。通過產(chǎn)生 尋址放電而選擇的放電單元內(nèi)的壁電壓增加至維持信號SUS的維持電壓時(shí)，每次供應(yīng)維持 信號SUS之際，在掃描電極Y和維持電極Z之間可發(fā)生維持放電(即，顯示放電)。圖4和5詳細(xì)圖解了輔助電極。如圖4所示，輔助電極106的兩端可以設(shè)置在板的內(nèi)部。換言之，輔助電極106與 外部裝置并未電連接而是處于浮動(dòng)狀態(tài)。在該情況中，由于毗鄰輔助電極106的掃描電極102或維持電極103的電壓造成的耦合現(xiàn)象所致，輔助電極106中可產(chǎn)生電壓。因此，輔助 電極106的電壓可由毗鄰輔助電極106的掃描電極102或維持電極103的電壓決定。與圖4的描述不同，可以將預(yù)定電壓施加至輔助電極106。例如，輔助電極106可 包括焊盤部分(未示出)，并且可以通過該焊盤部分與外部地面連接。因此，輔助電極106 可保持在地面水平電壓。作為選擇，輔助電極106可以通過焊盤部分與外部驅(qū)動(dòng)器連接，并 保持在大于地面水平電壓且小于維持信號SUS的維持電壓的正電壓。如上，輔助電極106可防止電荷在毗鄰的放電單元之間移動(dòng)從而有助于防止串 擾。圖5顯示了稱為第一放電單元的上放電單元300和稱為第二放電單元的下放電單 元310。假定第一放電單元300是其中發(fā)生維持放電的啟動(dòng)單元，第二放電單元310是其中 不發(fā)生維持放電的停止單元。如果輔助電極如圖5的(a)中所示未形成，則第一放電單元300中產(chǎn)生的維持放 電造成的電荷320可容易地移動(dòng)至毗鄰第一放電單元300的第二放電單元310。于是，電荷 320在不必發(fā)生維持放電的第二放電單元310中可產(chǎn)生維持放電。圖像品質(zhì)因串?dāng)_現(xiàn)象所 致而下降。另一方面，如果輔助電極106如圖5的(b)中所示形成，則輔助電極106可防止第 一放電單元300中產(chǎn)生的電荷320移動(dòng)至第二放電單元310。因此，可防止串?dāng)_現(xiàn)象。在排氣過程和注入放電氣體的過程中，可能有利的是平行于掃描電極102和維持 電極103的第一障壁112a的高度小于平行于尋址電極113的第二障壁112b的高度。然而， 在該情況中，因?yàn)殡姾梢子谠谂彽姆烹妴卧g移動(dòng)，所以串?dāng)_可能增多。因此，當(dāng)?shù)谝?障壁112a的高度小于第二障壁112b的高度時(shí)，可優(yōu)選設(shè)置輔助電極106。圖6 10圖解了輔助電極與顯示電極之間的距離。如圖6所示，輔助電極106與顯示電極102和103之間的距離gl和g2可彼此不 同。更具體而言，當(dāng)在掃描電極102和維持電極103之間設(shè)置輔助電極106時(shí)，輔助電極 106與維持電極103之間的距離gl可短于輔助電極106與掃描電極102之間的距離g2。如上，當(dāng)輔助電極106與顯示電極102和103之間的距離gl和g2彼此不同時(shí)，可 防止電荷在特定方向上移動(dòng)。因此，可有效防止串?dāng)_。輔助電極106與顯示電極102和103之間的距離可以是輔助電極106與顯示電極 102和103的透明電極102a和103a之間的距離。優(yōu)選的是距離gl和g2根據(jù)掃描順序確定。如圖7所示，當(dāng)?shù)谝恢恋诹鶔呙栊盘朣canl SCan6順次供應(yīng)至掃描電極Yl Y6 時(shí)，尋址放電可首先發(fā)生在由掃描電極Yl和對應(yīng)于掃描電極Yl的維持電極Zl構(gòu)成的第一 放電單元700中，然后尋址放電可發(fā)生在由掃描電極Y2和對應(yīng)于掃描電極Y2的維持電極 Z2構(gòu)成的第二放電單元710中。隨后，尋址放電可依次發(fā)生在第三、第四、第五和第六放電 單元 720,730,740 和 750 中。在該情況中，第一放電單元700中的掃描操作可視為先于第二放電單元710中的掃描操作進(jìn)行。此外，掃描電極Yl可視為先于掃描電極Y2進(jìn)行掃描，維持電極Zl可視為 先于維持電極Z2進(jìn)行掃描。換言之，在子場的尋址期中，向第一放電單元700供應(yīng)掃描信號的供給時(shí)機(jī)可視為早于向第二放電單元710提供掃描信號的供給時(shí)機(jī)。當(dāng)?shù)谝环烹妴卧?00中發(fā)生尋址放電時(shí)，由第一放電單元700中發(fā)生的尋址放電引起的電荷800可如圖8所示向第二放電單元710移動(dòng)。然后，當(dāng)?shù)诙烹妴卧?10中發(fā) 生尋址放電時(shí)，由第二放電單元710中發(fā)生的尋址放電引起的電荷800可如圖8所示向第 三放電單元720移動(dòng)。尋址放電引起的電荷800可按照掃描順序移動(dòng)。圖8中，電荷800的移動(dòng)方向由 箭頭表不。當(dāng)電荷800如圖8所示按照掃描順序移動(dòng)時(shí)，未供應(yīng)數(shù)據(jù)信號的放電單元(即，其 中不必發(fā)生尋址放電的放電單元)中可發(fā)生錯(cuò)誤的放電。也就是，可能造成串?dāng)_現(xiàn)象。當(dāng)然，電荷800也可以沿掃描順序的方向(S卩，掃描順序的正向)的相反方向(即， 掃描順序的反向)移動(dòng)。不過，因?yàn)檠胤聪蛞苿?dòng)的電荷800進(jìn)入了其中已經(jīng)發(fā)生尋址放電 的放電單元，所以不會發(fā)生錯(cuò)誤的放電。此外，因?yàn)閽呙栊盘柡蛿?shù)據(jù)信號未供應(yīng)至其中已經(jīng) 發(fā)生了尋址放電的放電單元，所以不發(fā)生錯(cuò)誤的放電?？赡茉斐上率龃?dāng)_現(xiàn)象，其中由于電荷800沿掃描順序的正向移動(dòng)所致而發(fā)生錯(cuò) 誤的尋址放電。如圖9所示，為了防止串?dāng)_現(xiàn)象，可將輔助電極106設(shè)置為比第二放電單元710更 靠近第一放電單元700，而第一放電單元700的掃描操作先于第二放電單元710中的掃描操 作進(jìn)行。更具體而言，將輔助電極106設(shè)置為靠近維持電極Zl和掃描電極Y2，將維持電極 Zl、輔助電極106和掃描電極Y2按所述順序設(shè)置。如果維持電極Zl先于掃描電極Y2進(jìn)行 掃描，則輔助電極106與維持電極Zl之間的距離gl可短于輔助電極106與掃描電極Y2之 間的距離g2。當(dāng)距離gl短于距離g2時(shí)，可有效防止第一放電單元700中的電荷移動(dòng)至第二放 電單元710。于是，有效地防止了尋址期的串?dāng)_現(xiàn)象。另一方面，如圖10所示，當(dāng)距離gl大于距離g2時(shí)，第一放電單元700中的電荷可 能易于移動(dòng)至第二放電單元710。于是，第二放電單元710中可能不穩(wěn)定地發(fā)生尋址放電， 第二放電單元710中甚至可能發(fā)生錯(cuò)誤放電。因此，優(yōu)選的是兩個(gè)相鄰的顯示電極之間的輔助電極106設(shè)置為更靠近這兩個(gè)相 鄰的顯示電極中的比另一個(gè)先進(jìn)行掃描的那個(gè)顯示電極，從而有效防止沿掃描順序的正向 移動(dòng)的電荷所造成的串?dāng)_。即，可能優(yōu)選的是輔助電極106與該顯示電極之間的距離短于 輔助電極106與另一個(gè)顯示電極之間的距離。圖11、12和13圖解了距離gl與距離g2之比gl/g2。圖13中，對維持電極103先 進(jìn)行掃描，然后對掃描電極102進(jìn)行掃描。圖11是顯示比率gl/g2由0. 35變至1. 0時(shí)放電均勻性的比率。放電均勻性的比 率的計(jì)算方法如下。當(dāng)遵照比率gl/g2制造的測試板中發(fā)生放電時(shí)，獲取放電產(chǎn)生的光的分布照片。 假定gl/g2之比為1.0時(shí)放電均勻性的比率為100%。隨后，眾多試驗(yàn)參與者各自觀察在比 率gl/g2由0. 35變至0. 91時(shí)獲取的光分布的照片，然后基于在比率gl/g2為1. 0時(shí)假定 的100%的放電均勻性的比率來確定光分布照片的放電均勻性的比率。得到了由試驗(yàn)參與 者測定的放電均勻性的比率的平均值。
圖11中，放電均勻性的比率為高值表明放電均勻地發(fā)生。圖12是顯示在比率gl/g2由0.35變至1.0時(shí)串?dāng)_發(fā)生率的曲線圖。串?dāng)_發(fā)生率的計(jì)算方法如下。在遵照比率gl/g2制造的測試板上分別顯示具有相同圖案的圖像。該具有相同圖案的圖像是易于觀察串?dāng)_的圖像。假定在比率gl/g2為1.0時(shí)串?dāng)_發(fā)生率為100%。眾多試驗(yàn)參與者各自觀察在比率gl/g2由0. 35變至0. 91時(shí)的該具有相同圖案的圖像，然后基于在比率gl/g2為1.0時(shí)假定的100%的串?dāng)_發(fā)生率確定圖像的串?dāng)_發(fā)生率。 隨后，得到了由試驗(yàn)參與者測定的串?dāng)_發(fā)生率的平均值。圖12中，隨著串?dāng)_發(fā)生率的下降， 串?dāng)_發(fā)生的可能性降低。如圖11所示，當(dāng)比率gl/g2為0.35 0.46時(shí)，放電均勻性的比率大約為15% 20%。即，該值表示放電均勻性較差。在該情況中，如圖13所示，由于輔助電極106與維持電極103之間的距離gl過短， 可將輔助電極106設(shè)置為靠近維持電極103。因?yàn)檩o助電極106具有導(dǎo)電性，所以掃描電極102和維持電極103之間開始發(fā)生的放電可能被過度地引至輔助電極106。結(jié)果，光可能在放電單元內(nèi)不均勻地產(chǎn)生。在該情況中，發(fā)射至維持電極103和輔助電極106之間的部分的光量可能大于發(fā)射至掃描電極102和輔助電極106之間的部分的光量。因此，圖像品質(zhì)可能劣化。例如，觀 看者可能察覺到亮度隨著觀察者觀看顯示板的屏幕的方向的改變而急劇改變。此外，觀看 者可能察覺到亮度在特定方向過度減小。因此，觀看者可能察覺到顯示板的圖像品質(zhì)由于 光的不均勻性所致而劣化。另一方面，當(dāng)比率gl/g2為0.67 0.91時(shí)，放電均勻性的比率大約為72 % 85%。即，該值表明放電均勻性優(yōu)異。在該情況中，掃描電極102和維持電極103之間開始 發(fā)生的放電不會被過度引至預(yù)定方向。因此，放電均勻性可能優(yōu)異。當(dāng)比率gl/g2為0.58 0.63時(shí)，放電均勻性的比率大約為51% 53%。S卩，該 值表示放電均勻性良好。如圖12所示，當(dāng)比率gl/g2為0.91時(shí)，串?dāng)_發(fā)生率大約為75%。S卩，串?dāng)_的發(fā)生可能性小于比率gl/g2為1時(shí)的串?dāng)_的發(fā)生可能性。以上詳細(xì)描述了在距離gl變得小于距離g2時(shí)串?dāng)_的發(fā)生可能性降低的原因。當(dāng)比率gl/g2為0. 85時(shí)，串?dāng)_的發(fā)生率大約為45%。即，串?dāng)_的發(fā)生率明顯降低。當(dāng)比率gl/g2為0. 35 0. 75時(shí)，串?dāng)_的發(fā)生率大約為29% 35%。即，串?dāng)_的發(fā)生可能 性很低?？紤]圖11禾口 12的描述，比率gl/g2可以為0.58 0.91，或0.67 0.85。圖14、15和16圖解了第二黑層。如圖14中所示，第二黑層108可包括第一、第二和第三部分D1、D2和D3。圖14中，輔助電極106左側(cè)的維持電極103稱為第一顯示電極，輔助電極106右 側(cè)的掃描電極102稱為第二顯示電極，第一顯示電極103和輔助電極106之間的距離表示 為gl，第二顯示電極102和輔助電極106之間的距離表示為g2。在該情況中，第二黑層108 的第二部分D2朝向第一顯示電極103突出，第二黑層108的第三部分D3朝向第二顯示電 極102突出。第二黑層108的第一部分Dl與輔助電極106重疊。
第三部分D3的寬度L2可以大于第二部分D2的寬度Li。在該情況中，即使距離 gl短于距離g2，也可以抑制來自外部的光的反射，因此可以防止對比度特性的降低。此外，當(dāng)?shù)谌糠諨3的寬度L2大于第二部分D2的寬度Ll時(shí)，即使第一顯示電極 103與第二黑層108之間的距離LlO基本上等于第二顯示電極102與第二黑層108之間的 距離L20，距離gl也可以短于距離g2。如圖15所示，當(dāng)?shù)谝伙@示電極103與第二黑層108之間的距離LlO基本上等于第 二顯示電極102與第二黑層108之間的距離L20，且第三部分D3的寬度L2基本上等于第 二部分D2的寬度Ll時(shí)，距離gl可基本上等于距離g2。因此，可能難以獲得減少串?dāng)_的效果。如圖16所示，在第三部分D3的寬度L2基本上等于第二部分D2的寬度Ll的情況 中距離gl短于距離g2時(shí)，以距離g2彼此分隔開的第二顯示電極102和輔助電極106之間 的區(qū)域可能過度增大。于是，來自外部的光可被第一障壁112a反射，因而對比度特性可能惡化。另一方面，當(dāng)如圖14中所示第三部分D3的寬度L2大于第二部分D2的寬度Ll時(shí)， 即使距離gl短于距離g2，第三部分D3也可能覆蓋第二顯示電極102與輔助電極106之間 的區(qū)域。于是，可防止來自外部的光被第一障壁112a反射，由此可防止對比度特性的降低。圖17和18圖解了第一黑層及第二黑層與掃描電極和維持電極之間的位置關(guān)系。如圖17所示，第一黑層107和第二黑層108彼此平行地設(shè)置在前基板101上，至 少一個(gè)掃描電極102和至少一個(gè)維持電極103插在第一黑層107和第二黑層108之間。第 一黑層107和第二黑層108交替設(shè)置。第一黑層107和第二黑層108可以與毗鄰第一黑層107和第二黑層108的掃描電 極102和維持電極103間隔開。作為選擇，如圖18所示，第一黑層107和第二黑層108可 以分別連接到兩個(gè)相鄰的掃描電極102和兩個(gè)相鄰的維持電極103。在該情況中，第一黑層 107和兩個(gè)相鄰的掃描電極102的第四黑層210可形成一個(gè)共同的黑層，第二黑層108和兩 個(gè)相鄰的維持電極103的第四黑層210可形成一個(gè)共同黑層。圖19 23圖解了掃描電極和維持電極的排列結(jié)構(gòu)。圖19 23中省略了對第一
黑層和第二黑層的描述。兩個(gè)掃描電極可以相鄰地設(shè)置，兩個(gè)維持電極可以相鄰地設(shè)置。例如，圖19顯示 了兩個(gè)相鄰的掃描電極Yl和Y2、兩個(gè)相鄰的掃描電極Y3和Y4以及兩個(gè)相鄰的維持電極 Z2 禾口 Z3。在以上的電極排列中，可能優(yōu)選的是輔助電極106設(shè)置在兩個(gè)相鄰的維持電極之 間。即，第二黑層設(shè)置在兩個(gè)相鄰的維持電極之間，輔助電極106設(shè)置在第二黑層上。在以上的電極排列中，通過減小兩個(gè)相鄰的掃描電極之間的電容和兩個(gè)相鄰的維 持電極之間的電容可以改善驅(qū)動(dòng)效率。此外，放電時(shí)通過減小兩個(gè)相鄰的掃描電極之間的 電壓差和兩個(gè)相鄰的維持電極之間的電壓差可以減少串?dāng)_。圖20顯示出掃描電極Y1、Y2和Υ3與維持電極Ζ1、Ζ2和Ζ3交替設(shè)置，圖20中，假 定向掃描電極Υ1、Υ2和Υ3提供電壓為180V的維持信號，向維持電極Ζ1、Ζ2和Ζ3提供0V。在該情況中，電荷1100在相鄰的放電單元之間的移動(dòng)可活躍地發(fā)生。例如，如圖 20所示，如果掃描電極Υ2與維持電極Ζ2之間發(fā)生維持放電，則維持電極Ζ2與掃描電極Υ3之間，以及掃描電極Y2與維持電極Zl之間產(chǎn)生180V的電壓差。掃描電極Υ2與維持電極Ζ2之間發(fā)生的維持放電所造成的電荷1100被引至掃描電極Υ3或維持電極Ζ1，并移動(dòng)至與 發(fā)生維持放電的該放電單元相鄰的放電單元。結(jié)果，在掃描電極Yl與維持電極Zl之間，或 掃描電極Υ3與維持電極Ζ3之間可發(fā)生維持放電。即，可能時(shí)常發(fā)生串?dāng)_現(xiàn)象。另一方面，如圖21所示，當(dāng)兩個(gè)掃描電極相鄰地設(shè)置且兩個(gè)維持電極相鄰地設(shè)置時(shí)，即使向掃描電極提供電壓為180V的維持信號并向維持電極提供0V，維持電極Zl和Ζ2 與掃描電極Υ2和Υ3之間也產(chǎn)生OV的電壓差。因?yàn)橄噜彽姆烹妴卧g未產(chǎn)生電壓差，所 以抑制了電荷1100的移動(dòng)。因此，可減少串?dāng)_。下面將參照圖22和23描述在兩個(gè)相鄰的維持電極之間設(shè)置輔助電極106的原因。圖22顯示了在兩個(gè)相鄰的掃描電極之間設(shè)置輔助電極。更具體而言，第一輔助電極106a設(shè)置在兩個(gè)掃描電極Yl和Y2之間，第二輔助電極106b設(shè)置在兩個(gè)掃描電極Y3和 Y4之間。圖23圖解了在圖22所示的電極結(jié)構(gòu)中的尋址期內(nèi)的顯示板的示例性操作。第一和第二輔助電極106a和106b被認(rèn)為是浮動(dòng)的。例如，當(dāng)?shù)谝粧呙栊盘朣can 1供應(yīng)至掃描電極Yl時(shí)，由于供應(yīng)至尋址電極Xl的 數(shù)據(jù)信號與第一掃描信號Scan 1之間的電壓差所致可能發(fā)生尋址放電。此外，當(dāng)?shù)诙呙?信號Scan 2供應(yīng)至掃描電極Y2時(shí)，由于供應(yīng)至尋址電極Xl的數(shù)據(jù)信號與第二掃描信號 Scan 2之間的電壓差所致可能發(fā)生尋址放電。當(dāng)通過第一掃描信號Scan 1和數(shù)據(jù)信號發(fā)生尋址放電時(shí)，通過第一掃描信號 Scan 1的電壓，在第一輔助電極106a中可產(chǎn)生第一下降信號fsl。第一下降信號fsl的電 壓影響與第一輔助電極106a相鄰的掃描電極Y2，因此掃描電極Y2上的壁電荷的分布狀態(tài) 可能不均勻。于是，由第二掃描信號Scan 2和數(shù)據(jù)信號產(chǎn)生的尋址放電可能不穩(wěn)定。當(dāng)?shù)?一下降信號fsl的電壓具有過大值時(shí)，在尋址放電介由第一掃描信號Scan 1和數(shù)據(jù)信號發(fā) 生之際掃描電極Y2或第一輔助電極106a與尋址電極之間可能發(fā)生錯(cuò)誤放電。如上，當(dāng)輔助電極設(shè)置在兩個(gè)掃描電極之間時(shí)，可能不穩(wěn)定地發(fā)生尋址放電，或者 可能發(fā)生錯(cuò)誤放電。因此，優(yōu)選的是如圖19所示將輔助電極設(shè)置在兩個(gè)維持電極之間。圖24圖解了第一黑層和第二黑層的結(jié)構(gòu)。第一黑層107和第二黑層108中的至少一個(gè)可包括各自具有不同寬度的第一部分 和第二部分。例如，圖24顯示出第一黑層107和第二黑層108各自包括具有第一寬度Sl 的第十部分和具有第一寬度S2的第二十部分。因?yàn)槿鐖D24所示第二黑層108包括第十部分108a和第二十部分108b，所以第二 黑層108上的輔助電極(未示出)可包括各自具有不同寬度的第十部分和第二十部分。第一黑層107和第二黑層108的第二部分可設(shè)置在第一和第二障壁112a和112b 的交叉處。如上，當(dāng)?shù)谝缓趯?07和第二黑層108中的至少一個(gè)包括第十部分和第二十部分 時(shí)，黑色區(qū)域可能增大。因此，對比度特性可得到改善。此外，當(dāng)?shù)谝缓趯?07和第二黑層 108的第二部分設(shè)置在第一和第二障壁112a和112b的交叉處時(shí)，在防止長寬比減小的同時(shí) 可增大黑色區(qū)域。因此，對比度特性可得到進(jìn)一步改善。
圖25圖解了輔助電極和總線電極的寬度。如圖25所示，輔助電極106的寬度W3可大于總線電極103b的寬度W4。輔助電極106的寬度W3可大于掃描電極102的總線電極的寬度以及維持電極103的總線電極103b
的寬度。如上，當(dāng)輔助電極106的寬度W3大于總線電極103b的寬度W4時(shí)，輔助電極106 的蓄電容量可充分增大。因此，可以防止電荷在相鄰的放電單元之間移動(dòng)，并且可以減少串 擾。圖26 28圖解了輔助電極和障壁。如圖26所示，輔助電極106的寬度W3可大 于第一障壁112a的上寬度W5并小于第一障壁112a的下寬度W6。此外，輔助電極106的寬 度W3可基本上等于第一障壁112a的上寬度W5或下寬度W6。當(dāng)輔助電極106的寬度W3大于或等于第一障壁112a的上寬度W5并小于或等于 第一障壁112a的下寬度W6時(shí)，可以在防止電荷在相鄰的放電單元之間移動(dòng)的同時(shí)防止輔 助電極106與毗鄰于輔助電極106的掃描電極102或維持電極103之間的電路短路。如圖27所示，當(dāng)輔助電極106的寬度W3小于第一障壁112a的上寬度W5時(shí)，輔助 電極106的蓄電容量可能因輔助電極106狹窄所致而減小。因此，難以防止串?dāng)_。此外，輔 助電極106與毗鄰于輔助電極106的掃描電極102或維持電極103之間的距離Al可能過 度增大。因此，通過第一障壁112a反射的光量可能增多，對比度特性可能下降。如圖28所示，當(dāng)輔助電極106的寬度W3大于第一障壁112a的下寬度W6時(shí)，輔助 電極106與毗鄰于輔助電極106的掃描電極102或維持電極103之間的距離A2由于輔助 電極106較寬所致而可能過度減小。在該情況中，輔助電極106與毗鄰于輔助電極106的 掃描電極102或維持電極103之間可能發(fā)生電路短路，由此不穩(wěn)定地發(fā)生放電?？紤]到該點(diǎn)時(shí)，優(yōu)選的是輔助電極106的寬度W3大于或等于第一障壁112a的上 寬度W5并小于或等于第一障壁112a的下寬度W6。圖29圖解了輔助電極與掃描電極或維持電極之間的距離。如圖29所示，輔助電極106與掃描電極102或維持電極103之間的距離G2可大 于掃描電極102與維持電極103之間的距離Gl。在該情況中，可防止掃描電極102與維持 電極103之間的著火電壓過度上升，并且可以防止驅(qū)動(dòng)效率的降低。此外，可防止掃描電極 102和維持電極103之間產(chǎn)生的放電被過度引至輔助電極106。本說明書中對一個(gè)實(shí)施方式、一類實(shí)施方式、示例性實(shí)施方式等等的任何提及表 明結(jié)合該實(shí)施方式描述的具體特征、結(jié)構(gòu)或特性包含在本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施方式中。這 類詞語在本說明書中各處的出現(xiàn)并不一定都指的是同一實(shí)施方式。此外，當(dāng)具體特征、結(jié)構(gòu) 或特性結(jié)合任何實(shí)施方式進(jìn)行描述時(shí)，表明其在本領(lǐng)域技術(shù)人員結(jié)合其他實(shí)施方式實(shí)現(xiàn)該 特征、結(jié)構(gòu)或特性的范圍之內(nèi)。盡管引用了許多說明性實(shí)施方式對這些實(shí)施方式進(jìn)行了描述，不過應(yīng)當(dāng)理解，本 領(lǐng)域的技術(shù)人員可設(shè)計(jì)出眾多其他的修改和實(shí)施方式，其將落入本公開的原理的范圍之 內(nèi)。更具體而言，在公開的內(nèi)容、附圖和所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)的對象組合排列的組成部分 和/或排列方面可以進(jìn)行各種變化和修改。除了組成部分和/或排列方面的各種變化和修 改之外，替換使用對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員也是顯而易見的。
權(quán)利要求
一種等離子體顯示板，所述顯示板包括前基板；所述前基板上的顯示電極，所述顯示電極包括彼此相鄰的第一顯示電極和第二顯示電極；與所述前基板相對的后基板；相鄰的所述第一顯示電極和第二顯示電極之間的障壁；與所述障壁相對的黑層，所述黑層設(shè)置為基本上平行于所述前基板上的所述第一顯示電極和第二顯示電極；和位于至少一個(gè)黑層上的輔助電極，其中，所述輔助電極與所述第一顯示電極之間的最短距離g1不同于所述輔助電極與所述第二顯示電極之間的最短距離g2。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，其中，所述黑層包括其上未設(shè)置所述輔助電 極的第一黑層和其上設(shè)置有所述輔助電極的第二黑層。
3.如權(quán)利要求2所述的等離子體顯示板，其中，所述第一黑層和所述第二黑層交替設(shè)置。
4.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，其中，所述顯示電極包括透明電極和所述透 明電極上的總線電極，并且所述輔助電極與所述顯示電極之間的距離是所述輔助電極與所 述透明電極之間的距離。
5.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，其中，第一放電單元中的所述第一顯示電極 先于第二放電單元中的所述第二顯示電極進(jìn)行掃描，其中所述距離gl短于所述距離g2。
6.如權(quán)利要求5所述的等離子體顯示板，其中，向所述第一放電單元提供掃描信號的 供給時(shí)機(jī)早于向所述第二放電單元提供掃描信號的供給時(shí)機(jī)。
7.如權(quán)利要求5所述的等離子體顯示板，其中，所述距離gl與所述距離g2的比例基本 上為0. 58 0. 91。
8.如權(quán)利要求5所述的等離子體顯示板，其中，第二黑層包括與所述輔助電極重疊的 第一部分、朝向所述第一顯示電極突出的第二部分和朝向所述第二顯示電極突出的第三部 分，其中所述第二部分的寬度小于所述第三部分的寬度。
9. 一種等離子體顯示板，所述顯示板包括 前基板；設(shè)置在所述前基板上的基本上彼此平行的掃描電極和維持電極； 與所述前基板相對的后基板； 所述后基板上的障壁；與所述障壁相對的黑層，所述黑層設(shè)置為基本上平行于所述前基板上的所述掃描電極 和維持電極，所述黑層包括位于兩個(gè)相鄰的掃描電極之間的第一黑層和位于兩個(gè)相鄰的維 持電極之間的第二黑層；和所述第二黑層上的輔助電極，其中，所述兩個(gè)相鄰的維持電極包括第一維持電極和第二維持電極，其中所述輔助電極與所述第一維持電極之間的最短距離不同于所述輔助電極與所述第二維持電極之間的距離。
10.如權(quán)利要求9所述的等離子體顯示板，其中，所述維持電極包括透明電極和所述透明電極上的總線電極，并且所述輔助電極與所述維持電極之間的距離是所述輔助電極與所 述維持電極的所述透明電極之間的距離。
11.如權(quán)利要求9所述的等離子體顯示板，其中，屬于所述輔助電極的第一輔助電極鄰接于所述第一維持電極和第二維持電極，其中所述第一維持電極先于所述第二維持電極進(jìn) 行掃描，其中所述第一輔助電極與所述第一維持電極之間的距離gl短于所述第一輔助電極與所述第二維持電極之間的距離g2。
12.如權(quán)利要求11所述的等離子體顯示板，其中，在子場的尋址期內(nèi)，向?qū)?yīng)于所述第一維持電極的第一掃描電極提供掃描信號的供給時(shí)機(jī)早于向?qū)?yīng)于所述第二維持電極的 第二掃描電極提供掃描信號的供給時(shí)機(jī)。
13.如權(quán)利要求11所述的等離子體顯示板，其中，所述距離gl與所述距離g2的比例基本上為0. 58 0. 91。
14.如權(quán)利要求11所述的等離子體顯示板，其中，所述第二黑層包括與所述第一輔助電極重疊的第一部分、朝向所述第一維持電極突出的第二部分和朝向所述第二維持電極突 出的第三部分，其中所述第二部分的寬度小于所述第三部分的寬度。
15.如權(quán)利要求9所述的等離子體顯示板，其中，所述輔助電極的寬度小于或等于所述第二黑層的寬度。
16.如權(quán)利要求9所述的等離子體顯示板，其中，所述障壁包括與所述掃描電極和所述維持電極基本上平行的第一障壁，和與所述第一障壁相交叉的第二障壁，其中所述輔助電極的寬度大于或等于所述第一障壁的上寬度且小于或等于所述第一障壁的下寬度。
17.如權(quán)利要求9所述的等離子體顯示板，其中，所述掃描電極和所述維持電極各自包括透明電極和所述透明電極上的總線電極，其中所述輔助電極的寬度大于或等于所述總線電極的寬度。
18.如權(quán)利要求9所述的等離子體顯示板，其中，所述輔助電極為浮動(dòng)型。
19.如權(quán)利要求9所述的等離子體顯示板，其中，所述障壁包括與所述掃描電極和所述維持電極基本上平行的第一障壁，和與所述第一障壁相交叉的第二障壁，其中所述第一障壁的高度小于所述第二障壁的高度。
20.如權(quán)利要求9所述的等離子體顯示板，其中，所述輔助電極與所述維持電極之間的最短距離大于所述掃描電極與所述維持電極之間的最短距離。
全文摘要
本發(fā)明提供等離子體顯示板。所述等離子體顯示板包括前基板；所述前基板上的顯示電極，所述顯示電極包括彼此相鄰的第一顯示電極和第二顯示電極；與所述前基板相對的后基板；相鄰的所述第一顯示電極和第二顯示電極之間的障壁；與所述障壁相對的黑層，所述黑層設(shè)置為基本上平行于所述前基板上的所述第一顯示電極和第二顯示電極；和位于至少一個(gè)黑層上的輔助電極。所述輔助電極與所述第一顯示電極之間的最短距離g1不同于所述輔助電極與所述第二顯示電極之間的最短距離g2。
文檔編號H01J11/32GK101802962SQ200980100412
公開日2010年8月11日 申請日期2009年1月9日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月11日
發(fā)明者沈正燮, 金淳學(xué) 申請人:Lg電子株式會社