專利名稱：等離子顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子顯示裝置，是使用了等離子顯示面板的圖像顯示裝置。
背景技術(shù)：
由于等離子顯示面板(下面，簡(jiǎn)記為“面板”)即使在薄型的圖像顯示元件中也可以進(jìn)行高速顯示，并且大型化較容易，因此逐漸作為大屏幕顯示裝置而被實(shí)用化。面板是將前面板和背面板粘合而構(gòu)成。前面板，具有玻璃基板；顯示電極對(duì)，由 玻璃基板上所形成的掃描電極以及維持電極構(gòu)成；電介質(zhì)層，其以覆蓋顯示電極對(duì)的形式 形成；以及保護(hù)層，其在電介質(zhì)層上形成。保護(hù)層是以保護(hù)電介質(zhì)層防止被離子撞擊、同時(shí) 容易產(chǎn)生放電為目的設(shè)置的。背面板，具有玻璃基板；數(shù)據(jù)電極，其在玻璃基板上形成；電介質(zhì)層，其覆蓋數(shù)據(jù) 電極；隔壁，其在電介質(zhì)層上形成；熒光體層，其分別發(fā)出在隔壁之間所形成的紅色、綠色 以及藍(lán)色的光。前面板與背面板，以顯示電極與數(shù)據(jù)電極隔著放電空間相交叉的方式相面 對(duì)，以低熔點(diǎn)玻璃密封其周圍。在放電空間密封含有氙的放電氣體。在此，在顯示電極與數(shù) 據(jù)電極的相互面對(duì)的部分形成放電單元。使用了這種結(jié)構(gòu)的面板的等離子顯示裝置，在面板的各放電單元選擇性地發(fā)生氣 體放電，以此時(shí)產(chǎn)生的紫外線激發(fā)紅色、綠色以及藍(lán)色的各顏色的熒光體使其發(fā)光從而進(jìn) 行彩色顯示。作為驅(qū)動(dòng)面板的方法一般為子場(chǎng)法，即將1場(chǎng)期間分割為多個(gè)子場(chǎng)，并由使其發(fā) 光的子場(chǎng)的組合進(jìn)行灰度顯示的方法。各子場(chǎng)具有初始化期間、寫入期間以及維持期間。在 初始化期間對(duì)掃描電極以及維持電極施加規(guī)定的電壓從而發(fā)生初始化放電，在各電極上形 成接下來的寫入動(dòng)作中所需的壁電荷。在寫入期間對(duì)掃描電極順次施加掃描脈沖，同時(shí)選 擇性地對(duì)數(shù)據(jù)電極施加寫入脈沖從而發(fā)生寫入放電并形成壁電荷。然后，在維持期間對(duì)顯 示電極對(duì)交替地施加維持脈沖，在放電單元中選擇性地發(fā)生維持放電，通過使對(duì)應(yīng)的放電 單元的熒光體層發(fā)光來進(jìn)行圖像顯示。在此，為了以使要發(fā)光的放電單元可靠地發(fā)光、不應(yīng)發(fā)光的放電單元中可靠地不 發(fā)光的方式進(jìn)行控制從而顯示高質(zhì)量的圖像，需要在所分配的時(shí)間內(nèi)進(jìn)行可靠的寫入動(dòng) 作。因此，在不斷進(jìn)行可以高速驅(qū)動(dòng)的面板的開發(fā)的同時(shí)，對(duì)用于發(fā)揮其面板的性能從而顯 示高質(zhì)量的圖像的驅(qū)動(dòng)方法以及驅(qū)動(dòng)電路也進(jìn)行研究。面板的放電特性很大程度上取決于保護(hù)層的特性，特別是為了改善影響可否高速 驅(qū)動(dòng)的電子放出性能和電荷保持性能，進(jìn)行了對(duì)保護(hù)層的材料、結(jié)構(gòu)、制造方法等很多的研 究。例如，在專利文獻(xiàn)1中，公開了具有如下特性的等離子顯示裝置，該等離子顯示裝置具 有面板，其設(shè)置有通過對(duì)鎂蒸氣進(jìn)行氣相氧化進(jìn)行生成，而在200nm 300nm具有陰極場(chǎng) 致發(fā)光(cathode luminescence)發(fā)光峰值的氧化鎂層；電極驅(qū)動(dòng)電路，在寫入期間對(duì)構(gòu)成 全部顯示線的顯示電極對(duì)各自的一方順序施加掃描脈沖，同時(shí)將對(duì)應(yīng)施加了掃描脈沖的顯 示線的寫入脈沖提供給數(shù)據(jù)電極。
近年來，除大屏幕以外還需求高清晰度等離子顯示裝置，例如優(yōu)選1920像 素X 1080線的高清晰度等離子顯示裝置、進(jìn)而2160線或者4320線這種的超高清晰度等離 子顯示裝置。這樣一方面增加線數(shù)，另一方面必須確保用于顯示平滑的灰度的子場(chǎng)數(shù)目。因 此，出現(xiàn)了在每一線的寫入動(dòng)作中所分配的時(shí)間變得越來越短的趨勢(shì)。因而，為了在所分配 的時(shí)間內(nèi)進(jìn)行可靠的寫入動(dòng)作，期待著具有可以進(jìn)行在以往之上的高速并且穩(wěn)定的寫入動(dòng) 作的面板、其驅(qū)動(dòng)方法、以及實(shí)現(xiàn)該驅(qū)動(dòng)方法的驅(qū)動(dòng)電路的等離子顯示裝置。[專利文獻(xiàn)1]特開2006-54158號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是一種等離子顯示裝置，具有等離子顯示面板與面板驅(qū)動(dòng)電路，等離子面 板具有相互面對(duì)配置的前面板與背面板，前面板中，在第1玻璃基板上形成顯示電極對(duì)、以 覆蓋顯示電極對(duì)的方式形成電介質(zhì)層并在電介質(zhì)層上形成保護(hù)層；背面板中，在第2玻璃 基板上形成數(shù)據(jù)電極；在顯示電極對(duì)與數(shù)據(jù)電極相互面對(duì)的位置形成數(shù)據(jù)電極，面板驅(qū)動(dòng) 電路，按時(shí)間配置多個(gè)子場(chǎng)從而構(gòu)成1場(chǎng)期間來驅(qū)動(dòng)所述等離子顯示面板，所述子場(chǎng)具有 在所述放電單元使其發(fā)生初始化放電的初始化期間、使其發(fā)生寫入放電的寫入期間、使其 發(fā)生維持放電的維持期間，該等離子顯示裝置其特征在于，保護(hù)層由基底保護(hù)層與粒子層 構(gòu)成，基底保護(hù)層由含有金屬氧化物的薄膜形成，粒子層將凝集了多個(gè)氧化鎂的單晶粒子 的凝集粒子附著于基底保護(hù)層而形成，面板驅(qū)動(dòng)電路，在所述初始化期間進(jìn)行在全部的放 電單元使其發(fā)生初始化放電的全單元初始化動(dòng)作、與在之前進(jìn)行過維持放電的放電單元中 使其發(fā)生初始化放電的選擇初始化動(dòng)作的其中一種，并且以從進(jìn)行全單元初始化動(dòng)作的子 場(chǎng)起到下一個(gè)進(jìn)行全單元初始化動(dòng)作的子場(chǎng)的之前子場(chǎng)的亮度權(quán)重的大小單調(diào)遞減的方 式按時(shí)間配置子場(chǎng)來驅(qū)動(dòng)所述等離子顯示面板。


圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的面板的結(jié)構(gòu)的立體圖。圖2是表示該面板的前面板結(jié)構(gòu)的截面圖。圖3是表示該面板的凝集粒子的一例的圖。圖4是表示包含該面板的試制面板的電子放出性能與電荷保持性能的圖。圖5A是表示使試制面板的單晶粒子的粒子直徑改變從而研究電子放出性能的實(shí) 驗(yàn)結(jié)果的圖。圖5B是表示試制面板的單晶粒子的粒子直徑與隔壁的損壞之間的關(guān)系的圖。圖6是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的面板的電極排列的圖。圖7是施加于該面板的各電極的驅(qū)動(dòng)電壓波形圖。圖8是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的子場(chǎng)結(jié)構(gòu)的圖。圖9A是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的面板的放電延遲時(shí)間與從全單元初始化動(dòng)作起的經(jīng)過時(shí)間的關(guān)系的圖。圖9B是表示該面板的放電延遲時(shí)間與維持脈沖數(shù)的關(guān)系的圖。圖10是表示使該面板為降序編碼的子場(chǎng)結(jié)構(gòu)時(shí)與使其為升序編碼的子場(chǎng)結(jié)構(gòu)時(shí) 的對(duì)數(shù)據(jù)電極施加的電壓的最低電壓的圖。
圖11是本發(fā)明的實(shí)施方式中的等離子顯示裝置的電路框圖。圖12是該等離子顯示裝置的掃描電極驅(qū)動(dòng)電路以及維持電極驅(qū)動(dòng)電路的電路 圖。圖13是表示本發(fā)明的其他實(shí)施方式中的子場(chǎng)結(jié)構(gòu)的圖。圖中10-面板20-前面板21_(第1)玻璃基板22-掃描電極22a、23a-透明電極22b、23b-總線電極23-維持電極24-顯示電極對(duì)25-電介質(zhì)層26-保護(hù)層26a-基底保護(hù)層26b-粒子層27-單晶粒子28-凝集粒子30-背面板31_(第2)玻璃基板32-數(shù)據(jù)電極34-隔壁35-熒光體層41-圖像信號(hào)處理電路42-數(shù)據(jù)電極驅(qū)動(dòng)電路43-掃描電極驅(qū)動(dòng)電路44-維持電極驅(qū)動(dòng)電路45-定時(shí)發(fā)生電路50、80_維持脈沖發(fā)生電路60-初始化波形發(fā)生電路70-掃描脈沖發(fā)生電路100-等離子顯示裝置
具體實(shí)施例方式下面，利用附圖對(duì)本發(fā)明的一實(shí)施方式中的等離子顯示裝置進(jìn)行說明。(實(shí)施方式)圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的面板10的結(jié)構(gòu)的立體圖。面板10中，前面板20與背面板30相互面對(duì)而配置，并通過低熔點(diǎn)玻璃的密封材料密封其外周部。在面板10內(nèi)部的放電空間15中，以400Torr 600Torr的壓力封入氙等的放電氣體。在前面板20的玻璃基板(第1玻璃基板)21上，平行地形成多個(gè)由掃描電極22 以及維持電極23構(gòu)成的顯示電極對(duì)24。在玻璃基板21上以覆蓋顯示電極對(duì)24的方式形 成電介質(zhì)層25，進(jìn)而在其電介質(zhì)層25上形成將氧化鎂作為主要成分的保護(hù)層26。另外，在背面板30的玻璃基板(第2玻璃基板)31上，在與顯示電極對(duì)24垂直的 方向彼此平行地形成多個(gè)數(shù)據(jù)電極32，電介質(zhì)層33覆蓋這些數(shù)據(jù)電極32。進(jìn)而，在電介質(zhì) 層33上形成隔壁34。在電介質(zhì)層33以及隔壁34的側(cè)面，形成在紫外線作用下而分別發(fā)出 紅色、綠色以及藍(lán)色光的熒光體層35。在此，在顯示電極對(duì)24與數(shù)據(jù)電極32交叉的位置形 成放電單元，具有紅色、綠色、藍(lán)色熒光體層35的放電單元的一組成為用于彩色顯示的像 素。再者，電介質(zhì)層33并不是必須的，也可以是省略了電介質(zhì)層33的結(jié)構(gòu)。圖2是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中面板10的前面板20的結(jié)構(gòu)的截面圖，與圖1所 表示的前面板20將其上下顛倒進(jìn)行表示。在玻璃基板21上形成由掃描電極22和維持電 極23構(gòu)成的顯示電極對(duì)24。掃描電極22由銦錫氧化物或氧化錫等形成的透明電極22a、 與在透明電極22a上形成的總線電極22b構(gòu)成。同樣的，維持電極23由透明電極23a與在 其上形成的總線電極23b構(gòu)成?？偩€電極22b、總線電極23b，是為了對(duì)透明電極22a、透明 電極23a的長邊方向賦予導(dǎo)電性而設(shè)置，由將銀作為主要成分的導(dǎo)電性材料形成。在本實(shí)施方式中，電介質(zhì)層25是以覆蓋透明電極22a、透明電極23a以及總線電極 22b、總線電極23b的方式形成的第1電介質(zhì)層25a以及在第1電介質(zhì)層25a上形成的第2 電介質(zhì)層25b的2層結(jié)構(gòu)。但是，電介質(zhì)層25也未必是2層結(jié)構(gòu)，也可以是單層結(jié)構(gòu)或者 3層以上的結(jié)構(gòu)。再有，在電介質(zhì)層25上形成保護(hù)層26。下面，對(duì)保護(hù)層26進(jìn)行詳細(xì)說明。為了保 護(hù)電介質(zhì)層25防止被離子撞擊、同時(shí)改善對(duì)驅(qū)動(dòng)速度影響較大的電子放出性能和電荷保 持性能，保護(hù)層26由形成于第2電介質(zhì)層25b之上的基底保護(hù)層26a、與形成于基底保護(hù)層 26a之上的粒子層26b構(gòu)成?；妆Ｗo(hù)層26a是將氧化鎂作為主要成分的薄膜，其厚度例如是0. 3 μ m 1 μ m。粒子層26b，構(gòu)成為將凝集了多個(gè)氧化鎂的單晶粒子27而成的凝集粒子28，以遍 及基底保護(hù)層26a整個(gè)面并大致均勻分布的方式離散地進(jìn)行附著。再有，圖2中放大了凝集 粒子28而進(jìn)行表示。圖3是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的面板10的凝集粒子28的一例的 圖。所謂凝集粒子28是這樣單晶粒子27進(jìn)行了凝集或者縮頸(Necking)后的狀態(tài)，由靜 電或范德瓦爾斯力等多個(gè)單晶粒子27構(gòu)成集合體而成。作為單晶粒子27優(yōu)選具有14面 體或12面體等的7面以上的面、粒子直徑為0. 9 μ m 2. 0 μ m左右的多面體形狀。另外， 作為凝集粒子28優(yōu)選凝集了 2個(gè) 5個(gè)的單晶粒子27，作為凝集粒子28的粒子直徑優(yōu)選 0. 3um~5um 。滿足上述條件的單晶粒子27以及它們凝集而成的凝集粒子28能夠以如下方式生 成。例如，在煅燒碳酸鎂或氫氧化鎂等的氧化鎂先驅(qū)體來生成時(shí)，通過將煅燒溫度設(shè)定為比 較高的1000度以上，能夠?qū)⒘Ｗ又睆娇刂圃?. 3 μ m 2 μ m左右。進(jìn)而，通過煅燒氧化鎂 先驅(qū)體能夠得到單晶粒子27彼此凝集或者縮頸了的凝集粒子28。 接下來，對(duì)上述的保護(hù)層26的效果進(jìn)行說明。為了確認(rèn)本實(shí)施方式中的保護(hù)層26 的效果，試制了具有3種不同結(jié)構(gòu)的保護(hù)層的面板，并對(duì)其放電特性進(jìn)行研究。第1種的試制面板是具有僅由將氧化鎂作為主要成分的薄膜基底保護(hù)層26a構(gòu)成的保護(hù)層的面板。第 2種的試制面板是在將氧化鎂作為主要成分的薄膜基底保護(hù)層26a上不使氧化鎂的結(jié)晶粒 子27凝集而進(jìn)行散布附著的面板。第3種的試制面板是本實(shí)施方式中的面板，在將氧化鎂 作為主要成分的薄膜基底保護(hù)層26a上凝集氧化鎂的單晶粒子27，來使凝集粒子28以遍及 全面大致均勻分布的方式離散地附著。 對(duì)這3種的面板進(jìn)行電子放出性能與電荷保持性能的研究。電子放出性能越高越 容易放電并且放電延遲越小。因此，對(duì)這3種面板各自的放電延遲時(shí)間進(jìn)行測(cè)定并估計(jì)統(tǒng) 計(jì)延遲時(shí)間，將對(duì)其倒數(shù)進(jìn)行積分的數(shù)值K作為表示各面板的電子放出性能的數(shù)值。因而， 該數(shù)值K越大則是電子放出性能越高的面板。另外，電荷保持性能低的面板中，在后面敘述的面板的驅(qū)動(dòng)方法中，為了補(bǔ)償電荷 而需要提高對(duì)掃面電極22施加的掃描脈沖電壓。此外，還需要提高對(duì)數(shù)據(jù)電極32施加的 寫入脈沖的電壓。因此，將為了驅(qū)動(dòng)各面板所需要的掃描脈沖的最低電壓Vmin作為表示電 荷保持性能的數(shù)值使用。因而，該電壓Vmin越小則是電荷保持性能越高的面板。圖4是表示包含本發(fā)明的實(shí)施方式中的面板在內(nèi)的3種的試制面板11 試制面 板13的電子放出性能與電荷保持性能的圖。第1種試制面板11電壓Vmin低數(shù)值K也低。 因而，可知是電荷保持性能高但電子放出性能低的面板。另外，第2種試制面板12電壓 Vmin、數(shù)值K都高。因而，是電子放出性能高但電荷保持性能低的面板。另一方面，本實(shí)施方式中第3種試制面板13，電壓Vmin低數(shù)值K高。因而，可知 是電子放出性能高并且電荷保持性能也高的、表示良好特性的面板。這樣，通過設(shè)置保護(hù)層 26，即具有將氧化鎂作為主要成分的薄膜的基底保護(hù)層26a、以及在基底保護(hù)層26a上凝集 氧化鎂的單晶粒子27并使凝集粒子28以遍及全面大致均勻分布的方式附著的粒子層26b 的保護(hù)層26，能夠獲得表現(xiàn)出電子放出性能高并且電荷保持性能也高的、良好特性的面板 10。下面，對(duì)單晶粒子27的粒子直徑進(jìn)行說明。另外，在下面的說明中所謂粒子直徑 是指中位(Median)直徑。圖5A是表示試制面板13的、使單晶粒子27的粒子直徑變化從而研究電子放出性 能的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的圖。另外，粒子直徑通過以電子顯微鏡觀察單晶粒子27來進(jìn)行長度測(cè)量。 由實(shí)驗(yàn)可知單晶粒子27的粒子直徑若減小至0. 3μπι左右則電子放出性能較低，粒子直徑 如果是0.9 μ m左右以上則可獲得高電子放出性能。不過，本發(fā)明者通過實(shí)驗(yàn)確認(rèn)若在與 背面板30的隔壁34的頂部接觸的位置存在粒子直徑較大的單晶粒子27，則隔壁34的頂部 發(fā)生損壞的概率會(huì)增加。圖5B是表示試制面板13的單晶粒子27的粒子直徑與隔壁34的 損壞之間的關(guān)系的圖。這樣可知，若單晶粒子27的粒子直徑增大至2.5 μ m左右，則隔壁損 壞的概率急劇升高，但如果是比2. 5μπι小的結(jié)晶粒子直徑，則隔壁損壞的概率能夠抑制得 比較低。根據(jù)以上結(jié)果，優(yōu)選單晶粒子27的粒子直徑為0.9μπι以上2. 5μπι以下。但是， 考慮到制造上的偏差等，優(yōu)選使用粒子直徑在0. 9 μ m以上 2 μ m范圍內(nèi)的單晶粒子27的 凝集粒子28。如果這樣構(gòu)成保護(hù)層26，則不必?fù)?dān)心使隔壁34損壞，并能夠獲得表現(xiàn)出電子 放出性能高并且電荷保持性能也高的、良好特性的面板10。另外，在本實(shí)施方式中，雖然對(duì)使用了將氧化鎂作為主要成分的薄膜的基底保護(hù)層26a的面板10進(jìn)行了說明，但本發(fā)明并不限定于此。保護(hù)層26是以保護(hù)電介質(zhì)層25防止被離子撞擊、同時(shí)容易發(fā)生放電為目的而設(shè)置的。而且，在實(shí)施方式中由基底保護(hù)層26a 與粒子層26b構(gòu)成保護(hù)層26，基底保護(hù)層26a主要保護(hù)電介質(zhì)層25，粒子層26b主要具有 使得容易發(fā)生放電的作用。因此，作為基底保護(hù)層26a可以使用含有鋁的氧化鎂、氧化鋁或 者包含具有高耐濺射性能的金屬氧化物的其他材料來形成。另外，作為形成粒子層26b的 單晶粒子27，可以使用含有鍶、鈣、鋇、鋁等的氧化鎂，再有可以使用將氧化鍶、氧化鈣、氧化 鋇等作為主要成分的單晶粒子來形成粒子層26b。下面，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式中的面板10的驅(qū)動(dòng)方法進(jìn)行說明。圖6是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中面板10的電極排列的圖。面板10中，在行方向 (線方向)排列長的η條掃描電極SCl SCn (圖1的掃描電極22)以及η條的維持電極 SUl SUn (圖1的維持電極23)，在列方向排列長的m條數(shù)據(jù)電極Dl Dm (圖1的數(shù)據(jù)電 極32)。再有，在一對(duì)的掃描電極SCi(i = 1 η)以及維持電極SUi與一個(gè)數(shù)據(jù)電極Dj (j =1 m)交叉的部分形成放電單元，放電單元在放電空間內(nèi)形成mXn個(gè)。如果是高清晰度 等離子體顯示裝置中使用的面板，則放電單元的數(shù)目，例如m= 1920X3 = 5760、n= 1080。接下來，對(duì)為了驅(qū)動(dòng)面板10而施加于各電極的驅(qū)動(dòng)電壓波形進(jìn)行說明。面板10 使用時(shí)間上配置多個(gè)子場(chǎng)從而構(gòu)成1場(chǎng)期間的子場(chǎng)法來進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。也就是說，通過將1場(chǎng) 期間分割為多個(gè)子場(chǎng)、在每個(gè)子場(chǎng)中控制各放電單元的發(fā)光/熄滅從而進(jìn)行灰度顯示。各 子場(chǎng)具有初始化期間、寫入期間以及維持期間。在初始化期間發(fā)生初始化放電，在各電極上形成在接下來的寫入放電中所需的壁 電荷。在此時(shí)的初始化動(dòng)作中，具有在全部的放電單元中使其發(fā)生初始化放電的初始化動(dòng) 作(下面，簡(jiǎn)記為“全單元初始化動(dòng)作”)、在剛剛的子場(chǎng)的維持期間進(jìn)行了維持放電的放電 單元中發(fā)生初始化放電的初始化動(dòng)作(下面，簡(jiǎn)記為“選擇初始化動(dòng)作”)。在寫入期間，在要使其發(fā)光的放電單元中選擇性地發(fā)生寫入放電并形成壁電荷。 然后在維持期間，將相應(yīng)于亮度權(quán)重的數(shù)目的維持脈沖交替施加于顯示電極對(duì)，在發(fā)生了 寫入放電的放電單元中使其發(fā)生維持放電從而進(jìn)行發(fā)光。另外，對(duì)于子場(chǎng)結(jié)構(gòu)將在后面詳 細(xì)敘述，在此對(duì)子場(chǎng)中的驅(qū)動(dòng)電壓波形及其動(dòng)作進(jìn)行說明。 圖7是表示對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式中的面板10的各電極施加的驅(qū)動(dòng)電壓波形圖。圖 7中表示進(jìn)行全單元初始化動(dòng)作的子場(chǎng)與進(jìn)行選擇初始化動(dòng)作的子場(chǎng)。首先，對(duì)進(jìn)行全單元初始化動(dòng)作的子場(chǎng)(全單元初始化子場(chǎng))進(jìn)行說明。在初始化期間的前半部，分別對(duì)數(shù)據(jù)電極Dl Dm、維持電極SUl SUn施加O(V)， 對(duì)掃描電極SCl SCn，施加從對(duì)于維持電極SUl SUn為放電開始電壓以下的電壓Vil、 向超過放電開始電壓的電壓Vi2平緩上升的傾斜波形電壓。在該傾斜波形電壓上升期間，在掃描電極SCl SCn與維持電極SUl Sim、數(shù)據(jù) 電極Dl Dm之間分別引起微弱的初始化放電。然后，在掃描電極SCl SCn上積蓄負(fù)的 壁電壓，同時(shí)在數(shù)據(jù)電極Dl Dm上以及維持電極SUl SUn上積蓄正的壁電壓。在此，所 謂電極上的壁電壓是表示由在覆蓋電極的電介質(zhì)層上、保護(hù)層上、熒光體層上等所積蓄的 壁電荷產(chǎn)生的電壓。在此時(shí)的初始化放電中，考慮到在接下來的初始化期間的后半部中要 實(shí)現(xiàn)壁電壓的最優(yōu)化，因而事先過剩積蓄壁電壓。在初始化期間的后半部中，對(duì)維持電極SUl SUn施加電壓Vel，對(duì)掃描電極SCl SCn，施加從對(duì)于維持電極SUl SUn為放電開始電壓以下的電壓Vi3起、向超過放電 開始電壓的電壓Vi4平緩下降的傾斜波形電壓。在此期間，在掃描電極SCl SCn與維持電 極SUl SUru數(shù)據(jù)電極Dl Dm之間分別引起微弱的初始化放電。然后，掃描電極SCl SCn上的負(fù)的壁電壓以及維持電極SUl SUn上的正的壁電壓被減弱，數(shù)據(jù)電極Dl Dm上 的正的壁電壓被調(diào)整為適合于寫入動(dòng)作的值。通過以上動(dòng)作，完成了對(duì)全部放電單元進(jìn)行 初始化放電的全單元初始化動(dòng)作。
在接下來的寫入期間，對(duì)維持電極SUl SUn施加電壓Ve2，對(duì)掃描電極SCl SCn 施加電壓Vc。接下來，對(duì)第1行的掃描電極SCl施加負(fù)的掃描脈沖電壓Va，同時(shí)對(duì)數(shù)據(jù)電極 Dl Dm中要在第1行發(fā)光的放電單元的數(shù)據(jù)電極Dk(k= 1 m)施加正的寫入脈沖電壓 Vd0此時(shí)，數(shù)據(jù)電極Dk上與掃描電極SCl上的交叉部的電壓差，成為數(shù)據(jù)電極Dk上的壁電 壓和掃描電極SCl上的壁電壓的差與外部施加電壓的差(Vd-Va)相加的值，該值超過放電 開始電壓。于是，在數(shù)據(jù)電極Dk與掃描電極SCl之間以及維持電極SUl與掃描電極SCl之 間引起寫入放電，在掃描電極SCl上積蓄正的壁電壓，在維持電極SUl上積蓄負(fù)的壁電壓， 在數(shù)據(jù)電極Dk上也積蓄負(fù)的壁電壓。在此，將施加了掃描脈沖電壓Va與寫入脈沖電壓Vd之后、直至發(fā)生寫入放電的時(shí) 間稱為“放電延遲時(shí)間”。如果面板的電子放出性能低并且放電延遲期間長，則為了進(jìn)行可 靠的寫入動(dòng)作，需要將施加掃描脈沖電壓Va和寫入脈沖電壓Vd的時(shí)間、也就是掃描脈沖的 寬度和寫入脈沖的寬度設(shè)定得長，從而將不能進(jìn)行高速的寫入動(dòng)作。另外，如果面板的電荷 保持性能差，則為了補(bǔ)充壁電壓的減少，需要將掃描脈沖電壓Va和寫入脈沖電壓Vd的電壓 值設(shè)定得高。但是，由于本實(shí)施方式中的面板10其放電性能高，因此能夠?qū)呙杳}沖寬度 以及寫入脈沖寬度設(shè)定得比以往的面板短，并能夠進(jìn)行穩(wěn)定而高速的寫入動(dòng)作。另外，由于 本實(shí)施方式中的面板10其電荷保持性能高，因此能夠?qū)呙杳}沖電壓Va和寫入脈沖電壓 Vd的電壓值設(shè)定得比以往的面板低。這樣一來，在第1線中要發(fā)光的放電單元中，進(jìn)行引起寫入放電從而在各電極上 積蓄壁電壓的寫入動(dòng)作。另一方面，由于未施加寫入脈沖電壓Vd的數(shù)據(jù)電極Dl Dm與掃 描電極SCl的交叉部的電壓沒有超過放電開始電壓，因此不發(fā)生寫入放電。將以上的寫入 動(dòng)作進(jìn)行至第η線的放電單元，寫入期間結(jié)束。在接下來的維持期間，首先，對(duì)掃描電極SCl SCn施加正的維持脈沖電壓Vs，同 時(shí)對(duì)維持電極SUl SUn施加O(V)。于是在引起過寫入放電的放電單元中，掃描電極SCi 上與維持電極SUi上的電壓差，為掃描電極SCi上的壁電壓與維持電極SUi上的壁電壓之 差再與維持脈沖電壓Vs相加的值，該值超過放電開始電壓。于是，在掃描電極SCi與維持電極SUi之間引起維持放電，由此時(shí)產(chǎn)生的紫外線使 熒光體層35發(fā)光。然后，在掃描電極SCi上積蓄負(fù)的壁電壓，在維持電極SUi上積蓄正的 壁電壓。進(jìn)而，在數(shù)據(jù)電極Dk上也積蓄正的壁電壓。在寫入期間未引起寫入放電的放電單 元中不發(fā)生維持放電，并保持初始化期間結(jié)束時(shí)的壁電壓。接下來，對(duì)掃描電極SCl SCn施加0 (V)電壓，對(duì)維持電極SUl SUn施加維持 脈沖電壓Vs。于是，在引起過維持放電的放電單元中，由于維持電極SUi上與掃描電極SCi 上的電壓差超過放電開始電壓，因此再次在維持電極SUi與掃描電極SCi之間引起維持放電，并在維持電極SUi上積蓄負(fù)的壁電壓，在掃描電極SCi上積蓄正的壁電壓。以后同樣，通過對(duì)掃描電極SCl SCn與維持電極SUl SUn交替地施加對(duì)應(yīng)亮度權(quán)重的數(shù)目的維持脈沖、并對(duì)顯示電極對(duì)的電極間給予電位差，在寫入期間引起過寫入放電的放電單元中持續(xù)進(jìn)行維持放電。然后，在維持期間的最后在掃描電極SCl SCn與維持電極SUl SUn之間給予所謂的窄脈沖狀的電壓差、或者傾斜波形狀的電位差，保留數(shù)據(jù)電極Dk上的正的壁電壓，消除掃描電極SCi以及維持電極SUi上的壁電壓。下面，對(duì)進(jìn)行選擇初始化動(dòng)作的子場(chǎng)(選擇初始化子場(chǎng))的動(dòng)作進(jìn)行說明。在進(jìn)行選擇初始化動(dòng)作的初始化期間，對(duì)維持電極SUl SUn施加電壓Ve 1，對(duì)數(shù)據(jù)電極Dl Dm施加0 (V)電壓，對(duì)掃描電極SCl SCn施加向電壓Vi4平緩下降的斜坡電壓。于是，在之前子場(chǎng)的維持期間引起過維持放電的放電單元中發(fā)生微弱的初始化放電，減弱掃描電極SCi上以及維持電極SUi上的壁電壓。另外，對(duì)于數(shù)據(jù)電極Dk，因?yàn)橛蓜倓偟木S持放電在數(shù)據(jù)電極Dk上積蓄了充分的正的壁電壓，所以該壁電壓的過剩的部分被放電，從而調(diào)整至適合于寫入動(dòng)作的壁電壓。另一方面，對(duì)于在之前的子場(chǎng)中未引起維持放電的放電單元，不進(jìn)行放電，依然保持之前的子場(chǎng)的初始化期間結(jié)束時(shí)的壁電荷。這樣，選擇初始化動(dòng)作是對(duì)在剛剛的子場(chǎng)的維持期間進(jìn)行了維持動(dòng)作的放電單元選擇性地進(jìn)行初始化放電的動(dòng)作。接下來的寫入期間的動(dòng)作由于與進(jìn)行全單元初始化動(dòng)作的子場(chǎng)的寫入期間的動(dòng)作相同因此省略說明。接下來的維持期間的動(dòng)作除了維持脈沖的數(shù)目也相同。下面，對(duì)本實(shí)施方式中的驅(qū)動(dòng)方法的子場(chǎng)結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。本實(shí)施方式中的驅(qū)動(dòng)方法的特點(diǎn)是以從全單元初始化子場(chǎng)到接下來的全單元初始化子場(chǎng)的之前的子場(chǎng)的亮度權(quán)重的大小單調(diào)減少的方式配置子場(chǎng)。也就是說，接在全單元初始化子場(chǎng)之后的選擇初始化子場(chǎng)的亮度權(quán)重的大小設(shè)定為小于或等于之前的子場(chǎng)的亮度權(quán)重的大小，接在選擇初始化子場(chǎng)之后的選擇初始化子場(chǎng)的亮度權(quán)重的大小設(shè)定為小于或者等于之前的子場(chǎng)的亮度權(quán)重的大小。這樣，將以從全單元初始化子場(chǎng)到接下來的全單元初始化子場(chǎng)的之前的子場(chǎng)的亮度權(quán)重大小單調(diào)減少的方式按時(shí)間進(jìn)行配置的子場(chǎng)結(jié)構(gòu)，在下面簡(jiǎn)稱為“降序編碼”。圖8是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的子場(chǎng)結(jié)構(gòu)的圖。在本實(shí)施方式中，將1場(chǎng)分割為10個(gè)子場(chǎng)(第1SF、第2SF、…、第10SF)，各子場(chǎng)具有各自(80、60、44、30、18、11、6、3、2、1)的亮度權(quán)重。另外，第ISF是全單元初始化子場(chǎng)，第2SF 第1OSF是選擇初始化子場(chǎng)。此外，圖8是表示施加于掃描電極22的驅(qū)動(dòng)電壓波形的1場(chǎng)的概略，各子場(chǎng)的各個(gè)期間中的驅(qū)動(dòng)電壓波形的詳細(xì)情況如圖7所示。這樣，在本實(shí)施方式中以降序編碼驅(qū)動(dòng)面板10，通過以降序編碼進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，能夠有效地利用可以高速驅(qū)動(dòng)的面板10的性能，并且進(jìn)而能夠進(jìn)行高速并且穩(wěn)定的寫入動(dòng)作，能夠?qū)崿F(xiàn)圖像顯示質(zhì)量?jī)?yōu)異的等離子顯示裝置。另外，通過由降序編碼進(jìn)行驅(qū)動(dòng)還能夠降低寫入脈沖電壓，從而能夠降低等離子顯示裝置的消耗功率。下面對(duì)其原因進(jìn)行說明。本發(fā)明者測(cè)定了本實(shí)施方式中的面板10的放電延遲時(shí)間。所測(cè)定的面板是形成了具有粒子層26b的保護(hù)層26的面板(本發(fā)明的面板)，其中粒子層26b是在基底保護(hù)層26a上離散地附著凝集了多個(gè)氧化鎂的單晶粒子27的凝集粒子28，是放電氣體為100%氙氣的42英寸高亮度、高清晰度面板。另外，為了比較，對(duì)僅具有基底保護(hù)層26a而沒有粒子層26b的以往面板也進(jìn)行了放電延遲時(shí)間的測(cè)定。在以不受來自周圍的放電單元的放電的影響、并且在相鄰的放電單元中不使其發(fā) 生寫入放電的方式控制下的放電單元中，對(duì)寫入放電的放電延遲時(shí)間進(jìn)行測(cè)定。另外，放電 延遲時(shí)間受到熒光體材料的影響，是在涂敷了放電延遲時(shí)間變長的傾向較強(qiáng)的、綠色的熒 光體的放電單元中進(jìn)行了測(cè)定。 首先，為了 了解放電延遲時(shí)間與從全單元初始化動(dòng)作起的經(jīng)過時(shí)間之間的關(guān)系， 分別對(duì)在第ISF至第IOSF中的僅一個(gè)子場(chǎng)中進(jìn)行寫入動(dòng)作時(shí)的放電延遲時(shí)間進(jìn)行了測(cè)定。 此時(shí)的維持脈沖數(shù)與子場(chǎng)無關(guān)設(shè)定為2個(gè)脈沖。另外，為了了解放電延遲時(shí)間與維持脈沖 數(shù)之間的關(guān)系，僅在第5SF中進(jìn)行寫入動(dòng)作，并使之后的維持期間的維持脈沖數(shù)從2脈沖變 化至256脈沖來測(cè)定放電延遲時(shí)間。圖9A是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中面板10的放電延遲時(shí)間與從全單元初始化動(dòng)作 起的經(jīng)過時(shí)間之間的關(guān)系的圖，圖9B是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的面板10的放電延遲時(shí) 間與維持脈沖數(shù)之間的關(guān)系的圖。在圖9A以及圖9B中，以虛線表示用于比較的以往面板 的特性。這樣，可知本發(fā)明的實(shí)施方式中的面板10與以往的面板相比放電延遲時(shí)間非常 短。這是因?yàn)楸緦?shí)施方式中的面板10的電子放出性能高所以放電延遲時(shí)間短。另外，根據(jù) 圖9A，本實(shí)施方式中的面板10隨著從全單元初始化動(dòng)作起的時(shí)間經(jīng)過，放電延遲時(shí)間有變 長的趨勢(shì)。該趨勢(shì)與以往的面板相同。一般認(rèn)為，這是因?yàn)橛扇珕卧跏蓟瘎?dòng)作所產(chǎn)生的 起爆粒子(Priming)隨著時(shí)間減少，從而難以發(fā)生放電。另一方面，若對(duì)放電延遲時(shí)間與維持脈沖數(shù)之間的關(guān)系進(jìn)行觀察，則如圖9B所 示，在以往的面板中隨著增加維持脈沖數(shù)放電延遲時(shí)間有變短的趨勢(shì)，與此相對(duì)本實(shí)施方 式中的面板10隨著維持脈沖數(shù)增加，放電延遲時(shí)間有變長的趨勢(shì)。一般認(rèn)為，由于維持脈 沖數(shù)變多則伴隨著維持放電的起爆粒子增加，因此放電延遲時(shí)間變短。但是，在本實(shí)施方式 的面板10中，表現(xiàn)出相反的趨勢(shì)。雖然對(duì)于本實(shí)施方式的面板10中表現(xiàn)出這種趨勢(shì)的原 因并不是完全清楚，但是作為一種可能性判斷如下。在決定放電延遲時(shí)間的形成延遲時(shí)間 與統(tǒng)計(jì)延遲時(shí)間之中，對(duì)起爆粒子造成較大影響的統(tǒng)計(jì)延遲時(shí)間已經(jīng)足夠短，因此伴隨于 維持放電的起爆粒子并沒有對(duì)放電延遲時(shí)間帶來較大貢獻(xiàn)。但是，雖然本實(shí)施方式中的面 板10與以往的面板相比電荷保持性能高，不過由于壁電荷并不可能完全不減少，因此伴隨 維持放電的壁電壓減少，在電極間實(shí)際施加的電壓降低后，放電形成延遲時(shí)間增加，其結(jié)果 導(dǎo)致放電延遲時(shí)間變長。在電子放出性能低的面板中，起爆粒子帶給統(tǒng)計(jì)延遲時(shí)間的影響大到IOOns到 1000ns，與此相對(duì)壁電壓的減少帶給形成延遲時(shí)間的影響小到IOOns左右。因此，一般認(rèn) 為，在電子放出性能低的面板中，起爆粒子對(duì)統(tǒng)計(jì)延遲時(shí)間的影響更突出，從而隨著維持脈 沖數(shù)增加放電延遲時(shí)間變短。但是，如本實(shí)施方式的面板10那樣，電子放出性能高的面板 中起爆粒子帶給放電延遲的影響較小，即使電荷保持性能高，可是壁電壓的減少帶給統(tǒng)計(jì) 延遲時(shí)間的影響更大，從而隨著維持脈沖數(shù)的增加放電延遲時(shí)間變長。這樣，在本實(shí)施方式的面板10中，存在若增加維持脈沖則放電延遲時(shí)間變長的趨 勢(shì)，并且存在從全單元初始化動(dòng)作起的經(jīng)過時(shí)間越長則放電延遲時(shí)間變得越長的趨勢(shì)。因 而，通過構(gòu)成為降序編碼的子場(chǎng)，即從全單元初始化動(dòng)作起的經(jīng)過時(shí)間短時(shí)增加維持脈沖數(shù)、隨著從全單元初始化動(dòng)作起的經(jīng)過時(shí)間變長減少維持脈沖數(shù)，這樣放電延遲時(shí)間變長 的條件與變短的條件相抵，從而可以進(jìn)行有效利用本實(shí)施方式中的面板10的特點(diǎn)的高速驅(qū)動(dòng)。另外，通過像這樣采取降序編碼的子場(chǎng)結(jié)構(gòu)，能夠降低對(duì)數(shù)據(jù)電極Dl Dm施加的 電壓。圖10是表示以降序編碼的子場(chǎng)結(jié)構(gòu)驅(qū)動(dòng)本實(shí)施方式中的面板10的情況、以及以升 序編碼的子場(chǎng)結(jié)構(gòu)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的情況下的、對(duì)數(shù)據(jù)電極Dl Dm施加的電壓的最低電壓的圖， 其中降序編碼的子場(chǎng)結(jié)構(gòu)是以亮度權(quán)重的大小單調(diào)遞減的方式配置子場(chǎng)，其中升序編碼的 子場(chǎng)結(jié)構(gòu)是以亮度權(quán)重的大小單調(diào)增加的方式配置子場(chǎng)。這樣，雖然根據(jù)點(diǎn)亮率的增加所 需要的寫入脈沖的電壓增加，但是通過形成降序編碼的子場(chǎng)結(jié)構(gòu)，能夠使寫入脈沖電壓Vd 大約降低5(V)。由此能夠削減數(shù)據(jù)電極驅(qū)動(dòng)電路的功率。下面，對(duì)產(chǎn)生上述的驅(qū)動(dòng)電壓從而驅(qū)動(dòng)面板10的面板驅(qū)動(dòng)電路的一例進(jìn)行說明。圖11是本本發(fā)明的實(shí)施方式中的等離子顯示裝置100的電路框圖。等離子顯示 裝置100具有面板10與面板驅(qū)動(dòng)電路。面板10的保護(hù)層26，由以含有氧化鎂的薄膜形成 的基底保護(hù)層26a、使凝集了多個(gè)氧化鎂單晶粒子27的凝集粒子28遍及基底保護(hù)層26a的 全面并離散地附著從而形成的粒子層26b構(gòu)成。面板驅(qū)動(dòng)電路，在初始化期間進(jìn)行在全部 的放電單元使其發(fā)生初始化動(dòng)作的全單元初始化動(dòng)作、與在之前進(jìn)行過維持放電的放電單 元中使其發(fā)生初始化放電的選擇初始化動(dòng)作的其中一種，并且以從進(jìn)行全單元初始化動(dòng)作 的子場(chǎng)到下一個(gè)進(jìn)行全單元初始化動(dòng)作的子場(chǎng)的前一個(gè)子場(chǎng)的亮度權(quán)重的大小單調(diào)遞減 的方式，按時(shí)間配置子場(chǎng)從而驅(qū)動(dòng)面板10。面板驅(qū)動(dòng)電路具有圖像信號(hào)處理電路41、數(shù)據(jù) 電極驅(qū)動(dòng)電路42、掃描電極驅(qū)動(dòng)電路43、維持電極驅(qū)動(dòng)電路44、定時(shí)發(fā)生電路45以及提供 各電路模塊所需的電源的電源電路(并未圖示)。圖像信號(hào)處理電路41將所輸入的圖像信號(hào)轉(zhuǎn)換為表示每個(gè)子場(chǎng)的發(fā)光/熄滅的 圖像數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)電極驅(qū)動(dòng)電路42，將每個(gè)子場(chǎng)的圖像數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為對(duì)應(yīng)各數(shù)據(jù)電極Dl Dm 的信號(hào)并驅(qū)動(dòng)各數(shù)據(jù)電極Dl Dm。定時(shí)發(fā)生電路45，根據(jù)水平同步信號(hào)以及垂直同步信 號(hào)產(chǎn)生控制各電路模塊的動(dòng)作的各種定時(shí)信號(hào)、并提供給各電路模塊。掃描電極驅(qū)動(dòng)電路 43根據(jù)定時(shí)信號(hào)分別驅(qū)動(dòng)各掃描電極SCl SCn，維持電極驅(qū)動(dòng)電路44根據(jù)定時(shí)信號(hào)驅(qū)動(dòng) 維持電極SUl SUn。圖12是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的等離子顯示裝置100的掃描電極驅(qū)動(dòng)電路43 以及維持電極驅(qū)動(dòng)電路44的電路圖。掃描電極驅(qū)動(dòng)電路43具有維持脈沖發(fā)出電路50、初始化波形發(fā)生電路60、掃描脈 沖發(fā)生電路70。維持脈沖發(fā)生電路50具有開關(guān)元件Q55，其用于對(duì)掃描電極SCl SCn施 加電壓Vs ；開關(guān)元件Q56，其用于對(duì)掃描電極SCl SCn施加0 (V)電壓；電力回收部59，其 用于回收對(duì)掃描電極SCl SCn施加維持脈沖時(shí)的電力。初始化波形發(fā)生電路60具有用于 對(duì)掃描電極SCl SCn施加向上傾斜波形電壓的密勒積分電路61、用于對(duì)掃描電極SCl SCn施加向下傾斜波形電壓的密勒積分電路62。另外，開關(guān)元件Q63以及開關(guān)元件Q64，為 了防止經(jīng)由其他的開關(guān)元件的寄生二極管等電流逆流而設(shè)置。掃描脈沖發(fā)生電路70具有 浮動(dòng)電源E71 ；開關(guān)元件Q72H1 Q72Hn、Q72Ll Q72Ln，用于將浮動(dòng)電源E71的高壓側(cè)的 電壓或者低壓側(cè)的電壓分別施加于掃描電極SCl SCn ；開關(guān)元件Q73，其將浮動(dòng)電源E71 的低壓側(cè)的電壓固定于電壓Va。
維持電極驅(qū)動(dòng)電路44，具有維持脈沖發(fā)生電路80、初始化/寫入電壓發(fā)生電路90。 維持脈沖發(fā)生電路80具有開關(guān)元件Q85，其用對(duì)維持電極SUl SUn施加電壓Vs ；開關(guān) 元件Q86，其用于對(duì)維持電極SUl SUn施加0 (V)電壓；電力回收部89，其用于回收對(duì)維持 電極SUl SUn施加維持脈沖時(shí)的電力。初始化/寫入電壓發(fā)生電路90具有開關(guān)元件 Q92以及二極管D92，其用于對(duì)維持電極SUl SUn施加電壓Vel ；開關(guān)元件Q94以及二極 管D94，其用于對(duì)維持電極SUl SUn施加電壓Ve2。此外，這些的開關(guān)元件可以使用MOSFET或IGBT等一般周知的元件來構(gòu)成。另外， 這些的開關(guān)元件由在定時(shí)發(fā)生電路45中產(chǎn)生的、對(duì)應(yīng)各開關(guān)元件的定時(shí)信號(hào)來進(jìn)行控制。另外，圖12所示的驅(qū)動(dòng)電路是產(chǎn)生圖7所示的驅(qū)動(dòng)電壓波形的電路結(jié)構(gòu)的一例， 本發(fā)明的等離子顯示裝置并不限定于該電路結(jié)構(gòu)。再有，在本實(shí)施方式中，雖然以將1場(chǎng)分割為10個(gè)子場(chǎng)、只有第ISF為全單元初始化子場(chǎng)為例來進(jìn)行說明，但是本發(fā)明并不限定于此。圖13是表示本發(fā)明的其他實(shí)施方式中 的子場(chǎng)結(jié)構(gòu)。圖13中將子場(chǎng)數(shù)設(shè)為“14”，將全單元初始化子場(chǎng)設(shè)為第ISF以及第7SF，以從第ISF起至第6SF的亮度權(quán)重的大小單調(diào)遞減的方式進(jìn)行設(shè)定，另外以從第7SF起至第 14SF的亮度權(quán)重的大小單調(diào)遞減的方式進(jìn)行設(shè)定。像這樣，以從全單元初始化子場(chǎng)起到下 一個(gè)全單元初始化子場(chǎng)的之前的子場(chǎng)的亮度權(quán)重的大小單調(diào)遞減的方式進(jìn)行設(shè)定是重要 的，子場(chǎng)數(shù)可以根據(jù)需要任意設(shè)定，另外進(jìn)行全單元初始化動(dòng)作的子場(chǎng)以及其數(shù)目也可以 任意設(shè)定。再有，本實(shí)施方式中使用的具體的各數(shù)值僅僅是舉出的一例，優(yōu)選結(jié)合面板的特 性或等離子顯示裝置的規(guī)格等而設(shè)定為最合適的值。(產(chǎn)業(yè)上的利用可能性)本發(fā)明的等離子顯示裝置由于能夠進(jìn)行高速并且穩(wěn)定的寫入動(dòng)作、對(duì)顯示質(zhì)量?jī)?yōu) 異的圖像進(jìn)行顯示，因此作為顯示裝置是有用的。
權(quán)利要求
一種等離子顯示裝置，具有等離子顯示面板與面板驅(qū)動(dòng)電路，所述等離子面板中前面板與背面板相互面對(duì)配置，所述前面板中，在第1玻璃基板上形成顯示電極對(duì)，以覆蓋所述顯示電極對(duì)的方式形成電介質(zhì)層并在所述電介質(zhì)層上形成保護(hù)層；所述背面板中，在第2玻璃基板上形成數(shù)據(jù)電極；在所述顯示電極對(duì)與所述數(shù)據(jù)電極相互面對(duì)的位置形成放電單元，所述面板驅(qū)動(dòng)電路，按時(shí)間配置多個(gè)子場(chǎng)從而構(gòu)成1場(chǎng)期間來驅(qū)動(dòng)所述等離子顯示面板，所述子場(chǎng)具有在所述放電單元使其發(fā)生初始化放電的初始化期間、發(fā)生寫入放電的寫入期間、發(fā)生維持放電的維持期間，所述等離子顯示裝置的特征在于，所述保護(hù)層由基底保護(hù)層與粒子層構(gòu)成，所述基底保護(hù)層由含有金屬氧化物的薄膜形成，所述粒子層將凝集了多個(gè)氧化鎂的單晶粒子而成的凝集粒子附著于所述基底保護(hù)層而形成，所述面板驅(qū)動(dòng)電路，在所述初始化期間，進(jìn)行在全部的放電單元發(fā)生初始化放電的全單元初始化動(dòng)作、以及在之前進(jìn)行過維持放電的放電單元中發(fā)生初始化放電的選擇初始化動(dòng)作的其中一種，并且以從進(jìn)行全單元初始化動(dòng)作的子場(chǎng)起到下一個(gè)進(jìn)行全單元初始化動(dòng)作的子場(chǎng)之前子場(chǎng)的亮度權(quán)重的大小單調(diào)減少的方式，按時(shí)間配置子場(chǎng)來驅(qū)動(dòng)所述等離子顯示面板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于，所述單晶粒子的平均粒子直徑為0. 9 μ m 2 μ m的范圍。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于，基底保護(hù)層由氧化鎂的薄膜形成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種等離子顯示裝置，該等離子顯示裝置的等離子顯示面板的前面板(20)的保護(hù)層(26)，由以含有氧化鎂的薄膜形成的基底保護(hù)層(26a)、將凝集了多個(gè)氧化鎂的單晶粒子(27)而成的凝集粒子(28)附著于基底保護(hù)層(26a)從而形成的粒子層(26b)構(gòu)成，面板驅(qū)動(dòng)電路構(gòu)成為以從進(jìn)行全單元初始化動(dòng)作的子場(chǎng)起至下一個(gè)進(jìn)行全單元初始化動(dòng)作的子場(chǎng)的之前的子場(chǎng)的亮度權(quán)重的大小單調(diào)遞減的方式按時(shí)間配置子場(chǎng)，來驅(qū)動(dòng)面板。
文檔編號(hào)H01J11/22GK101802958SQ20098010044
公開日2010年8月11日 申請(qǐng)日期2009年4月13日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月15日
發(fā)明者村田充弘, 溝上要, 若林俊一 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社