專利名稱：等離子顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示設(shè)備等中使用的等離子顯示面板。
背景技術(shù)：
由于等離子顯示面板(以下稱為“PDP”)能夠?qū)崿F(xiàn)高精細(xì)化、大畫面化，所以，作為 100英寸等級(jí)的電視機(jī)等已被產(chǎn)品化。近年來，PDP向掃描線數(shù)量與現(xiàn)有的NTSC方式相比 為兩倍以上的高清電視機(jī)的應(yīng)用正在不斷發(fā)展。另外，應(yīng)對(duì)能源問題對(duì)進(jìn)一步減少消耗功 率的投入、以及應(yīng)對(duì)環(huán)境問題對(duì)不含有鉛成分的PDP的要求等也提高了。PDP基本上由前面板和背面板構(gòu)成。前面板由下述部件構(gòu)成基于漂浮法制造出 的硅硼酸鈉系玻璃的玻璃基板、由形成在玻璃基板的一個(gè)主面上的條紋狀透明電極和總線 電極構(gòu)成的顯示電極、覆蓋顯示電極并起到作為電容器的功能的電介體層、和形成在電介 體層上的由氧化鎂(MgO)構(gòu)成的保護(hù)層。另一方面，背面板由下述部件構(gòu)成玻璃基板、形成在其一個(gè)主面上的條紋狀地址 電極、覆蓋地址電極的基底電介體層、形成在基底電介體層上的隔壁、和形成在各隔壁間的 分別發(fā)紅色、綠色及藍(lán)色光的熒光體層。前面板與背面板使其電極形成面?zhèn)葘?duì)置而被氣密封閉，在被隔壁劃分的放電空間 中以400Torr 600Torr (53300Pa 80000Pa)的壓力封入了氖(Ne)-氙(Xe)放電氣體。 PDP通過對(duì)顯示電極選擇性施加影像信號(hào)電壓而進(jìn)行放電，通過該放電而產(chǎn)生的紫外線對(duì) 各色熒光體層進(jìn)行激勵(lì)，使其發(fā)出紅色、綠色、藍(lán)色的光，從而實(shí)現(xiàn)了彩色圖像顯示。另外，作為這樣的PDP的驅(qū)動(dòng)方法，一般使用具有初始化期間、寫入期間和維持期 間的驅(qū)動(dòng)方法，其中，所述初始化期間將壁電荷調(diào)整為容易寫入的狀態(tài)，所述寫入期間根據(jù) 輸入圖像信號(hào)進(jìn)行寫入放電，所述維持期間通過在進(jìn)行了寫入的放電空間產(chǎn)生維持放電來 進(jìn)行顯示。通過在相當(dāng)于圖像的1幀的期間(一場(chǎng))內(nèi)多次重復(fù)組合有這些各期間的期間 (子場(chǎng))，從而進(jìn)行的PDP的灰度顯示。在這樣的PDP中，作為形成在前面板的電介體層上的保護(hù)層的作用可舉出保護(hù) 電介體層不受因放電而引起的離子沖擊的影響、和釋放出用于發(fā)生地址放電的初始電子。 保護(hù)電介體層不受離子沖擊的影響，起到防止放電電壓上升的重要作用。另外，釋放出用于 發(fā)生地址放電的初始電子這一動(dòng)作，起到防止成為圖像發(fā)生閃爍的原因的地址放電錯(cuò)誤的
重要作用。為了增加來自保護(hù)層的初始電子的釋放數(shù)量、降低圖像的閃爍，例如公開了在MgO 保護(hù)層中添加了雜質(zhì)的例子，或在MgO保護(hù)層上形成了 MgO粒子的例子(例如，參照專利文 獻(xiàn) 1、2、3、4、5 等)。近年來，電視機(jī)的高精細(xì)化在不斷發(fā)展，市場(chǎng)上要求成本低、消耗功率低、亮度高 的全高清HD (高清)(1920 X 1080像素漸進(jìn)式顯示)PDP。由于來自保護(hù)層的電子釋放性 能決定PDP的畫質(zhì)，所以，控制電子釋放性能是非常重要的。S卩、為了顯示被高精細(xì)化的圖像而無論一場(chǎng)的時(shí)間是否一定都進(jìn)行寫入的像素的數(shù)量增加，故在子場(chǎng)中的寫入期間產(chǎn)生了向地址電極施加的脈沖寬度變窄的需要。但是，從 電壓脈沖的上升到在放電空間內(nèi)發(fā)生放電，存在被稱為“放電延遲”的時(shí)滯(time lag)。因 此，若脈沖寬度變窄則在寫入期間內(nèi)能結(jié)束放電的概率會(huì)降低。結(jié)果，會(huì)發(fā)生點(diǎn)亮不良、發(fā) 生閃爍等畫質(zhì)性能降低的問題。另外，為了降低消耗功率，以提高由放電引起的發(fā)光效率為目的，而考慮增大氙 (Xe)分壓。但是，存在以下問題放電電壓變高并且“放電延遲”變大、發(fā)生點(diǎn)亮不良等的畫 質(zhì)降低。由此，在推進(jìn)PDP的高精細(xì)化或低消耗功率化時(shí)，存在如下課題必須同時(shí)實(shí)現(xiàn)放 電電壓不變高、降低點(diǎn)亮不良而提高畫質(zhì)。進(jìn)行了通過使保護(hù)層中混入雜質(zhì)來改善電子釋放性能的試驗(yàn)。但是，在使保護(hù)層 中混入雜質(zhì)、改善電子釋放性能的情況下，在保護(hù)層表面蓄積電荷，想要作為存儲(chǔ)器功能而 使用時(shí)，電荷隨著時(shí)間而減少的衰減率增大。因此，為了彌補(bǔ)這種電荷衰減，需要采取增大 施加電壓等對(duì)策。另外，在含有MgO以外的保護(hù)層中，也具有摻雜氣體(impurity gas)向保護(hù)層吸 附的吸附量增加、電子釋放性能劣化等的問題。另一方面，在MgO保護(hù)層上形成MgO結(jié)晶粒子的例子中，雖然能夠減小“放電延 遲”、降低點(diǎn)亮不良，但是卻有無法降低放電電壓的問題。專利文獻(xiàn)1 日本特開2002-260535號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 日本特開平11-339665號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3 日本特開2006-59779號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)4 日本特開平8-236028號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)5 日本特開平10-334809號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述問題進(jìn)行的，目的在于實(shí)現(xiàn)一種PDP，其具備高亮度的顯示性 能、能實(shí)現(xiàn)低電壓驅(qū)動(dòng)、抑制了摻雜氣體向保護(hù)層的吸附、能夠?qū)崿F(xiàn)穩(wěn)定放電。本發(fā)明的PDP具有按照覆蓋形成在基板上的顯示電極的方式形成電介體層，并 且在電介體層上形成了保護(hù)層的第一基板；和按照形成填充放電氣體的放電空間的方式與 第一基板對(duì)置配置，且沿與顯示電極交叉的方向形成地址電極，并設(shè)置有對(duì)放電空間進(jìn)行 劃分的隔壁的第二基板；其中，保護(hù)層通過由氧化鎂和氧化鈣構(gòu)成的金屬氧化物形成，并且 含有鋁，在對(duì)保護(hù)層的面的X射線衍射分析中，發(fā)生金屬氧化物的峰值的衍射角存在于發(fā) 生氧化鎂的峰值的衍射角與發(fā)生與該峰值同一方位的氧化鈣的峰值的衍射角之間。根據(jù)這樣的構(gòu)成，即使在為了提高保護(hù)層中的二次電子釋放性能、提高亮度而使 放電氣體的Xe氣體分壓增大的情況下，也能夠?qū)崿F(xiàn)低電壓驅(qū)動(dòng)。另外，能夠?qū)崿F(xiàn)抑制了摻 雜氣體向保護(hù)層吸附、能穩(wěn)定放電的PDP。而且，優(yōu)選，在保護(hù)層的放電空間側(cè)附著氧化鎂的結(jié)晶粒子多個(gè)凝集而成的凝集 粒子。根據(jù)這樣的構(gòu)成，能夠?qū)崿F(xiàn)降低放電延遲、即使在高精細(xì)圖像顯示下也不發(fā)生點(diǎn)亮不 良等的、顯示性能良好的PDP。而且，優(yōu)選，保護(hù)層中的鋁的濃度在20ppm以上2000ppm以下。通過這樣的構(gòu)成，從而進(jìn)一步抑制了摻雜氣體向保護(hù)層吸附、能夠?qū)崿F(xiàn)更穩(wěn)定的放電。


圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的PDP的構(gòu)造的立體圖。圖2是表示該P(yáng)DP的前面板的構(gòu)成的剖面圖。圖3是表示該P(yáng)DP的保護(hù)層中的X射線衍射結(jié)果的圖。圖4是用于說明該P(yáng)DP的凝集粒子的放大圖。圖5是表示該P(yáng)DP的放電延遲和保護(hù)層中的鈣(Ca)濃度的關(guān)系的圖。圖6是表示對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式中的PDP的電子釋放性能和點(diǎn)亮電壓進(jìn)行調(diào)查的結(jié) 果的圖。圖7是表示該P(yáng)DP的保護(hù)層中含有的鋁(Al)的濃度和CO面積強(qiáng)度的關(guān)系的圖。圖8是表示該P(yáng)DP中使用的結(jié)晶粒子的粒徑和電子釋放性能的關(guān)系的特性圖。圖中1-PDP，2_前面板，3-前面玻璃基板，4-掃描電極，4a、5a_透明電極，4b、 5b-金屬總線電極，5-維持電極，6-顯示電極，7-黑條紋(遮光層)，8-電介體層，9-保護(hù) 層，10-背面板，11-背面玻璃基板，12-地址電極，13-基底電介體層，14-隔壁，15-熒光體 層，16-放電空間，81-第一電介體層，82-第二電介體層，92-凝集粒子，92a-結(jié)晶粒子。
具體實(shí)施例方式下面，利用附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式中的PDP進(jìn)行說明。(實(shí)施方式)圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的PDPl的構(gòu)造的立體圖。PDPl的基本構(gòu)造與通 常的交流面放電型PDP同樣。如圖1所示，對(duì)于PDPl而言，由前面玻璃基板3等構(gòu)成的第 一基板(以下稱為“前面板2”)、與由背面玻璃基板11等構(gòu)成的第二基板(以下稱為“背面 板10”)對(duì)置配置，并且其外周部被由玻璃料等構(gòu)成的密封件氣密封閉。在被封閉的PDPl 內(nèi)部的放電空間16中，以400Torr 600Torr (53300Pa 80000Pa)的壓力封入有氙(Xe) 及氖(Ne)等放電氣體。在前面板2的前面玻璃基板3上，相互平行地分別排列有多列由掃描電極4及維 持電極5構(gòu)成的一對(duì)帶狀的顯示電極6和黑條紋(遮光層)7。在前面玻璃基板3上形成有 按照覆蓋顯示電極6和遮光層7的方式保持電荷并起到作為電容器的作用的電介體層8，進(jìn) 而在該電介體層8上形成有保護(hù)層9。另外，在背面板10的背面玻璃基板11上，沿著與前面板2的掃描電極4及維持電 極5正交的方向，相互平行地配置有多個(gè)帶狀的地址電極12，而且，由基底電介體層13被覆 該地址電極12。并且，在地址電極12間的基底電介體層13上，形成有對(duì)放電空間16進(jìn)行 劃分的規(guī)定高度的隔壁14。按照隔壁14間的每個(gè)槽，依次涂敷形成有基于紫外線分別發(fā)紅 色、綠色及藍(lán)色光的熒光體層15。在掃描電極4及維持電極5、與地址電極12交叉的位置 形成有放電空間，沿著顯示電極6方向排列的具有紅色、綠色、藍(lán)色的熒光體層15的放電空 間，成為用于彩色顯示的像素。圖2是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的PDPl的前面板2的構(gòu)成的剖面圖。該圖2中 的前面板2與圖1中的前面板2以上下顛倒的狀態(tài)進(jìn)行了表示。如圖2所示，在通過漂浮法等制造的前面玻璃基板3上，圖案形成有由掃描電極4與維持電極5構(gòu)成的顯示電極6 和遮光層7。掃描電極4與維持電極5分別由銦錫氧化物(ITO)或氧化錫(SnO2)等形成的 透明電極4a、5a、和形成在透明電極4a、5a上的金屬總線電極4b、5b構(gòu)成。金屬總線電極 4b、5b用于在透明電極4a、5a的長方向賦予導(dǎo)電性的目的，由以銀(Ag)材料為主要成分的 導(dǎo)電性材料形成。電介體層8成為對(duì)形成在前面玻璃基板3上的這些透明電極4a、5a、金屬總線電極 4b,5b和遮光層7進(jìn)行覆蓋而設(shè)置的第一電介體層81，與形成在第一電介體層81上的第二 電介體層82這至少兩層構(gòu)成。進(jìn)而，在第二電介體層82上形成有保護(hù)層9。保護(hù)層9由氧化鎂和氧化鈣構(gòu)成的金屬氧化物形成。而且，在該保護(hù)層9上附著 形成有氧化鎂(MgO)的結(jié)晶粒子92a多個(gè)凝集而成的凝集粒子92。接著，對(duì)這樣的PDPl的制造方法進(jìn)行說明。首先，在前面玻璃基板3上形成掃描 電極4及維持電極5和遮光層7。構(gòu)成掃描電極4和維持電極5的透明電極4a、5a、和金屬 總線電極4b、5b通過采用光刻法等進(jìn)行構(gòu)圖而形成。透明電極4a、5a采用薄膜工藝等形 成，金屬總線電極4b、5b通過以規(guī)定溫度對(duì)含有銀(Ag)材料的膏進(jìn)行燒制使其固化而形 成。并且，遮光層7也同樣，通過對(duì)含有黑色顏料的膏進(jìn)行絲網(wǎng)印刷的方法或在玻璃基板的 整個(gè)面形成了黑色顏料之后，利用光刻法進(jìn)行構(gòu)圖，然后實(shí)施燒制而形成。接著，按照覆蓋掃描電極4、維持電極5及遮光層7的方式，利用狹縫涂布法 (die-coating method)等在前面玻璃基板3上涂敷電介體膏，形成電介體膏(電介體材料) 層。在涂敷了電介體膏之后，通過放置規(guī)定的時(shí)間，使所涂敷的電介體膏表面平坦，成為平 坦的表面。然后，通過對(duì)電介體膏層進(jìn)行燒制使其固化，從而形成覆蓋掃描電極4、維持電極 5及遮光層7的電介體層8。其中，電介體膏是含有玻璃粉末等電介體材料、粘合劑及溶劑 的涂料。接著，在電介體層8上形成保護(hù)層9。在本發(fā)明的實(shí)施方式中，利用由氧化鎂(MgO) 和氧化鈣(CaO)構(gòu)成的金屬氧化物形成了保護(hù)層9。利用氧化鎂(MgO)或氧化鈣(CaO)的單獨(dú)材料的顆粒(pellets)或混合了這些材 料的顆粒，通過薄膜成膜法方法形成了保護(hù)層9。作為薄膜成膜方法而言，能夠適用電子束 蒸鍍法、濺射法、離子鍍敷法等公知方法。作為一個(gè)例子，考慮在濺射法中IPa為實(shí)際取得 的壓力的上限，在作為蒸鍍法的一個(gè)例子的電子束蒸鍍法中0. IPa為實(shí)際取得的壓力的上 限。另外，作為保護(hù)層9成膜時(shí)的氣氛而言，為了防止附著水分或吸附雜質(zhì)而調(diào)整成 與外部遮斷的密閉狀態(tài)。由此，能夠形成具有規(guī)定電子釋放性能的由金屬氧化物構(gòu)成的保 護(hù)層9。接著，對(duì)附著形成在保護(hù)層9上的氧化鎂(MgO)的結(jié)晶粒子92a的凝集粒子92進(jìn) 行敘述。這些結(jié)晶粒子92a能夠利用以下所示的氣相合成法或前體燒制法中的其中一種來 制造。在氣相合成法中，在充滿惰性氣體的氣氛下加熱純度為99. 9%以上的鎂金屬材 料。進(jìn)而，通過在氣氛中導(dǎo)入少量的氧，能夠使鎂直接氧化，從而制成了氧化鎂(MgO)的結(jié) 晶粒子92a。另一方面，在前體燒制法中，通過以下的方法能夠制造結(jié)晶粒子92a。在前體燒制
6法中，在700°C以上的溫度條件下均勻燒制氧化鎂(MgO)的前體，并慢冷卻該前體從而得到 氧化鎂(MgO)的結(jié)晶粒子92a。作為前體而言，例如能夠選擇烴氧基鎂(Mg(OR)2)、乙酰丙 酮鎂(Mg(acac)2)、氫氧化鎂(Mg(OH)2)、碳酸鎂(MgCO3)、氯化鎂(MgCl2)、硫酸鎂(MgSO4)、硝 酸鎂(Mg(NO3)2)、草酸鎂(MgC2O4)中的其中一種以上的化合物。其中，雖然選擇出的化合物 通常采用水合物的形態(tài)，但是也可以使用這樣的水合物。 這些化合物其燒制后得到的氧化鎂(MgO)的純度在99.95%以上，優(yōu)選調(diào)整在 99. 98%以上。其原因在于，若在這些化合物中混入一定量以上的各種堿金屬、硼(B)、硅、鐵(Fe)、鋁(Al)等雜質(zhì)元素，則生出在熱處理時(shí)不需要的粒子間粘連或燒結(jié)、且難以 得到高結(jié)晶性的氧化鎂(MgO)的結(jié)晶粒子92a。因此，需要通過去除雜質(zhì)元素等來預(yù)先調(diào)整 前體。將利用上述其中一種方法得到的氧化鎂(MgO)的結(jié)晶粒子92a分散在溶劑。接著， 通過噴涂法或絲網(wǎng)印刷法、靜電涂覆法等在保護(hù)層9的表面分散散布該分散液。其后，經(jīng)過 干燥、燒制步驟來去除溶劑，并在保護(hù)層9的表面定著氧化鎂(MgO)的結(jié)晶粒子92a凝集多 個(gè)而成的凝集粒子92。通過這樣的一系列步驟，在前面玻璃基板3上形成了規(guī)定的構(gòu)成物(掃描電極4、 維持電極5、遮光層7、電介體層8、保護(hù)層9)，完成了前面板2。另一方面，背面板10按照下述步驟形成。首先，在背面玻璃基板11上，通過對(duì)含 有銀(Ag)材料的膏進(jìn)行絲網(wǎng)印刷的方法或在整個(gè)面形成了金屬膜之后，利用光刻法進(jìn)行 構(gòu)圖的方法等，形成成為地址電極12用的構(gòu)成物的材料層。然后，通過以規(guī)定的溫度進(jìn)行 燒制，形成地址電極12。接著，在形成了地址電極12的背面玻璃基板11上，通過狹縫涂布 法等按照覆蓋地址電極12的方式涂敷電介體膏，形成電介體膏層。隨后，通過對(duì)電介體膏 層進(jìn)行燒制，形成基底電介體層13。其中，電介體膏是含有玻璃粉末等電介體材料和粘合劑 及溶劑的涂料。接著，通過在基底電介體層13上涂敷含有隔壁材料的隔壁形成用膏，并將其圖案 形成為規(guī)定的形狀，來形成隔壁材料層。隨后，通過在規(guī)定的溫度下進(jìn)行燒制，形成隔壁14。 這里，作為對(duì)涂敷在基底電介體層13上的隔壁形成用膏進(jìn)行構(gòu)圖的方法，可以采用光刻法 或噴砂法。接著，向相鄰的隔壁14間的基底電介體層13上及隔壁14的側(cè)面涂敷含有熒光 體材料的熒光體膏，并通過進(jìn)行燒制，形成熒光體層15。通過以上的步驟，完成了在背面玻 璃基板11上具有規(guī)定的構(gòu)成部件的背面板10。通過將具備規(guī)定的構(gòu)成部件的前面板2和背面板10，按照掃描電極4與地址電極 12正交的方式對(duì)置配置，并利用玻璃料密封其周圍，在放電空間16中封入含有氙(Xe)、氖 (Ne)等的放電氣體，由此完成了 PDP1。這里，針對(duì)構(gòu)成前面板2的電介體層8的第一電介體層81和第二電介體層82進(jìn) 行詳細(xì)說明。第一電介體層81的電介體材料由下述材料組成構(gòu)成。S卩，含有20重量％ 40重量％的氧化鉍(Bi2O3)，含有0. 5重量％ 12重量％的從氧化鈣(CaO)、氧化鍶(SrO)、 氧化鋇(BaO)中選擇的至少一種，含有0. 1重量％ 7重量％的從氧化鉬(MoO3)、氧化鎢 (WO3)、氧化鈰(CeO2)、二氧化錳(MnO2)中選擇的至少一種。另外，也可取代氧化鉬(MoO3)、氧化鎢(WO3)、氧化鈰(CeO2)、二氧化錳(MnO2)，而含 有0. 1重量％ 7重量％的從氧化銅(CuO)、氧化鉻(Cr2O3)、氧化鈷(Co2O3)、氧化釩(V2O7)、氧化銻(Sb2O3)中選擇的至少一種。此外，作為上述之外的成分，可以含有0重量％ 40重量％的氧化鋅(ZnO)、0重 量％ 35重量％的氧化硼(B203)、0重量％ 15重量％的氧化硅(Si02)、0重量％ 10重 量％的氧化鋁(Al2O3)等不含鉛成分的材料組成。將由這些組成成分構(gòu)成的電介體材料通過濕式噴射磨機(jī)或球磨機(jī)，粉碎成粒徑為 0. 5 μ m 2. 5 μ m，制成電介體材料粉末。接著，利用三個(gè)輥充分混合55重量％ 70重量％ 的該電介體材料粉末、30重量％ 45重量％的粘合劑成分，制成狹縫涂敷用或印刷用的第 一電介體層81用膏。粘合劑成分是乙基纖維素、或含有1重量％ 20重量％的丙烯酸樹脂的萜品醇、 或者二甘醇一丁醚乙酸酯。另外，可以根據(jù)需要，向膏中添加鄰苯二酸二辛酯、鄰苯二酸二 丁酯、磷酸三苯酯、磷酸三丁酯來作為增塑劑，并添加甘油單油酸酯、山梨糖醇酐倍半油酸 酯、homogenoll (陰離子表面活性劑Kao Corporation公司產(chǎn)品名)、烷基烯丙基的磷酸酯 等作為分散劑，來提高印刷特性。接著，使用該第一電介體層用膏，按照覆蓋顯示電極6的方式通過狹縫涂布法或 絲網(wǎng)印刷法印刷到前面玻璃基板3上，并使其干燥，然后，以比電介體材料的軟化點(diǎn)稍高的 溫度575°C 590°C進(jìn)行燒制，形成第一電介體層81。接著，對(duì)第二電介體層82進(jìn)行說明。第二電介體層82的電介體材料由下述的材料 組成構(gòu)成。即，含有11重量％ 20重量％的氧化鉍(Bi2O3)，并且含有1. 6重量％ 21重 量％的從氧化鈣(CaO)、氧化鍶(SrO)、氧化鋇(BaO)中選擇的至少一種，含有0. 1重量％ 7重量％的從氧化鉬(MoO3)、氧化鎢(WO3)、氧化鈰(CeO2)中選擇的至少一種。另外，也可取代氧化鉬(MoO3)、氧化鎢(WO3)、氧化鈰(CeO2)，而含有0. 1重量％ 7重量％的從氧化銅(CuO)、氧化鉻(Cr2O3)、氧化鈷(Co2O3)、氧化釩(V2O7)、氧化銻(Sb2O3)、 二氧化錳(MnO2)中選擇的至少一種。此外，作為上述之外的成分，可以含有0重量％ 40重量％的氧化鋅(ZnO)、0重 量％ 35重量％的氧化硼(B203)、0重量％ 15重量％的氧化硅(Si02)、0重量％ 10重 量％的氧化鋁(Al2O3)等不含鉛成分的材料組成。將由這些組成成分構(gòu)成的電介體材料通過濕式噴射磨機(jī)或球磨機(jī)，粉碎成粒徑為 0. 5 μ m 2. 5 μ m，制成電介體材料粉末。接著，利用三個(gè)輥充分混合55重量％ 70重量％ 的該電介體材料粉末、30重量％ 45重量％的粘合劑成分，制成狹縫涂敷用或印刷用的第 二電介體層用膏。粘合劑成分是乙基纖維素、或含有1重量％ 20重量％的丙烯酸樹脂的 萜品醇、或者二甘醇一丁醚乙酸酯。另外，可以根據(jù)需要，向膏中添加作為增塑劑的鄰苯二 酸二辛酯、鄰苯二酸二丁酯、磷酸三苯酯、磷酸三丁酯，并添加作為分散劑的甘油單油酸酯、 山梨糖醇酐倍半油酸酯、homogenoll (陰離子表面活性劑Kao Corporation公司產(chǎn)品名)、 烷基烯丙基的磷酸酯等，來提高印刷性。接著，使用該第二電介體層用膏，通過絲網(wǎng)印刷法或狹縫涂布法將其印刷到第一 電介體層81上，并使其干燥，然后，以比電介體材料的軟化點(diǎn)稍高的溫度550°C 590°C進(jìn) 行燒制。其中，作為電介體層8的膜厚而言，為了確?？梢姽馔高^率，優(yōu)選第一電介體層81 與第二電介體層82合計(jì)為41 μ m以下。另外，為了抑制與金屬總線電極4b、5b的銀(Ag)
8的反應(yīng)，第一電介體層81使氧化鉍(Bi2O3)的含有量比第二電介體層82的氧化鉍(Bi2O3) 含有量多，設(shè)為20重量％ 40重量％。因此，由于第一電介體層81的可見光透過率比第 二電介體層82的可見光透過率低，所以，使第一電介體層81的膜厚比第二電介體層82的
膜厚薄。另外，如果在第二電介體層82中氧化鉍(Bi2O3)的含有量為11重量％以下，則難 以發(fā)生著色，但容易在第二電介體層82中產(chǎn)生氣泡，因此不優(yōu)選。另一方面，如果含有量超 過40重量％，則容易發(fā)生著色，故透過率降低。而且，由于電介體層8的膜厚越小，亮度的提高和降低放電電壓的效果越顯著，所 以，優(yōu)選在絕緣耐壓不降低的范圍內(nèi)，盡量將膜厚設(shè)定得小?；谠撚^點(diǎn)，在本發(fā)明的實(shí)施 方式中，將電介體層8的膜厚設(shè)定為41 μ m以下，將第一電介體層81設(shè)為5 μ m 15 μ m，將 第二電介體層82設(shè)為20 μ m 36 μ m。對(duì)于如此制造的PDPl而言，即使顯示電極6采用了銀(Ag)材料，前面玻璃基板3 的著色現(xiàn)象(黃變)也會(huì)減少，而且不會(huì)在電介體層8中產(chǎn)生氣泡等，從而確認(rèn)了實(shí)現(xiàn)絕緣 耐壓性能良好的電介體層8。接著，對(duì)在本發(fā)明的實(shí)施方式的PDPl中，可通過這些電介體材料抑制在第一電 介體層81中產(chǎn)生黃變與氣泡的原因進(jìn)行考察。即，公知通過向含有氧化鉍(Bi2O3)的電 介體玻璃中添加氧化鉬(MoO3)或氧化鎢(WO3),容易在580°C以下的低溫下生成Ag2Mo04、 Ag2Mo2O7,Ag2Mo4O13^Ag2WO4,Ag2W2O7Ug2W4O13等化合物。在本發(fā)明的實(shí)施方式中，由于電介體 層8的燒制溫度為550°C 590°C，所以，燒制過程中擴(kuò)散到電介體層8中的銀離子(Ag+)會(huì) 與電介體層8中的氧化鉬(MoO3)、氧化鎢(WO3)、氧化鈰(CeO2)、二氧化錳(MnO2)反應(yīng)，生成 穩(wěn)定的化合物而到達(dá)穩(wěn)態(tài)。即，由于銀離子(Ag+)未被還原而處于穩(wěn)態(tài)，所以，不會(huì)凝集生成 膠體。因此，由于銀離子(Ag+)處于穩(wěn)態(tài)，伴隨銀(Ag)的膠體化的氧的產(chǎn)生也減少，所以， 電介體層8中氣泡的產(chǎn)生也減少。另一方面，為了使這些效果有效，優(yōu)選在含有氧化鉍(Bi2O3)的電介體玻璃中，將 氧化鉬(MoO3)、氧化鎢(WO3)、氧化鈰(CeO2)、二氧化錳(MnO2)的含有量設(shè)為0. 1重量％以 上，更優(yōu)選為0. 1重量％以上7重量％以下。尤其在小于0. 1重量％的情況下，抑制黃變的 效果降低，如果超過7重量％，則玻璃上引起著色，因此不優(yōu)選。S卩，本發(fā)明的實(shí)施方式中的PDPl的電介體層8，在與由銀(Ag)材料構(gòu)成的金屬總 線電極4b、5b相接的第一電介體層81中，抑制了黃變現(xiàn)象和氣泡產(chǎn)生。另外，通過設(shè)置在 第一電介體層81上的第二電介體層82，實(shí)現(xiàn)了高的光透過率。結(jié)果，能夠?qū)崿F(xiàn)電介體層8 整體的氣泡與黃變的產(chǎn)生極少、且透過率高的PDP。接著，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式中的保護(hù)層9的詳細(xì)進(jìn)行說明。在本發(fā)明的實(shí)施方式中，利用電子束蒸鍍法形成以氧化鎂(MgO)和氧化鈣(CaO) 為原材料的金屬氧化物來構(gòu)成保護(hù)層9，并使其含有規(guī)定量的鋁(Al)。而且，在對(duì)保護(hù)層9 面的X射線衍射分析中，發(fā)生金屬氧化物的峰值的衍射角存在于發(fā)生氧化鎂(MgO)的峰值 的衍射角和發(fā)生與氧化鎂(MgO)的峰值同一方位的氧化鈣(CaO)的峰值的衍射角之間。圖3是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的PDPl的保護(hù)層9中的X射線衍射結(jié)果、和氧化 鎂(MgO)單體和氧化鈣(CaO)單體的X射線衍射分析的結(jié)果的圖。在圖3中，橫軸為布拉格(Bragg)的衍射角(2 θ )，縱軸為X射線衍射光的強(qiáng)度。衍射角的單位用以一周為360度的度來表示，強(qiáng)度用任意單位(arbitrary unit)來表示。 另外，在圖3中，用附帶的括號(hào)表示各自的結(jié)晶面方位。如圖3所示，若取結(jié)晶面方位(111) 為例，則可知氧化鈣(CaO)單體的衍射角在32. 2度具有峰值，另外氧化鎂(MgO)單體的衍 射角在36. 9度具有峰值。取結(jié)晶面方位(200)為例，同樣可知，氧化鈣(CaO)單體在37. 3度具有峰值，氧化 鎂(MgO)單體在42. 8度具有峰值。另一方面，利用氧化鎂(MgO)或氧化鈣(CaO)的單獨(dú)材料的顆粒或混合了這些材 料的顆粒，由薄膜成膜法形成的本發(fā)明的實(shí)施方式中的保護(hù)層9的X射線衍射結(jié)果為圖3 中的A點(diǎn)和B點(diǎn)。S卩、對(duì)于構(gòu)成作為本發(fā)明實(shí)施方式的保護(hù)層9的金屬氧化物的X射線衍射結(jié)果而 言，以結(jié)晶面方位(111)為例，在作為各單體的衍射角之間的A點(diǎn)的衍射角36. 1度存在峰 值，以結(jié)晶面方位(200)為例，在作為各單體的衍射角之間的B點(diǎn)的衍射角41. 1度存在峰值。其中，保護(hù)層9的結(jié)晶面方位由成膜條件或氧化鎂(MgO)和氧化鈣(CaO)的比例 確定，但是無論如何在本發(fā)明的實(shí)施方式中，在各單獨(dú)材料的峰值之間存在保護(hù)層9的峰值。具有這樣的特性的金屬氧化物的能級(jí)也存在于氧化鎂(MgO)單體與氧化鈣(CaO) 單體之間。結(jié)果，在保護(hù)層9中，與氧化鎂(MgO)單體比較發(fā)揮了良好的二次電子釋放性能。 因此，尤其在為了提高亮度而提高作為放電氣體的氙(Xe)分壓的情況下，能夠降低放電電 壓、能夠?qū)崿F(xiàn)低電壓、高亮度的PDP。例如，在作為放電氣體而利用氙(Xe)和氖(Ne)的混合氣體的情況下且在將氙 (Xe)的分壓設(shè)為10% 15%的情況下，亮度約上升30%。但是，在利用了氧化鎂(MgO)單 體的保護(hù)層9的情況下，同時(shí)放電維持電壓約上升10%。另一方面，在本發(fā)明的實(shí)施方式中，通過由氧化鎂(MgO)和氧化鈣(CaO)構(gòu)成的金 屬氧化物形成保護(hù)層9，在對(duì)保護(hù)層9面的X射線衍射分析中，發(fā)生金屬氧化物的峰值的衍 射角存在于發(fā)生氧化鎂(MgO)的峰值的衍射角與發(fā)生氧化鈣(CaO)的峰值的衍射角之間。 通過采用這樣的保護(hù)層9，從而能夠減少約10%的放電維持電壓。另外，在作為放電氣體而全部采取氙(Xe)的情況下、即將氙(Xe)分壓設(shè)為100% 的情況下，亮度上升180%左右，同時(shí)放電維持電壓上升35%左右且超過通常的動(dòng)作電壓 范圍。但是，若采用本發(fā)明的實(shí)施方式中的保護(hù)層9，則能夠減少約20%的放電維持電壓。 因此，能夠采用通常動(dòng)作范圍內(nèi)的放電維持電壓。結(jié)果，能夠?qū)崿F(xiàn)高亮度、低電壓驅(qū)動(dòng)的 PDP。其中，本發(fā)明的實(shí)施方式中的保護(hù)層9能降低放電維持電壓的理由被認(rèn)為是基于 各金屬氧化物的能帶結(jié)構(gòu)。S卩、氧化鈣(CaO)的價(jià)帶距離真空級(jí)的深度與氧化鎂(MgO)比較存在于淺的區(qū)域。 因此，在驅(qū)動(dòng)PDP的情況下，認(rèn)為存在于氧化鈣(CaO)的能級(jí)的電子遷移為氙(Xe)離子的 基態(tài)時(shí)，根據(jù)俄歇效應(yīng)釋放出的電子數(shù)變得比氧化鎂(MgO)的情況多。另外，本發(fā)明的實(shí)施方式中的保護(hù)層9以氧化鎂(MgO)和氧化鈣(CaO)為主要成 分，并且在X射線衍射分析中，發(fā)生保護(hù)層9的峰值的衍射角存在于作為這些主要成分的氧
10體的衍射角之間。關(guān)于這樣的金屬氧化物的能級(jí)而言，具有合成氧化鎂(MgO)和氧化鈣(CaO)后的 性質(zhì)。因此，保護(hù)層9的能級(jí)也存在于氧化鎂(MgO)單體與氧化鈣(CaO)單體之間。因此， 能夠?qū)崿F(xiàn)為了根據(jù)俄歇效應(yīng)其他電子獲得的能量超過真空級(jí)、釋放所需的充分的能量。結(jié) 果，由于只要利用保護(hù)層9就能發(fā)揮比氧化鎂(MgO)單體良好的二次電子釋放性能，故能夠 降低放電維持電壓。其中，由于氧化鈣(CaO)單體反應(yīng)快，故容易與雜質(zhì)反應(yīng)，因此具有電子釋放性能 降低的課題。但是，如本發(fā)明的實(shí)施方式所示，通過采用氧化鎂(MgO)和氧化鈣(CaO)的金 屬氧化物的構(gòu)成，也能降低反應(yīng)性而解決這些課題。另外，關(guān)于氧化鍶(SrO)和氧化鋇(BaO)，從它們的能帶結(jié)構(gòu)來看，距離真空級(jí)的 深度也存在于比氧化鎂(MgO)淺的區(qū)域。因此，即使在取代成氧化鈣(CaO)而利用了這些 材料的情況下，也能發(fā)現(xiàn)同樣的效果。而且，由于本發(fā)明的實(shí)施方式中的保護(hù)層9以氧化鈣(CaO)和氧化鎂(MgO)為主 要成分，并且在X射線衍射分析中，發(fā)生保護(hù)層9的峰值的衍射角在作為這些主要成分的氧 化鎂(MgO)和氧化鈣(CaO)單體的衍射角之間存在，所以，以混入雜質(zhì)或氧虧損少的結(jié)晶構(gòu) 造形成了保護(hù)層9。因此，在PDP驅(qū)動(dòng)時(shí)抑制了電子的過剩釋放。另外，除了兼具低電壓驅(qū) 動(dòng)和二次電子釋放性能的效果之外，也發(fā)揮了具有適當(dāng)電荷保持性能的效果。該電荷保持 性能尤其為了保持在初始化期間蓄積的壁電荷、在寫入期間防止寫入不良、進(jìn)行可靠的寫 入放電是必須的。接著，對(duì)設(shè)置在本發(fā)明實(shí)施方式中的保護(hù)層9上的氧化鎂(MgO)的結(jié)晶粒子92a 多個(gè)凝集而成的凝集粒子92進(jìn)行詳細(xì)說明。根據(jù)本發(fā)明者的實(shí)驗(yàn)確認(rèn)了 在凝集粒子92 的情況下，主要具有抑制寫入放電中的放電延遲的效果、和改進(jìn)放電延遲的溫度依存性的 效果。即、凝集粒子92與保護(hù)層9相比具有高度的初始電子釋放性能。因此，在本發(fā)明的 實(shí)施方式中，將凝集粒子92配設(shè)為放電脈沖上升時(shí)所需的初始電子供給部。在放電開始時(shí)，成為放電觸發(fā)的初始電子從保護(hù)層9表面被釋放到放電空間16 中。認(rèn)為初始電子量的不足成為放電延遲的主要原因。因此，為了穩(wěn)定供給初始電子，將氧 化鎂(MgO)的凝集粒子92分散配置在保護(hù)層9的表面。由此，能夠在放電脈沖上升時(shí)使放 電空間16中存在豐富的初始電子、消除放電延遲。因此，通過具有這種初始電子釋放性能， 即使在PDPl為高精細(xì)的情況等下也能進(jìn)行放電響應(yīng)性好的高速驅(qū)動(dòng)。其中，在保護(hù)層9的 表面配設(shè)氧化鎂(MgO)的凝集粒子92的構(gòu)成中，除了主要抑制寫入放電中的放電延遲的效 果之外，還得到改進(jìn)放電延遲的溫度依存性的效果。由此，在本發(fā)明的實(shí)施方式中的PDPl中，具有起到兼具低電壓驅(qū)動(dòng)和電荷保持的 并存效果的保護(hù)層9、和起到防止放電延遲的效果的氧化鎂(MgO)的結(jié)晶粒子92a。因此， 即使在PDPl為高精細(xì)的情況下，也能實(shí)現(xiàn)低電壓、高速驅(qū)動(dòng)。另外，能夠期待抑制了點(diǎn)亮不 良的高品質(zhì)的圖像顯示性能。在本發(fā)明的實(shí)施方式中，通過在保護(hù)層9上離散散布結(jié)晶粒子92a多個(gè)凝集而成 的凝集粒子92、并使其在整個(gè)面按照大致均勻地分布的方式附著多個(gè)而構(gòu)成的。圖4是用 于說明凝集粒子92的放大圖。如圖4所示，凝集粒子92是規(guī)定的一次粒徑的結(jié)晶粒子92a凝集的狀態(tài)的粒子。
11即、并非如固體那樣具有大的結(jié)合力進(jìn)行結(jié)合的粒子。是通過靜電或范德瓦耳斯力等由多 個(gè)一次粒子構(gòu)成集合體。另外，凝結(jié)粒子92，以在超聲波等外部刺激下，其一部分或全部分 解為一次粒子狀態(tài)的程度的力進(jìn)行結(jié)合。作為凝集粒子92的粒徑，約為Iym左右，作為結(jié) 晶粒子92a，優(yōu)選所具有的多面體形狀具備14面體或12面體等7面以上的面。另外，結(jié)晶粒子92a的一次粒子的粒徑，可以根據(jù)結(jié)晶粒子92a的生成條件進(jìn)行控 制。例如，在對(duì)碳酸鎂或氫氧化鎂等MgO前體進(jìn)行燒制而生成的情況下，通過控制燒制溫度 與燒制氣氛，可以控制粒徑。通常情況下，可以在700°C到1500°C的范圍中選擇燒制溫度， 但通過使燒制溫度為比較高的1000°C以上，可以將一次粒徑控制為0. 3 μ m 2 μ m左右。并 且，通過加熱MgO前體來得到結(jié)晶粒子92a時(shí)，可以在生成過程中多個(gè)一次粒子彼此凝集， 而得到凝集粒子92。圖5是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的PDPl的放電延遲和保護(hù)層9中的鈣(Ca)濃度 的關(guān)系的圖。作為保護(hù)層9而利用由氧化鎂(MgO)和氧化鈣(CaO)構(gòu)成的金屬氧化物構(gòu)成， 在對(duì)保護(hù)層9面的X射線衍射分析中，發(fā)生金屬氧化物的峰值的衍射角存在于發(fā)生氧化鎂 (MgO)的峰值的衍射角和發(fā)生氧化鈣(CaO)的峰值的衍射角之間。其中，圖5示出了僅有保護(hù)層9的情況和在保護(hù)層9上配置了凝集粒子92的情況。 另外，放電延遲基于在保護(hù)層9中未含有鈣(Ca)的情況進(jìn)行表示。其中，電子釋放性能是表示其越大電子釋放量越多的數(shù)值，通過表面狀態(tài)及氣體 種類和由該狀態(tài)決定的初始電子釋放量表現(xiàn)。針對(duì)初始電子釋放量，可以對(duì)通過朝向表面 照射離子或電子束而從表面釋放出的電子電流量進(jìn)行測(cè)定的方法來測(cè)量，但同時(shí)存在著難 以在不進(jìn)行破壞的情況下對(duì)PDP的前面板表面實(shí)施評(píng)價(jià)的問題。鑒于此，使用日本特開 2007-48733號(hào)公報(bào)所記載的方法。即、對(duì)放電時(shí)的延遲時(shí)間中，被稱為統(tǒng)計(jì)延遲時(shí)間的成為 放電發(fā)生容易程度的標(biāo)準(zhǔn)的數(shù)值進(jìn)行了測(cè)定，然后，通過對(duì)該數(shù)值的倒數(shù)進(jìn)行積分，成為與 初始電子釋放量線性對(duì)應(yīng)的數(shù)值。所以，這里使用該數(shù)值進(jìn)行評(píng)價(jià)。該放電時(shí)的延遲時(shí)間 是指從脈沖的上升開始延遲進(jìn)行放電的放電延遲的時(shí)間。可認(rèn)為放電延遲的主要原因是， 在放電開始之際成為觸發(fā)的初始電子難以從保護(hù)層表面釋放到放電空間中。由圖5可知，在僅有保護(hù)層9的情況和在保護(hù)層9上配置了凝集粒子92的情況下， 在僅有保護(hù)層9的情況下隨著鈣(Ca)濃度增加放電延遲增加，而若在保護(hù)層9上配置凝集 粒子92，則能夠大幅度減小放電延遲。另外，即使鈣(Ca)濃度增加，放電延遲也幾乎不會(huì)增 大。接著，針對(duì)用于確認(rèn)具有本發(fā)明的實(shí)施方式中的保護(hù)層9的PDPl的效果而進(jìn)行的 實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行說明。首先，試制具有不同構(gòu)成的保護(hù)層9和設(shè)置在保護(hù)層9上的結(jié)晶粒子 92a的PDP。針對(duì)這些PDP，圖6示出調(diào)查了電子釋放性能和電荷保持性能的結(jié)果。試制品1是僅形成了僅由氧化鎂(MgO)構(gòu)成的保護(hù)層9的PDP，試制品2是形成了 在氧化鎂(MgO)僅摻雜了鋁(Al)、硅(Si)等雜質(zhì)的保護(hù)層9的PDP。試制品3是本發(fā)明的實(shí)施方式中的PDP1。即、保護(hù)層9以氧化鈣(CaO)和氧化鎂 (MgO)為主要成分，且使保護(hù)層9含有鋁(Al)。另外，在X射線衍射分析中，發(fā)生保護(hù)層9的 峰值的衍射角存在于作這些主要成分的氧化鎂(MgO)和氧化鈣(CaO)單體的衍射角之間。 而且，在保護(hù)層9上按照整個(gè)面大致均勻分布的方式附著了使結(jié)晶粒子92a凝集而成的凝 集粒子92。
對(duì)于電荷保持性能而言，作為其指標(biāo)，采用了制作PDP時(shí)為了抑制電荷釋放現(xiàn)象 而需要的、對(duì)掃描電極施加的電壓(以下稱為“Vscn點(diǎn)亮電壓”)的電壓值。即，Vscn點(diǎn)亮 電壓越低，表示電荷保持性能越高。在此，在設(shè)計(jì)PDP上，在電荷保持性能高時(shí)，可以使用耐 壓及容量小的部件作為電源或各電氣部件。在現(xiàn)狀的制品中，用于依次施加Vscn點(diǎn)亮電壓 的MOSFET等半導(dǎo)體開關(guān)元件使用了耐壓為150V左右的元件。因此，作為Vscn點(diǎn)亮電壓， 考慮到基于溫度引起的變動(dòng)，優(yōu)選抑制為120V以下。根據(jù)圖6可知，對(duì)于在本發(fā)明實(shí)施方式中的保護(hù)層9上散布使氧化鎂(MgO)的結(jié) 晶粒子92a凝集而成的凝集粒子92，并使該凝集粒子92在整個(gè)面均勻地分布而制成的試制 品3而言，在電荷保持性能的評(píng)價(jià)中，可以將Vscn點(diǎn)亮電壓設(shè)為120V以下。并且，能夠得 到比僅有氧化鎂(MgO)的保護(hù)層的情況格外好的特性。通常情況下PDP的保護(hù)層的電子釋放性能與電荷保持性能相制約。例如，通過變 更保護(hù)層的制膜條件、或在保護(hù)層中單摻雜鋁(Al)或硅(Si)、鋇(Ba)等雜質(zhì)進(jìn)行制膜，能 夠提高電子釋放性能，但其副作用是也會(huì)導(dǎo)致Vscn點(diǎn)亮電壓上升。在形成了本發(fā)明涉及的保護(hù)層9的試制品3的PDPl中，可以得到作為電子釋放性 能，具有比使用僅有氧化鎂(MgO)的保護(hù)層9的試制品1的情況8倍以上的電子釋放性能。 另外，能夠得到Vscn點(diǎn)亮電壓為120V以下的電荷保持性能。因此，對(duì)于因高精細(xì)化而增加 了掃描線數(shù)量、且單元尺寸具有減小趨勢(shì)的PDP，能夠滿足電子釋放性能與電荷保持性能并 存。在作為本發(fā)明的實(shí)施方式中的PDPl的試制品3中，保護(hù)層9以氧化鈣(CaO)和氧 化鎂(MgO)為主要成分，且在保護(hù)層中含有鋁(Al)。另外，在X射線衍射分析中，發(fā)生保護(hù) 層9的峰值的衍射角存在于作為這些主要成分的氧化鎂(MgO)和氧化鈣(GaO)單體的衍射 角之間。而且，在保護(hù)層9上按照整個(gè)面大致均勻分布的方式附著了使結(jié)晶粒子92a凝集 而成的凝集粒子92。這里，對(duì)保護(hù)層9中含有的鋁(Al)的效果進(jìn)行敘述。圖7是表示在本發(fā)明的實(shí)施 方式中的PDP1、即試制品3中保護(hù)層9中含有的鋁(Al)的濃度、和摻雜氣體向保護(hù)層9附 著的量的圖。本發(fā)明的實(shí)施方式中的PDPl的保護(hù)層9以氧化鎂(MgO)和氧化鈣(CaO)作為主 要成分。氧化鈣(CaO)與二氧化碳(CO2)結(jié)合，容易變?yōu)樘妓徕}(CaCO3)。在保護(hù)層9中， 如發(fā)生這樣的變化，則減少本來的放電電壓的效果消失、使放電電壓上升。因此，通過X射線光電子能譜(XPS)測(cè)定保護(hù)層9，利用高斯函數(shù)擬合(fitting) 在289. 6eV附近具有最大峰值的峰值、即CO結(jié)合的峰值，并將其積分值求解為CO面積強(qiáng) 度。即、若該CO面積強(qiáng)度的值大，則從氧化鈣(CaO)向碳酸鈣(CaCO3)的變化就大。在圖7中，以保護(hù)層9中的鋁(Al)濃度2ppm的情況為基準(zhǔn)，示出保護(hù)層9中的鋁 (Al)濃度和CO面積強(qiáng)度的關(guān)系。由圖7可知，如果鋁(Al)濃度在20ppm以上2000ppm以 下、優(yōu)選在IOOppm以上IOOOppm以下，則與含有作為濃度測(cè)定界限內(nèi)的雜質(zhì)的鋁(Al)的情 況相比，能夠抑制從氧化鈣(CaO)向碳酸鈣(CaCO3)的變化。作為其結(jié)果，能夠抑制放電電 壓的上升。其中，ppm表示重量比。其中，保護(hù)層9中的鋁(Al)濃度是利用二次離子質(zhì)量分析計(jì)(SIMS)測(cè)定的。接著，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的PDPl的保護(hù)層9中使用的凝集粒子92的粒徑
13進(jìn)行說明。其中，在以下的說明中，粒徑是指平均粒徑，平均粒徑是指體積累積平均直徑 (D50)。圖8是表示在上述圖6所說明的本發(fā)明的試制品4中，使凝集粒子92的粒徑變化， 來調(diào)查電子釋放性能的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的特性圖。其中，在圖8中，凝集粒子92的粒徑通過對(duì)凝 集粒子92進(jìn)行SEM觀察來測(cè)定。如該圖8所示，可知如果粒徑小至0. 3 μ m左右，則電子釋 放性能降低，如果大致為0.9μπι以上，則可以得到高的電子釋放性能。不過，為了使放電單元內(nèi)的電子釋放數(shù)增加，優(yōu)選保護(hù)層9上的每單位面積的結(jié) 晶粒子92a的數(shù)量多。但是，本發(fā)明者們根據(jù)實(shí)驗(yàn)可知，若在與前面板2的保護(hù)層9緊密接 觸的相當(dāng)于背面板10的隔壁14的頂部的部分存在凝集粒子92，會(huì)使隔壁14的頂部破損。 進(jìn)而，破損的隔離材料會(huì)躍居到熒光體層15之上。因此，可知會(huì)發(fā)生對(duì)應(yīng)的單元不正常點(diǎn) 亮或熄滅的現(xiàn)象。如果凝集粒子92在與隔壁頂部對(duì)應(yīng)的部分不存在，則難以發(fā)生該隔壁破 損的現(xiàn)象，因此，如果附著的凝集粒子92的數(shù)量增多，則隔壁14的破損發(fā)生概率增高。根 據(jù)這樣的觀點(diǎn)，如果凝集粒子直徑大至2. 5 μ m左右，則隔壁破損的概率急劇增高，如果是 比2. 5 μ m小的凝集粒子直徑，則可以將隔壁破損的概率抑制得小。根據(jù)以上的結(jié)果可知，在本發(fā)明實(shí)施方式中的PDPl中，如果使用粒徑位于 0. 9 μ m 2 μ m的范圍的凝集粒子92，則可以穩(wěn)定地得到上述本發(fā)明的效果。如上述，根據(jù)本發(fā)明的PDP，能夠得到電子釋放性能高、作為電荷保持性能而能夠 得到Vscn點(diǎn)亮電壓為120V以下的PDP。其中，在本發(fā)明的實(shí)施方式中，作為結(jié)晶粒子而利用氧化鎂(MgO)粒子進(jìn)行了說 明。但是，即使是其他的單結(jié)晶粒子，也能夠利用與氧化鎂(MgO)同樣具有高的電子釋放性 能的氧化鍶(SrO)、氧化鈣(CaO)、氧化鋇(BaO)、氧化鋁(Al2O3)等金屬氧化物結(jié)晶粒子，能 得到同樣的效果。因此，作為粒子種類并不限定于氧化鎂(MgO)。工業(yè)上的可利用性根據(jù)上述，本發(fā)明是在實(shí)現(xiàn)具備高畫質(zhì)的顯示性能、且能實(shí)現(xiàn)低消耗功率的PDP 方面是有用的發(fā)明。
權(quán)利要求
一種等離子顯示面板，具有按照覆蓋形成在基板上的顯示電極的方式形成電介體層，并且在所述電介體層上形成了保護(hù)層的第一基板；和按照形成填充放電氣體的放電空間的方式與所述第一基板對(duì)置配置，且沿與所述顯示電極交叉的方向形成地址電極，并設(shè)置有對(duì)所述放電空間進(jìn)行劃分的隔壁的第二基板；其中，所述保護(hù)層通過由氧化鎂和氧化鈣構(gòu)成的金屬氧化物形成，并且含有鋁，在對(duì)所述保護(hù)層的面的X射線衍射分析中，發(fā)生所述金屬氧化物的峰值的衍射角存在于發(fā)生所述氧化鎂的峰值的衍射角、和發(fā)生與所述峰值同一方位的所述氧化鈣的峰值的衍射角之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示面板，其特征在于，在所述保護(hù)層的所述放電空間側(cè)附著了氧化鎂的結(jié)晶粒子多個(gè)凝集而成的凝集粒子。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的等離子顯示面板，其特征在于， 所述保護(hù)層中的所述鋁的濃度為20ppm以上2000ppm以下。
全文摘要
一種等離子顯示面板，具有按照覆蓋形成在前面玻璃基板(3)上的顯示電極(6)的方式形成電介體層(8)，并且在電介體層(8)上形成了保護(hù)層(9)的前面板；和按照形成填充放電氣體的放電空間的方式與前面板對(duì)置配置，且沿與顯示電極(6)交叉的方向形成地址電極，并設(shè)置有對(duì)放電空間進(jìn)行劃分的隔壁的背面板，其中，保護(hù)層(9)通過由氧化鎂和氧化鈣構(gòu)成的金屬氧化物形成，并含有鋁，在對(duì)保護(hù)層(9)的面的X射線衍射分析中，發(fā)生金屬氧化物的峰值的衍射角存在于發(fā)生氧化鎂的峰值的衍射角與發(fā)生氧化鈣的峰值的衍射角之間。
文檔編號(hào)H01J11/12GK101965622SQ200980108299
公開日2011年2月2日 申請(qǐng)日期2009年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月15日
發(fā)明者后藤真志, 島村隆之, 橋本潤, 武田英治 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社