專利名稱：薄膜型fed下基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于場致發(fā)射顯示器(Field Emission Display，簡稱FED)技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種薄膜型FED下基板的制作方法。
背景技術(shù)：
場致發(fā)射顯示器件(FED)作為新型的顯示器件和顯示技術(shù)，是平板顯示器件中 發(fā)光原理最接近陰極射線管(CRT)的一種平板顯示器件，并認為是最有可能與等離子體 (PDP)和液晶顯示器件(LCD)競爭的一種平板顯示技術(shù)。但是由于目前尚有較多的技術(shù)難 題尚未攻克，特別是下基板制作工藝復(fù)雜，陰、柵極短路、斷路現(xiàn)象的發(fā)生頻率較高，良率較 低，電子發(fā)射不均勻?qū)е铝炼炔痪上裥Ч^差等因素限制了其在現(xiàn)實生活中的應(yīng)用。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種薄膜型FED下基板的制作方法。為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案一種薄膜型FED下基板的制作方 法，包括以下步驟1)制備第一電極的下層結(jié)構(gòu)提供一透明的玻璃基板；先在玻璃基板上整板沉積 低電阻材料，然后利用濕刻的方法形成條狀的第一電極的下層結(jié)構(gòu)；2)制備第一絕緣層和第二絕緣層采用無機材料印刷成型的方法形成網(wǎng)格狀第 一絕緣層，工藝流程為印刷、曝光、顯影、燒結(jié)；采用無機材料印刷成型的方法形成倒梯形的 條狀第二絕緣層，工藝流程為印刷、曝光、顯影、燒結(jié)；3)制備第二電極層和第一電極層的上層結(jié)構(gòu)采用濺射或者真空蒸鍍的方法整 板沉積第二電極層，利用第二絕緣層的高度差使第二電極層線條之間分開；接著利用掩膜 板遮擋第二電極層，沉積一層低逸出功材料作為FED的發(fā)射材料，該層低逸出功材料即是 第一電極層的上部結(jié)構(gòu)。所述低電阻材料為Cr、Al、Mo/Al、Mo/Al/Mo、Ag、Cu、ITO, IZO 中一種。所述低逸出功材料為Al、Li/Al、LiF、Mg/Ag、Ca/Ag、Mg/Al、Al/Ag、Al/Ga 中一種， 所述下層結(jié)構(gòu)的沉積方式為濺射或離子電鍍，所述上層結(jié)構(gòu)的沉積方式為蒸鍍、磁控濺射 或離子束濺射。所述無機材料為低溫玻璃粉感光漿料。所述在玻璃基板上整板沉積低電阻材料為采用磁控濺射的方法在所述玻璃基板 上整板沉積Mo/Al/Mo薄膜電極層；1)中所述濕刻的方法包括以下步驟a)在Mo/Al/Mo薄 膜電極層上面涂覆一層正性光阻，然后依次進行烘干、曝光、顯影；b)以該光阻為掩膜，蝕 刻Mo/Al/Mo電極層，蝕刻液選用71wt. %的磷酸、1.7wt. %的硝酸、9. 95wt. %的冰醋酸及 去離子水的混合液，四者的體積混合比為77 3 15 5;c)M0/Al/M0電極層蝕刻完成后 將上面覆蓋的光阻剝離，剝離液選用MEA和DMSO的混合液，MEA和DMSO的體積比為7 3。為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還可以采用如下技術(shù)方案一種薄膜型FED下基板的制作方法，包括以下步驟1)制備第一電極的下層結(jié)構(gòu)提供一透明的玻璃基板；先在玻璃基板上整板沉積低電阻材料，然后利用濕刻的方法形成條狀的下層結(jié)構(gòu)；2)制備第一絕緣層和第二絕緣層選用正性光阻，利用掩膜、微影成型技術(shù)，形成 網(wǎng)格狀圖案的第一絕緣層；選用負性光阻，利用掩膜，微影成型技術(shù)，形成倒梯形的條狀第
二絕緣層；3)制備第二電極層和第一電極層的上層結(jié)構(gòu)采用真空蒸鍍的方法整板沉積第 二電極層，利用第二絕緣層的高度差使第二電極層線條之間分開；接著利用掩膜板遮擋第 二電極層，沉積一層低逸出功材料作為FED的發(fā)射材料，該層低逸出功材料即是第一電極 層的上部結(jié)構(gòu)。所述低電阻材料為Cr、Al、Mo/Al、Mo/Al/Mo、Ag、Cu、IT0、IZ0中一種，所述低逸出 功材料為 Al、Li/Al、LiF、Mg/Ag、Ca/Ag、Mg/Al、Al/Ag、Al/Ga 中一種。所述第一電極層的下層結(jié)構(gòu)的沉積方式為濺射或離子電鍍，所述上層結(jié)構(gòu)的沉積 方式為蒸鍍、磁控濺射或離子束濺射。所述在玻璃基板上整板沉積低電阻材料為采用磁控濺射的方法在所述玻璃基板 上整板沉積IZO薄膜電極層；1)中所述濕刻的方法包括以下步驟a)在IZO薄膜電極層上 面均勻涂覆一層正性光阻，然后依次進行干燥、曝光、顯影、干燥；b)以所述光阻為掩膜，蝕 刻IZO電極層，蝕刻液選用17. 6wt. %的鹽酸、1. 6wt. %硝酸及去離子水的混合液，鹽酸、硝 酸、去離子水的體積比為1 0.08 1 ;b) IZO薄膜電極層蝕刻完成后將上面覆蓋的光阻剝 離，剝離液選用MEA和DMSO的混合液，MEA和DMSO的體積比為7:3。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點有效防止陰、柵極短路、斷路現(xiàn)象的發(fā)生， 提高產(chǎn)品發(fā)射性能。


圖1為基板沉積第一電極后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為沿圖1中A-A線的剖視圖；圖3為制作第一絕緣層后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為沿圖3中B-B線的剖視圖；圖5為制作第二絕緣層后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為沿圖5中C-C線的剖視圖；圖7為沉積第二電極層后的結(jié)構(gòu)示意圖；其中10為基板；20為第一電極層；30為第一絕緣層；40為第二絕緣層；50為第 二電極層；201為下層結(jié)構(gòu)；202為上層結(jié)構(gòu)。
具體實施例方式請參照圖1至7所示，F(xiàn)ED下基板包括基板10、第一電極層20、第一絕緣層30、第 二絕緣層40、第二電極層50。第一電極層20包括下層結(jié)構(gòu)201和上層結(jié)構(gòu)202。下層結(jié)構(gòu) 201形成于基板10之上，呈條狀分布；第一絕緣層30形成于下層結(jié)構(gòu)201之上，并成網(wǎng)格 狀分布；第二絕緣層40形成于第一絕緣層30之上，成條狀圖案分布；第二電極層50形成于第二絕緣層40之上。其中基板10可為玻璃基板，第一電極層20和第二電極層50分別作 為FED場致發(fā)射顯示器的陰極和柵極，其中陰極的發(fā)射材料采用功函數(shù)較低的金屬或金屬 化合物，柵極采用電阻較小的金屬或金屬化合物。在柵極和陰極之間施加一定強度的電場， 電子從陰極被引出，在陰極和陽極電場的作用下，高速運動轟擊陽極板上的熒光粉發(fā)光，從 而實現(xiàn)圖像顯示?；?0通常為一透明基板，例如一玻璃基板。第一電極層20的下層結(jié)構(gòu)201可用濺射方式或離子電鍍方式形成于基板10上，材料優(yōu)選Cr、Al、Mo/Al、Mo/Al/Mo、Ag、Cu、 ITO (氧化銦錫)、IZO (氧化銦鋅)等低電阻材料；上層結(jié)構(gòu)202優(yōu)選Al、Li/Al、LiF、Mg/ Ag、Ca/Ag、Mg/Al、Al/Ag、Al/Ga等低逸出功材料，沉積方式可為蒸鍍、磁控濺射或離子束濺 射等方式。第一絕緣層30和第二絕緣層40可以是無機材料也可以是有機感光材料。無機材 料可以采用印刷方法成型，有機材料可采用涂覆、微影技術(shù)成型。如果選用無機材料印刷方 法，優(yōu)選低溫玻璃粉感光漿料，形成網(wǎng)格狀第一絕緣層30和疊加在30之上的條形第二絕緣 層40。如果采用有機感光材料，第一絕緣層30可選用正性光阻，利用掩膜，微影成型技術(shù)， 形成網(wǎng)格狀圖案，每一個網(wǎng)格部分作為一個電子發(fā)射單元。第二絕緣層40可選用負性光 阻，利用掩膜，微影成型技術(shù)，形成倒梯形的條狀圖案，其第二絕緣層40形成在第一絕緣層 30之上。利用蒸鍍、磁控濺射或離子束濺射在第二絕緣層40之上形成第二電極層50，第二 電極層50的圖案和第二絕緣層40的圖案一致。為使本發(fā)明的內(nèi)容更容易理解，以下舉個例子予以說明。實施例1本發(fā)明薄膜型FED下基板制作方法包括以下數(shù)個步驟請參見圖1至圖2所示，第一步提供一透明的玻璃基板10，在該基板上形成第一 電極20的下層結(jié)構(gòu)201，201為條形電極圖案，選用Mo/Al/Mo做為下層結(jié)構(gòu)201的材料。下 層結(jié)構(gòu)201的形成方法為a)先用磁控濺射的方法在玻璃基板10上整板沉積Mo/Al/Mo薄膜電極層；b)在該電極層上面均勻涂覆一層正性光阻，然后依次進行干燥、曝光、顯影、干 燥；c)以該光阻為掩膜，蝕刻Mo/Al/Mo電極層，蝕刻液選用71wt. %的磷酸、1. 7wt. % 的硝酸、9. 95wt. %的冰醋酸及去離子水的混合液，四者的體積混合比為77 3 15 5 ；d)Mo/Al/Mo電極層蝕刻完成后將上面覆蓋的光阻剝離，剝離液選用MEA(單乙醇 胺)和DMSO (二甲基亞砜)的混合液，MEA和DMSO的體積比為7:3;完成以上步驟形成下層結(jié)構(gòu)201的圖案。請參見圖3至圖6所示，第二步形成第一絕緣層30和第二絕緣層40。本實施 例中絕緣層選用低溫感光玻璃粉漿料印刷成型的方法以形成第一絕緣層30，工藝流程為印 刷、曝光、顯影、燒結(jié)，顯影液采用0. 3wt. % WNa2CO3水溶液，燒結(jié)溫度350°C;形成網(wǎng)格狀第 一絕緣層30結(jié)構(gòu)。重復(fù)上述工藝流程，在第一絕緣層30之上，形成條狀第二絕緣層40結(jié) 構(gòu)。請參見圖7所示，第三步沉積第二電極層50和第一電極層20的上層結(jié)構(gòu)202。 在沉積第二電極層50的過程中，無需使用掩膜版，可整板沉積，利用第二絕緣層40的高度差使該電極層線條之間分開。第二電極層50的形成方法為采用磁控濺射的方法在第二絕 緣層40上面沉積Al電極，第二絕緣層40上面的Al電極即為第二電極層50;接著利用掩 膜板遮擋第二電極層50，用真空蒸鍍的方法沉積一層低逸出功材料Mg/Ag合金作為FED的 發(fā)射材料，該Mg/Ag發(fā)射材料即是第一電極層20的上部結(jié)構(gòu)202。至此FED下基板制作完成。實施例2本發(fā)明薄膜型FED下基板制作方法包括以下數(shù)個步驟請參見圖1至圖2所示，第一步提供一透明的玻璃基板10，在該基板上形成第一 電極20的下層結(jié)構(gòu)201，201為條形電極圖案，選用Cr做為下層結(jié)構(gòu)201的材料。下層結(jié) 構(gòu)201的形成方法為a)先用磁控濺射的方法在玻璃基板10上整板沉積Cr薄膜電極層；b)在該電極層上面均勻涂覆一層正性光阻，然后依次進行干燥、曝光、顯影、干 燥；c)以該光阻為掩膜，蝕刻Cr電極層，蝕刻液選用通用的Cr蝕刻液；d)Cr電極層蝕刻完成后將上面覆蓋的光阻剝離，剝離液選用MEA(單乙醇胺)和 DMSO (二甲基亞砜)的混合液，MEA和DMSO的體積比為7:3;完成以上步驟形成下層結(jié)構(gòu)201的圖案。請參見圖3至圖6所示，第二步形成第一絕緣層30和第二絕緣層40。本實施 例中絕緣層選用低溫感光玻璃粉漿料印刷成型的方法以形成第一絕緣層30，工藝流程為印 刷、曝光、顯影、燒結(jié)，顯影液采用0. 5wt. % WNa2CO3水溶液，燒結(jié)溫度360°C;形成網(wǎng)格狀第 一絕緣層30結(jié)構(gòu)。重復(fù)上述工藝流程，在第一絕緣層30之上，形成條狀第二絕緣層40結(jié) 構(gòu)。請參見圖7所示，第三步沉積第二電極層50和第一電極層20的上層結(jié)構(gòu)202。 在沉積第二電極層50的過程中，無需使用掩膜版，可整板沉積，利用第二絕緣層40的高度 差使該電極層線條之間分開。第二電極層50的形成方法為采用磁控濺射的方法在第二絕 緣層40上面沉積Al電極，第二絕緣層40上面的Al電極即為第二電極層50;接著利用掩 膜板遮擋第二電極層50，用真空蒸鍍的方法沉積一層低逸出功材料Ca/Ag合金作為FED的 發(fā)射材料，該Ca/Ag發(fā)射材料即是第一電極層20的上部結(jié)構(gòu)202。至此FED下基板制作完 成。實施例3本發(fā)明薄膜型FED下基板制作方法包括以下數(shù)個步驟第一步提供一透明的玻璃基板10，在該基板上形成第一電極20的下層結(jié)構(gòu)201， 201為條形電極圖案，選用IZO做為下層結(jié)構(gòu)201的材料。下層結(jié)構(gòu)201的形成方法為a)先用磁控濺射的方法在玻璃基板10上整板沉積IZO薄膜電極層；b)在該電極層上面涂覆一層正性光阻，然后依次進行干燥、曝光、顯影、干燥；c)以該光阻為掩膜，蝕刻IZO電極層，蝕刻液選用17. 6wt. %的鹽酸、1. 6wt. %硝 酸及去離子水的混合液，鹽酸、硝酸、去離子水的體積比為1 0.08 1;d)IZ0電極層蝕刻完成后將上面覆蓋的光阻剝離，剝離液選用MEA(單乙醇胺)和 DMSO (二甲基亞砜)的混合液，MEA和DMSO的體積比為7 3 ；完成以上步驟形成下層結(jié)構(gòu)201的圖案。請參見圖3至圖6所示，第二步形成第一絕緣層30和第二絕緣層40。本實施例 中絕緣層采用有機材料，選用正性光阻涂覆成型的方法形成第一絕緣層30，工藝流程為涂 覆、曝光、顯影、堅膜，顯影液可用2. 38wt. %的TMAH水溶液，堅膜溫度150°C;形成網(wǎng)格狀第 一絕緣層30結(jié)構(gòu)。重復(fù)上述工藝流程，換成負性光阻，在第一絕緣層30之上，形成條狀第 二絕緣層40結(jié)構(gòu)。請參見圖7所示，第三步沉積第二電極層50和第一電極層20的上層結(jié)構(gòu)。在沉 積第二電極層50的過程中，無需使用掩膜版，可整板沉積，利用第二絕緣層40的高度差使 該電極層線條之間分開。第二電極層50的形成方法采用真空蒸鍍的方法在第二絕緣層40 上面沉積A1電極，第二絕緣層40上面的A1電極即為第二電極層50;接著利用掩膜板遮擋 第二電極層50，用磁控濺射的方法沉積一層低逸出功材料LiF作為FED的發(fā)射材料，該LiF 發(fā)射材料即是第一電極層20的上部結(jié)構(gòu)202。至此FED下基板制作完成。實施例4本發(fā)明薄膜型FED下基板制作方法包括以下數(shù)個步驟第一步提供一透明的玻璃基板10，在該基板上形成第一電極20的下層結(jié)構(gòu)201， 201為條形電極圖案，選用IT0做為下層結(jié)構(gòu)201的材料。下層結(jié)構(gòu)201的形成方法為a)先用磁控濺射的方法在玻璃基板10上整板沉積IT0薄膜電極層；b)在該電極層上面涂覆一層正性光阻，然后依次進行干燥、曝光、顯影、干燥；c)以該光阻為掩膜，蝕刻IT0電極層，蝕刻液選用通用的IT0蝕刻液；d)IT0電極層蝕刻完成后將上面覆蓋的光阻剝離，剝離液選用MEA(單乙醇胺)和 DMS0 (二甲基亞砜)的混合液，MEA和DMS0的體積比為7 3 ；完成以上步驟形成下層結(jié)構(gòu) 201的圖案。請參見圖3至圖6所示，第二步形成第一絕緣層30和第二絕緣層40。本實施例 中絕緣層采用有機材料，選用正性光阻涂覆成型的方法形成第一絕緣層30，工藝流程為涂 覆、曝光、顯影、堅膜，顯影液可用2. 38wt. %的TMAH水溶液，堅膜溫度150°C;形成網(wǎng)格狀第 一絕緣層30結(jié)構(gòu)。重復(fù)上述工藝流程，換成負性光阻，在第一絕緣層30之上，形成條狀第 二絕緣層40結(jié)構(gòu)。請參見圖7所示，第三步沉積第二電極層50和第一電極層20的上層結(jié)構(gòu)。在沉 積第二電極層50的過程中，無需使用掩膜版，可整板沉積，利用第二絕緣層40的高度差使 該電極層線條之間分開。第二電極層50的形成方法采用真空蒸鍍的方法在第二絕緣層40 上面沉積A1電極，第二絕緣層40上面的A1電極即為第二電極層50;接著利用掩膜板遮擋 第二電極層50，用磁控濺射的方法沉積一層低逸出功材料Li/Al作為FED的發(fā)射材料，該 Li/Al發(fā)射材料即是第一電極層20的上部結(jié)構(gòu)202。至此FED下基板制作完成。
權(quán)利要求
一種薄膜型FED下基板的制作方法，其特征在于，包括以下步驟1)制備第一電極(20)的下層結(jié)構(gòu)提供基板(10)，該基板(10)為一透明的玻璃基板；先在玻璃基板上整板沉積低電阻材料，然后利用濕刻的方法形成條狀的第一電極的下層結(jié)構(gòu)(201)；2)制備第一絕緣層(30)和第二絕緣層(40)采用無機材料印刷成型的方法形成網(wǎng)格狀第一絕緣層(30)，工藝流程為印刷、曝光、顯影、燒結(jié)；采用無機材料印刷成型的方法形成倒梯形的條狀第二絕緣層(40)，工藝流程為印刷、曝光、顯影、燒結(jié)；3)制備第二電極層(50)和第一電極層(20)的上層結(jié)構(gòu)(202)采用濺射或者真空蒸鍍的方法整板沉積第二電極層(50)，利用第二絕緣層的高度差使第二電極層(50)線條之間分開；接著利用掩膜板遮擋第二電極層(50)，沉積一層低逸出功材料作為FED的發(fā)射材料，該層低逸出功材料即是第一電極層(20)的上部結(jié)構(gòu)(202)。
2.如權(quán)利要求1所述薄膜型FED下基板的制作方法，其特征在于所述低電阻材料為 Cr、Al、Mo/Al、Mo/Al/Mo、Ag、Cu、ITO、IZO 中一種。
3.如權(quán)利要求1所述薄膜型FED下基板的制作方法，其特征在于所述低逸出功材料 為 Al、Li/Al、LiF、Mg/Ag、Ca/Ag、Mg/Al、Al/Ag、Al/Ga 中一種，所述下層結(jié)構(gòu)(201)的沉積 方式為濺射或離子電鍍，所述上層結(jié)構(gòu)(202)的沉積方式為蒸鍍、磁控濺射或離子束濺射。
4.如權(quán)利要求1所述薄膜型FED下基板的制作方法，其特征在于所述無機材料為低 溫玻璃粉感光漿料。
5.如權(quán)利要求1所述薄膜型FED下基板的制作方法，其特征在于所述在玻璃基板上 整板沉積低電阻材料為采用磁控濺射的方法在所述玻璃基板上整板沉積Mo/Al/Mo薄膜電 極層；1)中所述濕刻的方法包括以下步驟a)在Mo/Al/Mo薄膜電極層上面涂覆一層正性 光阻，然后依次進行烘干、曝光、顯影；b)以上述光阻為掩膜，蝕刻Mo/Al/Mo電極層，蝕刻液 選用71wt. %的磷酸、1. 7wt. %的硝酸、9. 95wt. %的冰醋酸及去離子水的混合液，四者的體 積混合比為77 3 15 5 ;c)Mo/Al/Mo電極層蝕刻完成后將上面覆蓋的光阻剝離，剝離 液選用MEA和DMSO的混合液，MEA和DMSO的體積比為7:3。
6.一種薄膜型FED下基板的制作方法，其特征在于，包括以下步驟(1)制備第一電極(20)的下層結(jié)構(gòu)提供一基板(10)，該基板為一透明的玻璃基板； 先在玻璃基板上整板沉積低電阻材料，然后利用濕刻的方法形成條狀的下層結(jié)構(gòu)(201)；(2)制備第一絕緣層(30)和第二絕緣層(40)選用正性光阻，利用掩膜，微影成型技 術(shù)，形成網(wǎng)格狀圖案的第一絕緣層(30)；選用負性光阻，利用掩膜，微影成型技術(shù)，形成倒 梯形的條狀第二絕緣層(40)；(3)制備第二電極層(50)和第一電極層(20)的上層結(jié)構(gòu)(202)采用真空蒸鍍的方法 整板沉積第二電極層(50)，利用第二絕緣層的高度差使第二電極層(50)線條之間分開；接 著利用掩膜板遮擋第二電極層(50)，沉積一層低逸出功材料作為FED的發(fā)射材料，該層低 逸出功材料即是第一電極層(20)的上部結(jié)構(gòu)(202)。
7.如權(quán)利要求6所述薄膜型FED下基板的制作方法，其特征在于所述低電阻材料為 Cr、Al、Mo/Al、Mo/Al/Mo、Ag、Cu、ITO、IZO 中一種，所述低逸出功材料為 Al、Li/Al、LiF,Mg/ Ag、Ca/Ag、Mg/Al、Al/Ag、Al/Ga 中一種。
8.如權(quán)利要求6所述薄膜型FED下基板的制作方法，其特征在于所述第一電極層的下層結(jié)構(gòu)(201)的沉積方式為濺射或離子電鍍，所述上層結(jié)構(gòu)(202)的沉積方式為蒸鍍、磁 控濺射或離子束濺射。
9.如權(quán)利要求6所述薄膜型FED下基板的制作方法，其特征在于所述在玻璃基板 上整板沉積低電阻材料為采用磁控濺射的方法在所述玻璃基板上整板沉積IZO薄膜電極 層；1)中所述濕刻的方法包括以下步驟a)在IZO薄膜電極層上面均勻涂覆一層正性光 阻，然后依次進行烘干、曝光、顯影；b)以所述光阻為掩膜，蝕刻IZO電極層，蝕刻液選用 17. 6wt. %的鹽酸、1.6wt. %硝酸及去離子水的混合液，鹽酸、硝酸、去離子水的體積比為 1 0. 08 1 ;b) IZO薄膜電極層蝕刻完成后將上面覆蓋的光阻剝離，剝離液選用MEA和 DMSO的混合液，MEA和DMSO的體積比為7:3。
全文摘要
本發(fā)明提供一種薄膜型FED下基板的制作方法，包括(1)提供一透明的玻璃基板；整板沉積低電阻材料，然后利用濕刻的方法形成條狀的第一電極層下層結(jié)構(gòu)；(2)選用無機材料印刷成型或者有機材料微影成型的方法形成網(wǎng)格狀第一絕緣層；采用相同工藝形成倒梯形的條狀第二絕緣層；(3)采用濺射或者真空蒸鍍的方法整板沉積第二電極層，利用第二絕緣層的高度差使第二電極層線條之間分開；利用掩膜板遮擋第二電極層，沉積一層低逸出功材料作為FED的發(fā)射材料，該層低逸出功材料即是第一電極層的上部結(jié)構(gòu)。本發(fā)明能有效防止陰、柵極短路、斷路現(xiàn)象的發(fā)生，提高產(chǎn)品發(fā)射性能。
文檔編號H01J9/00GK101807501SQ20101012381
公開日2010年8月18日 申請日期2010年3月15日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月15日
發(fā)明者張斌 申請人:彩虹集團公司