專利名稱：采用混合保護(hù)層的等離子顯示器及混合保護(hù)層的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及應(yīng)用于等離子顯示器中的保護(hù)層的技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
MgO薄膜是等離子體器件，如等離子體顯示器件(PDP)中傳統(tǒng)的保護(hù)層，由于其對 Ne離子具有較高的二次電子發(fā)射系數(shù)和對離子的耐轟擊性，使之成為等離子體器件保護(hù)層 的首選。但隨著該類器件分辨率的提高、發(fā)光效率提高的需求，采用高Xe配比的工作氣體 成為等離子體器件發(fā)展的必然，但隨之而來的高著火電壓，長響應(yīng)時間又成為新的制約，因 此新型保護(hù)層技術(shù)的研究成為解決這些技術(shù)難點的重要途徑之一。日本Pi oneer公司首先在MgO薄膜制備一層MgO單晶，利用其外電子發(fā)射特性， 為PDP器件在尋址過程提供了初始電子(priming電子)，大大降低了 PDP器件的統(tǒng)計響應(yīng) 時間(jitter時間)。這項技術(shù)為PDP實現(xiàn)高分辨率下的快速尋址解決了關(guān)鍵而重要的技 術(shù)難點，大大促進(jìn)了 PDP技術(shù)的發(fā)展進(jìn)程，使PDP性能有了很大的提高。另外，提高保護(hù)層對 Xe離子的二次電子發(fā)射系數(shù)，可以降低著火電壓，也使改善器件特性的一條重要途徑。如 SrO或者M(jìn)gSrO薄膜被提出作為保護(hù)膜，可以提高對Xe的二次電子發(fā)射系數(shù)。目前這些保 護(hù)層只能實現(xiàn)對等離子體器件特性改善的單一作用。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的是提高一種多功能的綜合改善等離子體器件的特性，降低統(tǒng)計響應(yīng)時 間，改善二次電子發(fā)射特性的采用混合保護(hù)層的等離子顯示器及混合保護(hù)層的制備方法。本發(fā)明為實現(xiàn)上述目的，采用如下技術(shù)方案第一提出高Zn含量(χ值)的Mgl_xZnx0晶體作為一種保護(hù)層的源(源一)，用于 等離子體器件中可以改善對Xe離子的二次電子發(fā)射系數(shù)，控制Zn的含量(χ值)為30% < Zn含量< 50%，MghZnxO晶體的粒徑為200nm 2 μ m。第二 提出低Zn摻雜的Mgl_xZnx0晶體作為一種保護(hù)層的源(源二)，用于等離子 體器件中，獲得在等離子體器件工作條件下具有外逸電子發(fā)射特性，控制Zn的含量(χ值) 為0 < Zn含量< 10%，MghZnxO晶體的粒徑為200nm 2 μ m。第三將高Zn含量和低Zn摻雜的Mgl_xZnx0晶體按照一定比例混和構(gòu)成保護(hù)層源 (源三)，混和比例控制為，高Zn含量的Mgl_xZnx0晶體占總重量的50 70 %，低Zn摻雜的 Mg1^xZnxO晶體占總重量的30 50%。第四，發(fā)明混和保護(hù)層的制備方法，將混和保護(hù)層源(源三)按照使用溶劑重量的 5-10%的比例，分散到易揮發(fā)的有機溶劑中，有機溶劑可采用乙醇或異丙醇，經(jīng)過超聲處理 使之均勻分散在溶劑中，采用噴霧噴槍，均勻噴灑在已制備好MgO薄膜的表面，待有機溶劑 揮發(fā)，便形成MgO薄膜表面上的混和保護(hù)層。比較好的的是，該混和保護(hù)層可以制備在表面放電型等離子體顯示器件的前基板 MgO的表面，綜合起到提高Xe離子二次電子發(fā)射系數(shù)和外逸電子發(fā)射特性的作用。
比較好的的是，該混和保護(hù)層可以制備在表面放電型等離子體顯示器件的前基板MgO的表面，同時將源二與綠色熒光粉混和，混和比例為占綠色熒光粉的5 10%，制備在 后基板的熒光粉層中，不僅可以綜合起到提高Xe離子二次電子發(fā)射系數(shù)和外逸電子發(fā)射 特性的作用，還可以改善熒光粉綠光的發(fā)光特性，降低器件的黑色噪聲，即綠色熒光粉在一 些尋址期不能發(fā)光，仍然是黑色，特別是在那些尋址等待期較長的臨界灰度點，容易產(chǎn)生黑 色噪聲。比較好的的是，對于對向式放電的蔭罩式等離子體顯示器件，該混和保護(hù)層可以 制備在前基板和后基板的MgO薄膜的表面，改善器件的特性。比較好的的是，對于對向式放電的蔭罩式等離子體顯示器件，該混和保護(hù)層制作 在前后基板MgO薄膜的表面，同時將源二與綠色熒光粉混和，混和比例為占綠色熒光粉的 5 10%，制備在蔭罩的內(nèi)壁表面形成熒光粉層，不僅可以改善器件的響應(yīng)時間、發(fā)光效 率，還可以改善器件的發(fā)光特性。比較好的的是，對于采用Ne-Xe混和氣體工作的平板等離子體光源，該混和保護(hù) 層可以制備在前基板MgO的表面，或者，在制備在平板等離子體光源的前基板MgO的表面的 同時，將源二與綠色熒光粉混和，混和比例為占綠色熒光粉的5 10%，將摻有源二的綠色 熒光粉與紅色熒光粉、藍(lán)色熒光粉混和，制備在平板等離子體光源的后基板表面，形成熒光 粉層。源一改善對Xe離子的二次電子發(fā)射特性的原理在于，當(dāng)摻入的Zn，其含量為30% < Zn含量< 50%時，可以使形成的Mgl_xZnx0晶體具有與Xe電離能相匹配的能級，Xe的電 離能為12. leV，通過Zn摻雜量的調(diào)整，使其禁帶寬度約為5. 6eV左右，利于Xe離子碰撞轟 擊后產(chǎn)生二次電子，從而降低等離子體器件的著火電壓，改善發(fā)光效率。源二產(chǎn)生外逸電子發(fā)射特性的原理在于，當(dāng)摻入Zn的含量在0 10%之間，可調(diào) 整Mgl_xZnx0晶體的禁帶寬度在7. 2eV左右，以產(chǎn)生相應(yīng)于PDP中172nm紫外光子輻射的帶 隙，同時，低含量Zn的摻雜，使之產(chǎn)生滿足外逸電子發(fā)射的條件，即一定的雜質(zhì)能級和淺能 級，產(chǎn)生電子陷阱和空穴陷阱，這樣，在等離子體器件的Ne-Xe混和氣體工作時產(chǎn)生外逸電 子發(fā)射，為尋址過程產(chǎn)生初始引發(fā)電子(priming電子)，加快響應(yīng)時間。源二與綠色熒光粉混和改善綠光發(fā)光特性的原因在于，目前采用的綠色熒光粉， 如YBT、YGBT, BAM-Mn綠色熒光粉，缺少540nm的綠色發(fā)光波長，并且易產(chǎn)生黑色噪聲，而源 二由于引入了 2. 3eV的雜質(zhì)能級，在Ne-Xe混和氣體工作狀態(tài)下，可以產(chǎn)生540nm波長的 光，彌補現(xiàn)有綠色熒光粉的不足。源三是源一和源二的有機混和，并且二者的粒徑接近，均在200nm 2μπι，這樣既 保證一定的電子發(fā)射強度，又不會因粒徑較大引起可見光的散射，因此，將源三在MgO表面 制備成混和保護(hù)層，可綜合地改善器件的二次電子發(fā)射特性和外逸電子發(fā)射特性。MghZnxO是一種新型II-VI族三元化合物半導(dǎo)體材料，由于Mg2+離子和Zn2+離子 半徑十分接近，在一定范圍內(nèi)兩種離子可以發(fā)生相互取代從而形成合金，并同時兼有ZnO 和MgO優(yōu)異的化學(xué)性能穩(wěn)定性。Mg的含量影響到MgxZrvxO的帶隙寬度，當(dāng)Mg的含量為0 0. 33時，Mgl_xZnx0的帶隙寬度隨Mg的含量線性增加，當(dāng)Mg的含量為0. 33 0. 46時，其帶 隙出現(xiàn)間斷，而當(dāng)Mg的含量大于0. 46，隨著Mg含量的增加帶隙又線性增加。因此，可近似 認(rèn)為帶隙寬度從3. 3eV 7. SeV連續(xù)可調(diào)。
發(fā)明的益處本發(fā)明的技術(shù)方案具有的優(yōu)越性在于1、混和保護(hù)層的發(fā)明，可以多方面同時改進(jìn)等離子體器件的特性，既能提高二次電子發(fā)射特性，降低器件的著火電壓，改善發(fā)光效率，有可以獲得適當(dāng)?shù)耐庖蓦娮影l(fā)射特 性，加快器件的響應(yīng)時間，尤其對等離子體顯示器件在高清晰度電視領(lǐng)域中應(yīng)用有重要意 義。2、混和保護(hù)層可以廣泛應(yīng)用在介質(zhì)阻擋型的等離子體放電器件中，如等離子體顯 示顯示器件，等離子體平板光源，大氣放電器件等。3、混和保護(hù)層的制備方法簡單，不改變現(xiàn)有等離子體器件的制作工藝和條件，只 是增加一道噴涂工序。


圖1是源三的制備及噴涂過程的流程圖。圖2是源三噴涂的示意圖。圖3是混和保護(hù)層應(yīng)用在前基板的等離子體表面放電型顯示器件結(jié)構(gòu)示意圖。圖4是混和保護(hù)層應(yīng)用在前基板及綠色熒光粉層的等離子體表面放電型顯示器 件結(jié)構(gòu)示意圖。圖5是混和保護(hù)層應(yīng)用在前基板的蔭罩式等離子體顯示器件結(jié)構(gòu)示意圖。圖6是混和保護(hù)層應(yīng)用在前基板和后基板的蔭罩式等離子體顯示器件結(jié)構(gòu)示意 圖。圖7是混和保護(hù)層應(yīng)用在前基板及綠色熒光粉層的蔭罩式等離子體顯示器件結(jié) 構(gòu)示意圖。圖8是混和保護(hù)層應(yīng)用在前基板的等離子體平板光源的結(jié)構(gòu)示意圖。圖9是混和保護(hù)層應(yīng)用在前基板及熒光粉層的等離子體平板光源的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)說明如圖1、圖2所示，一種等離子顯示器混合保護(hù)層的制備方法，包括如下步驟第一步混料將含Zn量為30 % 50 %的Mgl_xZnx0晶體作為源一 1，將含Zn量為 0 10 %的MghZnxO晶體作為源二 2，源一 1和源二 2的粒徑為200nm 2 μ m，然后將占總 重量50 70%的源一 1和占總重量30 50%的源二 2混合形成源三3 ；第二步配液將第一步混合后的源三3按照使用溶劑重量的5 10%的比例，分 散到易揮發(fā)的有機溶劑中，經(jīng)過超聲處理使之均勻分散在溶劑中，得到噴涂溶液4 ；第三步噴涂將上述第二步的噴涂溶液4裝入噴霧噴槍5的料斗內(nèi)，利用壓力產(chǎn) 生的霧化，均勻噴灑在已制備好MgO薄膜6的表面，待有機溶劑揮發(fā)，便形成MgO薄膜6表 面上的混和保護(hù)層15。本發(fā)明在配液時采用的有機溶劑為乙醇或異丙醇。如圖3、圖4所示，一種等離子顯示器混合保護(hù)層，包括自上而下布置的第一前基 板7、第一后基板8，第一前基板7自上而下依次布置第一前襯底玻璃基板10、第一前基板介質(zhì)層13、前基板MgO薄膜層6，第一前基板介質(zhì)層13上靠近第一前襯底玻璃基板10的一側(cè)分別設(shè)置第一掃描電極11、維持電極12，第一后基板8自下而上依次設(shè)置第一后襯底玻璃 基板16、第一后基板介質(zhì)層18，第一后基板介質(zhì)層18上靠近第一后襯底玻璃基板16 —側(cè) 設(shè)置第一尋址電極17 ；第一前基板7與第一后基板8之間設(shè)置障壁9，Mg0薄膜層6、第一后 基板介質(zhì)層18、障壁9之間形成像素空間19，其特征在于MgO薄膜層6朝向像素空間19的 一側(cè)噴涂混合保護(hù)層15 ；障壁9縱向周面及第一后基板介質(zhì)層18朝向像素空間19的一側(cè) 設(shè)置第一混合熒光粉層20。第一混合熒光粉層20為紅、綠、藍(lán)熒光粉層或源二 2和綠色熒 光粉的混合物。如圖3所示，該等離子體顯示板的工作原理如下在第一尋址電極17施加正脈沖 Va，與顯示圖像的信號一致，在第一掃描電極11施加負(fù)脈沖Vs，首先在第一尋址電極17和 第一掃描電極11產(chǎn)生放電，積累維持放電所需的壁電荷，同時使該單元處于點亮狀態(tài)，在 維持電極12施加負(fù)的維持脈沖Vs，點亮的放電單元在壁電荷和維持脈沖共同作用下，一直 維持點亮狀態(tài)，直到擦除脈沖到來。放電單元的擦除方式有多種，目的是消除放電單元已存 在的壁電荷，使其在維持脈沖作用下由點亮狀態(tài)轉(zhuǎn)為熄滅狀態(tài)。如采用窄脈沖擦除，在兩次 放電之間，在第一掃描電極11施加正的窄擦除脈沖(脈沖寬度約1微秒左右)，它引起的放 電產(chǎn)生的壁電荷與原有壁電荷產(chǎn)生中和，從而使放電單元熄滅。施加不同時序的高壓脈沖 構(gòu)成不同的驅(qū)動方法。本發(fā)明的等離子體顯示板可采用尋址與顯示分離的子場驅(qū)動法，也 可采用表面交替發(fā)光驅(qū)動法。例如采用尋址與顯示分離子場驅(qū)動法，在準(zhǔn)備期，開始時放電 單元的三個電極(第一掃描電極11、維持電極12、第一尋址電極17)均為零。在維持電極 12施加幅度為Vxw (Vxw遠(yuǎn)大于第一掃描電極11、維持電極12間的著火電壓Vfxy)的全屏 寫脈沖，使屏上所有單元都處于同一狀態(tài)，即熄滅狀態(tài)，同時在第一尋址電極17上施加脈 沖Vaw(Vaw約為Vxw/2)，使第一尋址電極17基本沒有壁電荷積累。進(jìn)入尋址期，維持電極 12加電壓Vx;順序第一掃描電極11，未掃描到的第一掃描電極11加-Vsc，而掃描到的第一 掃描電極11加-Vy ；與此同時，對和需要點亮相對應(yīng)的第一尋址電極17加尋址脈沖Va，而 不需要亮度的則加0V。在要點亮的單元中，首先在第一尋址電極17和第一掃描電極11之 間放電，引起在第一掃描電極11和維持電極12的放電，同時積累壁電荷。對于不需點亮的 單元，由于沒有尋址脈沖，不產(chǎn)生放電，也沒有壁電荷積累。在維持期，在第一尋址電極17 加Vaw，上半周維持電極12加0V，第一掃描電極11加維持脈沖Vs，下半周維持電極12加 Vs，第一掃描電極11加維持脈沖0V，在壁電荷作用下，維持放電一直進(jìn)行，放電單元處于點 亮狀態(tài)，直到需要擦除為止。這樣對顯示板進(jìn)行逐行掃描，完成整幀圖像的顯示。通常將一 幀圖像分為若干子場顯示，每個子場都有準(zhǔn)備期、尋址期和維持期，并且每個子場的維持期 的時間比不同，以實現(xiàn)圖像灰度，如采用8個子場，可實現(xiàn)256級灰度的圖像顯示。在每個 像素中，產(chǎn)生的放電使Ne-Xe混合工作氣體電離，產(chǎn)生的紫外光轟擊熒光粉產(chǎn)生可見光。在 該類器件中，MgO薄膜6的作用起到傳統(tǒng)意義上保護(hù)層的作用，及抗電離后產(chǎn)生的離子的轟 擊，同時MgO材料具有較高的對Ne離子較高的二次電子發(fā)射特性，在MgO薄膜6噴灑由源 一 1和源二 2組成的源三3作為混和保護(hù)層15，其作用又增加了增強對Xe離子的二次電子 發(fā)射特性，同時具有較強的外逸電子發(fā)射特性，對采用高Xe混合工作氣體下的表面放電型 等離子體顯示器件，可以降低其著火電壓、提高響應(yīng)時間，從而提高發(fā)光效率。在上述結(jié)構(gòu)中，將源二 2與綠色熒光粉混和，制作在像素空間19的內(nèi)壁上，制作成第一混和熒光粉層20，如圖4所示，這樣不僅可以起到上述源三3的作用之外，還可以改進(jìn)綠色熒光粉的黑色噪聲，改善器件的性能。如圖5、圖6、圖7所示，一種等離子顯示器混合保護(hù)層，包括自上而下布置的第二 前基板22、第二后基板23，第二前基板22自上而下依次布置第二前襯底玻璃基板221、第二 前基板介質(zhì)層222、前基板MgO薄膜層6，第二前基板介質(zhì)層222上靠近第二前襯底玻璃基 板221的一側(cè)設(shè)置第二掃描電極223，第二后基板23自下而上依次設(shè)置第二后襯底玻璃基 板231、第二后基板介質(zhì)層232、后基板MgO薄膜層61，第二后基板介質(zhì)層232上靠近第二后 襯底玻璃基板231 —側(cè)設(shè)置第二尋址電極233 ；第二前基板22與第二后基板23之間設(shè)置蔭 罩24，蔭罩24為包含網(wǎng)孔25陣列的導(dǎo)電板，前基板MgO薄膜層6或后基板MgO薄膜層61 朝向像蔭罩24的一側(cè)噴涂混合保護(hù)層15 ；蔭罩24縱向內(nèi)壁上設(shè)置第二混合熒光粉層201。 第二混合熒光粉層201為紅、綠、藍(lán)熒光粉層或源二 2和綠色熒光粉的混合物。該蔭罩式等離子體顯示板的工作原理如下在第二尋址電極233和第二掃描電極 223之間加一高壓窄脈沖或斜坡脈沖擦除信號，擦除上次放電積累的壁電荷；然后在第二 掃描電極223上加一高脈沖選中該行，同時在第二尋址電極233上施加該行的數(shù)據(jù)脈沖， 該數(shù)據(jù)脈沖電壓幅度與掃描電壓之差高于掃描電極與尋址電極之間的著火電壓，控制觸發(fā) Ne-Xe混合氣體電離放電，從而在該行形成與所需顯示信息對應(yīng)的壁電荷分布；在逐行完 成整屏圖象初始放電之后，在第二掃描電極223組和第二尋址電極233之間施加維持放電 脈沖，使壁電壓與維持電壓之和高于被尋址像素的著火電壓，產(chǎn)生放電，放電產(chǎn)生的深紫外 光激發(fā)網(wǎng)孔25內(nèi)壁涂覆的第二混合熒光粉層201發(fā)出可見光，這樣就實現(xiàn)了該幀圖象的顯 示，如此循環(huán)即可逐幀顯示圖象。在該類器件中，MgO薄膜6的作用起到傳統(tǒng)意義上保護(hù)層 的作用，及抗電離后產(chǎn)生的離子的轟擊，同時MgO材料具有較高的對Ne離子較高的二次電 子發(fā)射特性，在MgO薄膜6噴灑由源一 1和源二 2組成的源三3作為混和保護(hù)層15，其作用 又增加了增強對Xe離子的二次電子發(fā)射特性，同時具有較強的外逸電子發(fā)射特性，對采用 高Xe混合工作氣體下的蔭罩式等離子體顯示器件，可以降低其著火電壓、提高響應(yīng)時間， 從而提高發(fā)光效率。在如圖5所示的蔭罩式等離子體顯示器件中，不僅將源三3作為混和保護(hù)層15噴 灑在第二前基板22的MgO薄膜6的表面，還可以把保護(hù)層15噴灑在第二后基板23的MgO 薄膜6的表面，構(gòu)成的器件結(jié)構(gòu)示意圖如圖6所示，其工作原理同圖5所示器件。在蔭罩式等離子體顯示器件中，將源二 2與綠色熒光粉混和，制作在蔭罩網(wǎng)孔25 的內(nèi)壁上，制作成混和熒光粉層21，可以改善器件的黑色噪聲。以圖5所示的器件為例，結(jié) 構(gòu)示意圖如圖7所示，其工作原理同圖5所示器件。如圖8、圖9所示，一種等離子顯示器混合保護(hù)層，包括自上而下依次布置的第三 前襯底玻璃基板2211、第三前基板介質(zhì)層2221、前基板MgO薄膜層6、第三混合熒光粉層 202、第三后襯底玻璃基板2311，第三前基板介質(zhì)層2221上靠近第三前襯底玻璃基板2211 一側(cè)設(shè)置若干平行電極27，前基板MgO薄膜層6、第三混合熒光粉層202之間含有間距29 形成放電腔體26，MgO薄膜層6朝向放電腔體26的一側(cè)噴涂混合保護(hù)層15。第三混合熒 光粉層202為紅、綠、藍(lán)熒光粉層或源二 2和綠色熒光粉的混合物。等離子體平板光源的工作原理是，在平行電極27之間施加高壓脈沖，使Ne-Xe工 作氣體在放電腔體26電離放電，產(chǎn)生的紫外光激發(fā)第三混合熒光粉層202發(fā)出白光。器件中，MgO薄膜6的作用起到傳統(tǒng)意義上保護(hù)層的作用，即抗電離后產(chǎn)生的離子的轟擊，同時MgO材料具有較高的對Ne離子較高的二次電子發(fā)射特性，在MgO薄膜6噴灑由源一 1和源二 2組成的源三3作為混和保護(hù)層15，其作用又增加了增強對Xe離子的二次電子發(fā)射特性， 同時具有較強的外逸電子發(fā)射特性，對采用高Xe混合工作氣體下的等離子體平板光源，可 以降低其著火電壓、提高響應(yīng)時間，從而提高發(fā)光效率。在上述等離子體平板光源中，將源二 2與綠色熒光粉混和，綠色再與紅色、藍(lán)色熒 光粉混和噴涂在第三后襯底玻璃基板2311上形成混和第三混合熒光粉層202，其結(jié)構(gòu)如圖 9所示，器件的工作原理同如圖8所示的器件，不僅可以改進(jìn)光源的發(fā)光效率，還可以改善 黑色噪聲特性，從而改善光源的色度特性。上述實施例僅給出了部分具體的應(yīng)用例子，但對于從事等離子體器件的專利人員 而言，還可根據(jù)以上啟示設(shè)計出多種變形產(chǎn)品，這仍被認(rèn)為涵蓋于本發(fā)明之中。
權(quán)利要求
一種等離子顯示器混合保護(hù)層的制備方法，其特征在于包括如下步驟第一步混料將含Zn量為30％～50％的Mg1-xZnxO晶體作為源一(1)，將含Zn量為0～10％的Mg1-xZnxO晶體作為源二(2)，源一(1)和源二(2)的粒徑為200nm～2μm，然后將占總重量50～70％的源一(1)和占總重量30～50％的源二(2)混合形成源三(3)；第二步配液將第一步混合后的源三(3)按照使用溶劑重量的5～10％的比例，分散到易揮發(fā)的有機溶劑中，經(jīng)過超聲處理使之均勻分散在溶劑中，得到噴涂溶液(4)；第三步噴涂將上述第二步的噴涂溶液(4)裝入噴霧噴槍(5)的料斗內(nèi)，利用壓力產(chǎn)生的霧化，均勻噴灑在已制備好MgO薄膜(6)的表面，待有機溶劑揮發(fā)，便形成MgO薄膜(6)表面上的混和保護(hù)層(15)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示器混合保護(hù)層的制備方法，其特征在于上述有機 溶劑為乙醇或異丙醇。
3.基于權(quán)利要求1所述采用混合保護(hù)層的等離子顯示器，包括自上而下布置的第一前 基板(7)、第一后基板(8)，第一前基板(7)自上而下依次布置第一前襯底玻璃基板(10)、 第一前基板介質(zhì)層(13)、前基板MgO薄膜層(6)，第一前基板介質(zhì)層(13)上靠近第一前襯 底玻璃基板(10)的一側(cè)分別設(shè)置第一掃描電極(11)、維持電極(12)，第一后基板(8)自下 而上依次設(shè)置第一后襯底玻璃基板(16)、第一后基板介質(zhì)層(18)，第一后基板介質(zhì)層(18) 上靠近第一后襯底玻璃基板(16) —側(cè)設(shè)置第一尋址電極(17)；第一前基板(7)與第一后 基板(8)之間設(shè)置障壁(9)，Mg0薄膜層(6)、第一后基板介質(zhì)層(18)、障壁(9)之間形成像 素空間(19)，其特征在于MgO薄膜層(6)朝向像素空間(19)的一側(cè)噴涂混合保護(hù)層(15)； 障壁(9)縱向周面及第一后基板介質(zhì)層(18)朝向像素空間(19)的一側(cè)設(shè)置第一混合熒光 粉層(20)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的采用混合保護(hù)層的等離子顯示器，其特征在于上述第一混合 熒光粉層(20)為紅、綠、藍(lán)熒光粉層或源二(2)和綠色熒光粉的混合物。
5.基于權(quán)利要求1所述的采用混合保護(hù)層的等離子顯示器，包括自上而下布置的第二 前基板(22)、第二后基板(23)，第二前基板(22)自上而下依次布置第二前襯底玻璃基板 (221)、第二前基板介質(zhì)層(222)、前基板MgO薄膜層(6)，第二前基板介質(zhì)層(222)上靠近 第二前襯底玻璃基板(221)的一側(cè)設(shè)置第二掃描電極(223)，第二后基板(23)自下而上依 次設(shè)置第二后襯底玻璃基板(231)、第二后基板介質(zhì)層(232)、后基板MgO薄膜層(61)，第二 后基板介質(zhì)層(232)上靠近第二后襯底玻璃基板(231) —側(cè)設(shè)置第二尋址電極(233)；第 二前基板(22)與第二后基板(23)之間設(shè)置蔭罩(24)，蔭罩(24)為包含網(wǎng)孔(25)陣列的 導(dǎo)電板，其特征在于前基板MgO薄膜層(6)或后基板MgO薄膜層(61)朝向像蔭罩(24)的 一側(cè)噴涂混合保護(hù)層(15)；蔭罩(24)縱向內(nèi)壁上設(shè)置第二混合熒光粉層(201)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的采用混合保護(hù)層的等離子顯示器，其特征在于上述第二混合 熒光粉層(201)為紅、綠、藍(lán)熒光粉層或源二(2)和綠色熒光粉的混合物。
7.基于權(quán)利要求1所述的采用混合保護(hù)層平板等離子體光源，包括自上而下依次布置 的第三前襯底玻璃基板(2211)、第三前基板介質(zhì)層(2221)、前基板MgO薄膜層(6)、第三混 合熒光粉層(202)、第三后襯底玻璃基板(2311)，第三前基板介質(zhì)層(2221)上靠近第三前 襯底玻璃基板(2211) —側(cè)設(shè)置若干平行電極(27)，前基板MgO薄膜層(6)、第三混合熒光 粉層(202)之間含有間距(29)形成放電腔體(26)，其特征在于MgO薄膜層(6)朝向放電腔體(26)的一側(cè)噴涂混合保護(hù)層(15)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的等離子顯示器混合保護(hù)層，其特征在于上述第三混合熒光粉 層(202)為紅、綠、藍(lán)熒光粉層或源二(2)和綠色熒光粉的混合物。
全文摘要
采用混合保護(hù)層的等離子顯示器及混合保護(hù)層的制備方法，涉及應(yīng)用于等離子顯示器中的保護(hù)層的技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明將30％＜Zn含量＜50％的Mg1-xZnxO晶體作為源一，將0＜Zn含量＜10％的Mg1-xZnxO晶體作為源二，將源一和源二按照一定比例混和構(gòu)成源三，混和比例控制為，源一占總重量的50～70％，源二占總重量的30～50％。將源三按照使用溶劑重量的5～10％的比例，分散到易揮發(fā)的有機溶劑中，經(jīng)過超聲處理使之均勻分散在溶劑中，采用噴霧噴槍，均勻噴灑在已制備好MgO薄膜的表面，待有機溶劑揮發(fā)，便形成MgO薄膜表面上的混和保護(hù)層。本發(fā)明實現(xiàn)了降低統(tǒng)計響應(yīng)時間，改善二次電子發(fā)射特性的目的。
文檔編號H01J17/16GK101826428SQ20101016854
公開日2010年9月8日 申請日期2010年5月11日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月11日
發(fā)明者匡文劍, 哈姆·托勒, 屠彥, 張 雄, 李青, 鄭姚生 申請人:東南大學(xué)