專利名稱：用于磁控管濺射電極的磁鐵組以及濺射裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于磁控管濺射電極的磁鐵組以及濺射裝置。
背景技術(shù)：
多年來(lái)，磁控管方式的濺射(下文稱之為濺射)裝置具有磁控管濺射電極，該磁控 管濺射電極包括靶，其設(shè)置在與準(zhǔn)備處理的基板相對(duì)的位置上；磁鐵組，以該靶與基板相 對(duì)的一側(cè)為上，其設(shè)置在靶的下側(cè)，在該靶上方形成隧道形的磁力線。當(dāng)通過(guò)給靶外加負(fù)直流電壓或交流電壓濺蝕靶時(shí)，通過(guò)用上述磁力線捕獲靶前方 電離的電子以及因?yàn)R射產(chǎn)生的次級(jí)電子可提高靶上方的電子密度，通過(guò)提高這些電子與導(dǎo) 入真空室內(nèi)的稀有氣體分子的碰撞率來(lái)提高等離子密度。若采用上述濺射裝置，因其具有 不必使處理基板的溫度明顯上升就可提高成膜速度的優(yōu)點(diǎn)，因而近年來(lái)在大面積平板顯示 器的制造工序中被廣泛用于制備透明導(dǎo)電膜等處。從專利文獻(xiàn)1中可知，當(dāng)使用前視時(shí)基本呈矩形的靶時(shí)，對(duì)于磁鐵組，在與靶平行 設(shè)置的前視時(shí)基本呈矩形的支持板(支架)上，設(shè)置了沿其長(zhǎng)度方向呈線狀的中央磁鐵和 由中央磁鐵兩側(cè)平行延伸的直線部以及分別連接各直線部?jī)啥说墓諒澆繕?gòu)成的無(wú)端頭形 狀的周邊磁鐵，用以改變靶一側(cè)的極性。組裝磁鐵組時(shí)，通常用粘合劑把中央磁鐵及周邊磁 鐵固定到支持板表面。此外，使用該磁鐵組時(shí)，在磁場(chǎng)的垂直成分為0位置的下方，靶首先 被腐蝕。因此，設(shè)定為支持板的寬度小于靶的寬度，濺射期間使磁鐵組在沿靶的寬度方向 (垂直于靶長(zhǎng)度方向的方向)上的兩點(diǎn)間以規(guī)定速度往返運(yùn)動(dòng)。此處參照?qǐng)D4加以說(shuō)明，在靶41的寬度方向上，將因與兩束磁力線Ml、M2之間的 關(guān)系，靶41中腐蝕量嚴(yán)重部分彼此間的間隔設(shè)為腐蝕間距EP。并在圖4中，將磁鐵組處于 用實(shí)線標(biāo)示的位置時(shí)設(shè)為起點(diǎn)，使磁鐵組5從該起點(diǎn)向靶41的另一側(cè)(圖4中用雙點(diǎn)虛線 標(biāo)示的位置)移動(dòng)。這時(shí)，若設(shè)定為使磁鐵組5的行程MS(移動(dòng)量)在靶41的中央腐蝕區(qū) 域ER1、ER2彼此靠近(即圖4中左側(cè)的腐蝕區(qū)域EPl在以規(guī)定的行程移動(dòng)之后靠近起點(diǎn)位 置右側(cè)的腐蝕區(qū)域EP》或者彼此局部重疊，就可在寬度方向上的最小行程內(nèi)高效且基本 均勻地腐蝕靶41 (參照?qǐng)D4(a))。然而，腐蝕間距EP可根據(jù)靶的種類及厚度或?yàn)R射時(shí)成膜 室的真空壓及濺射氣體的分壓等濺射條件而改變。例如，當(dāng)以根據(jù)磁鐵組的設(shè)計(jì)值通過(guò)模擬等設(shè)定的腐蝕間距EP (下文稱之為“設(shè) 定腐蝕間距”)為基礎(chǔ)設(shè)定行程MS之后，實(shí)際濺蝕靶時(shí)，此時(shí)的實(shí)際腐蝕間距EP往往大于 設(shè)定的腐蝕間距。在此情況下，例如即使磁鐵組5前進(jìn)運(yùn)動(dòng)，圖4中左側(cè)的腐蝕區(qū)域EPl并 不向起點(diǎn)位置上右側(cè)的腐蝕區(qū)域EP2靠近，此外返回時(shí)也一樣，在靶41寬度方向上的中央 產(chǎn)生了非腐蝕區(qū)域(參照?qǐng)D4(b))。另外，若使實(shí)際的腐蝕間距EP小于設(shè)定的腐蝕間距，在使磁鐵組5往返運(yùn)動(dòng)時(shí)，由 于在靶41寬度方向上的中央EP1、EP2重疊的區(qū)域增多，因而在該區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生局部腐蝕(參 照?qǐng)D4(c))。如上所述，當(dāng)設(shè)定的行程和腐蝕間距EP間的關(guān)系發(fā)生變化時(shí)，產(chǎn)生了靶41的 使用率下降的問題。此外，非腐蝕區(qū)域一旦變多，就意味著濺射成膜的累計(jì)時(shí)間延長(zhǎng)，很容易誘發(fā)異常放電。解決上述問題的方法可考慮變更磁鐵組5的行程，但由于在實(shí)際的濺射裝置中， 磁鐵組周圍還安裝有許多其它構(gòu)件，要想大幅度變更行程必然影響到其它構(gòu)件，因而很難 辦到。而且，當(dāng)使磁鐵組移動(dòng)到靶寬度方向邊緣之類的情況下，反而容易誘發(fā)異常放電。另 一方面，可考慮變更腐蝕間距，但正如上述現(xiàn)有技術(shù)中所示，中央磁鐵52和兩側(cè)的周邊磁 鐵的直線部53a間的間隔是固定的，這就需要更換磁鐵組本身，濺射裝置設(shè)置之后再進(jìn)行 此種變更操作顯然是非常麻煩的事情。專利文獻(xiàn)1 特開2005-----354765號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述問題，本發(fā)明的問題是提供一種磁控管濺射電極用的磁鐵組以及濺射裝 置，其不必更換磁鐵組即可簡(jiǎn)單地變更靶的腐蝕區(qū)域，使靶的使用效率高。為了解決上述問題，本發(fā)明的用于磁控管濺射電極的磁鐵組，在濺射室內(nèi)以彼此 相對(duì)設(shè)置的靶朝向基板的方向?yàn)樯希摯盆F組設(shè)置在靶的下側(cè)，在靶的上方形成隧道形的 磁力線，其特征在于前述磁鐵組包括沿靶長(zhǎng)度方向呈線狀設(shè)置的中央磁鐵，以及由中央磁 鐵兩側(cè)平行延伸的直線部和分別連接各直線部?jī)啥说墓諒澆繕?gòu)成的無(wú)端頭形狀的周邊磁 鐵，用以改變靶一側(cè)的極性；還具有通過(guò)相對(duì)移動(dòng)前述中央磁鐵和周邊磁鐵的直線部，即可 改變中央磁鐵及周邊磁鐵的相互間隔的變更裝置。若采用本發(fā)明，由于還具有可靈活自如地變更中央磁鐵和周邊磁鐵的直線部相互 間隔的變更裝置，因而與需要更換磁鐵組本身的現(xiàn)有技術(shù)相比，可用更簡(jiǎn)單的操作改變腐 蝕間距。其結(jié)果是若將此技術(shù)用于采用濺射成膜時(shí)為了提高靶的使用效率而使磁鐵組在 靶寬度方向上往返運(yùn)動(dòng)的裝置，可根據(jù)靶的種類及濺射條件，通過(guò)使腐蝕間距和行程的關(guān) 系最佳化，即可實(shí)現(xiàn)在靶寬度方向上大體均勻腐蝕該靶的構(gòu)成。在本發(fā)明中，可采用以下結(jié)構(gòu)前述拐彎部由長(zhǎng)度相同或不同的多塊磁鐵片組合 而成，可根據(jù)中央磁鐵和周邊磁鐵的直線部之間的間隔，通過(guò)更換磁鐵片維持前述周邊磁 鐵的無(wú)端頭形狀。此外，在變更上述間隔時(shí)，最好采用下述結(jié)構(gòu)使中央磁鐵及周邊磁鐵的直線部彼 此間的間隔在其長(zhǎng)度方向上呈均勻狀態(tài)，在把前述中央磁鐵設(shè)置在固定座上的同時(shí)，把周 邊磁鐵的直線部設(shè)置在可動(dòng)座上，前述變更裝置包括可使可動(dòng)座相對(duì)于固定座相對(duì)移動(dòng)的 調(diào)整螺釘，以及引導(dǎo)該調(diào)整螺釘?shù)膶?dǎo)向部；在變更中央磁鐵和周邊磁鐵的相互間隔后，設(shè)置 了固定可動(dòng)座的固定裝置。此外，為了解決上述問題，本發(fā)明的濺射裝置，其特征在于設(shè)置有磁控管濺射電 極，其具有權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的電極用磁鐵組；濺射室，其可保持真空狀態(tài)；氣 體導(dǎo)入裝置，其可將規(guī)定氣體導(dǎo)入該濺射室內(nèi)；濺射電源，其可給靶提供電力。


圖1是說(shuō)明本發(fā)明的濺射裝置的示意圖。圖2(a)、(b)是以基準(zhǔn)位置顯示磁鐵組的平面圖及B-B剖面圖。圖3(a)、(b)是變更間隔的說(shuō)明圖。
圖4(a) (C)是說(shuō)明邊使磁鐵組往返運(yùn)動(dòng)邊濺蝕靶情況下，腐蝕間隔和行程關(guān)系 發(fā)生變化時(shí)的靶寬度方向上的腐蝕狀況的剖面圖。
具體實(shí)施例方式下面參照

具有本發(fā)明的磁控管濺射電極C的濺射裝置SM。作為準(zhǔn)備處理 的基板S，使用制作平板顯示器時(shí)使用的頂視時(shí)為矩形的玻璃基板，在其表面形成鋁等規(guī)定 薄膜時(shí)的情況。如圖1所示，濺射裝置SM，例如是聯(lián)機(jī)式的裝置，具有可用回轉(zhuǎn)泵、渦輪分子泵等 真空排氣裝置(未圖示)保持規(guī)定的真空度的濺射室1。在濺射室1的上部空間內(nèi)設(shè)有基 板傳送裝置2?；鍌魉脱b置2具有公知的結(jié)構(gòu)，例如具有可安裝基板S的載物架21，通過(guò) 間歇性驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)裝置，即可把基板S依次傳送到與后述的靶相對(duì)的位置上。濺射室1內(nèi)設(shè)有氣體導(dǎo)入裝置3。氣體導(dǎo)入裝置3通過(guò)中間設(shè)有流量計(jì)31的氣體 管道32與氣源33連通，能以一定流量把氬氣等稀有氣體構(gòu)成的濺射氣體及反應(yīng)性濺射時(shí) 使用的反應(yīng)氣體導(dǎo)入濺射室1內(nèi)。對(duì)于反應(yīng)氣體可根據(jù)準(zhǔn)備在基板S表面上成膜的薄膜成 分加以選擇，可使用含氧、氮、碳、氫的氣體、臭氧、水或過(guò)氧化氫或者上述的混合氣體等。在 濺射室1的下側(cè)設(shè)置了磁控管濺射電極C。磁控管濺射電極C具有以面對(duì)濺射室1的形態(tài)設(shè)置的大致呈長(zhǎng)方體(頂視時(shí)為矩 形)的靶41和磁鐵組5。下文中把靶41朝向基板S的方向稱之“上”，把基板S朝向靶41 的方向稱為“下”加以說(shuō)明。此外，把靶寬度方向作為X方向加以說(shuō)明。靶41可根據(jù)準(zhǔn)備在基板S上成膜的鋁合金、Mo及ITO等薄膜成分，用公知方法分 別制作，對(duì)于靶41上面的濺蝕面411的面積可設(shè)定為大于基板S的外形尺寸。此外，靶41 的下面用銦及錫等焊接材料焊接著濺射期間冷卻靶41的墊板42。并在墊板42上焊接了靶 41的狀態(tài)下，通過(guò)絕緣板43安裝在框架44上。把靶41設(shè)置到濺射室1內(nèi)后，可在靶41的 濺射面411周圍安裝接地的具有陽(yáng)極功能的屏蔽件45。此外，靶41上連接著具有公知結(jié)構(gòu) 的濺射電源E的輸出端，可外加負(fù)的直流電壓或高頻電壓。正如圖2 (a)和(b)所示，磁鐵組5設(shè)置有支持板(支架)51，其與靶41的濺蝕面 411平行設(shè)置，由具有放大磁鐵吸力的磁性材料制成，大體呈橢圓形的平板結(jié)構(gòu)。支持板51 上設(shè)有中央磁鐵52，其設(shè)置在朝支持板51的長(zhǎng)度方向延伸的中心線上，以及周邊磁鐵53， 其以圍繞中央磁鐵52的形態(tài)，沿支持板51的上面外緣環(huán)形(無(wú)端頭形狀)設(shè)置，用以改變 靶一側(cè)的極性。周邊磁鐵53由在中央磁鐵52兩側(cè)平行延伸的直線部53a以及在各直線部 53a兩端分別以拱門形狀連接各直線部53a兩端的拐彎部5 構(gòu)成。此處，設(shè)計(jì)為中央磁鐵52換算為同磁化時(shí)的體積和周邊磁鐵53換算為同磁化時(shí) 的體積之和(周邊磁鐵中心磁鐵周邊磁鐵=1:2: 1，參照?qǐng)D1)。這樣即可在靶41 上方形成均勻的隧道形磁力線M1、M2(參照?qǐng)D1)。中央磁鐵52及周邊磁鐵53是公知的釹 磁鐵，這些中央磁鐵52及周邊磁鐵53例如可用具有規(guī)定體積的多塊磁鐵片MP、MP1排列而 成。在此情況下，構(gòu)成周邊磁鐵53的拐彎部53b的磁鐵片之中，至少垂直于寬度方向的磁 鐵片MPl通過(guò)用省略了圖示的螺釘?shù)裙潭ò惭b在支持板51上，使之可以簡(jiǎn)單裝卸。支持板51的寬度小于靶41的寬度，支持板51上附設(shè)了移動(dòng)裝置6 (參照?qǐng)D1)。 移動(dòng)裝置6可使用直動(dòng)式傳動(dòng)裝置等公知設(shè)備。并設(shè)定為濺射期間磁鐵組5可在X方向上的同一平面內(nèi)以規(guī)定速度及固定的行程MS往返運(yùn)動(dòng)。此處，正如前文所述，如果腐蝕間距 EP和行程MS的關(guān)系最佳，即可在其寬度方向上大致均勻地腐蝕靶41，但是腐蝕間距EP會(huì) 因靶種類及靶厚度以及濺射時(shí)成膜室的真空壓及濺射氣體的分壓等濺射條件而改變。為此，在本實(shí)施方式的磁鐵組5中，把中央磁鐵52設(shè)置在位于支持板51的中心線 上、且在整個(gè)支持板51的全長(zhǎng)上由具有規(guī)定高度的突條構(gòu)成的固定座51a上的同時(shí)，把周 邊磁鐵的兩個(gè)直線部5 設(shè)置在承載于支持板51上的、與中央磁鐵52的長(zhǎng)度大體一致的 可動(dòng)座M上。此外，在固定座51a及可動(dòng)座M上設(shè)置中央磁鐵52及周邊磁鐵53時(shí)，可將 固定座51a及可動(dòng)座M的高度設(shè)定為中央磁鐵52和周邊磁鐵53的上面處于與靶41的濺 射面大體平行的同一平面上，同時(shí)，周邊磁鐵53的拐彎部5 的磁鐵片MP、MP1也應(yīng)使用高 度一致的。并且，磁鐵組5還設(shè)置有通過(guò)使可動(dòng)座M相對(duì)于固定座51a相對(duì)移動(dòng)，可變更 中央磁鐵52和周邊磁鐵53的直線部53a之間的間隔的變更裝置。變更裝置包括立設(shè)在支持板側(cè)面51上的導(dǎo)向部51b在導(dǎo)向部51b的規(guī)定位置上 形成的螺孔51c，以及直至一端與可動(dòng)座M的外側(cè)面抵接可靈活拆卸地?cái)Q在螺孔51c中的 調(diào)整螺釘55。在支持板51的長(zhǎng)度方向上隔規(guī)定間隔設(shè)有多個(gè)(三個(gè)左右)導(dǎo)向部51b，但 也可在其整個(gè)長(zhǎng)度方向上形成。此外，調(diào)整螺釘55的設(shè)置數(shù)量可根據(jù)可動(dòng)座M的長(zhǎng)度等 適當(dāng)設(shè)定。在支持板51的下面沿支持板51的長(zhǎng)度方向隔規(guī)定間隔形成多個(gè)(三個(gè)左右)朝 寬度方向延伸的橫長(zhǎng)的凹部51d(參照?qǐng)D2(b))。并在可動(dòng)座M的下面與凹部51d的形成 位置對(duì)應(yīng)的位置上形成螺孔，利用插穿凹部51d的螺栓56即可把可動(dòng)座M固定到支持板 51上。凹部51d的設(shè)定數(shù)量可根據(jù)支持板51的長(zhǎng)度等適當(dāng)設(shè)定。下面針對(duì)本實(shí)施方式的磁鐵組5在安裝到濺射裝置SM上的狀態(tài)下，變更中央磁鐵 52和周邊磁鐵53的直線部53a的間隔的過(guò)程加以說(shuō)明。在圖2(b)所示的磁鐵組5的基準(zhǔn) 位置(可動(dòng)座討處于固定座51a和導(dǎo)向部51b的中間的位置)上，擰松螺栓56，解除可動(dòng) 座M在支持板51上的固定，即可移動(dòng)可動(dòng)座M。在該狀態(tài)下把調(diào)整螺釘55分別擰進(jìn)各螺 孔51c中直到一端接觸可動(dòng)座M的外側(cè)面。并在例如擴(kuò)大中央磁鐵52和周邊磁鐵53的 直線部53a之間的間隔情況下，一使調(diào)整螺釘55朝一方旋轉(zhuǎn)，可動(dòng)座M即可與之同步地相 對(duì)于固定座51a相對(duì)移動(dòng)。這樣即可移動(dòng)直線部53a以擴(kuò)大中央磁鐵52和周邊磁鐵53的直線部53a之間的 間隔。此時(shí)，各調(diào)整螺釘55依次或者同時(shí)朝同一個(gè)方向轉(zhuǎn)動(dòng)同樣的旋轉(zhuǎn)角度(或圈數(shù))。 其結(jié)果是，即使移動(dòng)直線部53a，仍可在其整個(gè)長(zhǎng)度上均勻保持與中央磁鐵52的間隔。而直 線部53a可在其外側(cè)面與導(dǎo)向部51b抵接之前移動(dòng)。另外，當(dāng)縮小中央磁鐵52和周邊磁鐵 53的直線部53a之間間隔的情況下，可在首先取下拐彎部5 的磁鐵片MPl中的中央以外 的部分后把調(diào)整螺釘陽(yáng)朝另一方向旋轉(zhuǎn)即可用與上述相同的方式使直線部53a移動(dòng)。接著，中央磁鐵52和周邊磁鐵53的直線部53a之間的間隔一達(dá)到所需間隔，即停 止調(diào)整螺釘55的旋轉(zhuǎn)，在該狀態(tài)下利用螺栓56把可動(dòng)座M重新固定到支持板51上。在該 狀態(tài)下，拐彎部5 在其寬度方向上產(chǎn)生相當(dāng)于使直線部53a向磁鐵片531兩側(cè)移動(dòng)量的 間隙。在該間隙上，把長(zhǎng)度相當(dāng)于間隙的其它磁鐵片MP2用螺釘固定安裝到支持板51上， 保持其無(wú)端頭形狀(參照?qǐng)D3(a))，結(jié)束磁鐵組5的變更操作(參照?qǐng)D3 (a))。而在縮小周 邊磁鐵53的直線部53a間的間隔情況下，在把可動(dòng)座M的內(nèi)側(cè)面與固定座51a抵接之前移動(dòng)時(shí)，只要預(yù)先規(guī)定上述磁鐵片MPl的長(zhǎng)度，通過(guò)使周邊磁鐵53的磁鐵片與未卸下的中 央的磁鐵片MPl抵接，維持無(wú)端頭形態(tài)即可(參照?qǐng)D3(b))，此外，當(dāng)產(chǎn)生間隙情況下，與上 述相同，可安裝長(zhǎng)度與間隙對(duì)應(yīng)的其他磁鐵片。上述操作一結(jié)束，即把濺射室1抽真空到規(guī)定的真空度，利用基板傳送裝置2把基 板S傳送到與靶41相對(duì)的位置。并在通過(guò)氣體導(dǎo)入裝置3導(dǎo)入規(guī)定的濺射氣體及反應(yīng)氣 體之后，通過(guò)濺射電源E給靶41外加負(fù)的直流電壓或高頻電壓。這樣即可在基板S及靶41 上形成垂直的電場(chǎng)，通過(guò)在靶41上方產(chǎn)生等離子，靶41被濺蝕，即可在基板S表面形成規(guī) 定的薄膜。此時(shí)，通過(guò)用磁力線Ml、M2捕獲靶上方電離的電子以及濺射產(chǎn)生的次級(jí)電子即 可提高靶前方的電子密度，通過(guò)提高這些電子和導(dǎo)入真空室1內(nèi)的濺射氣體的氣體分子的 碰撞概率，可提高靶41上方的等離子密度。若采用以上說(shuō)明的本實(shí)施方式，由于不必從濺射裝置SM上取下磁鐵組5就可變更 中央磁鐵52及周邊磁鐵53的直線部53a之間的間隔，因而與需要更換磁鐵組5本身的現(xiàn) 有技術(shù)相比，可用簡(jiǎn)單操作改變腐蝕間距EP。其結(jié)果是可通過(guò)使腐蝕間距EP和行程MS間 的關(guān)系最佳化，在其寬度方向上大體均勻地腐蝕靶。在此情況下，也可在濺射裝置的結(jié)構(gòu)允 許的范圍內(nèi)變更行程MS。為確認(rèn)上述效果進(jìn)行了以下試驗(yàn)。使用鋁制的靶41，用公知的方法制作成 180mmX2650mmX厚度16mm的頂視時(shí)大致呈長(zhǎng)方形形狀，將其接合到墊板42上。此外，作 為磁鐵組的支持板51使用的是具有100mm>^640mm外形尺寸的板材，在各支持板51上設(shè) 置了沿靶41的長(zhǎng)度方向的棒狀的中央磁鐵52和沿支持板51外周的周邊磁鐵53。在此情 況下，把中央磁鐵52和周邊磁鐵53的直線部53a間的初始中心間隔設(shè)定為34mm。并且，作為基板S使用的是具有2200mmX MOOmm外形尺寸的玻璃基板，此外，作為 濺射條件，把已被真空排氣的濺射室11內(nèi)的壓力保持在0.41 上，通過(guò)控制流量計(jì)31將作 為濺射氣體的氬氣導(dǎo)入濺射室11內(nèi)。靶41和玻璃基板間的距離設(shè)為150mm，提供給靶41 的直流電力(直流電壓)設(shè)為75KW，在達(dá)到IOOOOkWh前進(jìn)行了濺射。使磁鐵組5在X方向 上以25mm/sec的速度且以40mm的行程往返運(yùn)動(dòng)。以上述條件在基板表面上一形成鋁膜，即觀察距靶長(zhǎng)度方向的端部200mm處上靶 41寬度方向的腐蝕量，結(jié)果發(fā)現(xiàn)在靶寬度方向中央產(chǎn)生了局部腐蝕，說(shuō)明腐蝕不均勻。于是根據(jù)靶41寬度方向上的腐蝕形狀計(jì)算出相對(duì)移動(dòng)量(行程)，利用變更裝置 把中央磁鐵52和周邊磁鐵53的直線部53a間的初始間隔變更為40mm，在其它與上述相 同條件下進(jìn)行了濺射，結(jié)果證明，靶的局部性腐蝕得以防止，可在整個(gè)面上大體均勻地腐蝕 靶。上面就設(shè)置有本發(fā)明的實(shí)施方式的磁鐵組5的磁控管濺射電極C的濺射裝置SM 加以了說(shuō)明，但并不局限于上述方式。在上述實(shí)施方式中，是以中央磁鐵設(shè)置在固定座上為 例加以說(shuō)明的，但也可以采用把中央磁鐵也設(shè)置在可動(dòng)座上，使中央磁鐵及周邊磁鐵均可 在X方向上移動(dòng)的結(jié)構(gòu)。此外，上述實(shí)施方式是以調(diào)整螺釘55的前端固定在可動(dòng)座M的 外側(cè)面上為例加以說(shuō)明的，但也可將調(diào)整螺釘55設(shè)定為可靈活拆卸。附圖標(biāo)記說(shuō)明SM、濺射裝置，C、磁控管濺射電極，1、濺射室，41、靶，5、磁鐵組，51、支持板，51a、固 定座(突條)，51b、導(dǎo)向部(變更裝置)，52、中央磁鐵，53、周邊磁鐵，53a、直線部，5北、拐彎部，MP、MP 1、磁鐵片，54、可動(dòng)座，55、調(diào)整螺釘(變更裝置)，56、固定用螺栓(固定裝置)，6、 移動(dòng)裝置，3、氣體導(dǎo)入裝置，E、濺射電源，S、基板，M1、M2、磁力線。
權(quán)利要求
1.一種用于磁控管濺射電極的磁鐵組，在濺射室內(nèi)以彼此相對(duì)設(shè)置的靶朝向基板的方 向?yàn)樯?，所述磁鐵組設(shè)置在靶的下側(cè)，在靶的上方形成隧道形的磁力線，其特征在于所述磁 鐵組包括沿靶長(zhǎng)度方向呈線狀設(shè)置的中央磁鐵，以及由中央磁鐵兩側(cè)平行延伸的直線部和分別 連接各直線部?jī)啥说墓諒澆繕?gòu)成的無(wú)端頭形狀的周邊磁鐵，用以改變靶一側(cè)的極性；變更裝置，其通過(guò)相對(duì)移動(dòng)前述中央磁鐵和周邊磁鐵的直線部即可改變中央磁鐵及周 邊磁鐵的相互間隔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控管濺射電極用的磁鐵組，其特征在于采用以下構(gòu)成前 述拐彎部由長(zhǎng)度相同或不同的多塊磁鐵片組合而成，根據(jù)中央磁鐵和周邊磁鐵的直線部之 間的間隔，通過(guò)更換磁鐵片維持前述周邊磁鐵的無(wú)端頭形狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的磁控管濺射電極用的磁鐵組，其特征在于把前述中央磁鐵設(shè)置在前述固定座上的同時(shí)，把周邊磁鐵的直線部設(shè)置在可動(dòng)座上；前述變更裝置包括使可動(dòng)座相對(duì)于固定座相對(duì)移動(dòng)的調(diào)整螺釘，以及引導(dǎo)該調(diào)整螺釘 的導(dǎo)向部；在變更中央磁鐵和周邊磁鐵的相互間隔后，設(shè)置了固定可動(dòng)座的固定裝置。
4.一種濺射裝置，其特征在于設(shè)置有磁控管濺射電極，其具有權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的電極用磁鐵組；濺射室，其可保持真空狀態(tài)；氣體導(dǎo)入裝置，其可將規(guī)定氣體導(dǎo)入該濺射室內(nèi)；濺射電源，其可給靶提供電力。
全文摘要
本發(fā)明提供一種用于磁控管濺射電極的磁鐵組以及濺射裝置，其不必更換磁鐵組即可簡(jiǎn)單地改變靶的腐蝕區(qū)域，使靶的使用效率高。在濺射室內(nèi)以彼此相對(duì)設(shè)置的靶朝向基板的方向?yàn)樯希龃盆F組設(shè)置在靶的下側(cè)，在靶的上方形成隧道形的磁力線，所述述磁鐵組包括沿靶長(zhǎng)度方向呈線狀設(shè)置的中央磁鐵，以及由中央磁鐵兩側(cè)平行延伸的直線部和分別連接各直線部?jī)啥说墓諒澆繕?gòu)成的無(wú)端頭形狀的周邊磁鐵，用以改變靶一側(cè)的極性，還具有通過(guò)相對(duì)移動(dòng)前述中央磁鐵和周邊磁鐵的直線部，即可改變中央磁鐵及周邊磁鐵彼此間隔的變更裝置。
文檔編號(hào)H01J23/087GK102097270SQ20101058056
公開日2011年6月15日 申請(qǐng)日期2010年12月9日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月9日
發(fā)明者倉(cāng)田敬臣, 佐藤善勝, 佐藤重光, 新井真, 清田淳也, 磯部辰德 申請(qǐng)人:株式會(huì)社愛發(fā)科