專利名稱：彩色等離子顯示屏用MgO保護(hù)層的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及氣體輝光放電技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及一種彩色等離子顯示屏用MgO 保護(hù)層的制備方法。
背景技術(shù)：
目前，彩色等離子顯示屏的前基板上的介質(zhì)保護(hù)層一般為MgO薄膜，其常規(guī)的制 備方法是在富氧氣氛中采用電子束蒸發(fā)MgO顆粒的方法制備。該方法制備的MgO薄膜表面 非常致密，不易產(chǎn)生二次電子和儲(chǔ)存電荷，從而造成PDP屏放電時(shí)的放電延遲時(shí)間增加，影 響了 PDP屏的電氣性能。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在提供一種可以降低PDP屏的放電延遲時(shí)間，并且易于實(shí)現(xiàn)的彩色等離 子顯示屏用MgO保護(hù)層的制備方法。根據(jù)本發(fā)明的一種彩色等離子顯示屏用MgO保護(hù)層的制備方法，在富氧氣氛中， 在彩色等離子顯示屏的玻璃基板上在介質(zhì)層上蒸鍍厚度為600-800nm的薄膜保護(hù)層，然后 在其上采用等離子體噴涂技術(shù)再沉積一層單位面積覆蓋率為5% 80%，粒徑為30-500nm 的MgO顆粒層。進(jìn)一步地，薄膜保護(hù)層由MgO構(gòu)成。優(yōu)選地，所述MgO顆粒層的單位面積覆蓋率為5%至40%，粒徑為30-300nm。優(yōu)選地，所述MgO顆粒層的單位面積覆蓋率為10%至40%，粒徑為80-300nm。優(yōu)選地，所述MgO顆粒層的單位面積覆蓋率為10%至30%，粒徑為80-200nm。優(yōu)選地，所述MgO顆粒層的單位面積覆蓋率為15%至20%，粒徑為100-150nm。優(yōu)選地，所述MgO顆粒層的單位面積覆蓋率為約15至18%，粒徑為100-150nm。進(jìn)一步地，玻璃基板上制備有ITO透明電極、BUS電極和介質(zhì)層。進(jìn)一步地，薄膜保護(hù)層設(shè)置在彩色等離子顯示屏的前基板中。采用本發(fā)明的彩色等離子顯示屏用MgO保護(hù)層的制備方法，在彩色等離子顯示屏 的玻璃基板上在介質(zhì)層上蒸鍍厚度為600-800nm的薄膜保護(hù)層，然后在其上采用等離子體 噴涂技術(shù)再沉積一層相對(duì)疏松的MgO顆粒層。此制備方法一方面保護(hù)電極和介質(zhì)層免受惰 性氣體輝光放電產(chǎn)生的等離子體的轟擊，從而提高PDP的使用壽命；另一方面可以降低放 電延遲時(shí)間，并且提供一定的受激發(fā)的二次電子，從而降低著火電壓，從而提高PDP屏的電 氣性能。其中，采用P彩色層的同厚度的介質(zhì)層。


圖1示出了彩色等離子顯示屏的前基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式在本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施方式
中，提供了一種彩色等離子顯示屏用MgO保護(hù)層 的制備方法，在富氧氣氛中，在彩色等離子顯示屏的玻璃基板上在介質(zhì)層上蒸鍍厚度為 600-800nm的薄膜保護(hù)層，然后在其上采用等離子體噴涂技術(shù)再沉積一層單位面積覆蓋率 為5 % 80 %，粒徑為30-500nm的MgO顆粒層。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，薄膜保護(hù)層由MgO構(gòu)成。在一個(gè)更優(yōu)選實(shí)施方式中，所述MgO顆粒層的單位面積覆蓋率為5 %至40 %，粒徑 為 30-300nm。在另一個(gè)更優(yōu)選實(shí)施方式中，所述MgO顆粒層的單位面積覆蓋率為10%至40%， 粒徑為80-300nm。在又一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，所述MgO顆粒層的單位面積覆蓋率為10%至30%，粒 徑為 80-200nm。在另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，所述MgO顆粒層的單位面積覆蓋率為15%至20%，粒 徑為 100-150nm。在又一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，所述MgO顆粒層的單位面積覆蓋率為約15至18%，粒 徑為 100-150nm。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，玻璃基板上制備有ITO透明電極、BUS電極和介質(zhì)層。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，，薄膜保護(hù)層設(shè)置在彩色等離子顯示屏的前基板中。下面將結(jié)合實(shí)施例和比較例，來詳細(xì)說明本發(fā)明。以下采用等離子體噴涂技術(shù)再 沉積的MgO顆粒層的粒徑為MgO顆粒層的平均粒徑或中值粒徑。在介質(zhì)層上蒸鍍的厚度為600-800nm的薄膜保護(hù)層，即第一層MgO保護(hù)層，使用日 本真空株式會(huì)社的EIH-135型真空蒸鍍機(jī)進(jìn)行涂覆。MgO顆粒層噴涂使用北京新迪表面技術(shù)設(shè)備有限公司的CMD-PA60型等離子噴涂 設(shè)備進(jìn)行涂覆。在制備有ITO透明電極、BUS電極和介質(zhì)層的彩色等離子顯示屏的玻璃基板上，在 氧分壓為1 10 的富氧氣氛條件下，在該玻璃基板上的介質(zhì)層上蒸鍍厚度為600-800nm 的MgO薄膜保護(hù)層，然后在其上采用等離子體噴涂技術(shù)再沉積一層單位面積覆蓋率為 5 % 80 %，粒徑為30-500nm的MgO顆粒層。對(duì)于包含由此制得的前基板的彩色等離子顯示屏測(cè)試其放電延遲、著火電壓、以 及壽命等性能。(1)放電延遲用光電倍增管對(duì)輸入和輸出的波形進(jìn)行比對(duì)測(cè)量放電延遲，儀器 型號(hào) H10721-20 ；(2)著火電壓在老煉機(jī)上對(duì)顯示屏老煉后進(jìn)行著火電壓的測(cè)量，儀器型號(hào) PROSYS PSE-4106 ；(3)壽命用亮度計(jì)對(duì)亮度進(jìn)行測(cè)量，當(dāng)亮度降到初始亮度值50%時(shí)，認(rèn)為壽命終 了，儀器型號(hào)CS-100A。氣體放電產(chǎn)生的正離子轟擊MgO保護(hù)層后，會(huì)在膜層表面產(chǎn)生挖掘作用形成凹 陷，而噴涂了 MgO顆粒后，轟擊后產(chǎn)生的MgO濺射會(huì)迅速堆積在MgO顆粒上，如此可經(jīng)受更 長(zhǎng)時(shí)間的離子轟擊，從而提高了 PDP壽命。
氣體放電產(chǎn)生的正離子轟擊MgO保護(hù)層后，會(huì)在膜層表面產(chǎn)生挖掘作用形成凹 陷，凹陷處的放電延遲將變長(zhǎng)。而噴涂了 MgO顆粒后，轟擊后產(chǎn)生的MgO濺射會(huì)迅速堆積在 MgO顆粒上，此時(shí)的放電延遲將發(fā)生在MgO顆粒處使得放電延遲相對(duì)縮短。MgO保護(hù)層表面狀況變化會(huì)使氣體電離后的正離子轟擊該膜層的二次電子發(fā)射系 數(shù)產(chǎn)生變化，二次電子發(fā)射系數(shù)的變化就會(huì)影響到著火電壓的變化，二者在一定程度上成 反比關(guān)系。通過等離子噴涂的MgO顆粒層改變了原MgO保護(hù)層表面形貌，使得其二次電子 發(fā)射系數(shù)提高，從而降低了著火電壓。本發(fā)明的方法提供的彩色等離子顯示屏用MgO保護(hù)層一方面保護(hù)電極和介質(zhì)層 免受惰性氣體輝光放電產(chǎn)生的等離子體的轟擊，從而提高PDP的使用壽命；另一方面可以 降低放電延遲時(shí)間，并且提供一定的受激發(fā)的二次電子，從而降低著火電壓。實(shí)施例比較例1 (空白對(duì)照試驗(yàn))制備彩色等離子顯示屏，其中在制備有ITO透明電極、BUS電極和介質(zhì)層的彩色等 離子顯示屏的玻璃基板上，在氧分壓為1 10 的富氧氣氛條件下，在該玻璃基板上的介 質(zhì)層上蒸鍍厚度為600-800nm的MgO薄膜保護(hù)層。對(duì)于包含由此制得的前基板的彩色等 離子顯示屏測(cè)試其放電延遲、著火電壓、以及壽命等性能。其著火電壓為295V，放電延遲為 1. 55 μ S，壽命為 60000h。實(shí)施例1在制備有ITO透明電極、BUS電極和介質(zhì)層的彩色等離子顯示屏的玻璃基板上，在 氧分壓為1 10 的富氧氣氛條件下，在該玻璃基板上的介質(zhì)層上蒸鍍厚度為600-800nm 的MgO薄膜保護(hù)層，然后在其上采用等離子體噴涂技術(shù)再沉積一層單位面積覆蓋率在約 5 %，平均粒徑為約30nm的MgO顆粒層。對(duì)于包含由此制得的前基板的彩色等離子顯示屏測(cè)試其放電延遲、著火電壓、以 及壽命等性能。與比較例1相比，包含由此制得的前基板的彩色等離子顯示屏的放電延遲為 1. 5 μ s，縮短了 0. 05 μ s，著火電壓為290V，降低了 5V，壽命無(wú)改善。實(shí)施例2在制備有ITO透明電極、BUS電極和介質(zhì)層的彩色等離子顯示屏的玻璃基板上，在 氧分壓為1 10 的富氧氣氛條件下，在該玻璃基板上的介質(zhì)層上蒸鍍厚度為600-800nm 的MgO薄膜保護(hù)層，然后在其上采用等離子體噴涂技術(shù)再沉積一層單位面積覆蓋率約 10 %，粒徑為約30nm的MgO顆粒層。對(duì)于包含由此制得的前基板的彩色等離子顯示屏測(cè)試其放電延遲、著火電壓、以 及壽命等性能。與比較例1相比，包含由此制得的前基板的彩色等離子顯示屏的放電延遲為 1.4 μ s，縮短了 0. 15 μ s，著火電壓為285V，降低10V，壽命無(wú)改善。實(shí)施例3按照與實(shí)施例1相同的方式制備彩色等離子顯示屏的前基板，只是用等離子噴涂 的MgO顆粒層單位面積覆蓋率為約10%，粒徑為約80nm。對(duì)于包含由此制得的前基板的彩色等離子顯示屏測(cè)試其放電延遲、著火電壓、以及壽命等性能。與比較例1相比，包含由此制得的前基板的彩色等離子顯示屏的放電延遲 為1. 05 μ s，縮短了 0. 5 μ s，著火電壓為285V，降低了 10V，壽命延長(zhǎng)2000h。實(shí)施例4按照與實(shí)施例1相同的方式制備彩色等離子顯示屏的前基板，只是用等離子噴涂 的MgO顆粒層單位面積覆蓋率為約15%，粒徑為約lOOnm。對(duì)于包含由此制得的前基板的彩色等離子顯示屏測(cè)試其放電延遲、著火電壓、以 及壽命等性能。與比較例1相比，包含由此制得的前基板的彩色等離子顯示屏的放電延遲 為0.8 μ s，縮短了 0. 75 μ s，著火電壓為^OV,降低了 15V，壽命延長(zhǎng)3000h。實(shí)施例5按照與實(shí)施例1相同的方式制備彩色等離子顯示屏的前基板，只是用等離子噴涂 的MgO顆粒層單位面積覆蓋率為約15%，粒徑為約150nm。對(duì)于包含由此制得的前基板的彩色等離子顯示屏測(cè)試其放電延遲、著火電壓、以 及壽命等性能。與比較例1相比，包含由此制得的前基板的彩色等離子顯示屏的放電延遲 為0.7 μ s，縮短了 0. 85 μ s，著火電壓為275V，降低了 25V，壽命延長(zhǎng)3000h。實(shí)施例6按照與實(shí)施例1相同的方式制備彩色等離子顯示屏的前基板，只是用等離子噴涂 的MgO顆粒層單位面積覆蓋率為約20%，粒徑為約150nm。對(duì)于包含由此制得的前基板的彩色等離子顯示屏測(cè)試其放電延遲、著火電壓、以 及壽命等性能。與比較例1相比，包含由此制得的前基板的彩色等離子顯示屏的放電延遲 為0. 8 μ S，縮短了 0. 75 μ S，著火電壓為275V，降低了 20V，壽命延長(zhǎng)IOOOh0實(shí)施例7按照與實(shí)施例1相同的方式制備彩色等離子顯示屏的前基板，只是用等離子噴涂 的MgO顆粒層單位面積覆蓋率為約30%，粒徑為約lOOnm。對(duì)于包含由此制得的前基板的彩色等離子顯示屏測(cè)試其放電延遲、著火電壓、以 及壽命等性能。與比較例1相比，包含由此制得的前基板的彩色等離子顯示屏的放電延遲 為1.0 μ S，縮短了 0. 55 μ S，著火電壓為^OV,降低了 15V，壽命延長(zhǎng)2000h。實(shí)施例8按照與實(shí)施例1相同的方式制備彩色等離子顯示屏的前基板，只是用等離子噴涂 的MgO顆粒層單位面積覆蓋率為約30%，粒徑為約150nm。對(duì)于包含由此制得的前基板的彩色等離子顯示屏測(cè)試其放電延遲、著火電壓、以 及壽命等性能。與比較例1相比，包含由此制得的前基板的彩色等離子顯示屏的放電延遲 為0.8 μ s，縮短了 0. 75 μ s，著火電壓為285V，降低了 10V，壽命延長(zhǎng)3000h。實(shí)施例9按照與實(shí)施例1相同的方式制備彩色等離子顯示屏的前基板，只是用等離子噴涂 的MgO顆粒層單位面積覆蓋率為約10%，粒徑為約200nm。對(duì)于包含由此制得的前基板的彩色等離子顯示屏測(cè)試其放電延遲、著火電壓、以 及壽命等性能。與比較例1相比，包含由此制得的前基板的彩色等離子顯示屏的放電延遲 為0.5 μ s，縮短了 1.05 μ s，著火電壓為^OV,降低了 35V，壽命延長(zhǎng)lOOOh。實(shí)施例10
按照與實(shí)施例1相同的方式制備彩色等離子顯示屏的前基板，只是用等離子噴涂 的MgO顆粒層單位面積覆蓋率為約10%，粒徑為約300nm。對(duì)于包含由此制得的前基板的彩色等離子顯示屏測(cè)試其放電延遲、著火電壓、以 及壽命等性能。與比較例1相比，包含由此制得的前基板的彩色等離子顯示屏的放電延遲 為0. 65 μ s，縮短了 0.9 μ s，著火電壓為^OV,降低了 35V，壽命延長(zhǎng)2000h。實(shí)施例11按照與實(shí)施例1相同的方式制備彩色等離子顯示屏的前基板，只是用等離子噴涂 的MgO顆粒層單位面積覆蓋率為約40%，粒徑為約300nm。對(duì)于包含由此制得的前基板的彩色等離子顯示屏測(cè)試其放電延遲、著火電壓、以 及壽命等性能。與比較例1相比，包含由此制得的前基板的彩色等離子顯示屏的放電延遲 為1. 0 μ s，縮短了 0. 55 μ s，著火電壓為275V，降低了 20V，壽命縮短2000h。實(shí)施例12按照與實(shí)施例1相同的方式制備彩色等離子顯示屏的前基板，只是用等離子噴涂 的MgO顆粒層單位面積覆蓋率為約80%，粒徑為約500nm。對(duì)于包含由此制得的前基板的彩色等離子顯示屏測(cè)試其放電延遲、著火電壓、以 及壽命等性能。與比較例1相比，包含由此制得的前基板的彩色等離子顯示屏的放電延遲 為1.45 μ S，縮短了 0. 1 μ S，著火電壓為290V，降低了 5V，壽命縮短IOOOOh0性能效果測(cè)試從放電延遲時(shí)間、著火電壓、壽命三個(gè)性能方面對(duì)各個(gè)實(shí)施例和比較例中所得到 的彩色等離子顯示屏進(jìn)行測(cè)試。(1)放電延遲用光電倍增管對(duì)輸入和輸出的波形進(jìn)行比對(duì)測(cè)量放電延遲，儀器 型號(hào) Η10721-20 ；(2)著火電壓在老煉機(jī)上對(duì)顯示屏老煉后進(jìn)行著火電壓的測(cè)量，儀器型號(hào) PROSYS PSE-4106 ；(3)壽命用亮度計(jì)對(duì)亮度進(jìn)行測(cè)量，當(dāng)亮度降到初始亮度值50%時(shí)，認(rèn)為壽命終 了，儀器型號(hào)CS-100A。對(duì)于放電延遲時(shí)間、著火電壓、壽命三個(gè)性能的測(cè)試結(jié)果示出于表1中。表 權(quán)利要求
1.一種彩色等離子顯示屏用MgO保護(hù)層的制備方法，包括以下步驟，在氧分壓為 1 10 的富氧氣氛條件中，在彩色等離子顯示屏的玻璃基板上的介質(zhì)層上蒸鍍厚度為 600-800nm的薄膜保護(hù)層，然后在其上采用等離子體噴涂技術(shù)再沉積一層單位面積覆蓋率 為5%至80%的MgO顆粒層，所述MgO顆粒層的粒徑為30-500nm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的彩色等離子顯示屏用MgO保護(hù)層的制備方法，其特征在于，所 述MgO顆粒層的單位面積覆蓋率為5%至40%，粒徑為30-300nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的彩色等離子顯示屏用MgO保護(hù)層的制備方法，其特征在于，所 述MgO顆粒層的單位面積覆蓋率為10%至40%，粒徑為80-300nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的彩色等離子顯示屏用MgO保護(hù)層的制備方法，其特征在于，所 述MgO顆粒層的單位面積覆蓋率為10%至30%，粒徑為80-200nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的彩色等離子顯示屏用MgO保護(hù)層的制備方法，其特征在于，所 述MgO顆粒層的單位面積覆蓋率為15%至20%，粒徑為100-150nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的彩色等離子顯示屏用MgO保護(hù)層的制備方法，其特征在于，所 述MgO顆粒層的單位面積覆蓋率為約15至18%，粒徑為100-150nm。
7.根據(jù)上述權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的彩色等離子顯示屏用MgO保護(hù)層的制備方 法，其特征在于，所述玻璃基板上制備有ITO透明電極、BUS電極和介質(zhì)層。
8.根據(jù)上述權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的彩色等離子顯示屏用MgO保護(hù)層的制備方法，其特 征在于，所述薄膜保護(hù)層設(shè)置在彩色等離子顯示屏的前基板中。
9.根據(jù)上述權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的彩色等離子顯示屏用MgO保護(hù)層的制備方法，其特 征在于，所述薄膜保護(hù)層由MgO構(gòu)成。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種彩色等離子顯示屏用MgO保護(hù)層的制備方法，在氧分壓為1～10Pa的富氧氣氛中，在彩色等離子顯示屏的玻璃基板上在介質(zhì)層上蒸鍍厚度為600-800nm的薄膜保護(hù)層，然后在其上采用等離子體噴涂技術(shù)再沉積一層單位面積覆蓋率為5％至80％的MgO顆粒層，所述MgO顆粒層的粒徑為30-500nm。此制備方法一方面保護(hù)電極和介質(zhì)層免受惰性氣體輝光放電產(chǎn)生的等離子體的轟擊，從而提高PDP的使用壽命；另一方面可以降低放電延遲時(shí)間，并且提供一定的受激發(fā)的二次電子，進(jìn)而降低著火電壓，從而提高PDP屏的電氣性能。
文檔編號(hào)H01J9/24GK102087943SQ201010620468
公開日2011年6月8日 申請(qǐng)日期2010年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月30日
發(fā)明者呂旭東, 閆梁臣 申請(qǐng)人:四川虹歐顯示器件有限公司