專利名稱：芯片刻蝕設(shè)備的下電極頂針的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種芯片刻蝕設(shè)備，具體涉及一種芯片刻蝕設(shè)備的下電極頂針。
背景技術(shù)：
在芯片刻蝕設(shè)備中，需要在工藝腔中設(shè)置下電極頂針，該下電極頂針作為晶片在 腔體間傳送過(guò)程中上下頂放元晶的轉(zhuǎn)送部件?，F(xiàn)有的下電極頂針采用樹脂材質(zhì)。由于晶片在工藝傳送過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生物理磨損， 而在Dry clean (干洗)模式下Plasma (等離子體)也會(huì)對(duì)下電極頂針造成消耗，因此現(xiàn)有 的下電極頂針極易被磨損，而由于下電極頂針損耗的不平均又會(huì)導(dǎo)致腔體工藝時(shí)背壓報(bào)警 頻發(fā)。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種芯片刻蝕設(shè)備的下電極頂針，它可以 減少頂針的損耗。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型芯片刻蝕設(shè)備的下電極頂針的技術(shù)解決方案 為包括圓盤形基座、頂針，圓盤形基座上固定設(shè)置有多個(gè)頂針，多個(gè)頂針相對(duì)于圓盤 形基座圓周均布；多個(gè)頂針的高度相等。所述圓盤形基座的中心設(shè)有一臺(tái)階孔和不少于一個(gè)通孔。所述臺(tái)階孔和通孔在同一直線上。本實(shí)用新型可以達(dá)到的技術(shù)效果是本實(shí)用新型能夠提高下電極頂針的使用壽命，減少頂針的損耗，并能夠降低生產(chǎn) 時(shí)由于頂針損耗不平均導(dǎo)致的故障率，提高相關(guān)機(jī)臺(tái)的運(yùn)行穩(wěn)定性。
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明


圖1是本實(shí)用新型芯片刻蝕設(shè)備的下電極頂針的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中附圖標(biāo)記說(shuō)明1為圓盤形基座，2為頂針，3為臺(tái)階孔， 4為通孔。
具體實(shí)施方式
如
圖1所示，本實(shí)用新型芯片刻蝕設(shè)備的下電極頂針，包括圓盤形基座1、頂針2， 圓盤形基座1上固定設(shè)置有多個(gè)頂針2，多個(gè)頂針2相對(duì)于圓盤形基座1圓周均布；多個(gè)頂 針2的高度相等；圓盤形基座1的中心設(shè)有一臺(tái)階孔3，該臺(tái)階孔用于穿設(shè)固定螺栓；[0018]圓盤形基座1還設(shè)有兩個(gè)通孔4，用于穿設(shè)定位螺栓。兩個(gè)通孔4及臺(tái)階孔3在同一直線上。下電極頂針采用陶瓷材料制成。由于陶瓷材料是電與熱的絕緣體，可以避免在Dry clean時(shí)導(dǎo)致的電弧放電；且由于陶瓷材料的耐磨性和耐腐蝕性，相比于樹脂材料有更長(zhǎng) 的使用周期和更高的穩(wěn)定性。
權(quán)利要求1.一種芯片刻蝕設(shè)備的下電極頂針，其特征在于包括圓盤形基座、頂針，圓盤形基座 上固定設(shè)置有多個(gè)頂針，多個(gè)頂針相對(duì)于圓盤形基座圓周均布；多個(gè)頂針的高度相等。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片刻蝕設(shè)備的下電極頂針，其特征在于所述圓盤形基座 的中心設(shè)有一臺(tái)階孔和不少于一個(gè)通孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的芯片刻蝕設(shè)備的下電極頂針，其特征在于所述臺(tái)階孔和通 孔在同一直線上。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種芯片刻蝕設(shè)備的下電極頂針，包括圓盤形基座、頂針，圓盤形基座上固定設(shè)置有多個(gè)頂針，多個(gè)頂針相對(duì)于圓盤形基座圓周均布；多個(gè)頂針的高度相等。本實(shí)用新型能夠提高下電極頂針的使用壽命，減少頂針的損耗，并能夠降低生產(chǎn)時(shí)由于頂針損耗不平均導(dǎo)致的故障率，提高相關(guān)機(jī)臺(tái)的運(yùn)行穩(wěn)定性。
文檔編號(hào)H01J37/32GK201877401SQ20102064547
公開日2011年6月22日 申請(qǐng)日期2010年12月7日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月7日
發(fā)明者孫希, 潘敬楨 申請(qǐng)人:上海華虹Nec電子有限公司