專利名稱：離子源弧室的制作方法
技術領域：
離子源弧室
技術領域：
本實用新型涉及一種離子源弧室。背景技術：
傳統(tǒng)的離子源弧室，當離子源工作一段時間后蓋板會因為不斷的被離子沖擊，使弧室孔越來越大，吸取電流也跟隨變大，束流穩(wěn)定性變差，注入均勻性變差。而且，當吸取電流到達一定數(shù)值時，高壓變得不穩(wěn)定，引起束流不穩(wěn)定，并且起弧也變得越來越難。因此，傳統(tǒng)的蓋板使用兩、三個離子源周期后就需要更換，使用壽命較短。

實用新型內(nèi)容基于此，有必要提供一種蓋板使用壽命較長的離子源弧室。一種離子源弧室，包括蓋板及具有容置空間的弧室壁，所述容置空間具有一開口， 所述離子源弧室還包括尺寸與所述蓋板匹配的墊片，所述墊片與所述蓋板重疊后蓋設于所述開口處，所述蓋板中間部位開設有蓋板孔，所述墊片與所述蓋板孔相對應的位置開設有墊片孔，所述墊片孔的尺寸小于所述蓋板孔的尺寸，使離子束通過所述墊片孔時被所述墊片所遮擋。優(yōu)選的，所述蓋板與所述墊片重疊后所述蓋板設置于遠離所述容置空間的一側(cè)。優(yōu)選的，所述弧室壁包括底板、設置在所述底板上并與所述底板圍成容置空間的側(cè)壁。優(yōu)選的，所述墊片厚度為0.6 0.8mm。優(yōu)選的，所述墊片厚度為0.7mm。優(yōu)選的，所述墊片孔為長條狀，其尺寸為4. 85mmX2. 2mmX0. 6mm。優(yōu)選的，所述蓋板孔為梯形孔，所述蓋板孔靠近所述容置空間的開口尺寸較大，而遠離所述容置空間的開口尺寸較小。這種離子源弧室，通過增加了墊片，能夠很好的控制弧室孔孔徑，從而改善吸取電流、束流穩(wěn)定性和注入均勻性，當弧室孔孔徑發(fā)生變化后，更換墊片即可，從而延長了蓋板的使用壽命。

圖1為一實施方式的離子源弧室的剖面示意圖；圖2為圖1所示離子源弧室的蓋板的俯視圖；圖3為圖2所示蓋板的剖面示意圖；圖4為圖1所示離子源弧室的墊片的俯視圖；圖5為圖4所示墊片的剖面示意圖。
具體實施方式[0018]
以下結(jié)合附圖和實施例對離子源弧室做進一步的解釋說明。如圖1所示的離子源弧室，包括底板10、側(cè)壁20、墊片30以及蓋板40。本實施例中，由側(cè)壁20和蓋板40組成弧室壁；在其他的實施例中，弧室壁也可以是一體成型的。側(cè)壁20設置在底板10上，并與底板10圍成一容置空間50。墊片30與蓋板40尺寸大致相等，墊片30與蓋板40重疊后放置在容置空間50的開口處，且墊片30位于靠近容置空間50的一側(cè)。如圖2和圖3所示的蓋板40，中間開設有蓋板孔42，蓋板孔42為梯形孔，靠近容置空間50的開口尺寸較大，而遠離容置空間50的開口尺寸較小。如圖4和圖5所示的墊片30，墊片30在與蓋板40設有蓋板孔42的對應位置，即墊片30中間開設有墊片孔32。墊片30厚度可以為0. 6 0. 8mm，本實施方式中，厚度為0. 7mm。墊片孔32為長條狀，尺寸為4. 85mmX2. 2mmX0. 6mm，蓋板孔42大于墊片孔32。墊片30材質(zhì)與蓋板40相同，規(guī)格上墊片30與蓋板40相匹配，墊片孔32和蓋板孔42共同起到限制離子束的作用，即墊片孔32和蓋板孔42共同組成弧室孔，從而能夠很好的控制弧室孔孔徑，從而改善吸取電流、束流穩(wěn)定性和注入均勻性。由于墊片孔32的尺寸小于蓋板孔42的開口尺寸，使得離子束首先沖擊墊片32，當墊片孔32的孔徑發(fā)生變化后，只需要更換墊片30即可，而不同于傳統(tǒng)的離子源弧室，需要更換蓋板40，從而延長了蓋板40的使用壽命。一般的，蓋板40厚度比墊片30大很多，墊片30的制作成本遠低于蓋板40，這樣就降低了生產(chǎn)成本。以上所述實施例僅表達了本實用新型的一種或幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本實用新型專利范圍的限制。應當指出的是，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本實用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本實用新型的保護范圍。因此，本實用新型專利的保護范圍應以所附權(quán)利要求為準。
權(quán)利要求1.一種離子源弧室，包括蓋板及具有容置空間的弧室壁，所述容置空間具有一開口，其特征在于，所述離子源弧室還包括尺寸與所述蓋板匹配的墊片，所述墊片與所述蓋板重疊后蓋設于所述開口處，所述蓋板中間部位開設有蓋板孔，所述墊片與所述蓋板孔相對應的位置開設有墊片孔，所述墊片孔的尺寸小于所述蓋板孔的尺寸，使離子束通過所述墊片孔時被所述墊片所遮擋。
2.如權(quán)利要求1所述的離子源弧室，其特征在于，所述蓋板與所述墊片重疊后所述蓋板設置于遠離所述容置空間的一側(cè)。
3.如權(quán)利要求1所述的離子源弧室，其特征在于，所述弧室壁包括底板、設置在所述底板上并與所述底板圍成容置空間的側(cè)壁。
4.如權(quán)利要求1所述的離子源弧室，其特征在于，所述墊片厚度為0.6 0. 8mm。
5.如權(quán)利要求4所述的離子源弧室，其特征在于，所述墊片厚度為0.7mm。
6.如權(quán)利要求1所述的離子源弧室，其特征在于，所述墊片孔為長條狀，其尺寸為 4. 85mmX 2. 2mmX0. 6mm。
7.如權(quán)利要求1所述的離子源弧室，其特征在于，所述蓋板孔為梯形孔，所述蓋板孔靠近所述容置空間的開口尺寸較大，而遠離所述容置空間的開口尺寸較小。
專利摘要本實用新型公開了一種離子源弧室，包括蓋板及具有容置空間的弧室壁，所述容置空間具有一開口，所述離子源弧室還包括尺寸與所述蓋板匹配的墊片，所述墊片與所述蓋板重疊后蓋設于所述開口處，所述蓋板中間部位開設有蓋板孔，所述墊片與所述蓋板孔相對應的位置開設有墊片孔，所述墊片孔的尺寸小于所述蓋板孔的尺寸，使離子束通過所述墊片孔時被所述墊片所遮擋。這種離子源弧室，通過增加了墊片，能夠很好的控制弧室孔孔徑，從而改善吸取電流、束流穩(wěn)定性和注入均勻性，當弧室孔孔徑發(fā)生變化后，更換墊片即可，從而延長了蓋板的使用壽命。
文檔編號H01J37/32GK202094079SQ201020662788
公開日2011年12月28日 申請日期2010年12月16日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月16日
發(fā)明者周長銀, 林義鵬, 武大柱 申請人:深圳深愛半導體股份有限公司