專利名稱：帶透明導(dǎo)電膜的基板及等離子體顯示器面板用基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及帶透明導(dǎo)電膜的基板以及使用該帶透明導(dǎo)電膜的基板的等離子體顯示器面板(PDP)用基板。
背景技術(shù)：
在制作PDP的前面板時，在玻璃透明基板上依次形成透明導(dǎo)電膜和匯流電極。作為透明導(dǎo)電膜，已知氧化銦系、氧化鋅系、氧化錫系。作為氧化銦系，ITO(摻錫氧化銦)特別有名并且得到廣泛使用。作為廣泛使用ITO的理由，可以列舉其低電阻性和良好的圖案化性。但是，已知銦的儲量少，因此期待開發(fā)替代材料。氧化錫(SnO2)膜是可以期待作為其替代材料的材料。但是，為了賦予氧化錫導(dǎo)電性，需要使用將來可能在環(huán)境方面存在擔(dān)憂的銻作為摻雜劑。在專利文獻(xiàn)1中，為了解決該問題提出了一種透明導(dǎo)電膜，該透明導(dǎo)電膜以氧化錫作為主成分，并且含有選自由鈮、鎢、 鉭、鉍和鉬組成的A摻雜劑組中的至少一種元素和銅元素作為摻雜劑。在專利文獻(xiàn)1中記載的透明導(dǎo)電膜的情況下，銅元素是作為濺射靶的燒結(jié)助劑而含有的成分，賦予氧化錫導(dǎo)電性的是A摻雜劑組的元素。另外，在專利文獻(xiàn)2中，為了解決上述問題提出了一種透明導(dǎo)電膜，該透明導(dǎo)電膜以氧化錫作為主成分，并且含有選自由鋅、鈮、鈦、鎂、鋁和鋯組成的A摻雜劑組中的至少一種元素和選自由鎢、鉭和鉬組成的B摻雜劑組中的至少一種元素作為摻雜劑。在透明導(dǎo)電膜上形成匯流電極的情況下，在該透明導(dǎo)電膜上涂布含有玻璃粉的銀漿后，在500 600°C下進(jìn)行煅燒，由此形成匯流電極(銀電極)(參考專利文獻(xiàn)3)。以下， 在本說明書中，有時將含有玻璃粉的銀漿簡稱為“銀漿”。但是，使用銀漿形成匯流電極(銀電極)時，存在玻璃透明基板顯黃色(黃變)，使用該基板制造的PDP中彩色顯示的品質(zhì)下降的問題。即，存在顯示白色的畫面在銀電極四周帶有黃色調(diào)，或者顯示藍(lán)色的畫面的亮度下降的問題。該黃變可能是由下述原因引起的在使用銀漿形成電極(銀電極)時，銀漿中的 Ag離子從玻璃透明基板表面擴(kuò)散到內(nèi)部(表面層)，被在該表面層中存在的iV+、Sn2+等還原為Ag°，該Ag°凝聚而生成的膠體顯色而引起黃變。作為防止該黃變的方法，在專利文獻(xiàn)4中提出了對通過浮法而形成為板狀的玻璃基板的要形成金屬電極的面進(jìn)行研磨，由此除去在該面上形成的還原性的異質(zhì)層的技術(shù)。 在專利文獻(xiàn)5中，提出了在退火爐入口或退火爐上游側(cè)對通過浮法形成為板狀的玻璃板的表面連續(xù)地噴射S4而形成保護(hù)層的技術(shù)。在專利文獻(xiàn)6和7中，提出了在玻璃基板的表面形成金屬氧化物層的技術(shù)。在專利文獻(xiàn)8中，提出了使用含有^Vg粒子和添加有過渡金屬氧化物的玻璃粉的材料作為在形成銀電極時使用的銀漿或者銀膜的技術(shù)。但是，專利文獻(xiàn)4 7中記載的方法由于需要對玻璃透明基板進(jìn)行特定的處理，因此操作繁瑣，并造成成品率下降、成本增加。另外，專利文獻(xiàn)8中記載的方法雖然有時使用含有添加有過渡金屬氧化物的玻璃粉的材料作為銀漿，但是玻璃基板與銀漿中所含的銀粒子并非完全物理隔離，因此存在的問題是難以完全抑制玻璃基板的黃變?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1 國際公開第2008-111324號小冊子專利文獻(xiàn)2 國際公開第2007-142330號小冊子專利文獻(xiàn)3 日本特開2003-162962號公報專利文獻(xiàn)4 日本特開平10-255669號公報專利文獻(xiàn)5 日本特開2007_20似95號公報專利文獻(xiàn)6 日本特開平10-3(^648號公報專利文獻(xiàn)7 日本特開2003-16949號公報專利文獻(xiàn)8 日本特開2003-162962號公報

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)的問題，本發(fā)明的目的在于提供一種帶透明導(dǎo)電膜的基板、以及使用該帶透明導(dǎo)電膜的基板的PDP用基板，所述帶透明導(dǎo)電膜的基板不對玻璃透明基板進(jìn)行特定處理就可以防止使用銀漿形成匯流電極時玻璃透明基板的黃變。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種帶透明導(dǎo)電膜的基板，其中，在玻璃透明基板上形成有以氧化錫(SnO2)為主成分的透明導(dǎo)電膜，其特征在于，設(shè)所述透明導(dǎo)電膜的XRD 峰中Sr^2 (100)面的結(jié)晶峰為Y、由玻璃透明基板產(chǎn)生的背景峰為X時，峰強(qiáng)度比Y/X為1. 5 以上且1.8以下。本發(fā)明的帶透明導(dǎo)電膜的基板，優(yōu)選所述以氧化錫為主成分的透明導(dǎo)電膜以元素?fù)Q算含有2. 5原子％以下的鉭(Ta)作為摻雜劑。本發(fā)明的帶透明導(dǎo)電膜的基板，優(yōu)選所述透明導(dǎo)電膜的厚度為50nm以上且1 μ m 以下。另外，本發(fā)明提供一種帶透明導(dǎo)電膜的基板的制造方法，用于制造本發(fā)明的帶透明導(dǎo)電膜的基板，其特征在于，通過濺射法在玻璃透明基板上形成以氧化錫(SnO2)為主成分的透明導(dǎo)電膜時，使用以氧化錫為主成分并且含有2.5原子％以下的鉭(Ta)作為摻雜劑的濺射靶，在基板溫度250°C以上實(shí)施濺射。另外，本發(fā)明提供一種等離子體顯示器面板(PDP)用基板，其中，通過在本發(fā)明的帶透明導(dǎo)電膜的基板的透明導(dǎo)電膜上涂布含有鉍系玻璃粉的銀漿并在500 600°C的溫度下煅燒而形成了匯流電極。本發(fā)明的PDP用基板，優(yōu)選在設(shè)所述匯流電極的XRD峰中Bi2Sn2O7022)面的結(jié)晶峰為ζ、由玻璃透明基板產(chǎn)生的背景峰為X時，峰強(qiáng)度比Z/X為2以上。發(fā)明效果通過本發(fā)明的帶透明導(dǎo)電膜的基板，不對玻璃透明基板進(jìn)行特定的處理等就可以防止使用銀漿形成匯流電極時玻璃透明基板的黃變。本發(fā)明的PDP用基板，由于防止了玻璃透明基板的黃變，因此使用該基板制造的 PDP的彩色顯示品質(zhì)優(yōu)良。


圖1是表示本發(fā)明的帶透明導(dǎo)電膜的基板的基本構(gòu)成的示意圖。圖2是形成有以氧化錫為主成分的透明導(dǎo)電膜的帶透明導(dǎo)電膜的基板中該透明導(dǎo)電膜的XRD峰的一例。圖3是通過在帶透明導(dǎo)電膜的基板的透明導(dǎo)電膜上涂布含有鉍系玻璃粉的銀漿并煅燒而形成的匯流電極的XRD峰的一例。圖4是實(shí)施例1的帶透明導(dǎo)電膜的基板的除去匯流電極后的表面的SEM照片。圖5是比較例1的帶透明導(dǎo)電膜的基板的除去匯流電極后的表面的SEM照片。圖6是實(shí)施例1的帶透明導(dǎo)電膜的基板的除去匯流電極后的剖面SEM照片。
具體實(shí)施例方式以下，參考附圖對本發(fā)明進(jìn)行說明。圖1是表示本發(fā)明的帶透明導(dǎo)電膜的基板的基本構(gòu)成的示意圖。如圖1所示，本發(fā)明的帶透明導(dǎo)電膜的基板中，在玻璃透明基板1上形成有透明導(dǎo)電膜2。以下，對帶透明導(dǎo)電膜的基板的每個構(gòu)成進(jìn)行說明。[玻璃透明基板]玻璃透明基板的構(gòu)成材料可以從作為PDP用的玻璃基板而使用的材料中廣泛選擇，可以使用各種玻璃材料，如鈉鈣玻璃、高應(yīng)變點(diǎn)玻璃和無堿玻璃等。這些當(dāng)中，特別優(yōu)選日本專利第2738036號和日本專利第3669022號中記載的玻璃基板用組合物。玻璃透明基板的光譜透射率在425 475nm、510 560nm和600 650nm的范圍內(nèi)各自優(yōu)選為80%以上。玻璃透明基板的大小、厚度沒有特別限制，例如，可以優(yōu)選使用縱向和橫向的長度各自為約400 約3000mm的玻璃基板。另外，其厚度優(yōu)選為0. 7 3. 0mm，更優(yōu)選1. 5 3. Omm0[透明導(dǎo)電膜]本發(fā)明的帶透明導(dǎo)電膜的基板中，使用以氧化錫(SnO2)為主成分的透明導(dǎo)電膜。 在此，以氧化錫為主成分的透明導(dǎo)電膜，是指以錫元素?fù)Q算氧化錫的含量超過80原子％。在此，透明導(dǎo)電膜可以是僅由氧化錫形成的膜，但是為了對氧化錫賦予導(dǎo)電性，通常優(yōu)選添加有摻雜劑。作為出于這樣的目的而添加的摻雜劑，可以列舉鉭(Ta)、鎢(W)、鈮 (Nb)、鉍(Bi)和鉬(Mo)等。上述摻雜劑中，出于賦予氧化錫導(dǎo)電性的效果高等理由，特別優(yōu)選鉭。作為為了賦予氧化錫導(dǎo)電性而添加的摻雜劑，以往使用銦、銻，但是前者是高價的元素，后者將來可能在環(huán)境方面存在擔(dān)憂，因此優(yōu)選不在本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜中使用這兩者。因此，本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜優(yōu)選實(shí)質(zhì)上不含有銦和銻，它們的含量以元素?fù)Q算優(yōu)選為 0. 1原子％以下。但是，為了賦予氧化錫導(dǎo)電性而添加摻雜劑時，需要以不對后述的作為阻擋層的透明導(dǎo)電膜的功能產(chǎn)生不利影響的量添加。關(guān)于作為適合的摻雜劑的鉭，在后面將要說明其在透明導(dǎo)電膜中的適合的含量。如上所述，使用銀漿形成匯流電極時玻璃透明基板產(chǎn)生黃變的原因，可能在于，銀漿中的銀離子從玻璃透明基板表面擴(kuò)散到內(nèi)部(表面層)，被在該表面層中存在的狗2+;!!2+ 等還原為Ag°，該Ag°凝聚而生成膠體。以下，在本說明書中，提到“玻璃透明基板的黃變” 時，是指使用銀漿形成匯流電極時產(chǎn)生的玻璃透明基板的黃變。因此，在玻璃透明基板上形成的透明導(dǎo)電膜也需要具有作為阻擋層的功能，所述阻擋層用于防止銀漿中的Ag離子到達(dá)玻璃透明基板表面。以下，在本說明書中，提到“阻擋層”時，是指用于防止銀漿中的Ag離子到達(dá)玻璃透明基板表面的阻擋層。本申請發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，以氧化錫為主成分的透明導(dǎo)電膜為了發(fā)揮作為上述的阻擋層的功能，從該膜的化學(xué)韌性的觀點(diǎn)考慮重要的是，該透明導(dǎo)電膜為結(jié)晶度高的膜并且構(gòu)成該膜的結(jié)晶的取向性低，即該膜中混合存在以各種方向取向的結(jié)晶。在以氧化錫為主成分的透明導(dǎo)電膜為非晶膜的情況下、或者為結(jié)晶度低的膜的情況下，由于膜的化學(xué)韌性低，因此使用銀漿形成匯流電極時，膜的局部產(chǎn)生孔，銀漿中的Ag 離子通過該孔到達(dá)玻璃透明基板，因此作為阻擋層的功能低，不能防止玻璃透明基板的黃變。即使以氧化錫為主成分的透明導(dǎo)電膜為結(jié)晶度高的膜，如果構(gòu)成該膜的結(jié)晶的取向性變高，則膜的化學(xué)韌性也會降低，因此使用銀漿形成匯流電極時，膜的局部產(chǎn)生孔，銀漿中的Ag離子通過該孔到達(dá)玻璃透明基板，因此作為阻擋層的功能低，不能防止玻璃透明基板的黃變。以氧化錫為主成分的透明導(dǎo)電膜的結(jié)晶度的高低、以及構(gòu)成該膜的結(jié)晶的取向性的高低，如后所述，可以通過該透明導(dǎo)電膜的XRD峰進(jìn)行確認(rèn)。形成有以氧化錫為主成分的透明導(dǎo)電膜的帶透明導(dǎo)電膜的基板中該透明導(dǎo)電膜的XRD峰的一例如圖2所示。圖2中，Y為Sr^2(IOO)面的結(jié)晶峰，X為由玻璃透明基板產(chǎn)生的背景峰。本發(fā)明的帶透明導(dǎo)電膜的基板中，透明導(dǎo)電膜的XRD峰中Y與X的峰強(qiáng)度比(Y/X) 為1.5以上且1.8以下。以下，在本說明書中，提到“Y/X”時，是指透明導(dǎo)電膜的XRD峰中的Y與X的峰強(qiáng)度比。如果Y/X在上述范圍內(nèi)，則透明導(dǎo)電膜為結(jié)晶度高的膜，并且構(gòu)成該膜的結(jié)晶的取向性低，該膜中混合存在以各種方向取向的結(jié)晶，因此可以充分地發(fā)揮作為阻擋層的功能，可以防止玻璃透明基板的黃變。Y/X低于1.5時，透明導(dǎo)電膜或者為非晶膜或者為結(jié)晶度低的膜，因此如上所述， 膜的化學(xué)韌性低，不能發(fā)揮作為阻擋層的功能，不能防止玻璃透明基板的黃變。另一方面，Y/X超過1.8時，雖然透明導(dǎo)電膜為結(jié)晶度高的膜，但是構(gòu)成該膜的結(jié)晶的取向性變高，因此如上所述，膜的化學(xué)韌性降低，不能發(fā)揮作為阻擋層的功能，不能防止玻璃透明基板的黃變。如上所述，作為為了賦予氧化錫導(dǎo)電性而添加的摻雜劑，優(yōu)選鉭。添加鉭作為摻雜劑時，透明導(dǎo)電膜中的鉭含量以元素?fù)Q算為2. 5原子％以下。從賦予氧化錫導(dǎo)電性的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選提高透明導(dǎo)電膜的鉭含量，但是透明導(dǎo)電膜中Ta含量以元素?fù)Q算超過2. 5原子％時，構(gòu)成該膜的結(jié)晶的取向性變高，且上述Y/X超過1. 8，因此作為阻擋層的功能下降，不能防止玻璃透明基板的黃變。只要能夠賦予氧化錫導(dǎo)電性，則透明導(dǎo)電膜中鉭含量的下限沒有特別限制，以Ta元素?fù)Q算優(yōu)選為0. 1原子％以上，更優(yōu)選0. 5原子％以上。在以氧化錫為主成分的透明導(dǎo)電膜的成膜中使用的濺射靶中，除了氧化錫以及上述的為了賦予氧化錫導(dǎo)電性而添加的摻雜劑以外，通常還添加燒結(jié)助劑。因此，以氧化錫為主成分的透明導(dǎo)電膜也通常含有這樣的燒結(jié)助劑成分。作為濺射靶中添加的燒結(jié)助劑，可以列舉銅(Cu)、鋅(Si)、鈮(Nb)、鈦(Ti)、鎂(Mg)、鋁(Al)和鋯(Zr)等。以氧化錫為主成分的透明導(dǎo)電膜中燒結(jié)助劑成分的含量，以元素?fù)Q算優(yōu)選低于10 原子％。另外，以氧化錫為主成分的透明導(dǎo)電膜含有除氧化錫、上述的為了賦予氧化錫導(dǎo)電性而添加的摻雜劑以及燒結(jié)助劑成分以外的成分(以下稱為“其它成分”)時，其它成分的含量以元素?fù)Q算優(yōu)選低于10原子％。以氧化錫為主成分的透明導(dǎo)電膜，其比電阻優(yōu)選為5X10_2Qcm以下，更優(yōu)選 1 X IO"2 Ω cm以下，更優(yōu)選0. 5 X IO"2 Ω cm以下，進(jìn)一步優(yōu)選9 X 1(Γ3 Ω cm以下。以氧化錫為主成分的透明導(dǎo)電膜，其膜厚優(yōu)選為Iym以下。如果膜厚為Iym以下，則不存在透明導(dǎo)電膜具有光學(xué)缺陷如濁霧( “)等的擔(dān)心。透明導(dǎo)電膜的膜厚更優(yōu)選為0. 4μπι以下，進(jìn)一步優(yōu)選為0. 25 μ m以下。另外，透明導(dǎo)電膜的膜厚優(yōu)選為50nm以上。以氧化錫為主成分的透明導(dǎo)電膜，優(yōu)選透明性優(yōu)良，具體而言，優(yōu)選可見光透射率為80%以上。為了在玻璃透明基板上形成以氧化錫為主成分的透明導(dǎo)電膜，使用所需組成的濺射靶，具體而言組成與要形成的透明導(dǎo)電膜相同的濺射靶來實(shí)施濺射即可。但是，要求所形成的透明導(dǎo)電膜的Y/X為1. 5以上且1. 8以下。用于形成Y/X為1.5以上且1.8以下的透明導(dǎo)電膜的條件，雖然根據(jù)以氧化錫為主成分的透明導(dǎo)電膜的組成而不同，但是在具有上述的適合組成的透明導(dǎo)電膜為添加有鉭作為摻雜劑的透明導(dǎo)電膜的情況下，可以在下述條件下實(shí)施濺射。如上所述，為了使透明導(dǎo)電膜的Y/X為1.8以下，要求透明導(dǎo)電膜中的鉭含量以元素?fù)Q算為2.5原子％以下。因此，作為濺射靶，使用以氧化錫為主成分并且以元素?fù)Q算含有 2. 5原子％以下的鉭的濺射靶。另一方面，為了使透明導(dǎo)電膜的Y/X為1.5以上，需要使所形成的透明導(dǎo)電膜充分結(jié)晶。為了使所形成的透明導(dǎo)電膜充分結(jié)晶，在加熱基板的狀態(tài)下實(shí)施濺射即可，在形成以氧化錫為主成分并且以元素?fù)Q算含有2. 5原子％以下的鉭的透明導(dǎo)電膜的情況下，在將基板溫度加熱到250°C以上的狀態(tài)下實(shí)施濺射即可。濺射時的基板溫度低于250°C時，所形成的透明導(dǎo)電膜的結(jié)晶不充分，有可能不能使透明導(dǎo)電膜的Y/X達(dá)到1.5以上。但是，基板溫度過高時，不會再對所形成的透明導(dǎo)電膜的結(jié)晶有所貢獻(xiàn)，并且會增加制造成本，因此不優(yōu)選。從制造成本的觀點(diǎn)考慮，基板溫度優(yōu)選為280°C以下。因此，優(yōu)選在基板溫度250 280°C下實(shí)施濺射。所使用的濺射法沒有特別限制，使用直流電源的DC濺射法、DC脈沖濺射法、轉(zhuǎn)換直流電源而使用的AC濺射法或者使用中頻電源的MF濺射法，由于容易操作并且在膜厚控制方面有利，因此優(yōu)選。但是，以氧化錫為主成分的透明導(dǎo)電膜，也可以使用其它濺射法如使用高頻電源的RF濺射法來形成。
通過濺射法形成以氧化錫為主成分的透明導(dǎo)電膜時，優(yōu)選在氧化性氣氛下實(shí)施濺射。在此，氧化性氣氛，是指包含氧化性氣體的氣氛，通常為氧化性氣體與惰性氣體的混合氣體氣氛。另外，氧化性氣體，是指含有氧原子的氣體，如02、H2O, CO、CO2等。其中，O2或(X)2與氬氣(Ar)的混合氣體氣氛，由于氣體組成容易控制并且非常適合得到透明且電阻低的膜，因此優(yōu)選，特別優(yōu)選CO2與Ar的混合氣體氣氛。O2與Ar的混合氣體氣氛中的仏濃度為1 5體積％的情況，由于可以得到透明且電阻低的膜，因此優(yōu)選。CO2與Ar的混合氣體氣氛中的(X)2濃度為10 50體積％的情況，由于可以得到透明且電阻低的膜，因此優(yōu)選。濺射條件根據(jù)所使用的濺射法而不同，在磁控DC濺射法的情況下，優(yōu)選在下述條件下實(shí)施。濺射時的功率密度1 10W/cm2濺射壓力1(Γ2 101 基板溫度250 280°C本發(fā)明的帶透明導(dǎo)電膜的基板中，之所以形成以氧化錫為主成分且Υ/Χ為1.5以上且1.8以下的透明導(dǎo)電膜，是因為需要具有作為阻擋層的功能。因此，只要可以充分發(fā)揮作為阻擋層的功能，可以防止玻璃透明基板的黃變，則可以不由上述具有作為阻擋層的功能的、以氧化錫為主成分的透明導(dǎo)電膜構(gòu)成透明導(dǎo)電膜的整體。即，可以在上述具有作為阻擋層的功能的、以氧化錫為主成分的透明導(dǎo)電膜上形成具有現(xiàn)有組成的透明導(dǎo)電膜作為第二透明導(dǎo)電膜。作為這樣的第二透明導(dǎo)電膜，可以列舉含有選自由Ga、ai、Ti、Al、Sn、L·!和 Nb組成的組中的至少一種的金屬氧化物。另外，在上述具有作為阻擋層的功能的透明導(dǎo)電膜上形成第二透明導(dǎo)電膜的情況下，要使兩者的合計膜厚滿足上述透明導(dǎo)電膜的膜厚。本發(fā)明的帶透明導(dǎo)電膜的基板，可以具有玻璃透明基板、以氧化錫為主成分的透明導(dǎo)電膜和第二透明導(dǎo)電膜以外的構(gòu)成。作為這樣的構(gòu)成的具體例，可以列舉為了改善平坦度等而在玻璃透明基板與以氧化錫為主成分的透明導(dǎo)電膜之間形成的底膜(下地膜)。 作為為此目的而形成的底膜的構(gòu)成材料，可以例示二氧化硅、二氧化鋯、二氧化鈦等。本發(fā)明的PDP用基板，是在上述的本發(fā)明的帶透明導(dǎo)電膜的基板的以氧化錫為主成分的透明導(dǎo)電膜上(在該透明導(dǎo)電膜上形成有第二透明導(dǎo)電膜的情況下，為在該第二透明導(dǎo)電膜上)以如下所示的工序形成了匯流電極的基板。首先，在透明導(dǎo)電膜上的要形成匯流電極的部位涂布含有鉍系玻璃粉的銀漿。出于此目的使用的銀漿通常通過將60質(zhì)量％以上的銀粉、1 20質(zhì)量％的鉍系玻璃粉和 10 30質(zhì)量％的有機(jī)物粘合劑混合來制作。另外，出于此目的使用的鉍系玻璃粉的代表組成如下所示。SiO2 1 5 質(zhì)量％B2O3 5 15 質(zhì)量 ％Al2O3 3 8 質(zhì)量 ％Bi2O3 70 90 質(zhì)量％銀漿的涂布方法沒有特別限制，可以使用例如絲網(wǎng)印刷、噴涂法、刮刀涂布法、縫模涂布法等涂布方法。涂布銀漿的厚度沒有特別限制，優(yōu)選為能夠形成厚度幾Pm 幾十 μm的銀電極的厚度。然后，通過在500 600°C的溫度下煅燒規(guī)定時間(例如，1 5小時)，形成匯流電極，得到本發(fā)明的PDP用基板。如上所述，本發(fā)明的帶透明導(dǎo)電膜的基板，由于以氧化錫為主成分的透明導(dǎo)電膜發(fā)揮作為阻擋層的作用，因此可以防止使用銀漿形成匯流電極時玻璃透明基板的黃變。結(jié)果，使用該基板制造的PDP的彩色顯示品質(zhì)優(yōu)良。另外，對于以氧化錫為主成分的透明導(dǎo)電膜的作為阻擋層的功能以及由此防止玻璃基板黃變的效果的優(yōu)劣，可以由通過上述的工序形成的匯流電極的XRD峰進(jìn)行確認(rèn)。通過上述工序形成的匯流電極的XRD峰的一例如圖3所示。圖3中，Z為 Bi2Sn2O7(222)面的結(jié)晶峰，X為由玻璃透明基板產(chǎn)生的背景峰。在此，認(rèn)為，Bi2Sn2O7是在銀漿的煅燒時通過作為鉍系玻璃粉的主成分的氧化鉍(Bi2O3)與作為透明導(dǎo)電膜的主成分的氧化錫(SnO2)發(fā)生反應(yīng)而形成的結(jié)晶性化合物，并且通過該化合物以結(jié)晶度高的狀態(tài)存在，可以充分發(fā)揮作為阻擋層的功能，可以防止玻璃透明基板的黃變。另外，Bi2Sn2O7的結(jié)晶度的高低可以通過匯流電極的XRD峰中Z與X的峰強(qiáng)度比(Z/X)來確認(rèn)。以下，在本說明書中，提到“Z/X”時，是指匯流電極的XRD峰中Z與X的峰強(qiáng)度比。本發(fā)明的PDP用基板中，優(yōu)選Z/X為2以上。如果Z/X為2以上，則Bi2Sn2O7以結(jié)晶度高的狀態(tài)存在，可以充分發(fā)揮作為阻擋層的功能，防止玻璃透明基板的黃變的效果優(yōu)良ο本發(fā)明的PDP用基板，優(yōu)選防止玻璃透明基板黃變的結(jié)果是以LW系色坐標(biāo)的色差b*值(JIS-Z8729)計抑制到士5以內(nèi)。實(shí)施例以下，使用實(shí)施例進(jìn)一步說明本發(fā)明。(實(shí)施例1 4、比較例1 2)在實(shí)施例1 4和比較例1 2中，以如下所示的工序在玻璃透明基板上形成以氧化錫為主成分并且含有鉭作為摻雜劑的膜(摻Ta的SnA膜)作為透明導(dǎo)電膜，在該摻 Ta的^1 膜上形成匯流電極(銀電極)。[玻璃透明基板]作為玻璃透明基板，使用PDP用高應(yīng)變點(diǎn)玻璃基板(旭硝子公司制造的PD200)。[透明導(dǎo)電膜]使用DC濺射法，在該基板的上表面形成膜厚IOOnm的摻Ta氧化錫膜作為透明導(dǎo)電膜。摻Ta氧化錫膜中的Ta含量如下表1和2所示。另外，使用的濺射靶的組成、以及實(shí)施濺射時的基板溫度如下表1和2所示，其它濺射條件如下所述。濺射氣體Ar與A的混合氣體(O2 1體積% )濺射時的功率密度5W/cm2濺射壓力0.5Pa[匯流電極]將載體、松油醇、鉍系玻璃粉(ASF1094)和銀粉以鉍系玻璃粉為10重量％、銀粉為90重量％的方式進(jìn)行混合得到銀漿，將其絲網(wǎng)印刷到阻擋層上。然后，在615°C煅燒10分鐘，形成匯流電極。[物性評價](XRD 峰中的 Y/X 和 Z/X)在形成透明導(dǎo)電膜的階段以及形成匯流電極的階段實(shí)施XRD，從各自的XRD峰求出Y/X和Z/X。另外，XRD測定通過2 θ / θ掃描(理學(xué)電氣工業(yè)制造，Rad-RB)進(jìn)行。(透明導(dǎo)電膜的比電阻)通過四端子法(三菱油化制造，L0RESTA-FP)測定透明導(dǎo)電膜的比電阻。(玻璃透明基板的黃變)通過硝酸蝕刻將匯流電極除去后，以LW系色坐標(biāo)的色差b*值(JIS-Z8729)評價玻璃透明基板的黃變程度。結(jié)果如下表1和2所示。(比較例3)在下述條件下形成ITO膜(SnO2摻雜量10質(zhì)量％，膜厚IOOnm)以代替摻TaWSr^2 膜作為透明導(dǎo)電膜。濺射法磁控DC濺射濺射靶IT0靶(SnA摻雜量10質(zhì)量％ )濺射氣體Ar與&的混合氣體(O2 1體積％ )濺射時的功率密度5W/cm2濺射壓力0.5Pa基板溫度250°C匯流電極的形成條件，除了絲網(wǎng)印刷銀漿后的煅燒在590°C實(shí)施1小時這一點(diǎn)以外與上述的實(shí)施例1 4、比較例1 2相同。表權(quán)利要求
1.一種帶透明導(dǎo)電膜的基板，其中，在玻璃透明基板上形成有以氧化錫(SnO2)為主成分的透明導(dǎo)電膜，其特征在于，設(shè)所述透明導(dǎo)電膜的XRD峰中Sr^2(IOO)面的結(jié)晶峰為Y、由玻璃透明基板產(chǎn)生的背景峰為X時，峰強(qiáng)度比Y/X為1.5以上且1.8以下。
2.如權(quán)利要求1所述的帶透明導(dǎo)電膜的基板，其中，所述以氧化錫為主成分的透明導(dǎo)電膜以元素?fù)Q算含有2. 5原子％以下的鉭(Ta)作為摻雜劑。
3.如權(quán)利要求1或2所述的帶透明導(dǎo)電膜的基板，其中，所述透明導(dǎo)電膜的厚度為 50nm以上且Ιμπι以下。
4.一種帶透明導(dǎo)電膜的基板的制造方法，用于制造權(quán)利要求2所述的帶透明導(dǎo)電膜的基板，其特征在于，通過濺射法在玻璃透明基板上形成以氧化錫(SnO2)為主成分的透明導(dǎo)電膜時，使用以氧化錫為主成分并且以元素?fù)Q算含有2. 5原子％以下的鉭(Ta)作為摻雜劑的濺射靶，在基板溫度250°C以上實(shí)施濺射。
5.一種等離子體顯示器面板(PDP)用基板，其中，通過在權(quán)利要求1至3中任一項所述的帶透明導(dǎo)電膜的基板的透明導(dǎo)電膜上涂布含有鉍系玻璃粉的銀漿并在500 600°C的溫度下煅燒而形成了匯流電極。
6.如權(quán)利要求5所述的PDP用基板，其特征在于，設(shè)所述匯流電極的XRD峰中 Bi2Sn2O7 (222)面的結(jié)晶峰為Z、由玻璃透明基板產(chǎn)生的背景峰為X時，峰強(qiáng)度比Z/X為2以上。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種帶透明導(dǎo)電膜的基板，其中，在玻璃透明基板上形成有以氧化錫(SnO2)為主成分的透明導(dǎo)電膜，其特征在于，設(shè)所述透明導(dǎo)電膜的XRD峰中SnO2(100)面的結(jié)晶峰為Y、由玻璃透明基板產(chǎn)生的背景峰為X時，峰強(qiáng)度比Y/X為1.5以上且1.8以下。
文檔編號H01J17/04GK102471145SQ20108003610
公開日2012年5月23日 申請日期2010年8月10日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月14日
發(fā)明者岡東健, 小高秀文 申請人:旭硝子株式會社