專利名稱：帶金屬圖案的基板的制造方法及帶金屬層疊體的基板的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及使用激光進行金屬圖案形成的帶金屬圖案的基板的制造方法及帶金屬層疊體的基板。
背景技術：
目前，作為等離子體顯示面板等平板顯示器用的顯示面板的制造方法，已知在玻璃基板上設置透明電極用薄膜，對透明電極用薄膜照射激光束進行圖案化而形成透明電極的技術(例如，參考專利文獻1、幻。根據這種利用激光束的加工方法，與光刻法工序相比， 可減少工序數(shù)，另外，也不需要制作大型的光掩模，另外，通過生產線小型化，可以減小占地面積，減少工序數(shù)，并且使工藝穩(wěn)定化。專利文獻1 日本特開2001_5沈02號公報專利文獻2 日本特開2005-108668號公報近年來，作為透明電極用的材料廣泛使用ITOandium Tin Oxide，氧化銦錫)，但是，出于銦耗竭的擔憂和實現(xiàn)平板顯示器的低成本化的觀點，正在嘗試不使用透明電極而使用普通的布線用金屬來形成平板顯示器用的顯示面板。該情況下，需要進行將形成于玻璃基板上的布線用金屬膜圖案化而形成電極的加工。例如，在現(xiàn)有的等離子體顯示面板中， 使用銀作為透明電極上的匯流電極，因而可以考慮用激光照射銀使其圖案化而形成電極的加工方法。但是，若將專利文獻1或專利文獻2所記載的使用激光的加工方法直接應用于金屬膜的加工，則存在難以進行金屬膜的加工的問題。具體而言，存在的問題是，對于作為加工對象的金屬膜，激光的熱吸收效率高的區(qū)域為紫外線區(qū)域，但在紫外線區(qū)域難以得到高輸出的激光。另一方面，若為得到高的激光輸出而使用波長為1064nm的YAG激光，則存在金屬膜的能量吸收差，若不將激光功率提升得相當高則難以進行加工的問題。例如，若金屬膜的厚度達到1 μ m以上，則存在即使將激光的功率提升到400W以上，也無法進行高精度加工的問題。

發(fā)明內容
因此，本發(fā)明的目的在于，提供能夠使用激光對金屬圖案進行高精度加工，對等離子顯示器等平板顯示器也能夠應用的帶金屬圖案的基板的制造方法及帶金屬層疊體的基板。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明涉及以下的(1) (14)項。(1) 一種帶金屬圖案的基板的制造方法，使用激光在基板上形成金屬層的圖案，其特征在于，包含如下工序準備表面上形成有所述金屬層的基板的工序；在所述金屬層上形成由不同于所述金屬層的金屬材料構成且對所述激光的光吸收率不同于所述金屬層的輔助層，從而在所述基板上形成金屬層疊體的工序；和
通過對該層疊體照射激光并除去該層疊體的激光照射部位將所述金屬層圖案化， 從而形成金屬圖案的工序。由此，可以通過使用對激光的光吸收率不同的輔助層而提高層疊體整體的激光吸收量，從而使金屬圖案的加工變得容易。(2)如(1)所述的帶金屬圖案的基板的制造方法，其特征在于，所述輔助層對所述激光的光吸收率高于所述金屬層。由此，通過提高該層疊體中的激光的能量吸收，使金屬層與輔助層一起蒸發(fā)，可以在基板上高精度地形成金屬圖案。(3)如⑴或⑵所述的帶金屬圖案的基板的制造方法，其特征在于，所述輔助層以比所述金屬層薄的厚度形成。由此，僅通過形成薄的輔助層，就能夠充分提高厚金屬層的光能量吸收量，從而能夠使激光加工變得容易。(4)如( 所述的帶金屬圖案的基板的制造方法，其特征在于，所述金屬材料含有 80原子％以上的銅、鋁、鉬。由此，可以使用一般作為布線材料使用、可廉價獲得的布線材料，以低成本制造帶金屬圖案的基板。另外，即使不使用透明電極，也可通過金屬層在基板上直接形成電極或布線層。(5)如⑴ (4)中任一項所述的帶金屬圖案的基板的制造方法，其特征在于，所述輔助層含有選自由鉻、鈷、鋯、錫、鈦、鐵、鉬和鎳組成的組中的至少一種元素。由此，可以根據與金屬層所使用的各種材料的相容性選擇適當?shù)妮o助層，從而形成能夠提高激光的能量吸收的層疊體。(6)如⑴ (5)中任一項所述的帶金屬圖案的基板的制造方法，其特征在于，所述激光的波長為320 1070nm。由此，可以使用例如YAG激光基波來制造帶金屬圖案的基板，可以使用控制性好的激光裝置來制造具有高精度的金屬圖案的帶金屬圖案的基板。(7)如⑴ (6)中任一項所述的帶金屬圖案的基板的制造方法，其特征在于，所述激光的能量密度為0. 3 lOJ/cm2。由此，可以使用低能量的激光來制造帶金屬圖案的基板，從而可以降低制造成本。(8)如⑴ (7)中任一項所述的帶金屬圖案的基板的制造方法，其特征在于，所述金屬層的厚度為0. 1 10 μ m。由此，即使金屬層的厚度為超微米級的厚膜，也能夠制造高精度的帶金屬圖案的基板。(9)如⑴ ⑶中任一項所述的帶金屬圖案的基板的制造方法，其特征在于，所述輔助層的厚度為5 200nm。由此，僅通過形成與金屬層相比厚度極薄的輔助層，就可以提高對金屬層的能量供給，從而可以使激光加工變得容易。(10)如⑴ (9)中任一項所述的帶金屬圖案的基板的制造方法，其特征在于，所述基板為玻璃基板。由此，能夠制造可用于等離子體顯示面板、液晶面板等平面顯示面板的帶金屬圖案的基板。(11)如⑴ (10)中任一項所述的帶金屬圖案的基板的制造方法，其特征在于， 在所述基板和所述金屬層之間還形成有用于減少光向所述基板側的反射的低反射層。由此，可以制造能夠防止光向金屬圖案形成一側反射的帶金屬圖案的基板。(12)如⑴ (11)中任一項所述的帶金屬圖案的基板的制造方法，其特征在于， 所述輔助層作為所述金屬層的保護層殘留在所述金屬層上。由此，例如，在使用銅等需要保護層的金屬材料作為金屬層的情況下，可以直接利用輔助層作為保護層，從而可以以較少的工序數(shù)制造可靠性高的帶金屬圖案的基板。(13)如⑴ (11)中任一項所述的帶金屬圖案的基板的制造方法，其特征在于， 還包含將所述金屬層圖案化后除去所述輔助層的工序。由此，例如，在使用鋁等不需要保護層的金屬材料作為金屬層的情況下，通過在激光加工結束后將輔助層除去，可以制造更薄的帶金屬圖案的基板。(14) 一種帶金屬圖案的基板，其特征在于，具有基板；形成于該基板上的用于減少反射的低反射層；形成于該低反射層上，厚度為0. 1 10 μ m且含有80原子％以上的銅、鋁、鉬的金屬層；和形成于該金屬層上，由不同于該金屬層的金屬材料構成，對波長為320 1070nm 的激光的光吸收率高于所述金屬層且厚度為5 200nm的輔助層。由此，可以得到容易對金屬層和輔助層進行加工的基板，可以通過激光容易地形成所需的金屬圖案。發(fā)明效果根據本發(fā)明，可以制造形成有高精度的金屬圖案的基板。


圖1是表示實施方式1的帶金屬圖案的基板的制造方法的準備基板10的工序的一例的圖；圖2是表示實施方式1的帶金屬圖案的基板的制造方法的低反射層形成工序的一例的圖；圖3是表示實施方式1的帶金屬圖案的基板的制造方法的金屬層形成工序的一例的圖；圖4是表示實施方式1的帶金屬圖案的基板的制造方法的輔助層形成工序的一例的圖；圖5是表示實施方式1的帶金屬圖案的基板的制造方法的激光加工工序的一例的圖；圖6(a)及6(b)是表示輔助層形成工序及激光加工工序中的基板表面的一例的俯視圖，圖6(a)是表示輔助層形成工序中的基板表面的一例的圖，圖6(b)是表示激光加工工序中的基板表面的一例的圖；圖7是表示實施方式1的帶金屬圖案的基板的制造方法的輔助層除去工序的一例的圖；圖8是表示實施方式1的帶金屬圖案的基板的制造方法的處理流程的一例的圖；圖9(a)及9(b)是表示激光加工工序的過程中的狀態(tài)的一例的圖，圖9 (a)為基板 10的俯視圖，圖9(b)為圖9(a)的A部分的放大剖面圖；圖10是表示實施方式2的帶金屬圖案的基板的制造方法的準備基板10的工序的一例的圖；圖11是表示實施方式2的帶金屬圖案的基板的制造方法的金屬層形成工序的一例的圖；圖12是表示實施方式2的帶金屬圖案的基板的制造方法的輔助層形成工序的一例的圖；圖13是表示實施方式2的帶金屬圖案的基板的制造方法的激光加工工序的一例的圖；圖14是表示實施方式2的帶金屬圖案的基板的制造方法的輔助層除去工序的一例的圖；圖15是表示實施方式2的帶金屬圖案的基板的制造方法的實施結果的一例的圖， 圖15中(a) (h)分別表示例1 8的結果；圖16是表示實施方式2的帶金屬圖案的基板的制造方法的實施結果的一例的圖， 圖16中(a) (f)分別表示例9 14的結果；圖17是說明本實施方式中的激光圖案形成加工的原理的圖；圖18是表示現(xiàn)有的等離子體顯示裝置的構成的一例的圖；圖19(a)及19(b)是現(xiàn)有的等離子體顯示面板的正面面板130的局部放大圖，圖 19(a)是正面面板130的局部放大剖面圖，圖19(b)是正面面板130的局部放大俯視圖；圖20 (a)及20(b)是表示根據本實施方式的帶金屬圖案的基板的制造方法制造的正面面板131的一例的圖，圖20(a)是表示正面面板131的剖面圖的一例的圖，圖20(b)是表示正面面板131的俯視圖的一例的圖。標號說明
10基板
11正面基板
20低反射層
30金屬層
40輔助層
50層疊體
60除去部
61圖案寬度
70掩模
80激光光源
81激光
82能量分布
90透明電極
91掃描電極92維持電極100匯流電極110、160 電介質層120保護層130、131 正面面板140背面基板150尋址電極170熒光體層180等離子體190背面面板
具體實施例方式下面，參考

本發(fā)明的實施方式。[實施方式1]圖1 圖7是表示實施方式1的帶金屬圖案的基板的制造方法的各工序的一例的圖。圖1是表示本實施方式的帶金屬圖案的基板制造方法的準備基板10的工序的一例的圖。圖1中表示載置而準備基板10的狀態(tài)。基板10可以使用各種材料的基板，優(yōu)選使用例如玻璃基板10。玻璃基板10作為等離子體顯示面板、液晶面板等平板顯示器的顯示面板材料而廣泛使用。本實施方式中，列舉了應用玻璃基板作為基板10的例子進行說明，但基板10只要對激光加工時產生的熱和此時的激光照射具有耐性，則可以使用各種基板10。圖2是表示本實施方式的帶金屬圖案的基板的制造方法的低反射層形成工序的一例的圖。在低反射層形成工序中，在基板10的表面上形成低反射層20。低反射層20是在將完成后的帶金屬圖案的基板作為例如平板顯示器使用時，用于使從基板10側入射的光不發(fā)生反射的層。因此，低反射層20由不反射光而吸收光的材料構成。低反射層20的低反射功能例如也可以利用光干涉而吸收光。低反射層20例如可以由金屬氧化物(金屬氧化膜)構成。金屬氧化物可以使用各種金屬的氧化物，例如，可以是鉬或鉻的金屬氧化膜。該情況下，金屬氧化物可以用Mox0y、 CrxOyOuy > 0)表示。另外，金屬氧化物優(yōu)選考慮例如與之后層疊于低反射層20上的金屬層的適應性來確定。另外，低反射層20可以通過各種方法形成，例如，可以通過濺射法在基板10的表面作為薄膜而形成。另外，低反射層20的厚度可以根據用途以各種厚度構成，優(yōu)選以例如 3nm IOnm的厚度構成。圖3是表示本實施方式的帶金屬圖案的基板的制造方法的金屬層形成工序的一例的圖。在金屬層形成工序中，在低反射層20上形成金屬層30。金屬層30可以使用各種金屬材料，優(yōu)選例如布線用的金屬材料。因此，一般而言，例如金屬層30可以使用作為布線用金屬材料使用的銅(Cu)、鋁(Al)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鉻(Cr)、銀(Ag)等，出于電阻低且成本低的理由，本發(fā)明中優(yōu)選使用銅(Cu)、鋁(Al)、鉬(Mo)。另外，金屬層30可以由單一的這些金屬構成，也可以作為含有80原子％以上的這些金屬中的一種金屬的合金而構成。由此，例如，可以利用金屬層30形成電極或形成布線層。特別是在將帶金屬圖案的基板用作等離子體顯示面板的正面基板的情況下，可以利用金屬層30構成掃描電極或維持電極。金屬層30的厚度可以根據用途以各種厚度構成，優(yōu)選以例如0. Ιμπι以上且10 μπι 以下的范圍內的厚度構成。更優(yōu)選以0.1 μπι以上且5 μπι以下的范圍內的厚度構成。這是因為，將金屬層30用作電極或布線層的情況下，需要滿足適合各用途的、所要求的規(guī)定的方塊電阻的水平。即，這是因為，由于金屬層30的厚度越厚則方塊電阻的值越小，因而，為了滿足電極或布線層所要求的方塊電阻的水平，有時需要微米級水平的膜厚。例如，將金屬層30用作等離子體顯示面板的正面基板的掃描電極或維持電極的情況下，要求方塊電阻為0. 01 Ω / □以下。金屬層30為銅的情況下厚度為3 μ m以上，金屬層30為鋁的情況下厚度為5 μ m以上，此時，可以滿足上述規(guī)定的方塊電阻的基準即0. 01 Ω / 口以下。另一方面， 在液晶用薄膜晶體管(TFT)所用的柵極布線中，使用膜厚為0. 1 0. 3 μ m的Al或其合金。 將來也有使用Cu的趨勢。因此，可以根據金屬層30所使用的金屬材料和帶金屬圖案的基板的用途來確定金屬層30的厚度，例如優(yōu)選確定為0. Ιμπι 10 μπι的范圍內的厚度。另外，金屬層30可以通過各種方法形成，例如，可以通過濺射法來形成。另外，在本實施方式中，圖1 圖3均表示在基板10上依次形成低反射層20、金屬層30而制造帶金屬圖案的基板的工序。但是，例如也可以從圖3所示的工序開始本實施方式的帶金屬圖案的基板的制造方法。例如，如果能夠獲得表面具有低反射層20、金屬層30 的基板10，則可以從該階段起進行金屬層30的圖案化，從而制造帶金屬圖案的基板10。圖 1 圖3的工序只要最終能夠準備好表面形成有金屬層30的基板10即可，到準備好表面具有金屬層30的基板10為止的、圖1及圖2所示的中間工序可以根據需要來實施。圖4是表示本實施方式的帶金屬圖案的基板的制造方法的輔助層形成工序的一例的圖。圖4中，在金屬層30上形成輔助層40。輔助層40由種類不同于金屬層30的金屬材料構成。因此，輔助層40的光吸收特性與金屬層30不同。通過形成輔助層40，即使在對金屬層30直接照射激光時，金屬層30的光吸收率低，不能充分吸收激光而使自身蒸發(fā)的情況下，也能夠將激光充分傳送到金屬層30從而將膜除去。另外，金屬層30的厚度因用途而不同，例如較厚時具有Ιμπι以上的厚度，但輔助層40也可以以比金屬層30薄的方式構成。優(yōu)選輔助層40以5nm( = 50 A)~200nm( = 2000 Α)的厚度構成。更優(yōu)選以 5nm( = 50 A)~50nm(=500 Α)的厚度構成。在輔助層形成工序中，層疊于金屬層30上而形成輔助層40，從而在基板10上形成金屬層30與輔助層40的層疊體50。輔助層40可以應用各種金屬，優(yōu)選含有例如選自由鉻(Cr)、鈷(Co)、鋯(&)、錫 (Sn)、鈦(Ti)、鐵(Fe)、鉬(Mo)、鎳(Ni)組成的組中的一種以上的元素。特別是更優(yōu)選使用鉻(Cr)、鈷(Co)、鉬(Mo)。這些金屬中，選擇通過與金屬層30形成層疊體50、能夠將來自激光的能量有效地傳遞到下層的金屬層30的金屬材料作為輔助層40。由此，與僅對金屬層 30進行激光加工時相比，能夠以更低的激光功率對金屬層30進行激光加工。另外，輔助層40優(yōu)選選擇通過與金屬層30構成層疊體50，與僅對輔助層40進行激光加工時相比，能夠以更低的激光功率進行激光加工的金屬材料。例如，在金屬層30為銅時，若選擇鉻作為輔助層40的材料而形成層疊體50，則與分別對銅和鉻進行激光加工時相比，能夠使用更低能量的激光對層疊體50整體進行加工。這樣的組合，除金屬層30為銅、輔助層40為鉻的情況之外，還可以考慮各種組合。 例如，在金屬層30為鋁、輔助層40為鉻、鈷或鉬的情況下，也具有作為層疊體50整體與單獨的狀態(tài)相比能夠提高激光的能量吸收的效果。因此，在輔助層形成工序中，優(yōu)選選擇這樣的提高激光的能量吸收、與金屬層30 和輔助層40單獨時相比，在形成層疊體50時能夠使用更低能量的激光進行加工的輔助層 40，并形成于金屬層30上。優(yōu)選輔助層40由融點、沸點均高于金屬層30的金屬材料構成。若輔助層40的融點、沸點高于金屬層30，則可以認為在照射激光時，雖然輔助層40難以蒸發(fā)，但是如果金屬層30容易蒸發(fā)，則受金屬層30的蒸發(fā)作用的影響，可以促進輔助層40的蒸發(fā)。而且還認為，當融點、沸點低于輔助層40的金屬層30與輔助層40組合形成層疊體50時，輔助層40 本身也是在層疊體50的狀態(tài)下比在單一膜的狀態(tài)下更容易由激光引起蒸發(fā)，從而能夠以較低的激光功率進行加工。另外，只要與僅對金屬層30進行激光加工時相比，能夠使對具有輔助層40的層疊體50進行激光加工時的激光的能量更低，則輔助層40既可以是單層膜，或者也可以是由多層構成的膜。另外，輔助層40的形成可以通過各種方法實施，例如，可以通過濺射法形成。另外，將圖4所示狀態(tài)的基板稱為帶有由金屬層30和輔助層40構成的金屬層層疊體的基板。帶金屬層疊體的基板是能夠使激光加工變得容易的基板，是能夠作為激光加工用基板發(fā)揮效果的基板。圖5是表示本實施方式的帶金屬圖案的基板的制造方法的激光加工工序的一例的圖。在激光加工工序中，對輔助層40的表面照射激光81，并除去激光照射部位的層疊體 50和低反射層20。如圖5所示，被激光81照射的部位成為除去部60。由此，可以除去金屬層30的不要部分，從而進行圖案形成。如上所述，在金屬層30上層疊有輔助層40的層疊體50的狀態(tài)下，表面層對激光81的吸收率提高，因此，能量從表面層的輔助層40有效地傳遞到下層的金屬層30中，下層的金屬層30受熱氣化，與表面的輔助層40同時蒸發(fā)，由此將層疊體50除去。此時，激光81的能量為低能量即可，并且能夠進行殘渣少且精度高的圖案形成。如圖5所示，激光加工可以使用掩模70進行，對層疊體50照射激光81，使其繪出預定的圖案。激光81由激光光源80產生，對層疊體50進行照射。激光81只要具有能夠對層疊體50進行加工的激光功率即可，例如，可以使用波長為320 1070nm的固體激光。另外，為了得到足夠的激光功率，優(yōu)選使用YAG基波附近的高能量的激光81。如上所述，由于在紫外線區(qū)域等難以得到高能量輸出的激光81，因而優(yōu)選使用YAG基波附近、例如波長λ處于1060 1070nm范圍內的激光81。另外，YAG基波的二次諧波、三次諧波這樣的YAG基波的高次諧波也可適合作為激光81而使用。優(yōu)選激光81使用例如能量密度為0. 3 lOJ/cm2的激光81。另外，激光81可以是脈沖激光，也可以是連續(xù)照射激光，優(yōu)選使用例如重復頻率為1 100kHz、脈沖寬度為 Ins 1 μ s的脈沖激光。另外，激光光源80只要能夠產生并發(fā)射上述的激光81，則可以使用各種激光光源80。
通過激光加工工序生成的金屬層30的圖案可以根據用途做成各種圖案。例如，使用金屬層30的圖案形成等離子體顯示面板的正面基板的掃描電極和維持電極的情況下， 如圖5所示，可以以預定的間隔形成預定寬度的除去部60，通過殘留的層疊體50構成多個平行配置的直線狀的圖案。圖6是表示輔助層形成工序及激光加工工序中的基板表面的一例的俯視圖。圖 6(a)是表示輔助層形成工序中的基板表面的一例的圖。如關于圖4所說明過的那樣，基板 10的最表面上形成有輔助層40。輔助層40覆蓋基板10的整面。由此，成為容易對位于輔助層40的下層的金屬層30進行激光加工的狀態(tài)。圖6(b)是表示激光加工工序中的基板表面的一例的俯視圖。圖6(b)中，激光加工結束，形成了多個除去部60。在除去部60的部分露出基板10。另外，未被除去而殘留的輔助層40與金屬層30的層疊體50具有相當于除去部60的寬度的間隔，且形成為平行的多條直線狀，作為整體而形成條紋狀的圖案。這樣，根據本實施方式的帶金屬圖案的基板的制造方法，通過在金屬層30上形成輔助層40，能夠容易形成包括圖6 (b)所示的條紋狀圖案在內的各種圖案。在圖5所示的帶金屬圖案的基板中，輔助層40用作金屬層30的保護層而不需要除去的情況下，激光加工工序結束后，進行用于除去殘渣的后處理(清洗)，由此結束帶金屬圖案的基板的制造工序。在例如等離子體顯示面板的制造工序中，在帶金屬圖案的基板的制造工序后具有加熱到約600°C的煅燒工序。在金屬層30為銅、帶金屬圖案的基板用作等離子體顯示面板用的玻璃基板的情況下，需要在煅燒工序中防止銅的氧化、對銅進行保護的保護層。因此，在這樣的用途中使用帶金屬圖案的基板的情況下，輔助層40在形成后原樣殘留，作為用于防止氧化或用于免受電介質的侵蝕的保護層使用。另一方面，在輔助層40不用作保護層而需要除去的情況下，進入下面的輔助層除去工序。圖7是表示本實施方式的帶金屬圖案的基板的制造方法的輔助層除去工序的一例的圖。在圖7中，輔助層40被除去，金屬層30露出于表面。例如，金屬層30為鋁的情況下，由于鋁不需要氧化防止對策，因而不需要煅燒工序中的保護層。在這種情況下，設置輔助層除去工序，將不要的輔助層40除去。輔助層40的除去可以通過各種方法進行，例如，可以通過濕式蝕刻進行。以上，利用圖1 圖7對本實施方式的帶金屬圖案的基板的制造方法的工序進行了說明，特別是如關于圖3 圖5所說明過的那樣，根據本實施方式的帶金屬圖案的基板的制造方法，在準備表面形成有金屬層30的基板10時，通過在金屬層30上形成輔助層40后進行激光加工，能夠以更低的激光功率進行高精度的金屬層30的圖案化。圖8是表示實施方式1的帶金屬圖案的基板的制造方法的處理流程的一例的圖。 另外，對于與此前的說明同樣的構成要素標注相同的參考標號，并省略其說明。在步驟100中，在基板10上形成低反射層20。如關于圖2所說明過的那樣，用于防止光的表面反射的低反射層通過例如濺射法等形成于基板10的表面。在步驟110中，在基板10上形成作為主金屬層的金屬層30。主金屬層是指作為圖案化對象的目標層，相當于金屬層30。如關于圖3所說明過的那樣，金屬層30使用通過圖案化可形成電極、布線層等的金屬材料而形成。
在步驟120中，在金屬層30上形成輔助層40。如關于圖4所說明過的那樣，輔助層40是由不同于金屬層30的金屬材料構成，可有效吸收激光，通過與金屬層30進行層疊， 將來自激光的能量有效地傳遞到金屬層30中，使激光加工變得容易的薄膜金屬層。通過形成輔助層40而形成由金屬層30與輔助層40構成的金屬層疊體50。在步驟130中，使用激光81對層疊體50進行照射，并除去層疊體50的激光照射部位。如關于圖5所說明過的那樣，激光81優(yōu)選使用YAG基波附近的波長的激光81，除此之外，還可以廣泛使用YAG基波的高次諧波及其它固體激光。與分別單獨對金屬層30和輔助層40進行激光照射時相比，能夠以較小的激光能量進行層疊體50的除去加工。在步驟140中，進行激光加工后的用于除去殘渣的后處理。具體而言，將激光加工后的基板10進行清洗，通過清洗沖去進行激光加工后的部分的殘渣。在步驟150中，判斷輔助層40是否為保護層。在需要將輔助層40作為金屬層30 的保護層的情況下，直接結束處理流程。另一方面，在不需要將輔助層40作為保護層的情況下，進入步驟160。在步驟160中，除去輔助層40。如關于圖7所說明過的那樣，通過蝕刻等將不要的輔助層40除去，使金屬層30在基板10的表面露出而成為圖案化后的狀態(tài)，由此結束處理流程。圖9是表示激光加工工序的過程中的狀態(tài)的一例的圖。圖9(a)為基板10的俯視圖。如圖9(a)所示，對形成于基板10整個面上的輔助層40的表面的、要除去金屬層30和輔助層40的部分照射激光，形成除去部60?；?0在除去部60處露出。如圖9(a)所示， 通過用激光進行描畫，可以在基板10上形成金屬層30的金屬圖案。圖9(b)是圖9(a)的A部分的放大剖面圖。圖9 (b)中，在基板10上層疊有低反射層20、金屬層30和輔助層40，并示出將它們除去后而形成的除去部60。如圖9(b)所示， 除去部60的寬度為圖案寬度61。另外，還例示了激光81的能量分布82。激光81的能量分布82為近似于正態(tài)分布的曲線，若不使能量高的區(qū)域照射到輔助層40上，則不能形成如圖9(b)所示的具有垂直壁面的除去部60，從而產生殘渣。因此，如關于圖5所說明過的那樣，優(yōu)選使用掩模70進行激光81的照射，從而僅使激光81的能量高的區(qū)域照射到輔助層 40上(圖9中未圖示掩模70)。這樣，考慮到激光81的能量分布，如果使用掩模70，僅使能量分布高的區(qū)域的激光81通過并照射到輔助層40上，則能夠進行殘渣少且精度高的金屬層30的圖案形成。[實施方式2]圖10 圖14是表示實施方式2的帶金屬圖案的基板的制造方法的制造工序的一例的圖。圖10是表示實施方式2的帶金屬圖案的基板的制造方法的準備基板10的工序的一例的圖。圖10所示的工序，與在實施方式1的圖1中說明過的工序相同，因而標注相同的參考標號，并省略其說明。圖11是表示實施方式2的帶金屬圖案的基板的制造方法的金屬層形成工序的一例的圖。在金屬層形成工序中，在基板10上形成金屬層30。實施方式1中，在基板10上形成了低反射層20，而實施方式2的帶金屬圖案的基板的制造方法中，不同之處在于，未形成低反射層20而直接在基板10上形成金屬層30。即使在將帶金屬圖案的基板用于例如等離子體顯示面板或液晶面板等平板顯示器的情況下，也有通過以低反射方式形成作為基板10 的材料的玻璃基板等其它方法使其具有防反射功能的情況。因此，在這樣的情況下，可以不設置低反射層20而直接在基板10上形成金屬層30。另外，金屬層30自身的功能具有作為形成電極和布線的主金屬層的功能，這一點與實施方式1相同，材料等也與實施方式1中的說明相同，因而省略其說明。另外，金屬層 30的形成方法也與實施方式1相同，可以適當使用濺射法等各種金屬成膜方法。因此，標注與實施方式1相同的參考標號，并省略其說明。圖12是表示實施方式2的帶金屬圖案的基板的制造方法的輔助層形成工序的一例的圖。圖12中，在金屬層30上形成輔助層40，從而形成金屬層30與輔助層40的層疊體 50，這一點與實施方式1的輔助層形成工序相同。如關于圖11所說明過的那樣，只有基板 10和金屬層30之間不存在低反射層20這一點與實施方式1的輔助層形成工序不同。這樣，無論有無低反射層20，都可以在金屬層30上形成輔助層40。輔助層40的功能及形成方法與實施方式1相同，因而對相同的構成要素標注相同的參考標號，并省略其說明。圖13是表示實施方式2的帶金屬圖案的基板的制造方法的激光加工工序的一例的圖。圖13中，對層疊體50照射由激光光源80生成的激光81，從而在層疊體50的激光照射部位形成除去部60。然后，殘留有金屬層30的部分成為金屬圖案。實施方式2的激光加工工序，除了基板10和金屬層30之間不存在低反射層20這一點之外，其它也與實施方式1的激光加工工序相同。因此，激光81的波長λ、能量密度、 重復頻率、脈沖寬度的優(yōu)選范圍也均與實施方式1的激光加工工序相同。層疊體50自身具有與實施方式1相同的構成，因而與實施方式1同樣地，能夠以較低的激光功率進行金屬層 30的圖案形成。因此，對于與實施方式1相同的構成要素標注相同的參考標號，并省略其說明。圖14是表示實施方式2的帶金屬圖案的基板的制造方法的輔助層除去工序的一例的圖。在實施方式2中，也是在不需要以輔助層40作為保護層的情況下，將輔助層40除去。另一方面，在需要將輔助層40作為保護層的情況下，則使輔助層40殘留，而不需要輔助層除去工序。輔助層除去工序中，除了基板10和金屬層30之間不存在低反射層20這一點之外，其它也與實施方式1相同。因此，對于與實施方式1相同的構成要素標注相同的參考標號，并省略其說明。另外，就處理流程而言，如果從關于實施方式1的圖8所說明過的處理流程中刪除步驟100，則成為與實施方式2的帶金屬圖案的基板的制造方法的處理流程相同的處理流程。根據實施方式2的帶金屬圖案的基板的制造方法，即使是直接在基板10上形成有金屬層30的情況下，也可以使用低能量的激光81高精度地加工金屬層30。將實施方式1和實施方式2 —并考慮后可知，如果具有使用激光81在基板10的表面上形成金屬圖案的工序，則可以不受基板10、低反射層20等基底的影響而將本發(fā)明應用于各種制造工序。實施方式1和實施方式2中，對在玻璃基板上形成金屬圖案的例子進行了說明，在需要在基板10上的最上層形成金屬層30并通過激光加工對其進行圖案化的情況下，可以將本發(fā)明應用于各種用途。
下面，對實施實施方式2的帶金屬圖案的基板的制造方法的例子進行說明。以下， 例3、例4、例7及例8表示實施方式2的帶金屬圖案的基板的制造方法的實施例，例1、例 2、例5及例6表示比較例。圖15是表示實施方式2的帶金屬圖案的基板的制造方法的實施結果的圖。本實施例中的激光81的基本條件為使用波長λ = 1064nm的YAG脈沖激光，平均功率為485W 以下。另外，能量密度(每單位面積的能量)設定為8. lj/cm2以下。另外，脈沖激光的頻率設定為6kHz，脈沖寬度設定為40ns。使用這種激光81，將各種金屬層30和輔助層40進行組合，并改變激光81的激光功率，對實施方式2的帶金屬圖案的基板的制造方法進行了實施，結果如圖15所示。另外， 基板10使用了等離子體顯示面板用的玻璃基板。[例1]圖15中的(a)表示例1的結果。例1中，在等離子體顯示器(PD)用基板10上形成銅(Cu)金屬層30，并進行了激光加工。銅金屬層30的厚度為2000A。結果可知，若金屬層30單獨為銅，即使對其表面照射功率74W、能量密度1. 2J/cm2的激光，即使其厚度薄至 2000A，也絲毫不能將金屬層30除去，從而不能形成金屬圖案。[例2]圖15中的(b)表示例2的結果。例2中，比圖15(a)提高了激光功率，進行了激光功率為467W、能量密度為7.8J/cm2的激光加工。在圖15(b)中，形成了十字形的除去部 60，表明形成了金屬圖案。[例3]圖15中的(c)表示例3的結果。例3中，表示如實施方式2中所述，在等離子體顯示器用基板10上形成銅金屬層30，并進一步在其上形成鉻輔助層40的情況下的激光加工結果。在此，金屬層30的銅的厚度為2000 A、輔助層40的鉻的厚度為500 A。該情況下， 照射激光功率為74W(能量密度1. 2J/cm2)的激光81進行加工，結果形成如圖15(c)所示的高精度的十字形除去部60的金屬圖案。與圖15(b)的激光功率為467W(能量密度7. 8J/ cm2)的情況相比可知，雖然只使用了 1/6以下的74W的激光功率(能量密度1. 2J/cm2)，也能夠進行遠比圖15(b)出色的圖案化。這樣，通過在作為主金屬層的銅金屬層30上形成鉻輔助層40而得到層疊體50，能夠以低功率實現(xiàn)高精度的激光加工。[例4]圖15中的(d)表示例4的實施結果。例4中，使用與圖15(c)相同的層疊結構， 將激光功率提高至415W、能量密度提高至6.9J/cm2進行了激光加工。圖15(d)所示的加工結果，從其直線性和殘渣的多少的方面來看，與圖15(c)所示的例3的加工結果相比，加工精度顯著降低。由此可知，激光81的激光功率并不簡單地是越大越好，而是存在適當?shù)募す夤β史秶?。[例5]圖15中的(e)表示例5的結果。例5中，在等離子體顯示器用基板10上形成鉻輔助層40并進行了激光加工。輔助層40的鉻的膜厚為500A，以106W的激光功率、1. 8J/cm2 的能量密度照射激光81。將圖15(c)的實施方式2的加工結果與圖15(e)的結果進行比較， 結果如下。在圖15(c)中，對厚度2000A的金屬層30(銅)和厚度500A的輔助層40(鉻)照射激光功率為74W的激光81，將照射部的金屬層30和輔助層40完全除去，從而可以形成高精度的十字形的除去部60的金屬圖案。另一方面，在圖15(e)中，即使對與圖15(c)的輔助層40(鉻)相同層厚的鉻單層照射比圖15(c)的激光功率更大的激光功率，也不能將照射部的鉻單層膜完全除去。由以上可知，通過在金屬層30(銅)上形成輔助層40(鉻)， 能夠以比與輔助層40相同種類的單層(鉻)加工所需要的激光功率低的激光功率進行高精度的圖案形成。[例 6]圖15中的(f)表示例6的結果。例6中，使用與圖15(e)同樣的單層膜構成，將激光功率提高至199W、能量密度提高至3.3J/cm2進行了激光加工。為了進行與圖15(c)同等精度的加工，需要將激光功率提高至199W。對圖15的(f)和(c)進行比較后可知，能夠以與輔助層的Cr膜相同厚度的Cr單層加工所需要的激光功率的約1/3的激光功率對層疊膜進行加工。[例7]圖15中的(g)表示例7的實施結果。例7表示利用實施方式2的帶金屬圖案的基板的制造方法進行的激光加工的結果。在圖15(c)的例3中，金屬層30的銅為2000A、 作為輔助層40的鉻膜為500A，與此相對，在圖15(g)中，金屬層30的銅與2000A相同，而作為輔助層40的鉻膜變得更薄，為200A，這一點與圖15(c)所示的實施例不同。圖15(g)中，也高精度地形成了具有十字形的除去部60的金屬圖案。對圖15的 (a)和(e)進行比較后可知，與單獨的銅膜、單獨的鉻膜相比，能夠以較低的激光功率進行高精度的加工。另外，激光功率為74W、能量密度為1. 2J/cm2，是與圖15(c)相同的激光功率和能量密度。將圖15(g)與同樣作為實施方式2的實施例的圖15(c)進行比較后可知，圖15(g) 的十字的端部的殘渣較少，能夠更高精度地進行加工。即，輔助層40也不簡單地是越厚越好，而是存在適當?shù)暮穸确秶?。[例 8]圖15中的(h)表示例8的實施結果。在例8中，使用與圖15(g)同樣的層疊結構， 只是將激光功率變更為415W(能量密度為6. 9J/cm2)進行了激光加工。圖15的(h)中，在由銅和鉻構成的層疊體50上形成了具有十字形的除去部60的金屬圖案，但是殘渣多，從直線性等方面來看，加工精度與圖15(g)的例7的情況相比顯著下降。由此可知，本實施方式 2的激光81的激光功率不簡單地是越大越好，優(yōu)選在規(guī)定的激光功率范圍內。另外，對圖15的(h)和(d)進行比較，圖15(h)形成了精度更高的金屬圖案，因此與圖15的(c)和(g)的比較相結合可知，輔助層40的鉻膜與500A相比更優(yōu)選200A，與單純地設置得較厚相比，在規(guī)定的范圍內或較薄更好。如以上參考圖15所說明的那樣，實施方式2的帶金屬圖案的基板的制造方法中， 在使用鉻膜輔助層40的情況下，能夠以現(xiàn)有技術的1/6以下的激光功率對銅薄膜(2000 A) 進行更出色的加工。另外，對輔助層40的鉻膜也同樣，通過在金屬層30 (銅)上形成輔助層40 (鉻)， 與將鉻膜作為單層膜進行加工時的激光功率相比，能夠以更低的激光功率(約1/3)對層疊體50進行加工?？紤]這是因為在輔助層40與金屬層30之間發(fā)生了某種特殊的相互作用。
除此之外，以鋁作為金屬層30、以鉻作為輔助層40的Al/Cr，以銅作為金屬層30、 以鈷作為輔助層40的Cu/Co也可以確認到同樣的現(xiàn)象。因此，通過適當選擇金屬層30和輔助層40的組合而形成層疊體50，能夠以比金屬層30和輔助層40的單獨層更低的激光功率對層疊體50進行激光加工通過發(fā)現(xiàn)這樣的組合，可以將本發(fā)明的帶金屬圖案的基板應用于各種用途。圖16與上述的例1 8同樣，是表示本發(fā)明實施方式2的帶金屬圖案的基板的制造方法的實施結果的一例的圖。以下，例10、例12、例14表示實施方式2的帶金屬圖案的基板的制造方法的實施例，例9、例11、例13表示比較例。圖16中的例9 14表示在金屬層30為Ιμπι以上的厚膜的情況下，實施方式2 的帶金屬圖案的基板的制造方法和比較例的現(xiàn)有激光加工法的實施結果。另外，基板10均使用等離子體顯示面板用的玻璃基板，這一點與例1相同。另外，激光的基本條件、激光光源80也使用與例1同樣的條件進行實施。例 9圖16中的(a)表示例9的結果。例9中，在等離子體顯示器用基板10上形成銅作為金屬層30，并進行了激光加工。銅的厚度為1. 5 μ m，激光功率為485W，能量密度為8. IJ/ cm2，但是不能將金屬層30除去，從而不能形成金屬圖案。例10圖16中的(b)表示例10的結果。例10表示對圖16(a)所示的層疊結構，在金屬層30上形成鉻輔助層40并進行激光加工的本實施方式的帶金屬圖案的基板的制造方法的實施結果。圖16(b)中，將作為輔助層40的鉻膜的厚度設定為100A。在等離子體顯示器用基板10上形成厚度為1. 5μπι的銅金屬層30，這一點與圖16的(a)相同。在該狀態(tài)下實施激光加工工序時，能夠在激光功率467W、能量密度7. 8J/cm2的條件下形成具有圖16(b)所示的高精度的十字形除去部60的金屬圖案。例11圖16中的(c)表示例11的結果。例11中，與圖16(a)同樣地在等離子體顯示器用基板10上形成銅作為金屬層30，并進行了激光加工。銅的厚度為3 μ m，作為比圖16(a) 更厚的金屬層30形成于基板10上。激光功率與圖16(a)同樣為485W(能量密度為8. IJ/ cm2)，但是膜厚比圖16(a)更厚。因此不能形成金屬圖案。例12圖16中的(d)表示例12的結果。例12中，對圖16(c)的層疊結構，在金屬層30 上形成作為輔助層40的鉻膜，并實施了本實施方式的帶金屬圖案的基板的制造方法。在圖 16(d)的實施例中，作為輔助層40的鉻膜的厚度設定為200A。另外，激光81設定為485W 的激光功率及8. lj/cm2的能量密度。在這樣的條件下進行激光照射時，如圖16(d)所示， 能夠形成具有十字形的除去部60的金屬圖案。圖16(d)中，在十字形的上部存在未完全除去層疊體50的部分，雖然不是完整的金屬圖案，但是能夠在絕大部分形成金屬圖案。S卩，如圖16(c)所示，如果是單獨的銅膜，即使使用相同的激光功率也不能全部進行激光加工，但是，通過實施本實施方式的帶金屬圖案的基板的制造方法，能夠對厚度為3ym的銅膜的大部分進行激光加工。另外認為，若使用比485W(能量密度8. lj/cm2)稍高的功率進行照射， 則能夠進行更高精度的加工。
例13圖16中的(e)表示例13的結果。例13中，在等離子體顯示器用的玻璃基板上形成鋁的金屬層30并進行了激光加工。鋁膜的厚度為1 μ m，在激光81的激光功率為485W、 能量密度為8. lj/cm2的條件下進行了加工。該情況下，如圖16(e)所示，在鋁膜金屬層30 的一部分中形成除去部60，但整體而言不能形成十字形的除去部60。例 14圖16中的(f)表示例14的實施結果。例14中，對圖16(e)的層疊結構，進一步在金屬層30上形成鉻膜作為輔助層40，并實施了本實施方式的帶金屬圖案的基板的制造方法。輔助層40的鉻膜的厚度為500A。另外，激光81設定為319w的激光功率、5. 3J/cm2 的能量密度。在這樣的條件下進行激光加工時，如圖16(f)所示，能夠形成具有十字形的除去部60的金屬圖案。如圖15的(a)、(c)、(e)所示，在將金屬層30作為單獨的膜進行加工的現(xiàn)有的激光加工方法中，5000A以上的銅厚膜、1 μ m以上的鋁厚膜在485W以下的激光功率(8. IJ/ cm2以下的能量密度)下不能進行激光圖案形成。但是，通過實施本實施方式的帶金屬圖案的基板的制造方法，如圖15的(b)、(f)所示，在同樣的激光功率范圍內，能夠對1.5μπι的銅膜、Iym的鋁膜進行加工。另外，若將激光功率適量提高，則對圖15(d)所示那樣的3μπι 厚度的銅膜也能夠充分進行加工。另外，由于3 μ m是滿足等離子體顯示面板的銅膜的方塊電阻標準的膜厚，因而通過提高激光功率，可以提供用于不使用透明電極的類型的等離子體顯示器的、高精度圖案化的帶金屬布線的基板。另外，雖然在例1 14中未進行圖示，但是本發(fā)明人還發(fā)現(xiàn)，根據本實施方式的帶金屬圖案的基板的制造方法，能夠以現(xiàn)有技術的1/4的激光功率對2000A的鋁薄膜進行加工。另外還確認，對厚度為2μπι以下的銅膜可以在485W以下進行加工。圖17是用于說明本實施方式的帶金屬圖案的基板的制造方法的激光圖案形成加工原理的圖。圖17表示在等離子體顯示面板用的玻璃基板10上將作為主金屬膜的金屬層30 與輔助層40形成層疊體50而構成的剖面圖。在此，通過使激光81照射到層疊體50上，產生了能夠以低于對單獨的膜進行加工時的激光功率將層疊體50除去的現(xiàn)象。其原因有各種解釋，推測如下。首先，在基板10上形成有層疊體50的狀態(tài)下照射激光81時，輔助層40的溫度上升，使熱傳遞到下層的金屬層30。由此，使作為主金屬層的金屬層30的溫度也上升。在此，激光功率優(yōu)選既不過強也不過弱。最佳的激光功率因輔助層40的種類及金屬層30的膜厚而異，因此，要考慮輔助層40的種類及金屬層30的膜厚等各種條件來選擇合適的激光功率。在激光功率為最佳功率的狀態(tài)下，輔助層40和金屬層30兩者同時發(fā)生蒸發(fā)，這表示金屬層30從輔助層40吸收了能量直到達到能夠發(fā)生蒸發(fā)的狀態(tài)。換言之，輔助層40在吸收激光的同時將能量持續(xù)地提供給金屬層30，直到金屬層30達到能夠發(fā)生蒸發(fā)的狀態(tài)。 另一方面，輔助層40也受金屬層30的蒸發(fā)的影響而形成更容易氣化的狀態(tài)。即，金屬層30 主要使用的導電性好的金屬大多是光吸收率低的金屬材料。另一方面，輔助層40通常大多是光吸收率高，而融點、沸點高的金屬材料。
因此，通過照射激光81，輔助層40以高的光吸收率吸收激光81的能量，并將該能量傳遞到金屬層30。雖然輔助層40能夠充分吸收激光81的能量，但在激光81的能量小的情況下，不能完全蒸發(fā)。即使激光81的能量高，在輔助層40所吸收的能量變?yōu)闊岵⑶以摕嵋苑浅？斓乃俣缺幌聦拥慕饘賹訋ё叩那闆r下，也不能使輔助層40在短時間內在厚度方向上完全蒸發(fā)。另一方面，即使對金屬層30自身直接照射激光81，由于其光吸收率低，因而不能充分吸收激光81的能量，但是能夠以良好地吸收從輔助層40傳遞來的熱，在金屬層30為相對的低融點、低沸點物質的情況下容易熔融氣化而蒸發(fā)。于是，借助金屬層30的蒸發(fā)力， 輔助層40也能夠一同發(fā)生蒸發(fā)，與單獨的輔助層的情況相比，成為容易蒸發(fā)的狀態(tài)，從而達到容易進行激光加工的狀態(tài)。另外，在激光81的能量過高的情況下，有時下層的金屬層30局部殘留，圖案的成品狀態(tài)差，認為這是由于輔助層40吸收了高的能量，溫度快速上升，在向下層的金屬層的熱傳導還不充分(下層金屬層30可發(fā)生蒸發(fā)的水平)時已完全蒸發(fā)。因此，激光81的能量條件有最佳范圍，其根據加工對象而變化。另外，為了便于理解，基于實施例，以金屬層30的融點、沸點相對較低的情況為例對熱傳導進行了說明，但金屬層30的融點、沸點也可能不一定比輔助層40低。還考慮，金屬層30與輔助層40之間存在熱傳導以外的某種原子級的相互作用而促進了氣化，結果形成雙方可一起蒸發(fā)的狀態(tài)。下面，利用圖18 圖20，說明根據本實施方式的帶金屬圖案的基板的制造方法而制作的帶金屬圖案的基板的用途的一例。圖18是表示現(xiàn)有的等離子體顯示裝置的構成的一例的圖?，F(xiàn)有的等離子體顯示裝置具備正面面板130和背面面板190。正面面板130具備正面基板11、透明電極90、匯流電極100、電介質層110和保護層120。透明電極90構成掃描電極91和維持電極92。另外，背面面板190具備背面基板140、尋址電極150、電介質層160和熒光體層170。另外， 正面面板130與背面面板190之間封入有Xe等放電氣體。等離子體顯示裝置中，在尋址電極150與掃描電極91之間發(fā)生尋址放電并選擇發(fā)光單元。然后，對于發(fā)生尋址放電的發(fā)光單元，在掃描電極91與維持電極92之間發(fā)生維持放電。發(fā)生維持放電時，因放電而產生紫外線UV，紫外線照射到熒光體層170的表面時，發(fā)光并進行圖像顯示。在此，正面面板130的掃描電極91和維持電極92使用透明電極90，但是如發(fā)明要解決的課題部分所述，正在嘗試不使用透明電極90而構成正面面板130。圖19是現(xiàn)有的等離子體顯示面板的正面面板130的局部放大圖。圖19(a)、(b)中，在由玻璃基板構成的正面基板11上形成有透明電極90和匯流電極100。透明電極90例如用ITO形成，匯流電極100通過對銀漿進行煅燒而形成，但是， 在該方法中，難以形成充分保持開口部所需的微細形狀的電極。因此，還未發(fā)現(xiàn)將該技術用于FHD并進行生產、銷售的例子。圖20是表示使用本實施方式的帶金屬圖案的基板的制造方法制造的正面面板 131的一例的圖。圖20(a)是表示使用本實施方式的帶金屬圖案的基板的制造方法制造的正面面板131的剖面圖的一例的圖。圖20(a)中，在由玻璃基板構成的正面基板11上形成有低反射層20作為防反射膜或遮光膜。低反射層20上形成有由銀、銅、鋁等布線材料構成的金屬層30。然后，根據需要在金屬層30上形成由鉻或鉬構成的作為保護膜發(fā)揮功能的輔助層 40(未圖示)。這可以說是使用實施方式1中所說明的帶金屬圖案的基板的制造方法而制造的帶金屬圖案的基板的一例。圖20(b)是表示正面面板131的俯視圖的一例的圖。圖20(b)中，可知金屬層30 作為匯流電極起作用。在將金屬層30作為電極使用的情況下，由于其不透明，因而需要在正面基板11上以小面積進行圖案化以形成電極。根據本實施方式的帶金屬圖案的基板的制造方法，可以適合制造這樣的不使用透明電極的等離子體顯示裝置的正面面板131。另外，除等離子體顯示裝置的正面面板131之外，還可以用于制造液晶等其它平板顯示面板及顯示面板以外的通過激光加工進行金屬膜的圖案化的所有基板。以上詳細說明了本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，但是本發(fā)明不限于上述的實施方式，在不超出本發(fā)明范圍的情況下可以對上述的實施方式進行各種變形和置換。參考特定的實施方式詳細地說明了本發(fā)明，但是，對本領域技術人員顯而易見的是，在不偏離本發(fā)明的精神和范圍的情況下可以進行各種變更或修正。本發(fā)明基于2010年4月8日提出的日本專利申請2010-089595，其內容作為參考援引入本說明書中。產業(yè)實用性本發(fā)明可以普遍用于通過激光加工進行金屬圖案形成的基板，例如，可以用于以等離子體顯示面板為代表的平板顯示器的顯示面板。
權利要求
1.一種帶金屬圖案的基板的制造方法，使用激光在基板上形成金屬層的圖案，其特征在于，包含如下工序準備表面上形成有所述金屬層的基板的工序；在所述金屬層上形成由不同于所述金屬層的金屬材料構成且對所述激光的光吸收率不同于所述金屬層的輔助層，從而在所述基板上形成金屬層疊體的工序；和通過對該層疊體照射激光并除去該層疊體的激光照射部位將所述金屬層圖案化，從而形成金屬圖案的工序。
2.如權利要求1所述的帶金屬圖案的基板的制造方法，其特征在于，所述輔助層對所述激光的光吸收率高于所述金屬層。
3.如權利要求1或2所述的帶金屬圖案的基板的制造方法，其特征在于，所述輔助層以比所述金屬層薄的厚度形成。
4.如權利要求3所述的帶金屬圖案的基板的制造方法，其特征在于，所述金屬材料含有80原子％以上的銅、鋁、鉬。
5.如權利要求1 4中任一項所述的帶金屬圖案的基板的制造方法，其特征在于，所述輔助層含有選自由鉻、鈷、鋯、錫、鈦、鐵、鉬和鎳組成的組中的至少一種元素。
6.如權利要求1 5中任一項所述的帶金屬圖案的基板的制造方法，其特征在于，所述激光的波長為320 1070nm。
7.如權利要求1 6中任一項所述的帶金屬圖案的基板的制造方法，其特征在于，所述激光的能量密度為0. 3 lOJ/cm2。
8.如權利要求1 7中任一項所述的帶金屬圖案的基板的制造方法，其特征在于，所述金屬層的厚度為0. 1 10 μ m。
9.如權利要求1 8中任一項所述的帶金屬圖案的基板的制造方法，其特征在于，所述輔助層的厚度為5 200nm。
10.如權利要求1 9中任一項所述的帶金屬圖案的基板的制造方法，其特征在于，所述基板為玻璃基板。
11.如權利要求1 10中任一項所述的帶金屬圖案的基板的制造方法，其特征在于，在所述基板和所述金屬層之間還形成有用于減少光向所述基板側的反射的低反射層。
12.如權利要求1 11中任一項所述的帶金屬圖案的基板的制造方法，其特征在于，所述輔助層作為所述金屬層的保護層殘留在所述金屬層上。
13.如權利要求1 11中任一項所述的帶金屬圖案的基板的制造方法，其特征在于，還包含將所述金屬層圖案化后除去所述輔助層的工序。
14.一種帶金屬層疊體的基板，其特征在于，具有基板；形成于該基板上的用于減少反射的低反射層；形成于該低反射層上，厚度為0. 1 10 μ m且含有80原子％以上的銅、鋁、鉬的金屬層；和形成于該金屬層上，由不同于該金屬層的金屬材料構成，對波長為320 1070nm的激光的光吸收率高于所述金屬層且厚度為5 200nm的輔助層。
全文摘要
本發(fā)明提供一種帶金屬圖案的基板的制造方法，使用激光在基板上形成金屬層的圖案，其特征在于，包含如下工序準備表面上形成有所述金屬層的基板的工序；在所述金屬層上形成由不同于所述金屬層的金屬材料構成且對所述激光的光吸收率不同于所述金屬層的輔助層，從而在所述基板上形成金屬層疊體的工序；和通過對該層疊體照射激光并除去該層疊體的激光照射部位將所述金屬層圖案化，從而形成金屬圖案的工序。
文檔編號H01J9/24GK102214539SQ20111009032
公開日2011年10月12日 申請日期2011年4月8日 優(yōu)先權日2010年4月8日
發(fā)明者牛光耀 申請人:旭硝子株式會社