專利名稱：電子發(fā)射式發(fā)光裝置的封裝方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光元件及其封裝方法，且特別是涉及一種電子發(fā)射式發(fā)光裝置及其封裝方法。
背景技術(shù)：
目前量產(chǎn)的發(fā)光裝置包括氣體放電光源以及場發(fā)射光源。氣體放電光源應用于例如等離子體面板或氣體放電燈上，主要利用陰極與陽極之間的電場，使充滿于放電腔內(nèi)的氣體游離，通過氣體導電的方式使電子撞擊氣體后產(chǎn)生躍遷并發(fā)出紫外光，而同樣位于放電腔內(nèi)的熒光層吸收紫外光后便發(fā)出可見光。場發(fā)射光源應用于例如納米碳管場發(fā)射顯示器等，主要是提供超高真空的環(huán)境，并且在陰極上制作納米碳材的電子發(fā)射端 (electron emitter)，以利用電子發(fā)射端中高深寬比的微結(jié)構(gòu)幫助電子克服陰極的功函數(shù) (workfunction)而脫離陰極。此外，在銦錫氧化物(ITO)制成的陽極上涂布熒光層，以通過陰極與陽極之間的高電場使電子由陰極的納米碳管逸出。如此，電子可在真空環(huán)境中撞擊陽極上的熒光層，以發(fā)出可見光。然而，上述兩種發(fā)光結(jié)構(gòu)皆有其缺點。舉例而言，因考慮受到紫外光照射后的衰減問題，因此對于氣體放電光源內(nèi)的材料選用需有特殊要求。此外，因為氣體放電的發(fā)光機制歷經(jīng)兩道過程才能發(fā)出可見光，故能量的損耗較大，如果過程中需產(chǎn)生等離子體，則更為耗電。另一方面，場發(fā)射光源需要在陰極上成長或涂布均勻的電子發(fā)射端，但目前大面積生產(chǎn)此類陰極結(jié)構(gòu)的技術(shù)尚未成熟，且遇到電子發(fā)射端的均勻度與生產(chǎn)良率不佳的瓶頸。此外， 場發(fā)射光源的陰極與陽極的間距需控制精確，超高真空度的封裝困難，也相對增加制作的成本。另外，在發(fā)光裝置的設計上，薄型化及發(fā)光均勻化也是目前發(fā)光裝置在研發(fā)上的
^^點ο

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種電子發(fā)射式發(fā)光裝置，其可發(fā)出均勻的光，并且可以滿足薄型化的要求。本發(fā)明另提供一種電子發(fā)射式發(fā)光裝置的封裝方法，其可以方便且快速的將氣體通入。本發(fā)明提出一種電子發(fā)射式發(fā)光裝置，其包括第一基板、第二基板、氣體、密封膠以及熒光層。第一基板上配置有陰極，且所述陰極具有圖案設計。第二基板位于第一基板的對向，且第二基板上配置有陽極。密封膠位于第一基板與第二基板的邊緣，以將第一基板與第二基板組裝在一起。氣體配置于陰極與陽極之間，利用氣體放電用以誘導陰極發(fā)出多個電子，其中氣體所存在的環(huán)境的氣壓介于10托爾(torr)至10_3托爾(torr)。熒光層配置于電子的移動路徑上，以與電子撞擊作用而發(fā)出光線。在本發(fā)明的實施例中，上述的陰極包括導電層以及位于導電層表面上的多個導電圖案。在本發(fā)明的實施例中，上述的第一基板具有多個凹紋，且第一基板的表面上覆蓋有共形的導電層以構(gòu)成陰極。 在本發(fā)明的實施例中，上述的密封膠內(nèi)分布有多個第一間隙物。在本發(fā)明的實施例中，上述的電子發(fā)射式發(fā)光裝置還包括多個第二間隙物，其分布于陰極與陽極之間。在本發(fā)明的實施例中，上述的第一基板與第二基板為平面或是曲面。在本發(fā)明的實施例中，上述的熒光層位于陽極表面。在本發(fā)明的實施例中，上述的陽極的材料包括透明導電材料 (TransparentConductive Oxide, TC0)0在本發(fā)明的實施例中，上述的陽極或陰極的材料包括金屬。在本發(fā)明的實施例中，上述的電子發(fā)射式發(fā)光裝置還包括誘發(fā)放電結(jié)構(gòu)，其配置于陽極與陰極至少其中之一上。在本發(fā)明的實施例中，上述的誘發(fā)放電結(jié)構(gòu)包括金屬材、納米碳管(carbon nanotube)、納米碳壁(carbon nanowall)、納米孑匕隙碳材(carbonnanoporous)、柱狀氧化鋒 (ZnO)、氧化鋅(ZnO)材等。在本發(fā)明的實施例中，上述的電子發(fā)射式發(fā)光裝置還包括二次電子源材料層 (secondary electron source material layer)，配置于陰極上。在本發(fā)明的實施例中，上述的二次電子源材料層的材料包括氧化鎂(MgO)、二氧化硅(Si02)、三氧化二鋱(Tb2O3)、三氧化二鑭(La2O3)或二氧化鈰(CeO2)。在本發(fā)明的實施例中，上述的氣體包括惰性氣體、氫氣、二氧化碳、氧氣或空氣。本發(fā)明另提出一種電子發(fā)射式發(fā)光裝置的封裝方法。此方法首先提供電子發(fā)射式發(fā)光裝置，其包括第一基板以及第二基板，且第一基板上已形成有陰極，第二基板上已形成有陽極，陽極及陰極至少其中之一上已形成有熒光層。在第一基板與第二基板之間形成密封膠，且密封膠具有開口。接著，在密封膠的開口裝設通氣管，并且將通氣管與管路連接，其中管路與抽氣裝置以及與填充氣體裝置連接。之后，將電子發(fā)射式發(fā)光裝置加熱，并開啟抽氣裝置使電子發(fā)射式發(fā)光裝置內(nèi)的氣體抽出。之后，關(guān)閉抽氣裝置，且開啟填充氣體裝置， 以將氣體填充至電子發(fā)射式發(fā)光裝置中。最后燒斷通氣管，以密封住密封膠的開口。在本發(fā)明的實施例中，上述的電子發(fā)射式發(fā)光裝置被加熱至攝氏300 400度。在本發(fā)明的實施例中，上述的第一基板上的陰極為具有圖案設計的陰極。在本發(fā)明的實施例中，上述的第一基板與第二基板為平面或是曲面。在本發(fā)明的實施例中，上述的密封膠內(nèi)分布有多個間隙物?；谏鲜?，由于本發(fā)明的電子發(fā)射式發(fā)光裝置的陰極具有圖案的設計，因此可以分散兩電極之間的電場邊緣效應，進而增加發(fā)光裝置的發(fā)光均勻度，并且可減少電子發(fā)射式發(fā)光裝置的整體厚度。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附圖作詳細說明如下。


圖1是根據(jù)本發(fā)明的實施例的電子發(fā)射式發(fā)光裝置的剖面示意圖。圖2A及圖2B是根據(jù)本發(fā)明的實施例的電子發(fā)射式發(fā)光裝置中的陰極的剖面示意圖。圖3至圖6是根據(jù)本發(fā)明的數(shù)個實施例的電子發(fā)射式發(fā)光裝置的剖面示意圖。圖7及圖8是根據(jù)本發(fā)明的實施例的曲面式電子發(fā)射式發(fā)光裝置的剖面示意圖。圖9A至圖9C是根據(jù)本發(fā)明的實施例的電子發(fā)射式發(fā)光裝置的封裝方法的示意圖。附圖標記說明202 電子202，二次電子204 離子208 第二基板210:陽極218 第一基板218a:凹紋220:陰極220a:導電層220b:導電圖案230 氣體240 熒光層222 二次電子源材料層252,254 誘發(fā)放電結(jié)構(gòu)250 密封膠250a、230a 間隙物251:開口302 加熱裝置304 通氣管306 抽氣裝置308 填充氣體裝置310、312 閥門320 管線
具體實施例方式本發(fā)明所提出的電子發(fā)射式發(fā)光裝置兼具傳統(tǒng)氣體放電光源與場發(fā)射光源的優(yōu)點，且克服了這兩種傳統(tǒng)發(fā)光結(jié)構(gòu)的缺點。更詳細地說，本發(fā)明的電子發(fā)射式發(fā)光裝置不需形成電子發(fā)射端，而是利用稀薄的氣體放電將電子由陰極輕易導出，并使電子直接與撞擊熒光層反應而發(fā)出光線。相較于已知的氣體放電光源，本發(fā)明的電子發(fā)射式發(fā)光裝置內(nèi)所填充的氣體的量僅需要能將電子由陰極導出即可，且并非利用紫外光照射熒光層來產(chǎn)生光線，因此不需擔心元件內(nèi)的材料被紫外光照射的衰減問題。由實驗與理論驗證我們得知，本發(fā)明的電子發(fā)射式發(fā)光裝置內(nèi)的氣體較為稀薄，因此電子的平均自由路徑可以達到約5mm 或5mm以上。換言之，大部分的電子在撞擊氣體的分子前便會直接撞擊到熒光層，而發(fā)出光線。此外，本發(fā)明的電子發(fā)射式發(fā)光裝置不需經(jīng)由兩道過程來產(chǎn)生光線，因此發(fā)光效率較高，也可減少能量損耗。此外，本發(fā)明的電子發(fā)射式發(fā)光裝置內(nèi)填充稀薄的氣體，因此不需超高真空度環(huán)境，可避免進行超高真空度封裝時所遇到的困難。另外，經(jīng)由實驗獲知，本發(fā)明的電子發(fā)射式發(fā)光裝置通過氣體的幫助，可以使啟始電壓(turnon voltage)降至約0. 4V/μ m，遠低于一般場發(fā)射光源高達1 3V/ μ m的啟始電壓值。再者，依據(jù)Child-Langmuir方程式，將本發(fā)明的電子發(fā)射式發(fā)光裝置的實際相關(guān)數(shù)據(jù)代入計算，可以得出本發(fā)明的電子發(fā)射式發(fā)光裝置的陰極暗區(qū)分布范圍約在10 25厘米(cm)之間，遠大于陽極與陰極的間距。換言之， 在陽極與陰極之間幾乎不會產(chǎn)生等離子體狀態(tài)的氣體，因此可以確定本發(fā)明的電子發(fā)射式發(fā)光裝置并非利用等離子體機制發(fā)光，而是利用氣體導放電的方式導出陰極的電子，再由電子直接與熒光層作用而發(fā)光。請參考圖2，其繪示本發(fā)明的電子發(fā)射式發(fā)光裝置的剖面示意圖。如圖2所示，電子發(fā)射式發(fā)光裝置200主要包括第一基板218、第二基板208、密封膠250、氣體230以及熒光層M0，其中第一基板218上具有陰極220，且第二基板208上具有陽極210。第一基板218、第二基板208例如是透明基板，其材料例如是玻璃、聚合物或是其他合適的透明材料。陽極210例如是由透明導電材料CTransparent Conductive Oxide, TC0)所制成， 以使所產(chǎn)生的光線可穿過陽極210射出電子發(fā)射式發(fā)光裝置200，其中可以選用的透明導電材料例如是銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)等常見的材料。當然，在其他實施例中，陽極210也可以是由金屬或其他具有良好導電性的材料制作而成。此外，陰極220亦可由透明導電材料或是金屬所制成，其中可以選用的透明導電材料例如是銦錫氧化物或銦鋅氧化物等常見的材料。值得注意的是，陰極220與陽極210至少其中之一為透明導電材料， 以使所產(chǎn)生的光線可由陰極220、陽極210或是兩者穿出。一般來說，在兩平行板電極的邊緣之間會產(chǎn)生較高密度的電力線分布與電場，其稱為電場的邊緣效應(edge effect)。而且當兩電極之間的距離越接近的時候，電場邊緣效應將會更加的嚴重而使放電不均勻，也就是造成發(fā)光不均勻的情形。如果要對發(fā)光裝置進行薄化將勢必考慮到邊緣效應所帶來的問題。因此，本發(fā)明特別在電子發(fā)射式發(fā)光裝置的陰極作圖案設計，以分散邊緣效應。換言之，本發(fā)明在陰極上設計圖案，由于每一陰極的圖案的邊緣也會有邊緣效應，因此可以分散所產(chǎn)生的電場邊緣效應，使得電場邊緣效應不再集中于發(fā)光裝置的四個邊緣。而在陰極設計圖案的方法可以是如圖2A或圖2B所示的實施例。請先參照圖2A，在此實施例中，使陰極具有圖案設計的方法是先在第一基板218 上形成導電層220a，之后再于導電層220a表面上的多個導電圖案220b，因而陰極220的表面即具有高低起伏的圖案。形成導電圖案220b的方法例如是先進行沉積程序再進行蝕刻程序而形成，或者是直接以掩模進行沉積程序而形成。導電圖案220b可以是條狀、塊狀、島狀形式且可以為任意形狀。導電層220a與導電圖案220b的材料例如是透明導電材料或金屬，且兩者的材料可以是相同或是不相同。在另一實施例中，使陰極20具有圖案設計的方法如圖2B所示。先在第一基板218 的表面形成凹紋218a，之后再于第一基板218的表面形成共形的導電層220，以構(gòu)成具有圖案設計的陰極220。而在第一基板218的表面形成圖案218a的方法例如是以超音波加工程序?qū)Φ谝换?17進行刻凹紋。類似地，在第一基板217上所刻出的凹紋218a可以是條狀、塊狀或是點狀形式的凹紋且可為任意形狀。請再回到圖1，電子發(fā)射式發(fā)光裝置除了上述的陰極220以及陽極210之外，還包括熒光層對0、密封膠250以及氣體230。熒光層240配置于電子202的移動路徑上，以與電子202作用而發(fā)出光線。在本實施例中，熒光層240例如是被涂布在陽極210的表面。此外，通過選擇熒光層240的種類， 可以使電子發(fā)射式發(fā)光裝置發(fā)出可見光、紅外線或紫外線等不同類型的光線。密封膠250位于第一基板218與第二基板208的邊緣，以將第一基板218與第二基板208組裝在一起。密封膠250可為紫外光密封膠、熱固化密封膠或是其他合適的密封膠。另外，根據(jù)本發(fā)明的實施例，在密封膠250中還包括分布有間隙物250a，用以加強密封膠250的支撐強度。此外，根據(jù)電子發(fā)射式發(fā)光裝置的尺寸大小，可以選擇是否要在電子發(fā)射式發(fā)光裝置內(nèi)部放置支撐物230a，以支撐第一基板218與第二基板208之間的間隙。值得一提的是，由于本發(fā)明在陰極220設計有圖案以分散兩電極之間的電場邊緣效應，其除了可以使發(fā)光均勻度提升之外，還可以達到薄化發(fā)光裝置的目的。更詳細而言， 由于本發(fā)明可使兩電極之間的電場邊緣效應分散，因而將陰極與陽極之間的距離縮小也不會造成發(fā)光不均勻的情形。因此，本發(fā)明的電子發(fā)射式發(fā)光裝置不需使用玻璃邊框，而可直接使用密封膠250將兩基板218、208組裝在一起，進而使電子發(fā)射式發(fā)光裝置整體厚度大幅減少。氣體230填充于陽極210(熒光層240)、陰極220與密封膠250之間，且氣體230 受到電場作用后會產(chǎn)生適量的帶正電離子204，用以誘導陰極220發(fā)出多個電子202。值得注意的是，本發(fā)明的氣體230所存在的環(huán)境的氣壓介于10托爾(torr)至10_3托爾(torr)， 優(yōu)選者，此氣壓介于托爾(torr)至10_3托爾(torr)，氣壓的大小與陰極與陽極之間的距離有關(guān)。此外，本發(fā)明所使用的氣體230可以是惰性氣體、氫氣(H2)、二氧化碳(CO2)、氧氣(O2)或空氣等解離后具有良好導電性能的氣體，上述的惰性氣體包括氦(He)、氖(Ne)、 氬(Ar)、氪(Kr)或氙(Xe)0除了圖1所繪示的實施例之外，本發(fā)明為了提高發(fā)光效率，還可以在陰極上形成容易產(chǎn)生電子的材料，用以提供額外的電子源。圖2所繪示的電子發(fā)射式發(fā)光裝置與圖1 的發(fā)光裝置相似，不同之處在于其陰極220上還包括形成有二次電子源材料層(secondary electron source material layer) 222 此二次電子源材料層222的材料可以為氧化鎂 (MgO)、三氧化二鋱(Tb2O3)、三氧化二鑭(La2O3)、氧化鋁(Al2O3)或二氧化鈰(CeO2)。由于氣體230會產(chǎn)生游離的離子204，且離子204帶正電荷，會遠離陽極210而朝向陰極220移動，因此當離子204撞擊陰極220上的二次電子源材料層222時，便可產(chǎn)生額外的二次電子 202’。較多的電子(包括原有的電子202與二次電子202’)與熒光層240作用，便有助于增加發(fā)光效率。值得注意的是，此二次電子源材料層222不僅有助于產(chǎn)生二次電子，還可以保護陰極220避免受到離子204的過度轟擊。此外，本發(fā)明亦可以選擇在陽極或陰極其中之一或同時在陽極與陰極上形成類似場發(fā)射光源的電子發(fā)射端的結(jié)構(gòu)，用以降低電極上的工作電壓，更容易產(chǎn)生電子。圖4 6 即分別繪示本發(fā)明多種具有誘發(fā)放電結(jié)構(gòu)的電子發(fā)射式發(fā)光裝置，其中以相同的標號表示類似的構(gòu)件，而對于這些構(gòu)件不會重復說明。圖4所示的電子發(fā)射式發(fā)光裝置與圖1的發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)相似，不同之處在于其陰極220上形成有誘發(fā)放電結(jié)構(gòu)252，其例如是金屬材、納米碳管(carbon nanotube)、納米碳壁(carbon nanowall)、納米孔隙碳材(carbonnanoporous)、柱狀氧化鋅(ZnO)、氧化鋅 (ZnO)材等所構(gòu)成的微結(jié)構(gòu)。此外，氣體230位于陽極210與陰極220之間，而熒光層MO 配置于陽極210表面。通過誘發(fā)放電結(jié)構(gòu)252可以降低陽極210與陰極220之間工作電壓， 更容易產(chǎn)生電子202。電子202與熒光層240作用，便可以產(chǎn)生光線。圖5所繪示的電子發(fā)射式發(fā)光裝置與圖4所繪示者類似，較明顯的差異處乃是改為在陽極210上配置誘發(fā)放電結(jié)構(gòu)254，而此誘發(fā)放電結(jié)構(gòu)254如同前述，可為金屬材、納米碳管(carbon nanotube)、納米碳壁(carbon nanowall)、納米孔隙碳材(carbon nanoporous)、柱狀氧化鋅(ZnO)、氧化鋅(SiO)材料等所構(gòu)成的微結(jié)構(gòu)。此外，熒光層MO 則是配置于誘發(fā)放電結(jié)構(gòu)2M上。圖6則是繪示兼具誘發(fā)放電結(jié)構(gòu)2M與252的一種電子發(fā)射式發(fā)光裝置，其中誘發(fā)放電結(jié)構(gòu)2M配置于陽極210上，熒光層240配置于誘發(fā)放電結(jié)構(gòu)2M上，而誘發(fā)放電結(jié)構(gòu)252配置于陰極220上。氣體230則位于陽極210與陰極220之間。上述的多種具有誘發(fā)放電結(jié)構(gòu)252與/或2M的電子發(fā)射式發(fā)光裝置還可以整合如圖2所繪示的二次電子源材料層222的設計，而在陰極220上形成二次電子源材料層， 若陰極220上已形成有誘發(fā)放電結(jié)構(gòu)254，則可以使二次電子源材料層覆蓋誘發(fā)放電結(jié)構(gòu) 254。如此，不僅可以降低陽極210與陰極220之間的工作電壓，使電子202的產(chǎn)生更為容易，也可以通過二次電子源材料層增加電子202的數(shù)量，提高發(fā)光效率。上述各實施例所描述的電子發(fā)射式發(fā)光裝置皆為平面形式的發(fā)光裝置，然本發(fā)明不限于此。在其他的實施例中，電子發(fā)射式發(fā)光裝置亦可以是曲面形式，如圖7以及圖8所示。在圖7以及圖8的電子發(fā)射式發(fā)光裝置中僅繪示出第一基板218、第二基板208以及密封膠250并省略繪示兩基板218、208上的膜層以易于說明。事實上，第一基板218、第二基板208上已形成有如上各實施例所述的陰極、陽極及熒光層，在其他的實施例中，還有誘發(fā)放電結(jié)構(gòu)及/或二次電子源材料層。在圖7與圖8中，第一基板218與第二基板208為非平面基板，而是具有曲率的基板。因而后續(xù)形成在第一基板218與第二基板208上的膜層將同樣順著基板的彎曲度彎曲。因此，最后將兩基板組裝在一起之后即可形成曲面型式的電子發(fā)射式發(fā)光裝置。圖9A至圖9C為根據(jù)本發(fā)明的實施例的電子發(fā)射式發(fā)光裝置的封裝方法的示意圖。請參照圖9A，首先提供電子發(fā)射式發(fā)光裝置，其包括第一基板218以及第二基板208。 為方便說明，圖9A與圖9B僅繪示出第一基板218以及第二基板208而省略繪示兩基板218、 208上的膜層。事實上，第一基板218、第二基板208上已形成有如上各實施例所述的陰極、 陽極及熒光層，在其他的實施例中，還有誘發(fā)放電結(jié)構(gòu)及/或二次電子源材料層等等。
接著，在第一基板218與第二基板208之間形成密封膠250，且密封膠250具有開口 251。如同先前實施例所述，密封膠250內(nèi)亦可包含有間隙物，在兩基板218、208之間亦可以分散有間隙物。之后，請參照圖9B，在密封膠250的開口 251裝設通氣管304。上述的通氣管304 例如是玻璃管。接著，將通氣管304與管路320連接，其中所述管路320與抽氣裝置306以及與填充氣體裝置308連接。而在通氣管304與抽氣裝置306之間的管路320上還設置有閥門310，在通氣管304與填充氣體裝置308之間的管路320上還設置有閥門312。之后，在電子發(fā)射式發(fā)光裝置的周圍裝設加熱裝置302，以對電子發(fā)射式發(fā)光裝置進行加熱，加熱裝置302例如是線圈電阻式加熱裝置，且上述的加熱溫度例如是攝氏200 400度。之后，開啟閥門210并且啟動抽氣裝置306，以使電子發(fā)射式發(fā)光裝置內(nèi)的氣體抽出。之后，關(guān)閉閥門310以及抽氣裝置306，然后開啟閥門312并且啟動填充氣體裝置308， 以將氣體填充至電子發(fā)射式發(fā)光裝置中。上述的氣體例如是惰性氣體、氫氣(H2)、二氧化碳 (C02)、氧氣(O2)或空氣等解離后具有良好導電性能的氣體，上述的惰性氣體包括氦(He)、 氖(Ne)、氬(Ar)、氪(Kr)或氙(Xe)。最后，燒斷通氣管304，以密封住密封膠250的開口 251，如圖9C所示。燒斷的通氣管30 將形成用以密封的塞子，以使電子發(fā)射式發(fā)光裝置內(nèi)的氣體無法散出。如此，即完成電子發(fā)射式發(fā)光裝置的封裝。本發(fā)明所提出的電子發(fā)射式發(fā)光裝置的陰極具有圖案設計，藉以分散兩電極之間的電場邊緣效應。因此，本發(fā)明的電子發(fā)射式發(fā)光裝置的發(fā)光均勻度優(yōu)選。另外，由于本發(fā)明可分散兩電極之間的電場邊緣效應，因此即使將兩電極之間的距離拉近，也不會使發(fā)光均勻度受到影響，因而可減少電子發(fā)射式發(fā)光裝置的整體厚度。雖然本發(fā)明已以實施例披露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領域中普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作些許的更動與潤飾，故本發(fā)明的保護范圍當視權(quán)利要求所界定者為準。
權(quán)利要求
1.一種電子發(fā)射式發(fā)光裝置的封裝方法，包括提供電子發(fā)射式發(fā)光裝置，其包括第一基板以及第二基板，且該第一基板上已形成有陰極，該第二基板上已形成有陽極，該陽極或該陰極上已形成有熒光層； 在該第一基板與該第二基板之間形成密封膠，且該密封膠具有開口 ； 在該密封膠的開口裝設通氣管；將該通氣管與管路連接，其中該管路與抽氣裝置以及與填充氣體裝置連接； 將該電子發(fā)射式發(fā)光裝置加熱，并透過開啟該抽氣裝置使該電子發(fā)射式發(fā)光裝置內(nèi)的氣體抽出；關(guān)閉該抽氣裝置，且開啟該填充氣體裝置，以將氣體填充至該電子發(fā)射式發(fā)光裝置中；以及燒斷該通氣管，以密封住該密封膠的開口。
2.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射式發(fā)光裝置的封裝方法，其中該電子發(fā)射式發(fā)光裝置被加熱至攝氏200 400度。
3.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射式發(fā)光裝置的封裝方法，其中該第一基板上的該陰極為具有圖案設計的陰極。
4.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射式發(fā)光裝置的封裝方法，其中該第一基板與該第二基板為平面或是曲面。
5.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射式發(fā)光裝置的封裝方法，其中該密封膠內(nèi)分布有多個第一間隙物。
全文摘要
一種電子發(fā)射式發(fā)光裝置的封裝方法。上述電子發(fā)射式發(fā)光裝置包括第一基板、第二基板、密封膠、氣體以及熒光層。第一基板上配置有陰極，且所述陰極具有圖案設計。第二基板位于第一基板的對向，且第二基板上配置有陽極。密封膠位于第一基板與第二基板的邊緣，以將第一基板與第二基板組裝在一起。氣體配置于陰極與陽極之間，利用氣體放電用以誘導陰極發(fā)出多個電子，其中氣體所存在的環(huán)境的氣壓介于10托爾(torr)至10-3托爾(torr)。熒光層配置于電子的移動路徑上，以與電子撞擊作用而發(fā)出光線。
文檔編號H01J63/06GK102306610SQ20111012202
公開日2012年1月4日 申請日期2009年2月4日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月4日
發(fā)明者劉旻忠, 周彥伊, 李中裕, 林依萍, 王博弘, 陳世溥 申請人:財團法人工業(yè)技術(shù)研究院