專(zhuān)利名稱(chēng)：一種濺射陽(yáng)極罩及濺射裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子平板制造工藝領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，涉及一種濺射陽(yáng)極罩及濺射
直O(jiān)
背景技術(shù)：
等離子平板IT0、BUS電極制作時(shí)所采用的工藝為濺鍍工藝，所述濺鍍通常指的是磁控濺鍍，屬于高速低溫濺鍍法。該工藝的具體過(guò)程為在真空狀態(tài)充入惰性氣體，并在塑膠基材(陽(yáng)極)和金屬靶材(陰極)之間加上高壓直流電，由于輝光放電(glow discharge) 產(chǎn)生的電子激發(fā)惰性氣體，產(chǎn)生等離子體，等離子體將金屬靶材的原子轟出，并沉積在塑膠基材上。在等離子平板IT0、BUS電極制作過(guò)程中，IT0、BUS電極的制作采用磁控濺射工藝， 而磁控濺射工藝中，影響濺射膜厚均勻性的主要因素大致為這幾種真空室成膜壓力、磁場(chǎng)均勻性、氣體分布和壓力以及基板的溫度等。這四種因素的任何一個(gè)工藝參數(shù)的變動(dòng)，都對(duì)膜層均勻性產(chǎn)生很大影響，特別是靶材寬度方向上的磁場(chǎng)變化較大，影響尤為嚴(yán)重。在濺鍍時(shí)磁場(chǎng)較強(qiáng)區(qū)域，一般電子束縛較多，因此濺射出膜厚也相對(duì)較厚；磁場(chǎng)較弱區(qū)域，一般電子束縛較少，濺射出膜厚也相對(duì)較薄。由于上述因素的影響使得基板膜厚不均勻，由此造成1)在刻蝕工序，刻蝕參數(shù)一般是設(shè)定不變的，不能兼顧到超出范圍的膜厚，這樣使得刻蝕出的BUS電極過(guò)刻蝕和未完全刻蝕，容易出現(xiàn)電極薄膜殘留，影響屏的質(zhì)量。2)由于BUS 電極薄膜較厚(5. 5 μ m左右)，膜厚差別較大時(shí)，刻蝕后電極線條的電阻會(huì)差別較大，影響屏的點(diǎn)燈狀態(tài)。在電極薄膜濺射過(guò)程中，矩形平面磁控濺射靶的兩個(gè)端部是濺射和膜厚分布不均勻問(wèn)題最嚴(yán)重的部位。其原因是端部磁場(chǎng)不均勻并與中部存在著差異。因此，如何研究出一種提高基板均勻性的濺射陽(yáng)極罩及濺射裝置，成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的技術(shù)問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明一方面提供一種濺射陽(yáng)極罩，以提高等離子平板ITO、BUS電極制作時(shí)基板的均勻性；本發(fā)明另一方面提供一種具有上述濺射陽(yáng)極罩的濺射裝置。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案本發(fā)明的第一個(gè)目的在于提供一種濺射陽(yáng)極罩，該濺射陽(yáng)極罩設(shè)置在真空腔體內(nèi)部，包括陽(yáng)極罩外殼，該陽(yáng)極罩外殼具有濺射孔和與該濺射孔垂直的軌道腔；擋板，該擋板設(shè)置在所述軌道腔內(nèi)，并可沿所述垂直所述濺射孔的方向移動(dòng)；及驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)設(shè)置在所述濺射孔底部，且與所述擋板的底面相配合。優(yōu)選的，在上述濺射陽(yáng)極罩中，所述擋板與所述濺射孔相對(duì)應(yīng)的表面為波紋狀結(jié)構(gòu)。優(yōu)選的，在上述濺射陽(yáng)極罩中，所述擋板與所述濺射孔相對(duì)應(yīng)的表面為鋸齒狀結(jié)構(gòu)。優(yōu)選的，在上述濺射陽(yáng)極罩中，所述擋板的數(shù)量為兩個(gè)，分別為第一擋板和第二檔板。優(yōu)選的，在上述濺射陽(yáng)極罩中，所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)包括安裝底座、主動(dòng)軸、從動(dòng)軸和傳送帶，其中，所述安裝底座設(shè)置在所述濺射孔的底部，所述主動(dòng)軸和從動(dòng)軸通過(guò)軸承并排設(shè)置在所述安裝底座上，所述傳送帶設(shè)置在所述主動(dòng)軸和從動(dòng)軸上，且與兩者相配合。優(yōu)選的，在上述濺射陽(yáng)極罩中，所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)有兩個(gè)，分別與所述第一檔板和所述第二檔板相對(duì)應(yīng)。優(yōu)選的，在上述濺射陽(yáng)極罩中，所述從動(dòng)軸的數(shù)量為多個(gè)。本發(fā)明中的濺射陽(yáng)極罩包括陽(yáng)極罩外殼，該陽(yáng)極罩外殼具有濺射孔和與該濺射孔垂直的軌道腔；擋板，該擋板設(shè)置在所述軌道腔內(nèi)，并可沿所述垂直所述濺射孔的方向移動(dòng)；及驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)設(shè)置在所述濺射孔底部，且與所述擋板的底面相配合。當(dāng)采用濺射工藝加工IT0、BUS的電極時(shí)，將基板設(shè)置在真空腔體內(nèi)部，且位于擋板的正前方。濺射過(guò)程中在驅(qū)動(dòng)裝置的驅(qū)動(dòng)作用下推動(dòng)擋板運(yùn)動(dòng)從而控制濺射孔的大小，從而改變了基板濺射的開(kāi)口面積，達(dá)到控制基板的濺射面積、改變金屬原子沉積角度的作用，從而可以應(yīng)對(duì)真空腔體內(nèi)隨時(shí)可能出現(xiàn)的影響膜厚不均勻的現(xiàn)象，使得沉積膜厚更趨穩(wěn)定。本發(fā)明的第二個(gè)目的在于提供一種濺射裝置，包括真空腔體，還包括具有上述結(jié)構(gòu)的濺射陽(yáng)極罩，所述濺射陽(yáng)極罩設(shè)置在所述真空腔體內(nèi)部。優(yōu)選的，在上述濺射裝置中，所述主動(dòng)軸伸出至所述真空腔體的外殼的一端設(shè)置有搖動(dòng)手柄。優(yōu)選的，在上述濺射裝置中，所述主動(dòng)軸與所述真空腔體的外殼相接觸處設(shè)置有磁流體密封裝置。本發(fā)明中采用具有上述濺射陽(yáng)極罩的濺射裝置，當(dāng)采用濺射工藝加工ITO、BUS的電極時(shí)，將基板設(shè)置在真空腔體內(nèi)部，且位于擋板的正前方。濺射過(guò)程中在驅(qū)動(dòng)裝置的驅(qū)動(dòng)作用下推動(dòng)擋板運(yùn)動(dòng)從而控制濺射孔的大小，從而改變了基板濺射的開(kāi)口面積，達(dá)到控制基板的濺射面積、改變金屬原子沉積角度的作用，從而可以應(yīng)對(duì)真空腔體內(nèi)隨時(shí)可能出現(xiàn)的影響膜厚不均勻的現(xiàn)象，使得沉積膜厚更趨穩(wěn)定。


為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的濺射陽(yáng)極罩主視結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例一提供的濺射陽(yáng)極罩立體結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例二提供的濺射陽(yáng)極罩主視結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例二提供的濺射陽(yáng)極罩側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明實(shí)施例二提供的濺射陽(yáng)極罩立體結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的濺射陽(yáng)極罩與真空腔體的外殼連接關(guān)系示意圖。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種濺射陽(yáng)極罩，以提高等離子平板ITO、BUS電極制作時(shí)基板的均勻性如圖1至圖5所示，該濺射陽(yáng)極罩包括陽(yáng)極罩外殼1、擋板2和驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，其中， 陽(yáng)極罩外殼1具有濺射孔11和與該濺射孔11垂直的軌道腔12 ；擋板2設(shè)置在軌道腔12 內(nèi)，并可沿垂直濺射孔11的方向移動(dòng)；驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)設(shè)置在濺射孔11底部，且與擋板2的底面相配合，以支持擋板2沿垂直濺射孔11的方向移動(dòng)。當(dāng)采用濺射工藝加工ITO、BUS的電極時(shí)，將基板設(shè)置在真空腔體內(nèi)部，且位于擋板2的正前方。濺射過(guò)程中在驅(qū)動(dòng)裝置的驅(qū)動(dòng)作用下推動(dòng)擋板2運(yùn)動(dòng)從而控制濺射孔11 的大小，從而改變了基板濺射的開(kāi)口面積，達(dá)到控制基板的濺射面積、改變金屬原子沉積角度的作用，從而可以應(yīng)對(duì)真空腔體內(nèi)隨時(shí)可能出現(xiàn)的影響膜厚不均勻的現(xiàn)象，使得沉積膜
厚更趨穩(wěn)定。本發(fā)明實(shí)施例還公開(kāi)了具有上述濺射陽(yáng)極罩的濺射裝置，該濺射裝置包括真空腔體和設(shè)置在真空腔體內(nèi)的濺射陽(yáng)極罩。實(shí)施例一如圖1和圖2所示，本發(fā)明實(shí)施例中的濺射陽(yáng)極罩包括陽(yáng)極罩外殼1、驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)和一個(gè)擋板2，其中，陽(yáng)極罩外殼1具有濺射孔11和與該濺射孔11垂直的軌道腔12 ；擋板2 設(shè)置在軌道腔12內(nèi)，并可沿垂直濺射孔11的方向移動(dòng)；驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)設(shè)置在濺射孔11底部，且與擋板2的底面相配合，以支持擋板2沿垂直濺射孔11的方向移動(dòng)。擋板2在軌道內(nèi)沿垂直于濺射孔11的方向移動(dòng)以控制濺射孔11的開(kāi)口面積，從而改變基板濺射的開(kāi)口面積。上述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的結(jié)構(gòu)形式多種多樣，通過(guò)電機(jī)驅(qū)動(dòng)傳動(dòng)機(jī)構(gòu)帶動(dòng)擋板2沿垂直于濺射孔11的方向移動(dòng)。具體所述傳動(dòng)機(jī)構(gòu)為皮帶傳動(dòng)機(jī)構(gòu)、鏈條傳動(dòng)機(jī)構(gòu)或二者的結(jié)合。 或者通過(guò)手動(dòng)驅(qū)動(dòng)傳動(dòng)機(jī)構(gòu)進(jìn)行傳動(dòng)。本發(fā)明實(shí)施例中優(yōu)先選用的技術(shù)方案為手動(dòng)驅(qū)動(dòng)傳動(dòng)機(jī)構(gòu)傳動(dòng)，采用電機(jī)驅(qū)動(dòng)形式由于電機(jī)在運(yùn)行過(guò)程中產(chǎn)生電磁場(chǎng)，而可能會(huì)影響真空腔體內(nèi)磁場(chǎng)的分布。為了避免上述現(xiàn)象發(fā)生，本發(fā)明實(shí)施例中采用手動(dòng)驅(qū)動(dòng)形式。在皮帶傳動(dòng)機(jī)構(gòu)中，通過(guò)手動(dòng)驅(qū)動(dòng)皮帶輪轉(zhuǎn)動(dòng)，驅(qū)動(dòng)皮帶輪轉(zhuǎn)動(dòng)，皮帶輪與擋板2 相配合，從而實(shí)現(xiàn)擋板2的在軌道腔12內(nèi)的移動(dòng)；在上述驅(qū)動(dòng)過(guò)程中，通過(guò)控制皮帶輪的旋轉(zhuǎn)方向，改變擋板2的運(yùn)動(dòng)方向，實(shí)現(xiàn)增大或縮小濺射孔11的開(kāi)口面積。在鏈條傳動(dòng)機(jī)構(gòu)中，一個(gè)鏈輪設(shè)計(jì)成主動(dòng)鏈輪，另一個(gè)設(shè)計(jì)成從動(dòng)鏈輪，鏈條鋪設(shè)在濺射孔11的底部，手動(dòng)驅(qū)動(dòng)主動(dòng)鏈輪轉(zhuǎn)動(dòng)，則有主動(dòng)鏈輪和從動(dòng)鏈輪同時(shí)相對(duì)于鏈條移動(dòng)。主動(dòng)鏈輪和從動(dòng)鏈輪均鉸接與擋板2上，則擋板2就會(huì)在鏈條傳動(dòng)機(jī)構(gòu)的作用下沿垂直于濺射孔11的方向移動(dòng)。在本發(fā)明實(shí)施例中優(yōu)選的，驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)包括安裝底座、主動(dòng)軸31、從動(dòng)軸32和傳送帶33，其中，安裝底座設(shè)置在濺射孔11的底部，主動(dòng)軸31和從動(dòng)軸32通過(guò)軸承并排設(shè)置在安裝底座上，傳送帶33設(shè)置在主動(dòng)軸31和從動(dòng)軸32上，且與兩者相配合。由于采用上述結(jié)構(gòu)無(wú)需在擋板2上開(kāi)設(shè)孔，因此，可以避免由于開(kāi)孔而使得離子從孔中泄漏。且，本驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)中的安裝底座可以與陽(yáng)極罩外殼1設(shè)計(jì)成以體式結(jié)構(gòu)，還可以單獨(dú)設(shè)計(jì)，本發(fā)明實(shí)施例中優(yōu)選的為一體式設(shè)計(jì)。使用時(shí)，手動(dòng)搖動(dòng)主動(dòng)軸31進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)，在傳送帶33的作用下，從動(dòng)軸32相應(yīng)轉(zhuǎn)動(dòng)，設(shè)置在主動(dòng)軸31和從動(dòng)軸32上的擋板2會(huì)在摩擦力的作用下沿著垂直于濺射孔11的方向移動(dòng)，通過(guò)改變主動(dòng)軸31的旋轉(zhuǎn)方向控制擋板2的移動(dòng)方向。為了提高擋板2的吸附力，本發(fā)明實(shí)施例中擋板2與濺射孔11相對(duì)應(yīng)的表面為波紋狀結(jié)構(gòu)或者為鋸齒狀結(jié)構(gòu)，通過(guò)機(jī)械切割呈波紋狀或鋸齒狀結(jié)構(gòu)，然后通過(guò)噴砂處理，以增加其表面粗糙度，提高其吸附力，從而增大殘留金屬薄膜的存儲(chǔ)容量。另，本發(fā)明實(shí)施例還公開(kāi)了一種具有濺射陽(yáng)極罩的濺射裝置，該濺射裝置包括真空腔體和濺射陽(yáng)極罩，其中該濺射陽(yáng)極罩設(shè)置在真空腔體內(nèi)。且，當(dāng)上述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)采用手動(dòng)驅(qū)動(dòng)時(shí)，以?xún)?yōu)選的方案為例，該驅(qū)動(dòng)裝置包括安裝底座(圖中未示出)、主動(dòng)軸31、從動(dòng)軸32和傳送帶33，其中，安裝底座設(shè)置在濺射孔11的底部，主動(dòng)軸31和從動(dòng)軸32通過(guò)軸承并排設(shè)置在安裝底座上，傳送帶33設(shè)置在主動(dòng)軸31和從動(dòng)軸32上，且與兩者相配合。此時(shí)，主動(dòng)軸31伸出真空腔體的外殼的一端設(shè)置有搖動(dòng)手柄34，通過(guò)轉(zhuǎn)動(dòng)搖動(dòng)手柄34驅(qū)動(dòng)主動(dòng)軸31轉(zhuǎn)動(dòng)。在使用上述濺射陽(yáng)極罩時(shí)，將基板設(shè)置在濺射孔11對(duì)面，手動(dòng)驅(qū)動(dòng)主動(dòng)軸31轉(zhuǎn)動(dòng)，擋板2在垂直與濺射孔11的方向移動(dòng)，從而控制濺射孔11的開(kāi)口面積，使得薄膜濺射不均勻的部位被擋板2遮擋住，進(jìn)而控制濺射到基本上薄膜厚度。主動(dòng)軸31與真空腔體的外殼5相配合的部位上設(shè)置有磁流體密封裝置51，如圖6 所示，當(dāng)主動(dòng)軸31運(yùn)轉(zhuǎn)過(guò)程，磁流體密封裝置51中的磁流體形成完全填充至主動(dòng)軸31與真空腔體的外殼5配合間隙中，從而達(dá)到密封的效果。實(shí)施例二如圖3至圖5所示，本發(fā)明實(shí)施例中公開(kāi)的濺射陽(yáng)極罩包括陽(yáng)極罩外殼1、驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)和兩個(gè)擋板2，其中，陽(yáng)極罩外殼1具有濺射孔11和與該濺射孔11垂直的軌道腔12 ；兩個(gè)擋板2設(shè)置在軌道腔12內(nèi)，且并可沿垂直濺射孔11的方向反向移動(dòng)；驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)設(shè)置在濺射孔11底部，且與兩個(gè)擋板2的底面相配合，以支持擋板2沿垂直濺射孔11的方向移動(dòng)。每個(gè)擋板2對(duì)應(yīng)一個(gè)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，每個(gè)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)均包括安裝底座、主動(dòng)軸31、從動(dòng)軸 32和傳送帶33，其中，安裝底座設(shè)置在濺射孔11的底部，主動(dòng)軸31和從動(dòng)軸32通過(guò)軸承并排設(shè)置在安裝底座上，傳送帶33設(shè)置在主動(dòng)軸31和從動(dòng)軸32上，且與兩者相配合。由于采用上述結(jié)構(gòu)無(wú)需在擋板2上開(kāi)設(shè)孔，因此，可以避免由于開(kāi)孔而使得離子從孔中泄漏。 且，本驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)中的安裝底座可以與陽(yáng)極罩外殼1設(shè)計(jì)成以體式結(jié)構(gòu)，還可以單獨(dú)設(shè)計(jì)，本發(fā)明實(shí)施例中優(yōu)選的為一體式設(shè)計(jì)。使用時(shí)，手動(dòng)搖動(dòng)主動(dòng)軸31進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)，在傳送帶33的作用下，從動(dòng)軸32相應(yīng)轉(zhuǎn)動(dòng)，設(shè)置在主動(dòng)軸31和從動(dòng)軸32上的擋板2會(huì)在摩擦力的作用下沿著垂直于濺射孔11的方向移動(dòng)，通過(guò)改變主動(dòng)軸31的旋轉(zhuǎn)方向控制擋板2的移動(dòng)方向。為了提高擋板2的吸附力，本發(fā)明實(shí)施例中擋板2與濺射孔11相對(duì)應(yīng)的表面為波紋狀結(jié)構(gòu)或者為鋸齒狀結(jié)構(gòu)，通過(guò)機(jī)械切割呈波紋狀或鋸齒狀結(jié)構(gòu)，然后通過(guò)噴砂處理，以增加其表面粗糙度，提高其吸附力，從而增大殘留金屬薄膜的存儲(chǔ)容量。另，本發(fā)明實(shí)施例還公開(kāi)了一種具有濺射陽(yáng)極罩的濺射裝置，該濺射裝置包括真空腔體和濺射陽(yáng)極罩，其中該濺射陽(yáng)極罩設(shè)置在真空腔體內(nèi)。主動(dòng)軸31與真空腔體的外殼相配合的部位上設(shè)置有磁流體密封裝置，如圖6所示，當(dāng)主動(dòng)軸31運(yùn)轉(zhuǎn)過(guò)程，磁流體密封裝置中的磁流體形成完全填充至主動(dòng)軸31與真空腔體的外殼配合間隙中，從而達(dá)到密封的效果。在使用時(shí)，基材4中心線與濺射陽(yáng)極罩的中心線重合，濺射陽(yáng)極罩的厚度方向在基材4輝光放電的暗區(qū)，通過(guò)手動(dòng)驅(qū)動(dòng)兩個(gè)擋板2移動(dòng)控制擋板2的開(kāi)合面積，進(jìn)而控制基材4的薄膜厚度。本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種濺射裝置，該濺射裝置包括真空腔體以及設(shè)置在真空腔體內(nèi)部的濺射陽(yáng)極罩。上述各實(shí)施例中從動(dòng)軸32的數(shù)量可以為一個(gè)或多個(gè)，為了減小擋板與陽(yáng)極罩外殼1滑動(dòng)過(guò)程的摩擦力，擋板2的頂部設(shè)置有滑動(dòng)球，配合擋板的移動(dòng)，或者在陽(yáng)極罩外殼 1與擋板2相接觸部位設(shè)置滑動(dòng)球。對(duì)所公開(kāi)的實(shí)施例的上述說(shuō)明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。 對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專(zhuān)業(yè)技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是顯而易見(jiàn)的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開(kāi)的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
權(quán)利要求
1.一種濺射陽(yáng)極罩，該濺射陽(yáng)極罩設(shè)置在真空腔體內(nèi)部，其特征在于，包括陽(yáng)極罩外殼(1)，該陽(yáng)極罩外殼(1)具有濺射孔(11)和與該濺射孔(11)垂直的軌道腔 (12)；擋板0)，該擋板( 設(shè)置在所述軌道腔(1 內(nèi)，并可沿所述垂直所述濺射孔(11)的方向移動(dòng)；及驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)設(shè)置在所述濺射孔(11)底部，且與所述擋板O)的底面相配合 O
2.如權(quán)利要求1所述的濺射陽(yáng)極罩，其特征在于，所述擋板(2)與所述濺射孔(11)相對(duì)應(yīng)的表面為波紋狀結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求1所述的濺射陽(yáng)極罩，其特征在于，所述擋板(2)與所述濺射孔(11)相對(duì)應(yīng)的表面為鋸齒狀結(jié)構(gòu)。
4.如權(quán)利要求3所述的濺射陽(yáng)極罩，其特征在于，所述擋板(2)的數(shù)量為兩個(gè)，分別為第一擋板( 和第二檔板。
5.如權(quán)利要求4所述的濺射陽(yáng)極罩，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)包括安裝底座、主動(dòng)軸 (31)、從動(dòng)軸(3 和傳送帶(33)，其中，所述安裝底座設(shè)置在所述濺射孔(11)的底部，所述主動(dòng)軸(31)和從動(dòng)軸(3 通過(guò)軸承并排設(shè)置在所述安裝底座上，所述傳送帶(3 設(shè)置在所述主動(dòng)軸(31)和從動(dòng)軸(3 上，且與兩者相配合。
6.如權(quán)利要求5所述的濺射陽(yáng)極罩，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)有兩個(gè)，分別與所述第一檔板和所述第二檔板相對(duì)應(yīng)。
7.如權(quán)利要求6所述的濺射陽(yáng)極罩，其特征在于，所述從動(dòng)軸(32)的數(shù)量為多個(gè)。
8.一種濺射裝置，包括真空腔體，其特征在于，還包括權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的濺射陽(yáng)極罩，所述濺射陽(yáng)極罩設(shè)置在所述真空腔體內(nèi)部。
9.如權(quán)利要求8所述的濺射裝置，其特征在于，所述主動(dòng)軸(31)伸出至所述真空腔體的外殼(5)的一端設(shè)置有搖動(dòng)手柄(34)。
10.如權(quán)利要求9所述的濺射陽(yáng)極罩，其特征在于，所述主動(dòng)軸(31)與所述真空腔體的外殼( 相接觸處設(shè)置有磁流體密封裝置(51)。
全文摘要
本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種濺射陽(yáng)極罩包括陽(yáng)極罩外殼，該陽(yáng)極罩外殼具有濺射孔和與該濺射孔垂直的軌道腔；擋板，該擋板設(shè)置在所述軌道腔內(nèi)，并可沿所述垂直所述濺射孔的方向移動(dòng)；及驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)設(shè)置在所述濺射孔底部，且與所述擋板的底面相配合。當(dāng)采用濺射工藝加工ITO、BUS的電極時(shí)，將基板設(shè)置在真空腔體內(nèi)部，且位于擋板的正前方。濺射過(guò)程中在驅(qū)動(dòng)裝置的驅(qū)動(dòng)作用下推動(dòng)擋板運(yùn)動(dòng)從而控制濺射孔的大小，從而改變了基板濺射的開(kāi)口面積，達(dá)到控制基板的濺射面積、改變金屬原子沉積角度的作用，從而可以應(yīng)對(duì)真空腔體內(nèi)隨時(shí)可能出現(xiàn)的影響膜厚不均勻的現(xiàn)象，使得沉積膜厚更趨穩(wěn)定。本發(fā)明還公開(kāi)了一種具有上述濺射陽(yáng)極罩的濺射裝置。
文檔編號(hào)H01J37/34GK102324368SQ20111025046
公開(kāi)日2012年1月18日 申請(qǐng)日期2011年8月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月29日
發(fā)明者周志鋒, 武偉, 陳龍豪 申請(qǐng)人:安徽鑫昊等離子顯示器件有限公司