專利名稱：用于等離子體顯示板的后基板和包括其的等離子體顯示板的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種用于等離子體顯示板的后基板和一種包括該后基板的等離子體顯示板。更具體地，本發(fā)明涉及一種用于等離子體顯示板的后基板，其具有包括通過堆疊含鋁層和含銀層形成的雙層的尋址電極，可阻止氣體泄漏、表面裂紋或脫離、和電阻增加，從而確?？煽啃?。
背景技術：
通常，含有銀的電極用于等離子體顯示板(PDP)的電極。因為含銀電極具有高的密度，燒結后不會發(fā)生氣體泄漏。但是，用銀制造電極不符合成本效益，因為它高昂的價格，并由于銀遷移可導致電阻的不均勻性或者電極端子短路。因此，含鋁電極已經(jīng)代替含銀電極。但是，在含鋁電極中，鋁粉可能在刻蝕rop壁的工藝中被損壞，對招涂層造成損壞。另外，當粘結至帶式載體封裝(Tape CarrierPackage, TCP)，含鋁電極可被分離或者降低耐久性。此外，含鋁電極具有低的密度并且多孔。因此，在將前基板和后基板密封并向其引入氖氣(Ne)和氙氣(Xe)之后可能發(fā)生氣體泄漏。為了解決該問題，增加含鋁電極的密度。在這種情況下，但是，由于鋁粒子之間的頸縮增加，電阻會增加，導致PDP驅(qū)動電壓增加，并使含鋁電極很難應用于rop?；蛘撸黾硬ＡХ鄣暮縼斫鉀Q這些問題時，電阻也會增加，很難驅(qū)動rop。另外，銀和鋁的漿料混合物可降低銀的導電性，并引起銀和鋁之間的電位差，因此電阻可大幅增加。使用銀和鋁的合金，導電性可進一步劣化。因此，有必要開發(fā)一種用于rop的后基板，它符合成本效益也具有高的粘合性和耐久性，因為它不會氣體泄漏、阻力增加以及表面裂紋或損壞。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明一方面提供了一種用于包括基板的等離子體顯示板(PDP)的后基板；以及在該基板上形成并包括堆疊有含鋁層和含銀層的雙層的尋址電極。該雙層可由含銀層堆疊在含鋁層上而形成。含鋁層和含銀層可與基板毗鄰，含鋁層在尋址電極的縱向可被分為第一部分和第二部分，含銀層在尋址電極的縱向可被分為第三部分和第四部分，并且雙層可通過堆疊該第二部分和第三部分形成。雙層可通過在第二部分上堆疊第三部分形成。雙層可通過在第三部分上堆疊第二部分形成。從與含銀層毗鄰的含鋁層末端開始，雙層可具有3mm或以上的長度。雙層可具有5至20 μ m的厚度。尋址電極可包括厚度比為I : O. I至I : 9的含銀層和含鋁層。本發(fā)明另一個方面提供了一種包括該后基板的rop。


以下將結合附圖進行詳細描述，本發(fā)明的上述和其它方面、特點和優(yōu)點將會變得顯而易見，其中圖I為根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施方式的PDP的后基板的截面圖；圖2為根據(jù)本發(fā)明的另一個示例性實施方式的TOP的后基板的截面圖；圖3為根據(jù)本發(fā)明在基板上設置尋址電極的后基板的平面圖；以及圖4為根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施方式的rop的透視圖。
具體實施例方式現(xiàn)將詳細描述本發(fā)明的實施方式。 本發(fā)明一方面提供了一種用于等離子體顯示板(PDP)的后基板，包括基板；以及在該基板上形成并包括堆疊含鋁層和含銀層的雙層的尋址電極。雙層可通過在含鋁層上堆疊含銀層形成?；蛘撸p層可通過在含銀層上堆疊含鋁層形成。具體地，含銀層可堆疊在含鋁層上。在此，“含鋁層”和“含銀層”可分別指包括鋁和銀作為導電粉的電極漿料組合物形成的層。該基板可為普遍用于PDP后基板的任何基板,例如,玻璃基板。尋址電極可包括厚度比為I : O. I至I : 9的含銀層和含鋁層。在此范圍內(nèi)，不會發(fā)生氣體泄漏和電阻增加。具體地，厚度比可為I : I至I : 9。在尋址電極中，含鋁層和含銀層可與基板毗鄰，含鋁層在尋址電極的縱向可被分為第一部分和第二部分，含銀層在尋址電極的縱向可被分為第三部分和第四部分，并且雙層可通過堆疊第二部分和第三部分形成。在此，雙層可通過在第二部分上堆疊第三部分形成或者在第三部分上堆疊第二部分形成。含鋁層的第一部分和第二部分，以及含銀層的第三部分和第四部分可具有的長度沒有具體地限制，但根據(jù)尋址電極或其他類似物的雙層的長度而變化。含鋁層的第一部分和第二部分在長度上可能沒有具體地限制，但其形成要使雙層具有3mm或以上的長度。含銀層的第三部分和第四部分在長度上可能沒有具體地限制，但其形成要使雙層具有3mm或以上的長度。例如，在尋址電極中，含鋁層和含銀層可與基板毗鄰，并且雙層可由含銀層部分地堆疊在含鋁層上形成。在此，從與含銀層毗鄰的含鋁層末端開始，雙層可具有3mm或以上的長度，優(yōu)選5至20mm。圖I為根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施方式的rop的后基板的截面圖。如圖I所示，尋址電極117包括含鋁層117b、含銀層117a、以及含銀層117a部分地堆疊在含招層117b上的雙層,其形成于基板150上。在此,含招層117b被分為第一部分I和第二部分2，含銀層117a被分為第三部分3和第四部分4，并且雙層由第三部分3堆疊在第二部分2上形成。在圖I中，雙層的長度由s表示，并且可為3mm以上，優(yōu)選5至20mm。另外，雙層的厚度由t表示，并且可為5至20 μ m，優(yōu)選7至15 μ m。在根據(jù)另一個示例性實施方式的尋址電極中，含鋁層和含銀層可與基板毗鄰，并且雙層可由含鋁層部分地堆疊在含銀層上形成。在此，從與含銀層毗鄰的含鋁層末端開始，雙層的長度可為3mm以上，優(yōu)選5至20mm。圖2為根據(jù)本發(fā)明的另一個示例性實施方式的rop的后基板的截面圖。如圖2所示，尋址電極117包括含鋁層117b、含銀層117a、以及含鋁層117b部分地堆疊在含銀層117a上的雙層,其形成于基板150上。在此,含招層117b被分為第一部分I和第二部分2，含銀層117a被分為第三部分3和第四部分4，并且雙層由第二部分2堆疊在第三部分3上形成。在圖2中，雙層的長度由s表示，并且可為3mm以上，優(yōu)選5至20mm。另外，雙層的厚度由t表示，并且可為5至20 μ m，優(yōu)選7至15 μ m。 長度和厚度在上述范圍內(nèi)的情況下，可阻止氣體泄漏和電阻增加。圖3為根據(jù)本發(fā)明的后基板的平面圖，其中，尋址電極形成于基板上并且介電層在其上形成。如圖3所示，包括含鋁層117b、雙層、和含銀層117a的尋址電極117設置于基板150上。在圖3中，雙層具有圖I或圖2的形式。介電層115可在后基板150上形成，覆蓋尋址電極117。含銀層117a可連接到帶式載體封裝(TCP) 200。在圖3中，m表示尋址電極的線寬，并且η表示端子的線寬。含鋁層和含銀層可由在該領域普遍使用的電極漿料組合物形成，但不限于此。電極漿料組合物可包括導電粉、粘合劑樹脂、玻璃粉、光聚合化合物、引發(fā)劑和溶劑。含鋁層可為包括30至70wt%的鋁作為導電粉的電極漿料組合物，并且含銀層可 為包括30至60wt%的銀的電極漿料組合物。另外，除了鋁或銀之外，電極漿料組合物可進一步包括，但不限于，金(Au)、鈀(Pd)、白金(Pt)、銅(Cu)、鉻(Cr)、鈷(Co)、錫(Sn)、鉛(Pb)、鋅(Zn)、鐵(Fe)、銥(Ir)Jt (Os)、,老(Rh)、鎢(W)、· (Mo)和鎳(Ni)，其普遍用作導電粒子。導電粉可為球形、針形、片形和無定形導電粉中的至少一種，優(yōu)選球形。鋁可具有2至20 μ m的平均粒徑(D50)，并且銀可具有O. 5至2. 5 μ m的平均粒徑(D50)。粘合劑樹脂可為通過共聚合含羧基單體與含有乙烯不飽和雙鍵的單體獲得的共聚物，其中，含羧基單體諸如(甲基)丙烯酸和衣康酸，含有乙烯不飽和雙鍵的單體諸如丙烯酸酯(丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯等)、苯乙烯、丙烯酰胺、丙烯腈、纖維素和水溶性纖維素衍生物，但不限于此。這些粘合劑樹脂可單獨使用或者兩種或更多種混合使用。粘合劑樹脂在電極漿料組合物中可存在的量為I至20wt%。玻璃粉可包括，但不限于，SiO2,B2O3> Bi203> A1203、ZnO、Na2O, K2O, Li2O, BaO, CaO,Mg0、Sr0、Pb0、Ti02和其他類似物及其組合。具體地，玻璃粉可包括Bi203、B203、Si02和Al2O3中的至少一種。玻璃粉在電極漿料組合物中可存在的量為I至30wt%。光聚合化合物可為用于光敏樹脂組合物的多官能團單體或低聚物，包括但不限
于，三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、二丙烯酸乙二醇酯、二丙烯酸三乙二醇酯、二丙烯酸1，4_ 丁二醇酯、二丙烯酸1，6_己二醇酯、二丙烯酸新戊二醇酯、季戊四醇二丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、雙季戊四醇二丙烯酸酯、雙季戊四醇三丙烯酸酯、雙季戊四醇五丙烯酸酯、雙季戊四醇六丙烯酸酯、雙酚A 二丙烯酸酯、酚醛環(huán)氧丙烯酸酯、二甲基丙烯酸乙二醇酯、二甲基丙烯酸二乙二醇酯、二甲基丙烯酸三乙二醇酯、二甲基丙烯酸丙二醇酯、二甲基丙烯酸1，4- 丁二醇酯、二甲基丙烯酸1，6_己二醇酯和其他類似物及其組合。光聚合化合物在電極漿料組合物中可存在的量為I至10wt%。引發(fā)劑可為在200至500nm波長范圍內(nèi)具有光反應性的化合物，包括苯甲酮、苯乙酮和三嗪化合物中的至少一種，例如，2-芐基-2-( 二甲基氨基)-1-[4-(4-嗎啉基)苯基)-1_ 丁酮，不限于此。引發(fā)劑在電極漿料組合物中可存在的量為O. I至10wt%。溶劑可包括，但不限于，酯、脂肪醇、卡必醇溶劑、溶纖劑、氫溶劑或其他類似物，通常用于電極漿料組合物。溶劑的例子可包括，但不限于，2，2，4-三甲基-1，3-戊二醇單異丁酸酯、甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、丁基溶纖劑、脂肪醇、松油醇、乙二醇、乙二醇單丁醚、丁基溶纖劑醋酸酯、texanol、丁基卡必醇乙酸酯和其他類似物及其組合。溶劑可構成電極漿料組合物的剩余部分。本發(fā)明的尋址電極可由該領域通常使用的任何電極形成方法而制造。例如，該方法可包括(a)將印網(wǎng)掩模(印網(wǎng)掩模I)放置在玻璃基板上時，印刷并干燥含鋁電極漿料組合物；以及(b)將另一個印網(wǎng)掩模(印網(wǎng)掩模2)放置在玻璃基板上時，印刷、干燥、曝光、顯影和燒結含銀電極漿料組合物。在印刷和干燥之后，階段(a)可進一步包括曝光、顯影和燒結工藝?？商鎿Q地，該方法可包括(a)將印網(wǎng)掩模(印網(wǎng)掩模3)放置在玻璃基板上時，印刷并干燥含銀電極漿料組合物；以及(b)將另一個印網(wǎng)掩模(印網(wǎng)掩模4)放置在玻璃基板上時，印刷、干燥、曝光、顯影和燒結含鋁電極漿料組合物。在印刷和干燥之后，階段(a)可進一步包括曝光、顯影和燒結工藝。印網(wǎng)掩模I和4可屏蔽尋址電極的端子部分，并且印網(wǎng)掩模2和3可屏蔽尋址電極的主電極部分。在印刷中，電極漿料組合物在玻璃基板上沉積的厚度為5至40 μ m。在干燥中，沉積的組合物在80至150°C下干燥5至30分鐘。曝光是通過在5至20mW、100至300mJ下照射紫外線(UV)而實施。顯影是為了消除曝光或未曝光的部分，并可在，例如20至30°C使用Na2CO3水溶液而實施。在燒結中，剩余的組合物在500至600°C下處理20至40分鐘。根據(jù)本發(fā)明的PDP可包括后基板，該后基板用于包括尋址電極的rop。詳細地，該PDP包括彼此相對設置的后基板和前基板；在后基板上形成的多個尋址電極；在后基板上形成的并覆蓋尋址電極的第一介電層；與第一介電層毗鄰并且形成放電空間的多個壁(walls);在放電空間中形成的突光層；在前基板較低的表面(lowersurface，下表面)上與尋址電極交叉的方向上設置的多個匯流電極(總線電極)；和覆蓋匯流電極的第二介電層，其中尋址電極包括由含鋁層和含銀層進行堆疊而形成的雙層。圖4說明了根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施方式的rop。如圖4所示，PDP 10包括 后基板150和前基板100。多個尋址電極117a在后基板150上以縱向方向而形成,并且隨后,第一介電層115在其上形成，覆蓋尋址電極117。在第一介電層115上形成多個壁120，其形成放電空間，并且在放電空間中形成熒光層132，其包括與紅、綠和藍(RGB)對應的熒光材料，以定義像素區(qū)域。
前基板100面向后基板150設置。多個匯流電極112在前基板100較低的表面(lower surface,下表面)上形成，并設置在水平方向上與尋■址電極117交叉(cross)。透明電極110可安裝在前基板100和匯流電極112之間，并且匯流電極112可在透明電極110上形成。另外，第二介電層114在透明電極110上形成，該第二介電層存儲在面板中產(chǎn)生的電荷并覆蓋匯流電極112。此外，MgO層118可在透明電極110上形成，該MgO層保護第二介電層114并促進電子發(fā)射。尋址電極可具有圖I或圖2的形式。含銀層117a為尋址電極117的一部分，可連接至后基板150的TCP 200。包括Ne、Ar、Xe、Ne+Ar、Ne+Xe或其他類似物的惰性氣體被引入后基板和前基板之間的空間，并且當將閾值電壓或更高的電壓施加于電極時，通過放電產(chǎn)生光。以下將參考以下實施例對本發(fā)明的組成和作用進行更詳細地說明。這些實施例僅用于說明目的，并且不能解釋成以任何方式限制本發(fā)明。對該領域技術人員來說顯而易見的詳情描述將被省略。實施例I至6和比較例I至3中使用的成分詳情如下。I.招粉球形(D50 = 7 U m)2.銀粉球形(D50 = I. 2um)3.粘合劑樹脂聚(甲基丙烯酸甲酷-共-甲基丙烯酸)溶液(固體樹脂40被％，CC Tech有限公司)4.光聚合化合物三羥甲基丙烷こ氧基三丙烯酸酯(Photonics有限公司)5.玻璃粉鉍玻璃粉(Bi2O3-B2O3-SiO2-Al2O3, Particlogy 有限公司)6.引發(fā)劑2_芐基-2_( ニ甲基氨基)-1-[4-(4_嗎啉基)苯基)-1-丁酮(CIBA特種化學品公司)7.溶劑2，2，4_三甲基-1，3_戊ニ醇單異丁酸酯制備實施例I :含鋁電極漿料組合物的制備在40°C下,將18wt%的粘合劑樹脂溶液、6wt%的光聚合化合物和3wt%的引發(fā)劑攪拌加入至18wt%的溶劑中持續(xù)4小吋。將35wt%的鋁粉和20wt%的玻璃粉添加至該混合物，并碾磨和分散，從而制備漿料。制備實施例2 :含銀電極漿料組合物的制備在40°C下，將12wt%的粘合劑樹脂溶液、8. 5wt%的光聚合化合物和I. 5wt%的引發(fā)劑攪拌加入至24wt%的溶劑中，持續(xù)4小吋。將50wt%的銀粉和4wt%的玻璃粉添加至該混合物，并碾磨和分散，從而制備漿料。制備實施例3 :含銀和鋁電極漿料組合物的制備按照與制備實施例I和2中的相同方式制備銀電極漿料和鋁電極漿料。該漿料以5 5的重量比混合，并分散，從而制備漿料。實施例I在其上設置有印網(wǎng)掩模的玻璃基板上，將制備實施例I中制備的漿料料印刷至厚度為13iim并在110°C干燥20分鐘。干燥的組合物在14mW和200mJ下曝光并在30°C下使用0. 4% Na2CO3水溶液顯影。該產(chǎn)品在580°c下干燥并燒結持續(xù)30分鐘，從而形成含鋁層。在其上設置有另ー個印網(wǎng)掩模的玻璃基板上，將制備實施例2中制備的漿料印刷至厚度為16 um并在110°C干燥持續(xù)20分鐘。干燥的組合物在14mW和200mJ下曝光并在30°C下使用0. 4% Na2CO3水溶液顯影。該產(chǎn)品在580°C下干燥并燒結持續(xù)30分鐘形成含銀層，從而制備圖I的尋址電扱。在含鋁層上堆疊含銀層的雙層具有5mm的長度和10 的厚度。實施例2按照與實施例I中的相同方式制備尋址電極，只是在顯影后未燒結含鋁層。按照與實施例I中的相同方法，將制備實施例I中制備的漿料印刷、干燥、曝光并顯影。然后，將制備實施例2中制備的漿料印刷、干燥、曝光、顯影并燒結，從而制備圖I的尋址電扱。 實施例3按照與實施例I中的相同方式制備尋址電極，只是在干燥后未曝光、顯影和燒結含鋁層。按照與實施例I中的相同方法，將制備實施例I中制備的漿料印刷并干燥。然后，將制備實施例2中制備的漿料印刷、干燥、曝光、顯影并燒結，從而制備圖I的尋址電扱。實施例4按照與實施例I中的相同方法，將制備實施例2中制備的漿料在玻璃基板上印刷、干燥、曝光、顯影并燒結，從而形成含銀層。然后，按照與實施例I中的相同方法，將制備實施例I中制備的漿料在玻璃基板上印刷、干燥、曝光、顯影并燒結，從而制備圖2的尋址電扱。在含銀層上堆疊含鋁層的雙層具有5mm的長度和9 u m的厚度。實施例5按照與實施例4中的相同方式制備尋址電極，只是在顯影后未燒結含鋁層。按照與實施例4中的相同方法，將制備實施例2中制備的漿料印刷、干燥、曝光、顯影。然后，將制備實施例I中制備的漿料印刷、干燥、曝光、顯影并燒結，從而制備圖2的尋址電扱。實施例6按照與實施例4中的相同方式制備尋址電極，只是在干燥后未曝光、顯影和燒結含鋁層。按照與實施例4中的相同方法，將制備實施例2中制備的漿料印刷并干燥。然后，將制備實施例21中制備的漿料印刷、干燥、曝光、顯影并燒結，從而制備圖2的尋址電扱。比較例I按照與實施例I中的相同方法，將制備實施例I中制備的漿料印刷、干燥、曝光、顯影并燒結，但未使用印網(wǎng)掩模，從而形成含鋁電扱。比較例2按照與實施例I中的相同方法，將制備實施例2中制備的漿料印刷、干燥、曝光、顯影并燒結，但未使用印網(wǎng)掩模，從而形成含銀電扱。比較例3按照與實施例I中的相同方法，將制備實施例3中制備的漿料印刷、干燥、曝光、顯影并燒結，但未使用印網(wǎng)掩摸，從而形成含銀和鋁的電極。實驗例對實施例和比較例的每ー個尋址電極，就表I中所列的以下性能進行了評估。〈評估方法〉I.主電極(尋址電極)的線寬(m)和燒結后端子的線寬(n)
燒結后使用Axio scope (Karl-Zeiss)對線寬進行了測量。2.電極的厚度使用P-IO(Tencor)對每ー個電極的厚度進行了測量。在實施例I至6中，對每ー個尋址電極的雙層的厚度進行了測量。3.電極的含銀層和含鋁層的厚度比燒結后在每ー 個電極中測量厚度比。特別地，對掃描電鏡(SEM)橫截面厚度的高度比進行了測量。4.線性電阻使用線性電阻測量儀器Multimeter (Keithley)對線性電阻進行了測量。5.氣體泄漏將其上安裝有實施例和比較例中制備的甸一個電極的如基板和后基板彼此粘貼，然后評估它們之間是否能保持真空。6.對TCP的粘合性每ー個電極如圖3中設置，用0. 4%的硝酸溶液在40°C下熱處理I小時，并用7%的NaOH溶液在40°C下熱處理I小吋。然后，將3M膠帶(Scotch Magic Tape)粘貼在電極上，然后剝?nèi)ィ瑥亩谑欠耠姌O圖案脫離來評估粘合性。電極圖案沒有脫離被評為“好”，而電極圖案脫離被評為“失敗”。7.卷邊對每ー個主電極的遠端的最大高度和中間的厚度之間的差異進行了評估。使用P-IO(Tencor)對電極的厚度進行了測量。8.線分辨率對是否使用10 u m、20 u m、30 u m、40 u m、50 u m、60 u m、70 u m 和 80 u m 的甸一個光掩模形成端子電極圖案進行了評估，并記錄形成圖案的最小值。表I
權利要求
1.一種用于等離子體顯示板(PDP)的后基板，包括 基板；以及 在所述基板上形成的并包括堆疊含鋁層和含銀層的雙層的尋址電極。
2.如權利要求I所述的后基板，其中，所述雙層通過在所述含鋁層上堆疊所述含銀層形成。
3.如權利要求I所述的后基板，其中，所述含鋁層和所述含銀層與所述基板毗鄰，所述含鋁層在所述尋址電極的縱向上被分為第一部分和第二部分，所述含銀層在所述尋址電極的縱向上被分為第三部分和第四部分，并且所述雙層通過堆疊所述第二部分和所述第三部分形成。
4.如權利要求3所述的后基板，其中，所述雙層通過在所述第二部分上堆疊所述第三部分形成。
5.如權利要求3所述的后基板，其中，所述雙層通過在所述第三部分上堆疊所述第二部分形成。
6.如權利要求3所述的后基板，其中，從毗鄰所述含銀層的所述含鋁層末端起，所述雙層具有3mm或以上的長度。
7.如權利要求I所述的后基板，其中，所述雙層具有5至20μ m的厚度。
8.如權利要求I所述的后基板，其中，所述尋址電極包括厚度比為I: 0.1至I : 9的所述含銀層和所述含鋁層。
9.一種包括根據(jù)權利要求I至8中任一項所述的后基板的等離子體顯示板(rop)。
10.如權利要求9所述的rop，其中，所述尋址電極的含銀層連接到在所述后基板上形成的帶式載體封裝(TCP)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種用于等離子體顯示板(PDP)的后基板和一種包括該后基板的PDP。在后基板上的尋址電極包括堆疊含鋁層和含銀層的雙層，并因此阻止了氣體泄漏，不會發(fā)生表面裂紋或脫離，并且電阻不會增大，從而確保了可靠性。
文檔編號H01J11/10GK102655070SQ20111029579
公開日2012年9月5日 申請日期2011年9月30日 優(yōu)先權日2011年3月3日
發(fā)明者岡本珍范, 樸昶遠, 樸珉秀, 李元熙, 申東一, 許倫旼 申請人:第一毛織株式會社