專利名稱：一種led燈具的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光學(xué)晶體的散熱處理技術(shù)，更具體地，涉及一種LED燈具的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法。
背景技術(shù)：
LED的散熱問題現(xiàn)在越來越收到人們的重視，這是因?yàn)長ED的光衰和壽命直接和其結(jié)溫有關(guān)，散熱不好結(jié)溫就高，壽命就短。依照阿雷紐斯法則，溫度每降低10°c，壽命會延長2倍。從Cree公司發(fā)布的光衰和結(jié)溫的關(guān)系可以知道，結(jié)溫假如能夠控制在65°C，其光衰至70%的壽命可以高達(dá)10萬小時。但現(xiàn)在實(shí)際的LED燈的散熱和這個要求相去甚遠(yuǎn)，使得LED燈具的壽命變成了一個影響其性能的主要問題。如果結(jié)溫為25度時的發(fā)光為100%，那么結(jié)溫上升至60度時，其發(fā)光量就只有 90 %，結(jié)溫為100度時就下降到80 %，140度就只有70 %，可見改善散熱，控制結(jié)溫是十分重要的事。除此以外，LED的發(fā)熱還會使得其光譜移動。色溫升高，正向電流增大(恒壓供電時)，反向電流也增大，熱應(yīng)力增高，熒光粉環(huán)氧樹脂老化加速。目前通常把多個LED晶粒集成在一起，得到大功率的LED，這種LED的功率可以達(dá)到5W以上。為了把多個LED晶粒(以共晶(Eutectic)或覆晶(Flip-Chip)封裝)連接在一起，需要采用精確的印制電路進(jìn)行連接。為了得到更好的散熱特性，通常采用陶瓷基板， 這種陶瓷基板是由氧化鋁和氮化鋁構(gòu)成。LED制成燈具后，LED芯片所產(chǎn)生的熱量總是通過燈具的外殼散到空氣中去。因?yàn)?LED芯片的熱容量很小，如果散熱不好，一點(diǎn)點(diǎn)熱量的積累就會使得芯片的結(jié)溫迅速提高， 如果長時期工作在高結(jié)溫的狀態(tài)，它的壽命就會很快縮短。然而這些熱量要能夠真正引導(dǎo)出芯片，到達(dá)外部空氣，要經(jīng)過很多途徑。具體來說，LED芯片所產(chǎn)生的熱，從它的金屬散熱塊出來，先經(jīng)過焊料到鋁基板的PCB，再通過導(dǎo)熱膠才到鋁散熱器。

發(fā)明內(nèi)容
為克服上述散熱和發(fā)光的現(xiàn)有缺陷，本發(fā)明提出一種LED燈具的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提出了一種LED燈具的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，包括燈殼、高反射鋁層、未切割LED晶圓、LED芯片以及二次光學(xué)透鏡，其特征在于，二次光學(xué)透鏡內(nèi)側(cè)底部點(diǎn)入熒光膠，上部為LED芯片，LED芯片上布置未切割LED晶圓，LED晶圓上布置高反射鋁層，頂部和側(cè)部包覆燈殼。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提出了一種LED燈具的晶圓級該封裝結(jié)構(gòu)的制備方法， 包括步驟1，根據(jù)LED芯片的光學(xué)特性，仿真獲取二次光學(xué)透鏡的光學(xué)參數(shù)，并且進(jìn)行光學(xué)級模仁制作；步驟2，制備二次光學(xué)透鏡，并且將熒光膠通過點(diǎn)膠機(jī)點(diǎn)入透鏡內(nèi)側(cè)；步驟3， 獲取未切割LED晶圓，對未切割LED晶圓背面進(jìn)行高反射鋁的激光脈沖蒸鍍；步驟4，將點(diǎn)有熒光膠的二次光學(xué)透鏡與鍍有高反射鋁的未切割LED晶圓結(jié)合，并且與與電源模塊相連接，完成晶圓級封裝。本發(fā)明利用未切割的LED晶圓直接與各式二次光學(xué)透鏡進(jìn)行組裝，并于晶圓背面進(jìn)行高效散熱處理，使晶圓直接與燈殼接觸，提高散熱效率并降低LED燈具的散熱成本。


圖1是LED燈具的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；圖2是共陰極共陽極的LED晶圓的示意圖；圖3是二次光學(xué)透鏡的示意圖；圖4是二次光學(xué)透鏡的整體制備示意圖；圖5是未切割LED晶圓的制備過程示意圖。如圖所示，為了能明確實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的實(shí)施例的結(jié)構(gòu)，在圖中標(biāo)注了特定的結(jié)構(gòu)和器件，但這僅為示意需要，并非意圖將本發(fā)明限定在該特定結(jié)構(gòu)、器件和環(huán)境中，根據(jù)具體需要，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以將這些器件和環(huán)境進(jìn)行調(diào)整或者修改，所進(jìn)行的調(diào)整或者修改仍然包括在后附的權(quán)利要求的范圍中。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本發(fā)明提供的一種LED燈具的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法進(jìn)行詳細(xì)描述。其中，在以下的描述中，將描述本發(fā)明的多個不同的方面，然而，對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，可以僅僅利用本發(fā)明的一些或者全部結(jié)構(gòu)或者流程來實(shí)施本發(fā)明。為了解釋的明確性而言，闡述了特定的數(shù)目、配置和順序，但是很明顯，在沒有這些特定細(xì)節(jié)的情況下也可以實(shí)施本發(fā)明。在其他情況下，為了不混淆本發(fā)明，對于一些眾所周知的特征將不再進(jìn)行詳細(xì)闡述。本發(fā)明采用未切割的LED晶圓，并且LED芯片采取共陰極共陽極的方式與電源的正負(fù)極相連結(jié)，晶圓采用直徑1-4英寸的藍(lán)寶石基板，基板背面以半導(dǎo)體制程沉積高反射鋁薄膜以防止漏光。通過點(diǎn)膠機(jī)將熒光膠點(diǎn)入二次光學(xué)透鏡中，再經(jīng)烘烤使熒光膠固化，再與LED晶圓進(jìn)行黏著接合，完成LED發(fā)光模塊的制作。通過與表面具有散熱涂層的燈殼緊貼組裝，完成LED燈具的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)。根據(jù)該技術(shù)發(fā)明，提供一種LED燈具的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，如圖1所示，以LED晶圓搭配二次光學(xué)透鏡制作LED燈具的方式來構(gòu)成，其結(jié)構(gòu)包括燈殼、高反射鋁層、未切割LED 晶圓、LED芯片以及二次光學(xué)透鏡。二次光學(xué)透鏡內(nèi)側(cè)底部點(diǎn)入熒光膠，上部為LED芯片， LED芯片上布置未切割LED晶圓，LED晶圓上布置高反射鋁層，頂部和側(cè)部包覆燈殼。其中，燈殼可以為鋁材、高導(dǎo)熱系數(shù)塑料、陶瓷金屬復(fù)合材料或者高分子陶瓷復(fù)合材料，其厚度為0.1-1. 0毫米，燈殼外可以涂布遠(yuǎn)紅外輻射納米散熱涂料，涂料厚度為 10-50微米。其中，高反射鋁薄膜的厚度為1-100納米，也可以使用納米二氧化鈦薄膜，其厚度為1-100納米。其中，未切割LED晶圓的厚度為200-500微米，可替代材料為藍(lán)寶石(Sapphire)、 鉆石(Diamond)、碳化硅(Silicon carbide)、氮化鎵(GalliumNitride)或者氮化硅(Silicon Nitride)等。LED芯片的厚度可以為500-1000微米。不切割LED晶圓表面生長
一層氮化鎵薄膜。其中，二次光學(xué)透鏡的厚度為0. 05-0. 3毫米，其透鏡高度為1-10厘米，使用材料為聚碳酸酉旨(Poly carbonate)、亞克力(Poly methyl methacrylate)、液態(tài)玻璃(Liquid state glass)或者接枝型高溫透明聚合物(例如，聚酰亞胺-聚甲基丙酰酸甲酯-聚硅酮) 等。二次光學(xué)透鏡內(nèi)部注入熒光膠，熒光膠的厚度為0. 05-0. 3毫米，熒光膠的所使用的材料的配比可以為黃粉甲黃粉乙黃粉丙紅粉甲紅粉乙綠粉甲綠粉乙納米玻璃甲納米玻璃乙=(0. 1-3. 0) (0.1-3.0) (0.1-3.0) (0.05-0.1) (0.05-0.1) (0 03-0. 2) (0. 03-0. 2) (0. 2-2. 0) (0. 2-2. 0)。其中，高反射鋁鍍在晶圓的背面，通過高導(dǎo)熱系數(shù)膠黏劑、超音波共晶或者脈沖激光焊接實(shí)現(xiàn)。其中，圖2示出共陰極共陽極的LED晶圓的示意圖，如圖2所示，該LED晶圓未切割，且LED芯片采取共陰極共陽極的方式和供電模塊相連。其中，圖3示出，二次光學(xué)透鏡和未切割晶圓的連接示意圖，其中，熒光膠以點(diǎn)膠機(jī)點(diǎn)入二次光學(xué)透鏡內(nèi)側(cè)底部，并與未切割的LED晶圓以機(jī)械機(jī)構(gòu)方式緊密接合。在本發(fā)明的另一個實(shí)施例中，提供一種該封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，其中，該方法包括步驟1，根據(jù)LED芯片的光學(xué)特性，仿真獲取二次光學(xué)透鏡的光學(xué)參數(shù)，并且進(jìn)行光學(xué)級模仁制作；步驟2，制備二次光學(xué)透鏡，并且將熒光膠通過點(diǎn)膠機(jī)點(diǎn)入透鏡內(nèi)側(cè)；步驟3， 獲取未切割LED晶圓，對未切割LED晶圓背面進(jìn)行高反射鋁的激光脈沖蒸鍍；步驟4，將點(diǎn)有熒光膠的二次光學(xué)透鏡與鍍有高反射鋁的未切割LED晶圓結(jié)合，并且與與電源模塊相連接，完成晶圓級封裝。具體地，步驟1中，根據(jù)LED芯片的光學(xué)特性，仿真獲取二次光學(xué)透鏡的光學(xué)參數(shù)， 并且進(jìn)行光學(xué)級模仁制作。其中，先以光學(xué)仿真軟件(Opticalsimulation software)針對藍(lán)光激光二極管芯片或藍(lán)光二極管芯片的光學(xué)特性，如半值角、功率、光型(蝙蝠翼Bat wing等)搭配玻璃、塑料或LED晶圓的反射率、折射率、損耗率、透光率、進(jìn)行綜合仿真，獲取適合當(dāng)前使用玻璃或塑料材的二次光學(xué)透鏡的光學(xué)參數(shù)，相關(guān)參數(shù)諸如曲率、厚度、高度、 透光率、反射率、折射率與雙折射率等光學(xué)參數(shù)。之后根據(jù)光學(xué)仿真結(jié)果，進(jìn)行光學(xué)級模仁制作。其中，先以數(shù)控機(jī)床進(jìn)行模仁 (Mold insert)外形切割，而后經(jīng)研磨、拋光(Polishing)。其中，先將氧化鈰研磨漿料 (Slurry)倒入化學(xué)機(jī)械研磨(Chemical Mechanical Polishing)設(shè)備的研磨盤上，將模仁置于研磨盤上，調(diào)整設(shè)備整體水平度達(dá)到95-100，調(diào)整相對轉(zhuǎn)速為1000-20000rpm，研磨盤溫度設(shè)定為20-120°C，研磨時間可以是1-10分鐘。之后更換研磨墊，再將鉆石拋光液倒入化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備的研磨盤上，調(diào)整設(shè)備整體水平度達(dá)到98-100，調(diào)整相對轉(zhuǎn)速為5000-10000rpm，研磨盤溫度設(shè)定到50_150°C，研磨時間可以是1-10分鐘。之后以純水清洗，純水溫度設(shè)定為20-100°C，時間可以是1-10分鐘。之后進(jìn)行烘烤除水，溫度設(shè)定為90-150°C ；時間可以是30-120分鐘。之后，以鋼網(wǎng)網(wǎng)印方式將正型光刻膠(Positive photo resist)印刷至模仁表面，正型光刻膠厚度為0. 001-0. 01毫米。再經(jīng)前烤制程(Pre-bakingprooess)，該制程參數(shù)為溫度設(shè)定為80-120°C，時間可以是10-50分鐘。再以石英(Quartz)鍍鉻的光刻掩膜板(Photo-mask)置于紫外光曝光系統(tǒng)(Ultraviolet exposure system)進(jìn)行曝光制程(Exposure process)，時間為1-80秒；能量為100-200仟焦耳。之后再進(jìn)行顯影制程 (Development process)，將曝光后的模仁浸泡于重量百分比濃度為3-10(3_10wt% )的氫氧化鈉水溶液(NaOH) (aq)中，溶液溫度為50_80°C，浸泡時間為1_10分鐘。之后以純水清洗，溫度20-100°C，時間1-10分鐘。之后進(jìn)行烘烤除水與后烤制程，溫度設(shè)定為90-150°C， 時間可以是30-120分鐘，再以等離子蝕刻(Plasma etching)對模仁表面進(jìn)行蝕刻，真空度為0. 001-0. 000001毫米汞柱；時間為1-10分鐘；使用氣體為氬氣(純度為99. 999% )0待蝕刻制程完畢，進(jìn)行剝膜制程(Stripping process)，將蝕刻后的模仁浸泡于重量百分比濃度為5-10(5-10Wt% )的氫氧化鈉水溶液(NaOH) (aq)；溫度為70-100°C ；時間為3-15分鐘。之后以純水清洗，溫度設(shè)定為20-100°C )時間可以是1-10分鐘)，之后進(jìn)行烘烤除水(溫度設(shè)定為90-150°C ；時間可以是30-120分鐘)。之后為降低模仁圖樣O^tterned)的表面粗度(Surface roughness)，需進(jìn)行電解拋光制程(Electrolytic polishing)，將模仁置入電解拋光槽內(nèi)，拋光液為氯化物電解質(zhì)(如氯化鈉等)；溫度為50-150°C;時間可以是30-180分鐘；濃度為0.01-10Wt%。之后再以純水清洗，溫度設(shè)定為20-100°C ；時間可以是1-10分鐘，之后進(jìn)行烘烤除水，溫度設(shè)定為90-150°C ；時間可以是30-120分鐘，完成高精度的光學(xué)級模仁制作。之后，將制作完成的高精度光學(xué)級模仁與模座(Mold base)進(jìn)行組立 (Assembly)，將光學(xué)級注塑壓縮成型模具(Injection compression mold)，裝載于電動注塑機(jī)(Electro dynamic injection molding)上，將光學(xué)級聚碳酸脂(PC)或壓克力(PMMA) 或其他透明光學(xué)材料進(jìn)行除水過程，溫度為40-80°C ；時間為8-12小時，將電動注塑機(jī)預(yù)熱至100-300°C。調(diào)整各制程參數(shù)，如溫度為100-300°C，時間為1_30秒，速度為100-200厘米/秒，壓力為200-300單位，產(chǎn)品模內(nèi)停留時間為5-15秒，模溫為80-150°C。脫模之后玻璃或塑料二次光學(xué)透鏡需進(jìn)行退火處理(Annealing process)以消除透鏡模塊的內(nèi)應(yīng)力， 將玻璃或塑料二次光學(xué)透鏡透鏡置入真空烤箱中以溫度70-150°C，時間10-240分鐘，完成高精度玻璃或塑料二次光學(xué)透鏡透鏡的制作。如圖4所示，其中，步驟2中，制備二次光學(xué)透鏡，并且將熒光膠以點(diǎn)膠機(jī)點(diǎn)入透鏡內(nèi)側(cè)。其中，以自行配置的不同配比的熒光粉與透明封裝膠(高折射率)，以點(diǎn)膠機(jī)點(diǎn)入透鏡內(nèi)側(cè)，配比如下(A膠B膠黃粉紅粉綠粉藍(lán)粉=> (1-2. 5) (1-2. 5) (0. 1-2.5) (0.01-2. 5) (0.02-2.5) (0. 03-2. 5))，以上為重量比.經(jīng)色溫調(diào)整校正程序后， 進(jìn)行烘烤程序，溫度設(shè)定為100-200°C ；時間可以是30-90分鐘，如此即可完成二次光學(xué)透鏡的整體制作。熒光膠還可以是前述實(shí)施例的配比。如圖5所示，步驟3中，獲取不切割LED晶圓，以未切割LED晶圓背面進(jìn)行高反射鋁的激光脈沖蒸鍍。于藍(lán)寶石基板(Sapphire substrate)上，以有機(jī)金屬氣相沉積(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)長一層氮化鎵薄膜(GaN thin film)，之后將基板減薄至200-300微米，而原藍(lán)寶石基板的厚度為430-480微米，之后成長二氧化硅薄膜，再以蝕刻液(硫酸磷酸=1 3 ；溫度為300°C )對藍(lán)寶石基板進(jìn)行蝕刻，再進(jìn)行平臺蝕刻與背面圖型制作，之后進(jìn)行蒸鍍接觸電極制程，而不進(jìn)行芯片切割制程。之后，以真空蒸鍍機(jī)(Vacuum evaporation machine)對未切割LED晶圓背面進(jìn)行高反射鋁的激光脈沖蒸鍍，時間5-10分鐘，厚度為0. 000001-0. 001毫米，真空度為0. 001-0. 0000001毫米汞柱，溫度設(shè)定為100-200°c .其中，步驟4，將點(diǎn)有熒光膠的二次光學(xué)透鏡與鍍有高反射鋁的未切割LED晶圓結(jié)合，并且與與電源模塊相連接，完成晶圓級封裝。其中，將點(diǎn)有熒光膠的二次光學(xué)透鏡與鍍有高反射鋁的未切割LED晶圓以機(jī)械機(jī)構(gòu)輔以膠黏方式予以結(jié)合，溫度為50-100°C。其中， 將LED發(fā)光模塊(二次光學(xué)透鏡與鍍有高反射鋁的未切割LED晶圓)與電源模塊相連接。 即可完成晶圓級封裝于LED燈具的應(yīng)用。最后應(yīng)說明的是，以上實(shí)施例僅用以描述本發(fā)明的技術(shù)方案而不是對本技術(shù)方法進(jìn)行限制，本發(fā)明在應(yīng)用上可以延伸為其他的修改、變化、應(yīng)用和實(shí)施例，并且因此認(rèn)為所有這樣的修改、變化、應(yīng)用、實(shí)施例都在本發(fā)明的精神和教導(dǎo)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種LED燈具的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，包括燈殼、高反射鋁層、未切割LED晶圓、LED芯片以及二次光學(xué)透鏡，其特征在于，二次光學(xué)透鏡內(nèi)側(cè)底部點(diǎn)入熒光膠，上部為LED芯片， LED芯片上布置未切割LED晶圓，LED晶圓上布置高反射鋁層，頂部和側(cè)部包覆燈殼。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED燈具的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，其中，LED芯片采取共陰極共陽極的方式與電源的正負(fù)極相連結(jié)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED燈具的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，其中，二次光學(xué)透鏡的厚度為0. 05-0. 3毫米，其透鏡高度為1-10厘米，二次光學(xué)透鏡內(nèi)部注入的熒光膠的厚度為 0. 05-0. 3毫米；熒光膠的材料配比為黃粉甲黃粉乙黃粉丙紅粉甲紅粉乙綠粉甲綠粉乙納米玻璃甲納米玻璃乙=0. 1-3. 0 0. 1-3. 0 0. 1-3. 0 0. 05-0. 1 0. 05 -0.1 0.03-0. 2 0.03-0. 2 0.2-2.0 0.2-2.0。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED燈具的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，其中，未切割LED晶圓的厚度為200-500微米，LED芯片的厚度為500-1000微米，未切割LED晶圓表面生長一層氮化鎵薄膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED燈具的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，其中，其中，高反射鋁薄膜的厚度為1-100納米，高反射鋁鍍在晶圓的背面，通過高導(dǎo)熱系數(shù)膠黏劑、超音波共晶或者脈沖激光焊接實(shí)現(xiàn)。
6.一種LED燈具的晶圓級該封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，包括步驟1，根據(jù)LED芯片的光學(xué)特性，仿真獲取二次光學(xué)透鏡的光學(xué)參數(shù)，并且進(jìn)行光學(xué)級模仁制作；步驟2，制備二次光學(xué)透鏡，并且將熒光膠通過點(diǎn)膠機(jī)點(diǎn)入透鏡內(nèi)側(cè)；步驟3，獲取未切割LED晶圓，對未切割LED晶圓背面進(jìn)行高反射鋁的激光脈沖蒸鍍；步驟4，將點(diǎn)有熒光膠的二次光學(xué)透鏡與鍍有高反射鋁的未切割LED晶圓結(jié)合，并且與與電源模塊相連接，完成晶圓級封裝。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，步驟1包括步驟11，以光學(xué)仿真軟件針對LED芯片的光學(xué)特性，進(jìn)行綜合仿真，獲取適合二次光學(xué)透鏡的光學(xué)參數(shù)；步驟12，根據(jù)光學(xué)仿真結(jié)果，進(jìn)行光學(xué)級模仁制作。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，步驟2中，二次光學(xué)透鏡的厚度為0.05-0. 3毫米，其透鏡高度為1-10厘米，二次光學(xué)透鏡內(nèi)部注入的熒光膠的厚度為0. 05-0. 3毫米；熒光膠的材料配比為黃粉甲黃粉乙黃粉丙紅粉甲紅粉乙綠粉甲綠粉乙納米玻璃甲納米玻璃乙=0. 1-3. 0 0. 1-3. 0 0. 1-3. 0 0. 05-0. 1 0. 05-0. 1 0. 03-0. 2 0. 03-0. 2 0. 2-2. 0 0. 2-2. 0。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，步驟3還包括于未切割晶圓上以有機(jī)金屬氣相沉積長一層氮化鎵薄膜，之后將未切割晶圓減薄至 200-300 微米；成長二氧化硅薄膜，以蝕刻液對未切割晶圓進(jìn)行蝕刻；進(jìn)行平臺蝕刻與背面圖型制作，之后進(jìn)行蒸鍍接觸電極制程。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，步驟4還包括其中，將點(diǎn)有熒光膠的二次光學(xué)透鏡與鍍有高反射鋁的未切割LED晶圓以機(jī)械機(jī)構(gòu)輔以膠黏方式予以結(jié)合，溫度為50-100°C ；將二次光學(xué)透鏡與鍍有高反射鋁的未切割LED晶圓與電源模塊采取共陰極共陽極的方式相連接。
全文摘要
本發(fā)明提供一種LED燈具的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法，該結(jié)構(gòu)包括燈殼、高反射鋁層、未切割LED晶圓、LED芯片以及二次光學(xué)透鏡，其特征在于，二次光學(xué)透鏡內(nèi)側(cè)底部點(diǎn)入熒光膠，上部為LED芯片，LED芯片上布置未切割LED晶圓，LED晶圓上布置高反射鋁層，頂部和側(cè)部包覆燈殼。
文檔編號F21Y101/02GK102412363SQ20111030972
公開日2012年4月11日 申請日期2011年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月15日
發(fā)明者王培賢, 蘇晉平 申請人:廣東昭信燈具有限公司