專利名稱：發(fā)光器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光器件。
背景技術(shù)：
由于暗點(diǎn)、壽命短等等的出現(xiàn)導(dǎo)致要求頻繁地更換熒光燈。此外，由于熒光材料的使用使得它們不滿足更加環(huán)保照明器件的需要。為此，逐漸地用其它的光源替代熒光燈。在發(fā)光器件當(dāng)中，作為替代光源的發(fā)光二極管(LED)受到了很大的關(guān)注。LED具有諸如快速處理速度和低功率消耗的半導(dǎo)體的優(yōu)點(diǎn)，其是環(huán)保的，并且具有高節(jié)能效果。因此，LED是重要的下一代光源。因此，正在積極地進(jìn)行替代現(xiàn)有的熒光燈的LED的實(shí)際應(yīng)用。當(dāng)前，諸如LED的半導(dǎo)體發(fā)光器件應(yīng)用于電視、監(jiān)視器、筆記本、蜂窩電話、以及裝備有顯示裝置的各種電器。特別地，它們被廣泛地用作替代冷陰極熒光燈(CCFL)的背光單兀。最近，要求發(fā)光器件具有高亮度使得它們可以被用作用于照明的光源。為了實(shí)現(xiàn)此高亮度，正在進(jìn)行研究，以能夠?qū)崿F(xiàn)均勻的電流擴(kuò)散并且因此增強(qiáng)發(fā)光效率的發(fā)光器件的制造。


將會(huì)詳細(xì)地參考附圖描述實(shí)施例，其中相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件，其中圖1是示出根據(jù)如在此廣泛地描述的實(shí)施例的發(fā)光器件的截面圖；圖2至圖6是示出用于制造圖1中所示的發(fā)光器件的方法的系列處理的截面圖；圖7是根據(jù)如在此廣泛地描述的實(shí)施例的包括圖1中所示的發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝的透視圖；圖8是根據(jù)如在此廣泛地描述的實(shí)施例的包括發(fā)光器件的照明裝置的透視圖；圖9是沿著圖8中所示的照明裝置的線A-A’截取的照明裝置的截面圖；圖10是根據(jù)在如此廣泛地描述的實(shí)施例的包括發(fā)光器件的液晶顯示器的透視圖；圖11是根據(jù)如在此廣泛地描述的另一實(shí)施例的包括發(fā)光器件的液晶顯示器的透視圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將會(huì)詳細(xì)地參考優(yōu)選實(shí)施例，在附圖中示出其示例。結(jié)合附圖根據(jù)下述實(shí)施例將會(huì)清楚地理解優(yōu)點(diǎn)和特征以及實(shí)現(xiàn)優(yōu)點(diǎn)和特征的方
4法。然而，實(shí)施例不受限制并且可以以各種不同的形式來實(shí)現(xiàn)。實(shí)施例僅被提供以更加全面地示出并且使得本領(lǐng)域技術(shù)人員全面地理解范圍。僅通過權(quán)利要求來限定該范圍。因此，在一些實(shí)施例中，沒有詳細(xì)地示出眾所周知的工藝、眾所周知的器件結(jié)構(gòu)以及眾所周知的技術(shù)以避免不清楚的解釋。在說明書中將會(huì)使用相同的附圖標(biāo)記來表示相同或者相似的部件。空間上的相對(duì)術(shù)語，“在下方”、“在下面”、“下”、“在上方”、“在上面”等等可以用于
表示一個(gè)器件或者組成元件和其它器件或者組成元件之間的關(guān)系，如附圖中所示。應(yīng)理解的是，空間上的相對(duì)術(shù)語包括在附圖中示出的方向以及在使用或者操作期間的器件的其它方向。例如，在附圖中所示的器件被翻轉(zhuǎn)的情況下，被布置在另一器件的“下方”或者“下面” 的器件可以被布置在另一器件的“上方”。因此，在示例性術(shù)語中，“在下面”可以包括“在下方”或者“在下方”和“在上方”。器件可以布置在其它方向上。結(jié)果，可以取決于取向來理解空間上的相對(duì)術(shù)語。在說明書中使用的術(shù)語僅被提供以示出實(shí)施例并且不應(yīng)被理解為限制本發(fā)明的范圍和精神。在說明書中，單數(shù)形式的術(shù)語包括其復(fù)數(shù)形式，除非另有描述。在如在此使用的術(shù)語“包括”中，提及的組件、步驟、操作和/或器件不排除一個(gè)或者多個(gè)其它組件、步驟、 操作和/或器件的存在或者添加。除非另有定義，否則在此使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語)可以意在具有本領(lǐng)域的技術(shù)人員理解的意義。另外，應(yīng)不異常地或者夸大地解釋在普通字典中定義的術(shù)語，除非清楚地具體地對(duì)其進(jìn)行了定義。在附圖中，為了描述的清楚和方便，各層的厚度或者尺寸被夸大、省略或者示意性地示出。因此，各個(gè)元件的尺寸沒有整體上反映其實(shí)際尺寸。另外，基于附圖中的圖示描述在發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)的描述期間參考的角度和方向。 在發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)的描述中，如果沒有清楚地描述與角度和位置關(guān)系有關(guān)的基準(zhǔn)點(diǎn)，那么將參考附圖。在下文中，為了進(jìn)一步詳細(xì)地示出根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件的形狀，將會(huì)基于第一方向(X)和垂直于第一方向(X)的第二方向(Y)來描述發(fā)光器件。圖1是示出根據(jù)如在此廣泛地描述的實(shí)施例的發(fā)光器件的截面圖。參考圖1，如在此具體化和廣泛地描述的發(fā)光器件可以包括基板110、和布置在基板110上的發(fā)光結(jié)構(gòu)120?；?10可以由具有優(yōu)秀的導(dǎo)熱性的材料制成。替代地，基板110可以由導(dǎo)電材料制成。例如，基板110可以由金屬材料或者導(dǎo)電陶瓷制成?；?10可以具有單層結(jié)構(gòu)。替代地，基板110可以具有雙層結(jié)構(gòu)或者具有三層或者更多層的多層結(jié)構(gòu)。盡管示出的實(shí)施例中的基板110已經(jīng)被描述為具有導(dǎo)電性，但是本公開不限于此。例如，基板110可以是非導(dǎo)電的。當(dāng)基板110由金屬材料制成時(shí)，基板110的材料可以是從金(Au)、鎳(Ni)、鎢(W)、 鉬(Mo)、銅(Cu)、鋁(Al)、鉭(Ta)、銀(Ag)、鉬(Pt)、鉻(Cr)、以及其合金中選擇的金屬材料。可以通過層壓不同材料的兩層或者更多層來形成基板110?；?10用于容易地發(fā)散從發(fā)光器件100產(chǎn)生的熱，并且因此實(shí)現(xiàn)熱穩(wěn)定性的增強(qiáng)。當(dāng)基板110由半導(dǎo)體材料制成時(shí)，可以使用諸如硅(Si)、鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)、 氧化鋅(SiO)、碳化硅(SiC)、鍺化硅(SiGe)、氮化鎵(GaN)、或者氧化鎵(Ga2O3)的載具晶圓來形成基板110的材料?；?10可以具有透光性質(zhì)。例如，當(dāng)基板110使用硅而形成為預(yù)定的厚度或者更少時(shí)，它可以具有透光性質(zhì)。當(dāng)然，基板110不限于此條件?；?10可以由具有高導(dǎo)熱性的材料制成?；?10可以具有比第二半導(dǎo)體層 126低的折射率，以便于實(shí)現(xiàn)光提取效率的增強(qiáng)。而且，為了進(jìn)一步增強(qiáng)光提取效率，基板 110可以在其上表面上設(shè)置有構(gòu)圖的藍(lán)寶石基板(PSS)結(jié)構(gòu)。當(dāng)然，基板110不限于上述條件或者結(jié)構(gòu)?；?10可以用于容易地發(fā)散從發(fā)光器件100產(chǎn)生的熱，并且因此實(shí)現(xiàn)發(fā)光器件 100的熱穩(wěn)定性的增強(qiáng)?？梢允褂秒娀瘜W(xué)金屬沉積方法或者使用共晶金屬的結(jié)合方法實(shí)現(xiàn)基板110的形成?；?10可以包括電接觸第一電極130的第一基板部分IlOa ；和第二基板部分 110b，該第二基板部分IlOb電接觸第二電極150同時(shí)與第一基板部分IlOa隔開間距sc。第一和第二基板部分IlOa和IlOb相互隔開間距sc，以相互電氣地絕緣。不同極性的電壓可以分別被施加給第一和第二電極130和150。盡管第一和第二基板部分IlOa和IlOb被布置為在與第二基板部分IlOb隔開間距sc的狀態(tài)下第一基板部分IlOa圍繞第二基板部分110b，但是本公開不限于此。內(nèi)部的間隔部分形成為空氣，但是可以形成為絕緣材料，本公開不限于此。結(jié)合層111可以被布置在基板110的第一和第二基板部分IlOa和IlOb上。結(jié)合層111可以實(shí)現(xiàn)將第一和第二電極130和150容易地結(jié)合到基板110。結(jié)合層111可以形成為實(shí)現(xiàn)結(jié)合并且避免擴(kuò)散。例如，結(jié)合層111可以由銦an)、 錫(Sn)、銀(Ag)、鈮(Nb)、鎳(Ni)、鋁(Al)、銅(Cu)、鉬(Pt)、鉛(Pd)、鎢(W)、鎳(Ni)、釕 (Ru)、鉬(Mo)、銥(Ir)、銠(Rh)、鉭(Ta)、鉿(Hf)、鋯(Zr)、鈮(Nb)、以及釩(V)、或者其合金中的至少一個(gè)制成。因此，結(jié)合層111可以具有單層結(jié)構(gòu)或者多層結(jié)構(gòu)。電接觸第二半導(dǎo)體層126的第二電極150可以被布置在被布置在第二基板部分 IlOb上的結(jié)合層111的一部分上。第二電極150可以包括反射層(未示出)和電極層(未示出)。反射層可以被布置在結(jié)合層111上，并且電極層可以被布置在反射層上。當(dāng)然，第二電極150不限于此布置。電極層可以由導(dǎo)電材料制成。例如，電極層可以由鎳(Ni)、鉬(Pt)、釕(Ru)、銥 (Ir)、銠(Rh), II (Ta)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、銀(Ag)、鎢(W)、銅(Cu)、鉻(Cr)、鈀(Pd)、釩(V)、 鈷(Co)、鈮(Nb)、鋯(&)、銦錫氧化物(ITO)、鋁鋅氧化物(AZO)、以及銦鋅氧化物(IZO)中的至少一個(gè)制成。同時(shí)，反射層和電極層可以具有相同的寬度。而且，反射層和電極層可以具有不同的寬度或者不同的長度，或者可以具有不同的寬度和不同的長度。當(dāng)然，反射層和電極層不限于上述情況?？梢酝ㄟ^同時(shí)固化過程來形成反射層和電極層。當(dāng)反射層和電極層被同時(shí)固化
6時(shí)，可以獲得優(yōu)異的結(jié)合力。電流阻擋層(未示出)可以插入在第二電極150和發(fā)光結(jié)構(gòu)120之間，以便于避免從第二電極150提供的電流的電流集邊現(xiàn)象。電接觸第一半導(dǎo)體層122的第一電極130可以被布置在被布置在第一基板部分 IlOa上的結(jié)合層111的一部分上。第一電極130可以在與第二電極150電絕緣的狀態(tài)下與第二電極150隔開。第一電極130可以由與第二電極120相同的材料制成。第一電極150可以以與第二電極150相同的方式包括反射層和電極層。當(dāng)然，第一電極130不限于上述布置、條件、以及結(jié)構(gòu)。絕緣層140可以插入在被布置在第一基板部分IlOa上的第一電極130和第二電極層1 之間。絕緣層140被布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)120的側(cè)表面和第二半導(dǎo)體層126的下表面的一部分上。絕緣層140可以包括第一絕緣層142，該第一絕緣層142被布置在第二半導(dǎo)體層 126的下表面部分上；和第二絕緣層144，該第二絕緣層144被布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)120的側(cè)表面上。發(fā)光結(jié)構(gòu)120的側(cè)表面是傾斜的。盡管發(fā)光結(jié)構(gòu)120的各個(gè)側(cè)表面被示出為被劃分為傾斜部分和從傾斜部分延伸的臺(tái)階部分，但是本公開不限于此。第一和第二絕緣層142和144可以形成為具有一體化結(jié)構(gòu)或者分開的結(jié)構(gòu)。第一和第二絕緣層142和144的材料可以是不同的。當(dāng)然，第一和第二絕緣層142和144不限于這樣的條件。第一絕緣層142可以與第二電極150的邊緣部分隔開間距sc。第二絕緣層144可以被布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)120的傾斜表面上。第二絕緣層144可以延伸到第一半導(dǎo)體層122的臺(tái)階部分。當(dāng)然，本公開不限于上述結(jié)構(gòu)。第二絕緣層144沒有延伸到第一半導(dǎo)體層122的上表面。g卩，第一半導(dǎo)體層122 的臺(tái)階部分可以向外暴露。當(dāng)然，本公開不限于此結(jié)構(gòu)。第一和第二絕緣層142和144可以具有不同的寬度，但是它們不限于此。第一和第二絕緣層142和144可以由絕緣材料制成。例如，第一和第二絕緣層142 和144可以由氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)等等制成。第一和第二絕緣材料142和144可以由具有比第一電極130低的導(dǎo)電性的金屬材料制成使得它們比第一電極130更加接近絕緣體。當(dāng)然，第一和第二絕緣層142和144不限于這樣的條件。第一電極130可以包括布置在絕緣層140上的側(cè)表面部分132和延伸通過形成在第一半導(dǎo)體層122的邊緣部分處的孔(未示出)的延伸部分134。側(cè)表面部分132可以比絕緣層140長?？梢酝ㄟ^沉積工藝生長側(cè)表面部分132。側(cè)表面部分132可以延伸到形成在第一半導(dǎo)體層122的臺(tái)階部分，即，第一半導(dǎo)體層122的邊緣部分處的各孔。延伸部分134分別連接到側(cè)表面部分132，并且在經(jīng)過孔之后分別延伸到第一半導(dǎo)體層122的上表面。電極焊盤152可以被布置在每個(gè)延伸部分134的上表面和延伸部分134周圍的第一半導(dǎo)體層122的上表面部分上。每個(gè)電極焊盤152可以被布置在第一半導(dǎo)體層122的上表面的邊緣部分上。指電極(臂電極)也被布置在第一半導(dǎo)體層122的上表面的邊緣部分上，以連接到電極焊盤 152。當(dāng)然，本公開不限于此結(jié)構(gòu)。除了第一和第二半導(dǎo)體層122和1 之外，發(fā)光結(jié)構(gòu)120可以包括插入在第一和第二半導(dǎo)體層122和1 之間的有源層124。第一半導(dǎo)體層122可以由半導(dǎo)體化合物制成。例如，可以使用III-V族或者II-VI 族半導(dǎo)體實(shí)施第一半導(dǎo)體層122。第一半導(dǎo)體層122可以摻雜有第一導(dǎo)電類型摻雜物。例如，可以通過η型半導(dǎo)體層實(shí)施第一半導(dǎo)體層122。N型半導(dǎo)體層可以由諸如GaN、AKiaN以及InGaN的GaN基化合物半導(dǎo)體材料中的一個(gè)制成，并且可以摻雜有η型摻雜物。同時(shí)，被布置在第一半導(dǎo)體層122的上表面的邊緣部分上的電極焊盤152可以由具有高導(dǎo)電性的材料制成，例如，由鎳(Ni)等等制成。為了實(shí)現(xiàn)光提取效率的增強(qiáng)，可以使用特定的蝕刻方法，在沒有形成電極焊盤152的第一半導(dǎo)體層122的表面部分處或者第一半導(dǎo)體層122的整個(gè)表面部分形成粗糙128。如上所述，第一電極310的延伸部分134分別延伸通過以接觸電極焊盤152的孔可以形成在第一半導(dǎo)體層122的上表面的邊緣部分處。g卩，第一半導(dǎo)體層122包括第一區(qū)域(未示出)，該第一區(qū)域垂直地重疊第二電極 150 ；和第二區(qū)域(未示出)，該第二區(qū)域沒有重疊第一區(qū)域同時(shí)包括形成有孔的邊緣部分。有源層IM可以被布置在第一半導(dǎo)體層122的下面。有源層IM是電極和空穴復(fù)合的區(qū)域。根據(jù)電子和空穴的復(fù)合，有源層1 變?yōu)榈湍芗?jí)，使得它可以產(chǎn)生具有對(duì)應(yīng)于能級(jí)的波長的光。有源層124可以由例如具有In/ipamMO彡χ彡1，0彡y彡1，并且0彡x+y彡1) 的化學(xué)式的半導(dǎo)體材料制成。有源層1 可以具有單量子阱結(jié)構(gòu)或者多量子阱(MQW)結(jié)構(gòu)。因此，更多電子聚集在量子阱層的低能級(jí)部分中。結(jié)果，電子和空穴復(fù)合的可能性增加，使得可以獲得增強(qiáng)的發(fā)光效果。有源層IM也可以具有量子線結(jié)構(gòu)或者量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)。第二半導(dǎo)體層1 可以被布置在有源層IM下面。第二半導(dǎo)體層1 可以由半導(dǎo)體化合物制成。例如，可以使用III-V族或者 II-VI族化合物半導(dǎo)體實(shí)施第二半導(dǎo)體層126。第二半導(dǎo)體層1 可以摻雜有第二導(dǎo)電類型摻雜物。例如，可以通過P型半導(dǎo)體層實(shí)施第二半導(dǎo)體層126。在這樣的情況下，第二半導(dǎo)體層1 可以將空穴注入到有源層124中。ρ型半導(dǎo)體層可以由例如具有 InxAlyGa1^yN(O彡χ彡1，O彡y彡1，并且O彡x+y彡1)的化學(xué)式的半導(dǎo)體材料制成，例如，由GaN、A1N、AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN或者AlInN制成。ρ型半導(dǎo)體層可以摻雜有諸如Mg、Zn、Ca、Sr、以及Ba的ρ型摻雜物。第三半導(dǎo)體層(未示出)可以形成在第二半導(dǎo)體層126的下面?？梢酝ㄟ^η型半導(dǎo)體層實(shí)施第三半導(dǎo)體層。同時(shí)，可以使用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)方法、化學(xué)氣相沉積(CVD)方法、 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)方法、分子束外延(MBE)方法、氫化物氣相外延(HVPE) 方法、或者濺射方法形成第一半導(dǎo)體層122、有源層124、以及第二半導(dǎo)體層126。當(dāng)然，形成方法不限于上述方法。與上述實(shí)施例相反，可以通過ρ型半導(dǎo)體層實(shí)施第一半導(dǎo)體層122，并且可以通過 η型半導(dǎo)體層實(shí)施第二半導(dǎo)體層124。當(dāng)然，本公開不限于此實(shí)施例。
第一半導(dǎo)體層122可以包括沒有形成孔的臺(tái)階部分?？梢栽谙率鲞^程中形成臺(tái)階部分，其中，在發(fā)光器件100的制造中，在藍(lán)寶石基板(未示出)上生長發(fā)光結(jié)構(gòu)120，并且然后通過隔離工藝將其劃分為多個(gè)均具有與器件相對(duì)應(yīng)的尺寸的發(fā)光結(jié)構(gòu)。因此，可以進(jìn)行孔的形成。在下文中，將參考圖2至圖6詳細(xì)地描述用于制造如上所述的發(fā)光器件(未示出) 的方法。圖2至圖6是示出用于制造圖1中所示的發(fā)光器件的方法的一系列工藝的截面圖。參考圖2，發(fā)光結(jié)構(gòu)120可以生長在藍(lán)寶石基板101上。藍(lán)寶石基板101可以由能夠?qū)崿F(xiàn)容易的半導(dǎo)體生長的材料制成。例如，藍(lán)寶石基板101的材料可以從由藍(lán)寶石(A1203)、GaN, SiC、ZnO、Si、GaP、 hP、以及GaAs組成的組中選擇。盡管未示出，但是緩沖層(未示出)可以形成在藍(lán)寶石基板101和發(fā)光結(jié)構(gòu)120之間。緩沖層可以由能夠減少藍(lán)寶石基板101和發(fā)光結(jié)構(gòu)120之間的晶格常數(shù)差的材料制成。例如，緩沖層可以由III族和V族元素的組合制成。替代地，緩沖層可以由從GaN、 InN, A1N、InGaN, AlGaN, InAlGaN,以及AlInN中選擇的一個(gè)制成。緩沖層可以摻雜有摻雜物。發(fā)光結(jié)構(gòu)120可以包括第一半導(dǎo)體層122、有源層124以及第二半導(dǎo)體層126。該結(jié)構(gòu)與參考圖1描述的結(jié)構(gòu)相同，并且因此，將不進(jìn)行詳細(xì)的描述。圖2(a)示出可分離的基板101和發(fā)光結(jié)構(gòu)120的截面。圖2 (b)是示出可分離的基板101和發(fā)光結(jié)構(gòu)120的透視圖。參考圖3，可以通過隔離工藝將在可分離的基板101上生長的發(fā)光結(jié)構(gòu)120劃分為均具有與器件相對(duì)應(yīng)的尺寸的第一至第四發(fā)光結(jié)構(gòu)120_1至120_4。這時(shí)，臺(tái)階部分si可以形成在第一至第四發(fā)光結(jié)構(gòu)120_1至120_4中的每一個(gè)處，以從第一半導(dǎo)體層122形成臺(tái)階。臺(tái)階部分si對(duì)應(yīng)于如結(jié)合圖1描述的第一半導(dǎo)體層122的第二區(qū)域。布置有第二半導(dǎo)體層1 和有源層124的發(fā)光結(jié)構(gòu)120_1至120_4中的每一個(gè)的部分對(duì)應(yīng)于如參考圖1描述的第一半導(dǎo)體層122的第一區(qū)域。換言之，在發(fā)光結(jié)構(gòu)120的生長之后執(zhí)行的隔離工藝期間，包括在第一至第四發(fā)光結(jié)構(gòu)120_1至120_4中的每一個(gè)中的臺(tái)階部分si可以形成為通過臺(tái)階部分si暴露第一半導(dǎo)體層122的區(qū)域。盡管在示出的實(shí)施例中臺(tái)階部分si已經(jīng)被描述為形成在第一半導(dǎo)體層122的邊緣部分處，但是本公開不限于此。例如，臺(tái)階部分si可以形成在第一半導(dǎo)體層122的一側(cè)處。因此，第一至第四發(fā)光結(jié)構(gòu)120_至120_4可以具有臺(tái)階形狀。至少一個(gè)孔h可以形成在臺(tái)階部分si處。至少一個(gè)孔h可以具有圓形。替代地，孔h可以具有多邊形形狀或者具有彎曲邊緣的形狀。當(dāng)然，孔不限于這樣的形狀。
至少一個(gè)孔h可以從臺(tái)階部分Sl的第一表面延伸到與第一表面相對(duì)的臺(tái)階部分 si的第二表面。圖3是示出第一至第四發(fā)光結(jié)構(gòu)120_1至120_4和可分離的基板101的透視圖。盡管包括在第一至第四發(fā)光結(jié)構(gòu)120_1至120_4中的每一個(gè)中的第一半導(dǎo)體層 122被示出為與第一至第四發(fā)光結(jié)構(gòu)120_1至120_4中剩余部分隔開，但是本公開不限于此。例如，第一至第四發(fā)光結(jié)構(gòu)120_1至120_4的第一半導(dǎo)體層122可以不相互隔離。圖4示出一個(gè)發(fā)光結(jié)構(gòu)。例如，圖4(a)是截面圖，而圖4(b)是透視圖。參考圖4，示出第一發(fā)光結(jié)構(gòu)120_1。在下文中，將會(huì)結(jié)合第一發(fā)光結(jié)構(gòu)120_1描述發(fā)光器件100的制造。當(dāng)然，可以通過與第一發(fā)光結(jié)構(gòu)120_1相同的工藝將第二至第四發(fā)光結(jié)構(gòu)120_2至120_4中的每一個(gè)形成到發(fā)光器件100中。第二電極150被布置在第二半導(dǎo)體層126的中心部分上。第一絕緣層142可以被布置在第二半導(dǎo)體層126的邊緣部分上同時(shí)與第二電極150隔開。第一絕緣層142可以具有小于第一電極130的厚度d2的厚度dl，但是本公開不限于此。其后，第二絕緣層144可以被布置為接觸第一絕緣層142同時(shí)沿著第一發(fā)光結(jié)構(gòu) 120_1的側(cè)表面延伸到第一半導(dǎo)體層122的臺(tái)階部分Si。因此，第一和第二絕緣層142和144保護(hù)第一發(fā)光結(jié)構(gòu)120_1。已經(jīng)結(jié)合圖1描述了此結(jié)構(gòu)并且，將不會(huì)給出其詳細(xì)描述。在第一和第二絕緣層142和144的形成之后，第一電極130可以被布置在第一絕緣層142上。如上所述，第一電極130可以包括側(cè)表面部分132，該側(cè)表面部分132被布置在第一和第二絕緣層142和144上；和延伸部分134，該延伸部分134延伸通過形成在第一半導(dǎo)體層122處的孔h。在該情況下，被布置在第一絕緣層142上的側(cè)表面部分132具有小于第一電極130 的厚度d2的厚度d3。第二電極150的厚度d2可以等于第一絕緣層142的厚度dl和第一電極130的厚度d3。當(dāng)然，本公開不限于此。延伸部分134分別電連接到側(cè)表面部分132。延伸部分134可以分別沿著孔h的內(nèi)部，即，通過第一半導(dǎo)體層122延伸。在這樣的情況下，延伸部分134可以具有與孔h相同的形狀。每個(gè)延伸部分134 可以具有大于每個(gè)側(cè)表面部分132的寬度w2的寬度wl。當(dāng)然，本公開不限于此情況。當(dāng)每個(gè)延伸部分134的寬度wl增加時(shí)，能夠增加延伸部分134與在可分離的基板 101的分離之后布置在其上的電極焊盤152的接觸面積。每個(gè)延伸部分134可以被布置在第一半導(dǎo)體層122的非C面上，但是本公開不限于此。每個(gè)側(cè)表面部分132可以具有朝著對(duì)應(yīng)的延伸部分134逐漸增加的厚度d4，但是本公開不限于此。參考圖5，結(jié)合層111和基板110結(jié)合到第一和第二電極130和150。激光束hv 照射到可分離的基板101的下表面上以便于將可分離的基板101與第一發(fā)光結(jié)構(gòu)120_1分ο盡管被照射到可分離的基板101的下表面上的激光束hv也照射到第一半導(dǎo)體層 122的臺(tái)階部分si上，但是由于臺(tái)階部分si使得這些激光束不會(huì)照射到第二絕緣層144和有源層126。激光束hv會(huì)損壞第一半導(dǎo)體層122的臺(tái)階部分si的下表面。然而，該損壞可以表現(xiàn)與形成在發(fā)光表面上的粗糙相同的效果，從而其不會(huì)影響發(fā)光效率。因?yàn)槟軌蛲ㄟ^第一半導(dǎo)體層122的臺(tái)階部分si防止激光束hv直接照射到有源層 124，所以能夠防止有源層124的損壞。結(jié)果，能夠容易地確保發(fā)光器件100的可靠性。參考圖6，在可分離的基板101的分離之后，粗糙128的圖案可以形成在第一半導(dǎo)體層122的部分上或者第一半導(dǎo)體層122的整個(gè)部分上。可以在粗糙128的形成之后結(jié)合電極焊盤152。根據(jù)示出的實(shí)施例的發(fā)光器件可以被安裝在封裝中?？梢灾苽涠鄠€(gè)發(fā)光器件封裝，并且然后將其排列在基板上。光學(xué)構(gòu)件，即，導(dǎo)光板、棱鏡片、擴(kuò)散片等等可以布置在發(fā)光器件封裝的光學(xué)路徑上。圖7是根據(jù)如在此廣泛地描述的實(shí)施例的包括圖1中所示的發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝的透視圖。圖7是穿過發(fā)光器件封裝200的一部分看到的透視圖。盡管在本實(shí)施例中發(fā)光器件封裝200是頂視圖，但是發(fā)光器件封裝200可以是側(cè)視圖并且不限于此。參考圖7，發(fā)光器件封裝200可以包括發(fā)光器件210和其中布置發(fā)光器件210的主體 220。主體220可以包括第一阻擋肋222，該第一阻擋肋222被布置在第一方向(未示出)上；和第二阻擋肋224，該第二阻擋肋2M被布置在與第一方向交叉的第二方向(未示出)上。第一和第二阻擋肋222和224可以一體地形成并且可以通過擠壓成型、蝕刻等等形成并且不限于此。S卩，第一和第二阻擋肋222和2 可以由從諸如聚鄰苯二甲酰胺(PPA)的樹脂、硅 (Si)、鋁(Al)、氮化鋁(AlN)、氧化鋁(AWx)、光敏玻璃(PSG)、聚酰胺9T(PA9T)、間規(guī)聚苯乙烯(SPS)、金屬、藍(lán)寶石(A1203)、氧化鈹(BeO)、陶瓷、以及印制電路板(PCB)中選擇的至少一個(gè)制成?？梢詮娜Q于發(fā)光器件210的應(yīng)用和設(shè)計(jì)從包括三角形、矩形、多邊形以及圓形的各種形狀中選擇第一和第二阻擋肋222和224的頂部形狀，并且不限于此。另外，第一和第二阻擋肋222和2M形成其中布置發(fā)光器件210的腔體。腔體的橫截面可以具有杯形狀、凹陷容器形狀等等。組成腔體的第一和第二阻擋肋222和2M可以具有下方向上的傾斜面。另外，腔體的平表面可以從包括三角形、矩形、多邊形以及圓形的各種形狀中選擇，但是不限于此。第一和第二引線框架213和214可以被布置在主體220下面。第一引線框架213 和第二引線框架214包含諸如鈦(Ti)、銅(Cu)、鎳(Ni)、金(Au)、鉻(Cr)、鉭(Ta)、鉬(Pt)、 錫(Sn)、銀(Ag)、磷(P)、鋁(Al)、銦 an)、鈀(Pd)、鈷(Co)、硅(Si)、鍺(Ge)、鉿(Hf)、釕 (Ru)、鐵(Fe)、以及其合金的金屬。另外，第一和第二引線框架可以具有單層或者多層結(jié)構(gòu)，
第一和第二阻擋肋222和224的內(nèi)側(cè)面可以相對(duì)于第一和第二引線框架213和 214中的一個(gè)以預(yù)定的角度傾斜。從發(fā)光器件210發(fā)射的光的反射角可以取決于傾斜角而變化。因此，能夠控制放出到外部的光的取向角。隨著光的取向角的減少，從發(fā)光器件210 發(fā)射到外部的光的會(huì)聚性增加。另一方面，隨著光的取向角的增加，從發(fā)光器件210發(fā)射到外部的光的會(huì)聚性減少。主體220的內(nèi)側(cè)可以具有多個(gè)傾斜角并且不限于此。第一和第二引線框架213和214電連接到發(fā)光器件210，分別連接到外電源(未示出)的正(+)和負(fù)(_)電極，并且將電力提供到發(fā)光器件210。在本實(shí)施例中，發(fā)光器件210被布置在第一引線框架213上，第二引線框架214與第一引線框架213隔開，并且發(fā)光器件210被管芯結(jié)合到第一引線框架213并且通過布線 (未示出)引線鍵合到第二引線框架214以接收來自于第一和第二引線框架213和214的電力。在此，發(fā)光器件210可以被結(jié)合到具有不同極性的第一引線框架213和第二引線框架214。另外，發(fā)光器件210被引線鍵合或者管芯結(jié)合到第一和第二引線框架213和214， 并且對(duì)連接形成方法沒有限制。在本實(shí)施例中，發(fā)光器件210被布置第一引線框架213中，但是不限于此。另外，發(fā)光器件210可以通過粘附構(gòu)件(未示出)粘附到第一引線框架213。在這里，絕緣屏障216可以形成在第一和第二引線框架213和214之間以防止第一和第二引線框架213和214之間的電氣短路。在本實(shí)施例中，絕緣屏障216可以具有半圓形的頂部并且其形狀不限于此。主體213可以被設(shè)置有陰極標(biāo)記217。陰極標(biāo)記217劃分發(fā)光器件210的極性 (艮P，第一和第二引線框架213和214的極性)，并且因此可以用于防止當(dāng)?shù)谝缓偷诙€框架213和214電連接時(shí)的混亂。發(fā)光器件210可以是發(fā)光二極管。發(fā)光二極管可以是發(fā)射諸如紅色、綠色、藍(lán)色或者白光的彩色光的彩色發(fā)光二極管，或者發(fā)射紫外光的紫外(UV)發(fā)光二極管，并且不限于此?？梢源嬖诙鄠€(gè)安裝在第一引線框架213上的發(fā)光器件210，至少一個(gè)發(fā)光器件210可以安裝在第一和第二引線框架213和214上，并且發(fā)光器件210的數(shù)目和位置沒有限制。在這里，發(fā)光器件210可以是圖1中所示的發(fā)光器件中的一個(gè)，但是不限于此。主體220可以包括填充在腔體中的樹脂材料218。S卩，樹脂材料218可以具有雙模制結(jié)構(gòu)或者三模制結(jié)構(gòu)并且不限于此。另外，樹脂材料218可以是膜類型并且包括熒光體和光擴(kuò)散材料中的至少一個(gè)。另外，樹脂材料218可以包括包含熒光體和光擴(kuò)散材料的透光材料，但是不限于此。圖8是包括根據(jù)如在此廣泛地描述的實(shí)施例的發(fā)光器件的照明設(shè)備的透視圖，圖 9是沿著圖8中所示的照明設(shè)備的線A-A’截取的照明設(shè)備的截面圖。在下文中，為了更好的理解，將會(huì)基于縱向方向(Z)、垂直于縱向方向(Z)的水平方向(Y)、以及垂直于縱向方向(Z)和水平方向⑴的高度方向⑴來描述照明設(shè)備300。
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S卩，圖9是沿著縱向方向(Z)和高度方向(X)的橫截面截取的并且從水平方向(Y) 看到的圖8的照明設(shè)備300的截面圖。參考圖8和圖9，照明設(shè)備300可以包括主體310、連接到主體310的蓋330以及布置在主體310的兩端處的端帽350。發(fā)光器件模塊340連接到主體310的底部并且主體310可以由表現(xiàn)優(yōu)異的導(dǎo)電性和優(yōu)異的散熱效果的金屬材料組成以通過主體310的上表面放出從均具有圖1的發(fā)光器件 (未示出)的發(fā)光器件封裝344產(chǎn)生的熱。發(fā)光器件封裝344可以以多行安裝在印制電路板(PCB) 342上同時(shí)具有各種顏色， 以形成多色陣列。根據(jù)需要，可以以相同的距離安裝發(fā)光器件封裝344，或者可以以不同的距離安裝發(fā)光器件封裝；344以使得能夠進(jìn)行亮度調(diào)節(jié)。PCB 342可以是金屬芯PCB(MPPCB) 或者阻燃劑4(FR4)框架。每個(gè)發(fā)光器件封裝344包括形成有多個(gè)孔并且由導(dǎo)電材料制成的膜。蓋330可以具有圓形的形狀以圍繞主體310的下表面，但是本公開不限于此。蓋330針對(duì)外部異物等等保護(hù)發(fā)光器件模塊340。蓋330可以包含光擴(kuò)散顆粒，以實(shí)現(xiàn)防眩光效果和從發(fā)光器件封裝644產(chǎn)生的光的均勻發(fā)射。蓋630的內(nèi)表面和外表面中的至少一個(gè)可以設(shè)置有棱鏡圖案。而且，熒光物質(zhì)層可以被涂覆在蓋330的內(nèi)表面和外表面中的至少一個(gè)上。因?yàn)閺陌l(fā)光器件封裝344產(chǎn)生的光通過蓋330發(fā)射到外部，因此蓋330應(yīng)具有高的光透射性和足以耐受由發(fā)光器件封裝344產(chǎn)生的熱的耐熱性。為此，蓋330可以由聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯(PC)或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)形成。端帽350可以被布置在主體310的兩端并用于密封電源裝置(未示出)。每個(gè)端帽350被設(shè)置有電力插頭352，使得根據(jù)示出的實(shí)施例的照明設(shè)備300可以直接連接到為傳統(tǒng)的熒光燈設(shè)置的端子，而無需額外的連接器。圖10是示出包括根據(jù)如在此廣泛地描述的實(shí)施例的發(fā)光器件的液晶顯示設(shè)備的透視圖。圖10示出了邊緣發(fā)光型液晶顯示設(shè)備400，其包括液晶顯示面板410和用于向液晶顯示面板410提供光的背光單元470。液晶顯示面板410利用從背光單元470提供的光來顯示圖像。液晶顯示面板410 包括彩色濾光片基板412和薄膜晶體管基板714，該彩色濾光片基板412和薄膜晶體管基板 4714彼此相對(duì)從而其間插入有液晶。彩色濾光片基板412能夠?qū)崿F(xiàn)將通過液晶顯示面板410顯示的顏色圖像。薄膜晶體管基板414通過驅(qū)動(dòng)膜417電連接到其上安裝有多個(gè)電路元件的印刷電路板418。薄膜晶體管基板414響應(yīng)于從印刷電路板418提供的驅(qū)動(dòng)信號(hào)并且可以將來自于印刷電路板418的驅(qū)動(dòng)電壓施加給液晶。薄膜晶體管基板414包括在由諸如玻璃或者塑料構(gòu)成的其它基板上形成為薄膜的像素電極和薄膜晶體管。背光單元470包括發(fā)光器件模塊420，該發(fā)光器件模塊420發(fā)射光；導(dǎo)光板430， 該導(dǎo)光板430將從發(fā)光器件模塊420發(fā)射的光變成平面光并將該光提供到液晶顯示面板410 ；多個(gè)膜450、466和464，其使來自于導(dǎo)光板430的光的亮度均勻并且改進(jìn)垂直入射；以及反射片440，該反射片440朝向?qū)Ч獍?30反射發(fā)射到導(dǎo)光板430背面的光。發(fā)光器件模塊420包括多個(gè)發(fā)光器件封裝似4和PCB422，多個(gè)發(fā)光器件封裝似4 安裝在PCB 422上以形成陣列。同時(shí)，背光單元470包括擴(kuò)散膜466，該擴(kuò)散膜466朝向液晶顯示面板410擴(kuò)散從導(dǎo)光板430入射的光；棱鏡膜450，該棱鏡膜450聚集擴(kuò)散的光并且從而改進(jìn)垂直入射； 以及保護(hù)膜464，該保護(hù)膜464保護(hù)陵鏡膜450。圖11是包括根據(jù)如在此廣泛地描述的另一實(shí)施例的包括發(fā)光器件的液晶顯示設(shè)備的透視圖。不詳細(xì)地提及在圖9中示出并且描述的內(nèi)容。圖11示出直下型液晶顯示設(shè)備500，該直下型液晶顯示設(shè)備500包括液晶顯示面板510和背光單元570，該背光單元570向液晶顯示面板510提供光。在圖10中已經(jīng)描述了液晶顯示面板510并且因此省略其詳細(xì)解釋。背光單元570包括多個(gè)發(fā)光器件模塊523、反射片524、其中接受發(fā)光器件模塊 523和反射片524的下底座530、以及設(shè)置在發(fā)光器件模塊523上的擴(kuò)散板540和多個(gè)光學(xué)膜 560。每個(gè)發(fā)光器件模塊523包括PCB 521和多個(gè)發(fā)光器件封裝，所述多個(gè)發(fā)光器件封裝5M安裝在PCB 521上以形成陣列。反射片5M朝向液晶顯示面板510反射從發(fā)光器件封裝522產(chǎn)生的光，以提高發(fā)光效率。同時(shí)，從發(fā)光器件模塊523發(fā)射的光入射到擴(kuò)散板540上并且光學(xué)膜560被設(shè)置在擴(kuò)散板540上。光學(xué)膜560包括擴(kuò)散膜566、棱鏡膜550以及保護(hù)膜564。在實(shí)施例中，照明設(shè)備400和液晶顯示設(shè)備500和600可以被包括在照明系統(tǒng)中并且包括發(fā)光器件封裝的照明裝置可以被包括在照明系統(tǒng)中。如具體化并且廣泛地描述的發(fā)光器件可以允許展現(xiàn)提高的發(fā)光效率、穩(wěn)定性，并且提高安全性和可靠性。在本說明書中對(duì)于“ 一個(gè)實(shí)施例”、“實(shí)施例”、“示例實(shí)施例”等的引用意味著結(jié)合實(shí)施例描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性被包括在本公開的至少一個(gè)實(shí)施例中。在說明書中，在不同位置出現(xiàn)的這類短語不必都表示相同的實(shí)施例。此外，當(dāng)結(jié)合任何實(shí)施例描述特定特征、結(jié)構(gòu)或特性時(shí)，都認(rèn)為結(jié)合實(shí)施例中的其他實(shí)施例實(shí)現(xiàn)這樣的特征、結(jié)構(gòu)或特性也是本領(lǐng)域技術(shù)人員所能夠想到的。雖然已經(jīng)參照本公開的多個(gè)示例性實(shí)施例描述了實(shí)施例，但是應(yīng)該理解，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以想到，多個(gè)其他修改和實(shí)施例將落入本公開原理的精神和范圍內(nèi)。更加具體地，在本說明書、附圖和所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)的主題組合布置的組成部件和/或布置中，各種變化和修改都是可能的。除了組成部件和/或布置中的變化和修改之外，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，替選使用也將是顯而易見的。
權(quán)利要求
1.發(fā)光器件，包括發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層、以及有源層，所述有源層被布置在所述第一和第二半導(dǎo)體層之間；第一電極，所述第一電極電連接到所述第一半導(dǎo)體層；以及第二電極，所述第二電極電連接到所述第二半導(dǎo)體層，其中所述第一半導(dǎo)體層具有孔，所述孔形成在所述第一半導(dǎo)體層的邊緣部分處，所述第一電極的一部分布置在所述孔中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第一半導(dǎo)體層包括第一區(qū)域，所述第一區(qū)域垂直地重疊所述有源層；和第二區(qū)域，所述第二區(qū)域不重疊所述第一區(qū)域，所述第二區(qū)域包括邊緣部分，所述孔形成在所述邊緣部分處。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光器件，進(jìn)一步包括電極焊盤，所述電極焊盤布置在所述第一半導(dǎo)體層上同時(shí)接觸布置在所述孔中的所述第一電極的所述部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光器件，其中所述第一半導(dǎo)體層具有粗糙，并且其中所述電極焊盤被布置在所述粗糙上。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光器件，其中所述電極焊盤具有等于或者大于所述孔的寬度的寬度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，進(jìn)一步包括絕緣層，所述絕緣層被布置在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的側(cè)表面和所述第二半導(dǎo)體層的下表面的一部分上。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光器件，其中所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的各個(gè)側(cè)表面具有傾斜部分，并且其中所述絕緣層被布置在所述傾斜部分上。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光器件，其中所述第一電極被布置在所述絕緣層的下表面和所述絕緣層的側(cè)表面上。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光器件，其中所述孔具有等于或者大于布置在所述絕緣層的側(cè)表面上的所述第一電極的部分的寬度的寬度。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光器件，其中所述第二電極被布置在所述第二半導(dǎo)體層的下表面上同時(shí)與所述絕緣層隔開。
11.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求10所述的發(fā)光器件，其中所述第一和第二電極中的至少一個(gè)包括歐姆層和反射層中的至少一個(gè)，所述歐姆層和反射層被布置在所述第一半導(dǎo)體層的下表面上。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光器件，其中所述歐姆層和所述反射層中的至少一個(gè)具有等于或者小于所述第一電極的厚度的厚度。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中被布置在所述孔中的所述第一電極接觸所述第一半導(dǎo)體層的非C面。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，進(jìn)一步包括基板，所述基板被布置在所述第一和第二電極下面。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光器件，其中所述基板包括第一基板部分，所述第一基板部分接觸所述第一電極；和第二基板部分，所述第二基板部分與所述第一基板部分隔開同時(shí)接觸所述第二電極。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的發(fā)光器件，其中所述基板在所述第一基板部分和所述第二基板部分之間布置并且形成有間隔部分，所述間隔部分用于電絕緣所述第一和第二電極。
17.發(fā)光器件封裝，包括發(fā)光器件，所述發(fā)光器件包括發(fā)光二極管；和主體，所述主體包括第一引線框架和第二引線框架，所述第一引線框架設(shè)置有所述發(fā)光器件，所述第二引線框架與所述第一引線框架隔開， 其中所述發(fā)光器件包括發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層、以及有源層，所述有源層布置在所述第一和第二半導(dǎo)體層之間；第一電極，所述第一電極電連接到所述第一半導(dǎo)體層；以及第二電極，所述第二電極電連接到所述第二半導(dǎo)體層，其中所述第一半導(dǎo)體層具有孔，所述孔形成在所述第一半導(dǎo)體層的邊緣部分處，所述第一電極的一部分布置在所述孔中。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的發(fā)光器件封裝，其中所述主體設(shè)置有位于所述第一和第二引線框架上的腔體，并且所述主體包括樹脂材料，所述樹脂材料填充所述腔體并且包含熒光體和光擴(kuò)散材料中的至少一個(gè)。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的發(fā)光器件，進(jìn)一步包括絕緣屏障，所述絕緣屏障被布置在所述第一和第二引線框架之間以防止所述第一和第二引線框架之間的電氣短路。
20.照明系統(tǒng)，包括發(fā)光器件封裝，所述發(fā)光器件封裝包括發(fā)光器件和主體，所述主體包括其上布置所述發(fā)光器件的第一引線框架和與所述第一引線框架隔開的第二引線框架；和電路板，其上布置所述發(fā)光器件封裝， 其中所述發(fā)光器件包括發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層、以及有源層，所述有源層插入在所述第一和第二半導(dǎo)體層之間；第一電極，所述第一電極電連接到所述第一半導(dǎo)體層；以及第二電極，所述第二電極電連接到所述第二半導(dǎo)體層，其中所述第一半導(dǎo)體層具有孔，所述孔形成在所述第一半導(dǎo)體層的邊緣部分處，所述第一電極的一部分布置在所述孔中。
全文摘要
本發(fā)明公開一種發(fā)光器件，該發(fā)光器件包括發(fā)光結(jié)構(gòu)，該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層、以及布置在第一和第二半導(dǎo)體層之間的有源層；電連接到第一半導(dǎo)體層的第一電極；以及電連接到第二半導(dǎo)體層的第二電極。第一半導(dǎo)體層形成為在其邊緣部分處具有其中布置所述第一電極的一部分的孔。
文檔編號(hào)F21S2/00GK102447032SQ20111031535
公開日2012年5月9日 申請(qǐng)日期2011年10月11日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月11日
發(fā)明者林祐湜, 秋圣鎬, 羅珉圭, 范熙榮, 金明洙, 金省均 申請(qǐng)人:Lg伊諾特有限公司