專(zhuān)利名稱(chēng):一種高亮度led全彩點(diǎn)陣模組的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本實(shí)用新型涉及一種LED點(diǎn)陣顯示裝置,尤其涉及一種用于LED點(diǎn)陣顯示裝置的高亮度LED全彩點(diǎn)陣模組。
背景技術(shù):
一般高亮度LED全彩點(diǎn)陣模組由帶有LED芯片的電路板、反射腔以及面蓋組成。 現(xiàn)有技術(shù)的模組,其反射腔采用白色基板結(jié)構(gòu),其上均勻分布有多個(gè)圓錐形的反射腔,這種模塊當(dāng)LED芯片不發(fā)光時(shí),由于白色基板產(chǎn)生漫反射,從而整個(gè)模組發(fā)灰;當(dāng)LED芯片發(fā)光, 紅、綠、藍(lán)三顆LED芯片三色混色時(shí),反射腔的白色使混色光產(chǎn)生偏差,影響整個(gè)色彩效果, 色彩不逼真。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn),提供一種色彩逼真的高亮度LED全彩點(diǎn)陣模組。為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案是一種高亮度LED全彩點(diǎn)陣模組,包括一黑色面蓋以及固定在所述黑色面蓋底部的 PCB板,所述PCB板上規(guī)則排列有多個(gè)LED全彩色像素點(diǎn),所述黑色面蓋上一體形成有多個(gè)與所述LED全彩色像素點(diǎn)一一對(duì)應(yīng)的反射腔,所述反射腔的內(nèi)壁為黑色。所述黑色面蓋自底部四周往后延伸形成有圍邊,所述圍邊與黑色面蓋底部形成一凹槽,所述PCB板通過(guò)導(dǎo)熱樹(shù)脂封裝在所述凹槽內(nèi)。所述圍邊呈臺(tái)階狀,包括靠近所述黑色面蓋底部的第一臺(tái)階以及遠(yuǎn)離黑色面蓋底部的第二臺(tái)階,所述第二臺(tái)階低于第一臺(tái)階。所述黑色面蓋為全黑料耐高溫聚光蓋子。所述反射腔為直孔。所述反射腔的直徑為3mm。所述LED全彩色像素點(diǎn)包括一紅色LED芯片、一藍(lán)色LED芯片以及一綠色LED芯片,三芯片通過(guò)電線(xiàn)同極相連,所述PCB板下面連接有引腳,所述三芯片的正負(fù)極與引腳連
接在一起。采用上述技術(shù)方案后,使用時(shí),因?yàn)楹谏嫔w為黑色,反射腔的內(nèi)壁也為黑色,從而光線(xiàn)不受反射腔的影響,當(dāng)LED芯片不亮?xí)r,整個(gè)模組呈黑色,LED芯片亮?xí)r,看到的只是紅、綠、藍(lán)三顆LED芯片混合出來(lái)的色彩,從而色彩逼真,不會(huì)出現(xiàn)色彩偏差;且因?yàn)閲叧逝_(tái)階狀,從而當(dāng)導(dǎo)熱樹(shù)脂受熱后產(chǎn)生的內(nèi)應(yīng)力使圍邊的第二臺(tái)階向外膨脹時(shí),其膨脹過(guò)后的尺寸也不會(huì)大于黑色面蓋的外形尺寸,從而可以保證多個(gè)模組拼接時(shí),接口部無(wú)縫隙。
圖1為本實(shí)用新型高亮度LED全彩點(diǎn)陣模組的正面示意圖;[0014]圖2為根據(jù)圖1中A-A方向的剖視圖;圖3為根據(jù)圖2中B部分的放大示意圖。
具體實(shí)施方式
以下將參照附圖詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)用新型的高亮度LED全彩點(diǎn)陣模組。如圖1、2、3所示,在本實(shí)施例中,本實(shí)用新型高亮度LED全彩點(diǎn)陣模組包括一黑色面蓋1以及固定在黑色面蓋1底部的PCB板2。所述PCB板2上規(guī)則排列有多個(gè)LED全彩色像素點(diǎn)3,每一 LED全彩色像素點(diǎn)3包括一紅色LED芯片、一藍(lán)色LED芯片以及一綠色LED 芯片,三芯片通過(guò)電線(xiàn)同極相連;PCB板2下面連接有引腳4,三LED芯片的正負(fù)極與引腳4 連接在一起。所述黑色面蓋1上一體形成有多個(gè)與所述LED全彩色像素點(diǎn)3 —一對(duì)應(yīng)的反射腔 5,因?yàn)楹谏嫔w1為黑色,從而所述與黑色面蓋1 一體形成的反射腔5的內(nèi)壁也為黑色。在本實(shí)施例中,較佳地,所述黑色面蓋1為全黑料耐高溫聚光蓋子。綜上所述,因?yàn)楹谏嫔w1為黑色,反射腔5的內(nèi)壁也為黑色,從而光線(xiàn)不受反射腔5的影響,當(dāng)LED芯片不亮?xí)r,整個(gè)模組呈黑色,LED芯片亮?xí)r,看到的只是紅、綠、藍(lán)三顆 LED芯片混合出來(lái)的色彩,從而色彩逼真,不會(huì)出現(xiàn)色彩偏差。在本實(shí)施例中,所述黑色面蓋1自底部四周往后延伸形成有圍邊6,所述圍邊6與黑色面蓋1底部形成一凹槽7,所述PCB板2通過(guò)導(dǎo)熱樹(shù)脂8封裝在所述凹槽7內(nèi)。且所述圍邊6呈臺(tái)階狀,包括靠近黑色面蓋1底部的第一臺(tái)階61以及遠(yuǎn)離黑色面蓋1底部的第二臺(tái)階62,所述第一臺(tái)階61同黑色面蓋1周邊平齊,所述第二臺(tái)階62低于第一臺(tái)階61,即所述第二臺(tái)階62尺寸小于第一臺(tái)階61,如此,當(dāng)導(dǎo)熱樹(shù)脂8受熱后產(chǎn)生的內(nèi)應(yīng)力使圍邊6的第二臺(tái)階62向外膨脹時(shí),其膨脹過(guò)后的尺寸也不會(huì)大于黑色面蓋1的外形尺寸,從而可以保證多個(gè)模組拼接時(shí),接口部無(wú)縫隙。在本實(shí)施例中,所述反射腔5為直徑為3mm的直孔,高度為2mm,且直孔的高度越小,所述LED全彩色像素點(diǎn)3發(fā)光的視角越大,散熱的效果也越好。在本實(shí)施例中,所述LED全彩色像素點(diǎn)3是按照矩陣排列而成,LED全彩色像素點(diǎn) 3的多少可以根據(jù)需要設(shè)置,并按照η行χ η列構(gòu)成不同的矩陣,本實(shí)施例示意出了一個(gè)8 行x8列排列的矩陣。
權(quán)利要求1.一種高亮度LED全彩點(diǎn)陣模組,其特征在于包括一黑色面蓋以及固定在所述黑色面蓋底部的PCB板,所述PCB板上規(guī)則排列有多個(gè)LED全彩色像素點(diǎn),所述黑色面蓋上一體形成有多個(gè)與所述LED全彩色像素點(diǎn)一一對(duì)應(yīng)的反射腔,所述反射腔的內(nèi)壁為黑色。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高亮度LED全彩點(diǎn)陣模組,其特征在于所述黑色面蓋自底部四周往后延伸形成有圍邊,所述圍邊與黑色面蓋底部形成一凹槽,所述PCB板通過(guò)導(dǎo)熱樹(shù)脂封裝在所述凹槽內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種高亮度LED全彩點(diǎn)陣模組,其特征在于所述圍邊呈臺(tái)階狀,包括靠近所述黑色面蓋底部的第一臺(tái)階以及遠(yuǎn)離黑色面蓋底部的第二臺(tái)階,所述第二臺(tái)階低于第一臺(tái)階。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的一種高亮度LED全彩點(diǎn)陣模組,其特征在于所述黑色面蓋為全黑料耐高溫聚光蓋子。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種高亮度LED全彩點(diǎn)陣模組,其特征在于所述反射腔為直孔。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種高亮度LED全彩點(diǎn)陣模組,其特征在于所述反射腔的直徑為3mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3或5或6所述的一種高亮度LED全彩點(diǎn)陣模組,其特征在于所述LED全彩色像素點(diǎn)包括一紅色LED芯片、一藍(lán)色LED芯片以及一綠色LED芯片,三芯片通過(guò)電線(xiàn)同極相連,所述PCB板下面連接有引腳,所述三芯片的正負(fù)極與引腳連接在一起。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型揭露了一種高亮度LED全彩點(diǎn)陣模組,包括一黑色面蓋以及固定在所述黑色面蓋底部的PCB板,所述PCB板上規(guī)則排列有多個(gè)LED全彩色像素點(diǎn),所述黑色面蓋上一體形成有多個(gè)與所述LED全彩色像素點(diǎn)一一對(duì)應(yīng)的反射腔,所述反射腔的內(nèi)壁為黑色,從而光線(xiàn)不受反射腔的影響,當(dāng)LED芯片不亮?xí)r,整個(gè)模組呈黑色,LED芯片亮?xí)r,看到的只是紅、綠、藍(lán)三顆LED芯片混合出來(lái)的色彩,從而色彩逼真,不會(huì)出現(xiàn)色彩偏差。
文檔編號(hào)F21Y101/02GK202307001SQ20112029426
公開(kāi)日2012年7月4日 申請(qǐng)日期2011年8月12日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月12日
發(fā)明者方遠(yuǎn)勝 申請(qǐng)人:方遠(yuǎn)勝