專利名稱：一種離子注入機(jī)冷卻水循環(huán)系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種冷卻水循環(huán)系統(tǒng)，更確切地說，涉及一種離子注入機(jī)冷卻水循環(huán)系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體制造過程中，離子注入機(jī)是使用頻率很高的設(shè)備，其包括離子源、質(zhì)量分 析器、靜電四極透鏡、冷卻水循環(huán)系統(tǒng)等部件。由于離子源產(chǎn)生注入離子時(shí)帶來超過2000°C的高溫，因此，所述冷卻水循環(huán)系統(tǒng)中的冷卻水管路需要耐高溫、高濕并且在受到大劑量輻射的情況下不容易降解?，F(xiàn)有的冷卻水循環(huán)系統(tǒng)中的冷卻水管路的材質(zhì)通常為環(huán)氧樹脂等樹脂材料，采用這種材料制成的冷卻水管在超過2000°C的高溫下極易膨脹變形，反復(fù)膨脹會(huì)最終導(dǎo)致冷卻水管爆裂漏水；在受到大劑量輻射的情況下容易降解，因此使用壽命短，需要經(jīng)常更換冷卻水管。同時(shí)，這種冷卻水管在未連接到冷卻水循環(huán)系統(tǒng)中時(shí)極易被燒毀；由于其直徑較細(xì)(為1/4英寸)，限制了冷卻水的冷卻功能，在進(jìn)水管與出水管未連接或連接錯(cuò)誤時(shí)會(huì)導(dǎo)致離子注入機(jī)的其它硬件的燒毀。上述問題的任何一種都可以導(dǎo)致離子注入機(jī)的自動(dòng)停機(jī)，離子注入工藝中斷，最終導(dǎo)致產(chǎn)品報(bào)廢。因此，需要提供一種離子注入機(jī)冷卻水循環(huán)系統(tǒng)，以方便有效地解決上述問題。
實(shí)用新型內(nèi)容在實(shí)用新型內(nèi)容部分中引入了一系列簡(jiǎn)化形式的概念，這將在具體實(shí)施方式
部分中進(jìn)一步詳細(xì)說明。本實(shí)用新型的實(shí)用新型內(nèi)容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。為了解決上述問題，本實(shí)用新型提供一種離子注入機(jī)冷卻水循環(huán)系統(tǒng)，其特征在于，所述離子注入機(jī)冷卻水循環(huán)系統(tǒng)中的冷卻水管為Teflon管，并且所述冷卻水管的直徑為3/8英寸。進(jìn)一步，所述冷卻水管設(shè)有密封硬件，所述密封硬件為Teflon密封硬件。進(jìn)一步，所述冷卻水管設(shè)有連接接頭，所述連接接頭為世偉洛克接頭。根據(jù)本實(shí)用新型，可以很低的成本解決離子注入機(jī)的離子源發(fā)生漏水的問題而無需對(duì)離子注入設(shè)備進(jìn)行升級(jí)，從而節(jié)省升級(jí)設(shè)備的資金，同時(shí)避免所述漏水導(dǎo)致離子注入機(jī)的其它硬件被燒毀以及工藝中斷導(dǎo)致產(chǎn)品報(bào)廢的風(fēng)險(xiǎn)。

本實(shí)用新型的下列附圖在此作為本實(shí)用新型的一部分用于理解本實(shí)用新型。附圖中示出了本實(shí)用新型的實(shí)施例及其描述，用來解釋本實(shí)用新型的原理。附圖中[0012]圖I為本實(shí)用新型實(shí)施例中離子注入機(jī)冷卻水循環(huán)系統(tǒng)的示意圖。
具體實(shí)施方式
在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對(duì)本實(shí)用新型更為徹底的理解。然而，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見的是，本實(shí)用新型可以無需一個(gè)或多個(gè)這些細(xì)節(jié)而得以實(shí)施。在其他的例子中，為了避免與本實(shí)用新型發(fā)生混淆，對(duì)于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。為了徹底理解本實(shí)用新型，將在下列的描述中提出詳細(xì)的結(jié)構(gòu)，以便闡釋本實(shí)用新型。顯然，本實(shí)用新型的施行并不限定于半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟習(xí)的特殊細(xì)節(jié)。本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述外，本實(shí)用新型還可以具有其他實(shí)施方式。 在離子注入的過程中，離子注入機(jī)的離子源是產(chǎn)生注入離子的地方，其包括燈絲和坩堝等元件。當(dāng)所述燈絲通過足夠大的直流電流時(shí)，所述燈絲受熱后發(fā)射的熱電子在ARC電壓、源磁場(chǎng)的共同作用下做螺旋狀運(yùn)動(dòng)與所述坩堝中的注入源氣體發(fā)生碰撞，所述注入源氣體受到撞擊后發(fā)生電離產(chǎn)生注入源離子。所述注入源離子隨后進(jìn)入離子注入機(jī)的質(zhì)量分析器中被分析并加速以獲得所需要的注入離子，該注入離子通過離子注入機(jī)的靜電四極透鏡得以聚焦形成注入離子束斑。在上述過程中，所述燈絲和坩堝會(huì)產(chǎn)生超過2000°C的高溫，因此，需要一個(gè)冷卻水循環(huán)系統(tǒng)來給所述離子源降溫。離子注入機(jī)冷卻水循環(huán)系統(tǒng)中的冷卻水在離子源中的流向如圖I所示冷卻水由離子源的進(jìn)口 100流入，依次流過燈絲101和坩堝102，再由離子源的出口 103流出?，F(xiàn)有的離子注入機(jī)冷卻水循環(huán)系統(tǒng)中的冷卻水管路的材質(zhì)通常為環(huán)氧樹脂等樹脂材料，采用這種材料制成的冷卻水管在超過2000°C的高溫下極易膨脹變形，反復(fù)膨脹會(huì)最終導(dǎo)致冷卻水管爆裂漏水；由于其直徑較細(xì)(通常為1/4英寸)，限制了冷卻水的冷卻功能，在進(jìn)水管與出水管未連接或連接錯(cuò)誤時(shí)會(huì)導(dǎo)致離子注入機(jī)的其它硬件的燒毀。針對(duì)現(xiàn)有的離子注入機(jī)冷卻水循環(huán)系統(tǒng)中的冷卻水管所具有的上述問題，在本實(shí)用新型的實(shí)施例中，離子注入機(jī)冷卻水循環(huán)系統(tǒng)中的冷卻水管為Teflon管。由于Teflon可以耐2000°C以上的高溫，同時(shí)可以經(jīng)受大劑量的輻射而不易降解，因此可以避免發(fā)生破裂漏水而導(dǎo)致離子注入設(shè)備自動(dòng)停機(jī)的風(fēng)險(xiǎn)。同時(shí)，在本實(shí)用新型的實(shí)施例中，所述冷卻水管路的直徑為3/8英寸，通過加大冷卻水的流量以提高冷卻水的冷卻能力；連接所述冷卻水管的進(jìn)水管和出水管的連接接頭為世偉洛克接頭，所述冷卻水管的密封硬件為耐高溫且硬度更強(qiáng)的Teflon密封硬件，以防止冷卻水循環(huán)異常導(dǎo)致離子注入機(jī)的其它硬件的燒毀。根據(jù)本實(shí)用新型，可以很低的成本解決離子注入機(jī)的離子源發(fā)生漏水的問題而無需對(duì)離子注入設(shè)備進(jìn)行升級(jí)，從而節(jié)省升級(jí)設(shè)備的資金，同時(shí)避免所述漏水導(dǎo)致離子注入機(jī)的其它硬件被燒毀以及工藝中斷導(dǎo)致產(chǎn)品報(bào)廢的風(fēng)險(xiǎn)。本實(shí)用新型已經(jīng)通過上述實(shí)施例進(jìn)行了說明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實(shí)施例只是用于舉例和說明的目的，而非意在將本實(shí)用新型限制于所描述的實(shí)施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本實(shí)用新型并不局限于上述實(shí)施例，根據(jù)本實(shí)用新型的教導(dǎo)還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本實(shí)用新型所要求保護(hù)的范圍以內(nèi)。本實(shí)用新型的保護(hù)范圍由附屬的權(quán)利要求書及其等效范圍所界定。
權(quán)利要求1.一種離子注入機(jī)冷卻水循環(huán)系統(tǒng)，其特征在于，所述離子注入機(jī)冷卻水循環(huán)系統(tǒng)中的冷卻水管為Teflon管，并且所述冷卻水管的直徑為3/8英寸。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的離子注入機(jī)冷卻水循環(huán)系統(tǒng)，其特征在于，所述冷卻水管設(shè)有密封硬件，所述密封硬件為Teflon密封硬件。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的離子注入機(jī)冷卻水循環(huán)系統(tǒng)，其特征在于，所述冷卻水管設(shè)有連接接頭，所述連接接頭為世偉洛克接頭。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種離子注入機(jī)冷卻水循環(huán)系統(tǒng)，其特征在于，所述離子注入機(jī)冷卻水循環(huán)系統(tǒng)中的冷卻水管為Teflon管，并且所述冷卻水管的直徑為3/8英寸。同時(shí)，所述冷卻水管的密封硬件為Teflon密封硬件，所述冷卻水管的連接接頭為世偉洛克接頭。根據(jù)本實(shí)用新型，可以很低的成本解決離子注入機(jī)的離子源發(fā)生漏水的問題而無需對(duì)離子注入設(shè)備進(jìn)行升級(jí)，從而節(jié)省升級(jí)設(shè)備的資金，同時(shí)避免所述漏水導(dǎo)致離子注入機(jī)的其它硬件被燒毀以及工藝中斷導(dǎo)致產(chǎn)品報(bào)廢的風(fēng)險(xiǎn)。
文檔編號(hào)H01J37/02GK202384292SQ20112057168
公開日2012年8月15日 申請(qǐng)日期2011年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月31日
發(fā)明者呂淑瑞, 欒廣慶 申請(qǐng)人:無錫華潤(rùn)上華科技有限公司