專利名稱：提高掃描束離子注入機的產(chǎn)量的制作方法
提高掃描束離子注入機的產(chǎn)量
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體器件和其它產(chǎn)品的制造中，離子注入系統(tǒng)被用于注入摻雜元素到工件(例如半導(dǎo)體晶片、顯示面板、玻璃基底)中。這些離子注入系統(tǒng)通常稱為“離子注入機”。離子注入機產(chǎn)生離子束，該離子束最終被注入到工件的晶格中以促進在其上產(chǎn)生期望的功能性。因為許多工件形狀是圓形的，先前的一些實施方式提出根據(jù)掃描模式對工件進行注入，所述掃描模式在工件的平面中描繪出大致圓形或橢圓形路徑(取決于束的形狀)。因為這樣的橢圓掃描模式精確地映射工件的幾何形狀和束的形狀，所以它易于促進高的工件產(chǎn)量，這是因為其限制了對單個工件進行注入所需要的時間。然而，這種實施方式有一個缺點，即，在注入期間難以測量束通量的動態(tài)變化。因為這一點，由于未計入束通量的變化，通過利用橢圓掃描模式的實施方式所提供的實際劑量輪廓可能易于隨著時間偏離期望的劑量輪廓。因此，需要優(yōu)化的離子注入方法，其能夠保持高產(chǎn)量同時提供反饋，所述反饋允許系統(tǒng)能計入束通量的動態(tài)變化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明克服先前技術(shù)的多個局限。因此，下面提出對本發(fā)明的簡化摘要以便提供對本發(fā)明的一些方面的基本理解。該摘要不是對本發(fā)明的廣博概述。其既不是要確定本發(fā)明的關(guān)鍵或核心元件也不是要界定本發(fā)明的范圍。它的目的是以簡化的形式給出本發(fā)明的一些想法，作為后面要給出的更詳細描述的序言。本公開的一些方面通過在離子束的整個橫截面延伸超過工件的邊緣之前改變掃描離子束的掃描速率，將產(chǎn)量提高到超越之前能夠達到的程度，同時保持對束通量進行實時測量的能力。在這些實施例中，可以在實時改變工件注入例行程序以計入束通量的實時變化。例如，工件平移的平移速度及/或離子束掃描的掃描速度可以被調(diào)整以計入束通量的改變。以此方式，與先前能夠達到的相比，這里公開的技術(shù)幫助提供工件的改善的產(chǎn)量以及更精確的劑量輪廓。為了實現(xiàn)前述及相關(guān)目的，本發(fā)明包括將在下面完整描述并在權(quán)利要求書中特別指出的特征。下面的描述及附圖詳細地闡明了本發(fā)明的特定圖解實施例。然而，這些實施例僅表示可以利用本發(fā)明的原理的各種方法中的幾種。當(dāng)結(jié)合附圖考慮時，從下面的對本發(fā)明的詳細描述中，將變得容易明白本發(fā)明的其它目的、優(yōu)點和新穎的特征。


圖I是根據(jù)一些實施例的示例性的離子注入系統(tǒng)的平面圖。圖2A-2B為離子通過其被注入到工件中的注入路徑的平面圖，其中當(dāng)工件沿著第一軸線平移，而同時離子束沿著垂直于第一軸線的第二軸線掃描離子束時繪出所述注入路徑。圖3A-3F示出可以如何沿著工件的第一表面段掃描離子束的例子。圖4為根據(jù)一些實施例的方法的流程圖。
圖5示出如何能夠在工件注入期間測量實時通量值的例子。
具體實施例方式現(xiàn)在參考附圖描述所主張權(quán)利的主題，貫穿全文相同的附圖標記被用于指代相同的元件。在下面的描述中，為了解釋的目的，給出無數(shù)具體細節(jié)以便提供對所主張權(quán)利的主題的徹底理解。然而，顯然可以在沒有這些具體細節(jié)的情況下實踐所主張權(quán)利的主題。圖I示出離子注入系統(tǒng)100， 其具有源終端102、束線組件104、掃描系統(tǒng)106以及終端站108，它們集體布置成根據(jù)期望的劑量輪廓將離子(摻雜劑)注射到工件110的晶格中。尤其是，圖I示出一種混和掃描式離子注入系統(tǒng)100，其中該系統(tǒng)可操作為沿著第一軸線平移工件110而且同時沿著垂直于第一軸線的第二軸線用束112進行掃描，以便實現(xiàn)期望的摻雜輪廓。在操作期間，在離子終端102中的離子源114聯(lián)接到高壓電源116以使摻雜劑分子(例如摻雜劑氣體分子)離子化并將其抽出，由此形成筆束離子束118。為了將筆束118從源終端102朝工件110轉(zhuǎn)向，束線組件104具有質(zhì)量分析器120，在質(zhì)量分析器120中建立了偶極磁場以便只讓具有合適荷質(zhì)比的離子通過分辨孔122。具有不合適的荷質(zhì)比的離子與側(cè)壁124a、124b碰撞；由此僅使得具有合適荷質(zhì)比的離子穿過進入到工件110中。束線組件104也可以包括在離子源114和終端站108之間延伸的各種束形成和成形結(jié)構(gòu)，其保持筆束118在細長內(nèi)部腔或者通道中，通過所述腔或者通道筆束118被運送到工件110。真空泵126 —般保持離子束運送通道處于真空，以減小離子通過與空氣分子的碰撞而偏離離子路徑的可能性。在接收到筆束118后，在掃描系統(tǒng)中的掃描器128立即橫向偏轉(zhuǎn)或前后“掃描”筆束(例如在水平方向上)。在一些情形中，這種類型的掃描筆束可稱為帶束112。在掃描系統(tǒng)中的平行器130可以使帶束112改向，從而沖擊工件110的離子以同一入射角連續(xù)撞擊工件的面，即使在不同的時間點。工件110可位于可動臺132上，該可動臺被垂直于掃描束平移(例如，在豎直方向上)?？刂破?34可控制賦予帶束112和工件110的相對運動，以在工件110上實現(xiàn)期望的摻雜輪廓。為了幫助保證提供給工件的劑量輪廓遵循期望的摻雜輪廓，并允許系統(tǒng)計入束通量的動態(tài)變化，還包括離子束檢測部件136 (例如，一個或更多法拉第杯)和劑量校準系統(tǒng) 138。圖2A和2B不出兩個例子如何進行尚子束112和工件110之間的相對移動從而離子束在工件的平面中描繪出非圓形注入路徑200和212。為了讓離子束112描繪所示出的注入路徑200和212，工件110被沿著平移路徑202 (例如豎直軸線)平移，而離子束112被沿著第二軸線204 (例如水平軸線)掃描，作為一系列掃描曲線(sweep)。在示出的實施例中，相鄰的掃描曲線彼此平行，因為工件110被從一個平移位置“步進”到下一個平移位置，使得相鄰掃描曲線隔開距離206。然而，在其它實施例中，平移速度可以是連續(xù)的，使得相鄰的掃描曲線相對于彼此“傾斜”。為了優(yōu)化離子注入系統(tǒng)的生產(chǎn)率(并且限制單獨注入工件所需要的時間)，控制器可以改變離子束112對于給定掃描曲線關(guān)于工件的外邊緣140的掃描速率。如發(fā)明人認識到的那樣，雖然前面在圖2A中示出的實施方式已經(jīng)針對于給定掃描曲線在快掃描速率VFastScan (Vftfi)和慢掃描速率V-(Vtss)之間改變，但是這種掃描速率的改變發(fā)生在離子束112完全通過離開工件110的點210處。因此，本公開的方面通過在離子束112的整個橫截面延伸到工件140的外邊緣以外(圖2B中示出)之前改變掃描速率提供產(chǎn)量的額外提高，其超過先前能夠達到的產(chǎn)量。換句話說，在束的橫截面面積的僅僅一部分延伸到工件的外邊緣以外時，如過渡點的圓圈214所示，掃描速率被改變。以此方式，這里公開的技術(shù)幫助提供比先前能夠達到的產(chǎn)量更
大的產(chǎn)量。
圖3A-3F—般示出離子束如何在每個表面段上利用不同掃描速度跨過兩個表面段掃描。雖然圖3A-3F僅示出一個掃描曲線，但是應(yīng)該意識到所描述的關(guān)于這個掃描曲線的概念適用于在注入掃描路徑中的任何及/或所有掃描曲線。在圖3A中，具有外邊緣302的工件300位于關(guān)于離子束112的第一平移位置304。對于第一平移位置304，第一對點306a、306b對應(yīng)外邊緣302，其中工件的第一表面段在第一對點306a、306b之間延伸。離子束112在位于工件外邊緣302以外并且在第一對點306a、306b的外側(cè)的工件外位置開始。然后在第一掃描速率下用離子束112掃描，直到它到達第一表面段為止，在那里第一掃描速率具有相對較高速度，由速度矢量308表示。以此方式，第一掃描速率幫助使工件外的“停機時間”最小化，并幫助提高工件的產(chǎn)量。離子束112可以在第一掃描速率下被連續(xù)掃描，直到離子束的橫截面面積的一部分(從全部到零)沖擊在工件300上，如圖3B所示。這樣，當(dāng)離子束的第一部分在工件外而離子束的第二部分在工件上時(例如，圖3B所示)時，離子束112開始減速到第二掃描速率。第二掃描速率具有小于第一掃描速率的瞬間速度矢量310。在一個實施例中，當(dāng)瞬間束流的大約33%沖擊在工件上時，出現(xiàn)速度上的降低。換句話說，當(dāng)大約瞬間束流的66%在工件外時，可以發(fā)生掃描速度改變。在圖3C-3D中，離子束112繼續(xù)跨過在第一平移位置304的工件110的表面段在第二掃描速率(由速度矢量310表不)下掃描。第二掃描速率小于如速度矢量310所表不的第一掃描速率。對于給定掃描曲線，第二掃描速率經(jīng)常是幾乎恒定的速度，然而第二掃描速率可以沿著給定掃描曲線改變，例如以便提高劑量的一致性或者匹配非均勻劑量輪廓，及/或取決于實施方式，第二掃描速率對于不同掃描曲線可以是不同的。在圖3E中，在離子束的整個橫截面延伸到工件邊界以外之前，離子束112從第二掃描速率加速到第一掃描速率(如瞬間速度矢量312表不)。再者,在離子束的一部分仍在工件上時提高掃描速率是對現(xiàn)有技術(shù)方法的改進，在于它通過減少注入單獨工件所需要的時間量而增加產(chǎn)量。在一個實施例中，當(dāng)大約33%的瞬間束流的沖擊在工件上時，發(fā)生這種速度上的增大。最終，在圖3F中，離子束112的整個橫截面延伸經(jīng)過工件外邊緣302并且離子束在第一掃描速率下掃描。再者，第一掃描速率快于由速度矢量314表不的第二掃描速率，由此限制工件外掃描所需要的時間而幫助促進好的產(chǎn)量。如前面提到的那樣，可以以類似方式執(zhí)行其它掃描曲線，直到工件接收到期望的摻雜輪廓為止。圖4示出根據(jù)本公開的一些方面的成流程圖形式的方法400。雖然該方法在下面示出并描述為一系列動作或事件，但是本公開不限于這樣動作或事件的示出順序。例如，不同于那些示出的及/或此處描述的那些情況，一些動作可以以不同順序發(fā)生及/或與其它動作或事件同時發(fā)生。另外，不是所有示出的動作都是必要的。此外，此處描述的一個或更多動作可以在一個或更多單獨的動作或階段中執(zhí)行。方法400 —般分解成校準例行程序402 (其在工件未在適當(dāng)位置的情況下執(zhí)行)，以及注入例行程序404 (在這期間工件被實際注入)。雖然在示出的注入例行程序404中僅示出注入是用于單個工件，但是本領(lǐng)域技術(shù)普通人員將意識到，取決于實施方式，可以以順序方式或者以批量方式注入一個或更多工件。注入例行程序404可對于給定掃描曲線(參見例如圖3A-3F)利用前面討論的可變掃描速度，并且也可以在注入期間進行實時束通量測量并調(diào)整離子束的掃描速率及/或工件的平移速度，以計入動態(tài)束通量變化，如下面更詳細地描述的那樣。當(dāng)從許多可能的這樣的例行程序中選擇工件掃描例行程序時，于步驟406開始校準?；谝诠ぜ袭a(chǎn)生的期望摻雜輪廓來選擇掃描例行程序。例如，期望的摻雜輪廓可以在整個晶片上都是均勻的，或者它可以在晶片的兩半的每個中有不同的劑量。在步驟408處，在工件未處于適當(dāng)位置的情況下，該方法開始已選擇的工件掃描 例行程序。工件掃描例行程序展現(xiàn)出在離子束和工件注入?yún)^(qū)域之間的相對運動。在離子束處于工件外位置時以及當(dāng)束的一部分處于晶片上位置時，掃描例行程序能夠表現(xiàn)出快的離子束掃描速度，而在離子束處于工件上位置的剩余位置時掃描例行程序能夠表現(xiàn)出慢的離子束掃描速度。如前面參照圖3A-3F討論的那樣，這種差異化的掃描速度幫助優(yōu)化離子注入系統(tǒng)的工件產(chǎn)量。在工件掃描例行程序期間，在工件上位置和工件外位置處測量多個束通量值。例如，工件上位置可以對應(yīng)于與工件的中心相對應(yīng)的位置(即使在校準期間工件沒有出現(xiàn)在適當(dāng)位置)，而工件外位置可對應(yīng)超出工件的外邊緣的位置。在步驟410處，基于測得的束通量值，該方法確定校準函數(shù)，該校準函數(shù)補償在校準例行程序期間提供的摻雜輪廓和期望的摻雜輪廓之間的差異。在步驟412處，該方法基于校正函數(shù)調(diào)整已選擇的工件掃描例行程序。典型地，這種調(diào)整可包括改變離子束在一個或更多曲線掃描上平移的掃描速度，及/或可包括改變該平移速度或者在一次曲線掃描和下一次曲線掃描之間的距離。在步驟414處，工件被放置在工件注入?yún)^(qū)域中(例如在圖I中的可動臺132上)。在步驟416處，該方法在工件上執(zhí)行調(diào)整后的工件掃描例行程序以達到期望的摻雜輪廓。因為離子束和工件的相對運動已經(jīng)得到調(diào)整以計入期望的摻雜輪廓和根據(jù)校準函數(shù)提供的摻雜輪廓之間的差異，所以方法400允許離子注入機在大量工件上提供極為可靠的劑量輪廓。另外，在步驟418處在調(diào)整后的工件掃描例行程序期間，該方法測量在各個晶片外位置處的至少一個實時束通量值。一般地，在注入期間用布置在工件外位置處的一個或更多電流測量裝置(例如法拉第杯)測量所述實時束通量。在步驟420處，該方法基于實時束通量值的函數(shù)來調(diào)節(jié)調(diào)整后的工件掃描例行程序的相對運動。例如，在束線中測得的壓力可用于調(diào)整測得的束通量值以補償光阻劑(光致抗蝕劑)釋氣。如果在注入期間調(diào)整后的實時束通量大于在校準期間測得的相應(yīng)的束通量值，那么該方法可增大工件平移的速度以幫助抵消目前經(jīng)受的增大的束通量。相反地，如果在注入期間實時束通量小于在校準期間測得的對應(yīng)的束通量值，那么該方法可以減慢工件平移的速度以幫助彌補目前經(jīng)受的減小的束通量。以此方式，這里描述的技術(shù)幫助將非常精確的劑量輪廓傳送或提供到工件上，即使在束通量情況難以預(yù)料并且動態(tài)變化的情況下。圖5示出一個例子如何定位電流測量裝置502、504以在離子束沿著掃描路徑跟蹤時獲得實時束測量值。如圖所示，電流測量裝置502、504經(jīng)常被沿著給定的掃描曲線定位在工件110的邊緣(工件邊界)以外。電流測量裝置經(jīng)常固定在掃描離子束的平面中的第二軸線204上，從而它們可以對每個當(dāng)前的曲線測量離子束通量。這樣，502A、504A代表在第一時間間隔期間(當(dāng)束被沿著工件110的底部掃描時)的電流測量裝置。502B、504B代表在第二時間間隔(當(dāng)束被沿著工件的中部掃描時)的電流測量裝置；而502C、504C代表在第三時間間隔期間(當(dāng)束被沿著工件的頂部掃描時)的電流測量裝置。雖然已經(jīng)用特別針對結(jié)構(gòu)特征及/或方法動作的語言描述了主題，但是應(yīng)該理解在所附權(quán)利要求中限定的主題不一定限于上面描述的具體特征或動作。例如，雖然上面描述的離子注入系統(tǒng)100中離子束以水平方式掃描而工件以豎直方式平移，但是也可以以其它方式進行離子束和工件之間的相對運動。例如，工件可以被相對于離子注入系統(tǒng)固定安裝，而離子束可以以水平和豎直方式掃描以描繪出期望的注入路徑。相反，離子束可以相對 于離子注入系統(tǒng)固定，而工件可以水平和豎直地移動以描繪出期望的注入路徑。其它配置也是可以的，而所有這樣的掃描或非掃描離子束均被認為落入本發(fā)明的范圍內(nèi)。還有，盡管關(guān)于一個或更多實施方式示出和描述本發(fā)明的公開內(nèi)容，但是基于對說明書和附圖的閱讀和理解，本領(lǐng)域的其他技術(shù)人員可以想到等同替換和變型。本公開內(nèi)容包括所有這樣的替換和變型，只有下面的權(quán)利要求的范圍限制本公開內(nèi)容。特別是對于上面描述的部件(例如，元件及/或源)所執(zhí)行的各種功能，用于描述這些部件的術(shù)語是要對應(yīng)(除非另外說明)執(zhí)行所描述部件的具體功能的任何部件(即功能等同)，即使那些部件在結(jié)構(gòu)上不等同于在此處說明的本公開內(nèi)容的示例實施方式中執(zhí)行該功能的那些被公開的結(jié)構(gòu)。另外，盡管可能關(guān)于幾個實施方式中的僅僅一個公開本發(fā)明公開內(nèi)容的特定特征，但是這樣的特征可以根據(jù)期望與其它實施方式的一個或更多其它特征結(jié)合，并且對于任何給定或特定應(yīng)用來說可能是有利的。另外，用在本申請及所附權(quán)利要求中的冠詞“一”應(yīng)被解釋為“一個或更多”。此外，對于用在詳細描述或權(quán)利要求書中的術(shù)語“包含”、“具有”、“包含” “帶有”及其衍生詞的情形，這樣的術(shù)語的意思是包含性的方式，類似于術(shù)語“包括”。
權(quán)利要求
1.一種用于在工件上執(zhí)行離子注入的方法，其中工件具有在外邊緣處終止的表面，該方法包括 當(dāng)離子束的橫截面完全撞擊在工件的所述表面上時以第一掃描速率跨過工件的所述表面掃描離子束；及 當(dāng)束的橫截面的一部分延伸到工件的外邊緣以外時將第一掃描速率增大到第二速率，其中所述部分小于離子束的整個橫截面積。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中橫截面的所述部分對應(yīng)由離子束提供的瞬間束流的大約66%。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，還包括 繼續(xù)以第二速率掃描離子束直到離子束的整個橫截面延伸到工件的外邊緣以外為止; 以第二掃描速率朝著工件的外邊緣向回掃描離子束；及 當(dāng)束的橫截面的第二部分撞擊在工件的表面上時，將第二掃描速率降低到第一掃描速率，其中所述第二部分小于離子束的整個橫截面積。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中橫截面的第二部分對應(yīng)由離子束提供的瞬間束流的大約33%。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，還包括 在位于工件的所述邊緣以外的工件外位置處測量實時束通量值；及 基于實時束通量值的函數(shù)調(diào)整工件和離子束的相對運動。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中通過調(diào)整工件平移的平移速度來實現(xiàn)對工件和離子束的相對運動的調(diào)整。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中通過協(xié)同調(diào)整工件平移的平移速度以及離子束掃描的速率這兩者來實現(xiàn)對工件和離子束之間的相對運動的調(diào)整。
8.一種離子注入方法，包括 將具有外邊緣的工件定位在第一平移位置處，其中第一平移位置在平移路徑上； 針對第一平移位置確定對應(yīng)工件的外邊緣的第一對點，其中工件的第一表面段在所述第一對點之間延伸； 當(dāng)離子束的橫截面完全落在第一對點之間的第一表面段上時依照第一掃描速率在第一表面段上掃描離子束；及 當(dāng)離子束的橫截面的第一部分落在第一對點外面時，將離子束的掃描速率增大到第二掃描速率，其中第一部分小于離子束的整個橫截面積。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中離子束的橫截面的第一部分對應(yīng)離子束的瞬間束流的大約66%。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，還包括 在將工件定位在平移路徑上之前進行校準； 在校準期間在第一對點的外面的第一位置處測量第一組束通量值； 在校準期間在第一對點之間的第二位置處測量第二組束通量值； 基于第一組和第二組束通量值，確定校準期間所提供的預(yù)期摻雜輪廓； 如果在期望的摻雜輪廓和預(yù)期摻雜輪廓之間有任何差異，則分析該差異；及如果該差異存在，則提供校準函數(shù)以補償上述差異。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，還包括 基于校準函數(shù)設(shè)定第一掃描速率。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，還包括 基于校準函數(shù)設(shè)定第二掃描速率。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中依照平移速度，在第一平移位置和第二平移位置之間平移工件；及 其中基于校準函數(shù)設(shè)定所述平移速度。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，還包括 在對工件進行注入期間，在位于工件的邊緣以外的工件外位置處測量實時束通量值。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，還包括 基于實時束通量值的函數(shù)調(diào)整第一掃描速率。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，還包括 基于實時束通量值的函數(shù)調(diào)整第二掃描速率。
17.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，還包括 基于實時束通量值的函數(shù)，調(diào)整工件相對于離子束平移的平移速度。
18.一種離子注入系統(tǒng)，包括 離子源，配置成沿束路徑提供離子束； 束線組件，配置成沿著束路徑朝向位于可動臺上的工件選擇性地引導(dǎo)來自離子束的期望種類的離子束； 臺控制器，配置成以第一速率沿著至少基本垂直于束路徑的第一軸線平移所述可動臺； 掃描器，配置成使離子束沿著至少基本垂直于束路徑和第一軸線兩者的第二軸線從束路徑偏轉(zhuǎn)，其中掃描器配置成當(dāng)離子束在工件上并朝向工件的邊緣移動時使離子束以第一掃描速率偏轉(zhuǎn)，還配置成在離子束的整個橫截面延伸到工件的所述邊緣以外之前增大離子束的掃描速率。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的離子注入系統(tǒng)，其中掃描器還配置成 在離子束的整個橫截面延伸到工件的所述邊緣以外之后，以大于第一掃描速率的第二掃描速率掃描尚子束。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的離子注入系統(tǒng)，還包括 校準系統(tǒng)，配置成在工件不在束路徑中的情況下執(zhí)行校準例行程序，并確定便于補償束通量中的動態(tài)變化的校準函數(shù)。
21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的離子注入系統(tǒng)，其中臺控制器和掃描器一起在工件的平面中描繪出不同于工件在所述平面中的幾何形狀的注入路徑。
全文摘要
公開了用于提供更大產(chǎn)量的離子注入方法和系統(tǒng)。當(dāng)離子束(112)的橫截面完全撞擊在工件的表面上時，離子束(112)被以第一掃描速率(VslowScan)跨過工件的表面進行掃描；在束的橫截面面積的一部分延伸到工件的外邊緣(140)以外的位置(214)處，所述第一掃描速率被增大到第二速率(VFastScan)。一些實施例使用下述掃描模式其中在實際注入期間在工件外進行束通量測量，以及可以實時地改變注入例行程序以計入束通量的變化。
文檔編號H01J37/317GK102884607SQ201180022448
公開日2013年1月16日 申請日期2011年4月27日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月5日
發(fā)明者愛德華·艾伊斯勒, 伯·范德伯格 申請人:艾克塞利斯科技公司