氣體分配裝置及具有其的等離子體處理設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提出了一種氣體分配裝置，包括：上蓋，上蓋具有進氣通道且上蓋的下表面設(shè)有容納槽；和第一分配板，第一分配板設(shè)在容納槽內(nèi)且在第一分配板的上表面與容納槽的頂壁之間限定出與進氣通道連通的第一空間，第一分配板設(shè)有多個第一分配孔，多個第一分配孔的孔徑和分布密度中的至少一個沿遠離進氣通道的方向上增大。根據(jù)本發(fā)明的氣體分配裝置，使得工藝氣體能均勻的分布在工藝腔室內(nèi)。本發(fā)明還提出了一種具有上述氣體分配裝置的等離子體處理設(shè)備。
【專利說明】氣體分配裝置及具有其的等離子體處理設(shè)備
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導體設(shè)備制造【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其是涉及一種氣體分配裝置及具有其的等離子體處理設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]目前常見的平板式等離子體加強化學氣相沉積(PECVD)設(shè)備的工藝反應腔室是作為主要容器來集成其它部件以形成一個可形成真空的腔體，工藝反應腔室的上蓋設(shè)計有讓工藝氣體通過的進氣口，工藝氣體通過進氣口到達分配板，該分配板上設(shè)有很多孔徑很小的通孔，從而讓工藝氣體均勻地通過分配板，該分配板同時與射頻電源相連用于產(chǎn)生等離子體。當一定壓力的工藝氣體通過分配板后到達工藝反應腔室的內(nèi)部，此時在射頻電源的作用下產(chǎn)生等離子體，并在分配板與載板之間的電場作用下，各種化學反應物質(zhì)沉積到載板上方的硅片上，從而形成致密的沉積結(jié)構(gòu)，在腔室下方有一開口用于連接真空管路，其主要作用是使工藝反應腔室產(chǎn)生工藝需要的真空度。在太陽能電池領(lǐng)域，通常電池片(娃片或玻璃基片)是方形的，因此承載電池片的載板也是方形的，而且載板的尺寸通常很大，一般在長X寬為IOOOmmX IOOOmm以上，如此大尺寸的載板，要使化學反應物在載板上方均勻的沉積，則需等離子體是均勻分布的，這就要求工藝氣體在通過分配板后能形成均勻的氣流體。
[0003]目前的PECVD設(shè)備中導致電池片沉積不均勻一方面是由于工藝氣體通過分配板后產(chǎn)生不均勻的氣體流，另一方面是由于工藝氣體在工藝反應腔室內(nèi)的整體均勻性差。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一。
[0005]為此，本發(fā)明的一個目的在于提出一種能均勻分布氣流的氣體分配裝置。
[0006]本發(fā)明的另一個目的在于提出一種具有上述氣體分配裝置的等離子體處理設(shè)備。
[0007]根據(jù)本發(fā)明第一方面的氣體分配裝置，包括:上蓋，所述上蓋具有進氣通道且所述上蓋的下表面設(shè)有容納槽；和第一分配板，所述第一分配板設(shè)在所述容納槽內(nèi)且在所述第一分配板的上表面與所述容納槽的頂壁之間限定出與所述進氣通道連通的第一空間，所述第一分配板設(shè)有多個第一分配孔，所述多個第一分配孔的孔徑和分布密度中的至少一個沿遠離所述進氣通道的方向上增大。
[0008]根據(jù)本發(fā)明的氣體分配裝置，通過設(shè)置有第一分配板且第一分配板上的多個第一分配孔的孔徑和分布密度中的至少一個沿遠離進氣通道的方向上增大，從而使得每一個第一分配孔處的氣體流動速率都近似相等，使得工藝氣體經(jīng)過第一分配板后能形成比較均勻分布的氣體流，使得工藝氣體能均勻的分布在工藝腔室內(nèi)，從而實現(xiàn)等離子體的均勻性和在工藝腔室內(nèi)的電池片上形成均勻的沉積。
[0009]另外，根據(jù)本發(fā)明的氣體分配裝置還具有如下附加技術(shù)特征:
[0010]進一步，氣體分配裝置還包括第二分配板，所述第二分配板設(shè)置在所述容納槽內(nèi)且位于所述第一分配板的下方，所述第二分配板上均勻地設(shè)有多個孔徑相同的第二分配孔，所述第二分配板的上表面與所述第一分配板的下表面限定出與所述第一和第二分配孔連通的第二空間。從而，使得工藝氣體能更均勻的分布在工藝腔室內(nèi)，從而進一步保證實現(xiàn)等離子體的均勻性和在工藝腔室內(nèi)的硅片上形成均勻的沉積。
[0011]具體地，所述第二分配孔的孔徑小于孔徑最小的第一分配孔的孔徑。由此，進一步保證了工藝氣體經(jīng)過第二分配板后能形成均勻分布的氣體流。
[0012]進一步地，所述第二分配孔的分布密度大于所述第一分配孔的分布密度。由此，更進一步保證了工藝氣體經(jīng)過第二分配板后能形成均勻分布的氣體流。
[0013]在本發(fā)明的一個實施例中，所述多個第一分配孔的孔徑沿遠離所述進氣通道的方向上增大且所述多個第一分配孔均勻地分布在所述第一分配板上。從而使得每一個第一分配孔的壓力降都近似相等。
[0014]在本發(fā)明的另一個實施例中，所述多個第一分配孔的孔徑相同且所述多個第一分配孔的分布密度沿遠離所述進氣通道的方向上增大。從而，保證了氣體通過第一分配板后能形成比較均勻的氣體流。
[0015]根據(jù)本發(fā)明的具體實施例，所述第一分配板為矩形，所述第一分配孔在所述第一分配板上排列成第一矩形陣列，且所述第一矩形陣列的中心與所述進氣通道相對。從而，保證了工藝氣體能均勻的分布在工藝腔室內(nèi)。
[0016]進一步地，所述第一分配孔均勻分布在所述第一分配板上，所述第一矩形陣列的任一排內(nèi)的第一分配孔的孔徑沿從該排的兩端朝向該排的中心逐漸變小。從而使得每一個第一分配孔的壓力降都近似相等。
[0017]具體地，所述第二分配板為矩形，所述第二分配孔在所述第二分配板上排列成第二矩形陣列。從而，保證了工藝氣體能更均勻的分布在工藝腔室內(nèi)。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述第一分配板的上表面的外周沿設(shè)有向上延伸的環(huán)形上凸臺以在所述第一分配板的上表面限定出構(gòu)成所述第一空間的上凹槽，所述第一分配板的下表面的外周沿設(shè)有向上延伸的環(huán)形下凸臺以在所述第一分配板的下表面限定出構(gòu)成所述第二空間的下凹槽。從而，該氣體分配裝置結(jié)構(gòu)簡單。
[0019]在本發(fā)明的一些實施例中，所述進氣通道為多個，所述多個第一分配孔分成與所述多個進氣通道一一對應的多個陣列，每一陣列內(nèi)的所述多個第一分配孔的孔徑和分布密度中的至少一個沿遠離與該組對應的一個進氣通道的方向上增大。從而，進一步保證了工藝氣體經(jīng)過第一分配板后能形成為均勻的氣體流。
[0020]進一步地，所述第一分配孔的多個陣列彼此對稱。由此，結(jié)構(gòu)簡單且保證氣體能均勻分布在工藝腔室內(nèi)。
[0021]根據(jù)本發(fā)明的一些示例，所述第二分配板為多個，所述多個第二分配板沿上下方向排列，且最上面的第二分配板與所述第一分配板限定出一個第二空間，且相鄰的第二分配板之間限定出第三空間。從而，進一步保證工藝氣體能均勻分布在工藝腔室內(nèi)。
[0022]根據(jù)本發(fā)明第二方面的等離子體處理設(shè)備，包括根據(jù)本發(fā)明第一方面的氣體分配裝置。
[0023]根據(jù)本發(fā)明的等離子體處理設(shè)備，通過設(shè)置有氣體分配裝置，可使得工藝氣體均勻的分布到工藝腔室內(nèi)，從而實現(xiàn)等離子體的均勻分布和在硅片上形成均勻的沉積。[0024]本發(fā)明的附加方面和優(yōu)點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發(fā)明的實踐了解到。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0025]本發(fā)明的上述和/或附加的方面和優(yōu)點從結(jié)合下面附圖對實施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中:
[0026]圖1是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的氣體分配裝置的剖視圖；
[0027]圖2是根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的氣體分配裝置的剖視圖；
[0028]圖3是圖2所示的氣體分配裝置的分解視圖；和
[0029]圖4是圖2所示的氣體分配裝置中的排列成第一矩形陣列的第一分配孔的示意圖。
【具體實施方式】
[0030]下面詳細描述本發(fā)明的實施例，所述實施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對本發(fā)明的限制。
[0031]在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。此外，術(shù)語“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性。
[0032]在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”應做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內(nèi)部的連通。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。
[0033]此外，在本發(fā)明的描述中，除非另有說明，“多個”的含義是兩個或兩個以上。
[0034]本發(fā)明提供了一種氣體分配裝置，其根據(jù)氣體流動的特性，采用了一種特別設(shè)計的氣體分配板，當工藝氣體通過上蓋的進氣口后，工藝氣體進入由氣體分配板與上蓋形成的空間內(nèi)，然后氣體通過所述氣體分配板的通孔后均勻分布。
[0035]通常氣體在流動過程中是優(yōu)先沿著壓力降小的通道流動，而這種壓力降的大小與路徑長度成正相關(guān)且與通孔的孔徑負相關(guān)，即路徑越長壓力降越大，路徑越小壓力降越小，孔徑越大壓力降越小，孔徑越小壓力降越大。根據(jù)氣體流動的這種特性，工藝氣體將首先通過進氣口正下方的氣體分配板上的通孔，即進氣口正下方的分配板上的通孔處的氣體流動速率最大，分配板上遠離進氣口孔的通孔由于距離變大，則氣體的流動速率變小，這樣氣流速率便沿以進氣孔為中心的圓周方向向外逐漸降低。
[0036]為了改變空間中氣體的這種流動狀態(tài)，讓空間中工藝氣體下方的氣體呈現(xiàn)均勻分布，本發(fā)明中的氣體分配板的通孔采用了特別的設(shè)計，本發(fā)明中采用改變通孔直徑或空間中氣體傳輸路徑長度的方式來改變壓力降，從而改變氣體通過通孔的流動速率，一種方案是通孔中心距是均勻分布的，只是孔徑不同而已，即在進氣口下方的通孔直徑最小，遠離進氣口的通孔孔徑逐漸變大。另一種方案也可以采用孔徑一樣但是孔的數(shù)量分布呈現(xiàn)中心位置數(shù)量少而遠離中心位置數(shù)量多的分布。
[0037]作為一種可實施方式，下面請參考圖1詳細描述本發(fā)明的氣體分配裝置100，該氣體分配裝置100設(shè)置在等離子體設(shè)備中用于將工藝氣體均勻地分配到等離子體設(shè)備的工藝腔室內(nèi)。
[0038]根據(jù)本實施例的氣體分配裝置100，如圖1所示，包括:上蓋I和第一分配板2，其中，上蓋I具有進氣通道10且上蓋I的下表面設(shè)有容納槽11。第一分配板2設(shè)在容納槽11內(nèi)且在第一分配板2的上表面與容納槽11的頂壁之間限定出與進氣通道10連通的第一空間20，第一分配板2設(shè)有多個第一分配孔21，多個第一分配孔21的孔徑和分布密度中的至少一個沿遠離進氣通道10的方向上增大。向氣體分配裝置100內(nèi)通入工藝氣體時，工藝氣體首先通過進氣通道10進入到第一空間20內(nèi)，然后工藝氣體從第一空間20沿多個第一分配孔21進入到工藝腔室內(nèi)進行工藝反應。
[0039]根據(jù)本實施例的氣體分配裝置100，通過設(shè)置有第一分配板2且第一分配板2上的多個第一分配孔21的孔徑和分布密度中的至少一個沿遠離進氣通道10的方向上增大，從而使得每一個第一分配孔21處的氣體流動速率都近似相等，使得工藝氣體經(jīng)過第一分配板2后能形成均勻分布的氣體流，使得工藝氣體能均勻的分布在工藝腔室內(nèi)，從而實現(xiàn)等離子體的均勻性和在工藝腔室內(nèi)的硅片上形成均勻的沉積。
[0040]較佳地，多個第一分配孔21的孔徑沿遠離進氣通道10的方向上增大且多個第一分配孔21均勻地分布在第一分配板2上。從而使得每一個第一分配孔21的壓力降都近似相等。
[0041]較佳地，多個第一分配孔21的孔徑相同且多個第一分配孔21的分布密度沿遠離進氣通道的方向上增大。從而，保證了氣體通過第一分配板2后能形成均勻的氣體流。
[0042]較佳地，所述第一分配板2安裝在工藝腔室的上蓋I上，并與射頻電源連接，從上蓋I的進氣通道10進入的工藝氣體通過第一分配板2，從而在工藝腔室中形成均勻的氣體。
[0043]作為另一種可實施方式，本發(fā)明還提供一種氣體分配裝置100，其是在上述實施例氣體分配裝置100的基礎(chǔ)上增加第二分配板，用于對經(jīng)過第一分配板后的工藝氣體進行再次勻流。當氣體經(jīng)過第一分配板后，由于第一分配板的勻流作用，氣體整體上已經(jīng)是比較均勻的狀態(tài)，這種較均勻的氣體再通過第二分配板時被二次勻流。第二分配板設(shè)計成通孔孔徑相同且孔均勻分布，此外該板上通孔直徑要小于第一分配板的孔徑且分布密度更大，所以通過第二分配板后便均勻地流入工藝腔室，這種均勻分布的氣場在RF射頻作用下形成等離子體，最終在電池片上形成均勻的沉積。
[0044]下面請參考圖2-圖4詳細描述本發(fā)明的氣體分配裝置100，該氣體分配裝置100設(shè)置在等離子體設(shè)備中用于將工藝氣體均勻地分配到等離子體設(shè)備的工藝腔室內(nèi)。
[0045]根據(jù)本發(fā)明實施例的氣體分配裝置100，如圖2和圖3所示，包括:上蓋1、第一分配板2和第二分配板3，其中，上蓋I具有進氣通道10且上蓋I的下表面設(shè)有容納槽11。第一分配板2設(shè)在容納槽11內(nèi)且在第一分配板2的上表面與容納槽11的頂壁之間限定出與進氣通道10連通的第一空間20，第一分配板2設(shè)有多個第一分配孔21，多個第一分配孔21的孔徑和分布密度中的至少一個沿遠離進氣通道10的方向上增大。第二分配板3設(shè)置在容納槽11內(nèi)且位于第一分配板2的下方，第二分配板3上均勻地設(shè)有多個孔徑相同的第二分配孔30，第二分配板3的上表面與第一分配板2的下表面限定出與第一分配孔21和第二分配孔30連通的第二空間31。
[0046]向氣體分配裝置100內(nèi)通入工藝氣體時，工藝氣體首先通過進氣通道10進入到第一空間20內(nèi)，然后工藝氣體從第一空間20沿多個第一分配孔21進入到第二空間31內(nèi)，最后工藝氣體從多個第二分配孔30進入到工藝腔室內(nèi)進行工藝反應。
[0047]根據(jù)本實施例的氣體分配裝置100，通過設(shè)置有第一分配板2和第二分配板3，且第一分配板2上的多個第一分配孔21的孔徑和分布密度中的至少一個沿遠離進氣通道10的方向上增大，從而使得每一個第一分配孔21處的氣體流動速率都近似相等，使得工藝氣體經(jīng)過第一分配板2后能形成比較均勻分布的氣體流，當這些氣體流通過第二分配板3后形成為更加均勻分布的氣體流，使得工藝氣體能均勻的分布在工藝腔室內(nèi)，從而實現(xiàn)等離子體的均勻性和在工藝腔室內(nèi)的硅片上形成均勻的沉積。
[0048]具體地，第二分配孔30的孔徑小于孔徑最小的第一分配孔21的孔徑。進一步地，第二分配孔30的分布密度大于第一分配孔21的分布密度。由此，進一步保證了工藝氣體經(jīng)過第二分配板3后能形成均勻分布的氣體流。
[0049]較佳地，本發(fā)明中第一分配板和第二分配板均設(shè)計為矩形，同時讓通孔變化形成方形分布，即方形的四個角位置的通孔直徑最大。作為一種可實施方式，通孔中心距是均勻分布的，只是孔徑不同而已，當然也可以采用孔徑一樣但是孔的數(shù)量分布呈現(xiàn)方形中心位置數(shù)量少而遠離中心位置數(shù)量多的分布。如圖2和圖3所示，第一分配板2和第二分配板3均為矩形，第一分配孔21在第一分配板2上排列成第一矩形陣列，第二分配孔30在第二分配板3上排列成第二矩形陣列，且第一矩形陣列的中心與進氣通道10相對。進一步的，第一分配孔21均勻分布在第一分配板2上，第一矩形陣列的任一排內(nèi)的第一分配孔21的孔徑沿從該排的兩端朝向該排的中心逐漸變小。
[0050]在圖4的示例中，多個第一分配孔21均勻分布在第一分配板2上，且排列成第一矩形陣列，該第一矩形陣列中的任一行內(nèi)的第一分配孔21的孔徑沿該行的兩端朝向該行的中心逐漸變小，該第一矩形陣列中的任一列內(nèi)的第一分配孔21的孔徑沿該列的兩端朝向該列的中心逐漸變小，即該第一矩形陣列的中心處的第一分配孔21的孔徑最小，該第一矩形陣列的四個角位置的第一分配孔21的孔徑最大。從而保證了每一個第一分配孔21的壓力降近似相等。
[0051]如圖2和圖3所示，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，第一分配板2的上表面的外周沿設(shè)有向上延伸的環(huán)形上凸臺22以在第一分配板2的上表面限定出構(gòu)成第一空間20的上凹槽201，第一分配板2的下表面的外周沿設(shè)有向上延伸的環(huán)形下凸臺23以在第一分配板2的下表面限定出構(gòu)成第二空間31的下凹槽202。從而，該氣體分配裝置100結(jié)構(gòu)簡單。
[0052]本發(fā)明的實施例中還采用了多個進氣通道10的方案，多個第一分配孔21分成與多個進氣通道10 —一對應的多個陣列，即每個進氣通道10下方都有相同的呈方形排布的第一分配孔21組合，最終形成多個呈方形排布的第一分配孔21組合。具體的，每一陣列內(nèi)的多個第一分配孔21的孔徑和分布密度中的至少一個沿遠離與該組對應的一個進氣通道10的方向上增大。進一步地，第一分配孔21的多個陣列彼此對稱。從而，進一步保證了工藝氣體經(jīng)過第一分配板2后能形成為均勻的氣體流。[0053]在圖2和圖3的示例中，上蓋I上形成四個進氣通道10，多個第一分配孔21分成與四個進氣通道10 —一對應的四個彼此對稱的陣列。
[0054]根據(jù)本發(fā)明的一些示例，第二分配板3可為多個，多個第二分配板3沿上下方向排列，且最上面的第二分配板3與第一分配板2限定出一個第二空間31，且相鄰的第二分配板3之間限定出第三空間(圖未示出)。此時，工藝氣體從進氣通道10進入到第一空間20內(nèi)，然后通過多個第一分配孔21進入到第二空間31內(nèi)，接著通過最上面的第二分配板3上的多個第二分配孔30進入到第三空間內(nèi)，最后從第三空間通過最下面的第二分配板3上的多個第二分配孔30進入到工藝腔室內(nèi)。
[0055]相應于本發(fā)明的氣體分配裝置，本發(fā)明還提供一種等離子體處理設(shè)備，包括本發(fā)明的氣體分配裝置。
[0056]所述等離子體處理設(shè)備，通過設(shè)置有氣體分配裝置，可使得工藝氣體均勻的分布到工藝腔室內(nèi)，從而實現(xiàn)等離子體的均勻分布和在電池片上形成均勻的沉積。
[0057]在本說明書的描述中，參考術(shù)語“一個實施例”、“一些實施例”、“示意性實施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點包含于本發(fā)明的至少一個實施例或示例中。在本說明書中，對上述術(shù)語的示意性表述不一定指的是相同的實施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點可以在任何的一個或多個實施例或示例中以合適的方式結(jié)合。
[0058]盡管已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實施例，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解:在不脫離本發(fā)明的原理和宗旨的情況下可以對這些實施例進行多種變化、修改、替換和變型，本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求及其等同物限定。
【權(quán)利要求】
1.一種氣體分配裝置，其特征在于，包括: 上蓋，所述上蓋具有進氣通道且所述上蓋的下表面設(shè)有容納槽；和 第一分配板，所述第一分配板設(shè)在所述容納槽內(nèi)且在所述第一分配板的上表面與所述容納槽的頂壁之間限定出與所述進氣通道連通的第一空間，所述第一分配板設(shè)有多個第一分配孔，所述多個第一分配孔的孔徑和分布密度中的至少一個沿遠離所述進氣通道的方向上增大。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體分配裝置，其特征在于，還包括第二分配板，所述第二分配板設(shè)置在所述容納槽內(nèi)且位于所述第一分配板的下方，所述第二分配板上均勻地設(shè)有多個孔徑相同的第二分配孔，所述第二分配板的上表面與所述第一分配板的下表面限定出與所述第一和第二分配孔連通的第二空間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氣體分配裝置，其特征在于，所述第二分配孔的孔徑小于孔徑最小的第一分配孔的孔徑。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氣體分配裝置，其特征在于，所述第二分配孔的分布密度大于所述第一分配孔的分布密度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體分配裝置，其特征在于，所述多個第一分配孔的孔徑沿遠離所述進氣通道的方向上增大且所述多個第一分配孔均勻地分布在所述第一分配板上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體分配裝置，其特征在于，所述多個第一分配孔的孔徑相同且所述多個第一分配 孔的分布密度沿遠離所述進氣通道的方向上增大。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體分配裝置，其特征在于，所述第一分配板為矩形，所述第一分配孔在所述第一分配板上排列成第一矩形陣列，且所述第一矩形陣列的中心與所述進氣通道相對。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的氣體分配裝置，其特征在于，所述第一分配孔均勻分布在所述第一分配板上，所述第一矩形陣列的任一排內(nèi)的第一分配孔的孔徑沿從該排的兩端朝向該排的中心逐漸變小。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氣體分配裝置，其特征在于，所述第二分配板為矩形，所述第二分配孔在所述第二分配板上排列成第二矩形陣列。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體分配裝置，其特征在于，所述第一分配板的上表面的外周沿設(shè)有向上延伸的環(huán)形上凸臺以在所述第一分配板的上表面限定出構(gòu)成所述第一空間的上凹槽，所述第一分配板的下表面的外周沿設(shè)有向上延伸的環(huán)形下凸臺以在所述第一分配板的下表面限定出構(gòu)成所述第二空間的下凹槽。
11.根據(jù)權(quán)利要求1-9中任一項所述的氣體分配裝置，其特征在于，所述進氣通道為多個，所述多個第一分配孔分成與所述多個進氣通道一一對應的多個陣列，每一陣列內(nèi)的所述多個第一分配孔的孔徑和分布密度中的至少一個沿遠離與該組對應的一個進氣通道的方向上增大。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的氣體分配裝置，其特征在于，所述第一分配孔的多個陣列彼此對稱。
13.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氣體分配裝置，其特征在于，所述第二分配板為多個，所述多個第二分配板沿上下方向排列，且最上面的第二分配板與所述第一分配板限定出一個第二空間，且相鄰的第二分配板之間限定出第三空間。
14.一種等離子體處理設(shè)備，其特征在于，包括根據(jù)權(quán)利要求1-13中任一項所述的氣體分配裝置。`
【文檔編號】H01J37/32GK103594313SQ201210289028
【公開日】2014年2月19日 申請日期:2012年8月14日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月14日
【發(fā)明者】張金斌 申請人:北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責任公司