一種用于晶片加工的裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種用于晶片加工的裝置，包含加熱板、安裝在加熱板上部的腔室，以及安裝在腔室底端的導(dǎo)向環(huán)，該腔室充有等離子體，刻蝕時(shí)，晶片放置在加熱板上，導(dǎo)向環(huán)內(nèi)壁開(kāi)設(shè)有導(dǎo)向口，該導(dǎo)向口對(duì)應(yīng)在晶片邊緣位置的上方，等離子體可以通過(guò)導(dǎo)向口吹向晶片的邊緣。導(dǎo)向口設(shè)為弧形或?yàn)槿菭罨驗(yàn)殡A梯狀，該裝置能夠提高晶片定位的范圍，改善晶片刻蝕的均勻度。
【專(zhuān)利說(shuō)明】—種用于晶片加工的裝置【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體加工裝置，具體涉及一種用于晶片加工的裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]刻蝕晶片是將晶片4’放置在加熱板I’上，再向晶片4’吹等離子體5’，該晶片4’尺寸與導(dǎo)向環(huán)3’直徑基本一樣?，F(xiàn)有技術(shù)中，由于石英管尺寸已經(jīng)固定且無(wú)法移動(dòng)，所采用導(dǎo)向環(huán)3’內(nèi)壁邊緣為直角，晶片刻蝕時(shí)，因?yàn)槲挥谇皇抑械木看味ㄎ粫?huì)有一定的偏差，即如圖1所示，晶片4’向右稍微偏離，就會(huì)造成晶片邊緣無(wú)法直接接觸到等離子體，從而降低晶片邊緣的刻蝕率，影響了晶片刻蝕的均勻度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供了一種用于晶片加工的裝置，該裝置能夠提高晶片定位的范圍及邊緣刻蝕率，改善晶片刻蝕的均勻度。
[0004]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):
一種用于晶片加工的裝置，包含加熱板、安裝在加熱板上部的腔室，以及安裝在腔室底端的導(dǎo)向環(huán)，該腔室充有等離子體，刻蝕時(shí)，晶片放置在加熱板上，其特點(diǎn)是，所述的導(dǎo)向環(huán)內(nèi)壁開(kāi)設(shè)有導(dǎo)向口，該導(dǎo)向口對(duì)應(yīng)在晶片邊緣位置的上方，等離子體可以通過(guò)導(dǎo)向口吹向晶片的邊緣。
[0005]所述的導(dǎo)向口設(shè)為弧形或?yàn)槿菭罨驗(yàn)殡A梯狀。
[0006]所述的導(dǎo)向環(huán)采用鋁材料制成
本發(fā)明一種用于晶片加工的裝置與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下優(yōu)點(diǎn):
本發(fā)明由于在導(dǎo)向環(huán)內(nèi)壁開(kāi)設(shè)有導(dǎo)向口，可以將等離子體通過(guò)導(dǎo)向口吹向晶片的邊緣，提高晶片定位的范圍，改善晶片刻蝕的均勻度。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0007]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中導(dǎo)向環(huán)結(jié)構(gòu)示意圖及等離子體流向示意圖；
圖2為本發(fā)明一種用于晶片加工的裝置結(jié)構(gòu)示意圖；
圖3為本發(fā)明導(dǎo)向環(huán)的結(jié)構(gòu)示意圖及等離子體流向示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0008]以下結(jié)合附圖，通過(guò)詳細(xì)說(shuō)明一個(gè)較佳的具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步闡述。
[0009]如圖2、圖3所示，一種用于晶片加工的裝置，包含加熱板1、安裝在加熱板I上部的腔室2，安裝在腔室2底端的導(dǎo)向環(huán)3，纏繞在腔室2外部的線(xiàn)圈7，貼在腔室2內(nèi)壁上的石英管6，該腔 室2充有等離子體5，所述的導(dǎo)向環(huán)3采用鋁材料制成，刻蝕時(shí)，晶片4放置在加熱板I上，所述的導(dǎo)向環(huán)3內(nèi)壁開(kāi)設(shè)有導(dǎo)向口 31，該導(dǎo)向口 31對(duì)應(yīng)在晶片4邊緣位置的上方，當(dāng)線(xiàn)圈7通電后，產(chǎn)生等離子體5流向整塊晶片的表面，并通過(guò)導(dǎo)向口吹向晶片4的邊緣，即使在晶片定位出現(xiàn)小偏離的情況下，也能將等離子體5引入到晶片4的邊緣，提高了晶片定位的范圍，改善晶片刻蝕的均勻度。
[0010]所述的導(dǎo)向口 31設(shè)為弧形或?yàn)槿菭罨驗(yàn)殡A梯狀，本實(shí)施例中，導(dǎo)向口 31設(shè)為弧形(參見(jiàn)圖3)。
[0011]綜上所述，本發(fā)明一種用于晶片加工的裝置，該裝置能夠提高晶片定位的范圍，改善晶片刻蝕的均勻度。
[0012]盡管本發(fā)明的內(nèi)容已經(jīng)通過(guò)上述優(yōu)選實(shí)施例作了詳細(xì)介紹，但應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到上述的描述不應(yīng)被認(rèn)為是對(duì)本發(fā)明的限制。在本領(lǐng)域技術(shù)人員閱讀了上述內(nèi)容后，對(duì)于本發(fā)明的多種修改和替代都將是顯而易見(jiàn)的。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)由所附的權(quán)利要求來(lái)限定。
【權(quán)利要求】
1.一種用于晶片加工的裝置，包含加熱板(I)、安裝在加熱板(I)上部的腔室(2)，以及安裝在腔室(2)底端的導(dǎo)向環(huán)(3)，該腔室(2)充有等離子體(5)，刻蝕時(shí)，晶片(4)放置在加熱板(I)上，其特征在于，所述的導(dǎo)向環(huán)(3 )內(nèi)壁開(kāi)設(shè)有導(dǎo)向口(31)，該導(dǎo)向口(31)對(duì)應(yīng)在晶片(4)邊緣位置的上方，等離子體(5)可以通過(guò)導(dǎo)向口吹向晶片(4)的邊緣。
2.如權(quán)利要求1所述的用于晶片加工的裝置，其特征在于，所述的導(dǎo)向口(31)設(shè)為弧形或?yàn)槿菭罨驗(yàn)殡A梯狀。
3.如權(quán)利要求1所述的用于晶片加工的裝置，其特征在于，所述的導(dǎo)向環(huán)(3)采用鋁材料制成。
【文檔編號(hào)】H01J37/32GK103839744SQ201210470952
【公開(kāi)日】2014年6月4日 申請(qǐng)日期:2012年11月20日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月20日
【發(fā)明者】蔡輝 申請(qǐng)人:上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司