磁控管以及應(yīng)用該磁控管的磁控濺射設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種磁控管和磁控濺射設(shè)備，包括極性相反的外磁極和內(nèi)磁極，其中，在垂直于所述磁控管的徑向截面上，所述內(nèi)磁極為由兩段螺旋線首尾串接而形成的不對稱的閉合環(huán)形，且該螺旋線遵循下述極坐標(biāo)方程：r＝a×θn+b×(cosθ)m+c×(tanθ)k+d，其中，r和θ為極坐標(biāo)，n，m和k分別為θ、cosθ和tanθ的指數(shù)，且-2＜n＜2，-2＜m＜2，-2＜k＜2；而且，所述內(nèi)磁極和與之形狀相對應(yīng)的外磁極相互不接觸地嵌套在一起，以在二者之間形成閉合且不對稱的通道；并且，該通道在磁控管掃描靶材表面時經(jīng)過靶材的中心和邊緣。本發(fā)明提供一種磁控管，不僅可以實(shí)現(xiàn)采用較低的濺射氣壓就能夠滿足啟輝和維持等離子體的工藝條件，而且還可以提高薄膜厚度在基片徑向方向上的均勻性，從而可以提高成膜質(zhì)量。
【專利說明】磁控管以及應(yīng)用該磁控管的磁控濺射設(shè)備
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及微電子加工【技術(shù)領(lǐng)域】，具體地，涉及一種磁控管及應(yīng)用該磁控管的磁控濺射設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]磁控濺射裝置是通過等離子體中的粒子與靶材相碰撞以將從靶材中濺射出的材料沉積在被加工工件上形成薄膜的裝置。在實(shí)際應(yīng)用中，為了提高濺射的效率和靶材的利用率，在靶材的背部設(shè)有磁控管，利用磁控管所產(chǎn)生的磁場延長電子的運(yùn)動軌跡，增加電子與工藝氣體(如氬氣)碰撞的幾率，從而提高等離子體的密度，進(jìn)而提高濺射的效率和靶材的利用率。
[0003]圖1a為現(xiàn)有的一種磁控管的徑向截面圖。圖1b為米用圖1a磁控管掃描祀材時自靶材濺射出的粒子路徑的示意圖。請一并參閱圖1a和圖lb，磁控管100包括外磁極102和內(nèi)磁極104，并且在外磁極102和內(nèi)磁極104中沿各自輪廓均勻分布有極性相反的磁體108，用以形成可以將等離子體束縛在靶材10表面的磁場。而且，在磁控管100的徑向截面上，外磁極102和內(nèi)磁極104之間形成有閉合的螺旋形軌道106。在工藝過程中，磁控管100以內(nèi)磁極102的內(nèi)端部14為中心在靶材的表面旋轉(zhuǎn)掃描，以提高靶材的濺射速率。
[0004]上述磁控管100在實(shí)際使用過程中，由于內(nèi)磁極102和外磁極104形成的螺旋形通道首尾連通，因此螺旋形通道較長，而且內(nèi)磁極102和外磁極104螺旋的圈數(shù)較多，因此內(nèi)磁極102和外磁極104之間的間距較窄，這使得磁控濺射設(shè)備需要較高的濺射氣壓才能啟輝和維持等離子體，從而導(dǎo)致薄膜的致密性以及均勻性降低。
[0005]另外，由于上述磁控管100能夠?qū)Π胁木鶆蚋g，即，相同時間內(nèi)，自靶材10各個位置濺射出的粒子的數(shù)量大致相等，又由于自靶材10濺射出的粒子運(yùn)動至基片11的整體角度α，即，連接在靶材10上任意一點(diǎn)分別與基片11的一條直徑的兩個端點(diǎn)之間的兩條連線的夾角，自靶材10的中心至邊緣逐漸減小，例如，自靠近靶材10的中心的位置濺射出的粒子的整體角度α I大于自靠近靶材邊緣的位置濺射出的粒子的整體角度α 2，導(dǎo)致粒子運(yùn)動至基片11的中心區(qū)域的數(shù)量多于運(yùn)動至基片11的邊緣區(qū)域的數(shù)量，這使得沉積在基片11上的薄膜厚度在基片11的徑向方向上不均勻，這種情況在靶材10與基片11之間的間距D在50?70mm的范圍內(nèi)時尤為明顯，例如，實(shí)驗表明，在使用上述磁控管100掃描靶材表面，且靶材10與基片11之間的間距范圍在50?60mm時，在直徑為300mm的基片11上沉積的薄膜厚度的均勻性大于3%，因此，薄膜厚度在基片11的徑向方向上的均勻性較差。
[0006]雖然上述磁控管100能夠使靶材均勻腐蝕，從而可以提高靶材的利用率，但是，在實(shí)際應(yīng)用中，往往沉積在基片上的薄膜的厚度均勻性更為重要，甚至可以以犧牲靶材腐蝕的均勻性為代價。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，提出了一種磁控管以及應(yīng)用該磁控管的磁控濺射設(shè)備，其不僅可以實(shí)現(xiàn)采用較低的濺射氣壓就能夠滿足啟輝和維持等離子體的工藝條件，而且還可以提高薄膜厚度在基片徑向方向上的均勻性，從而可以提高成膜質(zhì)量。
[0008]為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的而提供一種磁控管，用于對靶材表面進(jìn)行掃描，其包括極性相反的外磁極和內(nèi)磁極，在垂直于所述磁控管的徑向截面上，所述內(nèi)磁極為由兩段螺旋線首尾串接而形成的不對稱的閉合環(huán)形，且該螺旋線遵循下述極坐標(biāo)方程:
[0009]r = aX Θ n+bX (cos Θ )m+cX (tan θ )k+d
[0010]其中，r和Θ為極坐標(biāo)，n, m和k分別為Θ、cos Θ和tan Θ的指數(shù)，且_2 < η
<2，-2 < m < 2，-2 < k < 2 ;而且，所述內(nèi)磁極和與之形狀相對應(yīng)的外磁極相互不接觸地嵌套在一起，以在二者之間形成閉合且不對稱的通道；并且，所述通道在所述磁控管掃描靶材表面時經(jīng)過所述靶材的中心和邊緣。
[0011]其中，所述通道的寬度相同。
[0012]優(yōu)選地，所述通道的寬度范圍在25?30mm。
[0013]其中，所述內(nèi)磁極包括內(nèi)磁極本體和多個第一磁體，所述第一磁體沿所述內(nèi)磁極本體的輪廓排列；所述外磁極包括外磁極本體和多個第二磁體，所述第二磁體沿所述外磁極本體的輪廓排列，而且，設(shè)置在所述內(nèi)磁極本體上的第一磁體的極性與設(shè)置在所述外磁極本體上的第二磁體的極性相反。
[0014]其中，排列在靠近所述靶材中心的所述內(nèi)磁極本體中的所述第一磁體的分布密度小于排列在靠近所述靶材邊緣的所述內(nèi)磁極本體中的所述第一磁體的分布密度。
[0015]其中，排列在靠近所述靶材中心的所述內(nèi)磁極本體中的所述第二磁體的分布密度小于排列在靠近所述靶材邊緣的所述內(nèi)磁極本體中的所述第二磁體的分布密度。
[0016]其中，所述第一磁體和所述第二磁體為磁鐵。
[0017]本發(fā)明還提供一種磁控濺射設(shè)備，包括靶材、設(shè)置于靶材上方的磁控管以及設(shè)置于靶材下方的用于承載基片的基座，所述磁控管用于對所述靶材表面進(jìn)行掃描，且采用了本發(fā)明提供的上述磁控管。
[0018]其中，所述靶材與置于所述基座上的基片之間的間距范圍在58?70mm。
[0019]優(yōu)選地，所述靶材與置于所述基座上的基片之間的間距范圍在59?66mm。
[0020]其中，所述磁控濺射設(shè)備為摻錫氧化銦物理氣相沉積設(shè)備。
[0021]本發(fā)明具有下述有益效果:
[0022]本發(fā)明提供的磁控管，其內(nèi)磁極在磁控管的旋轉(zhuǎn)中心的截面上的形狀為由兩段螺旋線首尾串接而形成的閉合且不對稱的環(huán)形，且該螺旋線遵循下述極坐標(biāo)方程:
[0023]r = aX Θ n+bX (cos Θ )m+cX (tan θ )k+d
[0024]而且，內(nèi)磁極和與之形狀相對應(yīng)的外磁極相互不接觸地嵌套在一起，以在二者之間形成閉合且不對稱的通道；并且，該通道在磁控管掃描靶材表面時經(jīng)過靶材的中心和邊緣，以實(shí)現(xiàn)全靶腐蝕。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的磁控管的內(nèi)、外磁極形成的通道的長度明顯縮短，這可以縮短與之對應(yīng)的等離子體的運(yùn)行軌跡，從而可以降低啟輝和維持等離子體的氣壓，進(jìn)而可以提高成膜質(zhì)量。此外，在上述磁控管的使用過程中，由于位于靶材邊緣處的上述通道所對應(yīng)的等離子體的運(yùn)行軌跡的長度大于位于靶材中心處的上述通道所對應(yīng)的等離子體的運(yùn)行軌跡的長度，這使得靶材邊緣區(qū)域的腐蝕深度大于靶材中心區(qū)域的腐蝕深度，即，自靶材邊緣區(qū)域濺射出的粒子的數(shù)量多于自靶材中心區(qū)域濺射出的粒子的數(shù)量，這可以增加自靶材濺射出的粒子運(yùn)動至基片的邊緣區(qū)域的數(shù)量，從而可以使在基片邊緣區(qū)域沉積的薄膜厚度與在基片中心區(qū)域沉積的薄膜厚度趨于均勻，進(jìn)而可以提高薄膜厚度在基片徑向方向上的均勻性，提高成膜質(zhì)量。
[0025]本發(fā)明提供的磁控濺射設(shè)備，其通過采用本發(fā)明提供的磁控管，不僅可以降低啟輝和維持等離子體的氣壓，從而可以提高成膜質(zhì)量，而且還可以使在基片邊緣區(qū)域沉積的薄膜厚度與在基片中心區(qū)域沉積的薄膜厚度趨于均勻，從而可以提高薄膜厚度在基片徑向方向上的均勻性，進(jìn)而提高成膜質(zhì)量。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0026]圖1a為現(xiàn)有的一種磁控管的徑向截面圖；
[0027]圖1b為采用圖1a磁控管掃描靶材時自靶材濺射出的粒子路徑的示意圖；
[0028]圖2a為本發(fā)明提供的磁控管的徑向截面圖；
[0029]圖2b為等離子體的運(yùn)行軌跡在本發(fā)明提供的磁控管的通道中的長度的示意圖；
[0030]圖3為使用本發(fā)明提供的磁控管掃描靶材時靶材不同半徑處的腐蝕深度曲線圖；
[0031]圖4為使用本發(fā)明提供的磁控管所獲得的基片在49個不同位置處的薄膜厚度檢測圖；以及
[0032]圖5為使用本發(fā)明提供的磁控管所獲得的基片的一條直徑上的薄膜厚度檢測圖?！揪唧w實(shí)施方式】
[0033]為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明提供的磁控管及應(yīng)用該磁控管的磁控濺射設(shè)備進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0034]圖2a為本發(fā)明提供的磁控管的徑向截面圖。圖2b為等離子體的運(yùn)行軌跡在本發(fā)明提供的磁控管的通道中的長度的示意圖。用于對靶材20的表面進(jìn)行掃描的磁控管，其包括極性相反的內(nèi)磁極21和外磁極22。其中，內(nèi)磁極21包括內(nèi)磁極本體和多個第一磁體211，第一磁體211沿內(nèi)磁極本體的輪廓排列；外磁極22包括外磁極本體和多個第二磁體221，第二磁體221沿外磁極本體的輪廓排列，而且，設(shè)置在內(nèi)磁極本體上的第一磁體211的極性與設(shè)置在外磁極本體上的第二磁體221的極性相反，用以在內(nèi)磁極本體和外磁極本體的端部產(chǎn)生磁場。第一磁體211和第二磁體221可以采用如磁鐵等具有磁性的材料制成。
[0035]在本實(shí)施例中，在垂直于磁控管的徑向截面上，內(nèi)磁極21為由兩段螺旋線首尾串接而形成的不對稱的閉合環(huán)形，這兩段螺旋線分別為，即:位于圖2a中分割線212的左側(cè)的第一段螺旋線，以及位于圖2a中分割線212右側(cè)的第二段螺旋線。具體地，第一段螺旋線自靠近靶材20的中心點(diǎn)24順時針朝向靶材20的邊緣螺旋延伸；第二段螺旋線的一端與第一段螺旋線的靠近靶材邊緣的一端串接，另一端順時針朝向靶材20的中心螺旋延伸，且與第一段螺旋線的靠近中心點(diǎn)24的另一端串接。而且，上述螺旋線遵循下述極坐標(biāo)方程:
[0036]r = aX Θ n+bX (cos Θ )m+cX (tan θ )k+d
[0037]其中和Θ為極坐標(biāo)，η, m和k分別為θ、cos Θ和tan Θ的指數(shù),且_2 < η
<2，-2 < m < 2，-2 < k < 2。而且，內(nèi)磁極21和與之形狀相對應(yīng)的外磁極22相互不接觸地嵌套在一起，以在二者之間形成閉合且不對稱的通道23，優(yōu)選地，該通道23的寬度相同，且寬度范圍在25?30mm。
[0038]由圖2b可知，遵循上述方程所獲得的內(nèi)磁極21以及與之形狀相對應(yīng)的外磁極22在垂直于磁控管的徑向截面上的形狀具有以下特點(diǎn):
[0039]其一，在使用上述磁控管掃描靶材20的過程中，內(nèi)磁極21和外磁極22之間的通道23經(jīng)過靶材20的中心點(diǎn)14和邊緣，從而該通道23所對應(yīng)的等離子體的運(yùn)行軌跡能夠覆蓋靶材20的整個表面，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)全靶腐蝕。
[0040]其二，由于內(nèi)磁極21在垂直于磁控管的徑向截面上的形狀使內(nèi)磁極21相對的兩側(cè)側(cè)壁之間的徑向距離較大，這可以減小反應(yīng)腔室中在徑向方向上形成的磁場的磁場強(qiáng)度，從而可以在一定程度上改善基片的成膜質(zhì)量。此外，上述極坐標(biāo)方程只有在-2 < η
<2，-2 < m < 2，-2 < k < 2時能夠獲得與圖2b所示磁控管的形狀相類似的形狀。
[0041]其三，與現(xiàn)有技術(shù)相比，通道23的長度明顯縮短，這可以縮短與之對應(yīng)的等離子體的運(yùn)行軌跡，從而可以降低啟輝和維持等離子體的氣壓，進(jìn)而可以提高成膜質(zhì)量。
[0042]其四，如圖3所示，為使用本發(fā)明提供的磁控管掃描靶材時靶材不同半徑處的腐蝕深度曲線圖。由圖2b可知，在上述磁控管的使用過程中，由于位于靶材邊緣處的通道23所對應(yīng)的等離子體的運(yùn)行軌跡的長度251大于位于靶材中心處的通道23所對應(yīng)的等離子體的運(yùn)行軌跡的長度252，這使得靶材邊緣區(qū)域的腐蝕深度大于靶材中心區(qū)域的腐蝕深度，如圖3可知，靶材在半徑范圍為120?200mm處的腐蝕深度的范圍為0.6?Imm ;而靶材在半徑范圍為50?IOOmm處的腐蝕深度的范圍為0.5?0.7mm, S卩，自靶材邊緣區(qū)域濺射出的粒子的數(shù)量多于自靶材中心區(qū)域濺射出的粒子的數(shù)量，這可以增加自靶材濺射出的粒子運(yùn)動至基片的邊緣區(qū)域的數(shù)量，從而可以使在基片邊緣區(qū)域沉積的薄膜厚度與在基片中心區(qū)域沉積的薄膜厚度趨于均勻，進(jìn)而可以提高薄膜厚度在基片徑向方向上的均勻性，提高成膜質(zhì)量。
[0043]下面針對使用本實(shí)施例提供的磁控管所獲得的基片對沉積在基片上的薄膜厚度進(jìn)行檢測。在該檢測中，對直徑為300mm的基片上的49個不同位置的薄膜厚度進(jìn)行采樣，以及對直徑為300mm的基片的一條直徑上的薄膜厚度進(jìn)行采樣，如圖4和圖5所示，沉積在基片上的薄膜厚度的范圍在2071.5?2372.1 A (單位，埃)，且整個基片表面上的薄膜厚度的均勻性為3%，基片的一條直徑上的薄膜厚度的均勻性為2.3%，由此可知，借助本實(shí)施例提供的磁控管，可以使在基片邊緣區(qū)域沉積的薄膜厚度與在基片中心區(qū)域沉積的薄膜厚度趨于均勻，進(jìn)而可以提高薄膜厚度在基片徑向方向上的均勻性，提高成膜質(zhì)量。
[0044]此外，優(yōu)選地，排列在靠近靶材中心的內(nèi)磁極本體中的第一磁體211的分布密度小于排列在靠近靶材邊緣的內(nèi)磁極本體中的第一磁體211的分布密度；和/或，排列在靠近靶材中心的內(nèi)磁極本體中的第二磁體221的分布密度小于排列在靠近靶材邊緣的內(nèi)磁極本體中的第二磁體221的分布密度。這可以提高反應(yīng)腔室中相對于靶材邊緣的等離子體密度，同時降低相對于靶材中心的等離子體密度，從而可以進(jìn)一步增加自靶材濺射出的粒子運(yùn)動至基片的邊緣區(qū)域的數(shù)量，進(jìn)而可以提高薄膜厚度在基片徑向方向上的均勻性，提高成膜質(zhì)量。
[0045]另外，還可以在保持本實(shí)施例提供的磁控管的整體輪廓不變的前提下，適當(dāng)提高第一磁體211和第二磁體221在內(nèi)磁極本體和外磁極本體中的分布密度，這可以提高在反應(yīng)腔室中所產(chǎn)生的磁場的磁場強(qiáng)度，從而可以降低濺射電壓，進(jìn)而可以提高成膜質(zhì)量。[0046]需要說明的是，本發(fā)明并不局限于本實(shí)施例提供的磁控管在垂直于磁控管的徑向截面上的上述形狀，在實(shí)際應(yīng)用中，只要內(nèi)磁極21在垂直于磁控管的徑向截面上的形狀是由遵循上述極坐標(biāo)方程的兩段螺旋線首尾串接而形成的閉合且不對稱的環(huán)形即可，例如，內(nèi)磁極在垂直于磁控管的徑向截面上的形狀還可以為一非對稱的“桃形”。
[0047]還需要說明的是，在實(shí)際應(yīng)用中，本實(shí)施例提供的磁控管主要應(yīng)用在濺射路程(靶材與基片之間的間距)較短的薄膜沉積設(shè)備中，以在降低濺射電壓的同時，獲得均勻的薄膜厚度。例如，用于制備諸如ΙΤ0(摻錫氧化銦，Indium Tin Oxide)薄膜、TiN(氮化鈦)薄膜等的物理氣相沉積設(shè)備。此外，由于濺射電壓對制備ITO薄膜的沉積工藝的成膜質(zhì)量的影響比制備深寬比較大的薄膜的沉積工藝的成膜質(zhì)量的影響更大，因此，借助于本發(fā)明提供的磁控管，可以在較低的濺射電壓下實(shí)現(xiàn)濺射工藝，且能獲得較好的成膜質(zhì)量，由此可知，本發(fā)明提供的磁控管非常適用于上述用于制備ITO(摻錫氧化銦，Indium TinOxide)薄膜、TiN(氮化鈦)薄膜，即:靶材為氧化物靶材的物理氣相沉積設(shè)備中。
[0048]綜上說述，本實(shí)施例提供的磁控管，其內(nèi)磁極在磁控管的旋轉(zhuǎn)中心的截面上的形狀為由兩段螺旋線首尾串接而形成的閉合且不對稱的環(huán)形，且該螺旋線遵循下述極坐標(biāo)方程:
[0049]r = aX Θ n+bX (cos Θ )m+cX (tan θ )k+d
[0050]而且，內(nèi)磁極和與之形狀相對應(yīng)的外磁極相互不接觸地嵌套在一起，以在二者之間形成閉合且不對稱的通道，該通道在磁控管掃描靶材表面時經(jīng)過所述靶材的中心和邊緣。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)施例提供的磁控管的內(nèi)、外磁極形成的通道的長度明顯縮短，這可以縮短與之對應(yīng)的等離子體的運(yùn)行軌跡，從而可以降低啟輝和維持等離子體的氣壓，進(jìn)而可以提高成膜質(zhì)量。此外，在上述磁控管的使用過程中，由于位于靶材邊緣處的上述通道所對應(yīng)的等離子體的運(yùn)行軌跡的長度大于位于靶材中心處的上述通道所對應(yīng)的等離子體的運(yùn)行軌跡的長度，這使得靶材邊緣區(qū)域的腐蝕深度大于靶材中心區(qū)域的腐蝕深度，即，自靶材邊緣區(qū)域濺射出的粒子的數(shù)量多于自靶材中心區(qū)域濺射出的粒子的數(shù)量，這可以增加自靶材濺射出的粒子運(yùn)動至基片的邊緣區(qū)域的數(shù)量，從而可以使在基片邊緣區(qū)域沉積的薄膜厚度與在基片中心區(qū)域沉積的薄膜厚度趨于均勻，進(jìn)而可以提高薄膜厚度在基片徑向方向上的均勻性，提高成膜質(zhì)量。
[0051]本發(fā)明還提供一種磁控濺射設(shè)備，包括靶材、設(shè)置于靶材上方的磁控管以及設(shè)置于靶材下方的用于承載基片的基座。其中，磁控管采用了本實(shí)施例提供的上述磁控管用以對靶材表面進(jìn)行掃描。
[0052]通過實(shí)驗表明，在使用本實(shí)施例提供的磁控濺射設(shè)備時，且靶材與置于基座上的基片之間的間距范圍在58?70mm時，可以獲得較好的薄膜厚度均勻性，優(yōu)選地，靶材與置于基座上的基片之間的間距范圍在59?66mm。
[0053]在本實(shí)施例中，磁控濺射設(shè)備為摻錫氧化銦物理氣相沉積設(shè)備，用以制備摻錫氧化銦薄膜。
[0054]本實(shí)施例提供的磁控濺射設(shè)備，其通過采用本實(shí)施例提供的上述磁控管，不僅可以降低啟輝和維持等離子體的氣壓，從而可以提高成膜質(zhì)量，而且還可以使在基片邊緣區(qū)域沉積的薄膜厚度與在基片中心區(qū)域沉積的薄膜厚度趨于均勻，從而可以提高薄膜厚度在基片徑向方向上的均勻性，進(jìn)而提高成膜質(zhì)量。[0055]可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種磁控管，用于對祀材表面進(jìn)行掃描，其包括極性相反的外磁極和內(nèi)磁極，其特征在于，在垂直于所述磁控管的徑向截面上，所述內(nèi)磁極為由兩段螺旋線首尾串接而形成的不對稱的閉合環(huán)形，且該螺旋線遵循下述極坐標(biāo)方程:
r = aX Θ n+bX (cos θ )m+cX (tan θ )k+d 其中，r和Θ為極坐標(biāo)，n,m和k分別為Θ、cos Θ和tan Θ的指數(shù),且-2 < η < 2,-2<m<2，-2<k<2; 而且，所述內(nèi)磁極和與之形狀相對應(yīng)的外磁極相互不接觸地嵌套在一起，以在二者之間形成閉合且不對稱的通道；并且，所述通道在所述磁控管掃描靶材表面時經(jīng)過所述靶材的中心和邊緣。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控管，其特征在于，所述通道的寬度相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁控管，其特征在于，所述通道的寬度范圍在25~30mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控管，其特征在于，所述內(nèi)磁極包括內(nèi)磁極本體和多個第一磁體，所述第一磁體沿所述內(nèi)磁極本體的輪廓排列；所述外磁極包括外磁極本體和多個第二磁體，所述第二磁體沿所述外磁極本體的輪廓排列，而且，設(shè)置在所述內(nèi)磁極本體上的第一磁體的極性與設(shè)置在所述外磁極本體上的第二磁體的極性相反。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁控管，其特征在于，排列在靠近所述靶材中心的所述內(nèi)磁極本體中的所述第一磁體的分布密度小于排列在靠近所述靶材邊緣的所述內(nèi)磁極本體中的所述第一磁體的分布密度。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁控管，其特征在于，排列在靠近所述靶材中心的所述內(nèi)磁極本體中的所述第二磁體的分布密度小于排列在靠近所述靶材邊緣的所述內(nèi)磁極本體中的所述第二磁體的分布密度。`
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁控管，其特征在于，所述第一磁體和所述第二磁體為磁鐵。
8.—種磁控濺射設(shè)備，包括靶材、設(shè)置于靶材上方的磁控管以及設(shè)置于靶材下方的用于承載基片的基座，所述磁控管用于對所述靶材表面進(jìn)行掃描，其特征在于，所述磁控管采用權(quán)利要求1-7中任意一項所述的磁控管。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于，所述靶材與置于所述基座上的基片之間的間距范圍在58~70mm。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于，所述靶材與置于所述基座上的基片之間的間距范圍在59~66mm。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于，所述磁控濺射設(shè)備為摻錫氧化銦物理氣相沉積設(shè)備。
【文檔編號】H01J23/02GK103887130SQ201210562303
【公開日】2014年6月25日 申請日期:2012年12月21日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月21日
【發(fā)明者】李楊超, 王厚工, 耿波, 呂峰 申請人:北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司