等離子體系統(tǒng)的回饋控制方法及其系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】一種等離子體系統(tǒng)的回饋控制方法及其系統(tǒng)，該等離子體系統(tǒng)包含一個(gè)等離子體產(chǎn)生腔室、一個(gè)光傳感器、一個(gè)操作模塊，及一個(gè)控制模塊，且該控制模塊具有一個(gè)包括有多種對(duì)應(yīng)不同等離子體制程條件的等離子體標(biāo)準(zhǔn)光譜的標(biāo)準(zhǔn)光譜數(shù)據(jù)庫(kù)。借由該光傳感器對(duì)該等離子體產(chǎn)生腔室中氣體電離產(chǎn)生等離子體時(shí)所發(fā)出的光進(jìn)行檢測(cè)，并將其轉(zhuǎn)換得到一個(gè)放光光譜，再將該放光光譜與該標(biāo)準(zhǔn)光譜數(shù)據(jù)庫(kù)中相對(duì)應(yīng)等離子體制程條件的等離子體標(biāo)準(zhǔn)光譜進(jìn)行比對(duì)，經(jīng)由比對(duì)的結(jié)果以實(shí)時(shí)調(diào)整與控制該等離子體系統(tǒng)的制程條件與參數(shù)。
【專利說(shuō)明】等離子體系統(tǒng)的回饋控制方法及其系統(tǒng)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種制程的回饋控制方法及其系統(tǒng)，特別是涉及一種等離子體系統(tǒng)的回饋控制方法及其系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]化學(xué)氣相沉積法(Chemical vapor deposition, CVD)為半導(dǎo)體與液晶顯示器等光電領(lǐng)域中最常見(jiàn)也最廣為使用的鍍膜技術(shù)，乃是將基材曝露于一種或多種不同的前驅(qū)物下，在基材的表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)或化學(xué)分解來(lái)產(chǎn)生欲沉積的薄膜。而等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(Plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD)為利用等離子體增加前驅(qū)物的反應(yīng)速率，使其得以在低溫的環(huán)境下進(jìn)行鍍膜，為半導(dǎo)體與液晶顯示器等領(lǐng)域中最廣泛使用的主要原因。[0003]然而，在現(xiàn)今光電產(chǎn)業(yè)的鍍膜技術(shù)中，無(wú)論是黃光制程、沉積制程或是等離子體制程等，都無(wú)法實(shí)時(shí)監(jiān)控制程條件以隨時(shí)進(jìn)行制程參數(shù)的修正，而是必須在基板上已完成部分的鍍膜制程后，利用相關(guān)量測(cè)儀器測(cè)量在基板上所形成的鍍膜結(jié)果，再進(jìn)行制程參數(shù)的修正，需經(jīng)過(guò)反復(fù)的測(cè)試與調(diào)整，直到產(chǎn)生符合需求的結(jié)果，而這些反復(fù)的制程修正及調(diào)整的過(guò)程，不僅耗費(fèi)生產(chǎn)成本也讓整體的制程時(shí)間增加。此外，即使經(jīng)調(diào)整后已得到適當(dāng)?shù)闹瞥虆?shù)，但是在實(shí)際制造時(shí)仍可能會(huì)因?yàn)闄C(jī)臺(tái)的漂移現(xiàn)象，使得最后產(chǎn)品仍有不符合需求的情況發(fā)生。
[0004]上述制程所發(fā)生的問(wèn)題，不但會(huì)造成生產(chǎn)成本與制程時(shí)間的浪費(fèi)，對(duì)于產(chǎn)品良率的提升也會(huì)產(chǎn)生很大的影響。因此，提供一種能實(shí)時(shí)控制制程條件以精確掌握制程結(jié)果的方法，為本發(fā)明研究探討的重要方向。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種能實(shí)時(shí)監(jiān)控制程條件以精確掌握制程結(jié)果的等離子體系統(tǒng)的回饋控制方法。
[0006]本發(fā)明等離子體系統(tǒng)的回饋控制方法，包含以下步驟:
[0007](A)建立一個(gè)等離子體系統(tǒng)，用以在一個(gè)基板的表面進(jìn)行預(yù)定的等離子體制程，該等離子體系統(tǒng)具有一個(gè)進(jìn)行等離子體制程的等離子體產(chǎn)生腔室、一個(gè)光傳感器，用以感測(cè)自該等離子體產(chǎn)生腔室發(fā)出的光，并將其轉(zhuǎn)換成一個(gè)放光光譜、一個(gè)用以控制該等離子體系統(tǒng)的制程參數(shù)的操作模塊，及一個(gè)電連接于該光傳感器與該操作模塊的控制模塊，且該控制模塊具有一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)光譜數(shù)據(jù)庫(kù)，包括多種對(duì)應(yīng)不同等離子體制程條件的等離子體標(biāo)準(zhǔn)光譜。
[0008](B)利用該光傳感器檢測(cè)該等離子體產(chǎn)生腔室中氣體電離產(chǎn)生等離子體時(shí)所發(fā)出的光，并將其轉(zhuǎn)換得到一個(gè)放光光譜。
[0009](C)將該光傳感器測(cè)得的放光光譜傳送至該控制模塊，并將該放光光譜與該標(biāo)準(zhǔn)光譜數(shù)據(jù)庫(kù)中相對(duì)應(yīng)等離子體制程條件的等離子體標(biāo)準(zhǔn)光譜進(jìn)行比對(duì)，再依該比對(duì)結(jié)果自該控制模塊對(duì)該操作模塊輸出一個(gè)控制信號(hào)。
[0010]較佳地，本發(fā)明所述的等離子體系統(tǒng)的回饋控制方法，在該步驟(C)中是將該放光光譜與該相對(duì)應(yīng)的等離子體標(biāo)準(zhǔn)光譜的波長(zhǎng)、特征波峰積分面積，及能量強(qiáng)度的至少一項(xiàng)進(jìn)行比對(duì)。
[0011]較佳地，本發(fā)明所述的等離子體系統(tǒng)的回饋控制方法，在該步驟(C)中該放光光譜與該等離子體標(biāo)準(zhǔn)光譜的比對(duì)結(jié)果不同時(shí)，該控制模塊對(duì)該操作模塊輸出一個(gè)調(diào)變制程參數(shù)的控制信號(hào)；而該放光光譜與該等離子體標(biāo)準(zhǔn)光譜的比對(duì)結(jié)果相同時(shí)，該控制模塊對(duì)該操作模塊輸出一個(gè)制程參數(shù)不變的控制信號(hào)。
[0012]較佳地，本發(fā)明所述的等離子體系統(tǒng)的回饋控制方法，該等離子體系統(tǒng)的操作模塊具有一個(gè)射頻信號(hào)產(chǎn)生器、一個(gè)用以控制進(jìn)入該等離子體產(chǎn)生腔室的氣體流量的質(zhì)流控制器，及一個(gè)用以控制該等離子體產(chǎn)生腔室中該基板的溫度的熱控制器，而該步驟(C)的控制模塊對(duì)該操作模塊輸出該調(diào)變制程參數(shù)的控制信號(hào)時(shí)，則對(duì)應(yīng)調(diào)整該射頻信號(hào)產(chǎn)生器的功率、該質(zhì)流控制器的氣體流量，及該熱控制器的加熱溫度的至少一項(xiàng)。
[0013]較佳地，本發(fā)明所述的等離子體系統(tǒng)的回饋控制方法，在該步驟(B)中該光傳感器間隔地檢測(cè)該等離子體產(chǎn)生腔室中氣體電離產(chǎn)生等離子體時(shí)所發(fā)出的光，該間隔時(shí)間為I至30秒。
[0014]此外，本發(fā)明的另一目的在于提供一種能有效地節(jié)省制程時(shí)間及制作成本的等離子體系統(tǒng)。
[0015]本發(fā)明等離子體系統(tǒng)用以在一個(gè)基板的表面進(jìn)行預(yù)定的等離子體制程，包含一個(gè)等離子體產(chǎn)生腔室、一個(gè) 操作模塊、一個(gè)光傳感器，及一個(gè)控制模塊。
[0016]該等離子體產(chǎn)生腔室用以將輸入的氣體進(jìn)行電離產(chǎn)生等離子體。
[0017]該操作模塊與該等離子體產(chǎn)生腔室電連接，而用以控制該等離子體制程的制程參數(shù)，該操作模塊包括一個(gè)用以控制該氣體的電離程度的射頻信號(hào)產(chǎn)生器、一個(gè)用以控制氣體輸入該等離子體產(chǎn)生腔室的質(zhì)流控制器，及一個(gè)用以控制該等離子體產(chǎn)生腔室中該基板的溫度的熱控制器。
[0018]該光傳感器用以感測(cè)該等離子體產(chǎn)生腔室中氣體電離產(chǎn)生等離子體時(shí)所發(fā)出的光，并將其轉(zhuǎn)換為一個(gè)放光光譜。
[0019]該控制模塊具有一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)光譜數(shù)據(jù)庫(kù)，包括多種等離子體標(biāo)準(zhǔn)光譜，該控制模塊分別電連接于該操作模塊與該光傳感器，用以接收該光傳感器所測(cè)得的放光光譜并與該等離子體標(biāo)準(zhǔn)光譜比對(duì)，以對(duì)應(yīng)輸出一個(gè)控制信號(hào)至該操作模塊。
[0020]較佳地，本發(fā)明所述的等離子體系統(tǒng)，該光傳感器所測(cè)得的放光光譜具有波長(zhǎng)、特征波峰積分面積，及能量強(qiáng)度的分析數(shù)據(jù)。
[0021]較佳地，本發(fā)明所述的等離子體系統(tǒng)，該等離子體產(chǎn)生腔室包括一個(gè)界定出一個(gè)反應(yīng)空間的反應(yīng)腔體、一個(gè)設(shè)置于該反應(yīng)腔體內(nèi)的等離子體電極、分別與該等離子體電極連接的一個(gè)電極饋入單元、一個(gè)等離子體氣體輸入單元，及一個(gè)設(shè)置于該反應(yīng)腔體內(nèi)的加熱單元，該電極饋入單元與該射頻信號(hào)產(chǎn)生器電連接，用以接收一個(gè)射頻信號(hào)，該等離子體氣體輸入單元與該質(zhì)流控制器電連接，用以調(diào)整該氣體通入該反應(yīng)腔體的流量，而令該等離子體電極產(chǎn)生一個(gè)使氣體電離的電場(chǎng)，該加熱單元與該熱控制器電連接而用以調(diào)整該基板的溫度。[0022]本發(fā)明的有益效果在于:利用將該光傳感器所測(cè)得的放光光譜與該等離子體標(biāo)準(zhǔn)光譜進(jìn)行比對(duì)，再利用該比對(duì)的結(jié)果自該控制模塊對(duì)該操作模塊輸出一個(gè)控制信號(hào)，以實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)并對(duì)制程條件及參數(shù)進(jìn)行控制而精確地掌握制程的結(jié)果。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0023]圖1是一個(gè)示意圖，說(shuō)明本發(fā)明等離子體系統(tǒng)的較佳實(shí)施例；
[0024]圖2是一個(gè)流程圖，說(shuō)明本發(fā)明等離子體系統(tǒng)的回饋控制方法的較佳實(shí)施例。
【具體實(shí)施方式】
[0025]下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0026]參閱圖1，本發(fā)明等離子體系統(tǒng)的較佳實(shí)施例包含一個(gè)等離子體產(chǎn)生腔室1、一個(gè)操作模塊2、一個(gè)光傳感器3，及一個(gè)控制模塊4，用以在一個(gè)位于該等離子體產(chǎn)生腔室I中的基板11的表面進(jìn)行一個(gè)預(yù)定的等離子體制程。
[0027]該等離子體產(chǎn)生腔室I包括一個(gè)界定出一個(gè)反應(yīng)空間的反應(yīng)腔體12、一個(gè)設(shè)置于該反應(yīng)腔體12內(nèi)的等離子體電極13、分別與該等離子體電極13連接的一個(gè)電極饋入單元
14、一個(gè)等離子體氣體輸入單元15，及一個(gè)設(shè)置于該反應(yīng)腔體12內(nèi)的加熱單元16。經(jīng)由該等離子體氣體輸入單元15將一種氣體通入并借由該電極饋入單元14接收一個(gè)射頻信號(hào)，令該等離子體電極13產(chǎn)生一個(gè)使該氣體電離的電場(chǎng)，而該加熱單元16則用以調(diào)整與控制該基板11的溫度。
[0028]該操作模塊2與該等離子體產(chǎn)生腔室I電連接而控制該等離子體產(chǎn)生腔室I中預(yù)定進(jìn)行的等離子體制程的制程參數(shù)，該操作模塊2包括一個(gè)射頻信號(hào)產(chǎn)生器21、一個(gè)質(zhì)流控制器22，及一個(gè)熱控制器23。該射頻信號(hào)產(chǎn)生器21與該電極饋入單元14電連接且用以調(diào)整電場(chǎng)強(qiáng)度以控制該氣體的電離程度，該質(zhì)流控制器22是與該等離子體氣體輸入單元15電連接，用以控制輸入至該反應(yīng)腔體12中的氣體流量，而該熱控制器23則與該加熱單元16電連接并用以控制該基板11的溫度。
[0029]該光傳感器3與該等離子體產(chǎn)生腔室I相連接且能感測(cè)氣體電離產(chǎn)生等離子體時(shí)所發(fā)出的光，并將其轉(zhuǎn)換為一個(gè)放光光譜。等離子體放光的成因是氣體原子或分子因電子的撞擊而提升至激發(fā)態(tài)，因處于激發(fā)態(tài)的系統(tǒng)是不穩(wěn)定的，只能在能量被提升的瞬間存在，因此會(huì)隨即返回具有較低能量的穩(wěn)定狀態(tài)，在所述被激發(fā)的氣體原子或分子由激發(fā)態(tài)回到基態(tài)的過(guò)程中，會(huì)以發(fā)射一個(gè)具有特定能量的光子形式回到能量較低的激發(fā)態(tài)或是基態(tài)，處于不同激發(fā)態(tài)的原子所發(fā)射的光子具有不同的電磁波譜，而顯示出各自獨(dú)特的譜線。該光傳感器3即為偵測(cè)該等離子體所產(chǎn)生的光子并將其轉(zhuǎn)換成為一個(gè)放光光譜，于本較佳實(shí)施例中，該光傳感器3所測(cè)得的放光光譜具有波長(zhǎng)、特征波峰積分面積，及能量強(qiáng)度的分析數(shù)據(jù)。
[0030]該控制模塊4分別電連接于該操作模塊2與該光傳感器3，而用以接收該光傳感器3所測(cè)得的放光光譜，并輸出一個(gè)控制信號(hào)至該操作模塊2。
[0031]此外，本發(fā)明該 等離子體系統(tǒng)能實(shí)時(shí)監(jiān)控制程條件而進(jìn)行等離子體制程參數(shù)的回饋控制，茲將該等離子體系統(tǒng)的回饋控制方法說(shuō)明如下。
[0032]配合參閱圖2，具體的說(shuō)，利用本發(fā)明該等離子體系統(tǒng)的較佳實(shí)施例進(jìn)行的等離子體制程參數(shù)的回饋控制方法，是于實(shí)際進(jìn)行等離子體制程步驟時(shí)，利用該光傳感器3實(shí)時(shí)檢測(cè)于該等離子體產(chǎn)生腔室I中氣體電離產(chǎn)生等離子體時(shí)所發(fā)出的光，將其轉(zhuǎn)換得到一個(gè)放光光譜，再將該放光光譜傳送至該控制模塊4，該控制模塊4具有一個(gè)包括多種對(duì)應(yīng)不同等離子體制程條件的等離子體標(biāo)準(zhǔn)光譜的標(biāo)準(zhǔn)光譜數(shù)據(jù)庫(kù)，將該放光光譜與該標(biāo)準(zhǔn)光譜數(shù)據(jù)庫(kù)中相對(duì)應(yīng)等離子體制程條件的等離子體標(biāo)準(zhǔn)光譜進(jìn)行波長(zhǎng)、特征波峰積分面積，及能量強(qiáng)度的比對(duì)。
[0033]比對(duì)結(jié)果相符合時(shí)，該控制模塊4會(huì)對(duì)該操作模塊2輸出一個(gè)制程參數(shù)不變的控制信號(hào)，且該光傳感器3每間隔一段時(shí)間會(huì)進(jìn)行一次等離子體放光光譜的檢測(cè)，讓該控制模塊4進(jìn)行比對(duì)并對(duì)應(yīng)輸出控制信號(hào)，間隔時(shí)間為I至30秒；若該放光光譜與該等離子體標(biāo)準(zhǔn)光譜的比對(duì)結(jié)果不同時(shí)，該控制模塊4對(duì)該操作模塊2輸出一個(gè)調(diào)變制程參數(shù)的控制信號(hào)，該控制信號(hào)會(huì)對(duì)應(yīng)調(diào)整該射頻信號(hào)產(chǎn)生器21的功率、該質(zhì)流控制器22的氣體流量，及該熱控制器23的加熱溫度的至少其中一項(xiàng)，直到該放光光譜與該等離子體標(biāo)準(zhǔn)光譜的比對(duì)結(jié)果相符合。
[0034]本發(fā)明等離子體系統(tǒng)的回饋控制方法借由該光傳感器3收集多個(gè)制程數(shù)據(jù)，所述制程數(shù)據(jù)是該等離子體系統(tǒng)于不同的制程參數(shù)條件下所感測(cè)得到的光譜數(shù)據(jù)，于本較佳實(shí)施例中，該光譜數(shù)據(jù)為波長(zhǎng)、特征波峰積分面積，及能量強(qiáng)度的比對(duì)數(shù)據(jù)，而建立出一個(gè)多種對(duì)應(yīng)不同的等離子體制程條件的等離子體標(biāo)準(zhǔn)光譜的標(biāo)準(zhǔn)光譜數(shù)據(jù)庫(kù)，收集完成后匯入至該控制模塊4，并由該控制模塊4執(zhí)行一個(gè)回饋控制的動(dòng)作，借以控制該操作模塊2的作動(dòng)，而使得等離子體制程的結(jié)果符合目標(biāo)值，不但能實(shí)時(shí)取得制程的數(shù)據(jù)并采取相對(duì)應(yīng)的操作步驟，使制程中所出現(xiàn)的異常或缺失得以隨時(shí)進(jìn)行修正，讓制程結(jié)果能精確地符合所設(shè)定的目標(biāo)值，更能通過(guò)所述制程數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)察覺(jué)該等離子體系統(tǒng)或機(jī)臺(tái)的異常，而防止產(chǎn)品或機(jī)臺(tái)的損害。
[0035]再者，本發(fā)明除了能應(yīng)用于薄膜太陽(yáng)能電池鍍膜制程以外，也能應(yīng)用于具有龐大商業(yè)市場(chǎng)的液晶顯示器的低溫多晶硅鍍膜制程，且等離子體技術(shù)也是半導(dǎo)體制程中重要的關(guān)鍵技術(shù)，舉凡各種和等離子體技術(shù)相關(guān)的領(lǐng)域，皆能利用本發(fā)明所揭露的技術(shù)方法來(lái)達(dá)到優(yōu)化制程控制的目的。
[0036]綜上所述，本發(fā)明等離子體系統(tǒng)的回饋控制方法借由診斷放光光譜所提供的訊息以了解制程過(guò)程的反應(yīng)，并實(shí)時(shí)進(jìn)行監(jiān)控以采取相對(duì)應(yīng)的操作步驟，得以精確掌握制程結(jié)果而符合目標(biāo)值，以避免造成生產(chǎn)成本與制程時(shí)間的浪費(fèi)，所以確實(shí)能達(dá)成本發(fā)明的目的。
【權(quán)利要求】
1.一種等離子體系統(tǒng)的回饋控制方法，其特征在于包含以下步驟: 建立一個(gè)等離子體系統(tǒng)，用以在一個(gè)基板的表面進(jìn)行預(yù)定的等離子體制程，該等離子體系統(tǒng)具有一個(gè)進(jìn)行等離子體制程的等離子體產(chǎn)生腔室、一個(gè)光傳感器，用以感測(cè)自該等離子體產(chǎn)生腔室發(fā)出的光、一個(gè)用以控制該等離子體系統(tǒng)的制程參數(shù)的操作模塊，及一個(gè)電連接于該光傳感器與該操作模塊的控制模塊，該控制模塊具有一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)光譜數(shù)據(jù)庫(kù)，包括多種對(duì)應(yīng)不同等離子體制程條件的等離子體標(biāo)準(zhǔn)光譜； 該光傳感器檢測(cè)該等離子體產(chǎn)生腔室中氣體電離產(chǎn)生等離子體時(shí)所發(fā)出的光，并將其轉(zhuǎn)換得到一個(gè)放光光譜； 將該光傳感器測(cè)得的放光光譜傳送至該控制模塊，該控制模塊將該放光光譜與該標(biāo)準(zhǔn)光譜數(shù)據(jù)庫(kù)中相對(duì)應(yīng)等離子體制程條件的等離子體標(biāo)準(zhǔn)光譜進(jìn)行比對(duì)，再依該比對(duì)結(jié)果自該控制模塊對(duì)該操作模塊輸出一個(gè)控制信號(hào)。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子體系統(tǒng)的回饋控制方法，其特征在于:該放光光譜與該相對(duì)應(yīng)的等離子體標(biāo)準(zhǔn)光譜進(jìn)行比對(duì)的項(xiàng)目為波長(zhǎng)、特征波峰積分面積，及能量強(qiáng)度中的至少一項(xiàng)。
3.如權(quán)利要求2所述的等離子體系統(tǒng)的回饋控制方法，其特征在于:該放光光譜與該等離子體標(biāo)準(zhǔn)光譜的比對(duì)結(jié)果不同時(shí)，該控制模塊會(huì)對(duì)該操作模塊輸出的控制信號(hào)為一個(gè)調(diào)變制程參數(shù)的控制信號(hào)；而該放光光譜與該等離子體標(biāo)準(zhǔn)光譜的比對(duì)結(jié)果相同時(shí)，該控制模塊對(duì)該操作模塊輸出的控制信號(hào)為一個(gè)制程參數(shù)不變的控制信號(hào)。
4.如權(quán)利要求3所述的等離子體系統(tǒng)的回饋控制方法，其特征在于:該等離子體系統(tǒng)的操作模塊具有一個(gè)射頻信號(hào)產(chǎn)生器、一個(gè)用以控制進(jìn)入該等離子體產(chǎn)生腔室的氣體流量的質(zhì)流控制器，及一個(gè)用以控制該等離子體產(chǎn)生腔室中該基板溫度的熱控制器，而該控制模塊對(duì)該操作模塊輸出該調(diào)變制程參數(shù)的控制信號(hào)時(shí)，則對(duì)應(yīng)調(diào)整該射頻信號(hào)產(chǎn)生器的功率、該質(zhì)流控制器的氣體流量，及該熱控制器的加熱溫度的至少一項(xiàng)。
5.如權(quán)利要求4所述的等離子體系統(tǒng)的回饋控制方法，其特征在于:該光傳感器間隔地檢測(cè)該等離子體產(chǎn)生腔室中氣體電離產(chǎn)生等離子體時(shí)所發(fā)出的光，該間隔時(shí)間為I至30秒。
6.一種等離子體系統(tǒng)，用以在一個(gè)基板的表面進(jìn)行預(yù)定的等離子體制程，該等離子體系統(tǒng)的特征在于包含: 一個(gè)等離子體產(chǎn)生腔室，用以將輸入氣體進(jìn)行電離產(chǎn)生等離子體； 一個(gè)操作模塊，與該等離子體產(chǎn)生腔室電連接，而用以控制該等離子體制程的制程參數(shù)，該操作模塊包括一個(gè)用以控制該氣體的電離程度的射頻信號(hào)產(chǎn)生器、一個(gè)用以控制氣體輸入該等離子體產(chǎn)生腔室的質(zhì)流控制器，及一個(gè)用以控制該等離子體產(chǎn)生腔室中該基板的溫度的熱控制器； 一個(gè)光傳感器，用以感測(cè)該等離子體產(chǎn)生腔室中氣體電離產(chǎn)生等離子體時(shí)所發(fā)出的光，并將其轉(zhuǎn)換為一個(gè)放光光譜；以及 一個(gè)分別電連接于該操作模塊與該光傳感器的控制模塊，該控制模塊具有一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)光譜數(shù)據(jù)庫(kù)，包括多種對(duì)應(yīng)不同等離子體制程條件的等離子體標(biāo)準(zhǔn)光譜，該控制模塊接收該光傳感器所測(cè)得的放光光譜并與等離子體標(biāo)準(zhǔn)光譜比對(duì)后，再對(duì)應(yīng)輸出一個(gè)控制信號(hào)至該操作模塊。
7.如權(quán)利要求6所述的等離子體系統(tǒng)，其特征在于:該光傳感器所測(cè)得的放光光譜具有波長(zhǎng)、特征波峰積分面積，及能量強(qiáng)度的分析數(shù)據(jù)。
8.如權(quán)利要求7所述的等離子體系統(tǒng)，其特征在于:該等離子體產(chǎn)生腔室包括一個(gè)界定出一個(gè)反應(yīng)空間的反應(yīng)腔體、一個(gè)設(shè)置于該反應(yīng)腔體內(nèi)的等離子體電極、分別與該等離子體電極連接的一個(gè)電極饋入單元、一個(gè)等離子體氣體輸入單元，及一個(gè)設(shè)置于該反應(yīng)腔體內(nèi)的加熱單元，該電極饋入單元與該射頻信號(hào)產(chǎn)生器電連接，用以接收一個(gè)射頻信號(hào)，該等離子體氣體輸入單元與該質(zhì)流控制器電連接，用以調(diào)整該氣體通入該反應(yīng)腔體的流量，而令該等離子體電極產(chǎn)生一個(gè)使氣體電離的電場(chǎng)，該加熱單元與該熱控制器電連接而用以調(diào)整該基板 的溫度。
【文檔編號(hào)】H01J37/24GK103903951SQ201210585488
【公開(kāi)日】2014年7月2日 申請(qǐng)日期:2012年12月28日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月28日
【發(fā)明者】洪政源, 陳威宇, 吳奕達(dá), 楊思華, 孫嘉鴻, 翁敏航, 吳以德 申請(qǐng)人:財(cái)團(tuán)法人金屬工業(yè)研究發(fā)展中心