專利名稱：Led發(fā)光板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于LED照明領(lǐng)域，特別涉及一種LED發(fā)光板及其制備方法。
背景技術(shù)：
當(dāng)前全球能源短缺的憂慮再度升高的背景下，節(jié)約能源是我們未來面臨的重要的問題，在照明領(lǐng)域，LED發(fā)光產(chǎn)品的應(yīng)用正吸引著世人的目光，LED作為一種新型的綠色光源產(chǎn)品，必然是未來發(fā)展的趨勢(shì)，二十一世紀(jì)將進(jìn)入以LED為代表的新型照明光源時(shí)代。LED球泡燈具與白熾燈比較，其最大的發(fā)展動(dòng)力就是節(jié)能環(huán)保的優(yōu)勢(shì)。目前，應(yīng)用于燈具、廣告牌內(nèi)的LED發(fā)光板包括鋁基線路板、帶腳基座(或稱帶支架的基座)，在該帶腳基座內(nèi)通過固晶處理而裝有芯片及熒光粉，帶腳基座的外圍裝有玻璃罩用于聚光，該帶腳基座通過貼片機(jī)及回流焊機(jī)設(shè)備進(jìn)行貼片、錫焊處理而粘貼在鋁基線路板的相應(yīng)位置上。該帶腳基座及其內(nèi)外零部件裝配的生產(chǎn)成本較高、結(jié)構(gòu)復(fù)雜、工藝較繁瑣，相應(yīng)的帶來生產(chǎn)成本高，效率低。且生產(chǎn)所得產(chǎn)品發(fā)光、聚光效果的不理想。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，發(fā)光聚光效果好的LED發(fā)光板，本發(fā)明的另一目的在于提供一種工藝簡(jiǎn)便生產(chǎn)成本較低，適于大批量生產(chǎn)LED發(fā)光板制造方法。為達(dá)到本發(fā)明的目的，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案為:LED發(fā)光板，包括鋁基線路板，所述的鋁基線路板上設(shè)有若干LED芯片安裝位，所述的LED安裝位上涂覆有導(dǎo)電銀涂層，所述的LED安裝位設(shè)有線路正極和線路負(fù)極；一 LED芯片設(shè)置在導(dǎo)電銀涂層上，所述的LED芯片的正極用第一純金線與線路正極電連通，所述的LED芯片的正極用第二金線與線路負(fù)極電連通；所述LED芯片設(shè)有反射硅膠堤；所述的LED芯片上設(shè)有含突光粉的突光娃膠層；所述的突光娃膠層上設(shè)有透明娃膠層。所述的反射娃膠堤的厚度為0.5-1.0mm ;所述的突光娃膠層厚度為0.3-1.5mm,優(yōu)選為0.3-0.5mm ;所述的透明娃膠層的厚度為0.5-1.0mm,優(yōu)選為0.5-0.8mm。所述的金線純度為88.8%-99.99%，直徑為0.01-0.02mm。LED發(fā)光板制造方法包含以下步驟:I)鋁基線路板的LED芯片安裝位上涂覆導(dǎo)電銀漿形成導(dǎo)電銀涂層，將一 LED芯片貼在導(dǎo)電銀涂層上，進(jìn)行第一次烘干處理，得到第一次烘干半成品；2)在第一次烘干半成品的LED芯片的正極用第一金線與LED芯片安裝位上正極焊接連通，LED芯片的負(fù)極用第二金線與LED芯片安裝位上負(fù)極焊接連通，在LED芯片四周涂覆硅膠形成反射硅膠堤，進(jìn)行第二次烘干處理，得到第二次烘干半成品；3)在第二次烘干半成品的LED芯片上涂覆含有熒光粉的熒光硅膠層，進(jìn)行第三次烘干處理，得到第三次烘干半成品；4)得到第三次烘干半成品的熒光硅膠層上涂覆透明硅膠層，進(jìn)行第四次烘干處理后即得LED發(fā)光板的成品。
所述的反射娃膠堤的厚度為0.5-1.0mm ;所述的突光娃膠層厚度為0.3-1.5mm,優(yōu)選為0.3-0.5mm ;所述的透明娃膠層的厚度為0.5-1.0mm,優(yōu)選為0.5-0.8mm ；所述的金線純度為88.8%-99.99%，直徑為0.01-0.02mm。所述的烘干處理時(shí)間為l_2h，溫度為100_150°C。采用本發(fā)明技術(shù)所得到的LED發(fā)光板能夠發(fā)出柔和白光，發(fā)光聚光效果好，生產(chǎn)工藝簡(jiǎn)便，生產(chǎn)效率大大提高，同時(shí)也極大的降低的產(chǎn)品的生產(chǎn)成本。


圖1為本發(fā)明LED發(fā)光板的結(jié)構(gòu)示意圖
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合說明書附圖對(duì)本發(fā)明做出進(jìn)一步闡述:實(shí)施例1如圖1所示 LED發(fā)光板，包括鋁基線路板(I )，所述的鋁基線路板(I)上設(shè)有若干LED芯片安裝位(101)，所述的LED安裝位(101)上涂覆有導(dǎo)電銀涂層(3 )，所述的LED安裝位(101)設(shè)有線路正極(102)和線路負(fù)極(103); — LED芯片(2)設(shè)置在導(dǎo)電銀涂層(3)上，所述的LED芯片(2 )的正極(22 )用純度88.8%直徑0.02mm的第一純金線(51)與線路正極(102 )電連通，所述的LED芯片(2)的正極用純度88.8%直徑0.02mm的第二金線(52)與線路負(fù)極(103)電連通；所述LED芯片(2)四周設(shè)有0.5mm厚度的反射硅膠堤(4);所述的LED芯片(2)上設(shè)有含熒光粉的厚度為1.0mm的熒光硅膠層；所述的熒光硅膠層上設(shè)有厚度為0.8_透明娃月父層。實(shí)施例2LED發(fā)光板，包括鋁基線路板(I )，所述的鋁基線路板(I)上設(shè)有若干LED芯片安裝位(101)，所述的LED安裝位(101)上涂覆有導(dǎo)電銀涂層(3 )，所述的LED安裝位(101)設(shè)有線路正極(102)和線路負(fù)極(103);— LED芯片(2)設(shè)置在導(dǎo)電銀涂層(3)上，所述的LED芯片(2)的正極(22)用純度99.99%直徑0.0lmm的第一純金線(51)與線路正極(102)電連通，所述的LED芯片(2)的正極用純度99.99%直徑0.0lmm的第二金線(52)與線路負(fù)極(103)電連通；所述LED芯片(2)四周設(shè)有1.0mm厚度的反射硅膠堤(4);所述的LED芯片(2)上設(shè)有含熒光粉的厚度為1.5mm的熒光硅膠層；所述的熒光硅膠層上設(shè)有厚度為1.0mm透明硅膠層。實(shí)施例3LED發(fā)光板，包括鋁基線路板(I )，所述的鋁基線路板(I)上設(shè)有若干LED芯片安裝位(101)，所述的LED安裝位(101)上涂覆有導(dǎo)電銀涂層(3 )，所述的LED安裝位(101)設(shè)有線路正極(102)和線路負(fù)極(103);— LED芯片(2)設(shè)置在導(dǎo)電銀涂層(3)上，所述的LED芯片(2)的正極(22)用純度99.99%直徑0.0lmm的第一純金線(51)與線路正極(102)電連通，所述的LED芯片(2)的正極用純度99.99%直徑0.0lmm的第二金線(52)與線路負(fù)極(103)電連通；所述LED芯片(2)四周設(shè)有0.5mm厚度的反射硅膠堤(4);所述的LED芯片(2)上設(shè)有含熒光粉的厚度為0.3mm的熒光硅膠層；所述的熒光硅膠層上設(shè)有厚度為0.5mm透明硅膠層。實(shí)施例4LED發(fā)光板，包括鋁基線路板(1)，所述的鋁基線路板(I)上設(shè)有若干LED芯片安裝位(101)，所述的LED安裝位(101)上涂覆有導(dǎo)電銀涂層(3 )，所述的LED安裝位(101)設(shè)有線路正極(102)和線路負(fù)極(103);— LED芯片(2)設(shè)置在導(dǎo)電銀涂層(3)上，所述的LED芯片(2)的正極(22)用純度99.99%直徑0.0lmm的第一純金線(51)與線路正極(102)電連通，所述的LED芯片(2)的正極用純度99.99%直徑0.0lmm的第二金線(52)與線路負(fù)極
(103)電連通；所述LED芯片(2)四周設(shè)有1.0mm厚度的反射硅膠堤(4);所述的LED芯片
(2)上設(shè)有含熒光粉的厚度為0.5mm的熒光硅膠層；所述的熒光硅膠層上設(shè)有厚度為0.8mm透明硅膠層。制造方法:實(shí)施例5I)鋁基線路板的LED芯片安裝位上涂覆導(dǎo)電銀漿形成導(dǎo)電銀涂層，將一 LED芯片貼在導(dǎo)電銀涂層上，進(jìn)行第一次烘干處理，得到第一次烘干半成品；2)在第一次烘干半成品的LED芯片的正極用第一金線與LED芯片安裝位上正極焊接連通，LED芯片的負(fù)極用第二金線與LED芯片安裝位上負(fù)極焊接連通，在LED芯片四周涂覆硅膠形成反射硅膠堤，進(jìn)行第二次烘干處理，得到第二次烘干半成品；3)在第二次烘干半成品的LED芯片上涂覆含有熒光粉的熒光硅膠層，進(jìn)行第三次烘干處理，得到第三次烘干半成品；4)得到第三次烘干半成品的熒光硅膠層上涂覆透明硅膠層，進(jìn)行第四次烘干處理后即得LED發(fā)光板的成品。所述的反射硅膠堤的厚度為0.5-1.0mm ;所述的熒光硅膠層厚度為0.3-1.5mm,優(yōu)選為0.3-0.5mm ;所述的透明娃膠層的厚度為0.5-1.0mm,優(yōu)選為0.5-0.8mm。所述的金線純度為88.8%-99.99%，直徑為0.01-0.02mm。所述的烘干處理時(shí)間為l_2h，溫度為100_150°C。
權(quán)利要求
1.ED發(fā)光板，其特征在于，包括鋁基線路板，所述的鋁基線路板上設(shè)有若干LED芯片安裝位，所述的LED安裝位上涂覆有導(dǎo)電銀涂層，所述的LED安裝位設(shè)有線路正極和線路負(fù)極；一 LED芯片設(shè)置在導(dǎo)電銀涂層上，所述的LED芯片的正極用第一純金線與線路正極電連通，所述的LED芯片的正極用第二金線與線路負(fù)極電連通；所述LED芯片設(shè)有反射硅膠堤；所述的LED芯片上設(shè)有含突光粉的突光娃膠層；所述的突光娃膠層上設(shè)有透明娃膠層。
2.按權(quán)利要求1所述的LED發(fā)光板，其特征在于，所述的反射硅膠堤的厚度為0.5-1.0mm ;所述的突光娃膠層厚度為0.3-1.5mm ;所述的透明娃膠層的厚度為0.5-1.0mm。
3.按權(quán)利要求1所述的LED發(fā)光板，其特征在于，所述的熒光硅膠層厚度為0.3-0.5mm ;所述的透明娃膠層的厚度為0.5-0.8mm。
4.按權(quán)利要求1所述的LED發(fā)光板，其特征在于，所述的金線純度為88.8%-99.99%，直徑為 0.01-0.02mm。
5.按權(quán)利要求1所述的LED發(fā)光板制造方法，特征在于，包含以下步驟: 1)鋁基線路板的LED芯片安裝位上涂覆導(dǎo)電銀漿形成導(dǎo)電銀涂層，將一LED芯片貼在導(dǎo)電銀涂層上，進(jìn)行第一次烘干處理，得到第一次烘干半成品； 2)在第一次烘干半成品的LED芯片的正極用第一金線與LED芯片安裝位上正極焊接連通，LED芯片的負(fù)極用第二金線與LED芯片安裝位上負(fù)極焊接連通，在LED芯片四周涂覆硅膠形成反射硅膠堤，進(jìn)行第二次烘干處理，得到第二次烘干半成品； 3)在第二次烘干半成品的LED芯片上涂覆含有熒光粉的熒光硅膠層，進(jìn)行第三次烘干處理，得到第三次烘干半成品； 4)得到第三次烘干半成品的熒光硅膠層上涂覆透明硅膠層，進(jìn)行第四次烘干處理后即得LED發(fā)光板的成品。
6.按權(quán)利要求5所述的LED發(fā)光板制造方法，其特征在于，所述的反射硅膠堤的厚度為0.5-1.0mm ;所述的突光娃膠層厚度為0.3-1.5mm ;所述的透明娃膠層的厚度為0.5-1.0mm。
7.按權(quán)利要求5所述的LED發(fā)光板制造方法，其特征在于，所述的熒光硅膠層厚度為0.3-0.5mm ;所述的透明娃膠層的厚度為0.5-0.8mm。
8.按權(quán)利要求5所述的LED發(fā)光板制造方法，其特征在于，所述的金線純度為88.8%-99.99%，直徑為 0.01-0.02mm。
9.按權(quán)利要求5所述的LED發(fā)光板制造方法，其特征在于，所述的烘干處理時(shí)間為l_2h，溫度為 100-150°C。
全文摘要
本發(fā)明屬于LED照明領(lǐng)域，特別涉及一種LED發(fā)光板及其制備方法，LED發(fā)光板，包括鋁基線路板，所述的鋁基線路板上設(shè)有若干LED芯片安裝位，所述的LED安裝位上涂覆有導(dǎo)電銀涂層，所述的LED安裝位設(shè)有線路正極和線路負(fù)極；一LED芯片設(shè)置在導(dǎo)電銀涂層上，所述的LED芯片的正極用第一純金線與線路正極電連通，所述的LED芯片的正極用第二金線與線路負(fù)極電連通；所述LED芯片設(shè)有反射硅膠堤；所述的LED芯片上設(shè)有含熒光粉的熒光硅膠層；所述的熒光硅膠層上設(shè)有透明硅膠層。采用本發(fā)明技術(shù)所得到的LED發(fā)光板能夠發(fā)出柔和白光，發(fā)光聚光效果好，生產(chǎn)工藝簡(jiǎn)便，生產(chǎn)效率大大提高，同時(shí)也極大的降低的產(chǎn)品的生產(chǎn)成本。
文檔編號(hào)F21V23/06GK103090227SQ20121059258
公開日2013年5月8日 申請(qǐng)日期2012年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月29日
發(fā)明者潘貽波 申請(qǐng)人:瑞安市億星新能源有限公司