專利名稱：一種防塵真空等離子腔室的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一種防塵真空等離子腔室技術(shù)領(lǐng)域[0001]本實用新型涉及一種可有效降低真空等離子體腔室，尤其是等離子體刻蝕腔室， 因密封圈老化而引入的塵粒的腔體構(gòu)造。
背景技術(shù)：
[0002]真空等離子腔室在半導(dǎo)體及TFT行業(yè)應(yīng)用非常普遍，設(shè)備包括成膜、刻蝕、干法剝離等裝置。真空腔室的構(gòu)造普遍如下圖1所示。其中，真空腔室由上下兩個腔體組成，在下腔體腔壁的中間有一凹槽，在凹槽中有一密封圈，當上下兩個腔體壓合時，密封圈能起到很好的密封作用，如圖2所示。但是，當密封圈使用一段時間后(尤其在高溫或等離子體環(huán)境下)，會產(chǎn)生較多塵粒。尤其當腔室從大氣狀態(tài)切換成真空狀態(tài)時，在瞬間壓力變化的作用下，老化的密封圈表面的塵粒非常容易進入腔室。如果不對該密封圈進行更換，密封圈老化產(chǎn)生的塵粒會進入工藝腔室中，在后續(xù)工藝過程中，該塵粒會掉落在基板上，導(dǎo)致工藝過程中的缺陷，如刻蝕殘留等等。要解決該問題，目前普遍的做法是更換新的密封圈。而此時， 老化發(fā)塵的密封圈仍然能起到密封的作用。但如果一旦密封圈老化發(fā)塵則隨即更換新的密封圈會 大大增加設(shè)備保養(yǎng)過程中所需要的備件并縮短設(shè)備保養(yǎng)維護的周期，最終在人力、 時間、備件等各方面都增加設(shè)備保養(yǎng)維護的成本。實用新型內(nèi)容[0003]為此，本實用新型所要解決的技術(shù)問題在于現(xiàn)有的真空等離子腔室密封圈老化形成的塵粒污染腔室內(nèi)基板的問題，進而提供一種能夠防塵的真空等離子體腔室。[0004]為解決上述技術(shù)問題，本實用新型公開一種防塵真空等離子腔室，其包括上腔室和下腔室，所述上腔室和所述下腔室之間通過設(shè)置于所述下腔室上端面的密封槽內(nèi)的密封圈實現(xiàn)密封連接，所述下腔室的上端面上具有防塵凸起，所述防塵凸起相對所述密封圈接近腔室內(nèi)壁設(shè)置。[0005]上述防塵真空等離子腔室中，所述防塵凸起在靠近所述密封圈的一側(cè)成型有吸塵凹槽。[0006]上述防塵真空等離子腔室中，所述防塵凸起與所述下腔室一體成型。[0007]上述防塵真空等離子腔室中，所述防塵凸起在靠近所述密封圈的一側(cè)涂覆粗糙度 Ra大于50微米的鋁制磨砂涂層，其靠近腔室的一側(cè)涂覆Al2O3或/和Y2O3絕緣涂層。[0008]本實用新型的上述技術(shù)方案相比現(xiàn)有技術(shù)具有以下優(yōu)點[0009]本實用新型的真空等離子腔室在下腔室的上端面上成型有防塵凸起，這樣老化的密封圈產(chǎn)生的塵粒在外力作用下向腔室內(nèi)側(cè)運動時，則能被該防塵凸起擋住。其可以延長密封圈使用壽命，降低設(shè)備保養(yǎng)維護成本的情況下，減少或消除密封圈發(fā)塵對工藝良率的影響，減少工藝缺陷。[0010]本實用新型的防塵凸起在靠近密封圈的一側(cè)成型有吸塵凹槽，灰塵可以被吸附在吸塵凹槽的底部。當腔室開腔保養(yǎng)時可對該凹槽進行清掃，去除其中吸附的塵粒。
為了使本實用新型的內(nèi)容更容易被清楚的理解，下面根據(jù)本實用新型的具體實施例并結(jié)合附圖，對本實用新型作進一步詳細的說明，其中圖1 是真空等離子腔室的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2 是沿圖1虛線A處剖切的剖面圖；圖3 是本實用新型的真空等離子腔室的剖視圖。圖中附圖標記表示為1-上腔室，2下腔室，21密封槽，22-防塵凸起，3-密封圈。
具體實施方式
圖3為本實用新型公開的防塵真空等離子腔室，其包括上腔室I和下腔室2，所述上腔室I和所述下腔室2之間通過設(shè)置于所述下腔室2上端面的密封槽21內(nèi)的密封圈3實現(xiàn)密封連接，所述下腔室2的上端面上一體成型有防塵凸起22，所述防塵凸起22相對所述密封圈3接近腔室內(nèi)壁設(shè)置。所述防塵凸起22在靠近所述密封圈3的一側(cè)成型有吸塵凹槽，該吸塵凹槽的曲率半徑視具體情況而定，彎曲形狀也可根據(jù)實際情況而進行改變。所述防塵凸起22在靠近所述密封圈3的一側(cè)涂覆粗糙度Ra為100微米的鋁制磨砂涂層，其靠近腔室的一側(cè)涂覆Al2O3或/和Y2O3絕緣涂層。這樣，灰塵可以被吸附在吸塵凹槽的底部；當腔室開腔保養(yǎng)時可對該凹槽進行清掃，去除其中吸附的塵粒。作為其他可以實施的方式，該真空等離子腔室中的所述防塵凸起22與所述下腔室2可以通過螺釘實現(xiàn)可拆卸連接。 其他實施方式中，所述防塵凸起22在靠近所述密封圈3的一側(cè)只要涂覆粗糙度Ra大于50微米的磨砂涂層即可，例如可以選用粗糙度Ra為200mm的鍍鎳涂層。顯然，上述實施例僅僅是為清楚地說明所作的舉例，而并非對實施方式的限定。對于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在上述說明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動。這里無需也無法對所有的實施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見的變化或變動仍處于本實用新型創(chuàng)造的保護范圍之中。
權(quán)利要求1.一種防塵真空等離子腔室，其包括上腔室(I)和下腔室(2)，所述上腔室(I)和所述下腔室(2)之間通過設(shè)置于所述下腔室(2)上端面的密封槽(21)內(nèi)的密封圈(3)實現(xiàn)密封連接，其特征在于所述下腔室(2)的上端面上具有防塵凸起(22)，所述防塵凸起(22)相對所述密封圈(3)接近腔室內(nèi)壁設(shè)置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防塵真空等離子腔室，其特征在于所述防塵凸起(22)在靠近所述密封圈(3)的一側(cè)成型有吸塵凹槽。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的防塵真空等離子腔室，其特征在于所述防塵凸起(22)與所述下腔室(2) —體成型。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的防塵真空等離子腔室，其特征在于所述防塵凸起(22)在靠近所述密封圈(3)的一側(cè)涂覆粗糙度Ra大于50微米的鋁制磨砂涂層，其靠近腔室的一側(cè)涂覆Al2O3或Y2O3絕緣涂層。
專利摘要本實用新型公開了一種防塵真空等離子腔室，其包括上腔室(1)和下腔室(2)，所述上腔室(1)和所述下腔室(2)之間通過設(shè)置于所述下腔室(2)上端面的密封槽(21)內(nèi)的密封圈(3)實現(xiàn)密封連接，所述下腔室(2)的上端面上具有防塵凸起(22)，所述防塵凸起(22)相對所述密封圈(3)接近腔室內(nèi)壁設(shè)置。該真空等離子腔室解決了密封圈老化形成的塵粒污染腔室內(nèi)基板的問題。
文檔編號H01J37/02GK202839529SQ20122043353
公開日2013年3月27日 申請日期2012年8月29日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月29日
發(fā)明者施露, 邱勇, 黃秀頎, 林立, 魏博 申請人:昆山工研院新型平板顯示技術(shù)中心有限公司