反應(yīng)腔室及具有它的等離子體設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種反應(yīng)腔室及具有它的等離子體設(shè)備，反應(yīng)腔室包括：腔體，腔體內(nèi)具有反應(yīng)腔；誘導(dǎo)環(huán)形件，誘導(dǎo)環(huán)形件設(shè)在反應(yīng)腔內(nèi)，用于減弱反應(yīng)腔中心處的磁場強(qiáng)度且增強(qiáng)反應(yīng)腔外周緣處的磁場強(qiáng)度。根據(jù)本發(fā)明的反應(yīng)腔室，反應(yīng)腔室內(nèi)具有誘導(dǎo)環(huán)形件，誘導(dǎo)環(huán)形件可以通過改變反應(yīng)腔內(nèi)的磁場強(qiáng)度而降低反應(yīng)腔中心處等離子體密度，增加反應(yīng)腔邊緣的等離子體密度，從而降低反應(yīng)腔邊緣與中心區(qū)域等離子體密度差異，改善等離子體分布的均勻性，有利于晶圓或工件產(chǎn)品的開發(fā)。
【專利說明】反應(yīng)腔室及具有它的等離子體設(shè)備
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體加工【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種反應(yīng)腔室及具有它的等離子體設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]在PVD工藝設(shè)備中，特別是對于IC (集成電路)、TSV (硅穿孔)、Packaging (封裝)制造工藝，通常在反應(yīng)腔室內(nèi)通入工藝氣體，產(chǎn)生等離子體進(jìn)行工藝處理，例如在作為PVD工藝的一部分的在預(yù)清洗(Preclean)反應(yīng)腔室內(nèi)進(jìn)行的預(yù)清洗工藝，其目的是為了在沉積金屬膜之前，清除晶圓表面的污染物或溝槽和穿孔底部的殘余物。預(yù)清洗工藝會明顯提升接下來步驟所沉積膜的附著力、改善芯片的電氣性能和可靠性。預(yù)清洗完成后的下一步驟就是通過濺射來沉積金屬膜。一般的預(yù)清洗工藝，是將氣體，如Ar (氬氣)、He (氦氣)等，激發(fā)為等離子體，利用等離子體的化學(xué)反應(yīng)和物理轟擊作用，對晶圓或工件進(jìn)行去雜質(zhì)的處理。
[0003]一般的預(yù)清洗工藝中，多采用惰性氣體Ar進(jìn)行工藝處理。然而由于Ar被激發(fā)為等離子體后，其等離子體區(qū)正負(fù)粒子的碰撞復(fù)合較難，而在腔室壁處，正粒子或負(fù)粒子的電荷可以與壁復(fù)合，導(dǎo)致等離子體中心區(qū)域的離子密度高于邊緣處，從而造成工藝均勻性較差；即使通過調(diào)節(jié)射頻功率、氣壓等參數(shù)，所得到的滿足均勻性的工藝窗口也非常窄，不利于多種工藝的開發(fā)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一。
[0005]有鑒于此，本發(fā)明需要提供一種反應(yīng)腔室，該反應(yīng)腔室內(nèi)的等離子體分布均勻，并具有較寬的工藝窗口。進(jìn)一步地，本發(fā)明需要提供一種具有上述反應(yīng)腔室的等離子體反應(yīng)設(shè)備。
[0006]根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種反應(yīng)腔室，包括:腔體，所述腔體內(nèi)具有反應(yīng)腔；誘導(dǎo)環(huán)形件，所述誘導(dǎo)環(huán)形件設(shè)在反應(yīng)腔內(nèi)，用于減弱所述反應(yīng)腔中心處的磁場強(qiáng)度且增強(qiáng)所述反應(yīng)腔外周緣處的磁場強(qiáng)度。
[0007]根據(jù)本發(fā)明的實施例的反應(yīng)腔室，反應(yīng)腔室內(nèi)具有誘導(dǎo)環(huán)形件，誘導(dǎo)環(huán)形件可以通過改變反應(yīng)腔內(nèi)的磁場強(qiáng)度而降低反應(yīng)腔中心處等離子體密度，增加反應(yīng)腔邊緣的等離子體密度，從而降低反應(yīng)腔邊緣與中心區(qū)域等離子體密度差異，改善等離子體分布的均勻性，從而有效改善晶圓或工件預(yù)清洗工藝處理的效果，提高了工藝適用性，有利于晶圓或工件產(chǎn)品的開發(fā)。
[0008]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述誘導(dǎo)環(huán)形件安裝在所述反應(yīng)腔的中心處且位于所述反應(yīng)腔的上部。
[0009]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述誘導(dǎo)環(huán)形件安裝在所述反應(yīng)腔的頂壁上。
[0010]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述誘導(dǎo)環(huán)形件通過安裝座安裝在所述反應(yīng)腔的頂壁上。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述安裝座包括:第一夾板和第二夾板，所述第一夾板具有第一弧形部和第一平板部，所述第二夾板具有第二弧形部和第二平板部，所述第二平板部與所述第一平板部對應(yīng)且所述第二弧形部與所述第一弧形部相對以形成用于夾持所述誘導(dǎo)環(huán)形件的夾持孔。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述安裝座通過穿過所述第一和第二平板部的螺栓固定到所述反應(yīng)腔的頂壁上。
[0013]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述安裝座包括:第一夾板，所述第一夾板為倒L形，所述第一夾板的豎直肢的表面上設(shè)有第一凹槽；和第二夾板，所述第二夾板為平板設(shè)有第二凹槽，所述第二夾板固定在所述第一夾板上且所述第二凹槽與所述第一凹槽相對以形成用于夾持所述誘導(dǎo)環(huán)形件的夾持孔。
[0014]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述安裝座通過貫穿所述第一夾板的水平肢的螺栓固定到所述反應(yīng)腔的頂壁上。
[0015]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述第一和第二凹槽均為多個且彼此一一對應(yīng)以形成多個所述夾持孔。
[0016]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述誘導(dǎo)環(huán)形件為多個且沿上下方向間隔地設(shè)在所述反應(yīng)腔內(nèi)。
[0017]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述誘導(dǎo)環(huán)形件為筒狀。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述誘導(dǎo)環(huán)形件為圓形環(huán)或正多變形環(huán)。
[0019]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述誘導(dǎo)環(huán)形件為無源金屬環(huán)。
[0020]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述誘導(dǎo)環(huán)形件為螺線管。
[0021]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述螺旋管為多匝。
[0022]根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供了一種等離子體設(shè)備，其特征在于，包括:反應(yīng)腔室，所述反應(yīng)腔室為根據(jù)上面實施例的反應(yīng)腔室；和線圈，所述線圈環(huán)繞地設(shè)在所述反應(yīng)腔室的外周壁上。
[0023]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述等離子體設(shè)備為氣相沉積設(shè)備、等離子體刻蝕設(shè)備或等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備。
[0024]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述反應(yīng)腔室為預(yù)清洗腔室。
[0025]本發(fā)明的附加方面和優(yōu)點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發(fā)明的實踐了解到。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0026]本發(fā)明的上述和/或附加的方面和優(yōu)點從結(jié)合下面附圖對實施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中:
[0027]圖1顯示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的反應(yīng)腔室的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖2顯示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的反應(yīng)腔室的橫向剖視示意圖；
[0029]圖3顯示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的反應(yīng)腔室的反應(yīng)腔內(nèi)的磁場方向示意圖；
[0030]圖4顯示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的反應(yīng)腔室的安裝座的結(jié)構(gòu)示意圖；和
[0031]圖5顯示了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的反應(yīng)腔室的安裝座的結(jié)構(gòu)示意圖?！揪唧w實施方式】
[0032]下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實施例，所述實施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對本發(fā)明的限制。
[0033]在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語“中心”、“縱向”、“橫向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底” “內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。此外，術(shù)語“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性。
[0034]在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內(nèi)部的連通。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。
[0035]下面參考圖1描述根據(jù)本發(fā)明的實施例的反應(yīng)腔室。
[0036]可以理解的是，根據(jù)本發(fā)明實施例的反應(yīng)腔室可以用作預(yù)清洗反應(yīng)腔室，但是并不限于此。如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明的實施例的反應(yīng)腔室，包括:腔體10和誘導(dǎo)環(huán)形件20。
[0037]具體而言，腔體10內(nèi)可以具有反應(yīng)腔101。反應(yīng)腔101內(nèi)可以通入等離子體，例如，可以通入Ar。
[0038]誘導(dǎo)環(huán)形件20可以設(shè)在反應(yīng)腔101內(nèi)，用于減弱反應(yīng)腔101中心處的磁場強(qiáng)度且增強(qiáng)誘導(dǎo)環(huán)形件20外側(cè)到反應(yīng)腔101側(cè)壁范圍內(nèi)的磁場強(qiáng)度。
[0039]根據(jù)本發(fā)明的實施例的反應(yīng)腔室，反應(yīng)腔室內(nèi)具有誘導(dǎo)環(huán)形件20，誘導(dǎo)環(huán)形件20可以通過改變反應(yīng)腔101內(nèi)的磁場強(qiáng)度而降低反應(yīng)腔101中心處等離子體密度，增加誘導(dǎo)環(huán)形件20外側(cè)到反應(yīng)腔101側(cè)壁范圍內(nèi)的磁場強(qiáng)度，相應(yīng)提高此范圍內(nèi)的等離子體密度，從而降低反應(yīng)腔101邊緣與中心區(qū)域等離子體密度差異，改善等離子體分布的均勻性，從而有效改善晶圓或工件預(yù)清洗工藝處理的效果，擴(kuò)大了預(yù)清洗工藝的適用性。
[0040]需要說明的是，當(dāng)某個線圈中的電流發(fā)生變化時，在臨近的另一線圈中產(chǎn)生感應(yīng)電動勢，叫做互感現(xiàn)象?；ジ鞋F(xiàn)象中，某線圈發(fā)生變化，另一線圈會阻礙其變化，從而產(chǎn)生與變化線圈反向的感應(yīng)電流。誘導(dǎo)，在物理學(xué)中同于感應(yīng)。所以本專利中誘導(dǎo)環(huán)形件20會產(chǎn)生與反應(yīng)腔室上的線圈30反向的電流、電磁場。而且，誘導(dǎo)環(huán)形件20在使用過程中可能會被Ar濺射，但是不足以影響工藝結(jié)果。
[0041]可選地，誘導(dǎo)環(huán)形件20可以為多個且沿上下方向間隔地設(shè)在反應(yīng)腔101內(nèi)。由此，可以提高誘導(dǎo)環(huán)形件20會產(chǎn)生與反應(yīng)腔室上的線圈30反向的電流、電磁場。
[0042]如圖1-3所示，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的反應(yīng)腔室，誘導(dǎo)環(huán)形件20可以安裝在反應(yīng)腔101的中心處且位于反應(yīng)腔101的上部。由此，誘導(dǎo)環(huán)形件20設(shè)在反應(yīng)腔101的中心處的上部，如圖3所示，在線圈30施加功率時，誘導(dǎo)環(huán)形件20會被誘導(dǎo)產(chǎn)生一個與線圈30所產(chǎn)生的電磁場B方向相反的電磁場B’(如圖3所示)，這樣，在誘導(dǎo)環(huán)形件20內(nèi)側(cè)到腔室中心處，電磁場B’的方向與線圈30產(chǎn)生的電磁場B的方向相反，減弱了中心的電磁場，以降低中心等離子體密度；同時，由誘導(dǎo)環(huán)形件20外側(cè)到腔室側(cè)壁范圍內(nèi)，磁場B’和方向與線圈30產(chǎn)生的電磁場B的方向相同，即增加了此區(qū)域內(nèi)磁場強(qiáng)度，相應(yīng)提高此區(qū)域內(nèi)的
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[0043]可選地，為了方便安裝，誘導(dǎo)環(huán)形件20可以安裝在反應(yīng)腔101的頂壁上。且誘導(dǎo)環(huán)形件20可以通過安裝座40安裝在反應(yīng)腔101的頂壁上。由此，可以方便對誘導(dǎo)環(huán)形件20進(jìn)行安裝。
[0044]如圖4所示，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，安裝座40可以包括:第一夾板41和第二夾板42，第一夾板41具有第一弧形部411和第一平板部412，第二夾板42具有第二弧形部421和第二平板部422，第二平板部422與第一平板部412對應(yīng)且第二弧形部421與第一弧形部411相對以形成用于夾持誘導(dǎo)環(huán)形件20的夾持孔43。由此，這種安裝座40的結(jié)構(gòu)簡單，方便對誘導(dǎo)環(huán)形件20進(jìn)行定位。
[0045]進(jìn)一步地，安裝座40可以通過穿過第一平板部412和第二平板部422的螺栓44固定到反應(yīng)腔101的頂壁1011上。由此，可以方便安裝座40與反應(yīng)腔101的連接。
[0046]如圖5所示，根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例，安裝座40包括:第一夾板48和第二夾板49。
[0047]具體地，第一夾板48可以為倒L形，第一夾板48的豎直肢的表面上設(shè)有第一凹槽481。
[0048]第二夾板49為平板并設(shè)有第二凹槽491，第二夾板49固定在第一夾板48上且第二凹槽491與第一凹槽481相對以形成用于夾持誘導(dǎo)環(huán)形件20的夾持孔43。由此，這種安裝座40的結(jié)構(gòu)簡單，方便對誘導(dǎo)環(huán)形件20進(jìn)行定位。
[0049]進(jìn)一步地，安裝座40通過貫穿第一夾板48的水平肢的螺栓固定到反應(yīng)腔101的頂壁1011上。由此，可以方便安裝座40與反應(yīng)腔101的連接。
[0050]可選地，第一凹槽481和第二凹槽491可以均為多個且彼此一一對應(yīng)以形成多個夾持孔43。由此，可以在多個夾持孔43內(nèi)設(shè)置多個誘導(dǎo)環(huán)形件20。
[0051]可以理解的是，誘導(dǎo)環(huán)形件20的形狀不做特殊限制，只要其可以有利于本發(fā)明的實施都為本發(fā)明保護(hù)的范圍，例如，誘導(dǎo)環(huán)形件20可以為筒狀、圓形環(huán)或正多變形環(huán)。
[0052]需要說明的是，誘導(dǎo)環(huán)形件20可以為無源金屬環(huán)。誘導(dǎo)環(huán)形件20可以為螺線管。可選地，螺旋管為多匝。誘導(dǎo)環(huán)形件20的材料可以為銅、鋁等金屬，也可以為金屬合金。安裝座40的材料可以為陶瓷、石英。
[0053]下面描述根據(jù)本發(fā)明的實施例的等離子體設(shè)備。所述等離子體設(shè)備包括:反應(yīng)腔室，反應(yīng)腔室可以為根據(jù)本發(fā)明上述實施例所述的反應(yīng)腔室；和線圈30，線圈30環(huán)繞地設(shè)在反應(yīng)腔101的外周壁上。
[0054]根據(jù)本發(fā)明的實施例的等離子設(shè)備，等離子設(shè)備的反應(yīng)腔室內(nèi)具有誘導(dǎo)環(huán)形件20，誘導(dǎo)環(huán)形件20可以通過改變反應(yīng)腔101內(nèi)的磁場強(qiáng)度而降低反應(yīng)腔101中心處等離子體密度，增加反應(yīng)腔101邊緣的等離子體密度，從而降低反應(yīng)腔101邊緣與中心區(qū)域等離子體密度差異，改善等離子體分布的均勻性，從而有效改善晶圓或工件預(yù)清洗工藝處理的效果，提高工藝適用性，有利于晶圓或工件產(chǎn)品的開發(fā)。
[0055]在本發(fā)明的一個實施例中，誘導(dǎo)環(huán)形件20設(shè)在反應(yīng)腔101的中心處的上部，如圖3所示，在線圈30施加功率時，誘導(dǎo)環(huán)形件20會被誘導(dǎo)產(chǎn)生一個與線圈30所產(chǎn)生的電磁場B方向相反的電磁場B’(如圖3所示)，這樣，在誘導(dǎo)環(huán)形件20內(nèi)側(cè)到腔室中心處，電磁場B’的方向與線圈30產(chǎn)生的電磁場B的方向相反，減弱了中心的電磁場，以降低中心等離子體密度；同時，由誘導(dǎo)環(huán)形件20外側(cè)到腔室側(cè)壁范圍內(nèi)，磁場B’和方向與線圈30產(chǎn)生的電磁場B的方向相同，即增加了此區(qū)域內(nèi)磁場強(qiáng)度，相應(yīng)提高此區(qū)域內(nèi)的等離子密度。
[0056]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，等離子體設(shè)備可以為氣相沉積設(shè)備、等離子體刻蝕設(shè)備或等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備。
[0057]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，反應(yīng)腔室可以為預(yù)清洗腔室。
[0058]需要說明的是，根據(jù)本發(fā)明實施例的反應(yīng)腔室和等離子體設(shè)備可以用于Al (鋁)、鈦/氮化鈦(Ti/TiN)、鎢(W)等PVD領(lǐng)域的晶圓清洗工藝。另外，也可以應(yīng)用于硅穿孔(TSV,Through Silicon Via)、晶圓級封裝(Wafer Level Packaging)工藝領(lǐng)域。還可用于Cubarrier/seed (銅阻擋和籽晶層)PVD工藝領(lǐng)域的預(yù)清洗工藝。
[0059]在本說明書的描述中，參考術(shù)語“一個實施例”、“一些實施例”、“示意性實施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點包含于本發(fā)明的至少一個實施例或示例中。在本說明書中，對上述術(shù)語的示意性表述不一定指的是相同的實施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點可以在任何的一個或多個實施例或示例中以合適的方式結(jié)合。
[0060]盡管已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實施例，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解，在不脫離本發(fā)明的原理和宗旨的情況下可以對這些實施例進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型，本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求及其等同物限定。
【權(quán)利要求】
1.一種反應(yīng)腔室，其特征在于，包括: 腔體，所述腔體內(nèi)具有反應(yīng)腔； 誘導(dǎo)環(huán)形件，所述誘導(dǎo)環(huán)形件設(shè)在反應(yīng)腔內(nèi)，用于減弱所述反應(yīng)腔中心處的磁場強(qiáng)度且增強(qiáng)所述反應(yīng)腔外周緣處的磁場強(qiáng)度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述誘導(dǎo)環(huán)形件安裝在所述反應(yīng)腔的中心處且位于所述反應(yīng)腔的上部。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述誘導(dǎo)環(huán)形件安裝在所述反應(yīng)腔的頂壁上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述誘導(dǎo)環(huán)形件通過安裝座安裝在所述反應(yīng)腔的頂壁上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述安裝座包括:第一夾板和第二夾板，所述第一夾板具有第一弧形部和第一平板部，所述第二夾板具有第二弧形部和第二平板部，所述第二平板部與所述第一平板部對應(yīng)且所述第二弧形部與所述第一弧形部相對以形成用于夾持所述誘導(dǎo)環(huán)形件的夾持孔。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述安裝座通過穿過所述第一和第二平板部的螺栓固定到所述反應(yīng)腔的頂壁上。
7.根據(jù)權(quán)利 要求4所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述安裝座包括: 第一夾板，所述第一夾板為倒L形，所述第一夾板的豎直肢的表面上設(shè)有第一凹槽；和 第二夾板，所述第二夾板為平板設(shè)有第二凹槽，所述第二夾板固定在所述第一夾板上且所述第二凹槽與所述第一凹槽相對以形成用于夾持所述誘導(dǎo)環(huán)形件的夾持孔。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述安裝座通過貫穿所述第一夾板的水平肢的螺栓固定到所述反應(yīng)腔的頂壁上。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述第一和第二凹槽均為多個且彼此一一對應(yīng)以形成多個所述夾持孔。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述誘導(dǎo)環(huán)形件為多個且沿上下方向間隔地設(shè)在所述反應(yīng)腔內(nèi)。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述誘導(dǎo)環(huán)形件為筒狀。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述誘導(dǎo)環(huán)形件為圓形環(huán)或正多變形環(huán)。
13.根據(jù)權(quán)利要求1-12中任一項所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述誘導(dǎo)環(huán)形件為無源金屬環(huán)。
14.根據(jù)權(quán)利要求1-12中任一項所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述誘導(dǎo)環(huán)形件為螺線管。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述螺旋管為多匝。
16.一種等離子體設(shè)備，其特征在于，包括: 反應(yīng)腔室，所述反應(yīng)腔室為根據(jù)權(quán)利要求1-14中任一項所述的反應(yīng)腔室；和 線圈，所述線圈環(huán)繞地設(shè)在所述反應(yīng)腔室的外周壁上。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的等離子體設(shè)備，其特征在于，所述等離子體設(shè)備為氣相沉積設(shè)備、等離子體刻蝕設(shè)備或等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備。
18.根據(jù)權(quán)利要 求16所述的等離子設(shè)備，其特征在于，所述反應(yīng)腔室為預(yù)清洗腔室。
【文檔編號】H01J37/32GK103972012SQ201310029533
【公開日】2014年8月6日 申請日期:2013年1月25日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月25日
【發(fā)明者】楊玉杰, 呂鈾 申請人:北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司