專利名稱：背光模組及液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶技術(shù)領(lǐng)域，具體是涉及一種背光模組，還涉及一種采用該背光模組的液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
IXD (液晶顯示裝置)的背光源一般包括白光LED (發(fā)光二極管)和CCFL (ColdCathode Fluorescent Lamp,冷陰極突光燈),其中，白光LED相對(duì)CCFL來(lái)說(shuō)更加環(huán)保、高效?，F(xiàn)有技術(shù)中，白色LED主要是利用藍(lán)色發(fā)光二極管芯片+YAG (Yttrium AluminumGarnet，釔鋁石榴石，用于產(chǎn)生激光束的氧化鋁合成晶石)混合得到白光。但是YAG易被高溫氧化而導(dǎo)致的溫度猝滅等缺點(diǎn)，在工藝上和應(yīng)用上存在較大的局限性。白光LED主要是由Phosphor (突光粉)與Chip (發(fā)光芯片)一起封裝而成。具體而言，在直下式背光源的白光LED中，為了降低成本，普遍采用大功率的LED (大于I瓦特功率以上)，但在使用的過程中，難以有效地進(jìn)行散熱，熱量容易對(duì)Phosphor產(chǎn)生影響，導(dǎo)致亮度下降、色彩飽和度偏差和色度偏移。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明主要解決現(xiàn)有技術(shù)液晶顯示裝置由于采用熒光粉而導(dǎo)致亮度下降、色彩飽和度偏差和色度偏移的技術(shù)問題，提供一種背光模組及液晶顯示裝置，能夠有效地增加亮度、色彩飽和度和避免色度偏移的問題。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種背光模組，該背光模組包括擴(kuò)散板、基板、熒光層和發(fā)光芯片。該擴(kuò)散板和該基板相對(duì)設(shè)置；該熒光層設(shè)于該擴(kuò)散板的入光面，該熒光層包括量子點(diǎn)材料；該發(fā)光芯片設(shè)于該基板上且該發(fā)光芯片位于該基板和該熒光層之間，用于照射該熒光層以激發(fā)該量子點(diǎn)材料進(jìn)行發(fā)光，進(jìn)而形成背光源。其中，該量子點(diǎn)材料包括硒化鎘、硒化鋅和硫化鎘，該硒化鎘、硒化鋅和硫化鎘按預(yù)定質(zhì)量比例混合制得以形成白色背光源，該熒光層和該發(fā)光芯片分離設(shè)置。其中，該擴(kuò)散板的入光面設(shè)有保護(hù)膜，該熒光層涂覆于該保護(hù)膜上。其中，該發(fā)光芯片包括紫外發(fā)光二極管芯片和/或藍(lán)色發(fā)光二極管芯片。其中，該基板為鋁質(zhì)基板以對(duì)該發(fā)光芯片進(jìn)行散熱。其中，該背光模組還包括背板，該基板設(shè)于該背板的內(nèi)側(cè)，該背板和該基板之間還設(shè)置有反射片。其中，該發(fā)光芯片的功率大于I瓦特。其中，該背光模組還包括二次透鏡和增亮膜，該二次透鏡用于改變?cè)摪l(fā)光芯片的發(fā)光角度，該增亮膜設(shè)于該熒光層和該擴(kuò)散板的入光面之間。其中，該發(fā)光芯片為多個(gè)，多個(gè)該發(fā)光芯片以預(yù)定間距間隔設(shè)置，該發(fā)光芯片到該熒光層的距離為該預(yù)定間距的一半。
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的另一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種液晶顯示裝置，該液晶顯示裝置包括上述的背光模組。本發(fā)明的有益效果是:區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，首先，本發(fā)明采用量子點(diǎn)材料替代現(xiàn)有技術(shù)熒光層的熒光粉作為發(fā)光材料，進(jìn)而可以通過控制量子點(diǎn)材料的粒徑分布并結(jié)合發(fā)光芯片進(jìn)行激發(fā)發(fā)光，能夠有效地增加發(fā)光的亮度和色彩飽和度，并能有效地避免色度偏移的問題。其次，本發(fā)明將量子點(diǎn)材料的熒光層設(shè)于擴(kuò)散板的入光面，可以更加有利于量子點(diǎn)材料的均勻發(fā)光，并降低背光模組的厚度。另外，發(fā)光芯片與熒光層分離設(shè)置，可以有效地避免發(fā)光芯片散發(fā)的熱量對(duì)熒光層的量子點(diǎn)材料帶來(lái)的影響，還可以節(jié)約能源、利于環(huán)保。


圖1是本發(fā)明背光模組一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；以及圖2是本發(fā)明背光模組另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式請(qǐng)參閱圖1，是本發(fā)明背光模組一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，在本實(shí)施例的背光模組包括但不限于擴(kuò)散板11、基板12、突光層13和發(fā)光芯片14。本實(shí)施例不對(duì)擴(kuò)散板11的材料作限定，其只需用于對(duì)光線進(jìn)行干涉進(jìn)而實(shí)現(xiàn)光線的均勻擴(kuò)散即可；在其他實(shí)施例中，為了提高擴(kuò)散板11的耐光性能且不易變黃，可以選擇折射率低、透明度高的材料(如塑料水晶等)，也可以添加擴(kuò)散劑等材料以提高其對(duì)光線的均勻擴(kuò)散性能?；?2與擴(kuò)散板11之間相對(duì)設(shè)置，其中，相對(duì)設(shè)置可以為相互平行間隔設(shè)置，也可以為相互傾斜間隔設(shè)置，在保證光線均勻擴(kuò)散的前提下，對(duì)其不作限定?；?2可以為鋁質(zhì)基板，即可以采用鋁質(zhì)材料制得基板12，通過鋁等散熱性能較好的材料以提高基板12的散熱性能。此外，基板12上形成有用于進(jìn)行通電的電路(圖未示)，在本技術(shù)領(lǐng)域人員理解的范圍內(nèi)，不作細(xì)述。熒光層13設(shè)于擴(kuò)散板11的入光面，熒光層13包括量子點(diǎn)材料。具體而言，當(dāng)熒光層13受光致發(fā)光或電致發(fā)光等發(fā)出光線后，發(fā)出的光線直接透光擴(kuò)散板11的入光面并進(jìn)入到擴(kuò)散板11的內(nèi)部，從而在擴(kuò)散板11的內(nèi)部進(jìn)行干擾并均勻擴(kuò)散，接著從擴(kuò)散板11的出光面射出均勻的光線。值得注意的是，本實(shí)施例的熒光層13可以直接涂覆于擴(kuò)散板11的入光面。需要說(shuō)明的是,本實(shí)施例的量子點(diǎn)材料(Quantum Dot, QD)為半導(dǎo)體納米微晶體(Semiconductor Nanocrystal),其具體由I1-VI族或II1-V族元素制得。量子點(diǎn)材料化學(xué)結(jié)構(gòu)穩(wěn)定、溶于水、尺寸半徑在2nm (納米廣20nm之間的納米晶粒。本實(shí)施例采用的量子點(diǎn)材料包括但不限于CdSe (硒化鎘)、ZnSe (硒化鋅)和CdS (硫化鎘)等，其中CdSe、ZnSe和CdS可以按預(yù)定質(zhì)量比例混合制得以形成白色背光源；具體來(lái)說(shuō)，本實(shí)施例可以采用一種或多種不同尺寸半徑(如三種)的CdSe、ZnSeXdS等，分別得到RGB三原色光，并通過控制三種尺寸材料的含量，有效混合得到白光；另外，在其他實(shí)施例中還可以包括碲化鎘(CdTe)等混合使用，在本技術(shù)領(lǐng)域人員理解的范圍內(nèi)，不作細(xì)述。而在制作成型時(shí)，本實(shí)施例可以將不同尺寸半徑的量子點(diǎn)材料與抗UV (紫外光)樹脂材料先進(jìn)行混合并使其充分均勻，再將其采用噴涂的方式形成于擴(kuò)散板11的入光面而制得熒光層13。本實(shí)施例熒光層13的量子點(diǎn)材料與傳統(tǒng)的熒光粉相比，具有更加豐富的顏色:單一種類的半導(dǎo)體納米微晶體能夠按尺寸變化產(chǎn)生一個(gè)發(fā)光波長(zhǎng)不同的、顏色分明的標(biāo)記物家族，這是熒光粉等染料分子無(wú)法實(shí)現(xiàn)的。此外，本實(shí)施例的熒光層13激發(fā)光譜寬且分布連續(xù)；而發(fā)射光譜單色性好且顏色可調(diào)，并能夠承受多次的激發(fā)和光發(fā)射，有持久的穩(wěn)定性。具體來(lái)說(shuō)，熒光層13的量子點(diǎn)材料具有寬的激發(fā)譜和窄的發(fā)射譜，而傳統(tǒng)的有機(jī)熒光粉等染料的激發(fā)光波長(zhǎng)范圍較窄，不同熒光染料通常需要多種波長(zhǎng)的激發(fā)光來(lái)激發(fā)，這給實(shí)際的研究工作或使用帶來(lái)了很多的不便。此外，本實(shí)施例的量子點(diǎn)材料具有窄而對(duì)稱的熒光發(fā)射峰，且無(wú)拖尾現(xiàn)象，多色量子點(diǎn)材料同時(shí)使用時(shí)不容易出現(xiàn)光譜交疊。譬如，以ZnS包被的CdSe為例，當(dāng)CdSe核心直徑為1.8nm時(shí)，發(fā)射藍(lán)光；當(dāng)CdSe核心直徑為7nm時(shí)，發(fā)射紅光；即不同尺寸半徑的CdSe的熒光可涵蓋整個(gè)可見光譜，同理，本實(shí)施例的其他兩種或三種半導(dǎo)體納米微晶體具備同樣的發(fā)光效果，在本技術(shù)領(lǐng)域人員理解的范圍內(nèi)，不作細(xì)述。發(fā)光芯片14設(shè)于基板12上,進(jìn)一步而言,發(fā)光芯片14位于基板12和突光層13之間，用于照射熒光層13以激發(fā)量子點(diǎn)材料進(jìn)行發(fā)光，進(jìn)而形成背光源。如前所述，本實(shí)施例可以采用鋁質(zhì)基板以提高對(duì)發(fā)光芯片14的散熱效果。需要說(shuō)明的是，從圖1不難看出，本實(shí)施例的熒光層13和發(fā)光芯片14采用分離設(shè)置的方式，即突光層13設(shè)于擴(kuò)散板11的入光面而發(fā)光芯片14設(shè)于基板12上。相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)將突光層13和發(fā)光芯片14統(tǒng)一進(jìn)行封裝的方式而言,本實(shí)施例更加有利于量子點(diǎn)材料的均勻發(fā)光，并有效地降低背光模組的厚度，另外，本實(shí)施例還可以有效地避免發(fā)光芯片14散發(fā)的熱量對(duì)熒光層13的量子點(diǎn)材料帶來(lái)的影響，還可以節(jié)約能源、利于環(huán)保等。本實(shí)施例的發(fā)光芯片14為多個(gè)(如第一發(fā)光芯片141、第二發(fā)光芯片142等等)。本實(shí)施例的發(fā)光芯片14包括但不限于紫外發(fā)光二極管芯片和/或藍(lán)色發(fā)光二極管芯片，SP發(fā)光芯片14可以采用紫外發(fā)光二極管芯片，或采用藍(lán)色發(fā)光二極管芯片，或同時(shí)采用外發(fā)光二極管芯片和藍(lán)色發(fā)光二極管芯片進(jìn)行混合使用，在本技術(shù)領(lǐng)域人員理解的范圍內(nèi)，不作限定。此外，為了使得發(fā)光更加均勻分布，本實(shí)施例的多個(gè)發(fā)光芯片14之間可以以預(yù)定間距P間隔設(shè)置，而發(fā)光芯片14到熒光層13的距離H可以為預(yù)定間距P的一半；進(jìn)一步而言，以該發(fā)光芯片14、擴(kuò)散板11和熒光層13等構(gòu)成的燈箱的整體厚度可以與預(yù)定間距P相等或基本相等，根據(jù)發(fā)光芯片14與熒光層13的發(fā)光角度，即可保證發(fā)光效果的均勻分布性倉(cāng)泛。此外，本實(shí)施例的發(fā)光芯片14的功率可以大于I瓦特，譬如采用2瓦特、10瓦特或100瓦特等現(xiàn)有技術(shù)中大功率發(fā)光芯片。對(duì)應(yīng)地，本實(shí)施例的背光模組還可以包括二次透鏡(圖未示)，二次透鏡用于改變發(fā)光芯片14的發(fā)光角度。其中，本實(shí)施例的二次透鏡可以在將發(fā)光芯片14封裝到基板12并制得燈條后，再進(jìn)行設(shè)置，以加大發(fā)光芯片14的發(fā)光角度進(jìn)而使得發(fā)光更加均勻，其具體的制作方式可以采用現(xiàn)有技術(shù)，在本技術(shù)領(lǐng)域人員理解的范圍內(nèi)，不作限定。此外，本實(shí)施例通過二次透鏡的作用將發(fā)光芯片14的發(fā)光角度調(diào)整匯聚成5°至160°之間的任意角度，其發(fā)光角度實(shí)現(xiàn)的光場(chǎng)可以為圓形、橢圓形或矩形等；本實(shí)施例的二次透鏡可以采用光學(xué)級(jí)PMMA (聚甲基丙烯酸甲酯)或玻璃等，在此不作限定。
如圖1所示，本實(shí)施例在擴(kuò)散板11的入光面還可以設(shè)有保護(hù)膜15，熒光層13涂覆于保護(hù)膜15上。不難理解的是，本實(shí)施例的背光模組還可以包括背板16和背框(圖未示)等，相應(yīng)地，基板12設(shè)于背板16的內(nèi)側(cè)。本實(shí)施例采用量子點(diǎn)材料替代現(xiàn)有技術(shù)熒光層的熒光粉作為發(fā)光材料，進(jìn)而可以通過控制量子點(diǎn)材料的粒徑分布并結(jié)合發(fā)光芯片14進(jìn)行激發(fā)發(fā)光，能夠有效地增加發(fā)光的亮度和色彩飽和度，并能有效地避免色度偏移的問題。其次，本實(shí)施例將量子點(diǎn)材料的熒光層13設(shè)于擴(kuò)散板11的入光面，可以更加有利于量子點(diǎn)材料的均勻發(fā)光，并降低背光模組的厚度。另外，發(fā)光芯片14與熒光層13分離設(shè)置，可以有效地避免發(fā)光芯片14散發(fā)的熱量對(duì)熒光層13的量子點(diǎn)材料帶來(lái)的影響，還可以節(jié)約能源、利于環(huán)保。請(qǐng)參閱圖2，是本發(fā)明背光模組另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，在本實(shí)施例的背光模組包括但不限于擴(kuò)散板21、基板22、突光層23、發(fā)光芯片24、保護(hù)膜25、背板26、反射片27和增亮膜28等。本實(shí)施例擴(kuò)散板21可以選擇折射率低、透明度高的材料(如塑料水晶等)，也可以添加擴(kuò)散劑等材料以提高其對(duì)光線的均勻擴(kuò)散性能?；?2與擴(kuò)散板21之間相對(duì)設(shè)置，基板22可以為鋁質(zhì)基板，即可以采用鋁質(zhì)材料制得基板22，通過鋁等散熱性能較好的材料以提高基板22的散熱性能。此外，基板22上形成有用于進(jìn)行通電的電路(圖未示)，在本技術(shù)領(lǐng)域人員理解的范圍內(nèi)，不作細(xì)述。熒光層23設(shè)于擴(kuò)散板21的入光面，熒光層23包括量子點(diǎn)材料。具體而言，當(dāng)熒光層23受光致發(fā)光或電致發(fā)光等發(fā)出光線后，發(fā)出的光線直接透光擴(kuò)散板21的入光面并進(jìn)入到擴(kuò)散板21的內(nèi)部，從而在擴(kuò)散板21的內(nèi)部進(jìn)行干擾并均勻擴(kuò)散，接著從擴(kuò)散板21的出光面射出均勻的光線。值得注意的是，本實(shí)施例的熒光層23可以直接涂覆于擴(kuò)散板21的入光面。需要說(shuō)明的是,本實(shí)施例的量子點(diǎn)材料具體可以由I1-VI族或II1-V族元素制得。本實(shí)施例采用的量子點(diǎn)材料包括但不限于CdSe、ZnSe和CdS等并可以按預(yù)定質(zhì)量比例混合制得以形成白色背光源；具體來(lái)說(shuō)，本實(shí)施例可以采用一種或多種不同尺寸半徑(如三種)的CdSe、ZnSe, CdS等，分別得到RGB三原色光，并通過控制三種尺寸材料的含量，有效混合得到白光；另外，在其他實(shí)施例中還可以包括CdTe等混合使用，在本技術(shù)領(lǐng)域人員理解的范圍內(nèi)，不作細(xì)述。而在制作成型時(shí)，本實(shí)施例可以將不同尺寸半徑的量子點(diǎn)材料與抗UV樹脂材料先進(jìn)行混合并使其充分均勻，再將其采用噴涂的方式形成于擴(kuò)散板21的入光面而制得熒光層23。本實(shí)施例熒光層23的量子點(diǎn)材料具有寬的激發(fā)譜和窄的發(fā)射譜，而傳統(tǒng)的有機(jī)熒光粉等染料的激發(fā)光波長(zhǎng)范圍較窄，不同熒光染料通常需要多種波長(zhǎng)的激發(fā)光來(lái)激發(fā)，這給實(shí)際的研究工作或使用帶來(lái)了很多的不便。此外，本實(shí)施例的量子點(diǎn)材料具有窄而對(duì)稱的熒光發(fā)射峰，且無(wú)拖尾現(xiàn)象，多色量子點(diǎn)材料同時(shí)使用時(shí)不容易出現(xiàn)光譜交疊。譬如，以ZnS包被的CdSe為例，當(dāng)CdSe核心直徑為1.8nm時(shí)，發(fā)射藍(lán)光；當(dāng)CdSe核心直徑為7nm時(shí)，發(fā)射紅光；即不同尺寸半徑的CdSe的熒光可涵蓋整個(gè)可見光譜，同理，本實(shí)施例的其他兩種或三種半導(dǎo)體納米微晶體具備同樣的發(fā)光效果，在本技術(shù)領(lǐng)域人員理解的范圍內(nèi)，不作細(xì)述。發(fā)光芯片24設(shè)于基板22上,進(jìn)一步而言,發(fā)光芯片24位于基板22和突光層23之間，用于照射熒光層23以激發(fā)量子點(diǎn)材料進(jìn)行發(fā)光，進(jìn)而形成背光源。如前所述，本實(shí)施例可以采用鋁質(zhì)基板以提高對(duì)發(fā)光芯片24的散熱效果。需要說(shuō)明的是，從圖2不難看出，本實(shí)施例的熒光層23和發(fā)光芯片24采用分離設(shè)置的方式，即突光層23設(shè)于擴(kuò)散板21的入光面而發(fā)光芯片24設(shè)于基板22上。相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)將突光層23和發(fā)光芯片24統(tǒng)一進(jìn)行封裝的方式而言,本實(shí)施例更加有利于量子點(diǎn)材料的均勻發(fā)光，并有效地降低背光模組的厚度，另外，本實(shí)施例還可以有效地避免發(fā)光芯片24散發(fā)的熱量對(duì)熒光層23的量子點(diǎn)材料帶來(lái)的影響，還可以節(jié)約能源、利于環(huán)保等。本實(shí)施例的發(fā)光芯片24為多個(gè)(如第一發(fā)光芯片241、第二發(fā)光芯片242等等)。本實(shí)施例的發(fā)光芯片24包括但不限于紫外發(fā)光二極管芯片和/或藍(lán)色發(fā)光二極管芯片，SP發(fā)光芯片24可以采用紫外發(fā)光二極管芯片，或采用藍(lán)色發(fā)光二極管芯片，或同時(shí)采用外發(fā)光二極管芯片和藍(lán)色發(fā)光二極管芯片進(jìn)行混合使用，在本技術(shù)領(lǐng)域人員理解的范圍內(nèi)，不作限定。此外，為了使得發(fā)光更加均勻分布，本實(shí)施例的多個(gè)發(fā)光芯片24之間可以以預(yù)定間距P間隔設(shè)置，而發(fā)光芯片24到熒光層23的距離H可以為預(yù)定間距P的一半；進(jìn)一步而言，以該發(fā)光芯片24、擴(kuò)散板21和熒光層23等構(gòu)成的燈箱的整體厚度可以與預(yù)定間距P相等或基本相等，根據(jù)發(fā)光芯片24與熒光層23的發(fā)光角度，即可保證發(fā)光效果的均勻分布性倉(cāng)泛。此外，本實(shí)施例的發(fā)光芯片24的功率可以大于I瓦特，譬如采用2瓦特、10瓦特或100瓦特等現(xiàn)有技術(shù)中大功率發(fā)光芯片。對(duì)應(yīng)地，本實(shí)施例的背光模組還可以包括二次透鏡(圖未示)，二次透鏡用于改變發(fā)光芯片24的發(fā)光角度。其中，本實(shí)施例的二次透鏡可以在將發(fā)光芯片24封裝到基板22并制得燈條后，再進(jìn)行設(shè)置，以加大發(fā)光芯片24的發(fā)光角度進(jìn)而使得發(fā)光更加均勻，其具體的制作方式可以采用現(xiàn)有技術(shù)，在本技術(shù)領(lǐng)域人員理解的范圍內(nèi)，不作限定。本實(shí)施例的熒光層23涂覆于保護(hù)膜25上?；?2設(shè)于背板26的內(nèi)側(cè)，且與前面實(shí)施例不同之處在于，在背板26和基板22之間還可以設(shè)置有反射片27，反射片27可以設(shè)于背板26的內(nèi)側(cè)。本實(shí)施例通過反射片27的作用，可以有效地提高背光模組的發(fā)光性能和均勻性能。為了進(jìn)一步提高背光模組的發(fā)光效果并改善液晶顯示裝置的顯示性能，本實(shí)施例在保護(hù)膜25和擴(kuò)散板21的入光面之間還設(shè)有該增亮膜28。本實(shí)施例通過增亮膜28的作用可以改善背光模組的發(fā)光效率，其可以為普通的棱鏡片(normal prism sheet)、多功能棱鏡片、micro-lens film和反射型偏光片(reflective polarizer)等,在本技術(shù)領(lǐng)域人員理解的范圍，不作限定。本實(shí)施例背光模組米用量子點(diǎn)材料替代現(xiàn)有技術(shù)突光層的突光粉作為發(fā)光材料，進(jìn)而可以通過控制量子點(diǎn)材料的粒徑分布并結(jié)合發(fā)光芯片24進(jìn)行激發(fā)發(fā)光，能夠有效地增加發(fā)光的亮度和色彩飽和度，并能有效地避免色度偏移的問題。其次，本實(shí)施例將量子點(diǎn)材料的突光層23設(shè)于擴(kuò)散板21的入光面,可以更加有利于量子點(diǎn)材料的均勻發(fā)光,并降低背光模組的厚度。另外，發(fā)光芯片24與熒光層23分離設(shè)置，可以有效地避免發(fā)光芯片24散發(fā)的熱量對(duì)熒光層23的量子點(diǎn)材料帶來(lái)的影響，還可以節(jié)約能源、利于環(huán)保。本發(fā)明實(shí)施例還提供一種液晶顯示裝置，該液晶顯示裝置可以包括前面一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例相關(guān)描述的背光模組，其中，不難看出，該背光模組采用直下式背光源，此外，本實(shí)施例液晶顯示裝置還可以包括液晶面板和前框等，在本技術(shù)領(lǐng)域人員理解的范圍內(nèi)，不作細(xì)述和限定。本實(shí)施例液晶顯示裝置的背光模組采用量子點(diǎn)材料替代現(xiàn)有技術(shù)熒光層的熒光粉作為發(fā)光材料，進(jìn)而可以通過控制量子點(diǎn)材料的粒徑分布并結(jié)合發(fā)光芯片進(jìn)行激發(fā)發(fā)光，能夠有效地增加發(fā)光的亮度和色彩飽和度，并能有效地避免色度偏移的問題。其次，本實(shí)施例將量子點(diǎn)材料的熒光層設(shè)于擴(kuò)散板的入光面，可以更加有利于量子點(diǎn)材料的均勻發(fā)光，并降低背光模組的厚度。另外，發(fā)光芯片與熒光層分離設(shè)置，可以有效地避免發(fā)光芯片散發(fā)的熱量對(duì)熒光層的量子點(diǎn)材料帶來(lái)的影響，還可以節(jié)約能源、利于環(huán)保。以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說(shuō)明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種背光模組，其特征在于，所述背光模組包括: 相對(duì)設(shè)置的擴(kuò)散板和基板； 熒光層，設(shè)于所述擴(kuò)散板的入光面，所述熒光層包括量子點(diǎn)材料； 發(fā)光芯片，設(shè)于所述基板上且所述發(fā)光芯片位于所述基板和所述熒光層之間，用于照射所述熒光層以激發(fā)所述量子點(diǎn)材料進(jìn)行發(fā)光，進(jìn)而形成背光源。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背光模組，其特征在于，所述量子點(diǎn)材料包括硒化鎘、硒化鋅和硫化鎘，所述硒化鎘、硒化鋅和硫化鎘按預(yù)定質(zhì)量比例混合制得以形成白色背光源，所述熒光層和所述發(fā)光芯片分離設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的背光模組，其特征在于，所述擴(kuò)散板的入光面設(shè)有保護(hù)膜，所述熒光層涂覆于所述保護(hù)膜上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的背光模組，其特征在于，所述發(fā)光芯片包括紫外發(fā)光二極管芯片和/或藍(lán)色發(fā)光二極管芯片。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的背光模組，其特征在于，所述基板為鋁質(zhì)基板以對(duì)所述發(fā)光芯片進(jìn)行散熱。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的背光模組，其特征在于，所述背光模組還包括背板，所述基板設(shè)于所述背板的內(nèi)側(cè)，所述背板和所述基板之間還設(shè)置有反射片。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的背光模組，其特征在于，所述發(fā)光芯片的功率大于I瓦特。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的背光模組，其特征在于，所述背光模組還包括二次透鏡和增亮膜，所述二次透鏡用于改變所述發(fā)光芯片的發(fā)光角度，所述增亮膜設(shè)于所述熒光層和所述擴(kuò)散板的入光面之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的背光模組，其特征在于，所述發(fā)光芯片為多個(gè)，多個(gè)所述發(fā)光芯片以預(yù)定間距間隔設(shè)置，所述發(fā)光芯片到所述熒光層的距離為所述預(yù)定間距的一半。
10.一種液晶顯示裝置，其特征在于，所述液晶顯示裝置包括權(quán)利要求1、任一項(xiàng)所述的背光模組。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種背光模組及液晶顯示裝置，背光模組包括擴(kuò)散板、基板、熒光層和發(fā)光芯片。熒光層設(shè)于擴(kuò)散板的入光面，熒光層包括量子點(diǎn)材料；發(fā)光芯片設(shè)于基板上且發(fā)光芯片位于基板和熒光層之間，用于照射熒光層以激發(fā)量子點(diǎn)材料進(jìn)行發(fā)光進(jìn)而形成背光源。本發(fā)明采用量子點(diǎn)材料，能夠有效地增加發(fā)光的亮度和色彩飽和度，并能有效地避免色度偏移等問題，量子點(diǎn)材料的發(fā)光均勻并降低了背光模組的厚度。
文檔編號(hào)F21V19/00GK103090277SQ20131003614
公開日2013年5月8日 申請(qǐng)日期2013年1月30日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月30日
發(fā)明者王燁文 申請(qǐng)人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司