同軸型磁控管的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種同軸型磁控管，其目的在于提高熱擴散及整體的冷卻效率，從而提高最大振蕩輸出。為了實現(xiàn)該目的，在陰極（1）的外周通過葉片（2）及陽極圓筒（3）而形成陽極諧振空腔（50），通過圓筒狀側面體（6）而形成外部空腔（60）。在該圓筒狀側面體（6）的兩端接合具有輸入部（9）的輸入側結構體（14）和上部結構體（16）。在該輸入側結構體（14）上接合有陽極圓筒（3）的一端的結構中，在上部結構體（16）的內表面?zhèn)仍O有用于對兩端的結構體（14與16）的間隔進行調整的槽（17）（或層差），陽極圓筒（3）的另一端通過釬焊而與該槽（17）接合。
【專利說明】同軸型磁控管
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及振蕩(oscillate)微波的磁控管，尤其涉及在陽極諧振空腔的外側具有外部空腔的同軸型磁控管的構造。
【背景技術】
[0002]一直以來，磁控管由于構造簡單且能夠高效地振蕩大功率的微波，所以用于各種應用或裝置。其中，作為需要精確地調諧振蕩頻率的設備，例如有為了避免干擾而精確地改變頻率來進行探測的雷達、對具有高Q特性的窄頻帶的共振器投入精確地調諧而得到的微波并對電子施加加速電場的Linac (直線加速器)等。在使用于這樣的應用、裝置等的磁控管中，需要具有能夠機械地改變頻率的機構，作為其中之一，同軸型磁控管已實用化。
[0003]圖6示出能夠得到大功率的同軸型磁控管的一例，如圖6所示，在配置于中心的陰極(cathode) I周圍，作為陽極(anode)而設有配置成放射狀的葉片(vane)2及接合有該葉片2的陽極圓筒3，通過該葉片2及陽極圓筒3而形成陽極諧振空腔50。另外，在該陽極圓筒3上設有狹縫(slot) 4，通過在該陽極圓筒3周圍配置圓筒狀側面6而形成與陽極諧振空腔50同軸的外部空腔60。而且，在陰極I的上下配置有極靴7a、7b，在上述外部空腔60內安裝有調諧活塞(tuning piston) 8,在與輸入部9接合的輸入側結構體14上設有供冷卻液通過的冷卻用通路11。
[0004]上述極靴7a作為上部結構體12的一部分而安裝，通過使該上部結構體12與上述圓筒狀側面6接合來組裝磁控管，上述陽極圓筒3與輸入側結構體14接合，但不與上部結構體12接合，呈懸臂狀態(tài)。
[0005]根據這樣的結構，通過從外部使調諧活塞8的位置移動來改變外部空腔60的電抗，能夠調整磁控管的共振頻率，進而調整振蕩頻率。其結果為，能夠精確地改變磁控管的振蕩頻率而調諧至應用、裝置等所要求的頻率。通過該磁控管，能夠振蕩高功率的微波，能夠實現(xiàn)得到峰值功率為數MW、平均功率為數kW的高功率的設計。
[0006]然而，在這樣的功率非常高的磁控管中，雖然得到高振蕩效率，但對因陽極損耗而產生的熱進行冷卻的設計很重要。另外，上述葉片2由薄金屬精密地制造，因此，當產生過熱時，葉片有可能發(fā)生變形而對振蕩特性產生影響，或發(fā)生熔解變形而有損作為磁控管的功能。因此，在高功率的磁控管中，提出有使水冷用液體接近陽極結構體而流動來進行冷卻的設計，在圖6的情況下，也通過在陽極圓筒3附近設置冷卻用通路11來進行磁控管的冷卻。
[0007]在下述的專利文獻I (日本特開2004-134160號公報)中，示出了不是同軸型磁控管但使用冷卻用液體的磁控管，在該例中為如下構造，即，沿接合有葉片的陽極圓筒的外壁面的周向設置冷卻封套(jacket)，使冷卻液在該冷卻封套中流動。通過這樣的構造，能夠高效地使在葉片周邊產生的基于陽極損耗的熱與液體進行熱交換，從而能夠降低包含葉片在內的陽極的溫度。
[0008]現(xiàn)有技術文獻[0009]專利文獻
[0010]專利文獻1:日本特開2004-134160號公報
[0011]專利文獻2:日本特開平10-269953號公報
[0012]專利文獻3:日本特開平10-302655號公報

【發(fā)明內容】

[0013]但是，通過上述專利文獻2 (日本特開平10-269953號公報)和專利文獻3 (日本特開平10-302655號公報)所示的構造也可知，在圖6那樣的同軸型的磁控管中，由于是在陽極圓筒3的外側設置外部空腔60并使調諧活塞8上下移動的結構，所以無法采用專利文獻I那樣的冷卻封套的構造，存在無法高效地進行磁控管的冷卻的問題。
[0014]另一方面，在同軸型磁控管中，如上所述，陽極圓筒3呈僅與輸入側結構體14接合的懸臂狀態(tài)，也存在無法從陽極圓筒3向外部良好地散熱的問題。即，通常在磁控管中，為了嚴格遵守相對的極靴7a、7b之間的間隙的尺寸，如圖6所示，進行如下設計:將成為誤差主因的陽極圓筒3的長度設定得稍短并僅接合其一端，使上部結構體12側的另一端自由。然后，在組裝時，使上部結構體12相對于輸入側結構體14的間隔La準確地與規(guī)定值一致，并使該上部結構體12與圓筒狀側面6接合，由此，使極靴7a、7b之間的間隙配合規(guī)定尺寸。出于這樣的理由，陽極圓筒3在輸入側結構體14上呈懸臂狀態(tài)，在上部結構體12側自由，其結果為，無法促進從陽極圓筒3的散熱，從而無法提高冷卻效率。
[0015]此外，在上述專利文獻2等所示的圖中，陽極圓筒與上下的極靴接觸，但在要精確地設定極靴間的間隙的情況下，如上所述，需要使陽極圓筒的另一端自由。
[0016]另外，為了減少陽極部分的熱阻而促進冷卻，也考慮擴大葉片2和陽極圓筒3等陽極結構部件的截面積，但該情況下，由于對高頻特性產生影響，所以存在極限。例如，在加厚陽極圓筒3的情況下，產生基于狹縫4實現(xiàn)的與外部空腔60的耦合無法取恰當的耦合度的問題。因此，通過磁控管而得到最大振蕩輸出受上述陽極部分的散熱限度的限制。
[0017]而且，為了盡可能地從上述情況得以散熱，如圖6所示，提出通過在輸入側結構體14側的陽極圓筒3的基部設置冷卻用通路11而使冷卻液流動來進行冷卻，但該冷卻也存在極限。
[0018]本發(fā)明是鑒于上述問題點而研發(fā)的，其目的在于提供一種同軸型磁控管，能夠促進從陽極部分散熱，另外能夠提高整體的冷卻效率，從而能夠提高最大振蕩輸出。
[0019]為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的第I方案的同軸型磁控管包括:陰極；陽極，其具有用于在上述陰極的外周形成陽極諧振空腔的陽極圓筒和葉片；圓筒狀側面體，其在上述陽極圓筒的外周形成與上述陽極諧振空腔同軸的外部空腔；一對端部封固結構體，其與上述圓筒狀側面體的兩端接合；和輸入部，其通過上述端部封固結構體的一方而與上述陰極連接，上述陽極圓筒的一端與上述端部封固結構體的一方接合，上述陽極圓筒的另一端與上述端部封固結構體的另一方的槽或層差接合，上述槽或上述層差形成在上述端部封固結構體的另一方的內表面上。
[0020]本發(fā)明的第2方案的同軸型磁控管包括:陰極；陽極，其具有用于在上述陰極的外周形成陽極諧振空腔的陽極圓筒和葉片；圓筒狀側面體，其在上述陽極圓筒的外周形成與上述陽極諧振空腔同軸的外部空腔；一對端部封固結構體，其與上述圓筒狀側面體的兩端接合；和輸入部，其通過上述端部封固結構體的一方而與上述陰極連接，上述陽極圓筒的一端與上述端部封固結構體的一方接合，上述陽極圓筒的另一端與上述端部封固結構體的另一方的間隙接合，上述間隙形成在上述端部封固結構體的另一方的中心側部件與外周側部件之間，以供上述陽極圓筒插入。
[0021]本發(fā)明的第3方案的同軸型磁控管為，供冷卻用液體通過的通路設置在，上述輸入部所貫穿的上述端部封固結構體的與上述陽極圓筒接近的位置、以及沒有配置上述輸入部的上述端部封固結構體的與上述陽極圓筒接近的位置。
[0022]本發(fā)明的第4方案的同軸型磁控管為，在上述兩端的端部封固結構體中，中心側部件與外周側部件分離，上述端部封固結構體的上述中心側部件在上述端部封固結構體的上述外周側部件與上述圓筒狀側面體接合后，與上述外周側部件分別接合。
[0023]根據上述第I方案的結構，例如若兩端的端部封固結構體形成為具有輸入部的輸入側(基部側)結構體和配置在上方(前端側)的上部結構體，則成為將陽極圓筒狀體的另一端配置于設置在該上部結構體內側的槽或層差中的狀態(tài)，即成為陽極圓筒狀體的另一端(端面)相對于槽或層差具有間隙狀態(tài)，在該狀態(tài)下能夠精確地調整輸入側結構體與上部結構體的間隔。其結果為，磁控管的特性能夠設定于期望值。而且，使兩個端部封固結構體的外周側與圓筒狀側面體接合，并且使上部結構體的槽或層差與陽極圓筒狀體接合，由此組裝磁控管。此時，陽極圓筒狀體的側面與上部結構體的槽或層差的側面接合。
[0024]在第2方案的結構的情況下，通過將陽極圓筒狀體的另一端插入到形成于上部結構體的間隙中，也能夠精確地調整輸入側結構體與上部結構體的間隔，陽極圓筒狀體的側面與上部結構體的間隙的側面接合。上述槽、層差或間隙能夠稱作由側面和與側面接觸的空間構成的側面空間部，在設于上部結構體上的側面空間部的側面上接合陽極圓筒的側面。
[0025]根據第3方案的結構，冷卻用通路在輸入側結構體和上部結構體雙方上例如沿陽極圓筒狀體的圓周而與其接近地設置，由此，能夠高效地進行陽極部分的冷卻。
[0026]根據第4方案的結構，在配置陰極之前，通過例如釬焊等使圓筒狀側面體和陽極圓筒等一起與輸入側結構體和上部結構體的外周側部件接合，然后，確保陰極相對于陽極圓筒的同心位置，并經由絕緣體而固定有陰極的輸入側結構體的中心側部件，與輸入側結構體的外周側部件接合。該接合通過對陰極產生溫度影響小的(升溫小的)接合方法、即電弧焊等而進行，然后，關于上部結構體的中心側部件，也通過電弧焊等使其與該外周側部件接合。
[0027]發(fā)明效果
[0028]根據本發(fā)明的同軸型磁控管，即使為在陽極諧振空腔的外側設有調諧用的外部空腔的結構，也能夠在精確地設定陽極圓筒的兩端的端部封固結構體的間隔的基礎上，從陽極圓筒體的兩端(上下雙方)進行散熱，由此，促進從陽極部分散熱，提高最大振蕩輸出。
[0029]根據第3方案，不僅能夠通過一方的端部封固結構體(輸入側結構體)側的冷卻用通路，也能夠通過另一方的端部封固結構體(上部結構體)的冷卻用通路來促進陽極部分的冷卻并提高整體的冷卻效率。
[0030]根據第4方案，具有如下效果:能夠良好地確保陰極相對于陽極圓筒的同心位置，并且能夠防止由于接合時的熱而導致陰極劣化，從而實現(xiàn)良好的組裝?！緦＠綀D】

【附圖說明】
[0031]圖1是表示本發(fā)明的第I實施例的同軸型磁控管的結構的側面剖視圖。
[0032]圖2是表示第2實施例的同軸型磁控管的結構的側面剖視圖。
[0033]圖3是表示第3實施例的同軸型磁控管的結構的側面剖視圖。
[0034]圖4是表示第4實施例的同軸型磁控管的結構的側面剖視圖。
[0035]圖5是表示第5實施例的同軸型磁控管的結構的側面剖視圖。
[0036]圖6是表示以往的同軸型磁控管的結構的側面剖視圖。
[0037]附圖標記說明
[0038]1 …陰極(cathode)
[0039]2…葉片
[0040]3…陽極(anode)圓筒
[0041]4…狹縫
[0042]6…圓筒狀側面(體)
[0043]7a、7b、22a、22b、24 …極靴
[0044]8…調諧活塞
[0045]9…輸入部
[0046]11、20…冷卻用通路
[0047]10、14…輸入側結構體(端部封固結構體)
[0048]12、16…上部結構體(端部封固結構體)
[0049]14c、16c…外周側部件
[0050]17 …槽
[0051]18…層差
[0052]25…外側部
[0053]26…間隙
[0054]50…陽極諧振空腔
[0055]60…外部空腔
[0056]100…接合部
【具體實施方式】
[0057]圖1示出第I實施例的同軸型磁控管的結構，該磁控管與圖6同樣地，在中心配置有陰極(cathode ) I，在陰極I周圍，作為陽極(anode )而設有放射狀的葉片2及接合有該葉片2的陽極圓筒3，由此形成陽極諧振空腔50。在上述陽極圓筒3上設有用于進行高頻耦合的狹縫4，在該陽極圓筒3與圓筒狀側面(體)6之間，形成與陽極諧振空腔50同軸的外部空腔60。在上述陰極I的上下配置有極靴7a、7b，在上述外部空腔60內安裝有調諧活塞8，在與輸入部9接合的輸入側(基部)結構體(端部封固結構體)14上設有冷卻用通路11。
[0058]而且，在實施例中，在上部結構體(端部封固結構體)16的與陽極圓筒3相對的面上，沿陽極圓筒3的圓周設有用于插入上述陽極圓筒3的圓環(huán)狀的槽17，如圖1所示，該槽17形成為如下深度，即，在插入陽極圓筒3而組裝時，具有使陽極圓筒3的上部端面不與槽底部接觸的間隙G。
[0059]S卩，在同軸型磁控管中，由于外部空腔60被輸入側結構體14和上部結構體16包圍，所以當輸入側結構體14與上部結構體16的間隔(距離)La變化時，產生外部空腔60的共振頻率失真的不良情況，另外當兩個極靴7a、7b之間的間隔Lb變化時，導致陰極的耐壓降低、磁通量密度分布改變，因此，準確地設定上述間隔La及Lb很重要。
[0060]關于上述槽17，在組裝磁控管時，使陽極圓筒3在槽17的內部沿圓筒軸向移動，并使陽極圓筒3的上部端面不與輸入側結構體14 (槽底面)接觸，由此，能夠良好地調整輸入側結構體14與上部結構體16的間隔La，從而能夠精確地設定輸入側結構體14與上部結構體16的間隔La及極靴7a與7b的間隔Lb。
[0061]而且，第I實施例的磁控管以如下方式進行組裝，即在安裝有陰極I及輸入部9的輸入側(基部)結構體14上，經由陽極圓筒3和圓筒狀側面6接合上部結構體16而組裝，這些接合通過例如使用了高溫爐的釬焊來進行。即，陽極圓筒3與槽17的接合通過在它們之間或附近放置釬料并升溫至高溫來進行，如圖1的接合部100所示，主要為陽極圓筒3的內外的側面與槽17內的兩側面接合的構造，在該釬焊中，能夠實現(xiàn)熱阻小的接合。通過這樣的接合，能夠以使磁控管(管球)的內部維持真空的方式進行密封。
[0062]根據上述第I實施例的結構，能夠實現(xiàn)以往無法接合的陽極圓筒3與上部結構體16的接合(熱阻小的接合)，能夠從陽極圓筒3向上部結構體16散熱(向兩端的端部封固結構體散熱)，具有提高冷卻效率的效果。
[0063]圖2示出第2實施例的同軸型磁控管的結構，該第2實施例設有用于對兩端的端部封固結構體的間隔進行調整的層差。如圖2所示，在上部結構體16上呈圓周狀地形成有層差18，與該層差18的側面接近地配置陽極圓筒3 (的內側面)。在該第2實施例的情況下，也在陽極圓筒3與層差18之間放置釬料并置于爐內而升溫至高溫，由此，如接合部100所示，陽極圓筒3的內側面以釬焊的方式與層差18的側面接合。根據這樣的第2實施例，也能從陽極圓筒3經由輸入側結構體14和上部結構體16雙方而進行散熱，具有提高冷卻效率的效果。
[0064]圖3示出第3實施例的同軸型磁控管的結構，該第3實施例在兩端的端部封固結構體雙方上均設有冷卻用通路。如圖3所示，在輸入側結構體14的與陽極圓筒3接近的位置(基部位置)，沿該陽極圓筒3的側面呈圓形狀地設有冷卻用通路11，并且，在上部結構體16上，也在與陽極圓筒3接近的位置，沿陽極圓筒3的側面設有冷卻用通路20。
[0065]根據這樣的第3實施例，通過使冷卻用液體在上下的冷卻用通路11、20中流動，能夠冷卻來自陽極部(葉片2及陽極圓筒3)或極靴7a、7b的熱，提高了包括陽極部分在內的整體的冷卻效率。即，以往，由于上部結構體16不與陽極圓筒3接合，所以即使在上部結構體16中設有冷卻用通路，也無法進行有效冷卻，但在本實施例中，陽極圓筒3與上部結構體16接合，能夠將葉片2和陽極圓筒3所產生的熱良好地從上部結構體16傳遞至冷卻用通路20的冷卻液，通過該有效的熱傳導，能夠高效地降低葉片2、陽極圓筒3的溫度。
[0066]在上述實施例中，將冷卻用通路11、20沿陽極圓筒3的側面呈圓形狀地設置，但不限于此，該上下的冷卻用通路也可以在陽極圓筒3附近呈直線狀地設置或局部設置。
[0067]圖4示出第4實施例的同軸型磁控管的結構，該第4實施例將兩端的端部封固結構體的中心側部件從該外周側部件分離、分割。如圖4所示，在實施例中，使輸入側結構體14的中心側部件即極靴(部)22a與陰極I及輸入部9 一起與外周側部件14c分離，另外使上部結構體16的中心側部件即極靴22b與外周側部件16c分離。
[0068]首先，在該實施例中，使具有冷卻用通路11的輸入側結構體14的外周側部件14c、和具有冷卻用通路20的上部結構體16的外周側部件16c，相對于陽極圓筒3和圓筒狀側面6以成為蓋的方式組裝并通過釬焊而接合，同時如上所述地使陽極圓筒3的上部也相對于槽17通過釬焊而接合(接合部100)。然后，將安裝有陰極I及輸入部9的極靴22a插入配置在陽極圓筒3的內部且葉片2之間，邊從上部結構體16的沒有安裝極靴22b的中心部開口來確認陰極I相對于陽極圓筒3的同心位置，邊使該極靴22a與外周側部件14c接合。該接合不通過釬焊，而是通過對陰極產生的溫度影響小的(升溫小的)接合方法、即電弧焊等而進行。最后，將上部結構體16的極靴22b同樣地通過電弧焊等與外周側部件16c接合，由此，組裝成內部被真空密封的磁控管。此外，上述電弧焊為，通過對極靴22a及外周側部件14c的外側表面部進行局部加熱、并對極靴22b及外周側部件16c的外側表面部進行局部加熱而實現(xiàn)的焊接、接合。
[0069]根據這樣的第4實施例，使兩個端部封固結構體的中心側部件即極靴22a、22b與外周側部件14c、16c分離，并在之后將它們組裝，由此，能夠確認陰極I相對于葉片2的同心位置。另外，首先使包含冷卻通路11、20的外周側部件14c、16c相對于圓筒狀側面6及陽極圓筒3通過釬焊等升溫大的接合方法而接合，在配置陰極I后，能夠通過電弧焊等升溫小的接合方法而接合，因此，能夠有效地防止該陰極I的劣化。
[0070]圖5示出第5實施例的同軸型磁控管的結構，該第5實施例設有用于對兩端的端部封固結構體的間隔進行調整的間隙。如圖5所示，在實施例中，在上部結構體16的極靴24與外側部25之間，設有能夠插入陽極圓筒3的間隙26。利用該間隙26，也能夠通過使陽極圓筒3沿圓筒軸向移動，而良好地調整輸入側結構體14與上部結構體16的間隔La，能夠精確地維持該間隔La及極靴7a與極靴24的間隔Lb，另外如接合部100所示，通過在陽極圓筒3的內外的側面與間隙26的兩側面(24c及25c)之間進行釬焊，陽極圓筒3與上部結構體16接合。根據這樣的構造，也能夠促進從陽極圓筒3向上部結構體16的散熱，從而提高了冷卻效率。
[0071]此外，在該第5實施例中，也可以如第4實施例那樣，使作為輸入側結構體14的中心側部件的極靴22a與外周側部件分離，而且使作為上部結構體16的中心側部件的極靴22b (例如，在雙點劃線所示的部分處)與外周側部件分離。
[0072]上述各實施例的輸入側結構體14及上部結構體16為圓筒狀的陽極的蓋，呈沿著陽極圓筒3的圓形，因此也具有如下優(yōu)點，即能夠在通過車床進行加工時與陽極圓筒3等同時加工，從而各部件的加工作業(yè)效率高。
[0073]另外，在各實施例中，在上部結構體16側設有槽17、層差18或間隙26，但也可以是如下構造，即，使陽極圓筒3相對于兩端的端部封固結構體的接合狀態(tài)相反，在輸入側結構體14側設置槽17、層差18或間隙26。
[0074]根據本發(fā)明的同軸型磁控管，通過提高冷卻效率，能夠防止在產生高功率時，以葉片2為主的陽極部件因過熱而導致的變形或熔解，能夠得到以往無法得到的大的微波功率。作為以雷達、Linac等為首的利用微波的應用或裝置，多存在通過高功率而得到明顯效果的情況，根據本發(fā)明，不需要出于高冷卻、高功率的目的而將磁控管設計得較大，工業(yè)實用性高。另外，高頻率的同軸型磁控管的空腔共振器的尺寸與波長對應地減小，該情況下，陽極部件小型化，導致熱容減少或熱阻增加，在熱的方面成為更加不利的狀況。但是，根據本發(fā)明，可得到高效的冷卻效果，因此具有對高頻率的同軸型磁控管也能夠進行高功率的設計這一優(yōu)點。
[0075]工業(yè)實用性
[0076]能夠適用于雷達、Linac等利用微波的應用或裝置，另外能夠適用于高頻率、高功率的同軸型磁控管。
【權利要求】
1.一種同軸型磁控管，其特征在于，包括: 陰極； 陽極，其具有用于在所述陰極的外周形成陽極諧振空腔的陽極圓筒和葉片； 圓筒狀側面體，其在所述陽極圓筒的外周形成與所述陽極諧振空腔同軸的外部空腔； 一對端部封固結構體，其與所述圓筒狀側面體的兩端接合；和 輸入部，其通過所述端部封固結構體的一方而與所述陰極連接， 所述陽極圓筒的一端與所述端部封固結構體的一方接合， 所述陽極圓筒的另一端與所述端部封固結構體的另一方的槽或層差接合， 所述槽或所述層差形成在所述端部封固結構體的另一方的內表面上。
2.如權利要求1所述的同軸型磁控管，其特征在于， 供冷卻用液體通過的通路設置在，所述輸入部所貫穿的所述端部封固結構體的與所述陽極圓筒接近的位置、以及沒有配置所述輸入部的所述端部封固結構體的與所述陽極圓筒接近的位置。
3.如權利要求1或2所述的同軸型磁控管，其特征在于， 在所述兩端的端部封固結構體中，中心側部件與外周側部件分離，所述端部封固結構體的所述中心側部件在所述端部封固結構體的所述外周側部件與所述圓筒狀側面體接合后，與所述外周側部件分別接合。
4.一種同軸型磁控管，其特征在于，包括: 陰極； 陽極，其具有用于在所述陰極的外周形成陽極諧振空腔的陽極圓筒和葉片； 圓筒狀側面體，其在所述陽極圓筒的外周形成與所述陽極諧振空腔同軸的外部空腔； 一對端部封固結構體，其與所述圓筒狀側面體的兩端接合；和 輸入部，其通過所述端部封固結構體的一方而與所述陰極連接， 所述陽極圓筒的一端與所述端部封固結構體的一方接合， 所述陽極圓筒的另一端與所述端部封固結構體的另一方的間隙接合， 所述間隙形成在所述端部封固結構體的另一方的中心側部件與外周側部件之間，以供所述陽極圓筒插入。
5.如權利要求4所述的同軸型磁控管，其特征在于， 供冷卻用液體通過的通路設置在，所述輸入部所貫穿的所述端部封固結構體的與所述陽極圓筒接近的位置、以及沒有配置所述輸入部的所述端部封固結構體的與所述陽極圓筒接近的位置。
6.如權利要求4或5所述的同軸型磁控管，其特征在于， 在所述兩端的端部封固結構體中，所述中心側部件與所述外周側部件分離，所述端部封固結構體的所述中心側部件在所述端部封固結構體的所述外周側部件與所述圓筒狀側面體接合后，與所述外周側部件分別接合。
【文檔編號】H01J25/50GK103915303SQ201310665386
【公開日】2014年7月9日 申請日期:2013年12月10日 優(yōu)先權日:2013年1月7日
【發(fā)明者】宮本洋之, 小畑英幸, 梅田昭則 申請人:新日本無線株式會社