專利名稱：一種干刻蝕裝置的下部電極及干刻蝕裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及干刻蝕技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種干刻蝕裝置的下部電極及干刻蝕
>J-U ρ α裝直。
背景技術(shù)：
干刻蝕工藝是把基板上無光刻膠掩蔽的金屬膜或非金屬膜刻蝕掉，使有光刻膠掩蔽的區(qū)域保存下來，從而在基板上形成所需要的圖形。對基板進(jìn)行干刻蝕是在干刻蝕裝置中完成的，而干刻蝕裝置的下部電極是進(jìn)行干刻蝕的關(guān)鍵部件，如圖1所示，干刻蝕裝置的下部電極包括:電極底板1，陣列狀分布在電極底板I上的多個凸起2 ;其中，凸起2的形狀為立方體或半球形。在進(jìn)行干刻蝕時，將待刻蝕的基板放置在下部電極上，多個凸起2支撐待刻蝕的基板。不過，采用上述的下部電極結(jié)構(gòu)，在刻蝕完成后，在基板與多個凸起接觸的區(qū)域易出現(xiàn)點(diǎn)狀或燒傷等不良，嚴(yán)重影響基板刻蝕的合格率。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種干刻蝕裝置的下部電極，用于提高基板刻蝕的合格率。為了實(shí)現(xiàn)上述 目的，本實(shí)用新型提供以下技術(shù)方案:一種干刻蝕裝置的下部電極，包括:電極底板，位于所述電極底板上的多個凸起；其中，每個所述凸起外表面具有多個向上的毛刺狀結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地，所述凸起形狀為半球形。優(yōu)選地，所述多個凸起在所述電極底板上呈陣列狀分布。優(yōu)選地，所述多個凸起在所述電極底板上分成數(shù)個間隔距離相同的第一凸起組，每個所述第一凸起組包括兩排凸起。優(yōu)選地，所述多個凸起分成兩個第二凸起組，每個所述第二凸起組包括兩排凸起，且所述兩個第二凸起組十字交叉排列。優(yōu)選地，所述電極底板為鋁電極基板，所述凸起為陶瓷凸起。本實(shí)用新型同時還提供了一種干刻蝕裝置，包括:具有上述技術(shù)特征的干刻蝕裝置的下部電極。在本實(shí)用新型中，干刻蝕裝置的下部電極具有多個凸起，每個凸起的表面具有多個向上的毛刺狀結(jié)構(gòu)，當(dāng)將待刻蝕基板放置在下部電極上時，基板與每個凸起上的毛刺狀結(jié)構(gòu)接觸，這種接觸方式屬點(diǎn)接觸，與現(xiàn)有技術(shù)中基板與凸起之間面接觸相比，減小了基板與凸起之間的接觸面積，從而減小了基板上與凸起接觸區(qū)和非接觸區(qū)之間的溫度差異，進(jìn)而提聞了基板刻蝕的合格率。

[0015]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一種干刻蝕裝置的下部電極的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的干刻蝕裝置的下部電極的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為圖2中多個凸起在電極底板上的第一種分布圖；圖4為圖2中多個凸起在電極底板上的第二種分布圖；圖5為圖2中多個凸起在電極底板上的第三種分布圖；圖6為圖2中多個凸起在電極底板上的第四種分布圖。附圖標(biāo)記:1,3-電極底板，2、4_凸起，41-毛刺狀結(jié)構(gòu)。
具體實(shí)施方式
利用現(xiàn)有的干刻蝕裝置的下部電極對基板干刻蝕后，基板上與下部電極的凸起接觸的區(qū)域易出現(xiàn)點(diǎn)狀不良及燒傷等不良，嚴(yán)重影響干刻蝕工序的合格率。有鑒于此，本實(shí)用新型提供了一種改進(jìn)的技術(shù)方案，采用具有毛刺結(jié)構(gòu)的凸起支撐待干刻蝕基板，使基板與凸起的接觸方式由面接觸改為點(diǎn)接觸，減小基板與凸起之間的接觸面積，從而減小了基板上與凸起接觸區(qū)和非接觸區(qū)之間的溫度差異，進(jìn)而提高了基板刻蝕的合格率。為了使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好的理解本實(shí)用新型的技術(shù)方案，下面結(jié)合說明書附圖對本實(shí)用新型實(shí)施例 進(jìn)行詳細(xì)的描述。如圖2、圖3所示，本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的干刻蝕裝置的下部電極，包括:電極底板3，位于電極底板3上的多個凸起4 ;其中，每個凸起4外表面具有多個向上的毛刺狀結(jié)構(gòu)41。在本實(shí)施例中，每個凸起4的表面具有多個向上的毛刺狀結(jié)構(gòu)41，該毛刺狀結(jié)構(gòu)41為錐形；當(dāng)將待刻蝕基板放置在下部電極上時，基板與每個凸起4上的毛刺狀結(jié)構(gòu)41接觸，這種接觸方式屬點(diǎn)接觸，與現(xiàn)有技術(shù)中基板與凸起2之間面接觸相比，減小了基板與凸起4之間的接觸面積，從而減小了基板上與凸起4接觸區(qū)和非接觸區(qū)之間的溫度差異，進(jìn)而提聞了干刻蝕工序的合格率。優(yōu)選地，上述凸起4形狀為半球形；毛刺狀結(jié)構(gòu)分布在凸起4的球面上。為了進(jìn)一步提高刻蝕效果及刻蝕工序的合格率，本實(shí)用新型提供了幾種多個凸起4的排列方式以適用于不同刻蝕工藝。如圖4所示，多個凸起4在電極底板3上呈陣列狀分布；這排列方式的下部電極適用于刻蝕基板上的金屬膜或非金屬膜。優(yōu)選地，如圖5所示，多個凸起4在電極底板3上分成數(shù)個間隔距離相同的第一凸起組，每個第一凸起組包括兩排凸起。本實(shí)施例提供的下部電極中，多個凸起4分成四個設(shè)定間隔的第一凸起組，每個第一凸起包括兩排凸起。這種多個凸起4的排列方式尤其適用于對鑰(Mo)、鈦(Ti)、鋁(Al)、銅(Cu)或銀(Ag)等金屬膜刻蝕。優(yōu)選地，如圖6所示，多個凸起4分成兩個第二凸起組，每個所述第二凸起組包括兩排凸起，且所述兩個第二凸起組十字交叉排列；即多個凸起4在電極底板3上分成兩個十字交叉的第二凸起組，每個第二凸起組包括兩排凸起。這種多個凸起4的排列方式尤其適用于對光刻膠或亞克力等灰化過程。[0033]優(yōu)選地，上述電極底板3為鋁電極基板，上述凸起4為陶瓷凸起。本實(shí)用新型實(shí)施例一同時還提供了一種干刻蝕裝置，包括:具有上述技術(shù)特征的干刻蝕裝置的下部電極。綜上所述，在本實(shí)用新型中，干刻蝕裝置的下部電極具有多個凸起，每個凸起的表面具有多個向上的毛刺狀結(jié)構(gòu)，當(dāng)將待刻蝕基板放置在下部電極上時，基板與每個凸起上的毛刺狀結(jié)構(gòu)接觸，這種接觸方式屬點(diǎn)接觸，與現(xiàn)有技術(shù)中基板與凸起之間面接觸相比，減小了基板與凸起之間的接觸面積，從而減小了基板上與凸起接觸區(qū)和非接觸區(qū)之間的溫度差異，進(jìn)而提聞了干刻蝕工序的合格率。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本實(shí)用新型進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實(shí)用新 型的這些修改和變型屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實(shí)用新型也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種干刻蝕裝置的下部電極，其特征在于，包括:電極底板，位于所述電極底板上的多個凸起；其中，每個所述凸起外表面具有多個向上的毛刺狀結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的干刻蝕裝置的下部電極，其特征在于，所述凸起形狀為半球形。
3.如權(quán)利要求1所述的干刻蝕裝置的下部電極，其特征在于，所述多個凸起在所述電極底板上呈陣列狀分布。
4.如權(quán)利要求1所述的干刻蝕裝置的下部電極，其特征在于，所述多個凸起在所述電極底板上分成數(shù)個間隔距離相同的第一凸起組，每個所述第一凸起組包括兩排凸起。
5.如權(quán)利要求1所述的干刻蝕裝置的下部電極，其特征在于，所述多個凸起分成兩個第二凸起組，每個所述第二凸起組包括兩排凸起，且所述兩個第二凸起組十字交叉排列。
6.如權(quán)利要求1-5任一所述的干刻蝕裝置的下部電極，其特征在于，所述電極底板為鋁電極基板，所述凸起為陶瓷凸起。
7.一種干刻蝕裝置，其特征在于，包括:如權(quán)利要求1-6任一所述的干刻蝕裝置的下部電 極。
專利摘要本實(shí)用新型涉及干刻蝕技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種干刻蝕裝置的下部電極及干刻蝕裝置，用于提高基板刻蝕的合格率。本實(shí)用新型公開了一種干刻蝕裝置的下部電極，包括電極底板，設(shè)置于所述電極底板上的多個凸起；其中，每個所述凸起外表面具有多個向上的毛刺狀結(jié)構(gòu)。在本實(shí)用新型中，干刻蝕裝置的下部電極具有多個凸起，每個凸起的表面具有多個毛刺狀結(jié)構(gòu)，當(dāng)將待刻蝕基板放置在下部電極上時，基板與每個凸起上的毛刺狀結(jié)構(gòu)接觸，這種接觸方式屬點(diǎn)接觸，與現(xiàn)有技術(shù)中基板與凸起之間面接觸相比，減小了基板與凸起之間的接觸面積，從而減小了基板上與凸起接觸區(qū)和非接觸區(qū)之間的溫度差異，進(jìn)而提高了干刻蝕工序的合格率。
文檔編號H01J37/02GK203134754SQ20132014912
公開日2013年8月14日 申請日期2013年3月28日 優(yōu)先權(quán)日2013年3月28日
發(fā)明者趙吾陽, 蔣冬華, 倪水濱 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 成都京東方光電科技有限公司