一種真空遠(yuǎn)區(qū)等離子體處理裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種真空遠(yuǎn)區(qū)等離子體處理裝置，包括反應(yīng)腔、電極組件、等離子發(fā)生器和負(fù)壓設(shè)備，反應(yīng)腔包括放電腔和用于材料表面活化反應(yīng)的處理腔，放電腔設(shè)置于處理腔上方并與處理腔連通，放電腔頂部設(shè)置有氣體入口，處理腔底部設(shè)置有氣體出口，電極組件設(shè)置于放電腔外表面，等離子發(fā)生器與電極組件電連接，負(fù)壓設(shè)備與氣體出口連接。本實(shí)用新型中負(fù)壓設(shè)備將放電腔和處理腔中抽真空，等離子發(fā)生器驅(qū)動(dòng)電極組件生成電場(chǎng)，反應(yīng)氣體從氣體入口進(jìn)入經(jīng)過放電腔電離后進(jìn)入處理腔中對(duì)材料表面進(jìn)行活化反應(yīng)，材料遠(yuǎn)離電場(chǎng)環(huán)境，適用于絕緣材料和非絕緣材料，滿足各種材料的處理需求，處理腔不受放電腔空間的限制，可滿足不同面積的材料處理，更加方便。
【專利說明】—種真空遠(yuǎn)區(qū)等離子體處理裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于等離子體處理裝置領(lǐng)域，具體的說是涉及一種真空遠(yuǎn)區(qū)等離子體處理裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]等離子體是由部分電子被剝奪后的原子及原子被電離后產(chǎn)生的正負(fù)電子組成的離子化氣體狀物質(zhì)，它廣泛存在于宇宙中，常被視為是除去固、液、氣外，物質(zhì)存在的第四態(tài)。
[0003]目前，等離子體裝置一般的是在密封容器中設(shè)置兩個(gè)電極形成電場(chǎng)，用真空泵實(shí)現(xiàn)一定的真空度，隨著氣體愈來愈稀薄，分子間距及分子或離子的自由運(yùn)動(dòng)距離也愈來愈長，受電場(chǎng)作用，他們發(fā)生碰撞而形成離子體，這些離子的活性很高，其能量足以破壞幾乎所有的化學(xué)鍵，在任何暴露的材料表面引起化學(xué)反應(yīng)，從而使材料表面的結(jié)構(gòu)、成分和基團(tuán)發(fā)生變化，得到滿足實(shí)際要求的表面。等離子體反應(yīng)速度快、處理效率高，而且改性僅發(fā)生在材料表面，對(duì)材料內(nèi)部本體材料的性能沒有影響，是理想的表面改性手段。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)中，材料都是放置在電場(chǎng)中進(jìn)行活化處理，但是對(duì)于非絕緣性的材料在電場(chǎng)中容易受到電場(chǎng)的影響使其導(dǎo)通破壞材料內(nèi)部本體材料的性能，另一方面，受電場(chǎng)空間區(qū)域的限制對(duì)材料的面積也有一定的限制。
[0005]因此，亟需一種適用于非絕緣性能材料的真空等離子體處理裝置。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0006]本實(shí)用新型的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷，提供一種真空遠(yuǎn)區(qū)等離子體處理
裝置。
[0007]實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型目的的技術(shù)方案是:一種真空遠(yuǎn)區(qū)等離子體處理裝置，包括反應(yīng)腔、電極組件、等離子發(fā)生器和負(fù)壓設(shè)備，所述反應(yīng)腔包括放電腔和用于材料表面活化反應(yīng)的處理腔，所述放電腔設(shè)置于所述處理腔上方并與所述處理腔連通，所述放電腔頂部設(shè)置有氣體入口，所述處理腔底部設(shè)置有氣體出口，所述電極組件設(shè)置于所述放電腔外表面，所述等離子發(fā)生器與所述電極組件電連接，所述負(fù)壓設(shè)備與所述氣體出口連接。
[0008]進(jìn)一步的，所述電極組件為立體螺旋狀電極。
[0009]進(jìn)一步的，所述電極組件為一對(duì)對(duì)稱設(shè)置的環(huán)狀電極。
[0010]進(jìn)一步的，所述等離子發(fā)生器包括用于調(diào)節(jié)所述電極組件功率的電源和與所述電源連接的匹配器，所述匹配器還與所述電極組件電連接。
[0011]進(jìn)一步的，所述負(fù)壓設(shè)備為真空泵。
[0012]進(jìn)一步的，所述真空泵與所述氣體出口之間還設(shè)置有過濾器。
[0013]本實(shí)用新型具有積極的效果:本實(shí)用新型中負(fù)壓設(shè)備將放電腔和處理腔中抽真空，等離子發(fā)生器驅(qū)動(dòng)電極組件生成電場(chǎng)，反應(yīng)氣體從氣體入口進(jìn)入經(jīng)過放電腔電離后進(jìn)入處理腔中對(duì)材料表面進(jìn)行活化反應(yīng)，本實(shí)用新型中材料遠(yuǎn)離電場(chǎng)環(huán)境，適用于絕緣材料和非絕緣材料，滿足各種材料的處理需求，另一方面，處理腔不受放電腔空間的限制，可滿足不同面積的材料處理，更加方便。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]為了使本實(shí)用新型的內(nèi)容更容易被清楚地理解，下面根據(jù)具體實(shí)施例并結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明，其中:
[0015]圖1為本實(shí)用新型第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016]圖2為本實(shí)用新型第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]其中:1、氣體出口，2、處理腔，3、電極組件，4、放電腔，5、氣體入口，6、匹配器，7、電
源，8、過濾器，9、真空泵。
【具體實(shí)施方式】
[0018]實(shí)施例1
[0019]如圖1所示，作為第一優(yōu)選實(shí)施例，本實(shí)施例提供一種真空遠(yuǎn)區(qū)等離子體處理裝置，包括反應(yīng)腔、電極組件3、等離子發(fā)生器(圖中未示出)和負(fù)壓設(shè)備，反應(yīng)腔包括放電腔4和用于材料表面活化反應(yīng)的處理腔2，放電腔4設(shè)置于處理腔2上方并與處理腔2連通，放電腔4頂部設(shè)置有氣體入口 5，處理腔2底部設(shè)置有氣體出口 1，電極組件3為一對(duì)對(duì)稱設(shè)置的環(huán)狀電極，電極組件3設(shè)置于放電腔4外表面，等離子發(fā)生器與電極組件3電連接，負(fù)壓設(shè)備與氣體出口I連接。
[0020]本實(shí)施例中材料放置在處理腔2中，負(fù)壓設(shè)備將放電腔4和處理腔2中抽真空，等離子發(fā)生器驅(qū)動(dòng)電極組件3生成電場(chǎng)，反應(yīng)氣體從氣體入口 5進(jìn)入經(jīng)過放電腔4電離后進(jìn)入處理腔2中對(duì)材料表面進(jìn)行活化反應(yīng)，本實(shí)施例中材料遠(yuǎn)離電場(chǎng)環(huán)境，適用于絕緣材料和非絕緣材料，滿足各種材料的處理需求，另一方面，處理腔2不受放電腔4空間的限制，可滿足不同面積的材料處理，更加方便。
[0021]實(shí)施例2
[0022]如圖2所示，作為第二優(yōu)選實(shí)施例，其余與實(shí)施例1相同，不同之處在于，本實(shí)施例提供的電極組件3為立體螺旋狀電極，等離子發(fā)生器包括用于調(diào)節(jié)電極組件3功率的電源7和與電源7連接的匹配器6，匹配器6還與電極組件3電連接，負(fù)壓設(shè)備為真空泵9，真空泵9與氣體出口 I之間還設(shè)置有過濾器8。
[0023]本實(shí)施例中，電極組件3為立體螺旋狀電極生成電場(chǎng)空間大，電源7可根據(jù)需要調(diào)節(jié)電場(chǎng)強(qiáng)度，從而實(shí)現(xiàn)不同的處理效果。
[0024]以上所述的具體實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施例而已，并不用于限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種真空遠(yuǎn)區(qū)等離子體處理裝置，其特征在于，包括反應(yīng)腔、電極組件、等離子發(fā)生器和負(fù)壓設(shè)備，所述反應(yīng)腔包括放電腔和用于材料表面活化反應(yīng)的處理腔，所述放電腔設(shè)置于所述處理腔上方并與所述處理腔連通，所述放電腔頂部設(shè)置有氣體入口，所述處理腔底部設(shè)置有氣體出口，所述電極組件設(shè)置于所述放電腔外表面，所述等離子發(fā)生器與所述電極組件電連接，所述負(fù)壓設(shè)備與所述氣體出口連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空遠(yuǎn)區(qū)等離子體處理裝置，其特征在于，所述電極組件為立體螺旋狀電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空遠(yuǎn)區(qū)等離子體處理裝置，其特征在于，所述電極組件為一對(duì)對(duì)稱設(shè)置的環(huán)狀電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的真空遠(yuǎn)區(qū)等離子體處理裝置，其特征在于，所述等離子發(fā)生器包括用于調(diào)節(jié)所述電極組件功率的電源和與所述電源連接的匹配器，所述匹配器還與所述電極組件電連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的真空遠(yuǎn)區(qū)等離子體處理裝置，其特征在于，所述負(fù)壓設(shè)備為真空泵。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空遠(yuǎn)區(qū)等離子體處理裝置，其特征在于，所述真空泵與所述氣體出口之間還設(shè)置有過濾器。
【文檔編號(hào)】H01J37/32GK203588974SQ201320809973
【公開日】2014年5月7日 申請(qǐng)日期:2013年12月11日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月11日
【發(fā)明者】沈文凱, 王紅衛(wèi) 申請(qǐng)人:蘇州市奧普斯等離子體科技有限公司