一種微空心陰極等離子體處理裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種微空心陰極等離子體處理裝置，包括電極組件、絕緣板和高頻電源，所述電極組件包括相互平行設(shè)置的第一平板電極和第二平板電極，所述第一平板電極和第二平板電極之間還設(shè)置有絕緣板，所述第一平板電極與所述高頻電源的負(fù)極電連接，所述第二平板電極與所述高頻電源的正極電連接，所述第一平板電極、第二平板電極和絕緣板上分別貫穿設(shè)置有氣孔，所述上部氣孔直徑尺寸小于所述下部氣孔直徑尺寸。本實(shí)用新型中反應(yīng)氣體從進(jìn)入氣孔，由于上部氣孔直徑尺寸小于下部氣孔直徑尺寸，電離后的反應(yīng)氣體進(jìn)入下部氣孔時(shí)向兩側(cè)濺射，從而形成高濃度離子，實(shí)現(xiàn)較大面積處理，提高處理效率。
【專利說(shuō)明】一種微空心陰極等離子體處理裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及等離子體處理裝置領(lǐng)域，更具體的說(shuō)是涉及一種微空心陰極等離子體處理裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]等離子體是由部分電子被剝奪后的原子及原子被電離后產(chǎn)生的正負(fù)電子組成的離子化氣體狀物質(zhì)，它廣泛存在于宇宙中，常被視為是除去固、液、氣外，物質(zhì)存在的第四態(tài)。
[0003]目前，等離子體裝置一般的是在密封容器中設(shè)置兩個(gè)電極形成電場(chǎng)，用真空泵實(shí)現(xiàn)一定的真空度，隨著氣體愈來(lái)愈稀薄，分子間距及分子或離子的自由運(yùn)動(dòng)距離也愈來(lái)愈長(zhǎng)，受電場(chǎng)作用，他們發(fā)生碰撞而形成離子體，這些離子的活性很高，其能量足以破壞幾乎所有的化學(xué)鍵，在任何暴露的材料表面引起化學(xué)反應(yīng)，從而使材料表面的結(jié)構(gòu)、成分和基團(tuán)發(fā)生變化，得到滿足實(shí)際要求的表面。等離子體反應(yīng)速度快、處理效率高，而且改性僅發(fā)生在材料表面，對(duì)材料內(nèi)部本體材料的性能沒(méi)有影響，是理想的表面改性手段。
[0004]等離子體處理時(shí)，傳統(tǒng)的平板電極生成的電場(chǎng)范圍小，材料處理的面積也就小，而且，反應(yīng)氣體經(jīng)過(guò)傳統(tǒng)的平板電極生成的離子濃度也相對(duì)比較低。
[0005]因此，亟需一種增加處理面積的微空心陰極等離子體處理裝置。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0006]本實(shí)用新型的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷，提供一種微空心陰極等離子體處
理裝置。
[0007]實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型目的的技術(shù)方案是:一種微空心陰極等離子體處理裝置，包括電極組件、絕緣板和高頻電源，所述電極組件包括相互平行設(shè)置的第一平板電極和第二平板電極，所述絕緣板設(shè)置于所述第一平板電極和所述第二平板電極之間，所述第一平板電極與所述高頻電源的負(fù)極電連接，所述第二平板電極與所述高頻電源的正極電連接，所述第一平板電極、第二平板電極和絕緣板上分別貫穿設(shè)置有氣孔，所述上部氣孔直徑尺寸小于所述下部氣孔直徑尺寸。
[0008]進(jìn)一步的，述第一平板電極的厚度尺寸大于所述第二平板電極的厚度尺寸。
[0009]進(jìn)一步的，所述第一平板電極上開(kāi)設(shè)有至少一個(gè)第一氣孔，所述第二平板電極上開(kāi)設(shè)有至少一個(gè)第二氣孔，所述絕緣板上開(kāi)設(shè)有至少一個(gè)絕緣氣孔，所述第一氣孔、第二氣孔和絕緣氣孔的軸心在同一直線上。
[0010]進(jìn)一步的，所述第二氣孔的直徑尺寸與所述絕緣氣孔的直徑尺寸相同，所述第一氣孔的直徑尺寸小于所述第二氣孔和所述絕緣氣孔的直徑尺寸。
[0011]進(jìn)一步的，所述第一氣孔的上部直徑尺寸小于所述第一氣孔的下部直徑尺寸，所述第一氣孔的下部直徑尺寸、所述第二氣孔的直徑尺寸與所述絕緣氣孔的直徑尺寸相同。
[0012]進(jìn)一步的，還包括用于放置材料的物料架，所述物料架設(shè)置于所述第二平板電極下方。
[0013]本實(shí)用新型具有積極的效果:本實(shí)用新型中反應(yīng)氣體從進(jìn)入氣孔，由于上部氣孔直徑尺寸小于下部氣孔直徑尺寸，電離后的反應(yīng)氣體進(jìn)入下部氣孔時(shí)向兩側(cè)濺射，從而形成高濃度離子，實(shí)現(xiàn)較大面積處理，提高處理效率。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0014]為了使本實(shí)用新型的內(nèi)容更容易被清楚地理解，下面根據(jù)具體實(shí)施例并結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明，其中:
[0015]圖1為本實(shí)用新型第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016]圖2為本實(shí)用新型第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]其中:1、處理腔，2、第二平板電極，3、第二氣孔，4、絕緣板，5、絕緣氣孔，6、第一平板電極，7、第一氣孔。
【具體實(shí)施方式】
[0018]實(shí)施例1
[0019]如圖1所示，作為第一優(yōu)選實(shí)施例，本實(shí)施例提供一種微空心陰極等離子體處理裝置，包括電極組件、絕緣板4和高頻電源(圖中未示出)，電極組件包括相互平行設(shè)置的第一平板電極6和第二平板電極2,絕緣板4設(shè)置于第一平板電極6和第二平板電極2之間，第一平板電極6與高頻電源的負(fù)極電連接，第二平板電極2與高頻電源的正極電連接，第一平板電極6上開(kāi)設(shè)有二個(gè)第一氣孔7，第二平板電極2上開(kāi)設(shè)有二個(gè)第二氣孔3，絕緣板4上開(kāi)設(shè)有二個(gè)絕緣氣孔5，第一氣孔7、第二氣孔3和絕緣氣孔5的軸心在同一直線上，并且第一平板電極6的厚度尺寸大于第二平板電極2的厚度尺寸，第二氣孔3的直徑尺寸與絕緣氣孔5的直徑尺寸相同，第一氣孔7的直徑尺寸小于第二氣孔3和絕緣氣孔5的直徑尺寸。
[0020]本實(shí)施例中反應(yīng)氣體依次通過(guò)第一氣孔7、絕緣氣孔5和第二氣孔3，由于絕緣氣孔5和第二氣孔3的直徑尺寸大于第一氣孔7的直徑尺寸，電離后的反應(yīng)氣體在絕緣氣孔5和第二氣孔3中向兩側(cè)濺射，從而形成高濃度離子，最后由第二氣孔3出來(lái)進(jìn)入下面的處理腔I對(duì)材料進(jìn)行活化反應(yīng)，實(shí)現(xiàn)較大面積處理，提高處理效率。
[0021]實(shí)施例2
[0022]如圖2所示，作為第二優(yōu)選實(shí)施例，其余與實(shí)施例1相同，不同之處在于，本實(shí)施例提供的第一氣孔7的上部直徑尺寸小于第一氣孔7的下部直徑尺寸，第一氣孔7的下部直徑尺寸、第二氣孔3的直徑尺寸與絕緣氣孔5的直徑尺寸相同。本實(shí)施例中第一氣孔7的上部直徑尺寸小于第一氣孔7的下部直徑尺寸，反應(yīng)氣體從第一氣孔7的上部進(jìn)入第一氣孔7的下部直徑尺寸時(shí)，由于下部直徑尺寸變大，電離后的反應(yīng)氣體向兩側(cè)濺射，形成高濃度尚子。
[0023]以上所述的具體實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施例而已，并不用于限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種微空心陰極等離子體處理裝置，包括電極組件、絕緣板和高頻電源，所述電極組件包括相互平行設(shè)置的第一平板電極和第二平板電極，所述絕緣板設(shè)置于所述第一平板電極和所述第二平板電極之間，所述第一平板電極與所述高頻電源的負(fù)極電連接，所述第二平板電極與所述高頻電源的正極電連接，其特征在于，所述第一平板電極、第二平板電極和絕緣板上分別貫穿設(shè)置有氣孔，所述上部氣孔直徑尺寸小于所述下部氣孔直徑尺寸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微空心陰極等離子體處理裝置，其特征在于，所述第一平板電極的厚度尺寸大于所述第二平板電極的厚度尺寸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微空心陰極等離子體處理裝置，其特征在于，所述第一平板電極上開(kāi)設(shè)有至少一個(gè)第一氣孔，所述第二平板電極上開(kāi)設(shè)有至少一個(gè)第二氣孔，所述絕緣板上開(kāi)設(shè)有至少一個(gè)絕緣氣孔，所述第一氣孔、第二氣孔和絕緣氣孔的軸心在同一直線上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的微空心陰極等離子體處理裝置，其特征在于，所述第二氣孔的直徑尺寸與所述絕緣氣孔的直徑尺寸相同，所述第一氣孔的直徑尺寸小于所述第二氣孔和所述絕緣氣孔的直徑尺寸。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的微空心陰極等離子體處理裝置，其特征在于，所述第一氣孔的上部直徑尺寸小于所述第一氣孔的下部直徑尺寸，所述第一氣孔的下部直徑尺寸、所述第二氣孔的直徑尺寸與所述絕緣氣孔的直徑尺寸相同。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一所述的微空心陰極等離子體處理裝置，其特征在于，還包括用于放置材料的物料架，所述物料架設(shè)置于所述第二平板電極下方。
【文檔編號(hào)】H01J37/32GK203617246SQ201320850822
【公開(kāi)日】2014年5月28日 申請(qǐng)日期:2013年12月23日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月23日
【發(fā)明者】王紅衛(wèi), 沈文凱 申請(qǐng)人:蘇州市奧普斯等離子體科技有限公司