微波諧振器處理系統(tǒng)中的等離子體調(diào)諧桿的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及微波諧振器處理系統(tǒng)中的等離子體調(diào)諧桿。等離子體調(diào)諧桿系統(tǒng)設(shè)有一個(gè)或多個(gè)微波腔，一個(gè)或多個(gè)微波腔被配置成在等離子體內(nèi)和/或鄰近等離子體處通過在一個(gè)或多個(gè)等離子體調(diào)諧桿中生成共振微波能量來將期望的電磁（EM）波模式的EM能量耦合至等離子體。一個(gè)或多個(gè)微波腔組件可以耦合至處理室，并可以包括一個(gè)或多個(gè)調(diào)諧空間/腔。每個(gè)調(diào)諧空間/腔可以具有耦合至調(diào)諧空間/腔的一個(gè)或多個(gè)等離子體調(diào)諧桿。等離子體調(diào)諧桿可以被配置成在處理室內(nèi)將EM能量從共振腔耦合至處理空間，并由此在處理空間內(nèi)產(chǎn)生均勻等離子體。
【專利說明】微波諧振器處理系統(tǒng)中的等離子體調(diào)諧桿
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]該申請(qǐng)是2011年9月30日提交的題為“微波諧振器處理系統(tǒng)中的等離子體調(diào)諧桿”的美國(guó)專利申請(qǐng)13/249，485號(hào)(代理人案卷號(hào)TEA-071)的部分繼續(xù)，通過引用將美國(guó)專利申請(qǐng)13/249,485號(hào)的全部?jī)?nèi)容合并于此。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明涉及基片/晶片處理，并且更特別地涉及用于處理基片和/或半導(dǎo)體晶片的微波處理系統(tǒng)和方法。

【背景技術(shù)】
[0004]相關(guān)技術(shù)的描述
[0005]通常，在半導(dǎo)體處理期間，(干法)等離子體蝕刻處理用于沿著微細(xì)線、或者在圖案化于半導(dǎo)體基片上的過孔或觸點(diǎn)內(nèi)移除或蝕刻材料。等離子體蝕刻處理通常涉及將具有上覆圖案化的保護(hù)層(例如光刻膠層)的半導(dǎo)體基片定位至處理室中。
[0006]一旦基片被定位在室內(nèi)，就以預(yù)先指定的流率將可電離的、離解氣體混合物引入到室內(nèi)，同時(shí)使真空泵節(jié)流以獲得環(huán)境處理壓強(qiáng)。其后，當(dāng)存在的氣體種類的一部分跟隨在與高能電子的碰撞之后被電離時(shí)，形成等離子體。而且，熱電子用來離解某些種類的混合氣體種類，并且產(chǎn)生適合于蝕刻暴露面的反應(yīng)物種類。一旦形成等離子體，就通過等離子體來蝕刻基片的暴露面。對(duì)該處理進(jìn)行調(diào)節(jié)以獲得最佳條件，包括適當(dāng)?shù)钠谕磻?yīng)物濃度和離子群，以蝕刻基片的暴露區(qū)域中的各種特征(例如，溝槽、過孔、觸點(diǎn)等)。例如，需要刻蝕的基片材料包括二氧化硅(S12)、多晶硅和氮化硅。
[0007]傳統(tǒng)上，如上所述，各種技術(shù)已被實(shí)施用于將氣體激發(fā)為用于在半導(dǎo)體裝置制造期間處理基片的等離子體。特別地，(“平行板”)電容耦合等離子體(CCP，capacitivelycoupled plasma)處理系統(tǒng)、或電感稱合等離子體(ICP, inductively coupled plasma)處理系統(tǒng)已被廣泛用于等離子體激發(fā)。除了其他種類的等離子體源之外，還有微波等離子體源(包括那些利用電子回旋共振(ECR, electron-cyclotron resonance)的源)、表面波等離子體(SWP, surface wave plasma)源和螺旋等離子體源。
[0008]微波處理系統(tǒng)優(yōu)于CCP系統(tǒng)、ICP系統(tǒng)和共振加熱系統(tǒng)而提供改進(jìn)的等離子體處理性能(特別是對(duì)于蝕刻處理)正在成為共識(shí)。微波處理系統(tǒng)在相對(duì)較低的玻耳茲曼電子溫度(Boltzmann electron temperature) (Te)產(chǎn)生高度電離。此外，EM (電磁，electromagnetic)源通常產(chǎn)生在分子離解減少的情況下電子激發(fā)的分子種類較豐富的等離子體。然而，微波處理系統(tǒng)的實(shí)際實(shí)施仍經(jīng)受包括例如等離子體穩(wěn)定性和均勻性的幾種缺陷。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本發(fā)明涉及微波處理系統(tǒng)，并且尤其涉及微波處理系統(tǒng)中的穩(wěn)定和/或均勻的腔組件。
[0010]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，微波處理系統(tǒng)包括:處理室，在處理室中具有用于處理基片的處理空間；以及耦合至處理室的側(cè)室壁的一個(gè)或多個(gè)腔組件，在每個(gè)腔組件中均具有電磁(EM)能量調(diào)諧空間。EM耦合區(qū)域組被建立在EM能量調(diào)諧空間中，而隔離組件組耦合至側(cè)室壁并被配置成將第一 EM能量調(diào)諧空間與處理空間隔離。等離子體調(diào)諧桿組耦合至隔離組件組，等離子體調(diào)諧桿組具有配置于處理空間中的等離子體調(diào)諧部分組和配置于EM能量調(diào)諧空間中并耦合至EM耦合區(qū)域組中的至少一個(gè)的EM調(diào)諧部分組。控制器耦合至一個(gè)或多個(gè)腔組件，其中控制器被配置成控制EM能量調(diào)諧空間中的EM耦合區(qū)域組，由此控制處理空間中的等離子體均勻性。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]現(xiàn)將僅通過示例的方式參考示意性附圖來描述本發(fā)明的實(shí)施例，其中對(duì)應(yīng)的附圖標(biāo)記表示對(duì)應(yīng)的部分，并且在附圖中:
[0012]圖1A-1C示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的第一微波處理系統(tǒng)的不同示例性視圖；
[0013]圖2A-2C示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的第二微波處理系統(tǒng)的不同示例性視圖；
[0014]圖3A-3C示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的第三微波處理系統(tǒng)的不同示例性視圖；
[0015]圖4A-4C示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的第四微波處理系統(tǒng)的不同示例性視圖；
[0016]圖5A-?示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的示例性等離子體調(diào)諧桿的不同視圖；
[0017]圖6A-6D示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的其他示例性等離子體調(diào)諧桿的不同視圖；
[0018]圖7A-7D示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的示例性等離子體調(diào)諧桿的不同視圖；
[0019]圖8示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于示例性操作程序的流程圖；
[0020]圖9示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的等離子體處理系統(tǒng)；
[0021]圖10A-10B示出了微波處理系統(tǒng)的可選實(shí)施例的不同視圖；以及
[0022]圖11A-11B示出了微波處理系統(tǒng)的另一個(gè)可選實(shí)施例的不同視圖。
[0023]附圖被納入并構(gòu)成該說明書的一部分，示出了本發(fā)明的實(shí)施例，并連同上文給出的本發(fā)明的一般描述、以及下文給出的詳細(xì)描述一起用來解釋本發(fā)明。

【具體實(shí)施方式】
[0024]各個(gè)實(shí)施例中公開了微波處理系統(tǒng)。然而，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，可以在無(wú)需具體細(xì)節(jié)中的一個(gè)或多個(gè)的情況下、或者在其他替代的和/或附加的方法、材料或部件的情況下實(shí)踐各個(gè)實(shí)施例。在其他實(shí)例中，未詳細(xì)示出或描述材料或操作以防止模糊本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例的方面。
[0025]類似地，為了進(jìn)行說明，闡述具體數(shù)字、材料和結(jié)構(gòu)以便提供對(duì)本發(fā)明的徹底理解。盡管如此，可以無(wú)需具體細(xì)節(jié)來實(shí)踐本發(fā)明。此外，理解到附圖中所示各個(gè)實(shí)施例是說明性的表示、并且不一定按比例繪制。
[0026]貫穿該說明書的參考“一個(gè)實(shí)施例”或“實(shí)施例”或其變化是指結(jié)合該實(shí)施例所描述的特定的特征、結(jié)構(gòu)、材料、或特性被包括在本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例中，但并不表示它們存在于每個(gè)實(shí)施例中。因此，諸如“在一個(gè)實(shí)施例中”或“在實(shí)施例中”的短語(yǔ)在貫穿該說明書的不同地方的出現(xiàn)并不一定指本發(fā)明的相同實(shí)施例。此外，特定的特征、結(jié)構(gòu)、材料、或特性可以在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中以任意適當(dāng)?shù)姆绞较嘟Y(jié)合。
[0027]盡管如此，應(yīng)當(dāng)理解，雖然解釋了一般概念的發(fā)明性質(zhì)，包含在說明書中的也是屬于發(fā)明性質(zhì)的特征。
[0028]現(xiàn)在參考附圖，其中同樣的附圖標(biāo)記指定貫穿幾個(gè)視圖的同一或?qū)?yīng)部分，圖1A-1C示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的第一微波處理系統(tǒng)的不同視圖。第一微波處理系統(tǒng)100可以用于等離子體簾沉積系統(tǒng)(plasma curtain deposit1n system)或等離子體增強(qiáng)沉積系統(tǒng)中。
[0029]圖1A示出了第一微波處理系統(tǒng)100中的處理室110的局部剖切頂視圖。頂視圖示出了第一接口組件112a、第二接口組件112b以及耦合到第一接口組件112a和第二接口組件112b而由此形成處理室110的多個(gè)附加室壁112的x/y平面視圖。例如，室壁112可以具有與其關(guān)聯(lián)的壁厚(t)，且壁厚(t)可以從約Imm變化到約5mm。第一接口組件112a可以具有與其關(guān)聯(lián)的第一接口厚度(tn)，而第一接口厚度(tn)可以從約Imm變化到約10mm。第二接口組件112b可以具有與其關(guān)聯(lián)的第二接口厚度(ti2)，而第二接口厚度(ti2)可以從約Imm變化到約10mm。處理空間115可以具有與其關(guān)聯(lián)的長(zhǎng)度(χτ)，而長(zhǎng)度(χτ)可以從約1mm變化到約500mm。在該實(shí)施例以及后面所有的實(shí)施例中，可以理解，所提供的尺寸可以不同于所記載的尺寸，例如，處理空間可以具有達(dá)到幾米的長(zhǎng)度或半徑，而接口厚度和壁厚度可以達(dá)到30mm或更多。
[0030]頂視圖示出了在其中具有第一 EM能量調(diào)諧空間169a的第一腔組件168a的剖切視圖，且第一腔組件168a可以包括第一腔壁165a、第二腔壁166a、至少一個(gè)第三腔壁167a以及一個(gè)或多個(gè)附加腔壁(未示出)。例如，第一腔組件168a可以利用第一腔壁165a耦合至第一接口組件112a，而壁(165a、166a和167a)可以包括介電材料并可以具有與其關(guān)聯(lián)的壁厚(ta)，而且壁厚(ta)可以從約Imm變化到約5mm。此外，第一 EM能量調(diào)諧空間169a可以具有與其關(guān)聯(lián)的第一長(zhǎng)度(Xna)和第一寬度(yla)，第一長(zhǎng)度(xTla)可以從約1mm變化到約500mm,而第一寬度(yla)可以從約5mm變化到約50mm。
[0031]頂視圖也示出了在其中具有第二 EM能量調(diào)諧空間169b的第二腔組件168b的剖切視圖，且第二腔組件168b可以包括第一腔壁165b、第二腔壁166b、至少一個(gè)第三腔壁167b以及一個(gè)或多個(gè)附加腔壁(未示出)。例如，第二腔組件168b可以利用第一腔壁165b耦合至第二接口組件112b，而壁(165b、166b和167b)可以包括介電材料并可以具有與其關(guān)聯(lián)的壁厚(tb)，而且壁厚(tb)可以從約Imm變化到約5mm。此外，第二 EM能量調(diào)諧空間169b可以具有與其關(guān)聯(lián)的第二長(zhǎng)度(xTlb)和第二寬度(ylb)，第二長(zhǎng)度(xTlb)可以從約1mm變化到約500mm,而第二寬度(ylb)可以從約5mm變化到約50mm。在該實(shí)施例以及后面所有的實(shí)施例中，可以理解，所提供的尺寸可以不同于所記載的尺寸，例如，腔壁厚度可以達(dá)到30mm或更多，而EM能量調(diào)諧空間可以具有達(dá)到幾米的長(zhǎng)度和/或?qū)挾取?br> [0032]在一些示例性系統(tǒng)中，第一隔離組件組(164a、164b、164c、164d和164e)可以以可移除的方式耦合至第一接口組件112a，并可以被配置成隔離處理空間115與第一EM能量調(diào)諧空間169a。第一隔離組件組(164a、164b、164c、164d和164e)可以用于將第一等離子體調(diào)諧桿組{(170a、170b、170c、170d 和 170e)和(175a、175b、175c、175d 和 175e)}以可移除的方式耦合至第一接口組件112a。例如，第一等離子體調(diào)諧部分組(170a、170b、170c、170d和170e)可以被配置于處理空間115中，而第一 EM調(diào)諧部分組(175a、175b、175c、175d和175e)可以被配置在第一 EM能量調(diào)諧空間169a內(nèi)。
[0033]第二隔離組件組(164f、164g、164h、164i和164j)可以以可移除的方式耦合至第二接口組件112b，并可以被配置成隔離處理空間115與第二 EM能量調(diào)諧空間169b。第二隔離組件組(164f、164g、164h、164i和164j)可以用于將第二等離子體調(diào)諧桿組{(170f、170g、170h、170i 和 170j)和(175f、175g、175h、175i 和 175 j)}以可移除的方式耦合至第二接口組件112b。例如，第二等離子體調(diào)諧部分組(17(^、17(^、17011、1701和170j)可以被配置于處理空間115中，而第二 EM調(diào)諧部分組(175f、175g、175h、175i和175j)可以被配置在第二 EM能量調(diào)諧空間169b內(nèi)。
[0034]仍參考圖1A，第一等離子體調(diào)諧桿(170a、175a)可以包括介電材料，可以具有第一等離子體調(diào)諧部分170a，第一等離子體調(diào)諧部分170a可以將第一等離子體調(diào)諧距離171a延伸至處理空間115中到達(dá)利用(X2a)所限定的第一位置。例如，第一等離子體調(diào)諧距離171a可以從約1mm變化到約400mm。在該實(shí)施例以及后面所有的實(shí)施例中，可以理解，所提供的尺寸可以不同于所記載的尺寸，例如，距離可以為I米或更長(zhǎng)，而且?guī)缀醯扔诘教幚砜臻g的相對(duì)側(cè)的全距離。
[0035]可以在第一腔組件168a中所建立的第一 EM能量調(diào)諧空間169a內(nèi)將第一 EM耦合區(qū)域162a建立在與第一腔壁165a相距第一 EM耦合距離176a處，并且第一 EM調(diào)諧部分175a可以延伸至第一 EM耦合區(qū)域162a中。第一 EM調(diào)諧部分175a可以從第一 EM耦合區(qū)域162a獲得第一微波能量，并且第一微波能量可以利用第一等離子體調(diào)諧部分170a而被傳送到處理空間115的第一位置(X2a)處。第一 EM耦合區(qū)域162a可以包括最大場(chǎng)區(qū)域、最大電壓區(qū)域、最大能量區(qū)域或最大電流區(qū)域、或者其任意組合。例如，第一EM耦合距離176a可以從約0.01mm變化到約10mm，而且第一 EM耦合距離176a可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約(λ/4)變化到約(10 λ )。在該實(shí)施例以及后面所有的實(shí)施例中，可以理解，所提供的尺寸可以不同于所記載的尺寸，例如，距離可以達(dá)到20_或更長(zhǎng)。
[0036]第一等離子體調(diào)諧板161a可以耦合至第一控制組件160a，第一控制組件160a可以用于在第一 EM能量調(diào)諧空間169a內(nèi)將第一等離子體調(diào)諧板161a相對(duì)于第一等離子體調(diào)諧桿(170a、175a)的第一 EM調(diào)諧部分175a移動(dòng)163a第一 EM調(diào)諧距離177a。第一控制組件160a和第一等離子體調(diào)諧板161a可以包括介電材料，并可以用于對(duì)從第一 EM耦合區(qū)域162a耦合到第一等離子體調(diào)諧桿(170a、175a)的第一 EM調(diào)諧部分175a的微波能量進(jìn)行優(yōu)化。可以在第一 EM能量調(diào)諧空間169a內(nèi)的第一 EM調(diào)諧部分175a和第一等離子體調(diào)諧板161a之間建立第一 EM調(diào)諧距離177a，且第一 EM調(diào)諧距離177a可以從約0.01mm變化到約1_。在該實(shí)施例以及后面所有的實(shí)施例中，可以理解，所提供的尺寸可以不同于所記載的尺寸，例如，距離可以達(dá)到20mm或更長(zhǎng)。
[0037]第一等離子體調(diào)諧桿(170a、175a)可以具有與其關(guān)聯(lián)的第一直徑(dla)，且第一直徑(dla)可以從約0.01mm變化到約1mm。第一等離子體調(diào)諧板161a可以具有與其關(guān)聯(lián)的第一直徑(Dla)，且第一直徑(Dla)可以從約Imm變化到約10mm。第一 EM耦合區(qū)域162a、第一控制組件160a和第一等離子體調(diào)諧板161a可以具有與其關(guān)聯(lián)的第一 x/y平面偏移(xla)，且第一 x/y平面偏移(Xla)可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約四分之一波長(zhǎng)(λ/4)變化到約(10 λ )。例如,第一控制組件160a可以具有圓柱形結(jié)構(gòu)以及可以從約Imm變化到約5mm的直徑(dla)。在該實(shí)施例以及后面所有的實(shí)施例中，可以理解，等離子體調(diào)諧桿和板可以具有達(dá)到80mm或更大的直徑，而控制組件直徑可以達(dá)到1mm或更大。
[0038]第二等離子體調(diào)諧桿(170b、175b)可以包括介電材料，并可以具有第二等離子體調(diào)諧部分170b，第二等離子體調(diào)諧部分170b可以向處理空間115中延伸第二等離子體調(diào)諧距離171b到達(dá)利用(Xlb)所限定的第二位置。例如，第二等離子體調(diào)諧距離171b可以從約10mm變化到約400mm。
[0039]可以在第一腔組件168a中所建立的第一 EM能量調(diào)諧空間169a內(nèi)將第二 EM耦合區(qū)域162b建立在與第一腔壁165a相距第二 EM耦合距離176b處，并且第二 EM調(diào)諧部分175b可以延伸至第二 EM耦合區(qū)域162b中。第二 EM調(diào)諧部分175b可以從第二 EM耦合區(qū)域162b獲得第二微波能量，并且第二微波能量可以利用第二等離子體調(diào)諧部分170b而被傳送到處理空間115的第二位置(Xlb)處。第二 EM耦合區(qū)域162b可以包括最大場(chǎng)區(qū)域、最大電壓區(qū)域、最大能量區(qū)域、或最大電流區(qū)域、或者其任意組合。例如，第二 EM耦合距離176b可以從約0.0lmm變化到約10mm，而且第二 EM耦合距離176b可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約U/4)變化到約(10 λ)。
[0040]第二等離子體調(diào)諧板161b可以耦合至第二控制組件160b并可以用于在第一 EM能量調(diào)諧空間169a內(nèi)將第二等離子體調(diào)諧板161b相對(duì)于第二等離子體調(diào)諧桿(170b、175b)的第二 EM調(diào)諧部分175b移動(dòng)163b第二 EM調(diào)諧距離177b。第二控制組件160b和第二等離子體調(diào)諧板161b可以用于對(duì)從第二 EM耦合區(qū)域162b耦合到第二等離子體調(diào)諧桿(170b、175b)的第二 EM調(diào)諧部分175b的微波能量進(jìn)行優(yōu)化。例如，可以在第一 EM能量調(diào)諧空間169a內(nèi)的第二 EM調(diào)諧部分175b和第二等離子體調(diào)諧板161b之間建立第二 EM調(diào)諧距離177b，且第二 EM調(diào)諧距離177b可以從約0.0lmm變化到約1mm。
[0041]第二等離子體調(diào)諧桿(170b、175b)可以具有與其關(guān)聯(lián)的第二直徑(dlb)，且第二直徑(dlb)可以從約0.0lmm變化到約1mm。第二等離子體調(diào)諧板161b可以包括介電材料,并可以具有與其關(guān)聯(lián)的第二直徑(Dlb)，第二直徑(Dlb)可以從約Imm變化到約10mm。第二 EM耦合區(qū)域162b、第二控制組件160b和第二等離子體調(diào)諧板161b可以具有與其關(guān)聯(lián)的第二x/y平面偏移(xlb)，且第二 x/y平面偏移(Xlb)可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約四分之一波長(zhǎng)(λ/4)變化到約(10 λ )。例如，第二控制組件160b可以包括介電材料，可以具有圓柱形結(jié)構(gòu)和可以從約Imm變化到約5mm的直徑(dlb)。
[0042]第三等離子體調(diào)諧桿(170c、175c)可以包括介電材料，并可以具有第三等離子體調(diào)諧部分170c，第三等離子體調(diào)諧部分170c可以向處理空間115中延伸第三等離子體調(diào)諧距離171c到達(dá)利用(x2。)所限定的第三位置。例如，第三等離子體調(diào)諧距離171c可以從約10mm變化到約400mm。
[0043]可以在第一腔組件168a中所建立的第一 EM能量調(diào)諧空間169a內(nèi)將第三EM耦合區(qū)域162c建立在與第一腔壁165a相距第三EM耦合距離176c處，并且第三EM調(diào)諧部分175c可以延伸至第三EM耦合區(qū)域162c中。第三EM調(diào)諧部分175c可以從第三EM耦合區(qū)域162c獲得第三微波能量，并且第三微波能量可以利用第三等離子體調(diào)諧部分170c而被傳送到處理空間115的第三位置(X2e)處。第三EM耦合區(qū)域162c可以包括最大場(chǎng)區(qū)域、最大電壓區(qū)域、最大能量區(qū)域、或最大電流區(qū)域、或者其任意組合。例如，第三EM耦合距離176c可以從約0.0lmm變化到約10mm，而且第三EM耦合距離176c可以是依賴波長(zhǎng)的，并可以從約U/4)變化到約(10 λ)。
[0044]第三等離子體調(diào)諧板161c可以耦合至第三控制組件160c，并可以用于在第一EM能量調(diào)諧空間169a內(nèi)將第三等離子體調(diào)諧板161c相對(duì)于第三等離子體調(diào)諧桿(170c、175c)的第三EM調(diào)諧部分175c移動(dòng)163c第三EM調(diào)諧距離177c。第三控制組件160c和第三等離子體調(diào)諧板161c可以用于對(duì)從第三EM耦合區(qū)域162c耦合到第三等離子體調(diào)諧桿(170c、175c)的第三EM調(diào)諧部分175c的微波能量進(jìn)行優(yōu)化。例如，可以在第一 EM能量調(diào)諧空間169a內(nèi)的第三EM調(diào)諧部分175c和第三等離子體調(diào)諧板161c之間建立第三EM調(diào)諧距離177c，且第三EM調(diào)諧距離177c可以從約0.0lmm變化到約1mm。
[0045]第三等離子體調(diào)諧桿(170c、175c)可以具有與其關(guān)聯(lián)的第三直徑(dlc;)，第三直徑(dlc)可以從約0.0lmm變化到約1mm。第三等離子體調(diào)諧板161c可以包括介電材料，并可以具有與其關(guān)聯(lián)的第三直徑(Dle),第三直徑(Dle)可以從約Imm變化到約10mm。第三EM耦合區(qū)域162c、第三控制組件160c和第三等離子體調(diào)諧板161c可以具有與其關(guān)聯(lián)的第三X/y平面偏移(Xl。)，且第三x/y平面偏移(Xl。)可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約四分之一波長(zhǎng)(入/4)變化到約(10 λ )。第三控制組件160c可以包括介電材料，并可以具有圓柱形結(jié)構(gòu)和可以從約Imm變化到約5mm的直徑(dlc)。
[0046]第四等離子體調(diào)諧桿(170d、175d)可以包括介電材料，并可以具有第四等離子體調(diào)諧部分170d，第四等離子體調(diào)諧部分170d可以向處理空間115中延伸第四等離子體調(diào)諧距離171d到達(dá)利用(X2d)所限定的第四位置。例如，第四等離子體調(diào)諧距離171d可以從約10mm變化到約400mm。
[0047]可以在第一腔組件168a中所建立的第一 EM能量調(diào)諧空間169a內(nèi)將第四EM耦合區(qū)域162d建立在與第一腔壁165a相距第四EM耦合距離176d處，并且第四EM調(diào)諧部分175d可以延伸至第四EM耦合區(qū)域162d中。第四EM調(diào)諧部分175d可以從第四EM耦合區(qū)域162d獲得第四微波能量，并且第四微波能量可以利用第四等離子體調(diào)諧部分170d而被傳送到處理空間115的第四位置(X2d)處。第四EM耦合區(qū)域162d可以包括最大場(chǎng)區(qū)域、最大電壓區(qū)域、最大能量區(qū)域、或最大電流區(qū)域、或者其任意組合。例如，第四EM耦合距離176d可以從約0.0lmm變化到約1mm,而且第四EM稱合距離176d可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約U/4)變化到約(10 λ)。
[0048]第四等離子體調(diào)諧板161d可以耦合至第四控制組件160d，并可以用于在第一EM能量調(diào)諧空間169a內(nèi)將第四等離子體調(diào)諧板161d相對(duì)于第四等離子體調(diào)諧桿(170d、175d)的第四EM調(diào)諧部分175d移動(dòng)163d第四EM調(diào)諧距離177d。第四控制組件160d和第四等離子體調(diào)諧板161d可以用于對(duì)從第四EM耦合區(qū)域162d耦合到第四等離子體調(diào)諧桿(170d、175d)的第四EM調(diào)諧部分175d的微波能量進(jìn)行優(yōu)化。例如，可以在第一 EM能量調(diào)諧空間169a內(nèi)的第四EM調(diào)諧部分175d和第四等離子體調(diào)諧板161d之間建立第四EM調(diào)諧距離177d，且第四EM調(diào)諧距離177d可以從約0.0lmm變化到約1mm。
[0049]第四等離子體調(diào)諧桿(170d、175d)可以具有與其關(guān)聯(lián)的第四直徑(dld)，第四直徑(dld)可以從約0.0lmm變化到約1mm。第四等離子體調(diào)諧板161d可以具有與其關(guān)聯(lián)的第四直徑(Dld)，第四直徑(Dld)可以從約Imm變化到約10mm。第四EM耦合區(qū)域162d、第四控制組件160d和第四等離子體調(diào)諧板161d可以具有與其關(guān)聯(lián)的第四x/y平面偏移(xld)，且第四x/y平面偏移(Xld)可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約四分之一波長(zhǎng)(λ/4)變化到約(10λ )。第四控制組件160d可以包括介電材料，可以具有圓柱形結(jié)構(gòu)和可以從約Imm變化到約5mm的直徑(dld)。
[0050]第五等離子體調(diào)諧桿(170e、175e)可以包括介電材料，并可以具有第五等離子體調(diào)諧部分170e，第五等離子體調(diào)諧部分170e可以向處理空間115中延伸第五等離子體調(diào)諧距離171e到達(dá)利用(X2e)所限定的第五位置。例如，第五等離子體調(diào)諧距離171e可以從約10mm變化到約400mm。
[0051]可以在第一腔組件168a中所建立的第一 EM能量調(diào)諧空間169a內(nèi)將第五EM耦合區(qū)域162e建立在與第一腔壁165a相距第五EM耦合距離176e處，并且第五EM調(diào)諧部分175e可以延伸至第五EM耦合區(qū)域162e中。第五EM調(diào)諧部分175e可以從第五EM耦合區(qū)域162e獲得第五微波能量，并且第五微波能量可以利用第五等離子體調(diào)諧部分170e而被傳送到處理空間115的第五位置(X2e)處。第五EM耦合區(qū)域162e可以包括最大場(chǎng)區(qū)域、最大電壓區(qū)域、最大能量區(qū)域、或最大電流區(qū)域、或者其任意組合。例如，第五EM耦合距離176e可以從約0.0lmm變化到約10mm，而且第五EM耦合距離176e可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約U/4)變化到約(10 λ)。
[0052]第五等離子體調(diào)諧板161e可以包括介電材料，并且可以耦合至第五控制組件160e，并可以用于在第一 EM能量調(diào)諧空間169a內(nèi)將第五等離子體調(diào)諧板161e相對(duì)于第五等離子體調(diào)諧桿(170e、175e)的第五EM調(diào)諧部分175e移動(dòng)163e第五EM調(diào)諧距離177e。第五控制組件160e和第五等離子體調(diào)諧板161e可以用于對(duì)從第五EM耦合區(qū)域162e耦合到第五等離子體調(diào)諧桿(170e、175e)的第五EM調(diào)諧部分175e的微波能量進(jìn)行優(yōu)化。例如，可以在第一 EM能量調(diào)諧空間169a內(nèi)的第五EM調(diào)諧部分175e和第五等離子體調(diào)諧板161e之間建立第五EM調(diào)諧距離177e，且第五EM調(diào)諧距離177e可以從約0.0lmm變化到約1mm。
[0053]第五等離子體調(diào)諧桿(170e、175e)可以具有與其關(guān)聯(lián)的第五直徑(dle)，第五直徑(dle)可以從約0.0lmm變化到約1mm。第五等離子體調(diào)諧板161e可以具有與其關(guān)聯(lián)的第五直徑(Dle)，第五直徑(Dle)可以從約Imm變化到約10mm。第五EM耦合區(qū)域162e、第五控制組件160e和第五等離子體調(diào)諧板161e可以具有與其關(guān)聯(lián)的第五x/y平面偏移(xle)，且第五x/y平面偏移(X16)可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約四分之一波長(zhǎng)(λ/4)變化到約(10入)。第五控制組件160e可以包括介電材料，可以具有圓柱形結(jié)構(gòu)和可以從約Imm變化到約5mm的直徑(dle)。
[0054]仍參考圖1A，第六等離子體調(diào)諧桿(170f、175f)可以包括介電材料，并可以具有第六等離子體調(diào)諧部分170f，第六等離子體調(diào)諧部分170f可以向處理空間115中延伸第六等離子體調(diào)諧距離171f到達(dá)利用(X2f)所限定的第六位置。第六等離子體調(diào)諧距離171f可以從約1mm變化到約400mm。
[0055]第六EM耦合區(qū)域162f可以包括介電材料，并且可以在第二腔組件168b中所建立的第二 EM能量調(diào)諧空間169b內(nèi)將第六EM耦合區(qū)域162f建立在與第一腔壁165b相距第六EM耦合距離176f處，而且第六EM調(diào)諧部分175f可以延伸至第六EM耦合區(qū)域162f中。第六EM調(diào)諧部分175f可以從第六EM耦合區(qū)域162f獲得第六微波能量，并且第六微波能量可以利用第六等離子體調(diào)諧部分170f而被傳送到處理空間115的第六位置(X2f)處。第六EM耦合區(qū)域162f可以包括最大場(chǎng)區(qū)域、最大電壓區(qū)域、最大能量區(qū)域、或最大電流區(qū)域、或者其任意組合。第六EM耦合距離176f可以從約0.0lmm變化到約10mm，或者可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約(λ /4)變化到約(10 λ )。
[0056]第六等離子體調(diào)諧板161f可以包括介電材料，并且可以耦合至第六控制組件160f，并可以用于在第二 EM能量調(diào)諧空間169b內(nèi)將第六等離子體調(diào)諧板161f相對(duì)于第六等離子體調(diào)諧桿(170f、175f)的第六EM調(diào)諧部分175f移動(dòng)163f第六EM調(diào)諧距離177f。第六控制組件160f和第六等離子體調(diào)諧板161f可以用于對(duì)從第六EM耦合區(qū)域162f耦合到第六等離子體調(diào)諧桿(170f、175f)的第六EM調(diào)諧部分175f的微波能量進(jìn)行優(yōu)化。例如，可以在第二 EM能量調(diào)諧空間169b內(nèi)的第六EM調(diào)諧部分175f和第六等離子體調(diào)諧板161f之間建立第六EM調(diào)諧距離177f，且第六EM調(diào)諧距離177f可以從約0.0lmm變化到約1mm。
[0057]第六等離子體調(diào)諧桿(170f、175f)可以具有與其關(guān)聯(lián)的第六直徑(dlf)，第六直徑(dlf)可以從約0.0lmm變化到約1_。第六等離子體調(diào)諧板161f可以具有與其關(guān)聯(lián)的第六直徑(Dlf)，第六直徑(Dlf)可以從約Imm變化到約10mm。第六EM耦合區(qū)域162f、第六控制組件160f和第六等離子體調(diào)諧板161f可以具有與其關(guān)聯(lián)的第六x/y平面偏移(xlf)，且第六x/y平面偏移(Xlf)可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約四分之一波長(zhǎng)(λ/4)變化到約(10λ )。第六控制組件160f可以包括介電材料，可以具有圓柱形結(jié)構(gòu)和可以從約Imm變化到約5mm的直徑(dlf)。
[0058]第七等離子體調(diào)諧桿(170g、175g)可以包括介電材料，并可以具有第七等離子體調(diào)諧部分170g，第七等離子體調(diào)諧部分170g可以向處理空間115中延伸第七等離子體調(diào)諧距離171g到達(dá)利用(x2g)所限定的第七位置。第七等離子體調(diào)諧距離171g可以從約1mm變化到約400mm。
[0059]可以在第二腔組件168b中所建立的第二 EM能量調(diào)諧空間169b內(nèi)將第七EM耦合區(qū)域162g建立在與第一腔壁165b相距第七EM耦合距離176g處，而且第七EM調(diào)諧部分175g可以延伸至第七EM耦合區(qū)域162g中。第七EM調(diào)諧部分175g可以從第七EM耦合區(qū)域162g獲得第七微波能量，并且第七微波能量可以利用第七等離子體調(diào)諧部分170g而被傳送到處理空間115的第七位置(X2g)處。第七EM耦合區(qū)域162g可以包括最大場(chǎng)區(qū)域、最大電壓區(qū)域、最大能量區(qū)域、或最大電流區(qū)域、或者其任意組合。例如，第七EM耦合距離176g可以從約0.0lmm變化到約1mm,而且第七EM f禹合距離176g可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約U/4)變化到約(10 λ)。
[0060]第七等離子體調(diào)諧板161g可以包括介電材料，并且可以耦合至第七控制組件160g、并可以用于在第二 EM能量調(diào)諧空間169b內(nèi)將第七等離子體調(diào)諧板161g相對(duì)于第七等離子體調(diào)諧桿(170g、175g)的第七EM調(diào)諧部分175g移動(dòng)163g第七EM調(diào)諧距離177g。第七控制組件160g和第七等離子體調(diào)諧板161g可以用于對(duì)從第七EM耦合區(qū)域162g耦合到第七等離子體調(diào)諧桿(170g、175g)的第七EM調(diào)諧部分175g的微波能量進(jìn)行優(yōu)化。例如，可以在第二 EM能量調(diào)諧空間16%內(nèi)的第七EM調(diào)諧部分175g和第七等離子體調(diào)諧板161g之間建立第七EM調(diào)諧距離177g，且第七EM調(diào)諧距離177g可以從約0.0lmm變化到約1mm。
[0061]第七等離子體調(diào)諧桿(170g、175g)可以具有與其關(guān)聯(lián)的第七直徑(dlg)，第七直徑(dlg)可以從約0.0lmm變化到約1_。第七等離子體調(diào)諧板161g可以具有與其關(guān)聯(lián)的第七直徑(Dlg)，第七直徑(Dlg)可以從約Imm變化到約10_。第七EM耦合區(qū)域162g、第七控制組件160g和第七等離子體調(diào)諧板161g可以具有與其關(guān)聯(lián)的第七x/y平面偏移(xlg)，且第七x/y平面偏移(Xlg)可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約四分之一波長(zhǎng)(λ/4)變化到約(10入)。第七控制組件160g可以包括介電材料,可以具有圓柱形結(jié)構(gòu)和可以從約Imm變化到約5mm的直徑(dlg)。
[0062]第八等離子體調(diào)諧桿(170h、175h)可以包括介電材料，并可以具有第八等離子體調(diào)諧部分170h，第八等離子體調(diào)諧部分170h可以向處理空間115中延伸第八等離子體調(diào)諧距離171h到達(dá)利用(X2h)所限定的第八位置。第八等離子體調(diào)諧距離171h可以從約1mm變化到約400mm。
[0063]可以在第二腔組件168b中所建立的第二 EM能量調(diào)諧空間169b內(nèi)將第八EM耦合區(qū)域162h建立在與第一腔壁165b相距第八EM耦合距離176h處，而且第八EM調(diào)諧部分175h可以延伸至第八EM耦合區(qū)域162h中。第八EM調(diào)諧部分175h可以從第八EM耦合區(qū)域162h獲得第八微波能量，并且第八微波能量可以利用第八等離子體調(diào)諧部分170h而被傳送到處理空間115的第八位置(X2h)處。第八EM耦合區(qū)域162h可以包括最大場(chǎng)區(qū)域、最大電壓區(qū)域、最大能量區(qū)域、或最大電流區(qū)域、或者其任意組合。例如，第八EM耦合距離176h可以從約0.01mm變化到約1mm,而且第八EM稱合距離176h可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約U/4)變化到約(10 λ)。
[0064]第八等離子體調(diào)諧板161h可以包括介電材料，并且可以耦合至第八控制組件160h，并可以用于在第二 EM能量調(diào)諧空間169b內(nèi)將第八等離子體調(diào)諧板161h相對(duì)于第八等離子體調(diào)諧桿(170h、175h)的第八EM調(diào)諧部分175h移動(dòng)163h第八EM調(diào)諧距離177h。第八控制組件160h和第八等離子體調(diào)諧板161h可以用于對(duì)從第八EM耦合區(qū)域162h耦合到第八等離子體調(diào)諧桿(170h、175h)的第八EM調(diào)諧部分175h的微波能量進(jìn)行優(yōu)化?？梢栽诘诙?EM能量調(diào)諧空間169b內(nèi)的第八EM調(diào)諧部分175h和第八等離子體調(diào)諧板161h之間建立第八EM調(diào)諧距離177h，且第八EM調(diào)諧距離177h可以從約0.01mm變化到約1mm。
[0065]第八等離子體調(diào)諧桿(170h、175h)可以具有與其關(guān)聯(lián)的第八直徑(dlh)，第八直徑(dlh)可以從約0.01mm變化到約1_。第八等離子體調(diào)諧板161h可以具有與其關(guān)聯(lián)的第八直徑(Dlh)，第八直徑(Dlh)可以從約Imm變化到約10mm。第八EM耦合區(qū)域162h、第八控制組件160h和第八等離子體調(diào)諧板161h可以具有與其關(guān)聯(lián)的第八x/y平面偏移(xlh)，且第八x/y平面偏移(Xlh)可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約四分之一波長(zhǎng)(λ/4)變化到約(10入)。第八控制組件160h可以包括介電材料，可以具有圓柱形結(jié)構(gòu)和可以從約Imm變化到約5_的直徑(dlh)。
[0066]第九等離子體調(diào)諧桿(1701、175i)可以包括介電材料，并可以具有第九等離子體調(diào)諧部分170i，第九等離子體調(diào)諧部分170i可以向處理空間115中延伸第九等離子體調(diào)諧距離171i到達(dá)利用(X2i)所限定的第九位置。第九等離子體調(diào)諧距離171i可以從約1mm變化到約400mm。
[0067]可以在第二腔組件168b中所建立的第二 EM能量調(diào)諧空間169b內(nèi)將第九EM耦合區(qū)域162i建立在與第一腔壁165b相距第九EM耦合距離176i處，而且第九EM調(diào)諧部分175i可以延伸至第九EM耦合區(qū)域162i中。第九EM調(diào)諧部分175i可以從第九EM耦合區(qū)域162i獲得第九微波能量，并且第九微波能量可以利用第九等離子體調(diào)諧部分170i而被傳送到處理空間115的第九位置(X2i)處。第九EM耦合區(qū)域162i可以包括最大場(chǎng)區(qū)域、最大電壓區(qū)域、最大能量區(qū)域、或最大電流區(qū)域、或者其任意組合。例如，第九EM耦合距離176?可以從約0.01mm變化到約10mm，而且第九EM耦合距離176i可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約U/4)變化到約(10 λ)。
[0068]第九等離子體調(diào)諧板161i可以包括介電材料，并且可以耦合至第九控制組件160i，并可以用于在第二 EM能量調(diào)諧空間169b內(nèi)將第九等離子體調(diào)諧板161i相對(duì)于第九等離子體調(diào)諧桿(1701、175i)的第九EM調(diào)諧部分175i移動(dòng)163i第九EM調(diào)諧距離177i。第九控制組件160i和第九等離子體調(diào)諧板161i可以用于對(duì)從第九EM耦合區(qū)域162i耦合到第九等離子體調(diào)諧桿(1701、175i)的第九EM調(diào)諧部分175i的微波能量進(jìn)行優(yōu)化。例如，可以在第二 EM能量調(diào)諧空間169b內(nèi)的第九EM調(diào)諧部分175i和第九等離子體調(diào)諧板161i之間建立第九EM調(diào)諧距離177i，且第九EM調(diào)諧距離177i可以從約0.01mm變化到約1mm。
[0069]第九等離子體調(diào)諧桿(1701、175i)可以具有與其關(guān)聯(lián)的第九直徑(Clli),第九直徑(dn)可以從約0.01mm變化到約1_。第九等離子體調(diào)諧板161i可以具有與其關(guān)聯(lián)的第九直徑(Dli),第九直徑(Dli)可以從約Imm變化到約10mm。第九EM耦合區(qū)域1621、第九控制組件160i和第九等離子體調(diào)諧板161i可以具有與其關(guān)聯(lián)的第九x/y平面偏移(Xli)，且第九x/y平面偏移(Xli)可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約四分之一波長(zhǎng)(λ/4)變化到約(10λ )。第九控制組件160i可以包括介電材料，可以具有圓柱形結(jié)構(gòu)和可以從約Imm變化到約5mm的直徑(dn)。
[0070]第十等離子體調(diào)諧桿(170j、175j)可以包括介電材料，并可以具有第十等離子體調(diào)諧部分170j，第十等離子體調(diào)諧部分170j可以向處理空間115中延伸第十等離子體調(diào)諧距離171j到達(dá)利用(x2p所限定的第十位置。例如，第十等離子體調(diào)諧距離171j可以從約10mm變化到約400mm。
[0071]可以在第二腔組件168b中所建立的第二 EM能量調(diào)諧空間169b內(nèi)將第十EM耦合區(qū)域162 j建立在與第一腔壁165b相距第十EM耦合距離176 j處，且第十EM調(diào)諧部分
175j可以延伸至第十EM耦合區(qū)域162 j中。第十EM調(diào)諧部分175 j可以從第十EM耦合區(qū)域162j獲得第十微波能量，并且第十微波能量可以利用第十等離子體調(diào)諧部分170j而被傳送到處理空間115的第十位置(?)處。第十EM耦合區(qū)域162 j可以包括最大場(chǎng)區(qū)域、最大電壓區(qū)域、最大能量區(qū)域、或最大電流區(qū)域、或者其任意組合。例如，第十EM耦合距離
176j可以從約0.01mm變化到約10mm，而且第十EM耦合距離176 j可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約U/4)變化到約(10 λ)。
[0072]第十等離子體調(diào)諧板161j可以包括介電材料，可以耦合至第十控制組件160j，并可以用于在第二 EM能量調(diào)諧空間16%內(nèi)將第十等離子體調(diào)諧板161 j相對(duì)于第十等離子體調(diào)諧桿(170j、175j)的第十EM調(diào)諧部分175j移動(dòng)163j第十EM調(diào)諧距離177j。第十控制組件160j和第十等離子體調(diào)諧板161j可以用于對(duì)從第十EM耦合區(qū)域162j耦合到第十等離子體調(diào)諧桿(170j、175j)的第十EM調(diào)諧部分175j的微波能量進(jìn)行優(yōu)化。例如，可以在第二 EM能量調(diào)諧空間169b內(nèi)的第十EM調(diào)諧部分175j和第十等離子體調(diào)諧板161 j之間建立第十EM調(diào)諧距離177 j，且第十EM調(diào)諧距離177 j可以從約0.01mm變化到約1mm。
[0073]第十等離子體調(diào)諧桿(170j、175j)可以具有與其關(guān)聯(lián)的第十直徑(Cllj),第十直徑((Ilj)可以從約0.01mm變化到約1mm。第十等離子體調(diào)諧板161 j可以具有與其關(guān)聯(lián)的第十直徑(Dlj),第十直徑(Dlj)可以從約Imm變化到約10_。第十EM稱合區(qū)域162j、第十控制組件160j和第十等離子體調(diào)諧板161j可以具有與其關(guān)聯(lián)的第十x/y平面偏移(Xu)，且第十x/y平面偏移(Xlj)可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約四分之一波長(zhǎng)(λ/4)變化到約(10λ )。第十控制組件160 j可以包括介電材料,可以具有圓柱形結(jié)構(gòu)和可以從約Imm變化到約5mm的直徑(Clu)。
[0074]第一微波處理系統(tǒng)100的頂視圖包括第一腔控制組件145a的頂視圖，第一腔控制組件145a的頂視圖被示出為耦合至第一腔調(diào)諧板146a的頂視圖。第一腔控制組件145a可以包括介電材料，并可以具有與其關(guān)聯(lián)的第一直徑(dlaa)，且第一直徑(dlaa)可以從約0.0lmm變化到約1mm。第一腔調(diào)諧板146a可以包括介電材料，并可以具有與其關(guān)聯(lián)的第二直徑(Dlaa),且第二直徑(Dlaa)可以從約Imm變化到約10mm。第一腔控制組件145a和第一腔調(diào)諧板146a可以具有與其關(guān)聯(lián)的、可以從約Imm變化到約1mm的第一 x/y平面偏移(Ylaa)0在該實(shí)施例以及后面所有的實(shí)施例中，可以理解，提供的尺寸可以不同于所記載的尺寸，例如，腔控制組件和腔調(diào)諧板的直徑分別可以達(dá)到1mm或更大、以及達(dá)到80mm或更大。
[0075]此外，第一微波處理系統(tǒng)100的頂視圖包括第二腔控制組件145b的頂視圖，第二腔控制組件145b的頂視圖被示出為耦合至第二腔調(diào)諧板146b的頂視圖。第二腔控制組件145b可以包括介電材料,并可以具有與其關(guān)聯(lián)的第一附加直徑(dlba),且第一附加直徑(dlba)可以從約0.0lmm變化到約1mm。第二腔調(diào)諧板146b可以具有與其關(guān)聯(lián)的第二附加直徑(Dlba),且第二附加直徑(Dlba)可以從約Imm變化到約10mm。第二腔控制組件145b和第二腔調(diào)諧板146b可以包括介電材料，并可以具有與其關(guān)聯(lián)的第二 x/y平面偏移(ylba)，且第二 x/y平面偏移(ylba)可以從約Imm變化到約10mm。
[0076]圖1B不出了第一微波處理系統(tǒng)100中的處理室110的局部剖切正視圖。正視圖示出了彼此相耦合(由此生成處理室110中的處理空間115的局部剖切正視圖)的多個(gè)附加壁112的x/z平面視圖。第一微波處理系統(tǒng)100可以被配置成在處理空間115中形成等離子體。
[0077]正視圖示出了在其中具有第一 EM能量調(diào)諧空間169a的第一腔組件168a的剖切視圖，并且第一腔組件168a可以包括第一腔壁165a、第二腔壁166a、至少一個(gè)第三腔壁167a以及一個(gè)或多個(gè)附加腔壁(未不出)。例如，第一腔組件168a可以利用第一腔壁165a耦合至第一接口組件112a。正視圖也示出了在其中具有第二 EM能量調(diào)諧空間169b的第二腔組件168b的剖切視圖，而第二腔組件168b可以包括第一腔壁165b、第二腔壁166b、至少一個(gè)第三腔壁167b以及一個(gè)或多個(gè)附加腔壁(未示出)。例如，第二腔組件168b可以利用第一腔壁165b耦合至第二接口組件112b。
[0078]圖1B中示出了第一等離子體調(diào)諧桿組(170a_170e)的局部正視圖(虛線視圖)、第一等離子體調(diào)諧板組(161a_161e)的局部正視圖(虛線視圖)、第二等離子體調(diào)諧桿組(170f-170j)的局部正視圖(點(diǎn)線視圖)以及第二等離子體調(diào)諧板組(161f-161j)的局部正視圖(點(diǎn)線視圖)。
[0079]第一等離子體調(diào)諧桿組(170a_170e)和第一等離子體調(diào)諧板組(161a_161e)可以具有與其關(guān)聯(lián)的第一 x/y平面偏移組(χ2_)，且第一 χ/y平面偏移組(χ2_)可以從約1mm變化到約100mm。第一等離子體調(diào)諧桿組(170a_170e)和第一等離子體調(diào)諧板組(161a-161e)可以具有與其關(guān)聯(lián)的第一 x/z平面偏移組(zla_e)，且第一 x/z平面偏移組(zla_e)可以從約100謹(jǐn)變化到約400謹(jǐn)。
[0080]第二等離子體調(diào)諧桿組(170f_170j)和第二等離子體調(diào)諧板組(161f_161j)可以具有與其關(guān)聯(lián)的第二 x/y平面偏移組(x2f-P，且第二 χ/y平面偏移組(x2f_j)可以從約1mm變化到約100mm。第二等離子體調(diào)諧桿組(170f_170j)和第二等離子體調(diào)諧板組(161f-161j)可以具有與其關(guān)聯(lián)的第二 x/z平面偏移組(zlf_p，且第二 x/z平面偏移組(zlf_p可以從約10mm變化到約400mm。
[0081]圖1B示出了第一微波處理系統(tǒng)100可以包括耦合至室壁112以獲得第一等離子體數(shù)據(jù)的一個(gè)或多個(gè)等離子體傳感器106。此外，第一微波處理系統(tǒng)100可以被配置成處理200mm的基片、300_的基片、或者更大尺寸的基片。此外，可以對(duì)圓柱形的、方形的和矩形的室各自進(jìn)行配置，以使得可以將第一微波處理系統(tǒng)100配置成對(duì)圓形、方形或矩形的基片、晶片、或LCD進(jìn)行處理而無(wú)論它們的尺寸是怎樣的，如本領(lǐng)域的技術(shù)人員將會(huì)理解的那樣。因此，雖然將要結(jié)合半導(dǎo)體基片的處理來描述本發(fā)明的各方面，但本發(fā)明并不僅僅局限于此。
[0082]如圖1B所示，第一 EM源150a可以耦合至第一腔組件168a，而第二 EM源150b可以耦合至第二腔組件168b。第一 EM源150a可以耦合至第一匹配網(wǎng)絡(luò)152a，而第一匹配網(wǎng)絡(luò)152a可以耦合至第一耦合網(wǎng)絡(luò)154a。第二 EM源150b可以耦合至第二匹配網(wǎng)絡(luò)152b，而第二匹配網(wǎng)絡(luò)152b可以耦合至第二耦合網(wǎng)絡(luò)154b。可選地，可以使用多個(gè)匹配網(wǎng)絡(luò)(未示出)或者多個(gè)稱合網(wǎng)絡(luò)(未示出)。
[0083]第一耦合網(wǎng)絡(luò)154a可以以可移除的方式耦合至第一腔組件168a，第一腔組件168a可以以可移除的方式耦合至處理室110的第一接口組件112a的上部。第一耦合網(wǎng)絡(luò)154a可以用于向第一腔組件168a中的第一 EM能量調(diào)諧空間169a提供微波能量。第二耦合網(wǎng)絡(luò)154b可以以可移除的方式耦合至第二腔組件168b，第二腔組件168b可以以可移除的方式耦合至處理室110的第二接口組件112b的上部。第二耦合網(wǎng)絡(luò)154b可以用于向第二腔組件168b中的第二 EM能量調(diào)諧空間16%提供額外的微波能量。可選地，可以使用其他EM耦合結(jié)構(gòu)。
[0084]如圖1B所示，控制器195可以耦合196至EM源(150a、150b)、匹配網(wǎng)絡(luò)(152a、152b)、耦合網(wǎng)絡(luò)(154a、154b)以及腔組件(168a、168b)，并且控制器195可以利用工藝配方來建立、控制以及優(yōu)化EM源(150a、150b)、匹配網(wǎng)絡(luò)(152a、152b)、耦合網(wǎng)絡(luò)(154a、154b)以及腔組件(168a、168b)，以控制處理空間115內(nèi)的等離子體均勻性。例如，EM源(150a、150b)可以在從約500MHz到約5000MHz的頻率工作。此外，控制器195可以耦合196至等離子體傳感器106和處理傳感器107，并且控制器195可以利用工藝配方來建立、控制以及優(yōu)化來自等離子體傳感器106和處理傳感器107的數(shù)據(jù)，以控制處理空間115內(nèi)的等離子體均勻性。
[0085]此外，控制器195可以耦合196至氣體供應(yīng)系統(tǒng)140、耦合至氣體供應(yīng)子組件141、以及耦合至氣體噴頭143。例如，氣體供應(yīng)系統(tǒng)140、氣體供應(yīng)子組件141以及氣體噴頭143可以被配置成將一種或多種處理氣體引至處理空間115，并可以包括流量控制和/或流量測(cè)量裝置。
[0086]在干法等離子體蝕刻期間，處理氣體可以包括蝕刻劑、鈍化劑、或惰性氣體、或者其中兩種或更多種的組合。例如，當(dāng)?shù)入x子體蝕刻諸如氧化硅(S1x)或氮化硅(SixNy)的介電薄膜時(shí)，等離子體蝕刻氣體成分通常包括諸如C4F8、C5F8、C3F6、C4F6XF4等中的至少一種的碳氟基化學(xué)成分(CxFy),和/或可以包括諸如CHF3、CH2F2等中的至少一種的氟代烴基化學(xué)成分(CxHyFz),以及可以具有惰性氣體、氧氣、CO或CO2中的至少一種。此外，例如，當(dāng)蝕刻多晶娃(polycrystalline silicon, polysilicon)時(shí),等離子體蝕刻氣體成分通常包括諸如HBr、Cl2,即3、或SF6、或者其中兩種或更多種的組合的含鹵素氣體，以及可以包括諸如CHF3、CH2F2等中的至少一種的氟代烴基化學(xué)成分(CxHyFz)以及惰性氣體、氧氣、CO或CO2中至少一種、或者其中兩種或更多種。在等離子體增強(qiáng)沉積期間，處理氣體可以包括成膜前驅(qū)體(film forming precursor)、還原性氣體、或惰性氣體、或者其中兩種或更多種的組合。
[0087]如圖1B所示，第一微波處理系統(tǒng)100可以包括壓力控制系統(tǒng)190和耦合至處理室110的端口 191，并被配置成排空處理室110，以及控制處理室110內(nèi)的壓力。此外，第一微波處理系統(tǒng)100可以包括用于將基片105安裝在處理空間115中的基片座120。
[0088]第一微波處理系統(tǒng)100的正視圖包括第一腔控制組件145a的局部正視圖，第一腔控制組件145a的局部正視圖被示出為耦合至第一腔調(diào)諧板146a的正視圖。第一腔控制組件145a和第一腔調(diào)諧板146a可以具有與其關(guān)聯(lián)的第一 x/z平面偏移(Zlaa),且第一 x/z平面偏移(Zlaa)可以從約Imm變化到約10mm。
[0089]第一腔控制組件145a可以用于將第一腔調(diào)諧板146a在第一 EM能量調(diào)諧空間169a內(nèi)移動(dòng)147a腔調(diào)諧距離148a?？刂破?95可以耦合196至腔控制組件145a，且控制器195可以利用工藝配方來建立、控制以及優(yōu)化腔調(diào)諧距離148a，以實(shí)時(shí)地控制和維持處理空間115內(nèi)的等離子體均勻性。例如,腔調(diào)諧距離148a可以從約0.0lmm變化到約10mm，且腔調(diào)諧距離148a可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約(λ/4)變化到約(10 λ )。
[0090]此外，第一微波處理系統(tǒng)100的正視圖包括第二腔控制組件145b的局部正視圖，第二腔控制組件145b的局部正視圖被示出為耦合至第二腔調(diào)諧板146b的正視圖。第二腔控制組件145b和第二腔調(diào)諧板146b可以具有與其關(guān)聯(lián)的第二 x/z平面偏移(zlba)，且第二x/z平面偏移(Zlba)可以從約Imm變化到約10mm。
[0091]第二腔控制組件145b可以用于將第二腔調(diào)諧板146b在第二 EM能量調(diào)諧空間169b內(nèi)移動(dòng)147b第二腔調(diào)諧距離148b?？刂破?95可以耦合196至第二腔控制組件145b，且控制器195可以利用工藝配方來建立、控制以及優(yōu)化第二腔調(diào)諧距離148b，以實(shí)時(shí)地控制和維持處理空間115內(nèi)的等離子體均勻性。例如，第二腔調(diào)諧距離148b可以從約0.0lmm變化到約10mm，且第二腔調(diào)諧距離148b可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約(λ/4)變化到約
(10入)。
[0092]圖1C示出了第一微波處理系統(tǒng)100中的處理室110的局部剖切側(cè)視圖。偵彳視圖示出了耦合至第一接口組件112a以及耦合至第二接口組件112b (由此生成處理室110中的處理空間115的局部剖切y/z平面視圖)的多個(gè)室壁112的y/z平面視圖。第一微波處理系統(tǒng)100可以被配置成在處理空間115中形成均勻等離子體。
[0093]圖1C中示出了第一腔組件168a中的第一 EM能量調(diào)諧空間169a的局部側(cè)視圖和第二腔組件168b中的第二 EM能量調(diào)諧空間169b的局部側(cè)視圖。圖1C中示出了第一等離子體調(diào)諧桿組(170a_170e)的局部側(cè)視圖、第一等離子體調(diào)諧板組(161a_161e)的局部側(cè)視圖、第二等離子體調(diào)諧桿組(170f-170j)的局部側(cè)視圖以及第二等離子體調(diào)諧板組(161f-161j)的局部側(cè)視圖。
[0094]圖1C中示出了第一隔離組件組(164a、164b、164c、164d和164e)和第二隔離組件組(164f、164g、164h、164i 和 164j)的側(cè)視圖。例如，第一隔離組件組(164a、164b、164c、164d和164e)可以用于將第一等離子體調(diào)諧桿組{(170a、170b、170c、170d和170e)和(175a、175b、175c、175d和175e)}以可移除的方式耦合至第一接口組件112a。第一隔離組件組(164a、164b、164c、164d和164e)中的每一個(gè)可以以可移除的方式耦合至第一接口組件112a。此外，第二隔離組件組(164f、164g、164h、164i和164j)可以用于將第二等離子體調(diào)諧桿組{(170f、170g、170h、170i 和 170j)和(175f、175g、175h、175i 和 175j)}以可移除的方式耦合至第二接口組件112b。第二隔離組件組(164f、164g、164h、164i和164j)中的每一個(gè)可以以可移除的方式耦合至第二接口組件112b。
[0095]如圖1C所示，第一等離子體調(diào)諧板組(161a、161b、161c、161d和161e)可以耦合至第一控制組件組(160a、160b、160c、160d和160e)，而第一控制組件組(160a、160b、160c、160d和160e)可以用于將第一等尚子體調(diào)諧板組(161a、16lb、161c、161d和161e)在第一EM能量調(diào)諧空間169a內(nèi)相對(duì)于EM調(diào)諧部分(175a、175b、175c、175d和175e)移動(dòng)(163a、163b、163c、163d 和 163e)第一 EM 調(diào)諧距離組(177a、177b、177c、177d 和 177e)。此外，第二等離子體調(diào)諧板組(161f、161g、161h、161i和161 j)可以耦合至第二控制組件組(160f、160g、160h、160i 和 160」)，而第二控制組件組(16(^、16(^、16011、1601 和 160j)可以用于將第二等離子體調(diào)諧板組(161f、161g、161h、161i和161 j)在第二 EM能量調(diào)諧空間169b內(nèi)相對(duì)于 EM 調(diào)諧部分(175f、175g、175h、175i 和 175 j )移動(dòng)(163f、163g、163h、163i 和 163 j )第二EM調(diào)諧距離組(177f、177g、177h、177i 和 177j)。
[0096]第一控制組件組(160a、160b、160c、160d和160e)可以耦合196至控制器195，而控制器195可以利用工藝配方來建立、控制以及優(yōu)化第一 EM調(diào)諧距離組(177a、177b、177c、177d和177e)，以控制處理空間115內(nèi)的等離子體均勻性。此外，第二控制組件組(160f、160g、160h、160i和160j)可以耦合196至控制器195，而控制器195可以利用工藝配方來建立、控制以及優(yōu)化第二 EM調(diào)諧距離組(177f、177g、177h、177i和177j)，以控制處理空間115內(nèi)的等離子體均勻性。
[0097]控制器195可以耦合196至EM源(150a、150b)、匹配網(wǎng)絡(luò)(152a、152b)、耦合網(wǎng)絡(luò)(154a、154b)以及腔組件(168a、168b)，并且控制器195可以利用工藝配方來建立、控制以及優(yōu)化EM源(150a、150b)、匹配網(wǎng)絡(luò)(152a、152b)、耦合網(wǎng)絡(luò)(154a、154b)以及腔組件(168a、168b)，以控制處理空間115內(nèi)的等離子體均勻性。例如，EM源(150a、150b)可以在從約500MHz到約5000MHz的頻率工作。此外，控制器195可以耦合196至等離子體傳感器106、處理傳感器107和腔傳感器(108a和108b)，并且控制器195可以利用工藝配方來建立、控制以及優(yōu)化來自等離子體傳感器106、處理傳感器107和腔傳感器(108a和108b)的數(shù)據(jù)，以控制處理空間115內(nèi)的等離子體均勻性。
[0098]側(cè)視圖示出了具有在y/z平面中與其關(guān)聯(lián)的總寬度(yT)和總高度(Zt)的處理室110?？倢挾?yT)可以從約50mm變化到約500mm,而總高度(ζτ)可以從約50mm變化到約500mmo
[0099]圖2A示出了第二微波處理系統(tǒng)200中的第二處理室210的局部剖切頂視圖。頂視圖示出了第一接口組件212a、第二接口組件212b以及耦合到第一接口組件212a和第二接口組件212b而由此形成第二處理室210的多個(gè)附加室壁212的x/y平面視圖。例如，室壁212可以具有與其關(guān)聯(lián)的壁厚(t)，而壁厚(t)可以從約Imm變化到約5mm。第一接口組件212a可以具有與其關(guān)聯(lián)的第一接口厚度(tn)，而第一接口厚度(tn)可以從約Imm變化到約10mm。第二接口組件212b可以具有與其關(guān)聯(lián)的第二接口厚度(ti2)，而第二接口厚度(ti2)可以從約Imm變化到約10mm。處理空間215可以具有與其關(guān)聯(lián)的長(zhǎng)度(χτ)，而長(zhǎng)度(χτ)可以從約10_變化到約500mm。
[0100]第二微波處理系統(tǒng)200的頂視圖示出了在其中具有第一 EM能量調(diào)諧空間269a的第一腔組件268a的剖切視圖，而第一腔組件268a可以包括第一腔壁265a、第二腔壁266a、至少一個(gè)第三腔壁267a以及一個(gè)或多個(gè)附加腔壁(未示出)。例如，第一腔組件268a可以利用第一腔壁265a耦合至第一接口組件212a，而壁(265a、266a和267a)可以包括介電材料并可以具有與其關(guān)聯(lián)的壁厚(ta)，并且壁厚(ta)可以從約Imm變化到約5mm。此外，第一 EM能量調(diào)諧空間269a可以具有與其關(guān)聯(lián)的第一長(zhǎng)度(Xna)和第一寬度(yla)，第一長(zhǎng)度(Xna)可以從約1mm變化到約500mm,而第一寬度(yla)可以從約5mm變化到約50mm。
[0101]第二微波處理系統(tǒng)200的頂視圖也示出了在其中具有第二 EM能量調(diào)諧空間269b的第二腔組件268b的剖切視圖，且第二腔組件268b可以包括第一腔壁265b、第二腔壁266b、至少一個(gè)第三腔壁267b以及一個(gè)或多個(gè)附加腔壁(未示出)。例如，第二腔組件268b可以利用第一腔壁265b耦合至第二接口組件212b，而壁(265b、266b和267b)可以包括介電材料并可以具有與其關(guān)聯(lián)的壁厚(tb)，而且壁厚(tb)可以從約Imm變化到約5mm。此外，第二 EM能量調(diào)諧空間269b可以具有與其關(guān)聯(lián)的第二長(zhǎng)度(Xnb)和第二寬度(ylb)，第二長(zhǎng)度(xTib)可以從約1mm變化到約500mm,而第二寬度(ylb)可以從約5mm變化到約50mm。
[0102]在一些示例性系統(tǒng)中，第一隔離組件組(264a、264b、264c和264d)可以以可移除的方式耦合至第一接口組件212a，并可以被配置成隔離處理空間215與第一 EM能量調(diào)諧空間269a。第一隔離組件組(264a、264b、264c和264d)可以用于將第一等離子體調(diào)諧桿組{(270a、270b、270c 和 270d)和(275a、275b、275c、275d)}以可移除的方式耦合至第一接口組件212a。例如，第一等離子體調(diào)諧部分組(270a、270b、270c和270d)可以被配置于處理空間215中，而第一 EM調(diào)諧部分組(275a、275b、275c和275d)可以被配置在第一 EM能量調(diào)諧空間269a內(nèi)。
[0103]第二隔離組件組(264e、264f、264g和264h)可以以可移除的方式耦合至第二接口組件212b，并可以被配置成隔離處理空間215與第二 EM能量調(diào)諧空間269b。第二隔離組件組(264e、264f、264g和264h)可以用于將第二等離子體調(diào)諧桿組{(270e、270f、270g和270h)和(275e、275f、275g和275h)}以可移除的方式耦合至第二接口組件212b。例如，第二等離子體調(diào)諧部分組(270e、270f、270g和270h)可以被配置于處理空間215中，而第二EM調(diào)諧部分組(275e、275f、275g和275h)可以被配置在第二 EM能量調(diào)諧空間269b內(nèi)。
[0104]仍參考圖2A，第一等離子體調(diào)諧桿(270a、275a)可以包括介電材料，并可以具有第一等離子體調(diào)諧部分270a，第一等離子體調(diào)諧部分270a可以向處理空間215中延伸第一等離子體調(diào)諧距離271a到達(dá)利用(X2a)所限定的第一位置。第一等離子體調(diào)諧距離271a可以從約1mm變化到約400mm。
[0105]可以在第一腔組件268a中所建立的第一 EM能量調(diào)諧空間269a內(nèi)將第一 EM耦合區(qū)域262a建立在與第一腔壁265a相距第一 EM耦合距離276a處，并且第一 EM調(diào)諧部分275a可以延伸至第一 EM耦合區(qū)域262a中。第一 EM調(diào)諧部分275a可以從第一 EM耦合區(qū)域262a獲得第一微波能量，并且第一微波能量可以利用第一等離子體調(diào)諧部分270a而被傳送到處理空間215的第一位置(X2a)處。第一 EM耦合區(qū)域262a可以包括最大場(chǎng)區(qū)域、最大電壓區(qū)域、最大能量區(qū)域、或最大電流區(qū)域、或者其任意組合。例如，第一 EM耦合距離276a可以從約0.0lmm變化到約10mm，而且第一 EM耦合距離276a可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約U/4)變化到約(10 λ)。
[0106]第一等離子體調(diào)諧板261a可以包括介電材料，可以耦合至第一控制組件260a，并可以用于在第一 EM能量調(diào)諧空間269a內(nèi)將第一等離子體調(diào)諧板261a相對(duì)于第一等離子體調(diào)諧桿(270a、275a)的第一 EM調(diào)諧部分275a移動(dòng)263a第一 EM調(diào)諧距離277a。第一控制組件260a和第一等離子體調(diào)諧板261a可以用于對(duì)從第一 EM耦合區(qū)域262a耦合到第一等離子體調(diào)諧桿(270a、275a)的第一 EM調(diào)諧部分275a的微波能量進(jìn)行優(yōu)化。例如，可以在第一 EM能量調(diào)諧空間269a內(nèi)的第一 EM調(diào)諧部分275a和第一等離子體調(diào)諧板261a之間建立第一 EM調(diào)諧距離277a，而第一 EM調(diào)諧距離277a可以從約0.0lmm變化到約1mm。
[0107]第一等離子體調(diào)諧桿(270a、275a)可以具有與其關(guān)聯(lián)的第一直徑(dla)，第一直徑(dla)可以從約0.0lmm變化到約1mm。第一等離子體調(diào)諧板261a可以具有與其關(guān)聯(lián)的第一直徑(Dla)，第一直徑(Dla)可以從約Imm變化到約10mm。第一 EM耦合區(qū)域262a、第一控制組件260a和第一等離子體調(diào)諧板261a可以具有與其關(guān)聯(lián)的第一 x/y平面偏移(xla)，而第一x/y平面偏移(Xla)可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約四分之一波長(zhǎng)(λ/4)變化到約(10λ )。第一控制組件260a可以包括介電材料，可以具有圓柱形結(jié)構(gòu)以及可以從約Imm變化到約5mm的直徑(dla)。
[0108]第二等離子體調(diào)諧桿(270b、275b)可以包括介電材料，并可以具有第二等離子體調(diào)諧部分270b，第二等離子體調(diào)諧部分270b可以向處理空間215中延伸第二等離子體調(diào)諧距離271b到達(dá)利用(X2b)所限定的第二位置。例如，第二等離子體調(diào)諧距離271b可以從約10mm變化到約400mm。
[0109]可以在第一腔組件268a中所建立的第一 EM能量調(diào)諧空間269a內(nèi)將第二 EM耦合區(qū)域262b建立在與第一腔壁265a相距第二 EM耦合距離276b處，并且第二 EM調(diào)諧部分275b可以延伸至第二 EM耦合區(qū)域262b中。第二 EM調(diào)諧部分275b可以從第二 EM耦合區(qū)域262b獲得第二微波能量，而第二微波能量可以利用第二等離子體調(diào)諧部分270b而被傳送到處理空間215的第二位置(Xlb)處。第二 EM耦合區(qū)域262b可以包括最大場(chǎng)區(qū)域、最大電壓區(qū)域、最大能量區(qū)域、或最大電流區(qū)域、或者其任意組合。例如，第二 EM耦合距離276b可以從約0.0lmm變化到約10mm，而且第二 EM耦合距離276b可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約(λ/4)變化到約(10 λ )。
[0110]第二等離子體調(diào)諧板261b可以包括介電材料，可以耦合至第二控制組件260b，并可以用于在第一 EM能量調(diào)諧空間269a內(nèi)將第二等離子體調(diào)諧板261b相對(duì)于第二等離子體調(diào)諧桿(270b、275b)的第二 EM調(diào)諧部分275b移動(dòng)263b第二 EM調(diào)諧距離277b。第二控制組件260b和第二等離子體調(diào)諧板261b可以用于對(duì)從第二 EM耦合區(qū)域262b耦合到第二等離子體調(diào)諧桿(270b、275b)的第二 EM調(diào)諧部分275b的微波能量進(jìn)行優(yōu)化。例如，可以在第一 EM能量調(diào)諧空間269a內(nèi)的第二 EM調(diào)諧部分275b和第二等離子體調(diào)諧板261b之間建立第二 EM調(diào)諧距離277b，而第二 EM調(diào)諧距離277b可以從約0.0lmm變化到約1mm。
[0111]第二等離子體調(diào)諧桿(270b、275b)可以具有與其關(guān)聯(lián)的第二直徑(dlb)，第二直徑(dlb)可以從約0.0lmm變化到約1mm。第二等離子體調(diào)諧板261b可以具有與其關(guān)聯(lián)的第二直徑(Dlb)，第二直徑(Dlb)可以從約Imm變化到約10mm。第二 EM耦合區(qū)域262b、第二控制組件260b和第二等離子體調(diào)諧板261b可以具有與其關(guān)聯(lián)的第二 x/y平面偏移(xlb)，而第二x/y平面偏移(Xlb)可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約四分之一波長(zhǎng)(λ/4)變化到約(ΙΟλ )。第二控制組件260b可以包括介電材料，可以具有圓柱形結(jié)構(gòu)和可以從約Imm變化到約5mm的直徑(dlb)。
[0112]第三等離子體調(diào)諧桿(270c、275c)可以包括介電材料，并可以具有第三等離子體調(diào)諧部分270c，第三等離子體調(diào)諧部分270c可以向處理空間215中延伸第三等離子體調(diào)諧距離271c到達(dá)利用(X2e)所限定的第三位置。例如，第三等離子體調(diào)諧距離271c可以從約10mm變化到約400mm。
[0113]可以在第一腔組件268a中所建立的第一 EM能量調(diào)諧空間269a內(nèi)將第三EM耦合區(qū)域262c建立在與第一腔壁265a相距第三EM耦合距離276c處，并且第三EM調(diào)諧部分275c可以延伸至第三EM耦合區(qū)域262c中。第三EM調(diào)諧部分275c可以從第三EM耦合區(qū)域262c獲得第三微波能量，而第三微波能量可以利用第三等離子體調(diào)諧部分270c而被傳送到處理空間215的第三位置(X2e)處。第三EM耦合區(qū)域262c可以包括最大場(chǎng)區(qū)域、最大電壓區(qū)域、最大能量區(qū)域、或最大電流區(qū)域、或者其任意組合。例如，第三EM耦合距離276c可以從約0.0lmm變化到約10mm，而且第三EM耦合距離276c可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約(λ/4)變化到約(10 λ )。
[0114]第三等離子體調(diào)諧板261c可以包括介電材料，可以耦合至第三控制組件260c，并可以用于在第一 EM能量調(diào)諧空間269a內(nèi)將第三等離子體調(diào)諧板261c相對(duì)于第三等離子體調(diào)諧桿(270c、275c)的第三EM調(diào)諧部分275c移動(dòng)263c第三EM調(diào)諧距離277c。第三控制組件260c和第三等離子體調(diào)諧板261c可以用于對(duì)從第三EM耦合區(qū)域262c耦合到第三等離子體調(diào)諧桿(270c、275c)的第三EM調(diào)諧部分275c的微波能量進(jìn)行優(yōu)化。例如，可以在第一 EM能量調(diào)諧空間269a內(nèi)的第三EM調(diào)諧部分275c和第三等離子體調(diào)諧板261c之間建立第三EM調(diào)諧距離277c，而第三EM調(diào)諧距離277c可以從約0.0lmm變化到約1mm。
[0115]第三等離子體調(diào)諧桿(270c、275c)可以具有與其關(guān)聯(lián)的第三直徑(dlc;)，第三直徑(dlc;)可以從約0.0lmm變化到約1mm。第三等離子體調(diào)諧板261c可以具有與其關(guān)聯(lián)的第三直徑(Dle),第三直徑(Dle)可以從約Imm變化到約10mm。第三EM耦合區(qū)域262c、第三控制組件260c和第三等離子體調(diào)諧板261c可以具有與其關(guān)聯(lián)的第三x/y平面偏移(xle)，而第三x/y平面偏移(Xl。)可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約四分之一波長(zhǎng)(λ/4)變化到約(10入)。第三控制組件260c可以包括介電材料，可以具有圓柱形結(jié)構(gòu)和可以從約Imm變化到約5mm的直徑(dlc;)。
[0116]第四等離子體調(diào)諧桿(270d、275d)可以包括介電材料，并可以具有第四等離子體調(diào)諧部分270d，第四等離子體調(diào)諧部分270d可以向處理空間215中延伸第四等離子體調(diào)諧距離271d到達(dá)利用(X2d)所限定的第四位置。例如，第四等離子體調(diào)諧距離271d可以從約10mm變化到約400mm。
[0117]可以在第一腔組件268a中所建立的第一 EM能量調(diào)諧空間269a內(nèi)將第四EM耦合區(qū)域262d建立在與第一腔壁265a相距第四EM耦合距離276d處，并且第四EM調(diào)諧部分275d可以延伸至第四EM耦合區(qū)域262d中。第四EM調(diào)諧部分275d可以從第四EM耦合區(qū)域262d獲得第四微波能量，而第四微波能量可以利用第四等離子體調(diào)諧部分270d而被傳送到處理空間215的第四位置(X2d)處。第四EM耦合區(qū)域262d可以包括最大場(chǎng)區(qū)域、最大電壓區(qū)域、最大能量區(qū)域、或最大電流區(qū)域、或者其任意組合。例如，第四EM耦合距離276d可以從約0.0lmm變化到約10mm，而且第四EM耦合距離276d可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約(λ/4)變化到約(10 λ )。
[0118]第四等離子體調(diào)諧板261d可以包括介電材料，可以耦合至第四控制組件260d，并可以用于在第一 EM能量調(diào)諧空間269a內(nèi)將第四等離子體調(diào)諧板261d相對(duì)于第四等離子體調(diào)諧桿(270d、275d)的第四EM調(diào)諧部分275d移動(dòng)263d第四EM調(diào)諧距離277d。第四控制組件260d和第四等離子體調(diào)諧板261d可以用于對(duì)從第四EM耦合區(qū)域262d耦合到第四等離子體調(diào)諧桿(270d、275d)的第四EM調(diào)諧部分275d的微波能量進(jìn)行優(yōu)化。例如，可以在第一 EM能量調(diào)諧空間269a內(nèi)的第四EM調(diào)諧部分275d和第四等離子體調(diào)諧板261d之間建立第四EM調(diào)諧距離277d，而第四EM調(diào)諧距離277d可以從約0.0lmm變化到約1mm。
[0119]第四等離子體調(diào)諧桿(270d、275d)可以具有與其關(guān)聯(lián)的第四直徑(dld)，第四直徑(dld)可以從約0.0lmm變化到約1mm。第四等離子體調(diào)諧板261d可以具有與其關(guān)聯(lián)的第四直徑(Dld)，第四直徑(Dld)可以從約Imm變化到約10mm。第四EM耦合區(qū)域262d、第四控制組件260d和第四等離子體調(diào)諧板261d可以具有與其關(guān)聯(lián)的第四x/y平面偏移(xld)，而第四x/y平面偏移(Xld)可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約四分之一波長(zhǎng)(λ/4)變化到約(10λ )。第四控制組件260d可以包括介電材料，可以具有圓柱形結(jié)構(gòu)和可以從約Imm變化到約5mm的直徑(dld)。
[0120]第五等離子體調(diào)諧桿(270e、275e)可以包括介電材料，并可以具有第五等離子體調(diào)諧部分270e，第五等離子體調(diào)諧部分270e可以向處理空間215中延伸第五等離子體調(diào)諧距離271e到達(dá)利用(X2e)所限定的第五位置。例如，第五等離子體調(diào)諧距離271e可以從約10mm變化到約400mm。
[0121]可以在第二腔組件268b中所建立的第二 EM能量調(diào)諧空間269b內(nèi)將第五EM耦合區(qū)域262e建立在與第一腔壁265b相距第五EM耦合距離276e處，并且第五EM調(diào)諧部分275e可以延伸至第五EM耦合區(qū)域262e中。第五EM調(diào)諧部分275e可以從第五EM耦合區(qū)域262e獲得第五微波能量，而第五微波能量可以利用第五等離子體調(diào)諧部分270e而被傳送到處理空間215的第五位置(X2e)處。第五EM耦合區(qū)域262e可以包括最大場(chǎng)區(qū)域、最大電壓區(qū)域、最大能量區(qū)域、或最大電流區(qū)域、或者其任意組合。例如，第五EM耦合距離276e可以從約0.0lmm變化到約10mm，而且第五EM耦合距離276e可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約(λ/4)變化到約(10 λ )。
[0122]第五等離子體調(diào)諧板261e可以包括介電材料，可以耦合至第五控制組件260e，并可以用于在第一 EM能量調(diào)諧空間269a內(nèi)將第五等離子體調(diào)諧板261e相對(duì)于第五等離子體調(diào)諧桿(270e、275e)的第五EM調(diào)諧部分275e移動(dòng)263e第五EM調(diào)諧距離277e。第五控制組件260e和第五等離子體調(diào)諧板261e可以用于對(duì)從第五EM耦合區(qū)域262e耦合到第五等離子體調(diào)諧桿(270e、275e)的第五EM調(diào)諧部分275e的微波能量進(jìn)行優(yōu)化。例如，可以在第二 EM能量調(diào)諧空間269b內(nèi)的第五EM調(diào)諧部分275e和第五等離子體調(diào)諧板261e之間建立第五EM調(diào)諧距離277e，而第五EM調(diào)諧距離277e可以從約0.0lmm變化到約1mm。
[0123]第五等離子體調(diào)諧桿(270e、275e)可以具有與其關(guān)聯(lián)的第五直徑(dle)，第五直徑(dle)可以從約0.0lmm變化到約1mm。第五等離子體調(diào)諧板261e可以具有與其關(guān)聯(lián)的第五直徑(Dle)，第五直徑(Dle)可以從約Imm變化到約10mm。第五EM耦合區(qū)域262e、第五控制組件260e和第五等離子體調(diào)諧板261e可以具有與其關(guān)聯(lián)的第五x/y平面偏移(xle)，而第五x/y平面偏移(χ1ε)可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約四分之一波長(zhǎng)(λ/4)變化到約(ΙΟλ )。第五控制組件260e可以包括介電材料，可以具有圓柱形結(jié)構(gòu)和可以從約Imm變化到約5mm的直徑(dle)。
[0124]仍參考圖2A，第六等離子體調(diào)諧桿(270f、275f)可以包括介電材料，并可以具有第六等離子體調(diào)諧部分270f，第六等離子體調(diào)諧部分270f可以向處理空間215中延伸第六等離子體調(diào)諧距離271f到達(dá)利用(X2f)所限定的第六位置。第六等離子體調(diào)諧距離271f可以從約1mm變化到約400mm。
[0125]可以在第二腔組件268b中所建立的第二 EM能量調(diào)諧空間269b內(nèi)將第六EM耦合區(qū)域262f建立在與第一腔壁265b相距第六EM耦合距離276f處，并且第六EM調(diào)諧部分275f可以延伸至第六EM耦合區(qū)域262f中。第六EM調(diào)諧部分275f可以從第六EM耦合區(qū)域262f獲得第六微波能量，而第六微波能量可以利用第六等離子體調(diào)諧部分270f而被傳送到處理空間215的第六位置(X2f)處。第六EM耦合區(qū)域262f可以包括最大場(chǎng)區(qū)域、最大電壓區(qū)域、最大能量區(qū)域、或最大電流區(qū)域、或者其任意組合。例如，第六EM耦合距離276f可以從約0.0lmm變化到約10mm，而且第六EM耦合距離276f可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約(λ/4)變化到約(10 λ )。
[0126]第六等離子體調(diào)諧板261f可以包括介電材料，可以耦合至第六控制組件260f，并可以用于在第二 EM能量調(diào)諧空間26%內(nèi)將第六等離子體調(diào)諧板261f相對(duì)于第六等離子體調(diào)諧桿(270f、275f)的第六EM調(diào)諧部分275f移動(dòng)263f第六EM調(diào)諧距離277f。第六控制組件260f和第六等離子體調(diào)諧板26If可以用于對(duì)從第六EM耦合區(qū)域262f耦合到第六等離子體調(diào)諧桿(270f、275f)的第六EM調(diào)諧部分275f的微波能量進(jìn)行優(yōu)化。例如，可以在第二 EM能量調(diào)諧空間269b內(nèi)的第六EM調(diào)諧部分275f和第六等離子體調(diào)諧板261f之間建立第六EM調(diào)諧距離277f，而第六EM調(diào)諧距離277f可以從約0.0lmm變化到約1mm。
[0127]第六等離子體調(diào)諧桿(270f、275f)可以具有與其關(guān)聯(lián)的第六直徑(dlf)，第六直徑(dlf)可以從約0.0lmm變化到約1mm。第六等離子體調(diào)諧板261f可以具有與其關(guān)聯(lián)的第六直徑(Dlf)，第六直徑(Dlf)可以從約Imm變化到約10mm。第六EM耦合區(qū)域262f、第六控制組件260f和第六等離子體調(diào)諧板261f可以具有與其關(guān)聯(lián)的第六x/y平面偏移(xlf)，而第六x/y平面偏移(Xlf)可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約四分之一波長(zhǎng)(λ/4)變化到約(ΙΟλ )。第六控制組件260f可以包括介電材料，可以具有圓柱形結(jié)構(gòu)和可以從約Imm變化到約5mm的直徑(dlf)。
[0128]第七等離子體調(diào)諧桿(270g、275g)可以包括介電材料，并可以具有第七等離子體調(diào)諧部分270g，第七等離子體調(diào)諧部分270g可以向處理空間215中延伸第七等離子體調(diào)諧距離271g到達(dá)利用(X2g)所限定的第七位置。第七等離子體調(diào)諧距離271g可以從約1mm變化到約400mm。
[0129]可以在第二腔組件268b中所建立的第二 EM能量調(diào)諧空間269b內(nèi)將第七EM耦合區(qū)域262g建立在與第一腔壁265b相距第七EM耦合距離276g處，并且第七EM調(diào)諧部分275g可以延伸至第七EM耦合區(qū)域262g中。第七EM調(diào)諧部分275g可以從第七EM耦合區(qū)域262g獲得第七微波能量，而第七微波能量可以利用第七等離子體調(diào)諧部分270g而被傳送到處理空間215的第七位置(X2g)處。第七EM耦合區(qū)域262g可以包括最大場(chǎng)區(qū)域、最大電壓區(qū)域、最大能量區(qū)域、或最大電流區(qū)域、或者其任意組合。例如，第七EM耦合距離276g可以從約0.0lmm變化到約10mm，而且第七EM耦合距離276g可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約(λ/4)變化到約(10 λ )。
[0130]第七等離子體調(diào)諧板261g可以包括介電材料，可以耦合至第七控制組件260g，并可以用于在第二 EM能量調(diào)諧空間26%內(nèi)將第七等離子體調(diào)諧板261g相對(duì)于第七等離子體調(diào)諧桿(270g、275g)的第七EM調(diào)諧部分275g移動(dòng)263g第七EM調(diào)諧距離277g。第七控制組件260g和第七等離子體調(diào)諧板26Ig可以用于對(duì)從第七EM耦合區(qū)域262g耦合到第七等離子體調(diào)諧桿(270g、275g)的第七EM調(diào)諧部分275g的微波能量進(jìn)行優(yōu)化。例如，可以在第二 EM能量調(diào)諧空間269b內(nèi)的第七EM調(diào)諧部分275g和第七等離子體調(diào)諧板261g之間建立第七EM調(diào)諧距離277g，而第七EM調(diào)諧距離277g可以從約0.0lmm變化到約1mm。
[0131]第七等離子體調(diào)諧桿(270g、275g)可以具有與其關(guān)聯(lián)的第七直徑(dlg)，第七直徑(dlg)可以從約0.0lmm變化到約1mm。第七等離子體調(diào)諧板261g可以具有與其關(guān)聯(lián)的第七直徑(Dlg)，第七直徑(Dlg)可以從約Imm變化到約10_。第七EM耦合區(qū)域262g、第七控制組件260g和第七等離子體調(diào)諧板261g可以具有與其關(guān)聯(lián)的第七x/y平面偏移(xlg)，而第七x/y平面偏移(Xlg)可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約四分之一波長(zhǎng)(λ/4)變化到約(10入)。第七控制組件260g可以包括介電材料,可以具有圓柱形結(jié)構(gòu)和可以從約1_變化到約5_的直徑(dlg)。
[0132]第八等離子體調(diào)諧桿(270h、275h)可以包括介電材料，并可以具有第八等離子體調(diào)諧部分270h，第八等離子體調(diào)諧部分270h可以向處理空間215中延伸第八等離子體調(diào)諧距離271h到達(dá)利用(X2h)所限定的第八位置。第八等離子體調(diào)諧距離271h可以從約1mm變化到約400mm。
[0133]可以在第二腔組件268b中所建立的第二 EM能量調(diào)諧空間269b內(nèi)將第八EM耦合區(qū)域262h建立在與第一腔壁265b相距第八EM耦合距離276h處，并且第八EM調(diào)諧部分275h可以延伸至第八EM耦合區(qū)域262h中。第八EM調(diào)諧部分275h可以從第八EM耦合區(qū)域262h獲得第八微波能量，而第八微波能量可以利用第八等離子體調(diào)諧部分270h而被傳送到處理空間215的第八位置(X2h)處。第八EM耦合區(qū)域262h可以包括最大場(chǎng)區(qū)域、最大電壓區(qū)域、最大能量區(qū)域、或最大電流區(qū)域、或者其任意組合。例如，第八EM耦合距離276h可以從約0.0lmm變化到約10mm，而且第八EM耦合距離276h可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約(λ/4)變化到約(10 λ )。
[0134]第八等離子體調(diào)諧板261h可以包括介電材料，可以耦合至第八控制組件260h，并可以用于在第二 EM能量調(diào)諧空間26%內(nèi)將第八等離子體調(diào)諧板261h相對(duì)于第八等離子體調(diào)諧桿(270h、275h)的第八EM調(diào)諧部分275h移動(dòng)263h第八EM調(diào)諧距離277h。第八控制組件260h和第八等離子體調(diào)諧板26Ih可以用于對(duì)從第八EM耦合區(qū)域262h耦合到第八等離子體調(diào)諧桿(270h、275h)的第八EM調(diào)諧部分275h的微波能量進(jìn)行優(yōu)化。例如，可以在第二 EM能量調(diào)諧空間269b內(nèi)的第八EM調(diào)諧部分275h和第八等離子體調(diào)諧板261h之間建立第八EM調(diào)諧距離277h，而第八EM調(diào)諧距離277h可以從約0.0lmm變化到約1mm。
[0135]第八等離子體調(diào)諧桿(270h、275h)可以具有與其關(guān)聯(lián)的第八直徑(dlh)，第八直徑(dlh)可以從約0.0lmm變化到約1mm。第八等離子體調(diào)諧板261h可以具有與其關(guān)聯(lián)的第八直徑(Dlh)，第八直徑(Dlh)可以從約Imm變化到約10mm。第八EM耦合區(qū)域262h、第八控制組件260h和第八等離子體調(diào)諧板261h可以具有與其關(guān)聯(lián)的第八x/y平面偏移(xlh)，而第八x/y平面偏移(Xlh)可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約四分之一波長(zhǎng)(λ/4)變化到約(ΙΟλ )。第八控制組件260h可以包括介電材料，可以具有圓柱形結(jié)構(gòu)和可以從約Imm變化到約5mm的直徑(dlh)。
[0136]第二微波處理系統(tǒng)200的頂視圖包括第一腔控制組件245a的頂視圖，第一腔控制組件245a的頂視圖被示出為耦合至第一腔調(diào)諧板246a的頂視圖。第一腔控制組件245a可以包括介電材料，并可以具有與其關(guān)聯(lián)的第一直徑(dlaa)，且第一直徑(dlaa)可以從約0.0lmm變化到約1mm。第一腔調(diào)諧板246a可以包括介電材料，并可以具有與其關(guān)聯(lián)的第二直徑(Dlaa),且第二直徑(Dlaa)可以從約Imm變化到約10mm。第一腔控制組件245a和第一腔調(diào)諧板246a可以具有與其關(guān)聯(lián)的第一 x/y平面偏移(ylaa)，而第一 x/y平面偏移(ylaa)可以從約Imm變化到約10mm。
[0137]此外，第二微波處理系統(tǒng)200的頂視圖包括第二腔控制組件245b的頂視圖，第二腔控制組件245b的頂視圖被示出耦合至第二腔調(diào)諧板246b的頂視圖。第二腔控制組件245b可以包括介電材料,并可以具有與其關(guān)聯(lián)的第一附加直徑(dlba),且第一附加直徑(dlba)可以從約0.0lmm變化到約1mm。第二腔調(diào)諧板246b可以包括介電材料，并可以具有與其關(guān)聯(lián)的第二附加直徑(Dlba),且第二附加直徑(Dlba)可以從約Imm變化到約10mm。第二腔控制組件245b和第二腔調(diào)諧板246b可以具有與其關(guān)聯(lián)的第二 x/y平面偏移(ylba)，且第二x/y平面偏移(ylba)可以從約Imm變化到約10mm。
[0138]圖2B示出了第二微波處理系統(tǒng)200中的第二處理室210的局部剖切正視圖。正視圖示出了彼此耦合(由此生成第二處理室210中的處理空間215的局部剖切正視圖)的多個(gè)附加壁212的x/z平面視圖。第二微波處理系統(tǒng)200可以被配置成在處理空間215中形成均勻的等離子體。
[0139]正視圖示出了在其中具有第一 EM能量調(diào)諧空間269a的第一腔組件268a的剖切視圖，而第一腔組件268a可以包括第一腔壁265a、第二腔壁266a、至少一個(gè)第三腔壁267a以及一個(gè)或多個(gè)附加腔壁(未示出)。例如，第一腔組件268a可以利用第一腔壁265a耦合至第一接口組件212a。正視圖也示出了在其中具有第二 EM能量調(diào)諧空間269b的第二腔組件268b的剖切視圖，而第二腔組件268b可以包括第一腔壁265b、第二腔壁266b、至少一個(gè)第三腔壁267b以及一個(gè)或多個(gè)附加腔壁(未示出)。例如，第二腔組件268b可以利用第一腔壁265b耦合至第二接口組件212b。
[0140]圖2B中示出了第一等離子體調(diào)諧桿組(270a_270d)的局部正視圖(虛線視圖)、第一等離子體調(diào)諧板組(261a-261d)的局部正視圖(虛線視圖)、第二等離子體調(diào)諧桿組(270e-270h)的局部正視圖(點(diǎn)線視圖)以及第二等離子體調(diào)諧板組(261e_261h)的局部正視圖(點(diǎn)線視圖)。
[0141]第一等離子體調(diào)諧桿組(270a_270d)和第一等離子體調(diào)諧板組(261a_261d)可以具有與其關(guān)聯(lián)的第一 x/y平面偏移組(x2a_d)，且第一 χ/y平面偏移組(x2a_d)可以從約1mm變化到約100mm。第一等離子體調(diào)諧桿組(270a_270d)和第一等離子體調(diào)諧板組(261a-261d)可以具有與其關(guān)聯(lián)的第一 x/z平面偏移組(zla_d)，且第一 x/z平面偏移組(zla_d)可以從約100_變化到約400_。
[0142]第二等離子體調(diào)諧桿組(270e-270h)和第二等離子體調(diào)諧板組(261e_261h)可以具有與其關(guān)聯(lián)的第二 x/y平面偏移組(x2e-h)，且第二 χ/y平面偏移組(Xfh)可以從約1mm變化到約100mm。第二等離子體調(diào)諧桿組(270e-270h)和第二等離子體調(diào)諧板組(261e-261h)可以具有與其關(guān)聯(lián)的第二 x/z平面偏移組(zle_h)，且第二 x/z平面偏移組(zie-h)可以從約100_變化到約400_。
[0143]圖2B示出了第二微波處理系統(tǒng)200可以包括一個(gè)或多個(gè)等離子體傳感器206，一個(gè)或多個(gè)等離子體傳感器206耦合至室壁212以獲得第一等離子體數(shù)據(jù)。此外，第二微波處理系統(tǒng)200可以被配置成處理200mm的基片、300mm的基片、或者更大尺寸的基片。此外，可以對(duì)圓柱形的、方形的和矩形的室各自進(jìn)行配置，以使得可以將第二微波處理系統(tǒng)200配置成對(duì)圓形、方形或矩形的基片、晶片、或LCD進(jìn)行處理而不論它們的尺寸是怎樣的，如本領(lǐng)域的技術(shù)人員將會(huì)理解的那樣。因此，雖然將要結(jié)合半導(dǎo)體基片的處理來描述本發(fā)明的各方面，但本發(fā)明并不僅僅局限于此。
[0144]如圖2B所示，第一 EM源250a可以耦合至第一腔組件268a，而第二 EM源250b可以耦合至第二腔組件268b。第一 EM源250a可以耦合至第一匹配網(wǎng)絡(luò)252a，而第一匹配網(wǎng)絡(luò)252a可以耦合至第一耦合網(wǎng)絡(luò)254a。第二 EM源250b可以耦合至第二匹配網(wǎng)絡(luò)252b，而第二匹配網(wǎng)絡(luò)252b可以耦合至第二耦合網(wǎng)絡(luò)254b。可選地，可以使用多個(gè)匹配網(wǎng)絡(luò)(未示出)或者多個(gè)稱合網(wǎng)絡(luò)(未示出)。
[0145]第一耦合網(wǎng)絡(luò)254a可以以可移除的方式耦合至第一腔組件268a，第一腔組件268a可以以可移除的方式耦合至處理室210的第一接口組件212a的上部。第一耦合網(wǎng)絡(luò)254a可以用于向第一腔組件268a中的第一 EM能量調(diào)諧空間269a提供微波能量。第二耦合網(wǎng)絡(luò)254b可以以可移除的方式耦合至第二腔組件268b，第二腔組件268b可以以可移除的方式耦合至處理室210的第二接口組件212b的上部。第二耦合網(wǎng)絡(luò)254b可以用于向第二腔組件268b中的第二 EM能量調(diào)諧空間26%提供附加微波能量?？蛇x地，可以使用其他EM耦合結(jié)構(gòu)。
[0146]如圖2B所示，控制器295可以耦合296至EM源(250a、250b)、匹配網(wǎng)絡(luò)(252a、252b)、耦合網(wǎng)絡(luò)(254a、254b)以及腔組件(268a、268b)，并且控制器295可以利用工藝配方來建立、控制以及優(yōu)化EM源(250a、250b)、匹配網(wǎng)絡(luò)(252a、252b)、耦合網(wǎng)絡(luò)(254a、254b)以及腔組件(268a、268b)，以控制處理空間215內(nèi)的等離子體均勻性。例如，EM源(250a、250b)可以在從約500MHz到約5000MHz的頻率工作。此外，控制器295可以耦合296至等離子體傳感器206和處理傳感器207，并且控制器295可以利用工藝配方來建立、控制以及優(yōu)化來自等離子體傳感器206和處理傳感器207的數(shù)據(jù)，以控制處理空間215內(nèi)的等離子體均勻性。
[0147]此外，控制器295可以耦合296至氣體供應(yīng)系統(tǒng)240、耦合至氣體供應(yīng)子組件241、以及耦合至氣體噴頭243。例如，氣體供應(yīng)系統(tǒng)240、氣體供應(yīng)子組件241以及氣體噴頭243可以被配置成將一種或多種處理氣體引至處理空間215，并可以包括流量控制和/或流量測(cè)量裝置。
[0148]在干法等離子體蝕刻期間，處理氣體可以包括蝕刻劑、鈍化劑、或惰性氣體、或者其中兩種或更多種的組合。例如，當(dāng)?shù)入x子體蝕刻諸如氧化硅(S1x)或氮化硅(SixNy)的介電薄膜時(shí)，等離子體蝕刻氣體成分通常包括諸如C4F8、C5F8、C3F6、C4F6XF4等中的至少一種的碳氟基化學(xué)成分(CxFy),和/或可以包括諸如CHF3、CH2F2等中的至少一種的氟代烴基化學(xué)成分(CxHyFz),以及可以具有惰性氣體、氧氣、⑶或CO2中的至少一種。此外，例如，當(dāng)蝕刻多晶硅(polysilicon)時(shí)，等離子體蝕刻氣體成分通常包括諸如HBr、Cl2,冊(cè)3、或SF6、或者其中兩種或更多種的組合的含鹵素氣體，以及可以包括諸如CHF3、CH2F2等中的至少一種的氟代烴基化學(xué)成分(CxHyFz)以及惰性氣體、氧氣、CO或CO2中至少一種、或者其中兩種或更多種。在等離子體增強(qiáng)沉積期間，處理氣體可以包括成膜前驅(qū)體、還原性氣體、或惰性氣體、或者其中兩種或更多種的組合。
[0149]如圖2B所示，第二微波處理系統(tǒng)200可以包括耦合至處理室210的端口 291和壓力控制系統(tǒng)290，并被配置成排空處理室210，以及控制處理室210內(nèi)的壓力。此外，第二微波處理系統(tǒng)200可以包括用于將基片205安裝在處理空間215中的基片座(substrateholder) 220。
[0150]第二微波處理系統(tǒng)200的正視圖包括第一腔控制組件245a的局部正視圖，第一腔控制組件245a的局部正視圖被示出為耦合至第一腔調(diào)諧板246a的正視圖。第一腔控制組件245a和第一腔調(diào)諧板246a可以具有與其關(guān)聯(lián)的第一 x/z平面偏移(zlaa),且第一 x/z平面偏移(Zlaa)可以從約Imm變化到約10mm。
[0151]第一腔控制組件245a可以用于在第一 EM能量調(diào)諧空間269a內(nèi)將第一腔調(diào)諧板246a移動(dòng)247a腔調(diào)諧距離248a?？刂破?95可以耦合296至腔控制組件245a，且控制器295可以利用工藝配方來建立、控制以及優(yōu)化腔調(diào)諧距離248a，以實(shí)時(shí)地控制和維持處理空間215內(nèi)的等離子體均勻性。例如,腔調(diào)諧距離248a可以從約0.0lmm變化到約10mm，且腔調(diào)諧距離248a可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約(λ /4)變化到約(10 λ )。
[0152]此外，第二微波處理系統(tǒng)200的正視圖包括第二腔控制組件245b的局部正視圖，第二腔控制組件245b的局部正視圖被示出耦合至第二腔調(diào)諧板246b的正視圖。第二腔控制組件245b和第二腔調(diào)諧板246b可以具有與其關(guān)聯(lián)的第二 x/z平面偏移(zlba)，第二 x/z平面偏移(Zlba)可以從約Imm變化到約10mm。
[0153]第二腔控制組件245b可以用于將第二腔調(diào)諧板246b在第二 EM能量調(diào)諧空間269b內(nèi)移動(dòng)247b第二腔調(diào)諧距離248b?？刂破?95可以耦合296至第二腔控制組件245b，且控制器295可以利用工藝配方來建立、控制以及優(yōu)化第二腔調(diào)諧距離248b，以實(shí)時(shí)地控制和維持處理空間215內(nèi)的等離子體均勻性。例如，第二腔調(diào)諧距離248b可以從約0.0lmm變化到約10mm，且第二腔調(diào)諧距離248b可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約(λ/4)變化到約
(10入)。
[0154]圖2C示出了第二微波處理系統(tǒng)200中的第二處理室210的局部剖切側(cè)視圖。側(cè)視圖示出了耦合至第一接口組件212a以及耦合至第二接口組件212b(由此創(chuàng)建處理室210中的處理空間215的局部剖切側(cè)視圖)的多個(gè)室壁212的y/z平面視圖。第二微波處理系統(tǒng)200可以被配置成在處理空間215中形成等離子體。
[0155]圖2C中示出了第一腔組件268a中的第一 EM能量調(diào)諧空間269a的局部側(cè)視圖和第二腔組件268b中的第二 EM能量調(diào)諧空間269b的局部側(cè)視圖。圖2C中示出了第一等離子體調(diào)諧桿組(270a-270d)的局部側(cè)視圖、第一等離子體調(diào)諧板組(261a_261d)的局部側(cè)視圖、第二等離子體調(diào)諧桿組(270e-270h)的局部側(cè)視圖以及第二等離子體調(diào)諧板組(261e-261h)的局部側(cè)視圖。
[0156]圖2C中也示出了第一隔離組件組(264a、264b、264c和264d)和第二隔離組件組(264e、264f、264g 和 264h)的側(cè)視圖。例如，第一隔離組件組(264a、264b、264c 和 264d)可以用于將第一等離子體調(diào)諧桿組{(270a、270b、270c和270d)和(275a、275b、275c和275d)}以可移除的方式耦合至第一接口組件212a。第一隔離組件組(264a、264b、264c和264d)中的每一個(gè)可以以可移除的方式耦合至第一接口組件212a。此外，第二隔離組件組(264e、264f、264g和264h)可以用于將第二等離子體調(diào)諧桿組{(270e、270f、270g和270h)和(275e、275f、275g和275h)}以可移除的方式耦合至第二接口組件212b。第二隔離組件組(264e、264f、264g和264h )中的每一個(gè)可以以可移除的方式耦合至第二接口組件212b。
[0157]如圖2C所示，第一等離子體調(diào)諧板組(261a、261b、261c和261d)可以耦合至第一控制組件組(260a、260b、260c和260d)，而第一控制組件組(260a、260b、260c和260d)可以用于在第一 EM能量調(diào)諧空間269a內(nèi)將第一等離子體調(diào)諧板組(261a、261b、261c和261d)相對(duì)于 EM 調(diào)諧部分(275a、275b、275c 和 275d)移動(dòng)(263a、263b、263c 和 263d)第一 EM 調(diào)諧距離組(277a、277b、277c和277d)。此外，第二等離子體調(diào)諧板組(261e、261f、261g和261h)可以耦合至第二控制組件組(260e、260f、260g和260h)，而第二控制組件組(260e、260f、260g和260h)可以用于在第二 EM能量調(diào)諧空間269b內(nèi)將第二等離子體調(diào)諧板組(261e、261f、261g和 261h)相對(duì)于 EM調(diào)諧部分(275e、275f、275g 和 275h)移動(dòng)(263e、263f、263g 和 263h)第二 EM 調(diào)諧距離組(277e、277f、277g 和 277h)。
[0158]第一控制組件組(260a、260b、260c和260d)可以耦合296至控制器295，而控制器295可以利用工藝配方來建立、控制以及優(yōu)化第一 EM調(diào)諧距離組(277a、277b、277c和277d)，以控制處理空間215內(nèi)的等離子體均勻性。此外，第二控制組件組(260e、260f、260g和260h)可以耦合296至控制器295，而控制器295可以利用工藝配方來建立、控制以及優(yōu)化第二 EM調(diào)諧距離組(277e、277f、277g和277h)，以控制處理空間215內(nèi)的等離子體均勻性。
[0159]控制器295可以耦合296至EM源(250a、250b)、匹配網(wǎng)絡(luò)(252a、252b)、耦合網(wǎng)絡(luò)(254a、254b)以及腔組件(268a、268b)，并且控制器295可以利用工藝配方來建立、控制以及優(yōu)化EM源(250a、250b)、匹配網(wǎng)絡(luò)(252a、252b)、耦合網(wǎng)絡(luò)(254a、254b)以及腔組件(268a、268b)，以控制處理空間215內(nèi)的等離子體均勻性。例如，EM源(250a、250b)可以在從約500MHz到約5000MHz的頻率工作。此外，控制器295可以耦合296至等離子體傳感器206、處理傳感器207和腔傳感器(208a和208b)，并且控制器295可以利用工藝配方來建立、控制以及優(yōu)化來自等離子體傳感器206、處理傳感器207和腔傳感器(208a和208b)的數(shù)據(jù)，以控制處理空間215內(nèi)的等離子體均勻性。
[0160]側(cè)視圖示出了具有在y/z平面中與其關(guān)聯(lián)的總寬度(yT)和總高度(Zt)的處理室210。例如，總寬度(yT)可以從約50mm變化到約500mm,而總高度(ζτ)可以從約50mm變化到約500mm。
[0161]圖3A示出了第三微波處理系統(tǒng)300中的第三處理室310的局部剖切頂視圖。頂視圖示出了第一接口組件312a、第二接口組件312b以及耦合到第一接口組件312a和第二接口組件312b而由此形成第三處理室310的多個(gè)附加室壁312的x/y平面視圖。例如，室壁312可以具有與其關(guān)聯(lián)的壁厚(t)，而壁厚(t)可以從約Imm變化到約5mm。第一接口組件312a可以具有與其關(guān)聯(lián)的第一接口厚度(tn)，而第一接口厚度(tn)可以從約Imm變化到約10mm。第二接口組件312b可以具有與其關(guān)聯(lián)的第二接口厚度(ti2)，而第二接口厚度(ti2)可以從約Imm變化到約10mm。處理空間315可以具有與其關(guān)聯(lián)的長(zhǎng)度(χτ)，而長(zhǎng)度(χτ)可以從約10_變化到約500mm。
[0162]第三微波處理系統(tǒng)300的頂視圖示出了在其中具有第一 EM能量調(diào)諧空間369a的第一腔組件368a的剖切視圖，而第一腔組件368a可以包括第一腔壁365a、第二腔壁366a、至少一個(gè)第三腔壁367a以及一個(gè)或多個(gè)附加腔壁(未示出)。例如，第一腔組件368a可以利用第一腔壁365a耦合至第一接口組件312a，而壁(365a、366a和367a)可以包括介電材料并可以具有與其關(guān)聯(lián)的壁厚(ta)，而且壁厚(ta)可以從約Imm變化到約5mm。此外，第一 EM能量調(diào)諧空間369a可以具有與其關(guān)聯(lián)的第一長(zhǎng)度(Xna)和第一寬度(yla)，第一長(zhǎng)度(Xna)可以從約1mm變化到約500mm,而第一寬度(yla)可以從約5mm變化到約50mm。
[0163]第三微波處理系統(tǒng)300的頂視圖也示出了在其中具有第二 EM能量調(diào)諧空間369b的第二腔組件368b的剖切視圖，且第二腔組件368b可以包括第一腔壁365b、第二腔壁366b、至少一個(gè)第三腔壁367b以及一個(gè)或多個(gè)附加腔壁(未示出)。例如，第二腔組件368b可以利用第一腔壁365b耦合至第二接口組件312b，而壁(365b、366b和367b)可以包括介電材料并可以具有與其關(guān)聯(lián)的壁厚(tb)，而且壁厚(tb)可以從約Imm變化到約5mm。此外，第二 EM能量調(diào)諧空間369b可以具有與其關(guān)聯(lián)的第二長(zhǎng)度(Xnb)和第二寬度(ylb)，第二長(zhǎng)度(xTib)可以從約1mm變化到約500mm,而第二寬度(ylb)可以從約5mm變化到約50mm。
[0164]在一些示例性系統(tǒng)中，第一隔離組件組(364a、364b和364c)可以以可移除的方式耦合至第一接口組件312a，并可以被配置成隔離處理空間315與第一 EM能量調(diào)諧空間369a。第一隔離組件組(364a、364b和364c)可以用于將第一等離子體調(diào)諧桿組{(370a、370b和370c)和(375a、375b和375c)}以可移除的方式耦合至第一接口組件312a。例如，第一等離子體調(diào)諧部分組(370a、370b和370c)可以被配置于處理空間315中，而第一 EM調(diào)諧部分組(375a、375b和375c)可以被配置在第一 EM能量調(diào)諧空間269a內(nèi)。
[0165]第二隔離組件組(364d、364e和364f)可以以可移除的方式耦合至第二接口組件312b，并可以被配置成隔離處理空間315與第二 EM能量調(diào)諧空間369b。第二隔離組件組(364d、364e和364f)可以用于將第二等離子體調(diào)諧桿組{(370d、370e和370f)和(375d、375e和375f)}以可移除的方式耦合至第二接口組件312b。例如，第二等離子體調(diào)諧部分組(370d、370e和370f)可以被配置于處理空間315中，而第二 EM調(diào)諧部分組(375d、375e和375f )可以被配置在第二 EM能量調(diào)諧空間369b內(nèi)。
[0166]仍參考圖3A，第一等離子體調(diào)諧桿(370a、375a)可以包括介電材料，并可以具有第一等離子體調(diào)諧部分370a，第一等離子體調(diào)諧部分370a可以向處理空間315中延伸第一等離子體調(diào)諧距離371a到達(dá)利用(X2a)所限定的第一位置。第一等離子體調(diào)諧距離371a可以從約1mm變化到約400mm。
[0167]可以在第一腔組件368a中所建立的第一 EM能量調(diào)諧空間369a內(nèi)將第一 EM耦合區(qū)域362a建立在與第一腔壁365a相距第一 EM耦合距離376a處，并且第一 EM調(diào)諧部分375a可以延伸至第一 EM耦合區(qū)域362a中。第一 EM調(diào)諧部分375a可以從第一 EM耦合區(qū)域362a獲得第一微波能量，并且第一微波能量可以利用第一等離子體調(diào)諧部分370a而被傳送到處理空間315的第一位置(X2a)處。第一 EM耦合區(qū)域362a可以包括最大場(chǎng)區(qū)域、最大電壓區(qū)域、最大能量區(qū)域、或最大電流區(qū)域、或者其任意組合。例如，第一 EM耦合距離376a可以從約0.0lmm變化到約10mm，而且第一 EM耦合距離376a可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約U/4)變化到約(10 λ)。
[0168]第一等離子體調(diào)諧板361a可以包括介電材料，可以耦合至第一控制組件360a，并可以用于在第一 EM能量調(diào)諧空間369a內(nèi)將第一等離子體調(diào)諧板361a相對(duì)于第一等離子體調(diào)諧桿(370a、375a)的第一 EM調(diào)諧部分375a移動(dòng)363a第一 EM調(diào)諧距離377a。第一控制組件360a和第一等離子體調(diào)諧板361a可以用于對(duì)從第一 EM耦合區(qū)域362a耦合到第一等離子體調(diào)諧桿(370a、375a)的第一 EM調(diào)諧部分375a的微波能量進(jìn)行優(yōu)化。例如，可以在第一 EM能量調(diào)諧空間369a內(nèi)的第一 EM調(diào)諧部分375a和第一等離子體調(diào)諧板361a之間建立第一 EM調(diào)諧距離377a，而第一 EM調(diào)諧距離377a可以從約0.0lmm變化到約1mm。
[0169]第一等離子體調(diào)諧桿(370a、375a)可以具有與其關(guān)聯(lián)的第一直徑(dla)，第一直徑(dla)可以從約0.0lmm變化到約1mm。第一等離子體調(diào)諧板361a可以具有與其關(guān)聯(lián)的第一直徑(Dla)，第一直徑(dla)可以從約Imm變化到約10mm。第一 EM耦合區(qū)域362a、第一控制組件360a和第一等離子體調(diào)諧板361a可以具有與其關(guān)聯(lián)的第一 x/y平面偏移(xla)，而第一x/y平面偏移(Xla)可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約四分之一波長(zhǎng)(λ/4)變化到約(10λ )。第一控制組件360a可以包括介電材料,可以具有圓柱形結(jié)構(gòu)和可以從約Imm變化到約5mm的直徑(dla)。
[0170]第二等離子體調(diào)諧桿(370b、375b)可以具有第二等離子體調(diào)諧部分370b，第二等離子體調(diào)諧部分370b可以向處理空間315中延伸第二等離子體調(diào)諧距離371b到達(dá)利用(x2b)所限定的第二位置。例如，第二等離子體調(diào)諧距離371b可以從約1mm變化到約400mm。
[0171]可以在第一腔組件368a中所建立的第一 EM能量調(diào)諧空間369a內(nèi)將第二 EM耦合區(qū)域362b建立在與第一腔壁365a相距第二 EM耦合距離376b處，并且第二 EM調(diào)諧部分375b可以延伸至第二 EM耦合區(qū)域362b中。第二 EM調(diào)諧部分375b可以從第二 EM耦合區(qū)域362b獲得第二微波能量，而第二微波能量可以利用第二等離子體調(diào)諧部分370b而被傳送到處理空間315的第二位置(Xlb)處。第二 EM耦合區(qū)域362b可以包括最大場(chǎng)區(qū)域、最大電壓區(qū)域、最大能量區(qū)域、或最大電流區(qū)域、或者其任意組合。例如，第二 EM耦合距離376b可以從約0.0lmm變化到約10mm，而且第二 EM耦合距離376b可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約(λ/4)變化到約(10 λ )。
[0172]第二等離子體調(diào)諧板361b可以包括介電材料，可以耦合至第二控制組件360b，并可以用于在第一 EM能量調(diào)諧空間369a內(nèi)將第二等離子體調(diào)諧板361b相對(duì)于第二等離子體調(diào)諧桿(370b、375b)的第二 EM調(diào)諧部分375b移動(dòng)363b第二 EM調(diào)諧距離377b。第二控制組件360b和第二等離子體調(diào)諧板361b可以用于對(duì)從第二 EM耦合區(qū)域362b耦合到第二等離子體調(diào)諧桿(370b、375b)的第二 EM調(diào)諧部分375b的微波能量進(jìn)行優(yōu)化。例如，可以在第一 EM能量調(diào)諧空間369a內(nèi)的第二 EM調(diào)諧部分375b和第二等離子體調(diào)諧板361b之間建立第二 EM調(diào)諧距離377b，而第二 EM調(diào)諧距離377b可以從約0.0lmm變化到約1mm。
[0173]第二等離子體調(diào)諧桿(370b、375b)可以具有與其關(guān)聯(lián)的第二直徑(dlb)、，第二直徑(dlb)可以從約0.0lmm變化到約1mm。第二等離子體調(diào)諧板361b可以具有與其關(guān)聯(lián)的第二直徑(Dlb)，第二直徑(Dlb)可以從約Imm變化到約10mm。第二 EM耦合區(qū)域362b、第二控制組件360b和第二等離子體調(diào)諧板361b可以具有與其關(guān)聯(lián)的第二 x/y平面偏移(xlb)，而第二x/y平面偏移(Xlb)可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約四分之一波長(zhǎng)(λ/4)變化到約(10λ )。第二控制組件360b可以包括介電材料,可以具有圓柱形結(jié)構(gòu)和可以從約Imm變化到約5mm的直徑(dlb)。
[0174]第三等離子體調(diào)諧桿(370c、375c)可以包括介電材料，并可以具有第三等離子體調(diào)諧部分370c，第三等離子體調(diào)諧部分370c可以向處理空間315中延伸第三等離子體調(diào)諧距離371c、到達(dá)利用(X2e)所限定的第三位置。例如，第三等離子體調(diào)諧距離371c可以從約10mm變化到約400mm。
[0175]可以在第一腔組件368a中所建立的第一 EM能量調(diào)諧空間369a內(nèi)將第三EM耦合區(qū)域362c建立在與第一腔壁365a相距第三EM耦合距離376c處，并且第三EM調(diào)諧部分375c可以延伸至第三EM耦合區(qū)域362c中。第三EM調(diào)諧部分375c可以從第三EM耦合區(qū)域362c獲得第三微波能量，而第三微波能量可以利用第三等離子體調(diào)諧部分370c而被傳送到處理空間315的第三位置(X2e)處。第三EM耦合區(qū)域362c可以包括最大場(chǎng)區(qū)域、最大電壓區(qū)域、最大能量區(qū)域、或最大電流區(qū)域、或者其任意組合。第三EM耦合距離376c可以從約0.0 Imm變化到約10臟，而且第三EM耦合距離376c可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約(λ/4)變化到約(ΙΟλ )。
[0176]第三等離子體調(diào)諧板361c可以包括介電材料，可以耦合至第三控制組件360c，并可以用于在第一 EM能量調(diào)諧空間369a內(nèi)將第三等離子體調(diào)諧板361c相對(duì)于第三等離子體調(diào)諧桿(370c、375c)的第三EM調(diào)諧部分375c移動(dòng)363c第三EM調(diào)諧距離377c。第三控制組件360c和第三等離子體調(diào)諧板361c可以用于對(duì)從第三EM耦合區(qū)域362c耦合到第三等離子體調(diào)諧桿(370c、375c)的第三EM調(diào)諧部分375c的微波能量進(jìn)行優(yōu)化。例如，可以在第一 EM能量調(diào)諧空間369a內(nèi)的第三EM調(diào)諧部分375c和第三等離子體調(diào)諧板361c之間建立第三EM調(diào)諧距離377c，而第三EM調(diào)諧距離377c可以從約0.0lmm變化到約1mm。
[0177]第三等離子體調(diào)諧桿(370c、375c)可以具有與其關(guān)聯(lián)的第三直徑(dlc;)，第三直徑(dlc;)可以從約0.0lmm變化到約1mm。第三等離子體調(diào)諧板361c可以具有與其關(guān)聯(lián)的第三直徑(Dle),第三直徑(Dle)可以從約Imm變化到約10mm。第三EM耦合區(qū)域362c、第三控制組件360c和第三等離子體調(diào)諧板361c可以具有與其關(guān)聯(lián)的第三x/y平面偏移(xle)，而第三x/y平面偏移(Xl。)可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約四分之一波長(zhǎng)(λ/4)變化到約(10入)。例如，第三控制組件360c可以具有圓柱形結(jié)構(gòu)和可以從約Imm變化到約5mm的直徑(dlc)。
[0178]第四等離子體調(diào)諧桿(370d、375d)可以包括介電材料，并可以具有第四等離子體調(diào)諧部分370d，第四等離子體調(diào)諧部分370d可以向處理空間315中延伸第四等離子體調(diào)諧距離371d到達(dá)利用(X2d)所限定的第四位置。例如，第四等離子體調(diào)諧距離371d可以從約10mm變化到約400mm。
[0179]可以在第二腔組件368b中所建立的第二 EM能量調(diào)諧空間369b內(nèi)將第四EM耦合區(qū)域362d建立在與第一腔壁365b相距第四EM耦合距離376d處，并且第四EM調(diào)諧部分375d可以延伸至第四EM耦合區(qū)域362d中。第四EM調(diào)諧部分375d可以從第四EM耦合區(qū)域362d獲得第四微波能量，而第四微波能量可以利用第四等離子體調(diào)諧部分370d而被傳送到處理空間315的第四位置(X2d)處。第四EM耦合區(qū)域362d可以包括最大場(chǎng)區(qū)域、最大電壓區(qū)域、最大能量區(qū)域、或最大電流區(qū)域、或者其任意組合。例如，第四EM耦合距離376d可以從約0.0lmm變化到約10mm，而且第四EM耦合距離376d可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約(λ/4)變化到約(10 λ )。
[0180]第四等離子體調(diào)諧板361d可以包括介電材料，可以耦合至第四控制組件360d，并可以用于在第二 EM能量調(diào)諧空間36%內(nèi)將第四等離子體調(diào)諧板361d相對(duì)于第四等離子體調(diào)諧桿(370d、375d)的第四EM調(diào)諧部分375d移動(dòng)363d第四EM調(diào)諧距離377d。第四控制組件360d和第四等離子體調(diào)諧板361d可以用于對(duì)從第四EM耦合區(qū)域362d耦合到第四等離子體調(diào)諧桿(370d、375d)的第四EM調(diào)諧部分375d的微波能量進(jìn)行優(yōu)化。例如，可以在第二 EM能量調(diào)諧空間369b內(nèi)的第四EM調(diào)諧部分375d和第四等離子體調(diào)諧板361d之間建立第四EM調(diào)諧距離377d，而第四EM調(diào)諧距離377d可以從約0.0lmm變化到約1mm。
[0181]第四等離子體調(diào)諧桿(370d、375d)可以具有與其關(guān)聯(lián)的第四直徑(dld)，第四直徑(dld)可以從約0.0lmm變化到約1mm。第四等離子體調(diào)諧板361d可以具有與其關(guān)聯(lián)的第四直徑(Dld)，第四直徑(Dld)可以從約Imm變化到約10mm。第四EM耦合區(qū)域362d、第四控制組件360d和第四等離子體調(diào)諧板361d可以具有與其關(guān)聯(lián)的第四x/y平面偏移(xld)，而第四x/y平面偏移(Xld)可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約四分之一波長(zhǎng)(λ/4)變化到約(10λ )。第四控制組件360d可以包括介電材料，可以具有圓柱形結(jié)構(gòu)和可以從約Imm變化到約5mm的直徑(dld)。
[0182]第五等離子體調(diào)諧桿(370e、375e)可以包括介電材料，并可以具有第五等離子體調(diào)諧部分370e，第五等離子體調(diào)諧部分370e可以向處理空間315中延伸第五等離子體調(diào)諧距離371e到達(dá)利用(X2e)所限定的第五位置。例如，第五等離子體調(diào)諧距離371e可以從約10mm變化到約400mm。
[0183]可以在第二腔組件368b中所建立的第二 EM能量調(diào)諧空間369b內(nèi)將第五EM耦合區(qū)域362e建立在與第一腔壁365b相距第五EM耦合距離376e處，并且第五EM調(diào)諧部分375e可以延伸至第五EM耦合區(qū)域362e中。第五EM調(diào)諧部分375e可以從第五EM耦合區(qū)域362e獲得第五微波能量，而第五微波能量可以利用第五等離子體調(diào)諧部分370e而被傳送到處理空間315的第五位置(X2e)處。第五EM耦合區(qū)域362e可以包括最大場(chǎng)區(qū)域、最大電壓區(qū)域、最大能量區(qū)域、或最大電流區(qū)域、或者其任意組合。例如，第五EM耦合距離376e可以從約0.0lmm變化到約10mm，而且第五EM耦合距離376e可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約(λ/4)變化到約(10 λ )。
[0184]第五等離子體調(diào)諧板361e可以包括介電材料，可以耦合至第五控制組件360e，并可以用于在第一 EM能量調(diào)諧空間369a內(nèi)將第五等離子體調(diào)諧板361e相對(duì)于第五等離子體調(diào)諧桿(370e、375e)的第五EM調(diào)諧部分375e移動(dòng)363e第五EM調(diào)諧距離377e。第五控制組件360e和第五等離子體調(diào)諧板361e可以用于對(duì)從第五EM耦合區(qū)域362e耦合到第五等離子體調(diào)諧桿(370e、375e)的第五EM調(diào)諧部分375e的微波能量進(jìn)行優(yōu)化。例如，可以在第二 EM能量調(diào)諧空間369b內(nèi)的第五EM調(diào)諧部分375e和第五等離子體調(diào)諧板361e之間建立第五EM調(diào)諧距離377e，而第五EM調(diào)諧距離377e可以從約0.0lmm變化到約1mm。
[0185]第五等離子體調(diào)諧桿(370e、375e)可以具有與其關(guān)聯(lián)的第五直徑(dle)，第五直徑(dle)可以從約0.0lmm變化到約1mm。第五等離子體調(diào)諧板361e可以具有與其關(guān)聯(lián)的第五直徑(Dle)，第五直徑(Dle)可以從約Imm變化到約10mm。第五EM耦合區(qū)域362e、第五控制組件360e和第五等離子體調(diào)諧板361e可以具有與其關(guān)聯(lián)的第五x/y平面偏移(xle)，而第五x/y平面偏移(X16)可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約四分之一波長(zhǎng)(λ/4)變化到約(10入)。第五控制組件360e可以包括介電材料，可以具有圓柱形結(jié)構(gòu)和可以從約Imm變化到約5mm的直徑(dle)。
[0186]仍參考圖3A，第六等離子體調(diào)諧桿(370f、375f)可以包括介電材料，并可以具有第六等離子體調(diào)諧部分370f，第六等離子體調(diào)諧部分370f可以向處理空間315中延伸第六等離子體調(diào)諧距離371f到達(dá)利用(X2f)所限定的第六位置。例如，第六等離子體調(diào)諧距離371f可以從約1mm變化到約400_。
[0187]可以在第二腔組件368b中所建立的第二 EM能量調(diào)諧空間369b內(nèi)將第六EM耦合區(qū)域362f建立在與第一腔壁365b相距第六EM耦合距離376f處，并且第六EM調(diào)諧部分375f可以延伸至第六EM耦合區(qū)域362f中。第六EM調(diào)諧部分375f可以從第六EM耦合區(qū)域362f獲得第六微波能量，而第六微波能量可以利用第六等離子體調(diào)諧部分370f而被傳送到處理空間315的第六位置(X2f)處。第六EM耦合區(qū)域362f可以包括最大場(chǎng)區(qū)域、最大電壓區(qū)域、最大能量區(qū)域、或最大電流區(qū)域、或者其任意組合。例如，第六EM耦合距離376f可以從約0.0lmm變化到約10mm，而且第六EM耦合距離376f可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約(λ/4)變化到約(10 λ )。
[0188]第六等離子體調(diào)諧板361f可以包括介電材料，并可以耦合至第六控制組件360f，以及可以用于在第二 EM能量調(diào)諧空間36%內(nèi)將第六等離子體調(diào)諧板361f相對(duì)于第六等離子體調(diào)諧桿(370f、375f)的第六EM調(diào)諧部分375f移動(dòng)363f第六EM調(diào)諧距離377f。第六控制組件360f和第六等離子體調(diào)諧板36If可以用于對(duì)從第六EM耦合區(qū)域362f耦合到第六等離子體調(diào)諧桿(370f、375f)的第六EM調(diào)諧部分375f的微波能量進(jìn)行優(yōu)化。例如，可以在第二 EM能量調(diào)諧空間369b內(nèi)的第六EM調(diào)諧部分375f和第六等離子體調(diào)諧板361f之間建立第六EM調(diào)諧距離377f，而第六EM調(diào)諧距離377f可以從約0.0lmm變化到約1mm。
[0189]第六等離子體調(diào)諧桿(370f、375f)可以具有與其關(guān)聯(lián)的第六直徑(dlf)，第六直徑(dlf)可以從約0.0lmm變化到約1mm。第六等離子體調(diào)諧板361f可以具有與其關(guān)聯(lián)的第六直徑(Dlf)，第六直徑(Dlf)可以從約Imm變化到約10mm。第六EM耦合區(qū)域362f、第六控制組件360f和第六等離子體調(diào)諧板361f可以具有與其關(guān)聯(lián)的第六x/y平面偏移(xlf)，而第六x/y平面偏移(Xlf)可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約四分之一波長(zhǎng)(λ/4)變化到約(10λ )。第六控制組件360f可以包括介電材料，可以具有圓柱形結(jié)構(gòu)和可以從約Imm變化到約5mm的直徑(dlf)。
[0190]第三微波處理系統(tǒng)300的頂視圖包括第一腔控制組件345a的頂視圖，第一腔控制組件345a的頂視圖被示出為耦合至第一腔調(diào)諧板346a的頂視圖。第一腔控制組件345a可以包括介電材料，并可以具有與其關(guān)聯(lián)的第一直徑(dlaa)，且第一直徑(dlaa)可以從約
0.0lmm變化到約1mm。第一腔調(diào)諧板346a可以包括介電材料，并可以具有與其關(guān)聯(lián)的第二直徑(Dlaa),且第二直徑(Dlaa)可以從約Imm變化到約10mm。第一腔控制組件345a和第一腔調(diào)諧板346a可以具有與其關(guān)聯(lián)的第一 x/y平面偏移(ylaa)，而第一 x/y平面偏移(ylaa)可以從約Imm變化到約10mm。
[0191]此外，第三微波處理系統(tǒng)300的頂視圖包括第二腔控制組件345b的頂視圖，第二腔控制組件345b的頂視圖被示出為耦合至第二腔調(diào)諧板346b的頂視圖。第二腔控制組件345b可以包括介電材料,并可以具有與其關(guān)聯(lián)的第一附加直徑(dlba),且第一附加直徑(dlba)可以從約0.0lmm變化到約1mm。第二腔調(diào)諧板346b可以包括介電材料，并可以具有與其關(guān)聯(lián)的第二附加直徑(Dlba),且第二附加直徑(Dlba)可以從約Imm變化到約10mm。第二腔控制組件345b和第二腔調(diào)諧板346b可以具有與其關(guān)聯(lián)的第二 x/y平面偏移(ylba)，而第二 x/y平面偏移(ylba)可以從約Imm變化到約10mm。
[0192]圖3B示出了第三微波處理系統(tǒng)300中的第三處理室310的局部剖切正視圖。正視圖示出了彼此相耦合(由此生成第三處理室310中的處理空間315的局部剖切正視圖)的多個(gè)附加壁312的x/z平面視圖。第三微波處理系統(tǒng)300可以被配置成在處理空間315中形成均勻的等離子體。
[0193]正視圖示出了在其中具有第一 EM能量調(diào)諧空間369a的第一腔組件368a的剖切視圖，而第一腔組件368a可以包括第一腔壁365a、第二腔壁366a、至少一個(gè)第三腔壁367a以及一個(gè)或多個(gè)附加腔壁(未示出)。例如，第一腔組件368a可以利用第一腔壁365a耦合至第一接口組件312a。正視圖也示出了在其中具有第二 EM能量調(diào)諧空間369b的第二腔組件368b的剖切視圖，而第二腔組件368b可以包括第一腔壁365b、第二腔壁366b、至少一個(gè)第三腔壁367b以及一個(gè)或多個(gè)附加腔壁(未示出)。例如，第二腔組件368b可以利用第一腔壁365b耦合至第二接口組件312b。
[0194]圖3B中示出了第一等離子體調(diào)諧桿組(370a_370c)的局部正視圖(虛線視圖)、第一等離子體調(diào)諧板組(361a-361c)的局部正視圖(虛線視圖)、第二等離子體調(diào)諧桿組(370d-370f)的局部正視圖(點(diǎn)線視圖)以及第二等離子體調(diào)諧板組(361d-361f)的局部正視圖(點(diǎn)線視圖)。
[0195]第一等離子體調(diào)諧桿組(370a_370c)和第一等離子體調(diào)諧板組(361a_361c)可以具有與其關(guān)聯(lián)的第一 χ/y平面偏移組(x2a_。)，且第一 χ/y平面偏移組(x2a_。)可以從約1mm變化到約100mm。第一等離子體調(diào)諧桿組(370a_370c)和第一等離子體調(diào)諧板組(361a-361c)可以具有與其關(guān)聯(lián)的第一 x/z平面偏移組(zla_。)，且第一 x/z平面偏移組(zIa-C)可以從約100_變化到約400_。
[0196]第二等離子體調(diào)諧桿組(370d_370f)和第二等離子體調(diào)諧板組(361d_361f)可以具有與其關(guān)聯(lián)的第二 χ/y平面偏移組(x2d_f)，且第二 χ/y平面偏移組(x2d_f)可以從約1mm變化到約100mm。第二等離子體調(diào)諧桿組(370d-370f)和第二等離子體調(diào)諧板組(361d-361f)可以具有與其關(guān)聯(lián)的第二 x/z平面偏移組(zld_f)，第二 x/z平面偏移組(zld_f)可以從約100_變化到約400_。
[0197]圖3B示出了第三微波處理系統(tǒng)300可以包括耦合至室壁312以獲得第一等離子體數(shù)據(jù)的一個(gè)或多個(gè)等離子體傳感器306。此外，第三微波處理系統(tǒng)300可以被配置成處理200mm的基片、300_的基片、或者更大尺寸的基片。此外，可以對(duì)圓柱形的、方形的和矩形的室各自進(jìn)行配置，以使得可以將第三微波處理系統(tǒng)300配置成對(duì)圓形、方形或矩形的基片、晶片、或LCD進(jìn)行處理而無(wú)論它們的尺寸是怎樣的，如本領(lǐng)域的技術(shù)人員將會(huì)理解的那樣。因此，雖然將要結(jié)合半導(dǎo)體基片的處理來描述本發(fā)明的各方面，但本發(fā)明并不僅僅局限于此。
[0198]如圖3B所示，第一 EM源350a可以耦合至第一腔組件368a，而第二 EM源350b可以耦合至第二腔組件368b。第一 EM源350a可以耦合至第一匹配網(wǎng)絡(luò)352a，而第一匹配網(wǎng)絡(luò)352a可以耦合至第一耦合網(wǎng)絡(luò)354a。第二 EM源350b可以耦合至第二匹配網(wǎng)絡(luò)352b，而第二匹配網(wǎng)絡(luò)352b可以耦合至第二耦合網(wǎng)絡(luò)354b?？蛇x地，可以使用多個(gè)匹配網(wǎng)絡(luò)(未示出)或者多個(gè)稱合網(wǎng)絡(luò)(未示出)。
[0199]第一耦合網(wǎng)絡(luò)354a可以以可移除的方式耦合至第一腔組件368a，第一腔組件368a可以以可移除的方式耦合至處理室310的第一接口組件312a的上部。第一耦合網(wǎng)絡(luò)354a可以用于向第一腔組件368a中的第一 EM能量調(diào)諧空間369a提供微波能量。第二耦合網(wǎng)絡(luò)354b可以以可移除的方式耦合至第二腔組件368b，第二腔組件368b可以以可移除的方式耦合至處理室310的第二接口組件312b的上部。第二耦合網(wǎng)絡(luò)354b可以用于向第二腔組件368b中的第二 EM能量調(diào)諧空間36%提供附加微波能量?？蛇x地，可以使用其他EM耦合結(jié)構(gòu)。
[0200]如圖3B所示，控制器395可以耦合396至EM源(350a、350b )、匹配網(wǎng)絡(luò)(352a、352b)、耦合網(wǎng)絡(luò)(354a、354b)以及腔組件(368a、368b)，并且控制器395可以利用工藝配方來建立、控制以及優(yōu)化EM源(350a、350b)、匹配網(wǎng)絡(luò)(352a、352b)、耦合網(wǎng)絡(luò)(354a、354b)以及腔組件(368a、368b)，以控制處理空間315內(nèi)的等離子體均勻性。例如，EM源(350a、350b)可以在從約500MHz到約5000MHz的頻率工作。此外，控制器395可以耦合396至等離子體傳感器306和處理傳感器307，并且控制器395可以利用工藝配方來建立、控制以及優(yōu)化來自等離子體傳感器306和處理傳感器307的數(shù)據(jù)，以控制處理空間315內(nèi)的等離子體均勻性。
[0201]此外，控制器395可以耦合396至氣體供應(yīng)系統(tǒng)340、耦合至氣體供應(yīng)子組件341、以及耦合至氣體噴頭343。例如，氣體供應(yīng)系統(tǒng)340、氣體供應(yīng)子組件341以及氣體噴頭343可以被配置成將一種或多種處理氣體引至處理空間315，并可以包括流量控制和/或流量測(cè)量裝置。
[0202]在干法等離子體蝕刻期間，處理氣體可以包括蝕刻劑、鈍化劑、或惰性氣體、或者其中兩種或更多種的組合。例如，當(dāng)?shù)入x子體蝕刻諸如氧化硅(S1x)或氮化硅(SixNy)的介電薄膜時(shí)，等離子體蝕刻氣體成分通常包括諸如C4F8、C5F8、C3F6、C4F6XF4等中的至少一種的碳氟基化學(xué)成分(CxFy),和/或可以包括諸如CHF3XH2F2等中的至少一種的氟代烴基化學(xué)成分(CxHyFz),以及可以具有惰性氣體、氧氣、CO或CO2中的至少一種。此外，例如，當(dāng)蝕刻多晶硅(polysilicon)時(shí)，等離子體蝕刻氣體成分通常包括諸如HBr、Cl2,即3、或SF6、或者其中兩種或更多種的組合的含鹵素氣體，以及可以包括諸如CHF3、CH2F2等中的至少一種的氟代烴基化學(xué)成分(CxHyFz)以及惰性氣體、氧氣、CO或CO2中的至少一種、或者其中兩種或更多種。在等離子體增強(qiáng)沉積期間，處理氣體可以包括成膜前驅(qū)體、還原性氣體、或惰性氣體、或者其中兩種或更多種的組合。
[0203]如圖3B所示，第三微波處理系統(tǒng)300可以包括耦合至處理室310的端口 391和壓力控制系統(tǒng)390，并被配置成排空處理室310，以及控制處理室310內(nèi)的壓力。此外，第三微波處理系統(tǒng)300可以包括用于將基片305安裝在處理空間315中的基片座320。
[0204]第三微波處理系統(tǒng)300的正視圖包括第一腔控制組件345a的局部正視圖，第一腔控制組件345a的局部正視圖被示出為耦合至第一腔調(diào)諧板346a的正視圖。第一腔控制組件345a和第一腔調(diào)諧板346a可以具有與其關(guān)聯(lián)的第一 x/z平面偏移(zlaa),且第一 x/z平面偏移(Zlaa)可以從約Imm變化到約10mm。
[0205]第一腔控制組件345a可以用于在第一 EM能量調(diào)諧空間369a內(nèi)將第一腔調(diào)諧板346a移動(dòng)347a腔調(diào)諧距離348a?？刂破?95可以耦合396至腔控制組件345a，且控制器395可以利用工藝配方來建立、控制以及優(yōu)化腔調(diào)諧距離348a，以實(shí)時(shí)地控制和維持處理空間315內(nèi)的等離子體均勻性。例如,腔調(diào)諧距離348a可以從約0.0lmm變化到約10mm，且腔調(diào)諧距離348a可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約(λ /4)變化到約(10 λ )。
[0206]此外，第三微波處理系統(tǒng)300的正視圖包括第二腔控制組件345b的局部正視圖，第二腔控制組件345b的局部正視圖被示出為耦合至第二腔調(diào)諧板346b的正視圖。第二腔控制組件345b和第二腔調(diào)諧板346b可以具有與其關(guān)聯(lián)的第二 x/z平面偏移(zlba)，且第二x/z平面偏移(Zlba)可以從約Imm變化到約10mm。
[0207]第二腔控制組件345b可以用于在第二 EM能量調(diào)諧空間369b內(nèi)將第二腔調(diào)諧板346b移動(dòng)347b第二腔調(diào)諧距離348b?？刂破?95可以耦合396至第二腔控制組件345b，且控制器395可以利用工藝配方來建立、控制以及優(yōu)化第二腔調(diào)諧距離348b，以實(shí)時(shí)地控制和維持處理空間315內(nèi)的等離子體均勻性。例如，第二腔調(diào)諧距離348b可以從約0.0lmm變化到約10mm，且第二腔調(diào)諧距離348b可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約(λ/4)變化到約
(10入)。
[0208]圖3C示出了第三微波處理系統(tǒng)300中的第三處理室310的局部剖切側(cè)視圖。側(cè)視圖示出了耦合至第一接口組件312a以及耦合至第二接口組件312b(由此生成處理室310中的處理空間315的局部剖切側(cè)視圖)的多個(gè)室壁312的y/z平面視圖。第三微波處理系統(tǒng)300可以被配置成在處理空間315中形成均勻的等離子體。
[0209]圖3C中示出了第一腔組件368a中的第一 EM能量調(diào)諧空間369a的局部側(cè)視圖和第二腔組件368b中的第二 EM能量調(diào)諧空間369b的局部側(cè)視圖。圖3C中示出了第一等離子體調(diào)諧桿組(370a-370c)的局部側(cè)視圖、第一等離子體調(diào)諧板組(361a_361c)的局部側(cè)視圖、第二等離子體調(diào)諧桿組(370d-370f)的局部側(cè)視圖以及第二等離子體調(diào)諧板組(361d-361f)的局部側(cè)視圖。
[0210]圖3C中也示出了第一隔離組件組(364a、364b和364c)和第二隔離組件組(364d、364e和364f)的側(cè)視圖。例如，第一隔離組件組(364a、364b和364c)可以用于將第一等離子體調(diào)諧桿組{(370a、370b和370c)和(375a、375b和375c)}以可移除的方式耦合至第一接口組件312a。第一隔離組件組(364a、364b和364c)中的每一個(gè)可以以可移除的方式耦合至第一接口組件312a。此外，第二隔離組件組(364d、364e和364f )可以用于將第二等離子體調(diào)諧桿組{(370d、370e和370f)和(375d、375e和375f)}以可移除的方式耦合至第二接口組件312b。第二隔離組件組(364d、364e和364f)中的每一個(gè)可以以可移除的方式耦合至第二接口組件312b。
[0211]如圖3C所示，第一等離子體調(diào)諧板組(361a、361b和361c)可以耦合至第一控制組件組(360a、360b和360c)，而第一控制組件組(360a、360b和360c)可以用于在第一 EM能量調(diào)諧空間369a內(nèi)將第一等離子體調(diào)諧板組(361a、361b和361c)相對(duì)于EM調(diào)諧部分(375a、375b 和 375c)移動(dòng)(363a、363b 和 363c)第一 EM 調(diào)諧距離組(377a、377b 和 377c)。此外，第二等離子體調(diào)諧板組(361d、361e和361f)可以耦合至第二控制組件組(360d、360e和360f)，而第二控制組件組(360d、360e和360f)可以用于在第二 EM能量調(diào)諧空間369b內(nèi)將第二等離子體調(diào)諧板組(361d、361e和361f)相對(duì)于EM調(diào)諧部分(375d、375e和375f)移動(dòng)(363d、363e 和 363f)第二 EM 調(diào)諧距離組(377d、377e 和 377f)。
[0212]第一控制組件組(360a、360b和360c)可以耦合396至控制器395，而控制器395可以利用工藝配方來建立、控制以及優(yōu)化第一 EM調(diào)諧距離組(377a、377b和377c)，以控制處理空間315內(nèi)的等離子體均勻性。此外，第二控制組件組(360d、360e和360f)可以耦合396至控制器395，而控制器395可以利用工藝配方來建立、控制以及優(yōu)化第二 EM調(diào)諧距離組(377d、377e和377f)，以控制處理空間315內(nèi)的等離子體均勻性。
[0213]控制器395可以耦合396至EM源(350a、350b)、匹配網(wǎng)絡(luò)(352a、352b)、耦合網(wǎng)絡(luò)(354a、354b)以及腔組件(368a、368b)，并且控制器395可以利用工藝配方來建立、控制以及優(yōu)化EM源(350a、350b)、匹配網(wǎng)絡(luò)(352a、352b)、耦合網(wǎng)絡(luò)(354a、354b)以及腔組件(368a、368b)，以控制處理空間315內(nèi)的等離子體均勻性。例如，EM源(350a、350b)可以在從約500MHz到約5000MHz的頻率工作。此外，控制器395可以耦合396至等離子體傳感器306、處理傳感器307和腔傳感器(308a和308b)，并且控制器395可以利用工藝配方來建立、控制以及優(yōu)化來自等離子體傳感器306、處理傳感器307和腔傳感器(308a和308b)的數(shù)據(jù)，以控制處理空間315內(nèi)的等離子體均勻性。
[0214]側(cè)視圖示出了處理室310，處理室310具有在y/z平面中與其關(guān)聯(lián)的總寬度(yT)和總高度(ζτ)?？倢挾?yT)可以從約50mm變化到約500mm,而總高度(ζτ)可以從約50mm變化到約500mm。
[0215]圖4A示出了第四微波處理系統(tǒng)400中的第四處理室410的局部剖切頂視圖。頂視圖示出了第一接口組件412a、第二接口組件412b以及耦合到第一接口組件412a和第二接口組件412b而由此形成第四處理室410的多個(gè)附加室壁412的x/y平面視圖。例如，室壁412可以具有與其關(guān)聯(lián)的壁厚(t)，而壁厚(t)可以從約Imm變化到約5mm。第一接口組件412a可以具有與其關(guān)聯(lián)的第一接口厚度(tn)，而第一接口厚度(tn)可以從約Imm變化到約10mm。第二接口組件412b可以具有與其關(guān)聯(lián)的第二接口厚度(ti2)，而第二接口厚度(ti2)可以從約Imm變化到約10mm。處理空間415可以具有與其關(guān)聯(lián)的長(zhǎng)度(χτ)，而長(zhǎng)度(χτ)可以從約10_變化到約500mm。
[0216]第四微波處理系統(tǒng)400的頂視圖示出了在其中具有第一 EM能量調(diào)諧空間469a的第一腔組件468a的剖切視圖，而第一腔組件468a可以包括第一腔壁465a、第二腔壁466a、至少一個(gè)第三腔壁467a以及一個(gè)或多個(gè)附加腔壁(未示出)。例如，第一腔組件468a可以利用第一腔壁465a耦合至第一接口組件412a，而壁(465a、466a和467a)可以包括介電材料并可以具有與其關(guān)聯(lián)的壁厚(ta)，而且壁厚(ta)可以從約Imm變化到約5mm。此外，第一 EM能量調(diào)諧空間469a可以具有與其關(guān)聯(lián)的第一長(zhǎng)度(Xna)和第一寬度(yla)，第一長(zhǎng)度(Xna)可以從約1mm變化到約500mm,而第一寬度(yla)可以從約5mm變化到約50mm。
[0217]第四微波處理系統(tǒng)400的頂視圖也示出了在其中具有第二 EM能量調(diào)諧空間469b的第二腔組件468b的剖切視圖，且第二腔組件468b可以包括第一腔壁465b、第二腔壁466b、至少一個(gè)第三腔壁467b以及一個(gè)或多個(gè)附加腔壁(未示出)。例如，第二腔組件468b可以利用第一腔壁465b耦合至第二接口組件412b，而壁(465b、466b和467b)可以包括介電材料、并可以具有與其關(guān)聯(lián)的壁厚(tb)，而且壁厚(tb)可以從約Imm變化到約5mm。此外，第二 EM能量調(diào)諧空間469b可以具有與其關(guān)聯(lián)的第二長(zhǎng)度(Xnb)和第二寬度(ylb)，第二長(zhǎng)度(xTib)可以從約1mm變化到約500mm,而第二寬度(ylb)可以從約5mm變化到約50mm。
[0218]在一些示例性系統(tǒng)中，第一隔離組件組(464a和464b)可以以可移除的方式耦合至第一接口組件412a，并可以被配置成隔離處理空間415與第一 EM能量調(diào)諧空間469a。第一隔離組件組(464a和464b)可以用于將第一等離子體調(diào)諧桿組{(470a和470b)和(475a和475b)}以可移除的方式耦合至第一接口組件412a。例如，第一等離子體調(diào)諧部分組(470a和470b)可以被配置于處理空間415中，而第一 EM調(diào)諧部分組(475a和475b)可以被配置在第一 EM能量調(diào)諧空間469a內(nèi)。
[0219]第二隔離組件組(464c和464d)可以以可移除的方式耦合至第二接口組件412b，并可以被配置成隔離處理空間415與第二 EM能量調(diào)諧空間469b。第二隔離組件組(464c和464d)可以用于將第二等離子體調(diào)諧桿組{(470c和470d)和(475c和475d)}以可移除的方式耦合至第二接口組件412b。例如，第二等離子體調(diào)諧部分組(470c和470d)可以被配置于處理空間415中，而第二 EM調(diào)諧部分組(475c和475d)可以被配置在第二 EM能量調(diào)諧空間469b內(nèi)。
[0220]仍參考圖4A，第一等離子體調(diào)諧桿(470a、475a)可以包括介電材料，并可以具有第一等離子體調(diào)諧部分470a，第一等離子體調(diào)諧部分470a可以向處理空間415中延伸第一等離子體調(diào)諧距離471a到達(dá)利用(X2a)所限定的第一位置。第一等離子體調(diào)諧距離471a可以從約1mm變化到約400mm。
[0221]可以在第一腔組件468a中所建立的第一 EM能量調(diào)諧空間469a內(nèi)將第一 EM耦合區(qū)域462a建立在與第一腔壁465a相距第一 EM耦合距離476a處，并且第一 EM調(diào)諧部分475a可以延伸至第一 EM耦合區(qū)域462a中。第一 EM調(diào)諧部分475a可以從第一 EM耦合區(qū)域462a獲得第一微波能量，并且第一微波能量可以利用第一等離子體調(diào)諧部分470a而被傳送到處理空間415的第一位置(X2a)處。第一 EM耦合區(qū)域462a可以包括最大場(chǎng)區(qū)域、最大電壓區(qū)域、最大能量區(qū)域、或最大電流區(qū)域、或者其任意組合。例如，第一 EM耦合距離476a可以從約0.0lmm變化到約10mm，并且第一 EM耦合距離476a可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約U/4)變化到約(10 λ)。
[0222]第一等離子體調(diào)諧板461a可以包括介電材料，可以耦合至第一控制組件460a，并可以用于在第一 EM能量調(diào)諧空間469a內(nèi)將第一等離子體調(diào)諧板461a相對(duì)于第一等離子體調(diào)諧桿(470a、475a)的第一 EM調(diào)諧部分475a移動(dòng)463a第一 EM調(diào)諧距離477a。第一控制組件460a和第一等離子體調(diào)諧板461a可以用于對(duì)從第一 EM耦合區(qū)域462a耦合到第一等離子體調(diào)諧桿(470a、475a)的第一 EM調(diào)諧部分475a的微波能量進(jìn)行優(yōu)化。例如，可以在第一 EM能量調(diào)諧空間469a內(nèi)的第一 EM調(diào)諧部分475a和第一等離子體調(diào)諧板461a之間建立第一 EM調(diào)諧距離477a，而第一 EM調(diào)諧距離477a可以從約0.0lmm變化到約1mm。
[0223]第一等離子體調(diào)諧桿(470a、475a)可以具有與其關(guān)聯(lián)的第一直徑(dla)，第一直徑(dla)可以從約0.0lmm變化到約1mm。第一等離子體調(diào)諧板461a可以具有與其關(guān)聯(lián)的第一直徑(Dla)，第一直徑(Dla)可以從約Imm變化到約10mm。第一 EM耦合區(qū)域462a、第一控制組件460a和第一等離子體調(diào)諧板461a可以具有與其關(guān)聯(lián)的第一 x/y平面偏移(xla)，而第一x/y平面偏移(Xla)可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約四分之一波長(zhǎng)(λ/4)變化到約(ΙΟλ )。第一控制組件460a可以具有圓柱形結(jié)構(gòu)和可以從約Imm變化到約5mm的直徑(dla)。
[0224]第二等離子體調(diào)諧桿(470b、475b)可以具有第二等離子體調(diào)諧部分470b，第二等離子體調(diào)諧部分470b可以向處理空間415中延伸第二等離子體調(diào)諧距離471b到達(dá)利用(Xlb)所限定的第二位置。例如，第二等離子體調(diào)諧距離471b可以從約1mm變化到約400mm。
[0225]可以在第一腔組件468a中所建立的第一 EM能量調(diào)諧空間469a內(nèi)將第二 EM耦合區(qū)域462b建立在與第一腔壁465a相距第二 EM耦合距離476b處，并且第二 EM調(diào)諧部分475b可以延伸至第二 EM耦合區(qū)域462b中。第二 EM調(diào)諧部分475b可以從第二 EM耦合區(qū)域462b獲得第二微波能量，而第二微波能量可以利用第二等離子體調(diào)諧部分470b而被傳送到處理空間415的第二位置(Xlb)處。第二 EM耦合區(qū)域462b可以包括最大場(chǎng)區(qū)域、最大電壓區(qū)域、最大能量區(qū)域、或最大電流區(qū)域、或者其任意組合。例如，第二 EM耦合距離476b可以從約0.0lmm變化到約10mm，而且第二 EM耦合距離476b可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約(λ/4)變化到約(10 λ )。
[0226]第二等離子體調(diào)諧板461b可以包括介電材料，可以耦合至第二控制組件460b，并可以用于在第一 EM能量調(diào)諧空間469a內(nèi)將第二等離子體調(diào)諧板461b相對(duì)于第二等離子體調(diào)諧桿(470b、475b)的第二 EM調(diào)諧部分475b移動(dòng)463b第二 EM調(diào)諧距離477b。第二控制組件460b和第二等離子體調(diào)諧板461b可以用于對(duì)從第二 EM耦合區(qū)域462b耦合到第二等離子體調(diào)諧桿(470b、475b)的第二 EM調(diào)諧部分475b的微波能量進(jìn)行優(yōu)化。例如，可以在第一 EM能量調(diào)諧空間469a內(nèi)的第二 EM調(diào)諧部分475b和第二等離子體調(diào)諧板461b之間建立第二 EM調(diào)諧距離477b，而第二 EM調(diào)諧距離477b可以從約0.0lmm變化到約1mm。
[0227]第二等離子體調(diào)諧桿(470b、475b)可以具有與其關(guān)聯(lián)的第二直徑(dlb)，第二直徑(dlb)可以從約0.0lmm變化到約1mm。第二等離子體調(diào)諧板461b可以具有與其關(guān)聯(lián)的第二直徑(Dlb)，第二直徑(Dlb)可以從約Imm變化到約10mm。第二 EM耦合區(qū)域462b、第二控制組件460b和第二等離子體調(diào)諧板461b可以具有與其關(guān)聯(lián)的第二 x/y平面偏移(xlb)，而第二x/y平面偏移(Xlb)可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約四分之一波長(zhǎng)(λ/4)變化到約(10λ )。第二控制組件460b可以包括介電材料，并可以具有圓柱形結(jié)構(gòu)和可以從約Imm變化到約5mm的直徑(dlb)。
[0228]第三等離子體調(diào)諧桿(470c、475c)可以包括介電材料，并可以具有第三等離子體調(diào)諧部分470c，第三等離子體調(diào)諧部分470c可以向處理空間415中延伸第三等離子體調(diào)諧距離471c到達(dá)利用(X2e)所限定的第三位置。例如，第三等離子體調(diào)諧距離471c可以從約10mm變化到約400mm。
[0229]可以在第二腔組件468b中所建立的第二 EM能量調(diào)諧空間469b內(nèi)將第三EM耦合區(qū)域462c建立在與第一腔壁465a相距第三EM耦合距離476c處，并且第三EM調(diào)諧部分475c可以延伸至第三EM耦合區(qū)域462c中。第三EM調(diào)諧部分475c可以從第三EM耦合區(qū)域462c獲得第三微波能量，而第三微波能量可以利用第三等離子體調(diào)諧部分470c而被傳送到處理空間415的第三位置(X2e)處。第三EM耦合區(qū)域462c可以包括最大場(chǎng)區(qū)域、最大電壓區(qū)域、最大能量區(qū)域、或最大電流區(qū)域、或者其任意組合。例如，第三EM耦合距離476c可以從約0.0lmm變化到約10mm，而且第三EM耦合距離476c可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約(λ/4)變化到約(10 λ )。
[0230]第三等離子體調(diào)諧板461c可以包括介電材料，可以耦合至第三控制組件460c，并可以用于在第二 EM能量調(diào)諧空間469b內(nèi)將第三等離子體調(diào)諧板461c相對(duì)于第三等離子體調(diào)諧桿(470c、475c)的第三EM調(diào)諧部分475c移動(dòng)463c第三EM調(diào)諧距離477c。第三控制組件460c和第三等離子體調(diào)諧板461c可以用于對(duì)從第三EM耦合區(qū)域462c耦合到第三等離子體調(diào)諧桿(470c、475c)的第三EM調(diào)諧部分475c的微波能量進(jìn)行優(yōu)化。例如，可以在第二 EM能量調(diào)諧空間469b內(nèi)的第三EM調(diào)諧部分475c和第三等離子體調(diào)諧板461c之間建立第三EM調(diào)諧距離477c，而第三EM調(diào)諧距離477c可以從約0.0lmm變化到約1mm。
[0231]第三等離子體調(diào)諧桿(470c、475c)可以具有與其關(guān)聯(lián)的第三直徑(dlc;)，第三直徑(dlc;)可以從約0.0lmm變化到約1mm。第三等離子體調(diào)諧板461c可以具有與其關(guān)聯(lián)的第三直徑(Dle)，第三直徑(Dle)可以從約Imm變化到約10mm。第三EM耦合區(qū)域462c、第三控制組件460c和第三等離子體調(diào)諧板461c可以具有與其關(guān)聯(lián)的第三x/y平面偏移(xle)，而第三x/y平面偏移(Xl。)可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約四分之一波長(zhǎng)(λ/4)變化到約(10入)。第三控制組件460c可以包括介電材料,可以具有圓柱形結(jié)構(gòu)和可以從約Imm變化到約5mm的直徑(dlc;)。
[0232]第四等離子體調(diào)諧桿(470d、475d)可以包括介電材料，并可以具有第四等離子體調(diào)諧部分470d，第四等離子體調(diào)諧部分470d可以向處理空間415中延伸第四等離子體調(diào)諧距離471d到達(dá)利用(X2d)所限定的第四位置。例如，第四等離子體調(diào)諧距離471d可以從約10mm變化到約400mm。
[0233]可以在第二腔組件468b中所建立的第二 EM能量調(diào)諧空間469b內(nèi)將第四EM耦合區(qū)域462d建立在與第一腔壁465a相距第四EM耦合距離476d處，并且第四EM調(diào)諧部分475d可以延伸至第四EM耦合區(qū)域462d中。第四EM調(diào)諧部分475d可以從第四EM耦合區(qū)域462d獲得第四微波能量，而第四微波能量可以利用第四等離子體調(diào)諧部分470d而被傳送到處理空間415的第四位置(X2d)處。第四EM耦合區(qū)域462d可以包括最大場(chǎng)區(qū)域、最大電壓區(qū)域、最大能量區(qū)域、或最大電流區(qū)域、或者其任意組合。例如，第四EM耦合距離476d可以從約0.0lmm變化到約10mm，而且第四EM耦合距離476d可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約(λ/4)變化到約(10 λ )。
[0234]第四等離子體調(diào)諧板461d可以包括介電材料，可以耦合至第四控制組件460d，并可以用于在第二 EM能量調(diào)諧空間46%內(nèi)將第四等離子體調(diào)諧板461d相對(duì)于第四等離子體調(diào)諧桿(470d、475d)的第四EM調(diào)諧部分475d移動(dòng)463d第四EM調(diào)諧距離477d。第四控制組件460d和第四等離子體調(diào)諧板46Id可以用于對(duì)從第四EM耦合區(qū)域462d耦合到第四等離子體調(diào)諧桿(470d、475d)的第四EM調(diào)諧部分475d的微波能量進(jìn)行優(yōu)化。例如，可以在第二 EM能量調(diào)諧空間469b內(nèi)的第四EM調(diào)諧部分475d和第四等離子體調(diào)諧板461d之間建立第四EM調(diào)諧距離477d，而第四EM調(diào)諧距離477d可以從約0.0lmm變化到約1mm。
[0235]第四等離子體調(diào)諧桿(470d、475d)可以具有與其關(guān)聯(lián)的第四直徑(dld)，第四直徑(dld)可以從約0.0lmm變化到約1mm。第四等離子體調(diào)諧板461d可以具有與其關(guān)聯(lián)的第四直徑(Dld)，第四直徑(Dld)可以從約Imm變化到約10mm。第四EM耦合區(qū)域462d、第四控制組件460d和第四等離子體調(diào)諧板461d可以具有與其關(guān)聯(lián)的第四x/y平面偏移(xld)，而第四x/y平面偏移(Xld)可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約四分之一波長(zhǎng)(λ/4)變化到約(ΙΟλ )。第四控制組件460d可以包括介電材料，可以具有圓柱形結(jié)構(gòu)和可以從約Imm變化到約5mm的直徑(dld)。
[0236]第四微波處理系統(tǒng)400的頂視圖包括第一腔控制組件445a的頂視圖，第一腔控制組件445a的頂視圖被示出為耦合至第一腔調(diào)諧板446a的頂視圖。第一腔控制組件445a可以包括介電材料，并可以具有與其關(guān)聯(lián)的第一直徑(dlaa)，且第一直徑(dlaa)可以從約
0.0lmm變化到約1mm。第一腔調(diào)諧板446a可以包括介電材料，并可以具有與其關(guān)聯(lián)的第二直徑(Dlaa),且第二直徑(Dlaa)可以從約Imm變化到約10mm。第一腔控制組件445a和第一腔調(diào)諧板446a可以具有與其關(guān)聯(lián)的第一 x/y平面偏移(ylaa)，而第一 x/y平面偏移(ylaa)可以從約Imm變化到約10mm。
[0237]此外，第四微波處理系統(tǒng)400的頂視圖包括第二腔控制組件445b的頂視圖，第二腔控制組件445b的頂視圖被示出耦合至第二腔調(diào)諧板446b的頂視圖。第二腔控制組件445b可以包括介電材料，并可以具有與其關(guān)聯(lián)的第一附加直徑(dlba),且第一附加直徑(dlba)可以從約0.0lmm變化到約1mm。第二腔調(diào)諧板446b可以包括介電材料，并可以具有與其關(guān)聯(lián)的第二附加直徑(Dlba),且第二附加直徑(Dlba)可以從約Imm變化到約10mm。第二腔控制組件445b和第二腔調(diào)諧板446b可以具有與其關(guān)聯(lián)的第二 x/y平面偏移(ylba)，而第二x/y平面偏移(ylba)可以從約Imm變化到約10mm。
[0238]圖4B示出了第四微波處理系統(tǒng)400中的第四處理室410的局部剖切正視圖。正視圖示出了彼此耦合(由此生成第四處理室410中的處理空間415的局部剖切正視圖)的多個(gè)附加壁412的x/z平面視圖。第四微波處理系統(tǒng)400可以被配置成在處理空間415中形成等離子體。
[0239]正視圖示出了在其中具有第一 EM能量調(diào)諧空間469a的第一腔組件468a的剖切視圖，而第一腔組件468a可以包括第一腔壁465a、第二腔壁466a、至少一個(gè)第三腔壁467a以及一個(gè)或多個(gè)附加腔壁(未示出)。例如，第一腔組件468a可以利用第一腔壁465a耦合至第一接口組件412a。正視圖也示出了在其中具有第二 EM能量調(diào)諧空間469b的第二腔組件468b的剖切視圖，而第二腔組件468b可以包括第一腔壁465b、第二腔壁466b、至少一個(gè)第三腔壁467b以及一個(gè)或多個(gè)附加腔壁(未示出)。例如，第二腔組件468b可以利用第一腔壁465b耦合至第二接口組件412b。
[0240]圖4B中示出了第一等離子體調(diào)諧桿組(470a和470b)的局部正視圖(虛線視圖)、第一等離子體調(diào)諧板組(461a和461b)的局部正視圖(虛線視圖)、第二等離子體調(diào)諧桿組(470c和470d)的局部正視圖(點(diǎn)線視圖)以及第二等離子體調(diào)諧板組(461c和461d)的局部正視圖(點(diǎn)線視圖)。
[0241]第一等離子體調(diào)諧桿組(470a和470b)和第一等離子體調(diào)諧板組(461a和461b)可以具有與其關(guān)聯(lián)的第一x/y平面偏移組(x2a_b)，第一x/y平面偏移組(x2a_b河以從約1mm變化到約100mm。第一等離子體調(diào)諧桿組(470a和470b)和第一等離子體調(diào)諧板組(461a和461b)可以具有與其關(guān)聯(lián)的第一 x/z平面偏移組(zla_b)，且第一 x/z平面偏移組(zla_b)可以從約10mm變化到約400mm。
[0242]第二等離子體調(diào)諧桿組(470c和470d)和第二等離子體調(diào)諧板組(461c和461d)可以具有與其關(guān)聯(lián)的第二 x/y平面偏移組(χ2。-d)，且第二 χ/y平面偏移組(χ2。-d)可以從約1mm變化到約100mm。第二等離子體調(diào)諧桿組(470c和470d)和第二等離子體調(diào)諧板組(461c和461d)可以具有與其關(guān)聯(lián)的第二 x/z平面偏移組(zle_d)，且第二 x/z平面偏移組(zlc_d)可以從約100_變化到約400_。
[0243]圖4B示出了第四微波處理系統(tǒng)400可以包括一個(gè)或多個(gè)等離子體傳感器406，一個(gè)或多個(gè)等離子體傳感器406耦合至室壁412以獲得第一等離子體數(shù)據(jù)。此外，第四微波處理系統(tǒng)400可以被配置成處理200mm的基片、300mm的基片、或者更大尺寸的基片。此外，可以對(duì)圓柱形的、方形的和矩形的室各自進(jìn)行配置，以使得可以將第四微波處理系統(tǒng)400配置成對(duì)圓形、方形或矩形的基片、晶片、或LCD進(jìn)行處理而不管它們的尺寸是怎樣的，如本領(lǐng)域的技術(shù)人員將會(huì)理解的那樣。因此，雖然將要結(jié)合半導(dǎo)體基片的處理來描述本發(fā)明的各方面，但本發(fā)明并不僅僅局限于此。
[0244]如圖4B所示，第一 EM源450a可以耦合至第一腔組件468a，而第二 EM源450b可以耦合至第二腔組件468b。第一 EM源450a可以耦合至第一匹配網(wǎng)絡(luò)452a，而第一匹配網(wǎng)絡(luò)452a可以耦合至第一耦合網(wǎng)絡(luò)454a。第二 EM源450b可以耦合至第二匹配網(wǎng)絡(luò)452b，而第二匹配網(wǎng)絡(luò)452b可以耦合至第二耦合網(wǎng)絡(luò)454b。可選地，可以使用多個(gè)匹配網(wǎng)絡(luò)(未示出)或者多個(gè)稱合網(wǎng)絡(luò)(未示出)。
[0245]第一耦合網(wǎng)絡(luò)454a可以以可移除的方式耦合至第一腔組件468a，第一腔組件468a可以以可移除的方式耦合至處理室410的第一接口組件412a的上部。第一耦合網(wǎng)絡(luò)454a可以用于向第一腔組件468a中的第一 EM能量調(diào)諧空間469a提供微波能量。第二耦合網(wǎng)絡(luò)454b可以以可移除的方式耦合至第二腔組件468b，第二腔組件468b可以以可移除的方式耦合至處理室410的第二接口組件412b的上部。第二耦合網(wǎng)絡(luò)454b可以用于向第二腔組件468b中的第二 EM能量調(diào)諧空間469b提供附加微波能量?？蛇x地，可以使用其他EM耦合結(jié)構(gòu)。
[0246]如圖4B所示，控制器495可以耦合496至EM源(450a、450b)、匹配網(wǎng)絡(luò)(452a、452b)、耦合網(wǎng)絡(luò)(454a、454b)以及腔組件(468a、468b)，并且控制器495可以利用工藝配方來建立、控制以及優(yōu)化EM源(450a、450b)、匹配網(wǎng)絡(luò)(452a、452b)、耦合網(wǎng)絡(luò)(454a、454b)以及腔組件(468a、468b)，以控制處理空間415內(nèi)的等離子體均勻性。例如，EM源(450a、450b)可以在從約500MHz到約5000MHz的頻率工作。此外，控制器495可以耦合496至等離子體傳感器406和處理傳感器407，并且控制器495可以利用工藝配方來建立、控制以及優(yōu)化來自等離子體傳感器406和處理傳感器407的數(shù)據(jù)，以控制處理空間415內(nèi)的等離子體均勻性。
[0247]此外，控制器495可以耦合496至氣體供應(yīng)系統(tǒng)440、耦合至氣體供應(yīng)子組件441、以及耦合至氣體噴頭443。例如，氣體供應(yīng)系統(tǒng)440、氣體供應(yīng)子組件441以及氣體噴頭443可以被配置成將一種或多種處理氣體引至處理空間415，并可以包括流量控制和/或流量測(cè)量裝置。
[0248]在干法等離子體蝕刻期間，處理氣體可以包括蝕刻劑、鈍化劑、或惰性氣體、或者其中兩種或更多種的組合。例如，當(dāng)?shù)入x子體蝕刻諸如氧化硅(S1x)或氮化硅(SixNy)的介電薄膜時(shí)，等離子體蝕刻氣體成分通常包括諸如C4F8、C5F8、C3F6、C4F6XF4等中的至少一種的碳氟基化學(xué)成分(CxFy),和/或可以包括諸如CHF3、CH2F2等中的至少一種的氟代烴基化學(xué)成分(CxHyFz),以及可以具有惰性氣體、氧氣、⑶或CO2中的至少一種。此外，例如，當(dāng)蝕刻多晶娃(polycrystalline silicon, polysilicon)時(shí),等離子體蝕刻氣體成分通常包括諸如HBr、Cl2、NF3、* SF6、或者其中兩種或更多種的組合的含鹵素氣體，以及可以包括諸如CHF3、CH2F2等中的至少一種的氟代烴基化學(xué)成分(CxHyFz)以及惰性氣體、氧氣、CO或CO2中的至少一種、或者其中兩種或更多種。在等離子體增強(qiáng)沉積期間，處理氣體可以包括成膜前驅(qū)體、還原性氣體、或惰性氣體、或者其中兩種或更多種的組合。
[0249]如圖4B所示，第四微波處理系統(tǒng)400可以包括耦合至處理室410的端口 491和壓力控制系統(tǒng)490，并被配置成排空處理室410，以及控制處理室410內(nèi)的壓力。此外，第四微波處理系統(tǒng)400可以包括用于將基片405安裝在處理空間415中的基片座420。
[0250]第四微波處理系統(tǒng)400的正視圖包括第一腔控制組件445a的局部正視圖，第一腔控制組件445a的局部正視圖被示出為耦合至第一腔調(diào)諧板446a的正視圖。第一腔控制組件445a和第一腔調(diào)諧板446a可以具有與其關(guān)聯(lián)的第一 x/z平面偏移(zlaa),且第一 x/z平面偏移(Zlaa)可以從約Imm變化到約10mm。
[0251]第一腔控制組件445a可以用于在第一 EM能量調(diào)諧空間469a內(nèi)將第一腔調(diào)諧板446a移動(dòng)447a第四腔調(diào)諧距離448a?？刂破?95可以耦合496至第一腔控制組件445a，且控制器495可以利用工藝配方來建立、控制以及優(yōu)化第四腔調(diào)諧距離448a，以實(shí)時(shí)地控制和維持處理空間415內(nèi)的等離子體均勻性。例如，第四腔調(diào)諧距離448a可以從約0.0lmm變化到約10mm，且第四腔調(diào)諧距離448a可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約(λ/4)變化到約
(10入)。
[0252]此外，第四微波處理系統(tǒng)400的正視圖包括第二腔控制組件445b的局部正視圖，第二腔控制組件445b的局部正視圖被示出為耦合至第二腔調(diào)諧板446b的正視圖。第二腔控制組件445b和第二腔調(diào)諧板446b可以具有與其關(guān)聯(lián)的第二 x/z平面偏移(zlba)，第二 x/z平面偏移(Zlba)可以從約Imm變化到約10mm。
[0253]第二腔控制組件445b可以用于在第二 EM能量調(diào)諧空間469b內(nèi)將第二腔調(diào)諧板446b移動(dòng)447b第二腔調(diào)諧距離448b?？刂破?95可以耦合至第二腔控制組件445b，且控制器495可以利用工藝配方來建立、控制以及優(yōu)化第二腔調(diào)諧距離448b，以實(shí)時(shí)地控制和維持處理空間415內(nèi)的等離子體均勻性。例如，第二腔調(diào)諧距離448b可以從約0.0lmm變化到約10mm，且第二腔調(diào)諧距離448b可以是依賴波長(zhǎng)的并可以從約(λ /4)變化到約(10 λ )。
[0254]圖4C示出了第四微波處理系統(tǒng)400中的第四處理室410的局部剖切側(cè)視圖。偵U視圖示出了耦合至第一接口組件412a以及耦合至第二接口組件412b(由此生成處理室410中的處理空間415的局部剖切側(cè)視圖)的多個(gè)室壁412的y/z平面視圖。第四微波處理系統(tǒng)400可以被配置成在處理空間415中形成等離子體。
[0255]圖4C中示出了第一腔組件468a中的第一 EM能量調(diào)諧空間469a的局部側(cè)視圖和第二腔組件468b中的第二 EM能量調(diào)諧空間469b的局部側(cè)視圖。圖4C中示出了第一等離子體調(diào)諧桿組(470a和470b)的局部側(cè)視圖、第一等離子體調(diào)諧板組(461a和461b)的局部側(cè)視圖、第二等離子體調(diào)諧桿組(470c和470d)的局部側(cè)視圖以及第二等離子體調(diào)諧板組(461c和461d)的局部側(cè)視圖。
[0256]圖4C中也示出了第一隔離組件組(464a和464b)和第二隔離組件組(464c和464d)的側(cè)視圖。例如，第一隔離組件組(464a和464b)可以用于將第一等離子體調(diào)諧桿組{(470a和470b)和(475a和475b)}以可移除的方式耦合至第一接口組件412a。第一隔離組件組(464a和464b)中的每一個(gè)可以以可移除的方式耦合至第一接口組件412a。此外，第二隔離組件組(464c和464d)可以用于將第二等離子體調(diào)諧桿組{(470c和470d)和(475c和475d)}以可移除的方式耦合至第二接口組件412b。第二隔離組件組(464c和464d)中的每一個(gè)可以以可移除的方式耦合至第二接口組件412b。
[0257]如圖4C所示，第一等離子體調(diào)諧板組(461a和46Ib)可以耦合至第一控制組件組(460a和460b)，而第一控制組件組(460a和460b)可以用于在第一 EM能量調(diào)諧空間469a內(nèi)將第一等離子體調(diào)諧板組(461a和461b)相對(duì)于EM調(diào)諧部分(475a和475b)移動(dòng)(463a和463b)第一 EM調(diào)諧距離組(477a和477b)。此外，第二等離子體調(diào)諧板組(461c和461d)可以耦合至第二控制組件組(460c和460d)，而第二控制組件組(460c和460d)可以用于在第二 EM能量調(diào)諧空間469b內(nèi)將第二等離子體調(diào)諧板組(461c和461d)相對(duì)于EM調(diào)諧部分(475c和475d)移動(dòng)(463c和463d)第二 EM調(diào)諧距離組(477c和477d)。
[0258]第一控制組件組(460a和460b)可以耦合496至控制器495，而控制器495可以利用工藝配方來建立、控制以及優(yōu)化第一 EM調(diào)諧距離組(477a和477b)，以控制處理空間415內(nèi)的等離子體均勻性。此外，第二控制組件組(460c和460d)可以耦合至控制器495，而控制器495可以利用工藝配方來建立、控制以及優(yōu)化第二 EM調(diào)諧距離組(477c和477d)，以控制處理空間415內(nèi)的等離子體均勻性。
[0259]控制器495可以耦合496至EM源(450a、450b )、匹配網(wǎng)絡(luò)(452a、452b )、耦合網(wǎng)絡(luò)(454a、454b )以及腔組件(468a、468b )，并且控制器495可以利用工藝配方來建立、控制以及優(yōu)化EM源(450a、450b)、匹配網(wǎng)絡(luò)(452a、452b)、耦合網(wǎng)絡(luò)(454a、454b)以及腔組件(468a、468b)，以控制處理空間415內(nèi)的等離子體均勻性。例如，EM源(450a、450b)可以在從約500MHz到約5000MHz的頻率工作。此外，控制器495可以耦合496至等離子體傳感器406、處理傳感器407和腔傳感器(408a和408b)，并且控制器495可以利用工藝配方來建立、控制以及優(yōu)化來自等離子體傳感器406、處理傳感器407和腔傳感器(408a和408b)的數(shù)據(jù)，以控制處理空間415內(nèi)的等離子體均勻性。
[0260]側(cè)視圖示出了處理室410，處理室410具有在y/z平面中與其關(guān)聯(lián)的總寬度(yT)和總高度(ζτ)。例如，總寬度(yT)可以從約50mm變化到約500mm，而總高度(ζτ)可以從約50mm變化到約500mm。
[0261]圖5A-?示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的示例性等離子體調(diào)諧桿的不同視圖。圖5A示出了第一示例性等離子體調(diào)諧桿(570a、575a)的正視圖和側(cè)視圖。第一等離子體調(diào)諧部分570a可以具有與其關(guān)聯(lián)的第一長(zhǎng)度(yn)，且第一長(zhǎng)度(yn)可以從約Imm變化到約400mm。第一 EM調(diào)諧部分575a可以具有與其關(guān)聯(lián)的長(zhǎng)度(y12),且長(zhǎng)度(y12)可以從約Imm變化到約400mm。第一等離子體調(diào)諧部分570a和第一 EM調(diào)諧部分575a可以具有與其關(guān)聯(lián)的第一高度(X1),且第一高度(X1)可以從約0.1mm變化到約10mm。第一等離子體調(diào)諧部分570a和第一 EM調(diào)諧部分575a可以具有與其關(guān)聯(lián)的第一寬度(Zl)，且第一寬度(Z1)可以從約0.1mm變化到約10mm。
[0262]圖5B示出了第二示例性等離子體調(diào)諧桿(570b、575b)的正視圖和側(cè)視圖。第二等離子體調(diào)諧部分570b可以具有與其關(guān)聯(lián)的第一長(zhǎng)度(y21)，且第一長(zhǎng)度(y21)可以從約Imm變化到約400mm。第二 EM調(diào)諧部分575b可以具有與其關(guān)聯(lián)的長(zhǎng)度(y22)，且長(zhǎng)度(y22)可以從約Imm變化到約400mm。第二等離子體調(diào)諧部分570b和第二 EM調(diào)諧部分575b可以具有與其關(guān)聯(lián)的第二高度(X2)，且第二高度(X2)可以從約0.1mm變化到約10mm。第二等離子體調(diào)諧部分570b和第二 EM調(diào)諧部分575b可以具有與其關(guān)聯(lián)的第二寬度(Z2)，且第二寬度(Z2)可以從約0.1mm變化到約10mm。
[0263]圖5C示出了第三示例性等離子體調(diào)諧桿(570c、575c)的正視圖和側(cè)視圖。第三等離子體調(diào)諧部分570c可以具有與其關(guān)聯(lián)的第三長(zhǎng)度(y31)，且第三長(zhǎng)度(y31)可以從約Imm變化到約400mm。第三EM調(diào)諧部分575c可以具有與其關(guān)聯(lián)的長(zhǎng)度(y32)，且長(zhǎng)度(y32)可以從約Imm變化到約400mm。第三等離子體調(diào)諧部分570c和第三EM調(diào)諧部分575c可以具有與其關(guān)聯(lián)的第三高度(x3)，且第三高度(X3)可以從約0.1mm變化到約10mm。第三等離子體調(diào)諧部分570c和第三EM調(diào)諧部分575c可以具有與其關(guān)聯(lián)的第三寬度(z3)，且第三寬度(Z3)可以從約0.1mm變化到約10mm。
[0264]圖示出了第四示例性等離子體調(diào)諧桿(570d、575d)的正視圖和側(cè)視圖。第四等離子體調(diào)諧部分570d可以具有與其關(guān)聯(lián)的第四長(zhǎng)度(y41)，且第四長(zhǎng)度(y41)可以從約Imm變化到約400mm。第四EM調(diào)諧部分575d可以具有與其關(guān)聯(lián)的長(zhǎng)度(y42)，且長(zhǎng)度(y42)可以從約Imm變化到約400mm。第四等離子體調(diào)諧部分570d和第四EM調(diào)諧部分575d可以具有與其關(guān)聯(lián)的第四高度(x4)，且第四高度(X4)可以從約0.1mm變化到約10mm。第四等離子體調(diào)諧部分570d和第四EM調(diào)諧部分575d可以具有與其關(guān)聯(lián)的第四寬度(z4)，且第四寬度(Z4)可以從約0.1mm變化到約10mm。
[0265]圖6A-6D示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的示例性等離子體調(diào)諧桿的不同視圖。圖6A示出了第一示例性等離子體調(diào)諧桿(670a、675a)的正視圖和側(cè)視圖。第一等離子體調(diào)諧部分670a可以具有與其關(guān)聯(lián)的第一長(zhǎng)度(yn)，且第一長(zhǎng)度(yn)可以從約Imm變化到約400mm。第一 EM調(diào)諧部分675a可以具有與其關(guān)聯(lián)的長(zhǎng)度(y12),且長(zhǎng)度(y12)可以從約Imm變化到約400mm。第一等離子體調(diào)諧部分670a和第一 EM調(diào)諧部分675a可以具有與其關(guān)聯(lián)的第一高度(X1),且第一高度(X1)可以從約0.1mm變化到約10mm。第一等離子體調(diào)諧部分670a和第一 EM調(diào)諧部分675a可以具有與其關(guān)聯(lián)的第一寬度(Zl)，且第一寬度(Z1)可以從約0.1mm變化到約10mm。第一等離子體調(diào)諧部分670a和第一 EM調(diào)諧部分675a可以具有與其關(guān)聯(lián)的第一厚度(tzl),且第一厚度(tzl)可以從約0.0lmm變化到約1mm。
[0266]圖6B示出了第二示例性等離子體調(diào)諧桿(670b、675b)的正視圖和側(cè)視圖。第二等離子體調(diào)諧部分670b可以具有與其關(guān)聯(lián)的第一長(zhǎng)度(y21)，且第一長(zhǎng)度(y21)可以從約Imm變化到約400mm。第二 EM調(diào)諧部分675b可以具有與其關(guān)聯(lián)的長(zhǎng)度(y22)，且長(zhǎng)度(y22)可以從約Imm變化到約400mm。第二等離子體調(diào)諧部分670b和第二 EM調(diào)諧部分675b可以具有與其關(guān)聯(lián)的第二高度(X2)，且第二高度(X2)可以從約0.1mm變化到約10mm。第二等離子體調(diào)諧部分670b和第二 EM調(diào)諧部分675b可以具有與其關(guān)聯(lián)的第二寬度(z2)，且第二寬度(Z2)可以從約0.1mm變化到約10mm。第二等離子體調(diào)諧部分670b和第二 EM調(diào)諧部分675b可以具有與其關(guān)聯(lián)的第二厚度(tz2)，且第二厚度(tz2)可以從約0.0lmm變化到約1mm。
[0267]圖6C示出了第三示例性等離子體調(diào)諧桿(670c、675c)的正視圖和側(cè)視圖。第三等離子體調(diào)諧部分670c可以具有與其關(guān)聯(lián)的第三長(zhǎng)度(y31)，且第三長(zhǎng)度(y31)可以從約Imm變化到約400mm。第三EM調(diào)諧部分675c可以具有與其關(guān)聯(lián)的長(zhǎng)度(y32)，且長(zhǎng)度(y32)可以從約Imm變化到約400mm。第三等離子體調(diào)諧部分670c和第三EM調(diào)諧部分675c可以具有與其關(guān)聯(lián)的第三高度(x3)，且第三高度(X3)可以從約0.1mm變化到約10mm。第三等離子體調(diào)諧部分670c和第三EM調(diào)諧部分675c可以具有與其關(guān)聯(lián)的第三寬度(z3)，且第三寬度(Z3)可以從約0.1mm變化到約10mm。第三等離子體調(diào)諧部分670c和第三EM調(diào)諧部分675c可以具有與其關(guān)聯(lián)的第三厚度(tz3和tx3)，且第三厚度(tz3和tx3)可以從約0.0lmm變化到約 1mm。
[0268]圖6D示出了第四示例性等離子體調(diào)諧桿(670d、675d)的正視圖和側(cè)視圖。第四等離子體調(diào)諧部分670d可以具有與其關(guān)聯(lián)的第四長(zhǎng)度(y41)，且第四長(zhǎng)度(y41)可以從約Imm變化到約400mm。第四EM調(diào)諧部分675d可以具有與其關(guān)聯(lián)的長(zhǎng)度(y42)，且長(zhǎng)度(y42)可以從約Imm變化到約400mm。第四等離子體調(diào)諧部分670d和第四EM調(diào)諧部分675d可以具有與其關(guān)聯(lián)的第四高度(x4)，且第四高度(X4)可以從約0.1mm變化到約10mm。第四等離子體調(diào)諧部分670d和第四EM調(diào)諧部分675d可以具有與其關(guān)聯(lián)的第四寬度(z4)，且第四寬度(Z4)可以從約0.1mm變化到約10mm。第四等離子體調(diào)諧部分670d和第四EM調(diào)諧部分675d可以具有與其關(guān)聯(lián)的第四厚度(tz4和tx4)，且第四厚度(tz4和tx4)可以從約0.0lmm變化到約 1mm。
[0269]圖7A-7D示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的示例性等離子體調(diào)諧桿的不同視圖。圖7A示出了第一示例性等離子體調(diào)諧桿(770a、775a)的正視圖和側(cè)視圖。第一等離子體調(diào)諧部分770a可以具有與其關(guān)聯(lián)的第一長(zhǎng)度(yn)，且第一長(zhǎng)度(yn)可以從約Imm變化到約400mm。第一 EM調(diào)諧部分775a可以具有與其關(guān)聯(lián)的長(zhǎng)度(y12)，且長(zhǎng)度(y12)可以從約Imm變化到約400mm。第一等離子體調(diào)諧部分770a和第一 EM調(diào)諧部分775a可以具有與其關(guān)聯(lián)的第一高度(X1),且第一高度(X1)可以從約0.1mm變化到約10mm。第一等離子體調(diào)諧部分770a和第一 EM調(diào)諧部分775a可以具有與其關(guān)聯(lián)的第一寬度(Zl)，且第一寬度(Z1)可以從約0.1mm變化到約10mm?？梢栽诘谝皇纠缘入x子體調(diào)諧桿(770a、775a)內(nèi)配置第一溫度控制回路772a。例如，溫度控制流體和/或氣體可以流經(jīng)第一溫度控制回路772a以控制第一示例性等離子體調(diào)諧桿(770a、775a)的溫度。第一溫度控制回路772a可以具有與其關(guān)聯(lián)的第一直徑(dzl)，且第一直徑(dzl)可以從約0.0Olmm變化到約0.1mm。此外，第一溫度控制回路772a具有與其關(guān)聯(lián)的第一偏移(Ixll和lxl2)，且第一偏移(Ixll和Ixl2)可以從約0.0lmm變化到約0.1mm。
[0270]圖7B示出了第二示例性等離子體調(diào)諧桿(770b、775b)的正視圖和側(cè)視圖。第二等離子體調(diào)諧部分770b可以具有與其關(guān)聯(lián)的第一長(zhǎng)度(y21)，且第一長(zhǎng)度(y21)可以從約Imm變化到約400mm。第二 EM調(diào)諧部分775b可以具有與其關(guān)聯(lián)的長(zhǎng)度(y22)，且長(zhǎng)度(y22)可以從約Imm變化到約400mm。第二等離子體調(diào)諧部分770b和第二 EM調(diào)諧部分775b可以具有與其關(guān)聯(lián)的第二高度(X2)，且第二高度(X2)可以從約0.1mm變化到約10mm。第二等離子體調(diào)諧部分770b和第二 EM調(diào)諧部分775b可以具有與其關(guān)聯(lián)的第二寬度(Z2)，且第二寬度(Z2)可以從約0.1mm變化到約10mm。可以在第二示例性等離子體調(diào)諧桿(770b、775b)內(nèi)配置第二溫度控制回路772b。例如，溫度控制流體和/或氣體可以流經(jīng)第二溫度控制回路772b以控制第二示例性等離子體調(diào)諧桿(770b、775b)的溫度。第二溫度控制回路772b可以具有與其關(guān)聯(lián)的第二直徑(dz2)，且第二直徑(dz2)可以從約0.0Olmm變化到約0.1mm。此夕卜，第二溫度控制回路772b具有與其關(guān)聯(lián)的第二偏移(Ix21和lx22)，且第二偏移(Ix21和Ix22)可以從約0.0lmm變化到約0.1mm。
[0271]圖7C示出了第三示例性等離子體調(diào)諧桿(770c、775c)的正視圖和側(cè)視圖。第三等離子體調(diào)諧部分770c可以具有與其關(guān)聯(lián)的第三長(zhǎng)度(y31)，且第三長(zhǎng)度(y31)可以從約Imm變化到約400mm。第三EM調(diào)諧部分775c可以具有與其關(guān)聯(lián)的長(zhǎng)度(y32)，且長(zhǎng)度(y32)可以從約Imm變化到約400mm。第三等離子體調(diào)諧部分770c和第三EM調(diào)諧部分775c可以具有與其關(guān)聯(lián)的第三高度(x3)，且第三高度(X3)可以從約0.1mm變化到約10mm。第三等離子體調(diào)諧部分770c和第三EM調(diào)諧部分775c可以具有與其關(guān)聯(lián)的第三寬度(z3)，且第三寬度(Z3)可以從約0.1mm變化到約10mm?？梢栽诘谌纠缘入x子體調(diào)諧桿(770c、775c)內(nèi)配置第三溫度控制回路772c。例如，溫度控制流體和/或氣體可以流經(jīng)第三溫度控制回路772c以控制第三示例性等離子體調(diào)諧桿(770c、775c)的溫度。第三溫度控制回路772c可以具有與其關(guān)聯(lián)的第三直徑(dz3)，且第三直徑(dz3)可以從約0.0Olmm變化到約0.1mm。此夕卜，第三溫度控制回路772c具有與其關(guān)聯(lián)的第三偏移(Ix31和lx32)，且第三偏移(Ix31和Ix32)可以從約0.0lmm變化到約0.1mm。
[0272]圖7D示出了第四示例性等離子體調(diào)諧桿(770d、775d)的正視圖和側(cè)視圖。第四等離子體調(diào)諧部分770d可以具有與其關(guān)聯(lián)的第四長(zhǎng)度(y41)，且第四長(zhǎng)度(y41)可以從約Imm變化到約400mm。第四EM調(diào)諧部分775d可以具有與其關(guān)聯(lián)的長(zhǎng)度(y42)，且長(zhǎng)度(y42)可以從約Imm變化到約400mm。第四等離子體調(diào)諧部分770d和第四EM調(diào)諧部分775d可以具有與其關(guān)聯(lián)的第四高度(x4)，且第四高度(X4)可以從約0.1mm變化到約10mm。第四等離子體調(diào)諧部分770d和第四EM調(diào)諧部分775d可以具有與其關(guān)聯(lián)的第四寬度(z4)，且第四寬度(Z4)可以從約0.1mm變化到約10mm?？梢栽诘谒氖纠缘入x子體調(diào)諧桿(770d、775d)內(nèi)配置第四溫度控制回路772d。例如，溫度控制流體和/或氣體可以流經(jīng)第四溫度控制回路772d以控制第四示例性等離子體調(diào)諧桿(770d、775d)的溫度。第四溫度控制回路772d可以具有與其關(guān)聯(lián)的第四直徑(dz4)，且第四直徑(dz4)可以從約0.0Olmm變化到約0.1mm。此夕卜，第四溫度控制回路772d具有與其關(guān)聯(lián)的第四偏移(Ix41和lx42)，且第四偏移(Ix41和Ix42)可以從約0.0lmm變化到約0.1mm。
[0273]圖8示出了用于根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的示例性操作過程的流程圖。圖8中示出了示例性多步驟過程800。
[0274]在810中，可以將基片定位在處理室中的基片座上，以及可以將第一腔組件(168a,圖1)和第二腔組件(168b,圖1)稱合至處理室。在另一個(gè)實(shí)施例中，可以利用第一接口組件(112a，圖1)將其中具有第一 EM能量調(diào)諧空間(169a，圖1)的第一腔組件(168a，圖1)耦合至第一處理室(110，圖1)，以及可以利用第二接口組件(112b，圖1)將其中具有第二 EM能量調(diào)諧空間(169b，圖1)的第二腔組件(168b，圖1)耦合至第一處理室(110，圖1)。
[0275]在820中，可以將第一等離子體調(diào)諧桿組{(170a-170e)和(175a_175e)，圖1}從第一腔組件(168a，圖1)通過第一接口組件(I 12a，圖1)配置至第一處理室(110，圖1)中的處理空間(115，圖1)中。第一隔離組件組(164a-164e，圖1)可以以可移除的方式耦合至第一接口組件(112a，圖1)，并可以被配置成隔離第一處理室(110，圖1)中的處理空間(115，圖1)與第一腔組件(168a，圖1)中的第一 EM能量調(diào)諧空間(169a，圖1)。第一隔離組件組(164a_164e，圖1)可以用于將第一等離子體調(diào)諧桿組{(170a-170e)和(175a_175e)，圖1}以可移除的方式耦合至第一接口組件(112a，圖1)。例如，第一等離子體調(diào)諧部分(170a-170e，圖1)可以被配置于處理空間(115，圖1)中，而第一 EM調(diào)諧部分(175a_175e，圖1)可以被配置在第一 EM能量調(diào)諧空間(169a，圖1)中。
[0276]在830中，可以將第二等離子體調(diào)諧桿組{(170f - 170 j)和(175f_175j)，圖1}從第二腔組件(168b，圖1)通過第二接口組件(I 12b，圖1)配置至第一處理室(I 10，圖1)中的處理空間(115，圖1)中。第二隔離組件組(164f-164j，圖1)可以以可移除的方式耦合至第二接口組件(I 12b，圖1)，并可以被配置成隔離第一處理室(I 10，圖1)中的處理空間(115，圖1)與第二腔組件(168b，圖1)中的第二 EM能量調(diào)諧空間(169b，圖1)。第二隔離組件組(164f-164j，圖1)可以用于將第二等離子體調(diào)諧桿組{(170f - 170j)和(175f - 175j)，圖1}以可移除的方式耦合至第二接口組件(112b，圖1)。例如，第二等離子體調(diào)諧部分組(170f-170j，圖1)可以被配置于處理空間(115，圖1)中，而第二 EM調(diào)諧部分(175f_175j，圖1)可以被配置在第二 EM能量調(diào)諧空間(169b，圖1)中。
[0277]在840中，可以將處理氣體供應(yīng)至處理室中、在第一和第二等離子體調(diào)諧桿之上。在干法等離子體蝕刻期間，處理氣體可以包括蝕刻劑、鈍化劑、或惰性氣體、或者其中兩種或更多種的組合。例如，當(dāng)?shù)入x子體蝕刻諸如氧化硅(S1x)或氮化硅(SixNy)的介電薄膜時(shí)，等離子體蝕刻氣體成分通常包括諸如c4F8、C5F8, C3F6, C4F6, CF4等中的至少一種的碳氟基化學(xué)成分(CxFy),和/或可以包括諸如CHF3、CH2F2等中的至少一種的氟代烴基化學(xué)成分(CxHyFz),以及可以具有惰性氣體、氧氣、CO或CO2中的至少一種。此外，例如，當(dāng)蝕刻多晶硅(p0lySiliC0n)時(shí)，等離子體蝕刻氣體成分通常包括諸如HBr、Cl2,即3、或SF6、或者其中兩種或更多種的組合的含鹵素氣體，以及可以包括諸如CHF3、CH2F2等中的至少一種的氟代烴基化學(xué)成分(CxHyFz)以及惰性氣體、氧氣、CO或CO2中的至少一種、或者其中兩種或更多種。在等離子體增強(qiáng)沉積期間，處理氣體可以包括成膜前驅(qū)體、還原性氣體、或惰性氣體、或者其中兩種或更多種的組合。
[0278]在850中，可以通過向第一等離子體調(diào)諧桿施加第一可調(diào)諧微波信號(hào)以及向第二等離子體調(diào)諧桿施加第二可調(diào)諧微波信號(hào)來產(chǎn)生均勻微波等離子體，并在均勻微波等離子體中處理基片。
[0279]在一些系統(tǒng)中，可以在第一腔組件(168a，圖1)中所建立的第一 EM能量調(diào)諧空間(169a，圖1)內(nèi)將第一 EM耦合區(qū)域組(162a-162e，圖1)建立在與第一腔壁(165a，圖1)相距第一 EM耦合距離(176a-176e，圖1)處，并且第一 EM調(diào)諧部分組(175a_175e，圖1)可以延伸至第一 EM耦合區(qū)域組(162a-162e，圖1)中。第一 EM調(diào)諧部分(175a_175e，圖1)可以從第一 EM耦合區(qū)域組(162a-162e，圖1)獲得不同的可調(diào)諧微波信號(hào)(能量)，且不同的可調(diào)諧微波信號(hào)(能量)可以利用第一等離子體調(diào)諧部分組(170a_170e，圖1)而被傳送到處理空間(115，圖1)的第一位置組(x2a-x2e，圖1)處。第一 EM耦合區(qū)域組(162a-162e，圖1)可以包括可調(diào)諧E-場(chǎng)區(qū)域、可調(diào)諧H-場(chǎng)區(qū)域、最大E-場(chǎng)區(qū)域、最大H-場(chǎng)區(qū)域、最大電壓區(qū)域、最大能量區(qū)域、或最大電流區(qū)域、或者其任意組合。
[0280]第一等離子體調(diào)諧板組(161a_161e，圖1)可以耦合至第一控制組件組(160a_160e,圖1)，并可以用于在第一 EM能量調(diào)諧空間(169a,圖1)內(nèi)將第一等離子體調(diào)諧板組(161a_161e，圖1)相對(duì)于第一等離子體調(diào)諧桿組{(170a-170e)和(175a_175e)，圖1}的第一 EM調(diào)諧部分組(175a-175e，圖1)移動(dòng)(163a_163e，圖1)第一 EM調(diào)諧距離組(177a-177e，圖1)。第一控制組件組(160a_160e，圖1)和第一等離子體調(diào)諧板組(161a-161e,圖1)可以用于對(duì)從第一 EM f禹合區(qū)域組(162a_162e,圖1) I禹合至第一等離子體調(diào)諧桿組{(170a-170e)和(175a_175e)，圖1}的第一 EM調(diào)諧部分組(175a_175e，圖1)的不同可調(diào)諧微波信號(hào)(能量)進(jìn)行調(diào)諧/優(yōu)化。例如，可以在第一 EM能量調(diào)諧空間(169a，圖1)內(nèi)的第一 EM調(diào)諧距離組(177a-177e，圖1)和第一等離子體調(diào)諧板組(161a_161e，圖1)之間建立第一 EM調(diào)諧距離組(177a-177e，圖1)，且第一 EM調(diào)諧距離組(177a_177e，圖1)可以從約0.0lmm變化到約1_。一個(gè)或多個(gè)控制器(195，圖1)可以耦合至第一控制組件組(160a_160e，圖1)，并可以用于控制/優(yōu)化第一等離子體調(diào)諧板組(161a_161e，圖1)的移動(dòng)(163a_163e,圖1)。例如，一個(gè)或多個(gè)控制器(195,圖1)可以用于控制/優(yōu)化第一EM調(diào)諧距離組(177a-177e，圖1)，以在基片處理期間生成、優(yōu)化和/或維持處理室(110，圖O中的處理空間(115，圖1)內(nèi)的均勻微波等離子體。
[0281]此外，可以在第二腔組件(168b，圖1)中所建立的第二 EM能量調(diào)諧空間(169b，圖O內(nèi)將第二 EM耦合區(qū)域組(162e-162j，圖1)建立在與第一腔壁(165b，圖1)相距第二 EM耦合距離組(176e-176ej，圖1)處，并且第二 EM調(diào)諧部分組(175f_175j，圖1)可以延伸至第二 EM耦合區(qū)域組(162f-162j，圖1)中。第二 EM調(diào)諧部分組(175f_175j，圖1)可以從第二 EM耦合區(qū)域組(162f-162j，圖1)獲得不同可調(diào)諧微波信號(hào)(能量)，且不同的可調(diào)諧微波信號(hào)(能量)可以利用第二等離子體調(diào)諧部分組(170f-170j，圖1)而被傳送到處理空間(115，圖1)的第二位置組(x2f-x2j，圖1)處。第二 EM耦合區(qū)域組(162f-162j，圖1)可以包括可調(diào)諧E-場(chǎng)區(qū)域、可調(diào)諧H-場(chǎng)區(qū)域、最大E-場(chǎng)區(qū)域、最大H-場(chǎng)區(qū)域、最大電壓區(qū)域、最大能量區(qū)域、或最大電流區(qū)域、或者其任意組合。
[0282]第二等離子體調(diào)諧板組(161f_161j，圖1)可以耦合至第二控制組件組(160f-160j，圖1)，并可以用于在第二 EM能量調(diào)諧空間(169b，圖1)內(nèi)將第二等離子體調(diào)諧板組(161f-161j，圖1)相對(duì)于第二等離子體調(diào)諧桿組{(170f-170j)和(175f_175j)，圖1}的第二 EM調(diào)諧部分(175f-175j，圖1)移動(dòng)(163f_163j，圖1)第二 EM調(diào)諧距離組(177f-177j，圖1)。第二控制組件組(160f-160j，圖1)和第二等離子體調(diào)諧板組(161f-161j，圖1)可以用于對(duì)從第二 EM耦合區(qū)域組(162f-162j，圖1)耦合至第二等離子體調(diào)諧桿組{(170f-170j)和(175f-175j)，圖1}的第二 EM調(diào)諧部分組(175f_175j，圖1)的不同可調(diào)諧微波信號(hào)(能量)進(jìn)行調(diào)諧/優(yōu)化。例如，可以在第二 EM能量調(diào)諧空間(16%，圖1)內(nèi)的第二 EM調(diào)諧距離組(177f-177j，圖1)和第二等離子體調(diào)諧板組(161f_161 j，圖O之間建立第二 EM調(diào)諧距離組(177f-177j，圖1)，且第二 EM調(diào)諧距離組(177f_177j，圖1)可以從約0.01mm變化到約1_。一個(gè)或多個(gè)控制器(195，圖1)可以耦合至第二控制組件組(160f-160j，圖1)，并可以用于控制/優(yōu)化第二等離子體調(diào)諧板組(161f-161j，圖1)的第二移動(dòng)組(163f-163j，圖1)。例如，一個(gè)或多個(gè)控制器(195，圖1)可以用于控制/優(yōu)化第二 EM調(diào)諧距離組(177f-177j，圖1)，以在基片處理期間生成、優(yōu)化和/或維持處理室(110，圖1)中的處理空間(115，圖1)內(nèi)的均勻微波等離子體。
[0283]此外，一個(gè)或多個(gè)控制器(195，圖1)可以耦合至EM源(150a和150b，圖1)、匹配網(wǎng)絡(luò)(152a和152b，圖1)、耦合網(wǎng)絡(luò)(154a和154b，圖1)以及腔組件(168a和168b，圖1),并且至少一個(gè)控制器(195，圖1)可以利用工藝配方來建立、控制以及優(yōu)化EM源(150a和150b，圖1)、匹配網(wǎng)絡(luò)(152a和152b，圖1)、耦合網(wǎng)絡(luò)(154a和154b，圖1)以及腔組件(168a和168b，圖1)，以控制處理空間(115，圖1)內(nèi)的微波等離子體均勻性。
[0284]圖9示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的等離子體處理系統(tǒng)900。等離子體處理系統(tǒng)900可以包括干法等離子體蝕刻系統(tǒng)或等離子體增強(qiáng)沉積系統(tǒng)。
[0285]等離子體處理系統(tǒng)900包括處理室910，處理室910具有被配置成限定處理空間915的多個(gè)室壁922和接口組件(922a和922b)。等離子體處理系統(tǒng)900被配置成支持處理空間915中的基片905。將基片905暴露于處理空間915中的等離子體或工藝化學(xué)品。等離子體處理系統(tǒng)900可以包括耦合至接口組件(922a和922b)的多個(gè)腔組件(968a、968b、968c、968d、968e和968f)。第一腔組件968a可以耦合至第一等離子體調(diào)諧桿組(911a和912a);第二腔組件968b可以耦合至第二等離子體調(diào)諧桿組(911b和912b);第三腔組件968c可以耦合至第三等離子體調(diào)諧桿組(911c和912c);第四腔組件968d可以耦合至第四等離子體調(diào)諧桿組(911d和912d);第五腔組件968e可以耦合至第五等離子體調(diào)諧桿組Olle和912e)；以及第六腔組件968f可以耦合至第六等離子體調(diào)諧桿組(911f和912f)。多個(gè)等離子體調(diào)諧桿(911a、912a、911b、912b、911c、912c、911d、912d、911e、912e、911f 和912f)可以被配置成在處理空間915中形成等離子體。例如，腔組件(968a、968b、968c、968d、968e 和 968f)和等離子體調(diào)諧桿(911a、912a、911b、912b、911c、912c、911d、912d、911e、912e、911f和912f)可以被配置成使用這里所描述的微波系統(tǒng)(100、200、300或400)。
[0286]圖1OA示出了微波處理系統(tǒng)1000中的處理室1010的可選實(shí)施例的局部剖切頂視圖。在該實(shí)施例中，處理室1010為具有圓柱形側(cè)室壁1012的圓柱形室。如利用先前的實(shí)施例，其中具有第一 EM能量調(diào)諧空間1069a的第一腔組件1068a被設(shè)置具有比如通過接口組件(未示出)而耦合至腔壁1012的腔壁1065a。第一隔離組件組(1064a和1064b)以可移除的方式通過室壁1012相耦合，并被配置成隔離處理空間1015與第一 EM能量調(diào)諧空間1069a。第一隔離組件組(1064a和1064b)用于將第一等離子體調(diào)諧桿組{(1070a和1070b)和(1075a和1075b)}以可移除的方式與配置于處理空間1015中的第一等離子體調(diào)諧部分組(1070a和1070b)以及配置在第一 EM能量調(diào)諧空間1069a內(nèi)的第一 EM調(diào)諧部分組(1075a和1075b)相耦合。類似地，第二、第三和第四腔組件(1068b、1068c和1068d)也被示出類似地在其中具有第二、第三和第四EM能量調(diào)諧空間(1069b、1069c和1069d)、以及第二、第三和第四隔離組件組(1064c和1064d)、(1064e和1064f )和(1064g和1064h)、以及第一、第二和第三等離子體調(diào)諧桿組{(1070c和1070d)和(1075c和1075d)}、{(1070e和 1070f)和(1075e 和 1075f)}和{(1070g 和 1070h)和(1075g 和 1075h)}。圖1OA 所描繪的部件的細(xì)節(jié)可以具有與以上參考處理系統(tǒng)100、200、300和400中的相似部件所描述的特性相同或相似的特性。然而，可以理解的是，在圓柱形室中，如果將等離子體調(diào)諧部分定位于室1010中相同的高度的話，等離子體調(diào)諧部分1070a-1070h向處理空間1015中延伸小于室的半徑的等離子體調(diào)諧距離1071a-1071h。
[0287]類似地，如上所述，每個(gè)腔組件1068a_1068d可以包括與各個(gè)EM調(diào)諧部分1075a-1075h相關(guān)聯(lián)的EM耦合區(qū)域1062a_1062h、等離子體調(diào)諧板1061a_1061h以及控制組件1060a-1060h。此外，如以上針對(duì)處理系統(tǒng)100、200、300和400所描述的，每個(gè)腔組件1068a-1068d可以包括腔控制組件1045a_1045d和腔調(diào)諧板1046a_1046d。
[0288]如圖1OB中的沿圖1OA的線1B的局部剖視圖所示，可以將基片1005定位于基片座上、在室的徑向中心處。基片座1020可以是固定的，或者可以是在垂直或平移方向上可移動(dòng)的?；?020也可以偏離室1010的徑向中心，并在任意預(yù)期方向上是固定的或者可移動(dòng)的?？蛇x地，以及如下面將要更詳細(xì)地描述的，多個(gè)基片1005可以設(shè)于基片座1020上在間隔開的各位置上，而且基片座1020可以是固定的、或者在轉(zhuǎn)盤型中可旋轉(zhuǎn)的，和/或垂直地可移動(dòng)的。
[0289]圖1lA示出了微波處理系統(tǒng)1100中的處理室1110的另一個(gè)實(shí)施例的局部剖切頂視圖。類似于處理室1010，處理室1110為圓柱形室。處理系統(tǒng)1100可以具有限定單個(gè)EM能量調(diào)諧空間1169的環(huán)形腔組件1168，而不是定位于周長(zhǎng)周圍的多個(gè)腔組件。多個(gè)隔離組件1164間隔地位于耦合有等離子體調(diào)諧桿(I 170和1175)的室1110周圍，等離子體調(diào)諧部分1170徑向延伸到處理室1110中，以及EM調(diào)諧部分1175延伸至EM能量調(diào)諧空間1169中，如利用先前實(shí)施例所描述的。
[0290]每個(gè)等離子體調(diào)諧桿(1170和1175)具有關(guān)聯(lián)的等離子體調(diào)諧板1171和控制組件1160。如圖1lB中的局部剖視圖所示，如假想線(plantom)所示，等離子體調(diào)諧板1161和控制組件1160可以從腔組件的底部、或者可選地從腔組件的頂部(未示出)耦合至腔組件1168，而非水平導(dǎo)向的等離子體調(diào)諧板和控制組件。腔控制組件1145和腔調(diào)諧板1146也設(shè)置到腔組件1168中。然后，微波能量可以比如通過可選的角狀部分1198而注入單個(gè)環(huán)形腔168。
[0291]進(jìn)一步地參考圖11A，轉(zhuǎn)盤式基片座1120也被示出用于支撐其上的多個(gè)基片1105，多個(gè)基片1105可以旋轉(zhuǎn)以進(jìn)一步確保等離子體暴露的均勻性?；?120也可以是垂直地可移動(dòng)的，當(dāng)然這是可選特征，因?yàn)榛梢允枪潭ǖ摹?br> [0292]盡管以上僅詳細(xì)描述了本發(fā)明的某些實(shí)施例，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員將容易理解至IJ，在實(shí)質(zhì)上背離本發(fā)明的新穎性教導(dǎo)和優(yōu)點(diǎn)的情況下，實(shí)施例中的許多修改是可能的。因此，所有這樣的修改都意圖被包含在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
[0293]因此，所述描述并非意圖限制發(fā)明，并且鑒于這里所提出的細(xì)節(jié)層次，已經(jīng)在理解實(shí)施例的修改和變化為可能的情況下描述了本發(fā)明的結(jié)構(gòu)、操作和行為。因此，先前的詳細(xì)描述并非旨在或者意圖要以任何方式來限制本發(fā)明，相反是由所附權(quán)利要求來限定本發(fā)明的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種用于處理基片的微波處理系統(tǒng)，包括: 處理室，在所述處理室中包括用于處理基片的處理空間； 耦合至所述處理室的側(cè)室壁的一個(gè)或多個(gè)腔組件，在每個(gè)腔組件中均具有電磁能量調(diào)諧空間， 建立在所述電磁能量調(diào)諧空間中的電磁耦合區(qū)域組、以及耦合至所述側(cè)室壁并被配置成將所述第一電磁能量調(diào)諧空間與所述處理空間隔離的隔離組件組； 耦合至所述隔離組件組的等離子體調(diào)諧桿組，所述等離子體調(diào)諧桿組具有配置于所述處理空間中的等離子體調(diào)諧部分組，和配置于所述電磁能量調(diào)諧空間中并耦合至所述電磁耦合區(qū)域組中的至少一個(gè)的電磁調(diào)諧部分組；以及 耦合至所述一個(gè)或多個(gè)腔組件的控制器，其中所述控制器被配置成控制所述電磁能量調(diào)諧空間中的電磁耦合區(qū)域組，由此控制所述處理空間中的等離子體均勻性。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微波處理系統(tǒng)，還包括: 耦合至所述一個(gè)或多個(gè)腔組件的一個(gè)或多個(gè)耦合網(wǎng)絡(luò)； 耦合至所述一個(gè)或多個(gè)耦合網(wǎng)絡(luò)中的每一個(gè)的匹配網(wǎng)絡(luò)；以及 耦合至所述匹配網(wǎng)絡(luò)的電磁源,其中所述電磁源被配置成在從500MHz到5000MHz的頻率范圍內(nèi)工作；其中所述控制器耦合至所述電磁源并被配置成控制所述電磁源，由此控制所述處理空間中的等 離子體均勻性。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微波處理系統(tǒng)，還包括: 等離子體調(diào)諧板組，所述等離子體調(diào)諧板組被配置成接近所述電磁能量調(diào)諧空間中的所述電磁耦合區(qū)域組；以及 控制組件組，所述控制組件組通過腔組件壁耦合至所述等離子體調(diào)諧板組，每個(gè)所述等離子體調(diào)諧板均被所述第一控制組件中的對(duì)應(yīng)一個(gè)定位于與所述電磁調(diào)諧部分中的對(duì)應(yīng)一個(gè)相距電磁耦合距離的位置處；其中所述控制器耦合至所述控制組件組并被配置成控制所述第一等離子體調(diào)諧距離，由此控制所述處理空間中的等離子體均勻性。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微波處理系統(tǒng)，其中所述等離子體調(diào)諧桿組以及所述一個(gè)或多個(gè)腔組件包括介電材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微波處理系統(tǒng)，還包括: 耦合至所述處理室的氣體噴頭； 耦合至所述氣體噴頭的氣體供應(yīng)子組件；以及 耦合至所述氣體供應(yīng)子組件的氣體供應(yīng)系統(tǒng)，其中所述氣體噴頭被配置成將處理氣體引至所述處理空間，其中所述控制器耦合至所述氣體供應(yīng)系統(tǒng)、耦合至所述氣體供應(yīng)子組件以及耦合至所述氣體噴頭，并被配置成控制所述氣體供應(yīng)系統(tǒng)、所述氣體供應(yīng)子組件以及所述氣體噴頭，由此控制所述處理空間中的等離子體均勻性。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的微波處理系統(tǒng)，其中所述處理氣體包括下列中的兩種或更多種:C4F8、C5F8, C3F6, C4F6, CF4, CHF3> CH2F2、惰性氣體、氧氣、CO 和 C02。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的微波處理系統(tǒng)，其中所述處理氣體包括下列中的兩種或更多種:HBr、Cl2, NF3> SF6, CHF3> CH2F2、惰性氣體、氧氣、CO 和 C02。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微波處理系統(tǒng)，還包括: 腔調(diào)諧板，所述腔調(diào)諧板被配置于所述一個(gè)或多個(gè)腔組件的每個(gè)電磁能量調(diào)諧空間中；以及 腔控制組件，所述腔控制組件耦合至每個(gè)腔調(diào)諧板，其中所述腔調(diào)諧板被定位于與所述腔組件的壁相距腔調(diào)諧距離的位置處，其中所述控制器耦合至所述腔控制組件并被配置成控制所述腔調(diào)諧距離，由此控制所述處理空間中的等離子體均勻性。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的微波處理系統(tǒng)，其中所述腔調(diào)諧板和所述腔控制組件包括介電材料。
10.一種用于處理基片的微波處理系統(tǒng)，包括: 處理室，在所述處理室中包括用于處理基片的處理空間； 利用第一接口組件耦合至所述處理室的第一腔組件，在所述第一腔組件中具有第一電磁能量調(diào)諧空間，所述第一接口組件包括第一隔離組件，其中第一電磁耦合區(qū)域?qū)Ρ唤⒃诘谝浑姶拍芰空{(diào)諧空間中； 耦合至所述第一隔離組件的第一等離子體調(diào)諧桿對(duì)，所述第一等離子體調(diào)諧桿對(duì)具有配置于所述處理空間中的等離子體調(diào)諧部分，并具有配置于所述第一電磁能量調(diào)諧空間中的電磁調(diào)諧部分，其中第一電磁調(diào)諧部分耦合至第一電磁耦合區(qū)域，而第二電磁調(diào)諧部分耦合至第二電磁耦合區(qū)域； 利用第二接口組件耦合至所述處理室的第二腔組件，在所述第二腔組件中具有第二電磁能量調(diào)諧空間，所述第二接口組件包括第二隔離組件，其中第二電磁耦合區(qū)域?qū)Ρ唤⒃谒龅诙姶拍芰空{(diào)諧空間中； 耦合至所述第二隔離組件的第二等離子體調(diào)諧桿對(duì)，所述第二等離子體調(diào)諧桿對(duì)具有配置于所述處理空間中的第二等離子體調(diào)諧部分，并具有配置于所述第二電磁能量調(diào)諧空間中的第二電磁調(diào)諧部分，其中第三電磁調(diào)諧部分耦合至第三電磁耦合區(qū)域，而第四電磁調(diào)諧部分耦合至第四電磁耦合區(qū)域；以及 耦合至所述第一腔組件和所述第二腔組件的控制器，其中所述控制器被配置成控制所述第一電磁能量調(diào)諧空間中的所述第一電磁耦合區(qū)域?qū)退龅诙姶拍芰空{(diào)諧空間中的所述第二電磁耦合區(qū)域?qū)?，由此控制所述處理空間中的等離子體均勻性。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的微波處理系統(tǒng)，還包括: 耦合至所述第一腔組件的第一耦合網(wǎng)絡(luò)； 耦合至所述第一耦合網(wǎng)絡(luò)的第一匹配網(wǎng)絡(luò)； 耦合至所述第一匹配網(wǎng)絡(luò)的第一電磁源，其中所述第一電磁源被配置成在從500MHz到5000MHz的頻率范圍內(nèi)工作，其中所述控制器耦合至所述第一電磁源并被配置成控制所述第一電磁源，由此控制所述處理空間中的等離子體均勻性； 耦合至所述第二腔組件的第二耦合網(wǎng)絡(luò)； 耦合至所述第二耦合網(wǎng)絡(luò)的第二匹配網(wǎng)絡(luò)；以及 耦合至所述第二匹配網(wǎng)絡(luò)的第二電磁源，其中所述第二電磁源被配置成在從500MHz到5000MHz的第二頻率范圍內(nèi)工作，其中所述控制器耦合至所述第二電磁源并被配置成控制所述第二電磁源，由此控制所述處理空間中的等離子體均勻性。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的微波處理系統(tǒng)，還包括: 第一等離子體調(diào)諧板對(duì)，所述第一等離子體調(diào)諧板對(duì)被配置成接近所述第一電磁能量調(diào)諧空間中的所述第一電磁耦合區(qū)域；第一控制組件對(duì)，所述第一控制組件對(duì)通過第一腔組件壁耦合至所述第一等離子體調(diào)諧板對(duì)，第一等離子體調(diào)諧板被第一控制組件定位于與所述第一電磁調(diào)諧部分相距第一電磁耦合距離的位置處； 第二等離子體調(diào)諧板，被第二控制組件定位于與所述第二電磁調(diào)諧部分相距第二電磁耦合距離的位置處，其中所述控制器耦合至所述第一控制組件和所述第二控制組件，所述控制器被配置成控制所述第一電磁耦合距離和所述第二電磁耦合距離，由此控制所述處理空間中的等離子體均勻性； 第二等離子體調(diào)諧板對(duì)，所述第二等離子體調(diào)諧板對(duì)被配置成接近所述第二電磁能量調(diào)諧空間中的所述第二電磁耦合區(qū)域； 第二控制組件對(duì)，所述第二控制組件對(duì)通過第二腔組件壁耦合至所述第二等離子體調(diào)諧板對(duì)，第三等離子體調(diào)諧板被第三控制組件定位于與所述第三電磁調(diào)諧部分相距第三電磁耦合距離的位置處；以及 第四等離子體調(diào)諧板，被第四控制組件定位于與所述第四電磁調(diào)諧部分相距第四電磁耦合距離的位置處，其中所述控制器耦合至所述第一控制組件和所述第二控制組件，所述控制器被配置成控制所述第三電磁耦合距離和所述第四電磁耦合距離，由此控制所述處理空間中的等離子體均勻性。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的微波處理系統(tǒng)，還包括: 耦合至所述處理室的氣體噴頭； 耦合至所述氣體噴頭的氣體供應(yīng)子組件；以及 耦合至所述氣體供應(yīng)子組件的氣體供應(yīng)系統(tǒng)，其中所述氣體噴頭被配置成將處理氣體引至所述處理空間，其中所述控制器耦合至所述氣體供應(yīng)系統(tǒng)、耦合至所述氣體供應(yīng)子組件，以及耦合至所述氣體噴頭，并被配置成控制所述氣體供應(yīng)系統(tǒng)、所述氣體供應(yīng)子組件以及所述氣體噴頭，由此控制所述處理空間中的等離子體均勻性。
14.一種利用微波處理系統(tǒng)處理基片的方法，包括: 將基片定位于處理室中的處理空間內(nèi)； 利用接口組件將一個(gè)或多個(gè)腔組件耦合至所述處理室，在所述一個(gè)或多個(gè)腔組件中具有電磁能量調(diào)諧空間，所述接口組件包括隔離組件組，其中電磁耦合區(qū)域組被建立在所述電磁能量調(diào)諧空間中； 將等離子體調(diào)諧桿組耦合至所述隔離組件組，所述等離子體調(diào)諧桿組具有配置于所述處理空間中的等離子體調(diào)諧部分組，和配置于所述電磁能量調(diào)諧空間中并耦合至所述電磁耦合區(qū)域組中的至少一個(gè)的電磁調(diào)諧部分組；以及 將控制器耦合至所述一個(gè)或多個(gè)腔組件，其中所述控制器被配置成控制所述電磁能量調(diào)諧空間中的電磁耦合區(qū)域組，由此控制所述處理空間中的等離子體均勻性。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，還包括: 將一個(gè)或多個(gè)耦合網(wǎng)絡(luò)耦合至所述一個(gè)或多個(gè)腔組件； 將匹配網(wǎng)絡(luò)耦合至所述一個(gè)或多個(gè)耦合網(wǎng)絡(luò)中的每一個(gè)； 將電磁源耦合至所述匹配網(wǎng)絡(luò)，其中所述電磁源被配置成在從500MHz到5000MHz的頻率范圍內(nèi)工作，其中所述控制器耦合至所述電磁源并被配置成控制所述電磁源，由此控制所述處理空間中的等離子體均勻性。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中將所述一個(gè)或多個(gè)腔組件耦合至所述處理室包括: 將所述第一和第二腔組件耦合至所述處理室，其中所述隔離組件組包括第一隔離組件和第二隔離組件，并且其中所述電磁耦合區(qū)域組包括第一電磁耦合區(qū)域和第二電磁耦合區(qū)域；以及 控制所述電磁能量調(diào)諧空間中的所述第一和第二電磁耦合區(qū)域，由此控制所述處理空間中的等離子體均勻性。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，還包括: 將氣體噴頭耦合至所述處理室； 將氣體供應(yīng)子組件耦合至所述氣體噴頭；以及 將氣體供應(yīng)系統(tǒng)耦合至所述氣體供應(yīng)子組件，其中所述氣體噴頭被配置成將處理氣體引至所述處理空間，其中所述控制器耦合至所述氣體供應(yīng)系統(tǒng)、耦合至所述氣體供應(yīng)子組件以及耦合至所述氣體噴頭，并被配置成控制所述氣體供應(yīng)系統(tǒng)、所述氣體供應(yīng)子組件以及所述氣體噴頭，由此控制所述處理空間中的等離子體均勻性。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述處理氣體包括下列中的兩種或更多種:C4F8, C5F8, C3F6, C4F6, CF4, CHF3> CH2F2、惰性氣體、氧氣、CO 和 C02。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述處理氣體包括下列中的兩種或更多種:HBr, Cl2, NF3> SF6, CHF3> CH2F2、惰性氣體、氧氣、CO 和 C02。
20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，還包括: 將腔調(diào)諧板定位于所述一個(gè)或多個(gè)腔組件的每個(gè)電磁能量調(diào)諧空間中； 將腔控制組件耦合至每個(gè)腔調(diào)諧板，其中所述腔調(diào)諧板被定位于與所述腔組件的壁相距腔調(diào)諧距離的位置處，其中所述控制器耦合至所述腔控制組件并被配置成控制所述腔調(diào)諧距離，由此控制所述處理空間中的等離子體均勻性。
【文檔編號(hào)】H01J37/02GK104051216SQ201410098636
【公開日】2014年9月17日 申請(qǐng)日期:2014年3月17日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月15日
【發(fā)明者】趙建平, 巖俊彥, 陳立, 彼得·L·G·文澤克, 梅里特·芬克 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社