一種適應(yīng)性耦合等離子刻蝕的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種適應(yīng)性耦合等離子刻蝕機(jī)，所述刻蝕機(jī)至少包括：具有反應(yīng)空間并在反應(yīng)空間中產(chǎn)生等離子體的反應(yīng)腔、設(shè)置于所述反應(yīng)腔中且用于支撐所述晶圓的下電極、設(shè)置于反應(yīng)腔上方中心區(qū)域的螺旋型線圈組件；所述反應(yīng)腔的上腔壁由石英窗口和圍繞所述石英窗口的第一襯套構(gòu)成。本實(shí)用新型通過(guò)設(shè)置第一襯套作為反應(yīng)腔上壁的一部分，減小了下電極和第一襯套之間的距離，一方面可以提高反應(yīng)腔下部的電子溫度，另一方面還可以提高反應(yīng)腔邊緣的電子溫度，使整個(gè)反應(yīng)腔中的電子溫度分布更加均勻，降低晶圓的損傷風(fēng)險(xiǎn)。
【專利說(shuō)明】一種適應(yīng)性耦合等離子刻蝕機(jī)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域，特別是涉及一種適應(yīng)性耦合等離子刻蝕機(jī)。

【背景技術(shù)】
[0002] -般而言，刻蝕過(guò)程，尤其是干法刻蝕過(guò)程，是使用等離子來(lái)根據(jù)半導(dǎo)體晶片上 的光阻劑層圖樣或硬掩模光罩圖樣去除低層的預(yù)先確定部分的過(guò)程，為了使得該干法刻 蝕能夠進(jìn)行，需要在反應(yīng)腔內(nèi)生成等離子。用于生成等離子的源能夠分為感應(yīng)耦合等離 子源（Inductively Coupled Plasma，ICP)和電容稱合等離子源（Capacitively Coupled Plasma, CCP)。
[0003] 圖1是常規(guī)的電容耦合等離子源的剖面示意圖。如圖1所示，所述電容耦合等離 子源包括下電極120和上電極100,下電極120位于反應(yīng)腔100中的下部，上電極110位于 所述反應(yīng)腔100上部且面對(duì)下電極120。上電極110和下電極120都是平板狀的，利用由所 述兩電極所形成的電容的特性在反應(yīng)腔內(nèi)生成等離子。在使用這種CCP源時(shí)，盡管有高的 過(guò)程再現(xiàn)性和高的光阻劑層刻蝕選擇比的優(yōu)點(diǎn)，但是同時(shí)具有等離子密度低從而導(dǎo)致高能 耗的缺點(diǎn)。
[0004] 圖2是常規(guī)的感應(yīng)耦合等離子源的示意圖，如圖2所示，所述感應(yīng)耦合等離子源包 括位于反應(yīng)腔200中下部的下電極220和位于反應(yīng)腔200上部并與所述下電極220相面對(duì) 的線圈組件210。下電極220是平板狀，并且能夠使用由線圈組件210形成的感應(yīng)器的特 性在反應(yīng)腔內(nèi)生成等離子。使用這種ICP源的優(yōu)點(diǎn)是刻蝕速率高且等離子密度大，能耗低。 另一方面，ICP的缺點(diǎn)是光阻劑層刻蝕選擇比和過(guò)程再現(xiàn)性低，并且在使用鋁制圓罩時(shí)可能 污染鋁制圓罩。
[0005] 由此看來(lái)，ICP和CCP各有優(yōu)缺點(diǎn)，無(wú)法同時(shí)保證刻蝕選擇比和刻蝕速率?，F(xiàn)有技 術(shù)中，提出了一種適應(yīng)性f禹合等離子刻蝕機(jī)（Adaptively Coupled Plasma, ACP)，如圖3所 示，所述適應(yīng)性耦合等離子刻蝕機(jī)包括：裝配在反應(yīng)腔300中下部用于承載晶圓340的下電 極320,設(shè)置在反應(yīng)腔300上部的襯套310和線圈組件330,其中，所述線圈組件330從所述 襯套310螺旋地延伸并環(huán)繞所述襯套310,所述襯套310與射頻電源相連，所述下電極與一 射頻偏壓源370相連接。這種ACP刻蝕機(jī)集成有ICP和CCP的優(yōu)點(diǎn)。但是，經(jīng)過(guò)模擬發(fā)現(xiàn)， ACP刻蝕機(jī)反應(yīng)腔中電子溫度呈現(xiàn)上部溫度高、下部溫度低、以及中心溫度高、四周溫度低 的特點(diǎn)，這將會(huì)使晶圓襯底產(chǎn)生損傷。 實(shí)用新型內(nèi)容
[0006] 鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本實(shí)用新型的目的在于提供一種適應(yīng)性耦合等離 子刻蝕機(jī)，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中ACP反應(yīng)腔內(nèi)電子溫度分布不均勻的問(wèn)題。
[0007] 為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本實(shí)用新型提供一種適應(yīng)性耦合等離子刻蝕 機(jī)，用于刻蝕晶圓，其特征在于，所述適應(yīng)性耦合等離子刻蝕機(jī)至少包括：
[0008] 具有反應(yīng)空間并在反應(yīng)空間中產(chǎn)生等離子體的反應(yīng)腔、設(shè)置于所述反應(yīng)腔中且用 于支撐所述晶圓的下電極、設(shè)置于反應(yīng)腔上方中心區(qū)域的螺旋型線圈組件；所述反應(yīng)腔的 上腔壁由石英窗口和圍繞所述石英窗口的第一襯套構(gòu)成。
[0009] 作為本實(shí)用新型適應(yīng)性耦合等離子刻蝕機(jī)的一種優(yōu)化的結(jié)構(gòu)，所述適應(yīng)性耦合等 離子刻蝕機(jī)還包括第二襯套，所述第二襯套設(shè)置于所述反應(yīng)腔上方。
[0010] 作為本實(shí)用新型適應(yīng)性耦合等離子刻蝕機(jī)的一種優(yōu)化的結(jié)構(gòu)，所述第二襯套設(shè)置 于線圈組件上方。
[0011] 作為本實(shí)用新型適應(yīng)性耦合等離子刻蝕機(jī)的一種優(yōu)化的結(jié)構(gòu)，所述第二襯套設(shè)置 于線圈組件和石英窗口之間。
[0012] 作為本實(shí)用新型適應(yīng)性耦合等離子刻蝕機(jī)的一種優(yōu)化的結(jié)構(gòu)，所述第一襯套、第 二襯套以及下電極均為鐵板。
[0013] 作為本實(shí)用新型適應(yīng)性耦合等離子刻蝕機(jī)的一種優(yōu)化的結(jié)構(gòu)，所述線圈組件的材 質(zhì)為銀、銅、鋁、金或鉬中的任意一種。
[0014] 作為本實(shí)用新型適應(yīng)性耦合等離子刻蝕機(jī)的一種優(yōu)化的結(jié)構(gòu)，所述第二襯套和下 電極之間的距離可調(diào)。
[0015] 作為本實(shí)用新型適應(yīng)性耦合等離子刻蝕機(jī)的一種優(yōu)化的結(jié)構(gòu)，所述第二襯套和下 電極之間的距離范圍為2?25cm。
[0016] 作為本實(shí)用新型適應(yīng)性耦合等離子刻蝕機(jī)的一種優(yōu)化的結(jié)構(gòu)，所述第二襯套與射 頻電源相連接；所述下電極與至少一個(gè)射頻偏壓源相連接。
[0017] 作為本實(shí)用新型適應(yīng)性耦合等離子刻蝕機(jī)的一種優(yōu)化的結(jié)構(gòu)，所述射頻電源和射 頻偏壓源由脈沖來(lái)驅(qū)動(dòng)。
[0018] 作為本實(shí)用新型適應(yīng)性耦合等離子刻蝕機(jī)的一種優(yōu)化的結(jié)構(gòu)，所述下電極與一溫 度控制器相連接，所述溫度控制器控制所述下電極的溫度在0?l〇〇°C范圍內(nèi)。
[0019] 如上所述，本實(shí)用新型的適應(yīng)性耦合等離子刻蝕機(jī)，包括結(jié)構(gòu)：具有反應(yīng)空間并在 反應(yīng)空間中產(chǎn)生等離子體的反應(yīng)腔、設(shè)置于所述反應(yīng)腔中且用于支撐所述晶圓的下電極、 設(shè)置于反應(yīng)腔上方中心區(qū)域的螺旋型線圈組件；所述反應(yīng)腔的上腔壁由石英窗口和圍繞所 述石英窗口的第一襯套構(gòu)成。本實(shí)用新型通過(guò)將第一襯套設(shè)置作為反應(yīng)腔上壁的一部分， 減小了下電極和第一襯套之間的距離，一方面可以提高反應(yīng)腔下部的電子溫度，另一方面 還可以提高反應(yīng)腔邊緣的電子溫度，使整個(gè)反應(yīng)腔中的電子溫度分布更加均勻，降低晶圓 的損傷風(fēng)險(xiǎn)。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0020] 圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的電容耦合等離子源的示意圖。
[0021] 圖2為現(xiàn)有技術(shù)中的感應(yīng)耦合等離子源的示意圖。
[0022] 圖3為現(xiàn)有技術(shù)中的適應(yīng)性耦合等離子刻蝕機(jī)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0023] 圖4為本實(shí)用新型的實(shí)施例一中適應(yīng)性耦合等離子刻蝕機(jī)的結(jié)構(gòu)剖面圖。
[0024] 圖5為本實(shí)用新型的實(shí)施例二中適應(yīng)性耦合等離子刻蝕機(jī)的結(jié)構(gòu)剖面圖。
[0025] 圖6為本實(shí)用新型的實(shí)施例三中適應(yīng)性耦合等離子刻蝕機(jī)的結(jié)構(gòu)剖面圖。
[0026] 元件標(biāo)號(hào)說(shuō)明
[0027] 100, 200, 300, 400, 500, 600 反應(yīng)腔
[0028] 310 襯套
[0029] 410, 510, 610 第一襯套
[0030] 120, 220, 320, 420, 520, 620 下電極
[0031] 110 上電極
[0032] 210, 330, 430, 530, 630 線圈組件
[0033] 340, 440, 540, 640 晶圓
[0034] 550,650 第二襯套
[0035] 460, 560, 660 石英窗口
[0036] 470, 570, 670 射頻偏壓源

【具體實(shí)施方式】
[0037] 以下由特定的具體實(shí)施例說(shuō)明本實(shí)用新型的實(shí)施方式，熟悉此技術(shù)的人士可由本 說(shuō)明書(shū)所揭露的內(nèi)容輕易地了解本實(shí)用新型的其他優(yōu)點(diǎn)及功效。
[0038] 請(qǐng)參閱附圖。須知，本說(shuō)明書(shū)所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用以配 合說(shuō)明書(shū)所揭示的內(nèi)容，以供熟悉此技術(shù)的人士了解與閱讀，并非用以限定本實(shí)用新型可 實(shí)施的限定條件，故不具技術(shù)上的實(shí)質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào) 整，在不影響本實(shí)用新型所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下，均應(yīng)仍落在本實(shí)用新型所 揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時(shí)，本說(shuō)明書(shū)中所引用的如"上"、"下"、"左"、"右"、 "中間"及"一"等的用語(yǔ)，亦僅為便于敘述的明了，而非用以限定本實(shí)用新型可實(shí)施的范圍， 其相對(duì)關(guān)系的改變或調(diào)整，在無(wú)實(shí)質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當(dāng)亦視為本實(shí)用新型可實(shí)施的范疇。
[0039] 實(shí)施例一
[0040] 在本實(shí)施例中，如圖4所示，所述適應(yīng)性稱合等離子刻蝕機(jī)至少包括：具有反應(yīng)空 間并在反應(yīng)空間中產(chǎn)生等離子體的反應(yīng)腔400、設(shè)置于所述反應(yīng)腔400中且用于支撐所述 晶圓440的下電極420、設(shè)置于反應(yīng)腔400上方中心區(qū)域的螺旋型線圈組件430 ;所述反應(yīng) 腔的上腔壁由石英窗口 460和圍繞所述石英窗口 460的第一襯套410構(gòu)成。
[0041] 具體地，所述下電極420設(shè)置于所述反應(yīng)腔400中的下部，但不與所述反應(yīng)腔400 底部接觸。該下電極420用于支撐待刻蝕的晶圓440,且下電極420為導(dǎo)電板，比如，可以是 鐵板等，但并不限于此。進(jìn)一步地，所述下電極420可以與一溫度控制器(未予以圖示)相連 接，該溫度控制器控制所述下電極420的溫度在0?100°C范圍內(nèi)，通過(guò)下電極420可以間 接控制晶圓440達(dá)到工藝所需的溫度。
[0042] 所述第一襯套410既作為反應(yīng)腔400上壁的一部分，也是作為電極。所述第一襯 套410可以是圓環(huán)形，當(dāng)然根據(jù)需要也可以是其他形狀。另外，第一襯套410為導(dǎo)電板，t匕 如，可以是鐵板等，但并不限于此。
[0043] 所述適應(yīng)性耦合等離子刻蝕機(jī)還包括線圈組件430,所述線圈組件430設(shè)置于反 應(yīng)腔400上壁的上方，具體地，可以全部在石英窗口 460的上方，也可以有一部分延伸至第 一襯套410的上方。該線圈組件430的材質(zhì)采用銀、銅、鋁、金或鉬中的一種。本實(shí)施例中， 所述線圈組件430暫選為銅線圈。
[0044] 另外，所述第一襯套410與射頻電源(未予以圖示）相連接，該射頻電源的頻率，例 如，可以是13. 56MHZ。所述線圈組件430可以與所述第一襯套410連接至同一射頻電源，也 可以單獨(dú)與電源相連。所述下電極420與至少一個(gè)射頻偏壓源470相連接，例如，射頻偏壓 源可以是13. 56MHZ、2MHZ和幾 KHZ中的至少一個(gè)。另外，所述射頻電源和射頻偏壓源470 可以均由脈沖來(lái)驅(qū)動(dòng)，更進(jìn)一步地，所述射頻電源和射頻偏壓源470均由同步脈沖來(lái)驅(qū)動(dòng)。
[0045] 實(shí)施例二
[0046] 在本實(shí)施例中，如圖5所示，適應(yīng)性等離子刻蝕機(jī)至少包括：具有反應(yīng)空間并在反 應(yīng)空間中產(chǎn)生等離子體的反應(yīng)腔500、設(shè)置于所述反應(yīng)腔500中且用于支撐所述晶圓540的 下電極520、設(shè)置于反應(yīng)腔500上方中心區(qū)域的螺旋型線圈組件530 ;設(shè)置于線圈組件530 上方的第二襯套550 ;所述反應(yīng)腔500的上腔壁由石英窗口 560和圍繞所述石英窗口 560的 第一襯套510構(gòu)成。
[0047] 具體地，所述下電極520設(shè)置于所述反應(yīng)腔500中的下部，但不與所述反應(yīng)腔500 底部接觸。該下電極520用于支撐待刻蝕的晶圓540,且下電極540為導(dǎo)電板，比如，可以是 鐵板等，但并不限于此。進(jìn)一步地，所述下電極520可以與一溫度控制器(未予以圖示)相連 接，該溫度控制器控制所述下電極520的溫度在0?100°C范圍內(nèi)，通過(guò)下電極520可以間 接控制晶圓540達(dá)到工藝所需的溫度。
[0048] 所述第一襯套510既作為反應(yīng)腔500上壁的一部分，也是作為電極。所述第一襯 套510可以是圓環(huán)形，當(dāng)然根據(jù)需要也可以是其他形狀。另外，第一襯套510為導(dǎo)電板，t匕 如，可以是鐵板等，但并不限于此。
[0049] 所述適應(yīng)性耦合等離子刻蝕機(jī)還包括線圈組件530,所述線圈組件530設(shè)置于反 應(yīng)腔500上壁的上方，具體地，可以全部在石英窗口 560的上方，也可以有一部分延伸至第 一襯套510的上方。該線圈組件530的材質(zhì)采用銀、銅、鋁、金或鉬中的一種。本實(shí)施例中， 所述線圈組件530暫選為銅線圈。
[0050] 另外，所述第一襯套510與射頻電源(未予以圖示）相連接，該射頻電源的頻率，例 如，可以是13. 56MHZ。所述線圈組件530可以與所述第一襯套510連接至同一射頻電源，也 可以單獨(dú)與電源相連。所述下電極520與至少一個(gè)射頻偏壓源570相連接，例如，射頻偏壓 源570可以是13. 56MHZ、2MHZ和幾 KHZ中的至少一個(gè)。所述射頻電源和射頻偏壓源570可 以均由脈沖來(lái)驅(qū)動(dòng)，更進(jìn)一步地，所述射頻電源和射頻偏壓源570均由同步脈沖來(lái)驅(qū)動(dòng)。
[0051] 更進(jìn)一步地，所述第二襯套550和下電極520之間的距離是可調(diào)的，該距離可以在 5?25cm范圍內(nèi)選擇，比如，可以選擇為5cm、10cm、15cm、20cm或者25cm。本實(shí)施例中，所 述第二襯套550和下電極520之間的距離為20cm。所述第二襯套550為導(dǎo)電板，比如，可以 是鐵板等，但并不限于此。優(yōu)選地，第二襯套550的橫向尺寸小于線圈組件530的尺寸。
[0052] 實(shí)施例三
[0053] 在本實(shí)施例中，如圖6所示，適應(yīng)性等離子刻蝕機(jī)至少包括：具有反應(yīng)空間并在反 應(yīng)空間中產(chǎn)生等離子體的反應(yīng)腔600、設(shè)置于所述反應(yīng)腔600中且用于支撐所述晶圓640的 下電極620、設(shè)置于反應(yīng)腔600上方中心區(qū)域的螺旋型線圈組件630 ;設(shè)置于線圈組件630 與石英窗口 660之間的第二襯套650 ;所述反應(yīng)腔600的上腔壁由石英窗口 660和圍繞所 述石英窗口 660的第一襯套610構(gòu)成。
[0054] 具體地，所述下電極620設(shè)置于所述反應(yīng)腔600中的下部，但不與所述反應(yīng)腔600 底部接觸。該下電極620用于支撐待刻蝕的晶圓640,且下電極620為導(dǎo)電板，比如，可以是 鐵板等，但并不限于此。進(jìn)一步地，所述下電極620可以與一溫度控制器(未予以圖示)相連 接，該溫度控制器控制所述下電極620的溫度在0?100°C范圍內(nèi)，通過(guò)下電極620可以間 接控制晶圓640達(dá)到工藝所需的溫度。
[0055] 所述第一襯套610既作為反應(yīng)腔600上壁的一部分，也是作為電極。所述第一襯 套610可以是圓環(huán)形，當(dāng)然根據(jù)需要也可以是其他形狀。另外，第一襯套610為導(dǎo)電板，t匕 如，可以是鐵板等，但并不限于此。
[0056] 所述適應(yīng)性耦合等離子刻蝕機(jī)還包括線圈組件630,所述線圈組件630設(shè)置于反 應(yīng)腔600上壁的上方，具體地，可以全部在石英窗口 660的上方，也可以有一部分延伸至第 一襯套610的上方。該線圈組件630的材質(zhì)采用銀、銅、鋁、金或鉬中的一種。本實(shí)施例中， 所述線圈組件630暫選為銅線圈。
[0057] 另外，所述第一襯套610與射頻電源(未予以圖示）相連接，該射頻電源的頻率，例 如，可以是13. 56MHZ。所述線圈組件630可以與所述第一襯套610連接至同一射頻電源，也 可以單獨(dú)與電源相連。所述下電極620與至少一個(gè)射頻偏壓源670相連接，例如，射頻偏壓 源可以是13. 56MHZ、2MHZ和幾 KHZ中的至少一個(gè)。所述射頻電源和射頻偏壓源670均由脈 沖來(lái)驅(qū)動(dòng)，更進(jìn)一步地，所述射頻電源和射頻偏壓源670均由同步脈沖來(lái)驅(qū)動(dòng)。
[0058] 更進(jìn)一步地，所述第二襯套650和下電極620之間的距離是可調(diào)的，該距離可以在 5?25cm范圍內(nèi)選擇，比如，可以選擇為5cm、10cm、15cm、20cm或者25cm。本實(shí)施例中，所 述第二襯套650和下電極620之間的距離為15cm。所述第二襯套650為導(dǎo)電板，比如，可以 是鐵板等，但并不限于此。優(yōu)選地，第二襯套650的橫向尺寸小于線圈組件的尺寸且第二襯 套650不與石英窗口 660接觸。
[0059] 綜上所述，本實(shí)用新型提供的適應(yīng)性耦合等離子刻蝕機(jī)至少包括：本實(shí)用新型的 適應(yīng)性耦合等離子刻蝕機(jī)，包括結(jié)構(gòu)：具有反應(yīng)空間并在反應(yīng)空間中產(chǎn)生等離子體的反應(yīng) 腔、設(shè)置于所述反應(yīng)腔中且用于支撐所述晶圓的下電極、設(shè)置于反應(yīng)腔上方中心區(qū)域的螺 旋型線圈組件；所述反應(yīng)腔的上腔壁由石英窗口和圍繞所述石英窗口的第一襯套構(gòu)成。本 實(shí)用新型通過(guò)將第一襯套設(shè)置作為反應(yīng)腔上壁的一部分，減小了下電極和第一襯套之間的 距離，一方面可以提高反應(yīng)腔下部的電子溫度，另一方面還可以提高反應(yīng)腔邊緣的電子溫 度，使整個(gè)反應(yīng)腔中的電子溫度分布更加均勻，降低晶圓的損傷風(fēng)險(xiǎn)。
[0060] 所以，本實(shí)用新型有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點(diǎn)而具高度產(chǎn)業(yè)利用價(jià)值。
[0061] 上述實(shí)施例僅例示性說(shuō)明本實(shí)用新型的原理及其功效，而非用于限制本實(shí)用新 型。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本實(shí)用新型的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行 修飾或改變。因此，舉凡所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識(shí)者在未脫離本實(shí)用新型所揭示的精 神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本實(shí)用新型的權(quán)利要求所涵蓋。
【權(quán)利要求】
1. 一種適應(yīng)性耦合等離子刻蝕機(jī)，用于刻蝕晶圓，其特征在于，所述適應(yīng)性耦合等離子 刻蝕機(jī)包括： 具有反應(yīng)空間并在反應(yīng)空間中產(chǎn)生等離子體的反應(yīng)腔、設(shè)置于所述反應(yīng)腔中且用于支 撐所述晶圓的下電極、設(shè)置于反應(yīng)腔上方中心區(qū)域的螺旋型線圈組件；所述反應(yīng)腔的上腔 壁由石英窗口和圍繞所述石英窗口的第一襯套構(gòu)成。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的適應(yīng)性耦合等離子刻蝕機(jī)，其特征在于：所述適應(yīng)性耦合等 離子刻蝕機(jī)還包括第二襯套，所述第二襯套設(shè)置于所述反應(yīng)腔上方。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的適應(yīng)性耦合等離子刻蝕機(jī)，其特征在于：所述第二襯套設(shè)置 于線圈組件上方。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的適應(yīng)性耦合等離子刻蝕機(jī)，其特征在于：所述第二襯套設(shè)置 于線圈組件和石英窗口之間。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的適應(yīng)性耦合等離子刻蝕機(jī)，其特征在于：所述第一襯套、第二 襯套以及下電極均為鐵板。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的適應(yīng)性耦合等離子刻蝕機(jī)，其特征在于：所述線圈組件的材 質(zhì)為銀、銅、鋁、金或鉬中的任意一種。
7. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的適應(yīng)性耦合等離子刻蝕機(jī)，其特征在于：所述第二襯套和下 電極之間的距離可調(diào)。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的適應(yīng)性耦合等離子刻蝕機(jī)，其特征在于：所述第二襯套和下 電極之間的距離范圍為2?25cm。
9. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的適應(yīng)性耦合等離子刻蝕機(jī)，其特征在于：所述第二襯套與射 頻電源相連接；所述下電極與至少一個(gè)射頻偏壓源相連接。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的適應(yīng)性耦合等離子刻蝕機(jī)，其特征在于：所述射頻電源和射 頻偏壓源由脈沖來(lái)驅(qū)動(dòng)。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的適應(yīng)性耦合等離子刻蝕機(jī)，其特征在于：所述下電極與一溫 度控制器相連接，所述溫度控制器控制所述下電極的溫度在0?l〇〇°C范圍內(nèi)。
【文檔編號(hào)】H01J37/04GK203910743SQ201420169755
【公開(kāi)日】2014年10月29日 申請(qǐng)日期:2014年4月9日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月9日
【發(fā)明者】張海洋, 張城龍 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司