設(shè)有熱點轉(zhuǎn)化單元的led模組的制作方法
【專利摘要】本實用新型涉及LED模組，該LED模組包括芯片基板、至少一LED發(fā)光單元以及熱電轉(zhuǎn)化單元，所述LED發(fā)光單元設(shè)置于所述芯片基板的一側(cè)，所述熱電轉(zhuǎn)化單元用于將所述LED發(fā)光單元發(fā)出的熱量轉(zhuǎn)化為電能。本實用新型還提供一種LED照明裝置。本實用新型的所述LED模組在使用時，所述LED發(fā)光單元在發(fā)光時產(chǎn)生熱量，該熱量傳遞給所述熱電轉(zhuǎn)化單元，所述熱電轉(zhuǎn)化單元將該熱量轉(zhuǎn)化為電能，從而提高所述LED模組的電能利用效率；并且有利于降低所述LED發(fā)光單元的溫度，以提高所述LED發(fā)光單元的使用壽命。
【專利說明】設(shè)有熱點轉(zhuǎn)化單元的LED模組

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及發(fā)光二極管【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種LED模組。

【背景技術(shù)】
[0002]發(fā)光二極管(Light Emitting D1de,簡稱LED)作為新一代節(jié)能照明光源,是一種固態(tài)發(fā)光體，因其具有高效、節(jié)能、環(huán)保的顯著特點，被廣泛應(yīng)用于室內(nèi)外照明、顯示器背光、工礦燈、隧道燈、路燈等照明領(lǐng)域，隨著LED價格的逐漸下降其應(yīng)用領(lǐng)域更加廣闊。具有數(shù)個LED芯片作為光源的發(fā)光裝置，已經(jīng)逐漸取代傳統(tǒng)具有冷陰極管作為光源的發(fā)光裝置，成為目前市場上的主流產(chǎn)品，逐漸成為第四代的照明光源。
[0003]但是，發(fā)光二極管存在尚待克服的缺陷，S卩，LED的發(fā)光表現(xiàn)(如發(fā)光亮度以及所發(fā)出光源的色溫)會受到其本身溫度與其所處環(huán)境的溫度的影響，且一旦LED長期處于過熱的環(huán)境中，其發(fā)光亮度便會迅速的衰減，造成LED使用壽命的明顯縮短。然而，LED模組在使用過程中會產(chǎn)生熱量，該熱量會集中在LED模組的LED發(fā)光單元區(qū)域，LED發(fā)光單元發(fā)熱的能量被散失而浪費，使得LED模組的電能利用效率降低。
[0004]因此，如何提供一種LED模組，能夠提高LED模組的電能利用效率，已成為本領(lǐng)域技術(shù)人員需要解決的技術(shù)。
實用新型內(nèi)容
[0005]現(xiàn)有技術(shù)的LED模組存在LED模組的電能利用率低的問題，本實用新型提供一種能解決上述問題的LED模組以及LED照明裝置。
[0006]本實用新型提供一種LED模組，包括芯片基板、至少一 LED發(fā)光單元以及熱電轉(zhuǎn)化單元，所述LED發(fā)光單元設(shè)置于所述芯片基板的一側(cè)，所述熱電轉(zhuǎn)化單元用于將所述LED發(fā)光單元發(fā)出的熱量轉(zhuǎn)化為電能。
[0007]進一步的，在所述LED模組中，所述熱電轉(zhuǎn)化單元設(shè)置于所述芯片基板背離所述LED發(fā)光單元的一側(cè)，所述熱電轉(zhuǎn)化單元的高溫端連接所述芯片基板背離所述LED發(fā)光單元的一側(cè)的表面。
[0008]進一步的，在所述LED模組中，所述LED發(fā)光單元為側(cè)發(fā)光式發(fā)光單元，所述熱電轉(zhuǎn)化單元設(shè)置于所述LED發(fā)光單元背離所述芯片基板的一側(cè)，所述熱電轉(zhuǎn)化單元的高溫端連接所述LED發(fā)光單元背離所述芯片基板的一側(cè)的表面。
[0009]進一步的，在所述LED模組中，每一所述LED發(fā)光單元背離所述芯片基板的一側(cè)均具有一所述熱電轉(zhuǎn)化單元。
[0010]進一步的，在所述LED模組中，所述熱電轉(zhuǎn)化單元為半導(dǎo)體熱電轉(zhuǎn)換器。
[0011 ] 進一步的，在所述LED模組中，所述半導(dǎo)體熱電轉(zhuǎn)換器包括至少一熱電對，所述熱電對包括一 P型熱電轉(zhuǎn)換元件與一 N型熱電轉(zhuǎn)換元件，所述熱電對的P型熱電轉(zhuǎn)換元件的高溫端和N型熱電轉(zhuǎn)換元件的高溫端通過一導(dǎo)電電極連接，所述熱電對的P型熱電轉(zhuǎn)換元件的低溫端和N型熱電轉(zhuǎn)換元件的低溫端分別用于連接用電器。
[0012]進一步的，在所述LED模組中，所述LED模組還包括一冷卻基板，所述熱電轉(zhuǎn)化單元的低溫端固定在所述芯片基板的另一側(cè)，所述熱電轉(zhuǎn)化單元的高溫端固定在所述冷卻基板上。
[0013]進一步的,在所述LED模組中,所述熱電轉(zhuǎn)化單元的正極連接所述LED發(fā)光單元的正極，所述熱電轉(zhuǎn)化單元的負極連接所述LED發(fā)光單元的負極。
[0014]進一步的,在所述LED模組中，所述LED模組還包括一使電流從所述熱電轉(zhuǎn)化單元的正極單向流到所述LED發(fā)光單元的正極的單向?qū)ㄔ?，所述單向?qū)ㄔ?lián)于所述LED發(fā)光單元和熱電轉(zhuǎn)化單元之間。
[0015]進一步的，在所述LED模組中，所述單向?qū)ㄔ橐痪w二極管，所述晶體二極管串聯(lián)于所述LED發(fā)光單元的正極和熱電轉(zhuǎn)化單元的正極之間，所述晶體二極管的陰極連接所述LED發(fā)光單元的正極，所述晶體二極管的陽極連接所述熱電轉(zhuǎn)化單元的正極。
[0016]根據(jù)本實用新型的另一面，本實用新型還提供一種LED照明裝置，具備如上所述的LED模組。
[0017]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型提供的LED模組以及LED照明裝置具有以下優(yōu)點:
[0018]本實用新型的LED模組中，所述LED發(fā)光單元設(shè)置于所述芯片基板的一側(cè)，所述熱電轉(zhuǎn)化單元用于將所述LED發(fā)光單元發(fā)出的熱量轉(zhuǎn)化為電能，與現(xiàn)有技術(shù)相比，當(dāng)所述LED模組在使用時，所述LED發(fā)光單元在發(fā)光時產(chǎn)生熱量，該熱量傳遞給所述熱電轉(zhuǎn)化單元，所述熱電轉(zhuǎn)化單元將該熱量轉(zhuǎn)化為電能，從而提高所述LED模組的電能利用效率；并且有利于降低所述LED發(fā)光單元的溫度，以提高所述LED發(fā)光單元的使用壽命。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]圖1是本實用新型第一實施方式的LED模組的示意圖；
[0020]圖2是本實用新型第二實施方式的LED模組的示意圖。

【具體實施方式】
[0021]現(xiàn)有技術(shù)的LED模組以及LED照明裝置中，LED發(fā)光單元發(fā)熱的能量被散失而浪費，使得LED模組的電能利用效率降低。 申請人:經(jīng)過對現(xiàn)有技術(shù)LED模組的深入研究發(fā)現(xiàn)，如果能將所述LED發(fā)光單元發(fā)出的熱量利用，則不但可以降低所述LED發(fā)光單元的溫度，而且可以將該熱量循環(huán)利用，從而可以增加所述LED發(fā)光單元的使用壽命，并可以實現(xiàn)節(jié)能減排的有益效果。
[0022]有鑒于上述的研究，本實用新型提供一 LED模組，包括芯片基板、至少一 LED發(fā)光單元以及熱電轉(zhuǎn)化單元，所述LED發(fā)光單元設(shè)置于所述芯片基板的一側(cè)，所述熱電轉(zhuǎn)化單元用于將所述LED發(fā)光單元發(fā)出的熱量轉(zhuǎn)化為電能；當(dāng)所述LED模組在使用時，所述LED發(fā)光單元在發(fā)光時產(chǎn)生熱量，該熱量傳遞給所述熱電轉(zhuǎn)化單元，所述熱電轉(zhuǎn)化單元將該熱量轉(zhuǎn)化為電能，從而提高所述LED模組的電能利用效率；并且有利于降低所述LED發(fā)光單元的溫度，以提高所述LED發(fā)光單元的使用壽命。
[0023]進一步的，所述LED模組還包括一冷卻基板，所述熱電轉(zhuǎn)化單元的低溫端固定在所述芯片基板的另一側(cè)，所述熱電轉(zhuǎn)化單元的高溫端固定在所述冷卻基板上，所述冷卻基板將所述熱電轉(zhuǎn)化單元的高溫端的熱量傳遞到環(huán)境中，從而增加所述熱電轉(zhuǎn)化單元的低溫端與高溫端之間的溫度差，以增加所述熱電轉(zhuǎn)化單元的熱電轉(zhuǎn)化效率。
[0024]進一步的,所述熱電轉(zhuǎn)化單元的正極連接所述LED發(fā)光單元的正極,所述熱電轉(zhuǎn)化單元的負極連接所述LED發(fā)光單元的負極，從而將所述熱電轉(zhuǎn)化單元轉(zhuǎn)化的電能提供給所述LED發(fā)光單元，可以減少外接電源的耗電量，實現(xiàn)能量的循環(huán)利用，節(jié)能減排；另外，所述LED模組還包括一單向?qū)ㄔ?，所述單向?qū)ㄔ?lián)于所述LED發(fā)光單元和熱電轉(zhuǎn)化單元之間，所述單向?qū)ㄔ闺娏鲉蜗驈乃鰺犭娹D(zhuǎn)化單元的正極流到所述LED發(fā)光單元的正極，防止當(dāng)所述熱電轉(zhuǎn)化單元轉(zhuǎn)化的電能的電勢過低時，所述熱電轉(zhuǎn)化單元消耗外接電源的電流。
[0025]請參閱圖1，圖1是本實用新型第一實施方式的LED模組的示意圖。在本實施方式中，所述LED模組10包括芯片基板110、至少一 LED發(fā)光單元120以及熱電轉(zhuǎn)化單元130，所述LED發(fā)光單元120設(shè)置于所述芯片基板110的一側(cè)，所述熱電轉(zhuǎn)化單元130用于將所述LED發(fā)光單元120發(fā)出的熱量轉(zhuǎn)化為電能。其中，所述LED發(fā)光單元120為包括PN結(jié)的芯片結(jié)構(gòu)。圖1所示的所述LED模組10中包括3個所述LED發(fā)光單元120，但所述LED發(fā)光單元120的數(shù)量以及排列方式并不做限制，可以根據(jù)具體需要進行設(shè)置。
[0026]在本實施方式中，所述熱電轉(zhuǎn)化單元130設(shè)置于所述芯片基板110背離所述LED發(fā)光單元120的一側(cè)，所述熱電轉(zhuǎn)化單元130的高溫端連接所述芯片基板110背離所述LED發(fā)光單元120的一側(cè)的表面，當(dāng)所述LED模組10在使用時，所述LED發(fā)光單元120在發(fā)光時產(chǎn)生熱量，該熱量可以通過所述芯片基板110傳遞給所述熱電轉(zhuǎn)化單元130，所述熱電轉(zhuǎn)化單元130將該熱量轉(zhuǎn)化為電能，從而提高所述LED模組10的電能利用效率；并且有利于降低所述芯片基板110的溫度，從而降低所述LED發(fā)光單元120的溫度，以提高所述LED發(fā)光單元120的使用壽命。較佳的，所述芯片基板110可以為熱傳導(dǎo)基板，即所述芯片基板110的熱傳導(dǎo)率較高，一般，所述芯片基板110的熱傳導(dǎo)率高于所述LED發(fā)光單元120的熱傳導(dǎo)率，例如所述芯片基板110為金屬熱傳導(dǎo)基板，可以提高所述芯片基板110的導(dǎo)熱能力，從而提高所述熱電轉(zhuǎn)化單元130的熱電轉(zhuǎn)化效率。
[0027]在本實施方式中，所述熱電轉(zhuǎn)化單元130為半導(dǎo)體熱電轉(zhuǎn)換器。但所述熱電轉(zhuǎn)化單元130并不限于為半導(dǎo)體熱電轉(zhuǎn)換器，還可以為金屬熱電轉(zhuǎn)換器，只要是可以將所述LED發(fā)光單元120在發(fā)光時產(chǎn)生熱量轉(zhuǎn)化為電能的熱電轉(zhuǎn)換器，亦在本實用新型的思想范圍之內(nèi)。
[0028]其中，所述半導(dǎo)體熱電轉(zhuǎn)換器包括至少一熱電對130A，所述熱電對130A包括一 P型熱電轉(zhuǎn)換元件131和一 N型熱電轉(zhuǎn)換元件132，所述熱電對130A的P型熱電轉(zhuǎn)換元件131的高溫端和N型熱電轉(zhuǎn)換元件132的高溫端通過一導(dǎo)電電極133連接，所有所述熱電對130A的P型熱電轉(zhuǎn)換元件131的高溫端和N型熱電轉(zhuǎn)換元件132的高溫端共同構(gòu)成所述半導(dǎo)體熱電轉(zhuǎn)換器的高溫端；所述熱電對130A的P型熱電轉(zhuǎn)換元件131的低溫端和N型熱電轉(zhuǎn)換元件132的低溫端分別用于連接用電器，所有所述熱電對130A的P型熱電轉(zhuǎn)換元件131的低溫端和N型熱電轉(zhuǎn)換元件132的低溫端共同構(gòu)成所述半導(dǎo)體熱電轉(zhuǎn)換器的低溫端。在本實施方式中，所述熱電轉(zhuǎn)化單元130中包括5個所述熱電對130A，但所述熱電對130A的數(shù)量與排列方式并不做限制，可以根據(jù)具體需要進行設(shè)置。當(dāng)所述熱電轉(zhuǎn)化單元130具有多個所述熱電對130A時，相鄰所述熱電對130A的相鄰P型熱電轉(zhuǎn)換元件131和N型熱電轉(zhuǎn)換元件132可以通過導(dǎo)線連接，以使每一所述熱電對130A可以將產(chǎn)生的電能均傳遞給用電器。在本實施方式中，所述用電器為所述LED發(fā)光單元120。
[0029]當(dāng)所述LED發(fā)光單元120通電后，所述LED發(fā)光單元120產(chǎn)生熱量，使得P型熱電轉(zhuǎn)換元件131的高溫端的溫度高于P型熱電轉(zhuǎn)換元件131的低溫端的溫度，所述P型熱電轉(zhuǎn)換元件131的高溫端吸收所述LED發(fā)光單元120的熱量,使得所述P型熱電轉(zhuǎn)換元件131的高溫端的空穴濃度高，則空穴從所述P型熱電轉(zhuǎn)換元件131的高溫端向低溫端擴散，所以，在所述P型熱電轉(zhuǎn)換元件131內(nèi)產(chǎn)生由高溫端到低溫端的溫差電動勢，在開路的情況下，在所述P型熱電轉(zhuǎn)換元件131的低溫端聚集正電荷，形成所述熱電對130A的正極；相反，所述N型熱電轉(zhuǎn)換元件132的高溫端吸收所述LED發(fā)光單元120的熱量,使得所述N型熱電轉(zhuǎn)換元件132的高溫端的電子濃度高，則電子從所述N型熱電轉(zhuǎn)換元件132的高溫端向低溫端擴散，所以，在所述N型熱電轉(zhuǎn)換元件132內(nèi)產(chǎn)生由低溫端到高溫端的溫差電動勢，在開路的情況下，在所述N型熱電轉(zhuǎn)換元件132的低溫端聚集負電荷，形成所述熱電對130A的負極。將所述熱電對130A連接用電器時，在每一所述熱電對130A中，形成由負極到正極的電流，在每一所述熱電對130A外，形成由正極到負極的電流，從而，將熱能轉(zhuǎn)化為電能，提供給所述用電器，同時降低所述LED發(fā)光單元120的熱量。
[0030]在本實施方式中，所述LED模組10還包括一冷卻基板140，所述冷卻基板140固定在所述熱電轉(zhuǎn)化單元130的低溫端上，所述冷卻基板140將所述熱電轉(zhuǎn)化單元130的低溫端的熱量傳遞到環(huán)境中，從而增加所述熱電轉(zhuǎn)化單元130的高溫端與低溫端之間的溫度差，以增加所述熱電轉(zhuǎn)化單元130的半導(dǎo)體制冷效率。所述冷卻基板140為熱傳導(dǎo)基板，即所述冷卻基板140的熱傳導(dǎo)率較高，一般，所述冷卻基板140的熱傳導(dǎo)率高于所述熱電轉(zhuǎn)化單元130低溫端的熱傳導(dǎo)率，例如所述冷卻基板140為金屬熱傳導(dǎo)基板，可以提高所述冷卻基板140的導(dǎo)熱能力，從而提高增加所述熱電轉(zhuǎn)化單元130的高溫端與低溫端之間的溫度差。
[0031]在本實施方式中，所述熱電轉(zhuǎn)化單元130的正極連接所述LED發(fā)光單元120的正極，所述熱電轉(zhuǎn)化單元130的負極連接所述LED發(fā)光單元120的負極，從而將所述熱電轉(zhuǎn)化單130轉(zhuǎn)化的電能提供給所述LED發(fā)光單元120，可以減少外接電源150的耗電量，實現(xiàn)能量的循環(huán)利用，節(jié)能減排。但是，所述熱電轉(zhuǎn)化單元130并不限于上述連接方式，還可以將所述熱電轉(zhuǎn)化單元130連接外接用電器，以向所述外接用電器供電。
[0032]較佳的，所述LED模組10還包括一使電流從所述熱電轉(zhuǎn)化單元130的正極單向流到所述LED發(fā)光單元120的正極的單向?qū)ㄔ?60,所述單向?qū)ㄔ?60串聯(lián)于所述LED發(fā)光單元130和熱電轉(zhuǎn)化單元120之間，所述單向?qū)ㄔ?60使電流單向從所述熱電轉(zhuǎn)化單元130的正極流到所述LED發(fā)光單元120的正極,防止當(dāng)所述熱電轉(zhuǎn)化單元160轉(zhuǎn)化的電能的電勢過低時，所述熱電轉(zhuǎn)化單元160消耗外接電源150的電流。優(yōu)選的，所述單向?qū)ㄔ?60為一晶體二極管，所述晶體二極管串聯(lián)于所述LED發(fā)光單元120的正極和熱電轉(zhuǎn)化單元130的正極之間，所述晶體二極管的陰極連接所述LED發(fā)光單元120的正極，所述晶體二極管的陽極連接所述熱電轉(zhuǎn)化單元130的正極。
[0033]當(dāng)所述LED模組10在使用時，所述LED發(fā)光單元120在發(fā)光時產(chǎn)生熱量，該熱量可以傳遞給所述熱電轉(zhuǎn)化單元130，所述熱電轉(zhuǎn)化單元130將該熱量轉(zhuǎn)化為電能，從而提高所述LED模組10的電能利用效率；并且有利于降低所述芯片基板110的溫度，從而降低所述LED發(fā)光單元120的溫度，以提高所述LED發(fā)光單元120的使用壽命。
[0034]本實施方式的所述LED模組10可以應(yīng)用于LED照明裝置，實現(xiàn)LED發(fā)光。
[0035]請參閱圖2，圖2是本實用新型第二實施方式的LED模組的示意圖，在圖2中，參考標(biāo)號表不與圖1相同的表述與第一實施方式相同的兀件。所述第二實施方式的LED模組20與所述第一實施方式的LED模組10基本相同，其區(qū)別在于:所述LED發(fā)光單元120為側(cè)發(fā)光式發(fā)光單元，所述熱電轉(zhuǎn)化單元230設(shè)置于所述LED發(fā)光單元120背離所述芯片基板110的一側(cè)，所述熱電轉(zhuǎn)化單元230的高溫端連接所述LED發(fā)光單元120背離所述芯片基板110的一側(cè)的表面。當(dāng)所述LED模組20在使用時，所述LED發(fā)光單元120在發(fā)光時產(chǎn)生熱量，該熱量直接傳遞給所述熱電轉(zhuǎn)化單元230，所述熱電轉(zhuǎn)化單元230將該熱量轉(zhuǎn)化為電能，從而提高所述LED模組20的電能利用效率；并且有利于降低所述LED發(fā)光單元120的溫度，以提高所述LED發(fā)光單元120的使用壽命。
[0036]在本實施方式中，每一所述LED發(fā)光單兀120背離所述芯片基板110的一側(cè)均具有一所述熱電轉(zhuǎn)化單元230，其中，所述熱電轉(zhuǎn)化單元230包括至少一個所述熱電對130A。但是，并不限于每一所述LED發(fā)光單元120背離所述芯片基板110的一側(cè)均具有一所述熱電轉(zhuǎn)化單元230，還可以在所有的所述LED發(fā)光單元120背離所述芯片基板110的一側(cè)的表面同時覆蓋一個面積足夠大的所述熱電轉(zhuǎn)化單元230，所述熱電轉(zhuǎn)化單元230可以覆蓋所有的所述LED發(fā)光單元120，亦在本實用新型的思想范圍之內(nèi)。
[0037]其中，在本實施方式中，每一所述熱電轉(zhuǎn)化單兀130的低溫端上均具有一冷卻基板240，如圖2所示，還可以在所有的所述熱電轉(zhuǎn)化單元230的低溫端同時覆蓋一個面積足夠大的所述冷卻基板240，所述冷卻基板240可以覆蓋所有的所述熱電轉(zhuǎn)化單元230，亦在本實用新型的思想范圍之內(nèi)。另外，當(dāng)一個所述熱電轉(zhuǎn)化單元230覆蓋所有的所述LED發(fā)光單元120時，一個所述冷卻基板240固定在所述熱電轉(zhuǎn)化單元230的低溫端上，所述冷卻基板240將所述熱電轉(zhuǎn)化單元230的低溫端的熱量傳遞到環(huán)境中，亦可以增加所述熱電轉(zhuǎn)化單元230的高溫端與低溫端之間的溫度差，亦能增加所述熱電轉(zhuǎn)化單元230的熱電轉(zhuǎn)化效率，亦在本實用新型的思想范圍之內(nèi)。
[0038]在本實施方式中，所述LED發(fā)光單元120通過電源251供電，所述熱電轉(zhuǎn)化單元230連接一外接用電器252，以向所述外接用電器252供電。另外，還可以將所述熱電轉(zhuǎn)化單元230的正極連接所述LED發(fā)光單元120的正極，所述熱電轉(zhuǎn)化單元230的負極連接所述LED發(fā)光單元120的負極，從而將所述熱電轉(zhuǎn)化單230轉(zhuǎn)化的電能提供給所述LED發(fā)光單元120，亦在本實用新型的思想范圍之內(nèi)。
[0039]本實用新型并不限于以上實施方式，例如:所述熱電轉(zhuǎn)化單元并不限于位于設(shè)置于所述芯片基板背離所述LED發(fā)光單元的一側(cè)，或設(shè)置于所述LED發(fā)光單元背離所述芯片基板的一側(cè)，還可以設(shè)置于所述芯片基板的側(cè)邊，亦可以通過所述芯片基板實現(xiàn)與所述LED發(fā)光單元的熱量傳遞，亦在本實用新型的思想范圍之內(nèi)。
[0040]雖然本實用新型已以較佳實施方式披露如上，但本實用新型并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本實用新型的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改，因此本實用新型的保護范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種LED模組，其特征在于，包括芯片基板、至少一 LED發(fā)光單元以及熱電轉(zhuǎn)化單元，所述LED發(fā)光單元設(shè)置于所述芯片基板的一側(cè)，所述熱電轉(zhuǎn)化單元用于將所述LED發(fā)光單元發(fā)出的熱量轉(zhuǎn)化為電能。
2.如權(quán)利要求1所述的LED模組，其特征在于:所述熱電轉(zhuǎn)化單元設(shè)置于所述芯片基板背離所述LED發(fā)光單元的一側(cè)，所述熱電轉(zhuǎn)化單元的高溫端連接所述芯片基板背離所述LED發(fā)光單兀的一側(cè)的表面。
3.如權(quán)利要求1所述的LED模組，其特征在于:所述LED發(fā)光單元為側(cè)發(fā)光式發(fā)光單元，所述熱電轉(zhuǎn)化單元設(shè)置于所述LED發(fā)光單元背離所述芯片基板的一側(cè)，所述熱電轉(zhuǎn)化單元的高溫端連接所述LED發(fā)光單元背離所述芯片基板的一側(cè)的表面。
4.如權(quán)利要求3所述的LED模組，其特征在于:每一所述LED發(fā)光單元背離所述芯片基板的一側(cè)均具有一所述熱電轉(zhuǎn)化單元。
5.如權(quán)利要求1所述的LED模組，其特征在于:所述熱電轉(zhuǎn)化單元為半導(dǎo)體熱電轉(zhuǎn)換器。
6.如權(quán)利要求5所述的LED模組，其特征在于:所述半導(dǎo)體熱電轉(zhuǎn)換器包括至少一熱電對，所述熱電對包括一 P型熱電轉(zhuǎn)換兀件與一 N型熱電轉(zhuǎn)換兀件，所述熱電對的P型熱電轉(zhuǎn)換元件的高溫端和N型熱電轉(zhuǎn)換元件的高溫端通過一導(dǎo)電電極連接，所述熱電對的P型熱電轉(zhuǎn)換元件的低溫端和N型熱電轉(zhuǎn)換元件的低溫端分別用于連接用電器。
7.如權(quán)利要求1所述的LED模組，其特征在于:所述LED模組還包括一冷卻基板，所述熱電轉(zhuǎn)化單元的低溫端固定在所述芯片基板的另一側(cè)，所述熱電轉(zhuǎn)化單元的高溫端固定在所述冷卻基板上。
8.如權(quán)利要求1所述的LED模組，其特征在于:所述熱電轉(zhuǎn)化單元的正極連接所述LED發(fā)光單元的正極，所述熱電轉(zhuǎn)化單元的負極連接所述LED發(fā)光單元的負極。
9.如權(quán)利要求8所述的LED模組，其特征在于:所述LED模組還包括一使電流從所述熱電轉(zhuǎn)化單元的正極單向流到所述LED發(fā)光單元的正極的單向?qū)ㄔ?，所述單向?qū)ㄔ?lián)于所述LED發(fā)光單元和熱電轉(zhuǎn)化單元之間。
10.如權(quán)利要求9所述的LED模組，其特征在于:所述單向?qū)ㄔ橐痪w二極管，所述晶體二極管串聯(lián)于所述LED發(fā)光單元的正極和熱電轉(zhuǎn)化單元的正極之間，所述晶體二極管的陰極連接所述LED發(fā)光單元的正極，所述晶體二極管的陽極連接所述熱電轉(zhuǎn)化單元的正極。
【文檔編號】F21V29/00GK204114617SQ201420430928
【公開日】2015年1月21日 申請日期:2014年8月1日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月1日
【發(fā)明者】金國華, 黃強, 楊樂, 施燕, 陳勝利, 周明, 許修安, 韓州, 葉建明, 朱霆 申請人:蘇州襲麟光電科技產(chǎn)業(yè)有限公司