本實用新型屬于LED照明領域，具體涉及到一種大功率LED球場投射燈。

背景技術：

大功率LED燈在機場、運動場、碼頭、廣場、大橋等的投射燈、球場燈、舞臺燈、景觀燈等具有廣泛的應用前景。但在推廣應用中存在主要技術瓶頸之一就是散熱問題。

技術實現(xiàn)要素：

為了解決上述問題，本實用新型旨在提供一種大功率LED球場投射燈，其散熱器采用熱電分離的散熱主體和復合式基板，以解決現(xiàn)有技術中的散熱問題。

本實用新型提供了一種大功率LED球場投射燈，包括燈罩、燈具模組和散熱器，所述散熱器包括散熱主體和復合式基板，所述復合式基板通過螺絲鎖緊在所述散熱主體上，且所述復合式基板包括基板、壓合層和陶瓷層，所述基板上設有多個金屬凸起，所述陶瓷層設于所述金屬凸起上方，所述半導體LED芯片設于所述陶瓷層上方；所述基板的非凸起處的上表面設有壓合層，所述壓合層與所述金屬凸起等高。

優(yōu)選地，所述復合式基板為銅基板或鋁基板。

進一步地，所述散熱主體包括多個平行設置的熱管鉚接鰭片。

優(yōu)選地，所述燈罩為高純鋁反光罩。

優(yōu)選地，所述陶瓷層的材料為AL₂O₃、ALN、ALON、SiC中的一種。

本實用新型提供的所述大功率LED球場投射燈采用熱電分離的散熱主體和復合式基板，通過在半導體LED芯片與基板之間設置陶瓷層，可有效的進行光電隔離的同時又具備優(yōu)良的熱傳導性，使得位于陶瓷基板上的半導體LED芯片的熱量可直接通過金屬凸起傳遞到散熱器；在基板的非凸起處設置壓合層，驅(qū)動電路電子元器件通過電路與半導體LED芯片連接，可有效的進行光電控制，實現(xiàn)熱電分離。

附圖說明

圖1為本實用新型提供的一種大功率LED球場投射燈中散熱器的結構示意圖；

圖2為圖1中復合式基板的剖視圖；

圖3為圖2的仰視圖；

其中：10-復合式基板，20-散熱主體，1-基板，2-壓合層，3-陶瓷層，4-半導體LED芯片，11-金屬金屬凸起，21-絕緣層，22-銅箔，31、33-陶瓷層背面的第一部分，32-陶瓷層背面的第二部分。

具體實施方式

下面結合附圖對本實用新型的實施例進行詳述。

請參閱圖1，本實用新型提供一種大功率LED球場投射燈，包括燈罩、燈具模組和散熱器，所述散熱器包括散熱主體20和復合式基板10，所述復合式基板10通過螺絲鎖緊在所述散熱主體20上。

所述散熱主體20包括多個平行設置的熱管鉚接鰭片；所述燈罩為高純鋁反光罩。

請參閱圖2，所述復合式基板10為銅基板或鋁基板，其上部設有半導體LED芯片4，其下部螺絲鎖緊在所述散熱主體20上，包括基板1、壓合層2和陶瓷層3。

所述基板1上設有多個金屬凸起11，所述陶瓷層3設于所述金屬凸起11上方，所述半導體LED芯片4設于所述陶瓷層3上方；所述基板1的非凸起11處的上表面設有壓合層2，所述壓合層2與所述金屬凸起11等高。

所述壓合層2用于基板1上多個半導體LED芯片電路4間的屏蔽，由絕緣層21及銅箔22制成；所述絕緣層的材料為樹脂、FR4、BT中的一種。

對所述金屬凸起11進行噴錫或沉錫。

請參閱圖3，所述陶瓷層3包括兩部分，第一部分31、33與銅箔接合，第二部分32通過回流焊或共晶焊的方式焊接于所述金屬凸起11上。

所述陶瓷層的材料為AL₂O₃、ALN、ALON、SiC中的一種；且所述陶瓷層可呈通孔貫穿設置，以使所述半導體LED芯片與所述基板線路連通。

本實用新型提供的所述大功率LED球場投射燈采用熱電分離的散熱主體和復合式基板，通過在半導體LED芯片與基板之間設置陶瓷層，可有效的進行光電隔離的同時又具備優(yōu)良的熱傳導性，使得位于陶瓷基板上的半導體LED芯片的熱量可直接通過金屬凸起傳遞到散熱器；在基板的非凸起處設置壓合層，驅(qū)動電路電子元器件通過電路與半導體LED芯片連接，可有效的進行光電控制，實現(xiàn)熱電分離。

以上所述，僅為本實用新型較佳的具體實施方式，但本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本實用新型揭露的技術范圍內(nèi)，根據(jù)本實用新型的技術方案及其實用新型構思加以等同替換或改變，都應涵蓋在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。