專利名稱：凹雕光纖面板的制備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于光學(xué)。
在像增強(qiáng)器中，圖像質(zhì)量可以用一綜合指數(shù)-調(diào)制傳遞函數(shù)(MTF)來表示。一支管子的MTF等于組成它的組件的MTF的乘積，即F管＝f光陰級·f電子光學(xué)·f熒光屏，三者中熒光屏的MTF大大低于前面二者，所以整管的成像質(zhì)量一直不夠理想。為了改變這種狀況，提出用凹雕金屬化熒光屏代替玻璃基底熒光屏，見J.R.Piedman and H.K.Pollehn Proc，S.P.I.E95，155，1976.
本發(fā)明的目的是用腐蝕的方法在普通光纖面板上制出凹雕光纖面板。
本發(fā)明的主要特點(diǎn)是由親電性腐蝕液、助劑和去離水為腐蝕液，所說的助劑是Na2O2為8‰～20‰H2O2為20‰～80‰親電性腐蝕液為30‰～70‰其余為去離水，所說的親電性腐蝕液溫度為0℃～100℃。
本發(fā)明方法簡單，可以在普通光纖面板上腐蝕出理想的凹雕屏，對光纖面板沒有特殊要求，可以廣泛用于生產(chǎn)中。
附圖
是凹雕光纖面板熒光屏結(jié)構(gòu)圖，圖中1為光纖的皮玻璃，2為芯玻璃，3為加了熒光材料的凹雕坑，4為高反射親數(shù)金屬膜，5為鋁膜，6為電子束。
下面結(jié)合附圖論述發(fā)明的原理。由附圖知。它是將普通光纖面板入射面上的每根單絲的芯玻璃用腐蝕辦法去掉一部分，形成一個(gè)個(gè)小凹坑;坑的側(cè)壁涂上一層高反射系數(shù)金屬膜;第三步再將熒光粉粒子均勻密實(shí)地填入每個(gè)小凹坑，最后，再在上面蒸上一層鋁膜。這樣的小坑，相當(dāng)于一個(gè)小暗室，當(dāng)坑中的熒光粉粒子發(fā)光時(shí)，光線只能通過坑底的光導(dǎo)纖維傳出，其它三面都不透光，這樣，就大大地減少了光擴(kuò)散，從而提高了熒光屏的MTF。在理論上，凹雕/金屬化熒光屏的MTF等于或接近光纖面板本身固有的MTF。
本發(fā)明用的腐蝕法，腐蝕要求(1)腐蝕液應(yīng)當(dāng)有選擇的腐蝕光纖面板芯玻璃而不腐蝕皮玻璃;(2)腐蝕后的小坑均勻一致，表面光滑，透過率基本保持原樣;(3)腐蝕后的小坑最好是平底，即坑壁垂直坑底;(4)小坑深度應(yīng)滿足做屏要求。
本發(fā)明所用的選擇性腐蝕液是親電性腐蝕液、助劑和去離水。
親電性腐蝕液如鹽酸，硫酸等等以及它們的混合液。
助劑Na2O2(過氧化鈉)、H2O2(過氧化氫)。
其中Na2O2為8‰～20‰，H2O2為20‰～80‰。
親電性腐蝕液或它們的混合液占3‰-70‰其余為去離水。
選擇性腐蝕液的溫度0℃以上，沸點(diǎn)以下。
腐蝕條件被腐蝕樣品與腐蝕液要有相對運(yùn)動。
本發(fā)明一個(gè)實(shí)例如下1、選板、涂保護(hù)層將普通光纖面板(單絲直徑6μm)，板厚1mm，進(jìn)行清洗，涂蠟待用。
2、配選擇性腐蝕液HCl53g‰Na2O210g‰H2O220g‰其余為去離子水。
3、將選擇性腐蝕液放在電磁攪拌器上，然后把放有待腐蝕光纖面板的小籃置于選擇性腐蝕液中懸掛腐蝕，光面朝上，蠟面朝下。
4、腐蝕液溫度20℃。
5、腐蝕深度連續(xù)腐蝕1小時(shí)腐蝕坑深約為1.3μm連續(xù)腐蝕3小時(shí)腐蝕坑深約為4μm6、腐蝕后清洗凹雕光纖面板-去蠟-再清洗。
權(quán)利要求
1.一種凹雕光纖面板的制備由親電性腐蝕液、助劑和去離水為腐蝕液其特征為所說的助劑是Na2O2為8‰～20‰H2O2為20‰～80‰親電性腐蝕液為30‰～70‰其余為去離水，所說的親電性腐蝕液溫度為0℃～100℃。
2.按權(quán)利要求1所述的凹雕光纖面板的制備其特征為被腐蝕的樣品與腐蝕液要有相對運(yùn)動。
全文摘要
一種凹雕光纖面板的制備由親電性腐蝕液、助劑和去離水為腐蝕液，其中
文檔編號H01J9/20GK1068676SQ9110473
公開日1993年2月3日 申請日期1991年7月18日 優(yōu)先權(quán)日1991年7月18日
發(fā)明者文宛生 申請人:中國科學(xué)院電子學(xué)研究所