專利名稱：圖象形成裝置及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及具有多電子源和熒光物的一個圖象形成裝置以及制造該圖象形成裝置的方法。
平板顯示裝置既輕又薄，因此被關注為取代CRT型顯示器的裝置。尤其是采用電子發(fā)射器件與在接收到電子束照射而發(fā)光的熒光物的組合的顯示器被認為具有比其它普通方法的顯示裝置更好的顯示特性。例如和新近流行的液晶顯示裝置相比，上述的裝置由于其自發(fā)射型不需要背景光并且具有寬視角，因而更加優(yōu)越。
通常有兩種公知的電子發(fā)射器件，即熱和冷陰極裝置。冷陰極裝置的已知的例子有表面?zhèn)鲗Оl(fā)射(SCE)型電子發(fā)射器件、場發(fā)射型電子發(fā)射器件(下稱FE型電子發(fā)射器件)和金屬/絕緣體/金屬型的電子發(fā)射器件(下稱MIM型的電子發(fā)射器件)表面?zhèn)鲗偷碾娮影l(fā)射器件的一個已知的例子是在例如M.I.Elinson在″無線電工程、電子物理學″中的文章所描述(出版在1965年的1290，10期)。其它的例子在后作描述。
表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型的發(fā)射裝置利用了這樣一種現(xiàn)象，即在讓電流平行通過薄膜的表面基板上所形成的小面積的薄膜由其發(fā)射出電子。除去上述根據(jù)Elinson的SnO2的薄膜之外，這種表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型發(fā)射裝置包括的電子發(fā)射器件還使用Au薄膜[G.dittmer，1972年出版的″薄硅膜″9，317頁]、In2O3/SnO2薄膜[M.Hartwell和C.G.Fonstad，1975年出版的″IEEE工程設計″，519頁]和碳薄膜[hisashi Araki等人的″真空″雜志，1983年卷26第一期的第22頁]等。


圖15的平面圖示出的是上述的由M.hartwell等人描述的裝置，作為這些表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型發(fā)射裝置的一個典型的實例。參考圖15，其中示出的是一個基板3001和通過濺射形成的金屬氧化物形成的導電薄膜3004。如圖15所示，該導電薄膜3004具有H形的圖案。電子發(fā)射部分3005是對于導電薄膜3004進行電化處理(下稱成型處理)而形成的。在圖15中的間隔L設置成0.5到1mm，而寬度W設置為0.1mm。為了便于說明，示出的電子發(fā)射部分3005是以該導電薄膜3004為中心的矩形。但是，它并不精確的表示該電子發(fā)射部分的實際的位置和形狀。
在上述由M.Hartwell等人設計的表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型發(fā)射裝置中，電子發(fā)射部分3005通常是通過在電子發(fā)射之前對于導電薄膜3004執(zhí)行稱作成型處理的電化處理而形成的。例如在成型處理中，將一個恒定的DC電壓或以很低速率(例如1V/分鐘)增加的DC電壓加到導電薄膜3004的兩端，以便部分地毀去或形變該導電薄膜3004，從而形成具有高電阻的電子發(fā)射部分3005。注意到，導電薄膜3004的毀去或形變的部分具有裂縫。一旦在成型處理之后有適當?shù)碾妷杭拥皆搶щ姳∧?004，則在該裂縫附近將發(fā)射電子。
這種FE型的電子發(fā)射裝置的已知的實例在Syke和W.W.Dolan的″場致發(fā)射″(1956年出版的″電子物理進展″89期第8頁)和C.A.Spindt的″具有鋁錐體的薄膜場發(fā)射的陰極的物理特性″(1976年應用物理期刊，第47期第5248頁)中有所描述。
圖16是一個示出上面描述的由C.A.Spindt等人設計的FE型裝置結(jié)構(gòu)的典型的例子。參考圖16，示出了基板3010、導體材料制作的發(fā)射線3011、發(fā)射極錐體3012、絕緣層3013和柵電極3014。在此裝置中，電壓加在發(fā)射極錐體3012和柵電極3014之間，以便從發(fā)射極錐體3012的頂端部分發(fā)射電子。除去圖16中的多層結(jié)構(gòu)之外，作為另一個FE型裝置的結(jié)構(gòu)，在一個實例中的發(fā)射極和柵極電極的安置在一個基板上幾乎是和該基板的表面相平行。
MIM型電子發(fā)射裝置的一個已知的實例在C.A.Mead的文章″管狀發(fā)射裝置″(1961年應用物理期刊″)中有所描述。圖17示出了這種MIM型裝置的結(jié)構(gòu)。圖17是一個MIM型電子發(fā)射裝置的截面圖。參考圖17，示出了基板3020、金屬制作的下部電極3021、具有厚度是大約100埃的薄絕緣層3022、金屬制作的且有80-300埃的上部電極3023。在MIM型的電子發(fā)射裝置中，適當?shù)碾妷杭釉谏喜侩姌O3023和下部電極3021之間，以便從上部電極3023的表面發(fā)射電子。
由于上述的冷陰極裝置能夠在比熱陰極裝置要低的溫度發(fā)射電子，因此不需要任何加熱器。因此冷陰極裝置具有比熱陰極裝置更簡單的結(jié)構(gòu)并能夠被小型化。即使有大量的裝置高密集地排放在基板上，也幾乎不會發(fā)生基板的熱融化。冷陰極裝置的響應速度高而熱陰極的響應速度低，因為熱陰極裝置的操作依賴加熱器的加熱。為此原因，冷陰極裝置的應用研究尤為受到關注。
就冷陰極裝置來說，上表面發(fā)射型的發(fā)射裝置是一個優(yōu)點，因為它結(jié)構(gòu)簡單且易于制作。為此原因，許多裝置在寬范圍上形成。如同在本申請人提交的日本專利64-31332公開的那樣，已經(jīng)研究了用于設計和驅(qū)動多個裝置的方法。
關于將這種表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型應用到例如圖像形成裝置，例如圖像顯示裝置和圖象記錄裝置，已經(jīng)研究多電子源以及類似物。
具體地說，在美國專利5066883和本申請人的日本專利2-257551和4-28137中公開了對于圖象顯示裝置的應用，對于一個表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型發(fā)射裝置和其表面接收電子束發(fā)光的一個熒光物的結(jié)合使用的顯示裝置已經(jīng)作了研究。使用了表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型發(fā)射裝置和熒光物的組合的這種類型的圖象顯示裝置被期望比其它的傳統(tǒng)圖象顯示裝置有更為優(yōu)良的特性。例如，和最近流行的液晶顯示裝置相比，上述的裝置由于其自激發(fā)型和寬視角而在不需要背景光線方面領先。
驅(qū)動并排設置的多個FE型電子發(fā)射裝置的方法在由本申請人提交的美國專利申請4904895中公開。作為將一個FE型電子發(fā)射裝置應用到一個圖象顯示裝置的已知的實例是由R.Meyer等人提出的平板顯示裝置(R.meyer1991年在Nagahama召開的第四屆國際真空微電子學技術設計，第6-9頁)。
并排設置的大量MIM型電子發(fā)射裝置應用于一個圖象顯示裝置的實例在本申請人提交的日本專利3-55738中公開。
圖18是作為平板圖形顯示裝置一種結(jié)構(gòu)的顯示板部分的局部透視圖，示出了其內(nèi)部的結(jié)構(gòu)。
參考圖18，示出的部分包括后板3115、側(cè)壁3116和屏板3117。該后板3115、側(cè)壁3116和屏板3117構(gòu)成一個外殼(密封倉)，用于保持顯示屏中的真空。
后板3115具有固定的基板3111，上面形成有NXM個冷陰極裝置3112(其中的M和N是等于或大于2的正整數(shù)，是根據(jù)顯示象素的期望數(shù)目適當?shù)卮_定的)。NXM個冷陰極裝置3112排列成一個矩陣，具有M條行方向線路3113和N條列方向線路3114。由基板3111、冷陰極裝置3112、行方向線路3113和列方向線路3114構(gòu)成的這一部分被稱之為多電子源。在每一個行方向線路3113和每一個列方向線路3114之間形成一個絕緣層(沒示出)，至少是在彼此相交叉的直角部分，以便保持它們之間的電絕緣。
熒光物構(gòu)成的熒光膜3118在屏板3117的下表面形成。該熒光膜3118是以紅(R)、綠(G)、藍(B)即三個基色的熒光物(沒示出)涂覆形成的。在熒光膜3118的不同的熒光物之間提供有黑色傳導物質(zhì)(沒示出)。一個金屬背板3119是用鋁(Al)之類的物質(zhì)在熒光膜3118的表面上形成的，處在后板3115的一側(cè)。參考符號Dx1-DxM和Dy1-DyN及Hv表示該密閉結(jié)構(gòu)的連接電極，用于該顯示屏和電路(沒示出)的電連接。該接端Dx1-DxM電連接到行方向線路3113，而Dy1-DyN電連接到列方向線路3114，而Hv電連接到表屏板的金屬背板3119。
大約是10-6乇的真空保持在上述密閉倉內(nèi)。隨著圖象顯示裝置的顯示區(qū)域的增加，裝置需要避免由密閉倉的內(nèi)外側(cè)之間的壓力差而使得后板3115和屏板3117的變形或損壞。一種加厚后板3115和屏板3117的方法將會增加圖象顯示裝置的重量并在顯示屏幕從側(cè)面觀看時引起圖象的失真或視差。與之相反，在圖18中的結(jié)構(gòu)采用結(jié)構(gòu)支撐部件，(稱之為支撐隔板或筋條)3120，由一個相對薄的玻璃片構(gòu)成，用于抵抗大氣壓力。采用這種結(jié)構(gòu)，在其上形成有多個電子源的基板3111和其上形成有熒光膜3118的屏板3117之間通常保證間隔幾個毫米的距離，并如上所述，在該密閉倉中保持高真空。
在使用上述的顯示屏的圖象顯示裝置中，當電壓通過外部接端Dx1-DxM和Dy1-DyN加到分別的冷陰極裝置3112時，冷陰極裝置3112就發(fā)射電子。與此同時，一個幾百到幾千伏的高壓通過外部接端Hv加到金屬背板3119，以便加速輻射的電子，使其撞擊在屏板3117的內(nèi)表面。通過這種操作，構(gòu)成熒光膜3118的不同彩色的熒光物被受激發(fā)光。結(jié)果是，在屏幕上顯示圖象。
在上述的圖象顯示裝置的顯示屏中存在下述的問題。
放置在圖象顯示裝置中的支撐隔板3120相對于基板3111和屏板3117必須是充分的定位和組裝。特別是，該支撐隔板3120必須相對在屏板3117側(cè)的熒光膜3118充分地定位，以便使得不會由于該支撐隔板3120的存在而損壞顯示圖象，否則，顯示圖象的質(zhì)量可能會下降。
如果不將支撐隔板3120固定地放置在圖象顯示裝置中，則該支撐隔板將可能會由于在密閉倉的組裝之時或之后外部對于屏幕的撞擊而嚴重地移位、下落或損壞。
本發(fā)明的實現(xiàn)是在考慮上述的傳統(tǒng)的技術之上，旨在提供一種其支撐隔板被緊固在裝置的內(nèi)部的一種圖象形成裝置。
本發(fā)明的另一個目的是提供一種具有支撐隔板的圖象形成裝置，該支撐隔板被固定在一個圖象形成部件上，但是僅僅靠在對著該圖象形成部件的一個部件上，并且被緊固在裝置的內(nèi)部。
本發(fā)明的又一個目的是提供制造一個圖象形成裝置的方法，該方法能夠有助于在圖象形成裝置的組裝中的支撐隔板的安置。
本發(fā)明的其它的特征和優(yōu)點將從下面結(jié)合附圖的描述中變得顯見，其中的相同或類似的部件采用相同的參考符號。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的實施例顯示屏(圖2)的沿著線A-A′得到的截面圖；圖2是表示根據(jù)本發(fā)明的圖象顯示裝置的顯示屏幕的部分剖視圖；圖3是使用在本實施例中的一個多電子源基板的一部分的平面示意圖；圖4是使用在本實施例中的一個多電子源基板的一部分的截面示意圖；圖5A和5B是表示在根據(jù)本實施例的顯示屏的表屏板上的熒光物的對準的實例的平面圖；圖6是表示在根據(jù)本實施例的顯示屏的表屏板上的熒光物的對準的另一個實例的平面圖；圖7A和7B是一個截面圖的平面表示，示出使用在本實施例中的一個平表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型的發(fā)射裝置；圖8A-8B是截面圖，表示根據(jù)本實施例的平表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型發(fā)射裝置的制造步驟；圖9的曲線示出的是在圖象形成過程中加電壓的波形；圖10A和10B的曲線分別地表示在激發(fā)過程中的一個所加電壓的波形和在激發(fā)的過程中的發(fā)射電路Ie的改變；圖11是表示使用在本實施例中的階梯表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型發(fā)射裝置的截面圖；圖12A-12F是截面圖，表示根據(jù)本實施例的階梯表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型發(fā)射裝置的制造步驟；圖13是使用在本實施例中的表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型發(fā)射裝置的典型的特性曲線；圖14是根據(jù)本發(fā)明的圖象顯示裝置的驅(qū)動電路示意結(jié)構(gòu)的示意框圖；圖15是傳統(tǒng)的已知表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型發(fā)射裝置的一個實例的平面圖；圖16是傳統(tǒng)的已知FE型裝置的一個實例的截面圖；圖17是傳統(tǒng)的已知MIM型裝置的一個實例的截面圖；圖18是表示一個圖象顯示裝置的顯示屏幕的局部剖視圖；圖19和20是說明應力的集中點和減輕這種應力的示意圖。
根據(jù)本發(fā)明的一個圖象形成裝置，包括放置在圖象形成部件和對著該圖象形成部件的一個部件之間的支撐隔板。該支撐隔板被固定到該圖象形成部件，并且和該對著該圖象形成部件的部件相接觸。
根據(jù)本發(fā)明的制造一個圖象形成裝置的方法，被放置在一個圖象形成部件和對著該圖象形成部件的部件之間的支撐隔板是首先被固定到該圖象形成部件并使其實現(xiàn)和對著該圖象形成部件的一個部件的接觸。
在本發(fā)明中，最好是通過一個軟部件使得該支撐隔板和對著該圖象形成部件的部件實現(xiàn)接觸。該軟部件是比該支撐隔板的基本材料和對著該圖象形成部件的而該支撐隔板被使得與之接觸的部件的材料更軟。
如在后面將要描述，該支撐隔板的基本材料可以是玻璃或陶磁。玻璃材料的較軟的一種的維氏硬度系數(shù)大約是500。對著圖象形成部件的部件的材料可以是在多電子源的一個基板(下面將描述)上的印刷線路(具有Ag和玻璃成分的銀漿被噴涂并燒結(jié))。印刷線路的維氏硬度系數(shù)和玻璃材料幾乎是相同或更小。所以，這種軟材料的維氏硬度系數(shù)大約是200或小于100，以便使得本發(fā)明的效果能夠?qū)嶋H地到達。例如一些稀有金屬，象Au、Pt、Pd、Rh和Ag或金屬(例如Cu)的部分合金具有小于50的維氏硬度系數(shù)，這些材料最后是用作軟材料的材料。
在本發(fā)明的支撐隔板既包括絕緣支撐隔板也包括導體支撐隔板。例如，在圖18示出的圖象形成裝置中，下面的幾點必須考慮到。
首先，當從靠近支撐隔板3120的一部分發(fā)射出的某些電子與該支撐隔板3120相撞擊時，即在由于發(fā)射的電子的效果引發(fā)而生的離子被附到支撐隔板3120上時，該支撐隔板3120可以被充電。而且，如果是已經(jīng)到達屏板3117的某些電子被該屏板3117所反射和散射，而某些散射的電子與該支撐隔板3120相撞擊的話，該支撐隔板3120可以被充電。如果該支撐隔板3120是以這種方式被充電，則由冷陰極裝置3112發(fā)射的電子的軌道就被偏轉(zhuǎn)。結(jié)果是，電子到達在熒光物的不正確的位置上，在支撐隔板3120的附近顯示的是失真的圖象。
其次，由于用于加速由冷陰極裝置3112所發(fā)射的電子的一個幾百伏或更高(即1KV/mm或更高的高電場)被加在屏板3117和多電子源之間，所以在上述的情況中將會在支撐隔板3120的表面出現(xiàn)放電。當該支撐隔板3120按照上述的方式充電時，也會包括放電。
考慮到上述的這幾點，在本發(fā)明中最后使用這樣的支撐隔板，它具有的絕緣性能好到足以承受使用的高壓并具有能夠減輕上述的充電狀態(tài)的一個傳導表面的性能，以便抑制電子束的軌道的偏轉(zhuǎn)和靠近該支撐隔板的放電。
根據(jù)本發(fā)明，當放置傳導性的支撐隔板時，該支撐隔板最后是與放置在圖象形成部件上的一個傳導部件以及放置在對著該圖象形成部件的一個部件上的一個傳導部件相接觸。在這種裝置中，可以借助通過該支撐隔板的一個小電流來去除該支撐隔板的充電。
例如，當對著圖象形成部件的部件是其上放置有多個電子發(fā)射裝置的一個基板時，并且該支撐隔板利用一個導體粘合物被固定到其上放置有電子發(fā)射裝置的基板時，這種粘合物必須避免被擠出。這是由于在其上放置有電子發(fā)射裝置的基板上的被擠出的粘合物將會干擾在支撐隔板附近的電場并影響由靠近支撐隔板的電子發(fā)射裝置發(fā)射的電子的軌道。但是在本發(fā)明中，由于該支撐隔板單是被使得與對著圖象形成部件的部件相接觸，而且不是用粘合物之類固定到對著圖象形成部件的部件，所以上述的對于發(fā)射的電子軌道的影響就無需擔心。
在本發(fā)明中，當放置傳導性支撐隔板時，該軟部件是由貴金屬制作的(下面將要敘述)支撐隔板通過這樣的軟金屬與對著圖象形成部件的部件的接觸，能夠改善其電連接。
在本發(fā)明中的電子源包括具有冷陰極裝置或熱陰極裝置的一個電子源。在本發(fā)明中最好使用具有冷陰極裝置的電子源，例如表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型發(fā)射裝置、FE型裝置、MIM型裝置等。具有表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型發(fā)射裝置的電子源尤其適于使用在本發(fā)明中。
由于上述的冷陰極裝置能夠以比用于熱陰極裝置的溫度較低的溫度發(fā)射電子，所以它們不需要任何加熱器。因此冷陰極裝置具有比熱陰極裝置更簡單的結(jié)構(gòu)并能夠被小型化。即使有大量的裝置高密集地排放在基板上，也幾乎不會發(fā)生基板的熱融化。冷陰極裝置的響應速度高而熱陰極的響應速度低，因為熱陰極裝置的操作依賴加熱器的加熱。
例如，在所有的冷陰極裝置中，表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型發(fā)射裝置尤其有簡單的結(jié)構(gòu)并容易制作，并能夠貫穿一個大的面積形成大量的這種裝置。
根據(jù)本發(fā)明，每一個支撐隔板最好是通過將此支撐隔板融合到圖象形成部件而被固定到該圖象形成部件上。例如可以通過一種連接材料而被融合到圖象形成部件，比如說當著被加熱時就融化的融接玻璃。
本發(fā)明的圖象形成裝置具有下列幾種形式(1)電極放置在圖象形成部件上。該電極是一個用于加速由電子源發(fā)射的電子的加速電極。在圖象形成裝置中，一個圖象是通過由電子源根據(jù)一個輸入的信號把發(fā)射的電子輻射到圖象形成部件上而被形成的。在圖象顯示裝置中，圖象形成部件專指熒光物。
(2)電子源是一個具有簡單矩陣設計的一個電子源，其中通過多個行方向的線路和多個列方向的線路將多個電子發(fā)射裝置連接在一個矩陣中。
(3)電子源可以是具有一個梯子形設計的電子源，其中的設計是并列放置且接在每一個裝置的兩端的的多個電子發(fā)射裝置的多行(在下稱作行方向)被使用，并且控制電極(在下稱作柵極)沿著電子發(fā)射裝置的方向(在下稱作列方向)放置在該電子發(fā)射裝置之上，垂直于這些梯式的導線，控制由電子發(fā)射裝置發(fā)射的電子。
(4)根據(jù)本發(fā)明的的構(gòu)思，圖象形成裝置并不局限于用于顯示的圖象形成裝置。上述的圖象形成裝置也能夠被用作一個發(fā)射光源而不是由一個光敏磁鼓構(gòu)成的光打印機的一個發(fā)光二極管。此時，通過適當?shù)剡x擇M條行方向的線路和N條列方向的線路，該圖象形成裝置不僅是可被用作一個線性輻射光源，而且可被用作一個二維輻射光源。在此情況中，圖象形成部件不局限于直接發(fā)射光的物質(zhì)，例如使用在實施例中的熒光物(下面將描述)，而且可以是一個通過電子的充電而其上形成潛在圖象的部件。
下面將結(jié)合附圖詳細地描述本發(fā)明的最佳實施例。
作為本實施例的特征，將描述的是該支撐隔板的結(jié)構(gòu)和組裝該裝置的方法。
圖1是表示根據(jù)本實施例的圖象顯示裝置的特征部分的顯示屏幕的部分截面圖。圖2圖示地表示顯示屏幕的結(jié)構(gòu)(下面詳述)。圖1示出的是沿著顯示屏幕的A-A′線得到的截面圖，具有的結(jié)構(gòu)是其中的基板1011具有多個冷陰極裝置1012，而通過支撐隔板1020與之彼此面對的是透明屏板1017，具有一個用作發(fā)光材料的熒光膜1018。
通過在一個防止充電的絕緣部件1上形成一個高阻膜11并在該支撐隔板的鄰接表面3a和3b上形成低阻膜21a和21b而構(gòu)成該支撐隔板1020，其中的鄰接表面3a和3b分別正對屏板1017和基板1011的內(nèi)表面。支撐隔板1020只是通過一種傳導性結(jié)合材料31固定在屏板1017的內(nèi)表面。隨后該屏板1017和該基板1011被組裝成一個顯示屏。所以，支撐隔板1020的高阻膜11通過低阻膜21a和傳導性結(jié)合材料31電連接到形成在屏板1017的內(nèi)表面的金屬背板1019，并通過低阻膜21b電連接到形成在基板1011上的行方向線路1013。
保護膜23形成在該支撐隔板的側(cè)表面，將支撐隔板1020的鄰接表面3a接觸在屏板1017的側(cè)面，以便防止該結(jié)合材料31和高阻膜11的直接的接觸。保護膜23最好是由具有相對于結(jié)合材料31具有低活動性的材料制作。借助于使得低阻膜21a的材料相對于結(jié)合材料31具有低活動性，該低阻膜21a起到一個保護膜的功能，并且把該低阻膜21a擴展到該支撐隔板的側(cè)表面。
在該顯示屏中，在形成有用于發(fā)射電子的冷陰極裝置1012的基板1011的一側(cè)上的支撐隔板1020的低阻膜21b只形成在基板1011側(cè)面的鄰接表面3b上。相對于其中沒有安排支撐隔板1020的情況而言，靠近基板1011的電位分布沒有改變。所以，由冷陰極裝置1012發(fā)射的電子在靠近支撐隔板1020處的軌跡沒有改變。
在通過結(jié)合材料31把支撐隔板1020固定到屏板1017的側(cè)面的過程中的對于高阻膜11的機械的和化學的影響能夠通過保護膜2 3避免，它形成在其側(cè)表面上，和與被加速的電子碰撞的屏板1017擠靠的鄰接表面3a相接觸。特別是在高阻膜11和低阻膜21a之間的相接觸的部分，有高阻膜11、低阻膜21a和結(jié)合材料31三者相接觸(而且包括絕緣部件1將是四者)，在制造顯示屏的加熱之類的過程中很容易出現(xiàn)化學的反應。因此通過保護膜23來避免對于結(jié)合部分的影響是十分重要的。當保護膜23由擴展的低阻膜21a形成時，在屏板1017附近的電位分布可能被畸變。但是由冷陰極裝置1012發(fā)射的電子在靠近屏板1017的位置已經(jīng)被加速到相當?shù)某潭?，所以電位分布畸變對于電子的軌跡的影響是可忽略的。
現(xiàn)描述根據(jù)本實施例的圖象顯示裝置的顯示屏的安置和制造方法。
圖2是使用在本實施例中的顯示屏的局部解剖圖，示出了顯示屏幕的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。
圖2中示出的后板1015、側(cè)壁1016和屏板1017構(gòu)成了一個密閉倉，保持顯示屏幕的內(nèi)部的真空。為了構(gòu)成這種氣體密閉倉，有必要將分布的部件進行密封連接，以便獲得充分的強度和保持氣閉的條件。例如低熔點玻璃被加到連接部分，并在空氣或氮大氣環(huán)境中以400-500℃燒結(jié)，所以這些部件被密封連接。用于從該密閉倉中抽盡空氣的方法將在后面描述。此外，由于大致有10-6乇的真空保持在密閉倉上，該支撐隔板1020被設計成抵抗大氣應力的結(jié)構(gòu)，以便該密閉倉由于大氣壓強或意外的沖擊而被損壞。
后板1015上面固定有基板1011，在上面是形成的MXN個冷陰極裝置1012(M和N是對于或等于2的整數(shù)，是根據(jù)希望的顯示象素的數(shù)目確定的。例如，在高清晰度電視的顯示裝置中，所取的N＝3000或更多，而M＝1000或更多)。該MXN個冷陰極裝置1012是利用行方向線路1013和列方向線路1014構(gòu)成一個簡單的矩陣。由參考符號基板1011到列方向線路1014表示的部件所構(gòu)成的部分將被稱之為多電子源。
如果使用在根據(jù)本實施例的圖象顯示裝置中的多電子源是一個連接成簡單矩陣的冷陰極裝置構(gòu)成的一個電子源，則該冷陰極裝置的每一個的材料和形狀及其制造方法并不受到特別的限制。例如象表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型發(fā)射裝置、FE型裝置或MIM裝置都能夠使用。
隨后介紹在利用簡單矩陣導線的一個基板上排列為冷陰極裝置的一個多電子源，它具有表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型的發(fā)射裝置(在后描述)。
圖3是使用在圖2的顯示屏中的多電子源的一個平面圖。其中的表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型發(fā)射裝置和在圖7A和7B中在基板1011上的一個相同。這些裝置利用行方向線路1013和列方向線路1014構(gòu)成一個簡單的矩陣。在線路行方向線路1013和列方向線路1014的交叉點處，有一個絕緣層(沒示出)形成在它們之間，以保持電絕緣。
圖4表示在圖3中沿著直線B-B′的斷面圖。
注意到，具有這種結(jié)構(gòu)的多電子源是通過在基板上形成行方向線路1013和列方向線路1014、電極之間的絕緣層(沒示出)和裝置的電極和傳導薄膜、并隨后通過該行方向線路1013和列方向線路1014向分別的裝置供電而構(gòu)成的。由此執(zhí)行圖象的形成的處理(在后詳述)和激發(fā)處理(在后描述)。
在本實施例中，該多電子源的基板基板1011固定到密閉倉的后板1015，該多電子源的基板1011還被用作該密閉倉的后板。
熒光膜1018形成在屏板1017的底表面上。由于本實施例是一個彩色顯示裝置，所以熒光膜1018涂覆著紅、綠、蘭熒光物。如圖5A中所示，不同的彩色熒光物被形成為條狀，而有黑色傳導部件1010提供在這些熒光物的條狀體之間。提供黑色傳導部件1010的目的是防止顯示色彩的錯位、即使是在電子束輻射的位置被移動到一定的程度的情況下，也能夠通過切斷外界光線的反射來避免顯示對比度的下降、防止由于電子束一起的熒光膜的充電等等。作為黑色傳導部件1010的主要成分是石墨，但是其它的材料也可以使用，只要能夠達到上述的目的。
而且，三基色的熒光膜并不局限于在圖5A中示出的條狀。例如在圖5B中示出的三角形或其它的方案也可以采用。例如在圖6中示出，概黑色傳導部件1010不僅是可以形成在熒光膜的不同彩色條紋之間，而且是在垂直于該條紋的方向上，以便分離在行方向和列方向上的象素。注意到當執(zhí)行單色顯示時，單色熒光物可被用于熒光膜1018，而黑色傳導部件1010可被省略。
而且，在CRT領域中熟知的金屬背板1019被提供到在后板1015上的熒光膜1018上。提供金屬背板1019的目的是借助對于熒光膜1018輻射的光的部分地鏡面反射來改善光的使用率、保護熒光膜1018免受負離子的撞擊、用作熒光膜1018所激發(fā)的電子的傳導路徑等等。金屬背板1019是通過在屏板1017上形成熒光膜1018、對于該熒光膜1018的表面進行平滑處理和通過真空沉積將Al(鋁)放置在其上而構(gòu)成的。注意到，當用于低電壓的熒光物用作熒光膜1018時，該金屬背板1019就不被采用。
而且，對于使用加速電壓或熒光膜1018的傳導性的改進，由例如ITO制作的透明電極可被提供在屏板1017和熒光膜1018之間，盡管在本實施例中沒有使用這種電極。
在進行上述的密封倉的密封中，后板1015、屏板1017和支撐隔板1020必須充分地定位，以便使得不同色彩的熒光物放置在屏板1017的表面，且使得放置在基板1011上的這些裝置彼此相互對應。
圖1是沿著圖2中的直線A-A′得到顯示屏幕的截面圖。圖1中相同的符號表示和圖2中相同的部件。
每一個支撐隔板1020是通過下列的保證獲得一個部件在絕緣部件1上形成高阻膜11以便防止充電、在支撐隔板1020的鄰接表面3a和3b上形成低阻膜21a和21b，它們正對著屏板1017的內(nèi)表面(在金屬背板1019上)和基板1011的表面(行方向線路1013或列方向線路1014)、以及在鄰接表面3a一側(cè)上的支撐隔板1020的側(cè)表面上形成保護膜23。利用結(jié)合材料31以需要的間隔把必要數(shù)目的支撐隔板1020固定在屏板1017的內(nèi)表面上，以便達到上述的目的。此外，至少在絕緣部件1上形成高阻膜11，這些表面在密封倉中暴露在真空中。通過在支撐隔板1020上的低阻膜21a和結(jié)合材料31，該高阻膜11與屏板1017的內(nèi)表面(金屬背板1019等)電連接；并通過在支撐隔板1020上的低阻膜21b與基板1011的表面連接。在本實施例中，支撐隔板1020具有扁平形狀，以相等的間隔沿著對應的行方向線路1013延伸并與之電連接。
該支撐隔板1020最好是具有足夠好的絕緣特性，以便承受加在基板1011上的行方向線路1013和列方向線路1014和在屏板1017的內(nèi)表面上的金屬背板1019之間的高壓，并具有足夠的導電性，以便防止該支撐隔板1020的表面被充電。
作為支撐隔板1020的絕緣部件1，可以采用例如硅玻璃、包含少量雜質(zhì)(例如Na)的硅玻璃、堿石灰或包括鋁及類似物的陶磁部件。注意到，絕緣部件1最好是具有和該密閉倉極基板1011相近的熱脹系數(shù)。
在高電位側(cè)通過以高阻膜11的電阻Rs分割加到屏板1017(金屬背板1019等)上的加速電壓而得到的電路流經(jīng)構(gòu)成支撐隔板1020的高阻膜11。支撐隔板1020的電阻Rs從防止充電和功率消耗的角度出發(fā)被設置在一個所希望的范圍。從防止充電的角度看，薄層電阻R(Ω/sq)最好設置成1012Ω/sq或從防止充電的角度看設置成小于該值。為了得到充分的充電防止的效果，薄層電阻R最好設置成1011Ω/sq或更小。該電阻R的下限取決于每一個支撐隔板1020的形狀和加在這些支撐隔板1020之間的電壓，且最好是設置為105Ω/sq或更大。
形成在絕緣部件1上的高阻膜11的厚度最好是在10nm到1μm的范圍內(nèi)。具有厚度為10nm或更小的薄膜通常是形成為孤立的形狀并表現(xiàn)出依賴于材料的表面能量、與基板的粘附特性和基板的溫度的不穩(wěn)定的電阻，導致較差的再生特性。相反，如果厚度t是1μm或更大，則薄膜的強度增大，從而增加薄膜脫落的可能性。此外，為形成一個薄膜需要一個較長的時間周期，導致很差的生產(chǎn)性。該高阻膜11的厚度最好是在50-500nm之間。該薄層電阻R(Ω/sq)是ρ/t，而該高阻膜11的電阻率ρ最好是在0.1到108Ωcm，視R(Ω/sq)和t的最佳范圍而定。為了設置該薄層電阻和該薄膜的厚度在最佳的范圍內(nèi)，電阻率ρ最好是在102到106Ωcm。
如上所述，當電流通過形成在絕緣部件1之上的高阻膜11，即當整個顯示裝置在操作中發(fā)熱時，每一個支撐隔板1020的溫度將會上升。如果高阻膜11的電阻溫度系數(shù)是一個大的負值時，電阻隨著溫度的增加而減小。結(jié)果是，流經(jīng)支撐隔板1020的電流增加而提高溫度。該電流保持在電源的限度之外增加。從經(jīng)驗得知，引起在電流中的這種過度的增加的阻溫系數(shù)是一個負值，其絕對值是1％或更多。就是說，在這種負值的情況下，該高阻膜11的阻溫系數(shù)的絕對值最好是設置成小于-1％。
作為用于高阻膜11的材料，在支撐隔板1020中具有充電防止的特性，例如可以采用金屬氧化物。就金屬氧化物來說，最好是采用鉻氧化物，鎳氧化物或銅氧化物。這是由于這些氧化物具有相對低的二次電子發(fā)射系數(shù)，即使由冷陰極裝置1012發(fā)射的電子與支撐隔板1020相撞擊，也不會輕易地改變。除去這些金屬氧化物之外，最好使用的是碳材料，因為它具有低的二次電子發(fā)射系數(shù)。因為非晶體的碳材料具有高阻，所以支撐隔板1020的電阻很容易控制到一個希望值。
一種鋁過渡金屬合金氮化物是用于實現(xiàn)具有充電防止特性的高阻膜11的另一種可選材料，因為通過調(diào)節(jié)滲透金屬的成分，能夠?qū)崿F(xiàn)對于電阻在從良好的導電性到一個絕緣體的范圍內(nèi)進行控制。這種氮是一個穩(wěn)定的材料，在整個顯示裝置的制作過程中只有微小的電阻的改變(將被描述)。此外，這種材料具有小于-1％的阻溫系數(shù)并因此能夠在實際中方便地使用?？捎玫臐B透金屬材料有Ti、Cr、Ta或類似物。
利用薄膜形成技術，例如象濺射、在氮氣環(huán)境中的激發(fā)濺射、電子束沉積、離子涂覆或離子輔助的沉積，合金氮化物薄膜在絕緣部件1上形成。在不使用氧而使用氮的條件下，一個金屬氧化薄膜也能夠采用同樣的薄膜形成方法而實現(xiàn)。這樣的金屬氧化薄膜可以是通過CVD或堿氧化物涂層形成。通過沉積、濺射、CVD或等離子CVD形成碳薄膜。尤其是在要形成一個無定形碳薄膜時，在薄膜的形成的過程中的氣體環(huán)境中包括有氫氣，或者是用碳氫氣體作為一個薄膜形成的氣體。
形成支撐隔板1020的低阻膜21a和21b，以便將高阻膜11與在高電位側(cè)的屏板1017(金屬背板1019等)和在低電位側(cè)的基板1011(行方向線路1013和列方向線路1014)進行電連接。該低阻膜21a和21b也被稱之為中間電極層(中間層)。這些中間電極層(中間層)具有下述的多種作用(1)低阻膜把高阻膜11電連接到屏板1017和基板1011。如上所述，高阻膜11的形成是用于防止支撐隔板1020的表面被充電。但是，當高阻膜11直接地或通過結(jié)合材料31接到屏板1017(金屬背板1019等)和基板1011(行方向線路1013和列方向線路1014)時，在連接部分之間的界面上產(chǎn)生一個大的接觸電阻。結(jié)果是使得在支撐隔板1020表面上產(chǎn)生的充電不能夠很快地被去除。為了防止這種情況的出現(xiàn)，就在支撐隔板1020的相鄰表面或接觸相鄰表面的側(cè)表面部分形成作為中間層的低阻膜21a和21b，與屏板1017、基板1011和結(jié)合材料31接觸。
(2)這些低阻膜用于使得高阻膜11的電位分布均勻。
由冷陰極裝置1012發(fā)射的電子經(jīng)過在屏板1017和基板1011之間根據(jù)電位分布形成的軌道。為了防止這些電子軌道在支撐隔板1020附近的干擾，必須控制整個支撐隔板1020的電位的分布。當高阻膜11直接地或通過結(jié)合材料31接到屏板1017(金屬背板1019等)和基板1011(行方向線路1013和列方向線路1014)時，由于在連接部分的接觸面之間的接觸電阻而出現(xiàn)在連接狀態(tài)中的變異。結(jié)果是，每一個高阻膜11的電位分布可能會偏移所希望的值。為了防止這種情況的出現(xiàn)，就沿著該支撐隔板末端部分的長度(相鄰表面或接觸該相鄰表面的側(cè)表面部分)、該支撐隔板1020形成低阻中間層(21a和21b)，與屏板1017和基板1011接觸。通過將所希望的電位加到每一個中間層部分，就能夠控制高阻膜11的每一個的總體電位。
可被選擇作為低阻膜21a和21b的材料具有比高阻膜11低得多的電阻系數(shù)。例如可從下列的材料中作適當?shù)倪x擇例如象Ni、Cr、Au、Mo、W、Pt、Ti、Al、Cu和Pd，以及它們的合金；由象Pd、Ag、Au、RuO2構(gòu)成的印刷導體；Pd-Ag或金屬氧化物和玻璃之類；透明導體，象In2O3-SnO2；以及象多晶硅半導體材料。
用于低阻膜21a和21b的材料的最佳的條件之一是具有這樣的特性在本實施例的圖象顯示裝置的制作過程中，在當出現(xiàn)例如象氧化或凝結(jié)這樣的質(zhì)量的改變時不增加其電阻，并且在與高阻膜11的結(jié)合處不引起任何不完全的導通。從這一個角度來看，用于低阻膜21a和21b的最佳的材料是貴金屬，尤其是可用鉑。此情況中，貴金屬制成的低阻膜21a希望是通過象Ti、Cr或Ta制成的金屬材料層來形成，其厚度是幾個nm到幾十個nm，以便具有對于絕緣部件1或高阻膜11的滿意的附著特性。這樣的一層叫做基底層。
低阻膜21a和21b的厚度希望是在10nm到1μm的范圍內(nèi)。具有厚度為10nm或更小的薄膜通常是形成為孤立的形狀并表現(xiàn)出不穩(wěn)定的電阻，導致較差的再生特性。相反，如果厚度t是1μm或更大，則薄膜的強度增大，從而增加薄膜脫落的可能性。此外，為形成一個薄膜需要一個較長的時間周期，導致很差的生產(chǎn)性。該低阻膜21a和21b的厚度最好是在50-500nm之間。
如上所述，為了將高阻膜11與在高電位側(cè)的屏板1017(金屬背板1019等)相電連接的低阻膜21a的形成是以具有和結(jié)合材料31最低的激發(fā)性的材料為最佳。而且在此情況中，該低阻膜21a最好是在該支撐隔板的最外的表面上形成象鉑薄膜的貴金屬薄膜來獲得。
用作保護膜23的最佳材料是這樣一種材料，它相對于結(jié)合材料31具有低的激發(fā)性并且不允許結(jié)合材料31的成分滲透到其中。例如作為保護膜23的一種材料，相似于低阻膜21a那樣，可以使用貴金屬，例如鉑。在這種情況中，該低阻膜21a和保護膜23可被同時地由同一種材料形成。作為用作保護膜23的材料，可被使用很適宜的氧化物有Al2O3、SiO2和Ta2O5，或氮化物，例如Si3O4。注意到，當這樣一種氧化物或氮化物被用于保護膜23時，該保護膜23的電阻是非常高的，以便從防止充放電的角度看只要結(jié)合材料31和高阻膜11彼此之間不接觸，就將該保護膜23做得盡可能地小。
至于擠靠在基板1011(行方向線路1013和列方向線路1014等)的支撐隔板1020的相鄰部分，由于支撐隔板1020是以大氣壓相鄰擠靠在行方向線路1013和列方向線路1014，所以最好考慮到下面的幾點。特別是當著行方向線路1013和列方向線路1014通過印刷或其它的方法形成具有1mm的厚度通過絕緣層(沒示出)彼此交叉時，并且在行方向線路1013和列方向線路1014的相鄰部分形成皺摺時，由于應力趨于局部地集中，所以使得下列的要點十分有效。
為了防止支撐隔板1020、行方向線路1013和列方向線路1014由于應力的集中而損壞，低阻膜21a最好是比構(gòu)成該支撐隔板和接觸該支撐隔板的導線(行或列布線)要為柔軟的材料。
圖19和圖20是解釋在使得該支撐隔板1020被組裝并固定到屏板1017，實現(xiàn)與基板1011的一側(cè)(行方向線路1013或列方向線路1014)相接觸的過程中減小應力的集中的效果的示意圖。圖19示出在圖2中沿著直線A-A′得到的截面圖，和圖1相同，并且圖20是在圖2中沿著直線C-C′得到的截面圖。
在圖19中，應力容易集中的部分之一是在基板1011上的支撐隔板1020的鄰接表面3b和側(cè)表面部分5之間的邊界處的邊沿部分A。通過以軟材料制成的低阻膜21b覆蓋該邊沿部分A，應力可被減輕，從而防止支撐隔板1020的損壞。
在圖20中，行方向線路1013在存在列方向線路1014和絕緣層1099的地方具有凸起的部分。在擠靠支撐隔板1020的鄰接部分中，凸起的末端部分(部分B)也是應力容易集中的地方。通過以軟材料作成的低阻膜21b覆蓋該末端部分(部分B)，該應力可被減輕，從而防止支撐隔板1020的損壞。
在圖1和2示出的實施例中，低阻膜21b是以比用作支撐隔板1020的基板的絕緣部件1的材料以及構(gòu)成行方向線路1013的材料要軟的材料構(gòu)成的。用于低阻膜21b的這種軟材料最好是一種以鉑為基礎的貴金屬，例如Pt、Pd、Rh；一種貴金屬，如Au或Ag，或這些貴金屬的合金。作為一個延伸系統(tǒng)，黃金系統(tǒng)、白金系統(tǒng)以及白銀和銅的合金系統(tǒng)尤其可以采用。其它的合金和材料也能夠用作軟材料，但是上述的材料更佳。
結(jié)合材料31需要具有滿意的傳導性，以便將支撐隔板1020電連接到屏板1017的金屬背板1019。例如傳導性的粘合劑或包含金屬粒子的導電性低熔點玻璃或?qū)щ娦蕴畛湮?由金屬涂層而具有導電性的陶磁顆粒)適于使用。
顯示屏幕的外部電極Dx1-DxM、Dy1-DyN和Hv，是一個密閉倉結(jié)構(gòu)的電連接端，用于將顯示屏幕電連接到電路(沒示出)。接端Dx1-DxM電連接到該多電子源的行方向線路1013，接端Dy1-DyN電連接到該多電子源的列方向線路1014，而接到屏板的金屬背板1019。
為了在形成空氣密閉的密封倉之后對于其抽真空，一個抽管和一個真空泵(都沒示出)被接至，并且該密閉倉被抽真空到10-7乇。隨后，將該抽管封閉。為了保持在密閉倉中的真空，在密封之前/之后將一個吸氣劑膜(沒示出)放置在該密閉倉中的一個預定的位置。該吸氣劑膜是通過加熱和霧化一種吸氣劑材料形成的，只要包括例如Ba，采用的是加熱或RF加熱。吸氣劑膜的吸收效果保持在該密封倉中的1×10-5或1×10-7乇的真空度。
在使用上述的顯示屏的顯示裝置中，當通過外部接端Dx1-DxM和Dy1-DyN將電壓加到冷陰極裝置1012時，就由該冷陰極裝置1012發(fā)射電子。與此同時，幾百伏特到幾千伏特的高壓通過外部電極Hv加到金屬背板1019，以便加速該發(fā)射的電子使之與屏板1017的內(nèi)表面相撞擊。利用這種操作，構(gòu)成熒光膜1018的分別的彩色的熒光物受激發(fā)光，以便顯示一個圖象。
在本實施例中，加到作為冷陰極裝置的每一個表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型發(fā)射裝置的電壓通常是設置在大約12V到16V；在金屬背板1019和冷陰極裝置1012之間的距離d大約是0.1mm到8mm；而就在金屬背板1019和1-12之間的電壓大約是0.1KV到10KV。
根據(jù)本發(fā)明的本實施例的顯示屏的基本的設計和制作該顯示屏的方法和顯示裝置已經(jīng)如上作了簡要的描述。<制作多電子源的方法>
使用在本實施例中的一種多電子源的制作方法在下面進行描述。在對于使用在本實施例中的圖象顯示裝置中的多電子源的制作中，任何材料、形狀和用于每一個表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型發(fā)射裝置的制作方法都可以被采用，只要能夠通過將冷陰極裝置形成一個簡單的矩陣而得到一個電子源即可。所以，象表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型發(fā)射裝置、FE型裝置或MIM型裝置的冷陰極裝置都可以使用。
在具有大屏幕顯示區(qū)域的低價位的顯示屏幕是液晶顯示裝置的情況下，一種表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型發(fā)射裝置，這種冷陰極裝置，尤其可取。更具體地說，一個FE型的裝置的電子發(fā)射特性極大地受到發(fā)射端和柵極的相對位置和形狀的影響，并且因此需要高精度的制作技術來制造這種裝置。這就為在得到大的顯示區(qū)域和低的造價帶來了不利的因素。按照一種MIM型的裝置，絕緣層和上部電極的厚度必須減小并制作均勻。這也給達到大的顯示區(qū)域和低的制作成本帶來了不利的因素。相反，一個表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型發(fā)射裝置能夠以相對簡單的方法制造，并因此增加了顯示屏的區(qū)域和降低了造價。本發(fā)明人還發(fā)現(xiàn)，在表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型發(fā)射裝置中，具有一個電子發(fā)射部分或它的周邊部分包括精細的粒子膜的一個電子發(fā)射裝置在電子發(fā)射性能上優(yōu)良且容易制造。因此這樣的裝置最適于用作高亮度、大屏幕圖象顯示裝置的多電子源。為此原因，在本實施例的顯示屏幕中，每一個都有發(fā)射部分或其周邊部分制造成具有精細的粒子膜的表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型發(fā)射裝置被使用。首先描述優(yōu)選的表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型發(fā)射裝置的基本結(jié)構(gòu)、制造方法和特性。以許多裝置用線路接成簡單矩陣的多電子源的結(jié)構(gòu)將在后面描述。(表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型發(fā)射裝置的最佳結(jié)構(gòu)和制造方法)
每一個具有其電子發(fā)射部分或它的周邊部分制造成精細粒子膜的表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型發(fā)射裝置的典型實例包括兩種類型的裝置，即平坦型和階梯型裝置。(平坦表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型發(fā)射裝置)首先，將描述一個平坦型表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型發(fā)射裝置的結(jié)構(gòu)和制造方法。
圖7A和7B分別是平面圖和截面圖，用于說明該平坦型表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型發(fā)射裝置的結(jié)構(gòu)。
參見圖7A和7B，其中示出了基板1101、裝置電極1102和1103、導電薄膜1104、通過形成處理而形成的電子發(fā)射部分1105、和通過激發(fā)過程形成的薄膜1113。
作為基板1101，各種玻璃基板，例如晶體玻璃和堿石灰玻璃；各種陶磁基板，例如鋁土；或任何其上形成有絕緣層的這些基板都可以使用。裝置電極1102和1103以平行于基板1101的方式提供并彼此相對，包括傳導材料。例如可以采用象Ni、Cr、Au、Mo、W、Pt、Ti、Cu、Pd和Ag以及這些金屬的合金，或者是象In2O3-SnO2或采用半導體材料，例如多晶硅。這種裝置電極1102和1103很容易通過薄膜形成技術(例如真空蒸發(fā))和圖案形成技術(例如影印或蝕刻)的結(jié)合實現(xiàn)，但是其它的方法(例如印刷技術)也可以采用。
裝置電極1102和1103的形狀是根據(jù)該電子發(fā)射裝置的應用目的而適當?shù)卦O計的。通常，在兩個電極之間的間隔L的設計是在從幾百埃到幾百微米之間適當選擇的。用于顯示裝置的最佳的選擇范圍是從幾個微米到幾十個微米。至于電極的厚度d來說，適當?shù)闹档倪x擇范圍是在幾百埃到幾個微米。
導電薄膜1104包括一個精細粒子膜?！寰毩Ｗ幽ぁ迨且粋€包括許多精細粒子(包括粒子團)的薄膜，作為薄膜形成部件。從微觀的角度看，正常的單獨粒子在膜中以預定的間隔存在，即彼此相鄰，或者是彼此互相重疊。一個粒子具有在范圍幾個埃到幾百埃內(nèi)的直經(jīng)。最好是其直經(jīng)是在從10埃到200埃之間。膜的厚度的適當?shù)脑O置考慮下列的條件。就是說，考慮對于這些電極進行電連接的條件、下述的形成處理的條件、以及下述的將該精細粒子膜的電阻設置成一個適當?shù)闹档臈l件等等。具體地說，膜的厚度設置成在幾個埃到幾百個埃的范圍內(nèi)，最好是10埃到500埃。
用于形成精細粒子膜的材料是金屬材料，例如Pd、Pt、Ru、Ag、Au、Ti、In、Cu、Cr、Fe、Zn、Sn、Ta、W和Pb；氧化物，例如PdO、SnO2、In2O3、PbO和SbO3；硼化物，例如HfB2、ZrB2、LaB6、CeB6、YB4；炭化物，例如TiC、ZrC、HfC、TaC、SiC和WC及CdB4；氮化物，例如TiN、ZrN和HfN；半導體，例如Si和Ge；和碳。任何適當?shù)牟牧隙际强蛇x擇的。
如上所述，導電薄膜1104是由精細粒子膜構(gòu)成的，并且其表面電阻設計在從103到107Ω/sq的范圍內(nèi)。
最好是，導電薄膜1104與裝置電極1102和1103相接觸，它們的放置在一個部分是彼此重疊的。在圖7B中，不同的部件從底部向上的重疊的次序是基板1101、裝置電極1102、裝置電極1103、導電薄膜1104。這種重疊的次序從底部向上可以是基板、傳導薄膜和裝置電極。
電子發(fā)射部分1105是形成在導電薄膜1104的一部分上的一個裂紋部分。該電子發(fā)射部分1105具有比周邊傳導薄膜更高的電阻特性。這種裂紋是通過在后描述的形成處理在該導電薄膜1104上形成的。在某些情況中，具有幾個埃到幾百個埃的直經(jīng)的粒子被放置在裂縫部分中。由于很難確切地說明該電子發(fā)射部分的確切的位置和形狀，所以，圖7A和7B是示意的裂縫部分。
包括碳或碳的化合物材料的薄膜1113覆蓋著高壓電源1115和它的周邊部分。該薄膜1113是由在形成處理之后的將要描述的激發(fā)過程形成的。
薄膜1113最好是石墨、單晶體、石墨單晶體、無定形碳、或它們的混合物構(gòu)成，其厚度是500?；蚋?，最好是在300?；蚋?。
由于是很難確切地示出薄膜1113的實際的位置和形狀，圖7A和7B示出的是該膜的示意圖。圖7A示出的裝置中的薄膜1113的一部分被移去。
在上面描述了表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型發(fā)射裝置的最佳基本結(jié)構(gòu)。在本實施例中，裝置具有下列的組成。
該基板1101包括堿石灰玻璃和裝置電極1102及裝置電極1103、一個Ni薄膜。電極的厚度d是1000埃，電極的間隔L是2μm。
該精細粒子膜的主要材料是Pd或PdO。其厚度是在大約100埃，而寬度W是100μm。
下面結(jié)合表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型發(fā)射裝置的制作過程的局部示意圖8A-8D描述一個最佳的平板式表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型發(fā)射裝置的制作方法。注意到在圖中使用的是與7A和7B中的相同的符號。
(1)首先，如圖8A所示，裝置電極1103和導電薄膜1104形成在基板1101上。在裝置電極1102和1103的形成過程中，首先用清洗劑、純水和有機溶劑對于基板1101進行清洗，隨后將裝置電極的材料放置于其上。作為一種沉積的方法，例如蒸發(fā)和噴射之類的一種真空膜形成技術可被使用。隨后，采用一種影印蝕刻技術的圖案形成在沉積的電極材料上進行。由此形成圖8A中所示的一對裝置電極1102和1103。
(2)隨后，如圖8B表示，形成導電薄膜1104。
在形成導電薄膜1104的過程中，首先將一種有機金屬溶劑加到圖8A的基板上，隨后將所加的溶劑干燥并燒結(jié)，從而形成一個精細粒子膜。隨后，通過影印蝕刻方法將該精細粒子膜形成預定的形狀。有機金屬溶劑意味著一種包括微小顆粒的金屬材料的有機金屬化合物的溶劑，用于形成導電薄膜，在本實施例中的主要成分是Pd。在本實施例中，有機金屬溶劑的加入是采用浸泡的方法，其它的例如旋涂方法噴灑的方法也可以使用。
作為采用微小的顆粒形成導電薄膜1104的方法，使用在本實施例中的有機金屬溶劑可以由其它的方法，例如真空蒸發(fā)的方法、濺射的方法、化學氣相累積的方法和噴灑的方法都可以使用。
(3)如圖8C所示，從電源1110將適當?shù)碾妷杭釉谘b置電極1102和1103之間用于形成處理，隨后執(zhí)行形成處理，由此形成電子發(fā)射部分1105。此處的形成處理是導電薄膜1104的電激發(fā)，以對于導電薄膜1104的一部分進行適當?shù)臍p、變形或劣變而形成圖8B示出的精細粒子膜。由此對于該薄膜進行改變而具有適于進行電子發(fā)射的結(jié)構(gòu)。在導電薄膜1104中，被改變用于電子發(fā)射(即電子發(fā)射部分1105)的部分在薄膜中具有適當?shù)牧鸭y。把具有電子發(fā)射部分1105的導電薄膜1104和在形成處理之前的薄膜相比較，在裝置電極1102和1103之間的測量電阻被大大地增加了。
參考圖9示出的從電源1110所加的適當電壓波形的一個實例，更詳細描述在形成過程中電化的方法。
最好是在形成精細粒子膜的傳導膜的情況中，采用的是一個脈沖形式的電壓。在本實施例中，如圖9所示，具有脈沖寬度是T1的一個三角波脈沖被連續(xù)地以間隔T2施加。在應用的過程中，該三角波的波蜂值Vpf被順序地增加。而且，用于監(jiān)視電子發(fā)射部分1105的形成狀態(tài)的一個監(jiān)視脈沖Pm被以適當?shù)拈g隔插入到該三角波脈沖之間，而且用一個電流計測量在插入時刻的電流。
在本實施例中，在10-5乇的真空環(huán)境中，脈沖寬度T1設置成1ms；而脈沖寬度T2設置成10ms。波蜂值Vpf是以每一個脈沖增加0.1V。每加入五個三角波脈沖就插入監(jiān)視脈沖Pm。為了避免對于形成處理的不利的影響，監(jiān)視脈沖的電壓設置為0.1V。當在裝置電極1102和1103之間電阻變成1×106Ω時，即電流計1111測量的加的監(jiān)視電流變成1×10-7A或者更小時，該形成過程的電化結(jié)束。
上述的處理方法最適于本實施例的表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型發(fā)射裝置。在改變所涉及的該表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型發(fā)射裝置的情況中，例如改變該精細粒子膜的厚度或材料，或裝置的電極的間隔L時，用于電化的條件最好是根據(jù)裝置設計的改變而改變。
(4)如圖8D所示，適當?shù)碾妷簭募ぐl(fā)電源1112加到裝置電極1102和1103之間，并且執(zhí)行激發(fā)處理以便改善電子發(fā)射的特性。此處的激發(fā)處理是圖8C中示出的電子發(fā)射部分1105的電化是在適當?shù)臈l件下通過進行形成處理執(zhí)行的，用于將碳或碳的化合物沉積在電子發(fā)射部分1105的周圍(圖8D中，沉積的碳或碳的化合物的材料被示為累積材料1113)。將電子發(fā)射部分1105與在該激發(fā)處理之前的情況相比較，在相同的所加電壓的條件下的發(fā)射電流一般變成原來的100倍甚至更高。
通過施加在10-2或10-5乇真空環(huán)境中的一個脈沖電壓，以便累積在真空的環(huán)境中主要從有機化合物引出的碳或碳的化合物。累積的累積材料1113可以是任何石墨單晶、石墨多晶、非晶體碳或它們的混合物。累積材料1113的厚度是500?；蚋?，最好是300埃或更小。
參考表示從激發(fā)電源1112施加的適當?shù)碾妷旱囊粋€實例的圖10A，更詳細地描述在激發(fā)處理中的電化方法。在本例中，三角波電壓Vac設置為14V；脈沖寬度T3為1ms；脈沖間隔T4是10ms。注意到上述的電化條件最好是用于本實施例的表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型發(fā)射裝置。在表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型發(fā)射裝置的設計被改變的情況下，電化條件最好根據(jù)裝置設計的改變而改變。
在圖8D中，示出的是接到直流(DC)高壓電源1115的陽電極1114和用于俘獲從表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型發(fā)射裝置發(fā)射出的發(fā)射電流Ie。在激發(fā)處理之前將基板1101結(jié)合到顯示屏幕的情況中，在顯示屏的熒光物表面上的Al層被用作陽電極1114。而從激發(fā)電源1112施加電壓，電流計1116測量發(fā)射的電流Ie，所以監(jiān)視著激發(fā)過程的進展，以便控制激發(fā)電源1112的操作。圖1B示出由電流計1116測量的發(fā)射電流Ie的一個實例。
出自激發(fā)電源1112的脈沖電壓是以這種方式進行施加的，發(fā)射電流Ie隨著時間的推移而而增加，逐漸達到飽和，隨后幾乎不再增加。在實際的飽和點，出自激發(fā)電源1112的施加電壓停止，隨后終止激發(fā)過程。
注意到，上述的電化條件最好是本實施例的表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型發(fā)射裝置。在表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型發(fā)射裝置的設計改變的條件下，這些條件最好隨著裝置設計的改變而改變。
如上所述，圖8E所示的表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型發(fā)射裝置被制作(階梯式表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型發(fā)射裝置)隨后，描述另一種典型的表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型發(fā)射裝置，即其中一個電子發(fā)射部分或其邊緣部分被形成一個精細粒子膜的階梯型表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型發(fā)射裝置。
圖11是斷面圖，示意性的表示了階梯表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型發(fā)射器的基本結(jié)構(gòu)。
參考圖11，示出的是基板1201、裝置電極1202和1203、用于形成在這兩個電極之間的高度差的階梯形成部件1206、由形成處理構(gòu)成的電子發(fā)射部分1205、由激發(fā)處理形成的薄膜1213。
階梯表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型發(fā)射裝置與上述的平坦的電子發(fā)射裝置的差異在于，一個電極(本實施例中是裝置電極1202)提供在階梯形成部件1206上且導電薄膜1204覆蓋該階梯形成部件1206的側(cè)表面。在這種結(jié)構(gòu)中，圖7A和7B中的裝置的間隔L設置為一個高度差，對應于階梯形成部件1206的高度。注意到，基板1201、裝置電極1202和1203、使用精細粒子膜的薄膜可以包括在解釋平坦的表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型發(fā)射裝置中給定的材料。而且，階梯形成部件1206表面電絕緣材料，例如SiO2。
隨后，參考圖12A-12F的表示制作過程的截面圖描述階梯表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型發(fā)射裝置的制作方法。在這些圖中，分別的部件的參考符號和圖10中相同。
(1)首先，如圖12A所示，在基板1201上形成裝置電極1203。
(2)隨后，如圖12B所示，沉積用于形成階梯形成部件1206的絕緣層被形成。階梯形成部件1206可以通過累積的方法形成，例如通過濺射的方法累積SiO2，但是，該絕緣層可以通過膜的形成方法來構(gòu)成，例如蒸發(fā)方法或電路的印制方法。
(3)隨后，如圖12C所示，在絕緣層1206上形成裝置電極1202。
(4)隨后，如圖12D所示，圖12C中的絕緣層1206的一部分通過采用例如蝕刻的方法被去除，以便暴露出裝置電極1203。
(5)隨后，如圖12E所示，使用精細粒子膜形成導電薄膜1204。對于這種構(gòu)型，相似于上述的平坦式的裝置的結(jié)構(gòu)，采用的是一種薄膜形成技術，例如一個涂覆方法。
(6)隨后，相似于平坦裝置的結(jié)構(gòu)，執(zhí)行形成處理，以便形成電子發(fā)射部分1205。(相似于使用圖8C解釋的形成處理可被執(zhí)行)。
(7)隨后，相似于平坦裝置的結(jié)構(gòu)，激發(fā)處理執(zhí)行，以便沉積碳或碳的化合物在該電子發(fā)射部分1105的周圍。(可以執(zhí)行相似于利用圖8D解釋的激發(fā)處理)。
如上所述，圖12F所示的該階梯式表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型發(fā)射裝置被制作。(使用在顯示裝置中的表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型裝置的特征)平坦的表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型發(fā)射裝置以及階梯的表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型發(fā)射裝置的結(jié)構(gòu)和制造方法已經(jīng)如上所述。隨后，解釋使用在顯示裝置中的電子發(fā)射裝置的特征。
圖13示出了使用在本實施例的顯示裝置中的裝置的典型特性，包括發(fā)射電流Ie和裝置電壓(即加到裝置的電壓)Vf之比和裝置的電流If和裝置的電壓Vf之比。注意到，與裝置的電流If相比，發(fā)射電流Ie是很小的，所以很難用和裝置電流If相同的計量表示發(fā)射電流Ie。此外，由于設計參數(shù)的改變，例如裝置的大小和形狀的改變，這些特性將會改變。為此原因，在圖13中的兩行是分別用絕對值給出的。
關于發(fā)射電流Ie，使用在顯示設備中的裝置具有三個如下的特征首先，當一個預定電平(稱之為″門限電壓Vth″)或更大的電平被加到裝置上時，發(fā)射電流Ie急劇地減小，但是，隨著電壓低于門限電壓Vth，幾乎沒有發(fā)射電流被檢測到。就是說，就發(fā)射電流Ie而言，以清楚的門限電壓Vth為基礎，裝置具有一個非線性特征。
其次，發(fā)射電流Ie根據(jù)裝置施加低于Vf而改變。因此發(fā)射電流Ie可以通過改變裝置電壓Vf加以控制。
第三，響應裝置電壓Vf，發(fā)射電流Ie快速地輸出到表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型發(fā)射裝置。因此，將要從裝置發(fā)射的電子的充電量可能通過改變裝置電壓Vf的所加的周期而加以控制。
具有上述的三種特征的表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型發(fā)射裝置最好是用于顯示裝置中。例如在具有大量的對應于顯示屏幕的象素數(shù)目的一個顯示裝置中，例如采用第一個特征，則可能實現(xiàn)顯示屏的順序的掃描。這就意味著門限電壓Vth或更大的電壓被適當?shù)丶拥揭粋€驅(qū)動裝置，而低于門限電壓Vth的電壓加到未被選擇的裝置。以此方式，順序地改變驅(qū)動裝置，實現(xiàn)顯示屏幕順序掃描的顯示。
而且，發(fā)射亮度可以通過使用第二和第三特性控制，這些特性使得實現(xiàn)多級顯示。(使用帶有許多裝置線路的簡單矩陣的多電子源的結(jié)構(gòu))隨后描述放置在帶有簡單矩陣線路上的具有上述的表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型發(fā)射裝置的多電子源的結(jié)構(gòu)。
圖3的平面圖是使用在圖2的顯示屏中的多電子源。其中的表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型發(fā)射裝置作為在基板1011上的圖7A和7B之一。利用行方向線路1013和列方向線路1014，這些裝置形成簡單的矩陣。在行方向線路1013和列方向線路1014的交叉點，有絕緣層(沒示出)形成在兩線之間，保持它們的電絕緣。
圖4示出在圖3中沿著直線B-B′的截面圖。
注意到具有這種結(jié)構(gòu)的多電子源的制作是通過形成行方向線路1013和列方向線路1014、電極之間的絕緣層(沒示出)和在基板上的表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型發(fā)射裝置的裝置電極和傳導膜、然后經(jīng)過行方向線路1013和列方向線路1014供電、隨后執(zhí)行形成處理(在下描述)和激發(fā)處理(在下描述)實現(xiàn)的。
圖14的框圖示出的是驅(qū)動電路的示意圖，用于執(zhí)行根據(jù)NTSC制式的電視信號為基礎的電視顯示。參考圖14，顯示屏1701對應于上述的顯示屏。該屏幕的制作和操作的方式與上述內(nèi)容相同。掃描電路1702掃描顯示行?？刂齐娐?703產(chǎn)生輸入到掃描電路的信號。移位寄存器1704以行為單元移位數(shù)據(jù)。行存儲器1705把來自移位寄存器1704的一行的數(shù)據(jù)輸入到調(diào)制信號產(chǎn)生器1707。同步信號分離電路1706從NTSC分離出同步信號。
下面介紹圖14中的每一個部件的作用。
通過接端Dx1-DxM和Dy1-DyN以及高壓接端Hv連接到外部電路。用于順序地驅(qū)動在顯示屏1701中的多電子源，即連接在以行為單元(n個裝置的單元)的MxN矩陣中的冷陰極裝置的信號被加到接端Dx1-DxM。用于控制從對應于一行的n個裝置(是由上述的掃描信號選擇)輸出的電子束的調(diào)制信號加到接端Dy1-DyN。例如，一個5Kv的從DC電源Va輸出的DC電壓加到高壓接端Hv。該電壓是一個加速電壓，用于提供足夠的能量給從多電子源輸出的電子束，以便激發(fā)熒光物。
下面描述掃描電路1702。該電路包括M個開關單元(在圖14中用俘獲S1到SM表示)。每一個開關單元用于選擇從DC電壓源Vx輸出的電壓或一個0V(地電平)電壓，并電連接到顯示屏1701的加到Dx1-DxM的對應之一。S1-SM這些開關單元的操作是以來自控制電路1703的一個控制信號TSCAN為基礎。在實際中，這一電路很容易通過對應象FET開關單元進行組合的方法形成。該DC電壓源Vx是根據(jù)圖13中的電子發(fā)射裝置的特性為基礎的，以便輸出一個恒定的電壓，使得加到不被掃描的裝置的驅(qū)動電壓被置成電子發(fā)射門限電壓Vth或更低。
控制電路1703用于匹配不同的部件彼此之間的相互操作，從而根據(jù)外部的輸入圖象信號執(zhí)行正確的顯示?？刂齐娐?703根據(jù)從下面將要描述的同步信號分離電路1706輸入的同步信號TSYNC產(chǎn)生用于分別的部件的控制信號TSCAN、TSFT和TMRY。該同步信號分離電路1706是一個用于將同步信號成分和亮度信號成分從其它的輸入的NTSC電視信號分離的電路。如所公知，該電路能夠用頻率分離(濾波)電路很容易地形成。如所公知，由同步信號分離電路1706分離的同步信號中包括垂直和水平同步信號。在此情況中，為了描述的方便，在圖14中的同步信號表示為TSYNC。從電視信號分離的圖象的亮度信號成分被表示為相互DATA，以方便描述。該信號輸入到移位寄存器1704。
以圖象行為單元，移位寄存器1704執(zhí)行對于以時間串行方式輸入的信號DATD進行串/并轉(zhuǎn)換。移位寄存器1704根據(jù)來自控制電路1703的控制信號TSFT操作。換句話說，控制信號TSFT是用于移位寄存器1704的移位時鐘。通過該串/并轉(zhuǎn)換得到的在線數(shù)據(jù)(對應于用于n個電子發(fā)射裝置的驅(qū)動數(shù)據(jù))被作為N個信號ID1-IDN從移位寄存器1704輸出。
行存儲器1705是一個用于把一行的數(shù)據(jù)存儲一個需要的時間周期的存儲器。行存儲器1705根據(jù)從控制電路1703來的控制信號TMRY正確地存儲信號ID1-IDN的內(nèi)容。存儲的內(nèi)容作為輸出時間I′D1-I′DN輸入到調(diào)制信號產(chǎn)生器1707。
調(diào)制信號產(chǎn)生器1707是一個信號源，根據(jù)圖象數(shù)據(jù)I′D1-I′DN的每一個執(zhí)行關于后板1015的每一個的正確的驅(qū)動/調(diào)制。從調(diào)制信號產(chǎn)生器1707輸出的信號通過Dy1-DyN加到在顯示屏1701中的后板1015。
如同結(jié)合圖13所描述，根據(jù)本實施例的表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型發(fā)射裝置具有下列關于一個發(fā)射電流Ie的基本特性。針對電子發(fā)射設置一個清除門限電壓Vth(在本實施例中的表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型發(fā)射裝置中是8V)。每一個裝置只在當所加電壓等于或高于該電子發(fā)射門限電壓Vth時才發(fā)射電子。此外，在電壓等于或高于該電子發(fā)射門限電壓Vth時發(fā)射電流Ie隨之改變，如圖13所示。顯然，當脈沖形狀的等于加到該裝置時，如果電壓是低于該電子發(fā)射的門限電壓Vth的話，就沒有電子的發(fā)射。但是，如果低于等于或高于該電子發(fā)射門限電壓Vth，則該表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型發(fā)射裝置將發(fā)射一個電子束。在此情況中，可以通過改變該脈沖的峰值Vm控制輸出電子束的強度。此外，從該裝置輸出的電子數(shù)的總量能夠通過改變脈沖的寬度Pw來控制。
作為一個根據(jù)輸入信號調(diào)制從每一個電子發(fā)射裝置的輸出信號的方案，可以使用一個電壓調(diào)制方案、一個脈沖寬度調(diào)制方案。在執(zhí)行電壓調(diào)制方案中，根據(jù)輸入的數(shù)據(jù)而用于產(chǎn)生具有恒定長度和對于脈沖峰值進行調(diào)制的電壓調(diào)制電路可被用作調(diào)制信號產(chǎn)生器1707。在執(zhí)行脈沖寬度調(diào)制方案中，根據(jù)輸入的數(shù)據(jù)而用于產(chǎn)生具有恒定長度和對于脈沖峰值進行調(diào)制的脈沖寬度調(diào)制電路可被用作調(diào)制信號產(chǎn)生器1707。
移位寄存器1704和行存儲器1705可以是數(shù)字信號型或模擬信號型。就是說，如果圖象信號以預定的速度作串/并轉(zhuǎn)換，它是足夠的。
當著上述的部件是數(shù)字信號型時，從同步信號分離電路1706輸出的信號DATA必須轉(zhuǎn)換成一個數(shù)字信號。為此目的，一個A/D轉(zhuǎn)換器必須接到同步信號分離電路1706的輸出端。根據(jù)行存儲器1705是否輸出一個數(shù)字的或模擬的信號，差別不大的電路被用于調(diào)制信號產(chǎn)生器。更具體地說，在使用數(shù)字信號的電壓調(diào)制方案的情況中，例如將一個D/A轉(zhuǎn)換電路用作調(diào)制信號產(chǎn)生器1707的情況中，并且按需要加入一個放大電路。在使用脈沖寬度調(diào)制方案的情況中，例如通過把高速振蕩器、用于計數(shù)從振蕩器輸出的信號的波數(shù)的計數(shù)器和用于把從計數(shù)器的輸出值和存儲器的輸出值進行比較的比較器的組合用作調(diào)制信號產(chǎn)生器1707。這種電路可以按需包括一個放大器，用于把比較器輸出的脈沖寬度調(diào)制信號的電壓放大到用于驅(qū)動電子發(fā)射裝置的驅(qū)動電壓。
在使用模擬信號的電壓調(diào)制方案中，使用運算放大器的放大器電路可被用作調(diào)制信號產(chǎn)生器1707，而且可按需加入一個電平移動電路。例如在脈沖寬度調(diào)制方案中，可以采用一個壓控振蕩器(VCO)，并且可以按需加入一個用于放大從振蕩器輸出的用于驅(qū)動電子發(fā)射裝置的電壓的放大器。
在本實施例中的圖象顯示裝置能夠具有上述的裝置之一。當著電壓通過外部接端Dx1-DxM和Dy1-DyN加到分別的電子發(fā)射裝置時，就發(fā)射電子。通過高壓接端將高壓Hv加到金屬背板1019或一個透明電極(沒示出)，用于對于電子束進行加速。加速的電子束撞擊熒光膜1018以便引起光的發(fā)射，從而形成圖象。
上述的圖象顯示裝置的設計是能夠采用本發(fā)明的一個圖象形成裝置的實例。各種改變和修正的實施例都能夠在本發(fā)明的精神范圍內(nèi)進行。雖然是將根據(jù)NTSC制式的信號作為輸入信號，但是輸入信號并不局限于此。例如PAL制式或SECAM制式可被采用。此外，使用比這些制式有更大的數(shù)目掃描行的電視信號(例如MUSE高清晰度電視信號)也能夠使用。[實施例]參照實施例對于本發(fā)明進一步地描述。
在下述的分別的實施例中，多電子源是通過連接NxM(N＝3072，M＝1024)個表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型發(fā)射裝置形成的，每一個具有在上述電極之間的以導電性精細粒子膜形成的電子發(fā)射裝置，在一個由M條行方向線路和N條列方向線路形成的矩陣中(見圖2和3)。
在下述實施例中，如圖6所示，屏板1017具有熒光膜1018，其中具有在列方向(Y方向)延伸的條帶形狀的不同色彩的熒光物，在這些熒光物的條帶之間放置有黑色傳導部件1010，而且在垂直于該條帶的行方向(X)方向放置，以便在行和列方向分離象素。(第一實施例)在該第一實施例中，圖象顯示裝置具有結(jié)合圖1和2描述的使用支撐隔板1020的一個顯示屏。第一實施例將參考圖1和2作詳細描述。
使用在第一實施例中的支撐隔板1020是采用下述的方式制作。
(1)采用與屏板1017和基板1011的相同種類的玻璃，并切割和拋光，長度是20mm、高度是5mm和厚度是0.2mm。產(chǎn)生的玻璃用作絕緣部件1。
(2)在該絕緣部件1的表面形成Cr-Al合金氮化物膜，作為高阻膜11。該形成的高阻膜11具有的厚度是200nm，通過在氮氣環(huán)境中同時采用Cr和Al靶激發(fā)濺射而成。該高阻膜11的薄層電阻大約是109Ω/sq。
(3)在具有由高阻膜11覆蓋的表面的絕緣部件1上，在屏板1017側(cè)和基板1011側(cè)上，以及在該面板的側(cè)表面上，采用RF濺射Ti和Pt靶，的鄰接表面3a和3b上順序地形成低阻膜21a和21b以及保護膜23，厚度是50埃和2000埃。除去形成有薄膜部分的其余部分是以金屬覆蓋。在Pt層之下是50埃的Cr層或50埃的Ta層，而不是Ti層。
使用上述制作的支撐隔板1020進行顯示屏幕的組裝的過程如下(1)傳導性低熔點玻璃制成的一個結(jié)合材料31(長度250μm，高度200μm)，包含傳導性填充物并表面鍍金，通過金屬背板1019加到一部分上，在沿著屏板1017一側(cè)上的熒光膜1018的黑色傳導部件1010的行方向(X方向)延伸的一個區(qū)域(行的寬度300μm)中擠靠著支撐隔板1020。
(2)該支撐隔板1020放置在加有結(jié)合材料31的屏板1017的區(qū)域中，在空氣中用400℃到500℃燒結(jié)10分鐘或者更長，將該支撐隔板1020負荷在屏板1017上。特別是，相對于屏板1017的表面是豎直(直角)的，調(diào)節(jié)在90°±5°。
(3)在其上形成有行方向線路1013和列方向線路1014、極間絕緣層(沒示出)裝置的電極和表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型發(fā)射裝置的傳導薄膜的基板1011被良好地放置并固定到后板1015。
行方向線路1013和列方向線路1014是通過鍍銀形成的，包括Ag和玻璃成分的印制，隨后燒結(jié)。
如圖20所示，每一個行方向線路1013在列方向線路1014所在的位置具有凸起的形狀，并存在一個絕緣層1099。
(4)依附有支撐隔板1020的屏板1017和固定有基板1011的后板1015通過側(cè)壁1016彼此相互正對。在此情況中，其上形成有低阻膜21b的支撐隔板1020的鄰接末端放置在后板1015一側(cè)上的行方向線路1013之上，并將后板1015、屏板1017和側(cè)壁1016固定，如圖1、2和10所示。在基板1011和后板1015之間的結(jié)合部分、在后板1015和側(cè)壁1016之間、以及側(cè)壁1016和屏板1017之間都涂覆有低熔點玻璃(沒示出)。產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)在空氣中以400-500℃燒結(jié)10分鐘或更多的時間，以便將之下部件密封。在此情況中，后板1015和屏板1017被良好地定位，以便使得在屏板1017上的分別顏色的熒光物和在基板1011上的冷陰極裝置1012彼此對應。
包括該顯示屏的密閉倉使用上述的處理實現(xiàn)。
上述過程完成的密閉倉由一個真空泵通過一個抽真空管(沒示出)抽真空，以便達到充分的真空度。隨后，通過外部接端Dx1-DxM和Dy1-DyN將電源加到分別的裝置，加到行方向線路1013和列方向線路1014，執(zhí)行上述的形成處理和激發(fā)過程，從而制作一個多電子源。
使用燃氣機將抽真空管(沒示出)被加熱和焊接，使該外殼(密封倉)處在10-6乇的真空度。
最后，加入吸氣物，以便保持封裝后的真空。
在使用上述過程完成的顯示屏并在圖1和2中示出的圖象顯示裝置中，掃描信號和調(diào)制信號是經(jīng)過外部接端Dx1-DxM和Dy1-DyN從信號產(chǎn)生裝置(沒示出)加到分別的冷陰極裝置1012(表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型發(fā)射裝置)。通過高壓接端Hv將高壓加到金屬背板1019，以便加速發(fā)射的電子束，引起這些電子撞擊熒光膜1018。結(jié)果是，不同色彩(R，G，B)的熒光物被受激發(fā)光，從而顯示圖象。注意到，加到高壓端Hv的電源Va設置為3KV到10KV，而加到行方向線路1013和列方向線路1014的每一個的電壓Vf設置為14Kv。
在此情況中，以二維等間隔地形成發(fā)射點行，包括由靠近支撐隔板1020的冷陰極裝置1012發(fā)射的電子形成的發(fā)射點。結(jié)果是，具有良好彩色再現(xiàn)特性的清楚的彩色圖象能夠被形成。這表明，支撐隔板1020的形成并不產(chǎn)生影響電子軌跡的任何電場干擾。
使用不帶保護膜23的支撐隔板1020的實施例也是本發(fā)明的一個實施例，并且能夠得到上述的相同的效果。但是，其中在支撐隔板1020上形成保護膜23的第一實施例更佳，因為它防止在支撐隔板1020的附近的顯示圖象的失真。
在具有冷陰極裝置1012的基板1011一側(cè)上的低阻膜21b被形成在支撐隔板1020的側(cè)表面部分(高度是0.3mm)的實施例也是本發(fā)明的一個實施例，并且有上述的相同效果。但是，第一個實施例更佳(圖1和19)以便防止由于在遠離該支撐隔板1020方向上的電子束的移動所引起的在靠近支撐隔板1020之處的顯示圖象的失真。
在第一實施例中，支撐隔板1020通過軟材料擠靠基板1011，大氣壓加力在該真空的密閉倉上。和其中利用既在屏板1017一側(cè)上也在基板1011一側(cè)上使用結(jié)合材料31的顯示屏幕的組裝的情況相比，該支撐隔板能夠更為可靠地防止下陷和在鄰接部分的損壞。而且該支撐隔板可靠地電連接到基板1011上。這將導致便于密閉倉的組裝和產(chǎn)量的增加。(第二實施例)在第二實施例中，作為保護膜23的是一個硅氮膜(厚度是500nm，高度是0.3mm)，用作一個絕緣層。結(jié)果是，圖象的顯示和第一實施例相似。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，具有支撐隔板的圖象形成裝置能夠提供裝置內(nèi)部的出色的固定強度。
特別是，固定在圖象形成部件但是只鄰接在對著圖象形成部件的部件上的一個圖象形成裝置能夠提供裝置內(nèi)部的出色的固定強度。
此外，能夠在圖象形成裝置的組裝過程中便于該支撐隔板的放置的一個圖象形成裝置的制作方法被提供，因為每一個支撐隔板只是一端被鄰接。
根據(jù)本發(fā)明的制作方法，該支撐隔板放置在圖象形成部件和對著該圖象形成部件的部件之間，并且只固定到該圖象形成部件，這就導致如下的優(yōu)點。
如果該支撐隔板既固定到圖象形成部件也固定到對著該圖象形成部件的部件，則在該支撐隔板和圖象形成部件及對著該圖象形成部件的部件之間的機械的和電的連接將通過以預定的壓力把該支撐隔板壓向該部件和該圖象形成部件。為了用預定的壓力壓迫該支撐隔板，由于部件和圖象形成部件的表面必須是平行的而且支撐隔板的高度必須均勻，所以要求制作機械的高的精密度。而且，為了同時地將該支撐隔板緊固在圖象形成部件和對著該圖象形成部件的部件，則需要較高的壓力，并因此引起制作裝置的造價提高。
根據(jù)本發(fā)明，支撐隔板固定到圖象形成部件，以便可靠地實現(xiàn)在支撐隔板和圖象形成部件之間的可靠的機械和電的連接，而且在對于該支撐隔板進行緊固時其壓力可減小。由于支撐隔板不是同時地固定到對著圖象形成部件的部件，所以不會出現(xiàn)由于該支撐隔板的卷曲所引起的對于該支撐隔板的壓力的不均勻。而且，即使是圖象形成部件被卷曲，用于加壓該支撐隔板的機械部分會相對圖象形成的數(shù)目而被劃分成多個部分，以便能夠?qū)崿F(xiàn)對于支撐隔板的壓力的均勻性。
而且，根據(jù)本發(fā)明，放置在圖象形成部件和對著該圖象形成部件的部件之間的支撐隔板首先被固定到圖象形成部件并使得其和對著圖象形成部件的部件接觸。圖象顯示屏的內(nèi)部已經(jīng)被抽成真空，從而使得該支撐隔板和該部件和對著該部件的圖象形成部件之間的接觸更為可靠。所以，在該部件和圖象形成部件的表面上的平行程度和高度的均勻程度可以減低。
至于一個傳導性的支撐隔板、該支撐隔板的表面充電、在支撐隔板的接觸部分的電連接的錯位能夠減少。
由于電子束的軌跡幾乎不被移動，所以一個能夠顯示清晰圖象且具有良好彩色再現(xiàn)而沒有亮度不均勻性或色失真的圖象形成裝置可被獲得。
在不背離本發(fā)明的精神的范圍內(nèi)能夠有許多不同的實施例，所以應該懂得，本發(fā)明不是局限于具體的實施例，而是由所附的權(quán)利要求所限定。
權(quán)利要求
1.一種圖象形成裝置，包括電子源，具有多個電子發(fā)射器件；圖象形成部件，用于根據(jù)所述的電子發(fā)射器件發(fā)射的電子的輻射形成一個圖象；和，支撐隔板，放置在所述的圖象形成部件和對著該圖象形成部件的部件之間，其中該支撐隔板被固定到所述的圖象形成部件，并且和所述的對著該圖象形成部件的部件相接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述的對著所述的圖象形成部件的部件包括一個基板，其上設計有多個電子發(fā)射器件，并且所述的支撐隔板是通過一個軟部件和所述的其上設置有多個電子發(fā)射器件的基板相接觸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述的電子發(fā)射器件是通過布線連接，所述的對著圖象形成部件的部件包括一個基板，其上設置有所述多個電子發(fā)射器件，并且所述的支撐隔板是通過所述的軟部件和所述的布線相接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述的多個電子發(fā)射器件是通過多條行方向的布線和多條列方向的布線而線連接成矩陣，所述的對著圖象形成部件的部件包括一個基板，其上設置有多個電子發(fā)射器件，并且所述的支撐隔板是通過軟部件與所述的行方向的布線或所述的列方向的布線相接觸。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其中所述的支撐隔板是一個矩形支撐隔板，并且所述的行方向布線或所述的列方向布線的鄰接表面具有皺紋。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述的支撐隔板是通過連接材料的焊接固定在所述的圖象形成部件。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述的支撐隔板是通過軟部件而被使之與對著圖象形成部件的部件相接觸，每一個軟部件是比所述的支撐隔板和所述的將要接觸的部件要軟的部件。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述的支撐隔板是通過軟部件和對著圖象形成部件的部件相接觸，所述的軟部件的每一個是由從包括貴金屬和貴金屬的合金構(gòu)成的組中選擇的材料構(gòu)成的部件。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述的電子發(fā)射器件是冷陰極器件。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其中所述的冷陰極器件是包括具有在電極之間的電子發(fā)射部分的傳導膜的器件。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其中所述的冷陰極器件每一個都是表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型的發(fā)射器件。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述的支撐隔板是具有傳導性的支撐隔板。
13.根據(jù)權(quán)利要求1 2所述的裝置，其中所述的支撐隔板具有的薄層電阻是在105Ω/sq到1012Ω/sq的范圍內(nèi)。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置，其中所述的多個電子發(fā)射器件是通過布線連接，所述的對著圖象形成部件的部件包括一個基板，其上設置有所述多個電子發(fā)射器件，并且所述的支撐隔板是通過軟導電部件和所述的布線電連接。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置，其中所述的軟導電部件的每一個是比所述的支撐隔板和所述的將被連接的布線要軟的部件。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置，其中所述的軟導電部件的每一個是從由包括責金屬和貴金屬的合金組成的組中選擇的材料制成的部件。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置，其中所述的支撐隔板的每一個被固定到一個加速電極，用于加速由所述的設置在基板上的所述的電子發(fā)射器件所發(fā)射的電子，并且電連接到所述的加速電極。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的裝置，其中所述的支撐隔板的每一個是通過貴金屬膜而被固定到所述的加速電極。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的裝置，其中所述的支撐隔板的每一個是通過利用一種結(jié)合材料的焊接而被固定到所述的加速電極。
20.根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置，其中所述的多個電子發(fā)射器件是通過多條行方向的布線和多條列方向的布線而線連接成一個矩陣，所述的對著圖象形成部件的部件包括一個基板，其上設置有所述電子發(fā)射器件，并且所述的支撐隔板是通過軟導電部件與所述的行方向的布線或所述的列方向的布線相接觸，并且和所述的布線電連接。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的裝置，其中所述的軟導電部件的每一個是比所述的支撐隔板和所述的將被連接的布線要軟的部件。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的裝置，其中所述的軟導電部件的每一個是由從包括貴金屬和貴金屬的合金組成的組中選擇的材料制成的部件。
23.根據(jù)權(quán)利要求20所述的裝置，其中所述的支撐隔板的每一個被固定到加速電極，用于加速由所述的設置在基板上的所述的電子發(fā)射器件所發(fā)射的電子，并且電連接到所述的加速電極。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的裝置，其中所述的支撐隔板的每一個是通過一個貴金屬膜而被固定到所述的加速電極。
25.根據(jù)權(quán)利要求23所述的裝置，其中所述的支撐隔板的每一個是通過利用一種結(jié)合材料的焊接而被固定到所述的加速電極。
26.根據(jù)權(quán)利要求20所述的裝置，其中所述的支撐隔板是矩形支撐隔板，并且所述的行方向布線或所述的列方向布線的鄰接表面具有皺紋。
27.根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置，其中所述的電子發(fā)射器件是冷陰極器件。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的裝置，其中所述的冷陰極器件是一個包括具有在電極之間的一個電子發(fā)射部分的傳導膜的器件。
29.根據(jù)權(quán)利要求27所述的裝置，其中所述的冷陰極器件是一個表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型的發(fā)射器件。
30.一種用于制作圖象形成裝置的方法，該裝置包括具有多個電子發(fā)射器件的電子源；用于受到所述的電子發(fā)射器件發(fā)射的電子的輻射形成圖象的圖象形成部件；和，放置在所述的圖象形成部件和對著該圖象形成部件的部件之間的支撐隔板；包括的步驟有，將所述的支撐隔板固定到所述的圖象形成部件，并且使得所述的支撐隔板和所述的對著該圖象形成部件的部件相接觸。
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的方法，其中所述的對著所述的圖象形成部件的部件包括一個基板，其上設置有多個電子發(fā)射器件，并且使得所述的支撐隔板與所述的基板接觸的步驟包括有步驟使得所述的支撐隔板通過一個軟部件和所述的其上設置有所述多個電子發(fā)射器件的基板相接觸。
32.根據(jù)權(quán)利要求30所述的方法，其中所述的電子發(fā)射器件是通過布線連接，所述的對著圖象形成部件的部件包括一個基板，其上設置有所述多個電子發(fā)射器件，并且使得所述的支撐隔板與所述的部件相接觸的步驟包括有步驟使得所述的支撐隔板通過所述的軟部件和所述的布線相接觸。
33.根據(jù)權(quán)利要求30所述的方法，其中所述的多個電子發(fā)射器件是通過多條行方向的布線和多條列方向的布線而線連接成一個矩陣，所述的對著圖象形成部件的部件包括一個基板，其上設置有所述多個電子發(fā)射器件，并且使得所述的支撐隔板與所述的部件相接觸的步驟包括步驟使得所述的支撐隔板通過軟部件與所述的行方向的布線或所述的列方向的布線相接觸。
34.根據(jù)權(quán)利要求33所述的方法，其中所述的支撐隔板是一個矩形支撐隔板，并且所述的行方向布線或所述的列方向布線的鄰接表面具有皺紋。
35.根據(jù)權(quán)利要求30所述的方法，其中把所述的支撐隔板固定的步驟包括步驟將所述的支撐隔板通過連接材料的焊接固定在所述的圖象形成部件。
36.根據(jù)權(quán)利要求30所述的方法，其中所述的支撐隔板是通過軟部件而被使之與對著圖象形成部件的部件相接觸，每一個軟部件是比所述的支撐隔板和所述的將要接觸的部件要軟的部件。
37.根據(jù)權(quán)利要求30所述的方法，其中所述的支撐隔板是通過軟部件和對著圖象形成部件的部件相接觸，所述的軟部件的每一個是由從包括貴金屬和貴金屬的合金組成的組中選擇的材料制成的部件。
38.根據(jù)權(quán)利要求30所述的方法，其中所述的電子發(fā)射器件是冷陰極器件。
39.根據(jù)權(quán)利要求38所述的方法，其中所述的冷陰極器件是一個包括具有在電極之間的一個電子發(fā)射部分的傳導膜的器件。
40.根據(jù)權(quán)利要求38所述的方法，其中所述的冷陰極器件的每一個都是表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型的發(fā)射器件。
41.根據(jù)權(quán)利要求30所述的方法，其中所述的支撐隔板的每一個是具有傳導性的支撐隔板。
42.根據(jù)權(quán)利要求41所述的方法，其中所述的支撐隔板具有的薄層電阻是在105Ω/sq到1012Ω/sq的范圍內(nèi)。
43.根據(jù)權(quán)利要求41所述的方法，其中所述的多個電子發(fā)射器件是通過布線連接，所述的對著圖象形成部件的部件包括一個基板，其上設置有多個電子發(fā)射器件，并且使得所述的支撐隔板與所述的部件相接觸的步驟包括有步驟通過軟導電部件使得所述的支撐隔板和所述的布線電連接，并使得所述的支撐隔板和所述的布線接觸。
44.根據(jù)權(quán)利要求43所述的方法，其中所述的軟導電部件的每一個是比所述的支撐隔板和所述的將被連接的布線要軟的部件。
45.根據(jù)權(quán)利要求43所述的方法，其中所述的軟導電部件的每一個是從由包括貴金屬和貴金屬的合金組成的組中選擇的材料制成的部件。
46.根據(jù)權(quán)利要求43所述的方法，其中固定所述的支撐隔板的步驟包括步驟每一個支撐隔板電連接到一個加速電極，用于加速由所述的設置在基板上的所述的電子發(fā)射器件所發(fā)射的電子，并且將所述的支撐隔板固定到所述的加速電極。
47.根據(jù)權(quán)利要求46所述的方法，其中把所述的支撐隔板固定到所述的加速電極的步驟包括步驟把所述的支撐隔板通過貴金屬膜固定到所述的加速電極。
48.根據(jù)權(quán)利要求46所述的方法，其中把所述的支撐隔板固定到所述的加速電極的步驟包括步驟把所述的支撐隔板通過利用施加到所述加速電極上的結(jié)合材料的焊接固定到所述的加速電極。
49.根據(jù)權(quán)利要求41所述的方法，其中所述的電子發(fā)射器件是通過多條行方向的布線和多條列方向的布線而線連接成一個矩陣，所述的對著圖象形成部件的部件包括一個基板，其上設置有多個電子發(fā)射器件，并且使得所述的支撐隔板和所述的部件接觸的步驟包括有步驟把所述的支撐隔板通過軟導電部件與所述的行方向的布線或所述的列方向的布線電連接，并且使得所述的支撐隔板和所述的行方向布線或列方向的布線接觸。
50.根據(jù)權(quán)利要求49所述的方法，其中所述的軟導電部件的每一個是比所述的支撐隔板或所述的將被連接的每一個布線要軟的部件。
51.根據(jù)權(quán)利要求49所述的方法，其中所述的軟導電部件的每一個是由從包括貴金屬和貴金屬的合全組成的組中選擇的材料制成的部件。
52.根據(jù)權(quán)利要求49所述的方法，其中對所述的支撐隔極進行固定的步驟包括步驟將所述的支撐隔板連接到到加速電極，用于加速由所述的設置在基板上的所述的電子發(fā)射器件所發(fā)射的電子，并將所述的支撐隔板固定到所述的加速電極。
53.根據(jù)權(quán)利要求52所述的方法，其中把所述的支撐隔板固定到所述的加速電極的步驟包括步驟將所述的支撐隔板通過貴金屬膜被固定到所述的加速電極。
54.根據(jù)權(quán)利要求52所述的方法，其中把所述的支撐隔板固定到所述的加速電極的步驟包括步驟將所述的支撐隔板利用施加到加速電極上的結(jié)合材料的焊接固定到所述的加速電極。
55.根據(jù)權(quán)利要求49所述的方法，其中所述的支撐隔板是矩形支撐隔板，并且所述的行方向布線或所述的列方向布線的鄰接表面具有皺紋。
56.根據(jù)權(quán)利要求41所述的方法，其中所述的電子發(fā)射器件是冷陰極器件。
57.根據(jù)權(quán)利要求56所述的方法，其中所述的冷陰極器件是一個包括具有在電極之間的電子發(fā)射部分的傳導膜的器件。
58.根據(jù)權(quán)利要求57所述的方法，其中所述的冷陰極器件是一個表面?zhèn)鲗Оl(fā)射型的發(fā)射器件。
全文摘要
圖象形成裝置包括一個電子源,帶有其上設計有多個電子發(fā)射器件的基板,一個屏板帶有用于輻射不同色彩的光的熒光物且在由電子發(fā)射裝置發(fā)射的電子的輻射時形成彩色圖象。在基板和屏板之間放置有矩形的支撐隔板,并被固定到屏板,且經(jīng)過軟部件和基板接觸。
文檔編號H01J29/02GK1195184SQ98106109
公開日1998年10月7日 申請日期1998年3月31日 優(yōu)先權(quán)日1997年3月31日
發(fā)明者光武英明, 高木博嗣, 大里陽一, 大栗宣明, 伏見正弘, 黑田和生, 岡村好真 申請人:佳能株式會社