專利名稱：偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)、使用該偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的陰極射線管裝置和顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于具有大或?qū)挼钠D(zhuǎn)角特性的細(xì)管頸陰極射線管中的偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)、使用該偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的陰極射線管裝置和顯示裝置，特別涉及防范因其偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的無用磁場(chǎng)發(fā)射造成的漏泄磁場(chǎng)的干擾。
必須把陰極射線管裝置周圍產(chǎn)生的無用磁場(chǎng)發(fā)射降低至某個(gè)值以下的要求日益增長(zhǎng)。實(shí)際上，在小于400kHz的低頻頻帶中由于無用磁場(chǎng)發(fā)射，例如已經(jīng)存在稱為TCO(The Swedish ConfederationEmployees，以下簡(jiǎn)記為TCO)的標(biāo)準(zhǔn)。該標(biāo)準(zhǔn)確定在距顯示裝置50cm周邊的點(diǎn)上和距陰極射線管裝置的前表面30cm的點(diǎn)上測(cè)量時(shí)，5Hz至2kHz的ELMF(極低頻率磁場(chǎng))應(yīng)該等于或小于200nT，而2kHz至400kHz的VLMF(超低頻率磁場(chǎng))應(yīng)該等于或小于25nT。
由于產(chǎn)生ELMF和VLMF的主要來源是偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)，所以提出產(chǎn)生相反極性磁場(chǎng)的各種裝置以抵消無用磁場(chǎng)發(fā)射，從而實(shí)現(xiàn)把無用磁場(chǎng)發(fā)射降低至等于或低于上述標(biāo)準(zhǔn)值。作為其一個(gè)典型實(shí)例，在日本專利公開No.平3-289029(1991)中披露了用于減少無用磁場(chǎng)發(fā)射的裝置。在該裝置中，抵消線圈分別與水平偏轉(zhuǎn)線圈和垂直偏轉(zhuǎn)線圈連接，其中重新產(chǎn)生磁場(chǎng)，以達(dá)到抵消由各水平偏轉(zhuǎn)線圈和垂直偏轉(zhuǎn)線圈產(chǎn)生的無用磁場(chǎng)發(fā)射的目的，從而減少無用磁場(chǎng)發(fā)射。
再有，在日本專利公開No.平3-165427(1991)中披露了在不采用這種抵消線圈的情況下，通過設(shè)計(jì)和控制偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的線圈尺寸來減少無用磁場(chǎng)發(fā)射的方法。
但是，按照日本專利公開No.平3-289029(1991)中披露的常規(guī)技術(shù)，在減少無用磁場(chǎng)發(fā)射的同時(shí)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的重要特性，例如水平偏轉(zhuǎn)靈敏度和垂直偏轉(zhuǎn)靈敏度被極大地劣化。此外，由于連接抵消線圈，偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的外形尺寸和其重量都有所增加，從而不僅引發(fā)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)生產(chǎn)成本上升的問題，而且導(dǎo)致偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)損壞和因超過陰極射線管管頸部分的機(jī)械強(qiáng)度極限而使陰極射線管的制造困難的問題。
另一方面，按照日本專利公開No.平3-165427(1991)中所述的常規(guī)技術(shù)，披露了形成磁芯使該磁芯在軸向方向的長(zhǎng)度為水平偏轉(zhuǎn)線圈的橋接部分前后之間距離的40％至60％的設(shè)計(jì)平面，從而抑制偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)特性的劣化。
但是，對(duì)于要求具有寬顯示屏幕且厚度更薄和功率消耗低的陰極射線管和/或顯示裝置的社會(huì)需求來說，上述常規(guī)技術(shù)未考慮陰極射線管管頸部分的直徑，也未考慮磁芯的形狀，而該磁芯形狀是實(shí)現(xiàn)減少無用磁場(chǎng)發(fā)射同時(shí)滿足陰極射線管的基本偏轉(zhuǎn)特性的目的所需要的。就是說，由電子槍發(fā)射的陰極射線到達(dá)熒光屏，同時(shí)被偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)形成的磁場(chǎng)偏轉(zhuǎn)。在這種情況下，偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)產(chǎn)生的磁場(chǎng)必須被增強(qiáng)以便擴(kuò)大偏轉(zhuǎn)角，但是這不僅導(dǎo)致偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)功耗增加，而且還增大偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)本身的形狀和增加其重量以及增加其生產(chǎn)成本。
為了消除上述常規(guī)技術(shù)的這些問題，盡管通過使安裝偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的陰極射線管的頸部變細(xì)可使陰極射線按寬角度偏轉(zhuǎn)同時(shí)有小的磁場(chǎng)密度，但另一方面，頸部越細(xì)，其機(jī)械強(qiáng)度降低就越多，從而帶來大的問題。因此，為了改善特性以便防止其變劣，當(dāng)然期望減輕磁芯的重量并進(jìn)行偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)尺寸的設(shè)計(jì)，其中該重量占安裝在頸部的偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)重量的約50％。
為了消除上述問題，按照本發(fā)明，其目的在于提供可以用于具有寬偏轉(zhuǎn)角特性的細(xì)管頸陰極射線管的偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)、使用該偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的陰極射線管及其顯示裝置。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，按照本發(fā)明，提供一種為了用于其中而安裝于陰極射線管上的偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)，該偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)包括水平線圈；垂直線圈；和磁芯，其中所述磁芯在水平方向的厚度與在垂直方向的厚度之比約等于1或小于1，最好所述磁芯的厚度比包括約為1和等于或大于0.7，所述偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)還包括能夠安裝于陰極射線管頸部的固定部件，其直徑至少為等于或大于φ18mm和等于或小于φ26mm，等于或大于φ22mm和等于或小于φ26mm更好，如為等于或大于φ24mm和等于或小于φ25mm則最好。
此外，按照本發(fā)明，提供一種如上所述的偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)，其中所述陰極射線管的偏轉(zhuǎn)角大小90°和等于或小于115°，等于或大于95°和等于或小于110°更好，如為等于或大于97°和等于或小于105°最好。
此外，按照本發(fā)明，提供一種如上所述的偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)，其中所述偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的所述水平偏轉(zhuǎn)線圈的軸向尺寸為等于或大于80mm和等于或小于100mm，所述垂直偏轉(zhuǎn)線圈的軸向尺寸為等于或大于50mm和等于或小于70mm，并且所述磁芯尺寸為等于或大于30mm和等于或小于50mm。
并且，所述偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的所述水平偏轉(zhuǎn)線圈的軸向尺寸為等于或大于90mm和等于或小于95mm，所述垂直偏轉(zhuǎn)線圈的軸向尺寸為等于或大于60mm和等于或小于65mm，并且所述磁芯尺寸為等于或大于40mm和等于或小于45mm。
此外，按照本發(fā)明，提供一種如上所述的偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)，其中這樣設(shè)置所述磁芯，以便在所述水平偏轉(zhuǎn)線圈的開口側(cè)一端與所述磁芯的開口側(cè)一端之間的距離大于所述水平偏轉(zhuǎn)線圈的頸部側(cè)一端與所述磁芯的頸部側(cè)一端之間的距離，特別是該距離等于或大于15mm。
此外，按照本發(fā)明，提供一種如上所述的偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)，其中這樣設(shè)置所述磁芯，以便在所述垂直偏轉(zhuǎn)線圈的開口側(cè)一端與所述磁芯的開口側(cè)一端之間的距離大于所述垂直偏轉(zhuǎn)線圈的頸部側(cè)一端與所述磁芯的頸部側(cè)一端之間的距離，特別是該距離等于或大于5mm。
按照本發(fā)明，提供一種陰極射線管裝置，包括陰極射線管；偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)；和電子槍，其中所述陰極射線管的頸部直徑為等于或大于φ18mm和等于或小于φ26mm，等于或大于φ22mm和等于或小于φ26mm更好，若為等于或大于φ24mm和等于或小于φ25mm則最好。其偏轉(zhuǎn)角大于90°和等于或小于115°，等于或大于95°和等于或小于110°更好，若為等于或大于97°和等于或小于105°則最好，并且所述偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)包括水平線圈；垂直線圈；和磁芯，其中所述磁芯在水平方向的厚度與在垂直方向的厚度之比約等于1或小于1，最好所述磁芯的厚度比包括約為1和等于或大于0.7。
并且，按照本發(fā)明，提供一種具有陰極射線管裝置的顯示器，其中偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)和電子槍裝在陰極射線管上，其中所述陰極射線管的頸部直徑為等于或大于φ18mm和等于或小于φ26mm，其偏轉(zhuǎn)角大小90°和等于或小于115°；所述偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)包括水平線圈；垂直線圈；和磁芯，其中所述磁芯在水平方向的厚度與在垂直方向的厚度之比約等于1或小于1，所述顯示器還包括偏轉(zhuǎn)電路和驅(qū)動(dòng)所述陰極射線管裝置的高電壓電路；和用于對(duì)外部信號(hào)進(jìn)行信號(hào)處理的視頻電路。
根據(jù)結(jié)合附圖進(jìn)行的下列描述將更加明了本發(fā)明的這些和其它特征、目的和優(yōu)點(diǎn)，其中

圖1是展示本發(fā)明磁芯的剖面的說明圖；圖2是展示其上安裝本發(fā)明偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的陰極射線管的說明圖；圖3是展示陰極射線管頸部直徑與分辨率特征以及與本發(fā)明實(shí)施例的偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的功耗之間關(guān)系的曲線；圖4是展示本發(fā)明實(shí)施例的偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的外部形狀和尺寸特別是沿其管軸方向的外部形狀和尺寸的說明圖；圖5是展示本發(fā)明實(shí)施例的水平偏轉(zhuǎn)線圈的尺寸與水平偏轉(zhuǎn)靈敏度之間關(guān)系的曲線；圖6是展示本發(fā)明實(shí)施例的水平偏轉(zhuǎn)線圈的尺寸與電子束撞擊頸部變化量之間關(guān)系的曲線；圖7是展示本發(fā)明實(shí)施例水平偏轉(zhuǎn)線圈的外部尺寸與到達(dá)熒光屏的電子束直徑之間關(guān)系的曲線；圖8是展示本發(fā)明實(shí)施例水平偏轉(zhuǎn)線圈的外部尺寸與可允許的溫度之間關(guān)系的曲線；圖9是展示按照本發(fā)明另一實(shí)施例被限定于水平偏轉(zhuǎn)線圈的開口側(cè)一端與磁芯的開口側(cè)一端之間的距離與極低頻率磁場(chǎng)的強(qiáng)度之間關(guān)系的曲線；圖10是展示本發(fā)明另一實(shí)施例的偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)在其管軸方向的外部形狀和尺寸的說明圖；圖11是展示按照本發(fā)明另一實(shí)施例被限定于垂直偏轉(zhuǎn)線圈的開口側(cè)一端與磁芯的開口側(cè)一端之間的距離與極低頻率磁場(chǎng)的強(qiáng)度之間關(guān)系的曲線；圖12是展示本發(fā)明又一實(shí)施例的偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)在其管軸方向的外部形狀和尺寸的說明圖；圖13是展示配備本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的陰極射線管裝置的側(cè)視圖；圖14是展示配備具有本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的陰極射線管裝置的顯示器的結(jié)構(gòu)圖。
下面參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施例。
參見圖1，圖1表示本發(fā)明的磁芯4的剖面圖，由水平偏轉(zhuǎn)線圈2和垂直偏轉(zhuǎn)線圈3構(gòu)成的偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1安裝于陰極射線管上且用于其中，該陰極射線管的頸部直徑從φ18mm到φ26mm，其偏轉(zhuǎn)角從90°到115°。其中，頸部直徑是用已知的測(cè)量裝置例如游標(biāo)卡尺、測(cè)微器等測(cè)量其中安裝了電子槍(會(huì)聚)且其直徑值幾乎相等的陰極射線管部分的尺寸。通常，偏轉(zhuǎn)角被定義為從偏轉(zhuǎn)中心例如用外推法將陰極射線管的錐體部分集中為一點(diǎn)的那點(diǎn)位置觀看熒光屏?xí)r，形成于熒光屏上的對(duì)角(diagonal)有效顯示面之間的角度。
上述磁芯4有形成為圓形的內(nèi)表面，并且在垂直方向的磁芯厚度與水平方面的磁芯厚度之比至少約等于1或小于1，其中水平方向是在其上成直線地設(shè)置紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)三個(gè)電子槍的方向。在具有這種剖面的磁芯被用于偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的情況下，由水平偏轉(zhuǎn)線圈2和垂直偏轉(zhuǎn)線圈3形成偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)，在來自電子槍的陰極射線通過的陰極射線管頸部中，該磁場(chǎng)在垂直方向上較弱，相對(duì)于垂直方向上的磁場(chǎng)來說，該磁場(chǎng)在水平方向上較強(qiáng)?？墒?，由于水平方向的磁芯厚度足夠大，所產(chǎn)生的磁場(chǎng)相對(duì)于線圈電流來說并未飽合，因而可以維持具有足夠強(qiáng)度的磁場(chǎng)。并且，由此，不僅可自由地補(bǔ)償幾何畸變和失會(huì)聚而且還可補(bǔ)償隨磁芯4溫度增加特性的變劣。
此外，在構(gòu)成偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1的部件中，磁芯4的磁芯厚度均勻的情況下，由于它占據(jù)偏轉(zhuǎn)線圈1的重量的約50％，因此陰極射線管在其頸部容易破裂?？墒?，按照本發(fā)明，通過使磁芯4的在垂直方向的磁芯厚度薄于水平方向的磁芯厚度，可以使重量減輕約20％，因而不僅可以實(shí)現(xiàn)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1本身的重量變輕，并且還可防止陰極射線管在其頸部破裂。
其中，磁芯4在垂直方向的磁芯厚度與水平方面的磁芯厚度之比包括至少約等于1，并且最好小于1和等于或大于0.7。其理由是，如果磁芯比等于或大于0.7，那么在其制造過程中磁芯4可獲得足夠的機(jī)械強(qiáng)度，因此可用目前廣泛采用的制造方法例如鑄造法進(jìn)行制造而不降低其生產(chǎn)率。
此外，如圖2所示，利用固定部件21將配備上述磁芯4的偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1固定于陰極射線管的壁面11上。在這種情況下，盡可能由陰極射線管的壁面11支撐偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1本身的重量，從而可避免在頸部發(fā)生破裂的情況。并且，還使用固定帶22將偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1固定于陰極射線管的頸部上，以防止偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1的移動(dòng)。
然而，在其上將要安裝偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1的陰極射線管的偏轉(zhuǎn)角和其頸部的直徑應(yīng)該不限于上述的那種范圍。即，偏轉(zhuǎn)角從95°至110°較好，在從97°到105°的范圍內(nèi)最好。其理由是，當(dāng)使用偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)時(shí)，該偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)與被安裝于具有上述例如從95°至110°偏轉(zhuǎn)角特性的陰極射線管上的偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)相同，可減小按預(yù)定角度偏轉(zhuǎn)所需的磁場(chǎng)，同時(shí)保持與上述相同的偏轉(zhuǎn)特性。亦即，可降低偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1本身所消耗的電能，并且還可利用與上述情況相比更簡(jiǎn)單的電路結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1的電路，或可用例如較小容量的晶體管等元件構(gòu)成，從而對(duì)降低作為包括偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1的整體的控制系統(tǒng)的成本作出較大的貢獻(xiàn)。
并且，在其上安裝偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1的陰極射線管頸部的直徑不應(yīng)限于上述值，例如等于或大于φ18mm和等于或小于φ26mm。期望頸部的直徑等于或大于φ22mm和等于或小于φ26mm較好，并且等于或大于φ24mm和等于或小于φ25mm更好?？筛鶕?jù)下列情況說明其理由，即當(dāng)相同的偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1被安裝于要使用的陰極射線管的頸部上時(shí)，如圖3所示，根據(jù)頸部直徑與作為一個(gè)陰極射線管性能的分辨率之間的關(guān)系，和根據(jù)頸部直徑與包括偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的偏轉(zhuǎn)電路的功耗之間的關(guān)系來說明。圖3中，垂直軸表示分辨率和功耗的相對(duì)值，其中頸部直徑越大，可越容易地將電子束聚焦于陰極射線管的熒光屏上，從而可實(shí)現(xiàn)高分辨率的顯示。相反，偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1本身的功耗增加，因此不僅不能夠滿足偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的較低能量消耗的社會(huì)需求，并且還導(dǎo)致偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)本身的性能降低，最糟的是，例如當(dāng)因功耗的增加產(chǎn)生的熱量增加時(shí)，可軟化構(gòu)成偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1的部件例如由塑料樹脂構(gòu)成的框架。特別是，當(dāng)頸部直徑超過φ26mm時(shí)，功耗顯示突然增加的關(guān)系。同時(shí)，其直徑等于或小于φ18mm的頸部引起分辨率突然降低。
等于或大于φ18mm和等于或小于φ26mm的頸部直徑是至少滿足陰極射線管各種性能中例如分辨率和偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的功耗這兩項(xiàng)特性要求的范圍，等于或大于φ22mm和等于或小于φ26mm更好，等于或大于φ24mm和等于或小于φ25mm最好，從而能夠滿足對(duì)包括分辨率和功耗的任一特性的社會(huì)需求。
下面說明構(gòu)成偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1的各部件的尺寸。以下，以安裝于陰極射線管上的偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)為例進(jìn)行說明，該陰極射線管的頸部直徑等于或大于φ24mm和等于或小于φ25mm并且其偏轉(zhuǎn)角等于或大小97°和等于或小于105°。
圖4表示用于陰極射線管中的偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1的軸向尺寸，其中該陰極射線管的頸部直徑等于或大于φ24mm和等于或小于φ25mm并且其偏轉(zhuǎn)角等于或大小97°和等于或小于105°。本實(shí)施例的偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1，包括水平偏轉(zhuǎn)線圈2和垂直偏轉(zhuǎn)線圈3以及上述圖1中所示的磁芯4，其中水平偏轉(zhuǎn)線圈2在管軸方向的長(zhǎng)度為a，垂直偏轉(zhuǎn)線圈3在管軸方向的長(zhǎng)度為b，磁芯4在管軸方向的長(zhǎng)度為c，在水平偏轉(zhuǎn)線圈2的開口側(cè)一端與磁芯4的開口側(cè)一端之間的距離為d，在垂直偏轉(zhuǎn)線圈3的開口側(cè)一端與磁芯4的開口側(cè)一端之間的距離為e。可是，水平偏轉(zhuǎn)線圈2、垂直偏轉(zhuǎn)線圈3和磁芯4的尺寸是用已知的測(cè)量裝置例如游標(biāo)卡尺、測(cè)微器等分別在開口側(cè)一端與這些線圈和磁芯的頸部側(cè)一端測(cè)量的長(zhǎng)度。并且水平偏轉(zhuǎn)線圈2和垂直偏轉(zhuǎn)線圈3是分別按鞍形形狀繞制的線圈。
圖5是展示水平偏轉(zhuǎn)靈敏度相對(duì)于水平偏轉(zhuǎn)線圈2的管軸方向長(zhǎng)度的變化率的曲線。在同一圖中，在水平偏轉(zhuǎn)線圈2的尺寸為90mm的條件下，示出偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1分別進(jìn)入開口側(cè)方向和頸部側(cè)方向的長(zhǎng)度變化或偏移。在水平偏轉(zhuǎn)線圈的尺寸被擴(kuò)大或延伸進(jìn)開口側(cè)的情況下，水平偏轉(zhuǎn)靈敏度增加，而偏轉(zhuǎn)特性呈現(xiàn)劣化的趨勢(shì)。另一方面，在水平偏轉(zhuǎn)線圈的尺寸被擴(kuò)大進(jìn)頸部側(cè)的情況下，水平偏轉(zhuǎn)靈敏度降低，而偏轉(zhuǎn)特性提高。亦即，利用被安裝于具有寬偏轉(zhuǎn)角的陰極射線管上的偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1的尺寸，即為了提高水平偏轉(zhuǎn)的靈敏度，可將水平偏轉(zhuǎn)線圈的長(zhǎng)度從目前的位置擴(kuò)大到頸部側(cè)，并且在開口側(cè)一端縮短該長(zhǎng)度，可以說，這是有效的。
圖6是展示相對(duì)于水平偏轉(zhuǎn)線圈2在管軸方向的長(zhǎng)度，電子束撞擊頸部的變化量(以下被縮寫成“BSN”)的曲線。在同一圖中，BSN變化率表示在水平偏轉(zhuǎn)線圈2的尺寸為90mm的條件下，水平偏轉(zhuǎn)線圈2的尺寸分別變化或偏移進(jìn)入偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1的開口側(cè)和頸部側(cè)方向的情況，并且它表明該值越大，則出現(xiàn)在陰極射線管的熒光屏上的顯示屏缺蝕之比值(the ratio of lacking display screen)越小。在水平偏轉(zhuǎn)線圈2的尺寸被擴(kuò)大入進(jìn)開口側(cè)的情況下，BSN的值增加，即陰極射線管的性能被改善。另一方面，在水平偏轉(zhuǎn)線圈2的尺寸被擴(kuò)大進(jìn)入頸部側(cè)的情況下，BSN的值減小，因而容易在陰極射線管的熒光屏上出現(xiàn)顯示屏光柵缺蝕。因此，為了提高BSN值，可將水平偏轉(zhuǎn)線圈2的尺寸從目前的位置延伸入開口側(cè)方向而不延伸到頸部側(cè)方向，可以說，這是有效的。
可是，根據(jù)圖5和圖6的這些結(jié)果，相對(duì)于水平偏轉(zhuǎn)線圈2的尺寸來說，表示偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1性能的水平偏轉(zhuǎn)靈敏度與BSN之間的關(guān)系是相反的。為了滿足兩個(gè)偏轉(zhuǎn)特性，當(dāng)水平偏轉(zhuǎn)線圈2的尺寸改變時(shí)，必須同時(shí)使其變成偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1的開口側(cè)和頸部側(cè)兩個(gè)方向?？墒?，為了確定水平偏轉(zhuǎn)線圈2的尺寸同時(shí)滿足偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1的各種特性，對(duì)于水平偏轉(zhuǎn)線圈來說，存在一個(gè)適當(dāng)?shù)某叽绶秶?，正如下文中所述?br> 首先，說明水平偏轉(zhuǎn)線圈2在管軸方向的尺寸a的上限。圖7表示在水平偏轉(zhuǎn)線圈2的尺寸a與陰極射線管熒光屏上電子束的束直徑之間的關(guān)系。在同一圖中，用100％表示無聚焦變劣發(fā)生，例如在顯示屏上無圖象的誤聚焦時(shí)的束直徑的尺寸。結(jié)果，如果水平偏轉(zhuǎn)線圈2的尺寸a被改變?yōu)槠D(zhuǎn)系統(tǒng)1的開口側(cè)，那么水平偏轉(zhuǎn)線圈2的尺寸a幾乎不對(duì)束直徑產(chǎn)生影響，可是，特別是，當(dāng)尺寸a沿頸部側(cè)方向增加時(shí)，束直徑明顯增大，于是產(chǎn)生諸如圖象聚焦變劣之類的問題。即，由在頸部側(cè)可允許的聚焦特性同時(shí)由在開口側(cè)水平偏轉(zhuǎn)特性來確定水平偏轉(zhuǎn)線圈2的尺寸a的最大值。因此，根據(jù)該圖所示的結(jié)果，這是顯而易見的，即滿足陰極射線管的一個(gè)性能例如圖象的清晰度或分辨率并且還滿足偏轉(zhuǎn)靈敏度特性的水平偏轉(zhuǎn)線圈2尺寸的最大可允許值為100mm。
下面，說明在管軸方向水平偏轉(zhuǎn)線圈2的尺寸a的下限。確定水平偏轉(zhuǎn)線圈2的尺寸a同時(shí)保持偏轉(zhuǎn)靈敏度的另一個(gè)方法是同時(shí)縮短偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1的開口側(cè)和頸部側(cè)尺寸。在這種情況下，水平偏轉(zhuǎn)線圈2的形狀不可避免地變小，因而偏轉(zhuǎn)線圈的表面也變小或變窄，結(jié)果，偏轉(zhuǎn)線圈本身的溫度增加變得明顯。圖8表示尺寸a與偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)中溫度增加之間的關(guān)系。在該圖中，基于偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1的最大可允許溫度表示m溫度，并由下列因素確定該溫度。亦即，通常，用塑料模制材料形成偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1的框架，但當(dāng)其溫度超過其熱軟化溫度時(shí)，該材料的機(jī)械強(qiáng)度明顯下降，因此不能保持框架本身的形狀。此外，還用塑料樹脂(例如瓷漆)覆蓋偏轉(zhuǎn)線圈的導(dǎo)體用以將它們固定在一起，可是，當(dāng)溫度超過其耐熱變形溫度時(shí)，不僅難以保持線圈導(dǎo)體的形狀，而且覆蓋導(dǎo)體的漆包層的電絕緣性下降，由此產(chǎn)生局部的電暈放電。在這種情況下，偏轉(zhuǎn)線圈的功能減退并引起失會(huì)聚的產(chǎn)生。
因此，不可避免地要在這樣的范圍內(nèi)選擇構(gòu)成偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1的水平偏轉(zhuǎn)線圈的尺寸，以使其不超過在其中所用的零部件材料的最大可允許溫度。根據(jù)圖8所示的結(jié)果，顯然水平偏轉(zhuǎn)線圈2的尺寸a必須等于或大于80mm，從而相對(duì)于偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1中溫度的增加可滿足允許值的要求。
根據(jù)上述結(jié)果，當(dāng)水平偏轉(zhuǎn)線圈2的尺寸設(shè)置為等于或大于80mm和等于或小于100mm時(shí)，對(duì)于具有寬偏轉(zhuǎn)角特性的細(xì)管頸型陰極射線管來說，可顯示良好的偏轉(zhuǎn)特性，而不會(huì)發(fā)生圖象聚焦性能的變劣，并且還可以防止隨這種溫度的增加失會(huì)聚的產(chǎn)生。
下面說明作為偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1的一部分的垂直偏轉(zhuǎn)線圈3在管軸方向的尺寸b。
如圖4所示，垂直偏轉(zhuǎn)線圈3在管軸方向的尺寸b等于從水平偏轉(zhuǎn)線圈2的尺寸a中減去在水平偏轉(zhuǎn)線圈2的開口側(cè)和頸部側(cè)的邊緣的厚度以及用于使水平偏轉(zhuǎn)線圈2和垂直偏轉(zhuǎn)線圈3絕緣的隔離器(圖中未示出)的厚度所獲得的尺寸。例如，在水平偏轉(zhuǎn)線圈2的開口側(cè)和頸部側(cè)的邊緣的厚度分別為約5mm和約20mm，用于絕緣的隔離器的開口側(cè)和頸部側(cè)的各厚度為約2mm時(shí)，垂直偏轉(zhuǎn)線圈3的尺寸b變?yōu)楸人狡D(zhuǎn)線圈2的尺寸a短大約30mm的長(zhǎng)度。因此，當(dāng)水平偏轉(zhuǎn)線圈2的尺寸a被確定為等于或大于80mm和等于或小于100mm時(shí)，垂直偏轉(zhuǎn)線圈的尺寸b最好在等于或大于50mm和等于或小于70mm的范圍內(nèi)。
按相同的方式，磁芯4在管軸方向的尺寸c等于從垂直偏轉(zhuǎn)線圈3的尺寸b中減去在垂直偏轉(zhuǎn)線圈3開口側(cè)和頸部側(cè)的邊緣的厚度以及用于絕緣的隔離器的厚度所獲得的尺寸。例如，在垂直偏轉(zhuǎn)線圈3的開口側(cè)和頸部側(cè)的邊緣的厚度一般分別為約5mm和約8mm的情況下，注意到用于使垂直偏轉(zhuǎn)線圈3與磁芯4之間絕緣的隔離器一般約4mm，則磁芯4在管軸方向的尺寸c比垂直偏轉(zhuǎn)線圈3在管軸方向的尺寸b短大約20mm，即在等于或大于約30mm和等于或小于約50mm的范圍內(nèi)。
如上所述，水平偏轉(zhuǎn)線圈2、垂直偏轉(zhuǎn)線圈3和磁芯4的尺寸分別被選擇為等于或大于80mm和等于或小于100mm、等于或大于50mm和等于或小于70mm、等于或大于約30mm和等于或小于約50mm，并且它們被用作具有寬偏轉(zhuǎn)特性的細(xì)管頸型陰極射線管中的偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1，從而能夠偏轉(zhuǎn)從電子槍發(fā)射的電子束同時(shí)可抑制垂直方向的幾何失真和失會(huì)聚的發(fā)生，即不會(huì)引起水平偏轉(zhuǎn)靈敏度和垂直偏轉(zhuǎn)靈敏度的變劣。
可是，水平偏轉(zhuǎn)線圈2、垂直偏轉(zhuǎn)線圈3和磁芯4的各尺寸并不限于上述的這些尺寸，它們也可以分別被選擇為等于或大于90mm和等于或小于95mm、等于或大于60mm和等于或小于65mm、等于或大于約40mm和等于或小于約45mm。其理由是，各尺寸的上限由作為陰極射線管性能一部分的分辨率和靈敏度特性來限定，因而通過確定使這些尺寸短于上述那些尺寸，可增加陰極射線管特性的裕量。這不僅對(duì)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1本身有利而且還對(duì)配備該偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1的陰極射線管的生產(chǎn)率和產(chǎn)量的提高以及減少偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1溫度的增加作出較大的貢獻(xiàn)。另一方面，根據(jù)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1溫度增加的允許值確定各尺寸的下限，因而選擇這些尺寸大于上述尺寸，可以抑制偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1溫度的增加，即獲得功耗的降低。由此，與上述尺寸的偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1相比，可以簡(jiǎn)單地構(gòu)成驅(qū)動(dòng)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1的電路，或者構(gòu)成在其中使用的零部件，例如小容量的晶體管，最終有利于降低成本。
下面，如圖4所示，當(dāng)組裝構(gòu)成偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1的水平偏轉(zhuǎn)線圈2、垂直偏轉(zhuǎn)線圈3和磁芯4時(shí)，按這些部件的各相對(duì)位置關(guān)系制備該系統(tǒng)。即，每一個(gè)距離，也就是說，在磁芯4的開口側(cè)一端與水平偏轉(zhuǎn)線圈2的開口側(cè)一端之間的距離d和在磁芯4的開口側(cè)一端與垂直偏轉(zhuǎn)線圈3的開口側(cè)一端之間的距離d被確定為至少大于在頸部側(cè)的距離，并且應(yīng)盡可能大些，對(duì)于水平偏轉(zhuǎn)線圈2、垂直偏轉(zhuǎn)線圈3和磁芯4來說，必須被安裝于陰極射線管的頸部上同時(shí)保持它們之間的這種位置關(guān)系。
圖9是用于說明本發(fā)明偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1的另一實(shí)施例的曲線。在該圖中，示出在磁芯4的開口側(cè)一端與水平偏轉(zhuǎn)線圈2的開口側(cè)一端之間限定的距離d與由偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1產(chǎn)生的VLMF的變化率之間的關(guān)系。由該結(jié)果明顯可知，距離d越長(zhǎng)，則VLMF值就越低，換言之，通過距陰極射線管的熒光屏盡可能遠(yuǎn)地設(shè)置磁芯4可以減小VLMF。因此，盡管示出了偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1的部件的位置關(guān)系，但為了滿足VLMF的標(biāo)準(zhǔn)值(等于或小于25nT)，必須將磁芯4的開口側(cè)一端與水平偏轉(zhuǎn)線圈2的開口側(cè)一端之間的距離d確定為等于或大于15mm。
如上所述，用于其頸部直徑等于或大于φ24mm和等于或小于φ25mm并且其偏轉(zhuǎn)角等于或大小97°和等于或小于105°的陰極射線管中的偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1的尺寸和配置，即，水平偏轉(zhuǎn)線圈的尺寸a、垂直偏轉(zhuǎn)線圈的尺寸b和磁芯的尺寸c分別為等于或大于80mm和等于或小于100mm、等于或大于50mm和等于或小于70mm、等于或大于約30mm和等于或小于約50mm，進(jìn)而分別為等于或大于90mm和等于或小于95mm、等于或大于60mm和等于或小于65mm、等于或大于約40mm和等于或小于約45mm更好，其中磁芯4的開口側(cè)一端與水平偏轉(zhuǎn)線圈的開口側(cè)一端之間相距的距離為等于或大于15mm，從而獲得偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1的固有特性而不使用在現(xiàn)有技術(shù)中廣泛采用的抵消線圈，并且能夠減小由偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1引起的VLMF同時(shí)抑制幾何失真和失會(huì)聚的產(chǎn)生。
下面說明本發(fā)明的另一實(shí)施例。圖11示出在磁芯4的開口側(cè)一端與垂直偏轉(zhuǎn)線圈3的開口側(cè)一端之間限定的距離e，與由偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1產(chǎn)生的ELMF的變化率之間的關(guān)系。由該結(jié)果明顯可知，距離e越長(zhǎng)，則ELMF值就越低，換言之，通過距垂直偏轉(zhuǎn)線圈的開口側(cè)一端盡可能遠(yuǎn)的位置設(shè)置磁芯4可以減小ELMF的值。因此，盡管在圖12中示出了構(gòu)成偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1的部件的位置關(guān)系，但為了滿足ELMF的標(biāo)準(zhǔn)值(等于或小于200nT)，必須將磁芯4的開口側(cè)一端與垂直偏轉(zhuǎn)線圈3的開口側(cè)一端之間的距離e確定為等于或大于5mm。
如上所述，用于其頸部直徑等于或大于φ24mm和等于或小于φ25mm并且其偏轉(zhuǎn)角等于或大小97°和等于或小于105°的陰極射線管中的偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1的尺寸和配置，即，水平偏轉(zhuǎn)線圈的尺寸a、垂直偏轉(zhuǎn)線圈的尺寸b和磁芯的尺寸c分別為等于或大于80mm和等于或小于100mm、等于或大于50mm和等于或小于70mm、等于或大于約30mm和等于或小于約50mm，進(jìn)而分別為等于或大于90mm和等于或小于95mm、等于或大于60mm和等于或小于65mm、等于或大于約40mm和等于或小于約45mm更好，其中磁芯4的開口側(cè)一端與垂直偏轉(zhuǎn)線圈的開口側(cè)一端之間相距的距離為等于或大于5mm，從而獲得偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1的固有特性而不使用在現(xiàn)有技術(shù)中廣泛采用的抵消線圈，并且能夠減小由偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1引起的ELMF同時(shí)抑制幾何失真和失會(huì)聚的產(chǎn)生。
如上所述，將偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)安裝于陰極射線管的頸部同時(shí)這樣進(jìn)行設(shè)置，使水平偏轉(zhuǎn)線圈2的開口側(cè)一端相對(duì)于磁芯4的開口側(cè)一端之間的距離d和相對(duì)于垂直偏轉(zhuǎn)線圈的開口側(cè)一端之間的距離e盡可能地大，不僅可以減小由偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1產(chǎn)生的無用磁場(chǎng)發(fā)射(即LVMF和ELMF)而不使用在現(xiàn)有技術(shù)中廣泛采用的抵消線圈，而且還可以抑制水平偏轉(zhuǎn)靈敏度和垂直偏轉(zhuǎn)靈敏度、幾何失真和失會(huì)聚變劣的發(fā)生。此外，還對(duì)減小偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的形狀和減輕其重量以及降低制造成本有貢獻(xiàn)。
以上，盡管作為一個(gè)代表例，提及用于其頸部直徑等于或大于φ24mm和等于或小于φ25mm并且其偏轉(zhuǎn)角等于或大小97°和等于或小于105°的陰極射線管中的偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1的尺寸和配置，但是，不用說，可以容易地設(shè)想，如果頸部直徑等于或大于φ18mm和等于或小于φ26mm，等于或大于φ22mm和等于或小于φ26mm更好，并且其偏轉(zhuǎn)角等于或大小90°和等于或小于115°，等于或大小95°和等于或小于110°更好，也可獲得這些結(jié)果。
下面說明本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例。本實(shí)施例是配備上述偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的陰極射線管裝置，圖13中示出其局部剖切的側(cè)視圖。本發(fā)明的陰極射線管裝置包括偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1、水平偏轉(zhuǎn)線圈2、垂直偏轉(zhuǎn)線圈3、磁芯4、用于絕緣的隔離器5、用于輔助垂直線圈的磁體6、輔助垂直線圈7、端蓋8、電子槍9、靜態(tài)會(huì)聚磁鐵10和熒光屏12。
在同一圖中，偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1被安裝在其前部有熒光屏12的陰極射線管11的頸部上，并且電子槍裝在陰極射線管11的頸部?jī)?nèi)。該偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1有這樣的結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中設(shè)有水平偏轉(zhuǎn)線圈2和垂直偏轉(zhuǎn)線圈3，以及在其外周邊上由磁體構(gòu)成的磁芯4。再有，在電子槍9的一側(cè)設(shè)置用于輔助垂直線圈的磁體6，在該磁體上繞制輔助垂直線圈7。
用于該陰極射線管裝置中的陰極射線管11有大或?qū)挼钠D(zhuǎn)角，因此，在其上安裝常規(guī)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的情況下，不可能實(shí)現(xiàn)在包括偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)驅(qū)動(dòng)電路的整個(gè)部件方面沒有大改變的目標(biāo)。但是，通過采用本發(fā)明的上述偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1，不僅可以抑制幾何失真和失會(huì)聚的產(chǎn)生，而且還可獲得具有滿足無用磁場(chǎng)發(fā)射的標(biāo)準(zhǔn)值(即LVMF和ELMF)的寬偏轉(zhuǎn)角特性的陰極射線管裝置，而不改變除偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1以外的所有部件，并且不會(huì)損害作為陰極射線管重要特性的水平和垂直偏轉(zhuǎn)靈敏度。
下面，說明本發(fā)明的另一實(shí)施例。本實(shí)施例是配置帶有上述偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1的陰極射線管的顯示裝置，圖14表示其結(jié)構(gòu)圖。在同一圖中，有視頻信號(hào)的輸入端14，水平同步信號(hào)的輸入端15，垂直同步信號(hào)的輸入端16，視頻電路17，水平偏轉(zhuǎn)電路18，垂直偏轉(zhuǎn)電路19和高壓電路20，其中，與圖13所示的相應(yīng)部分被附以相同的序號(hào)，并省略其說明。
在視頻電路17中進(jìn)行信號(hào)處理后，把由視頻輸入端14輸入的視頻信號(hào)提供給陰極射線管11。再有，把從輸入端15輸入的水平同步信號(hào)提供給水平偏轉(zhuǎn)電路18，其中，根據(jù)水平同步信號(hào)形成水平偏轉(zhuǎn)電流Ih。把這個(gè)水平偏轉(zhuǎn)電流Ih提供給偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1的水平偏轉(zhuǎn)線圈2。另一方面，上述水平同步信號(hào)的一部分還同時(shí)提供給高壓電路20。再有，輸入到輸入端16的垂直同步信號(hào)還提供給垂直偏轉(zhuǎn)電路19，其中，形成垂直偏轉(zhuǎn)電流Iv。而且，把該垂直偏轉(zhuǎn)電流Iv供給偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1的垂直偏轉(zhuǎn)線圈3。以這種方式，根據(jù)在視頻電路17中處理的信號(hào)，從電子槍發(fā)射的電子束被由水平偏轉(zhuǎn)電流Ih和垂直偏轉(zhuǎn)電流Iv形成的磁場(chǎng)偏轉(zhuǎn)，并激勵(lì)位于熒光屏12上預(yù)定位置的熒光材料。通過把配置上述偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)1的陰極射線管用于該顯示裝置，可以獲得具有寬偏轉(zhuǎn)角特性的顯示裝置，于是在除偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)之外，例如水平偏轉(zhuǎn)電路18、垂直偏轉(zhuǎn)電路19和視頻電路17等，在不改變采用常規(guī)部件的總體構(gòu)件的情況下，都能滿足無用磁場(chǎng)的標(biāo)準(zhǔn)值(即LVMF和ELMF)，從而不僅不損害水平和垂直偏轉(zhuǎn)靈敏度，而且還抑制圖形失真和失會(huì)聚的產(chǎn)生。
正如以上詳細(xì)說明的那樣，按照本發(fā)明，可獲得減少無用磁場(chǎng)發(fā)射而不在其中使用抵消線圈的效果，并且水平偏轉(zhuǎn)線圈和垂直偏轉(zhuǎn)線圈的靈敏度變高，從而對(duì)抑制幾何失真和失會(huì)聚作出貢獻(xiàn)。此外，它不僅能夠使偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)本身尺寸變小和重量變輕，而且它對(duì)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)制造成本的降低非常有效。
盡管我們已經(jīng)展示和描述了本發(fā)明的幾個(gè)實(shí)施例，但應(yīng)該理解，可以容易地改變和修改所公開的實(shí)施例，而不會(huì)脫離本發(fā)明的范圍。因此，我們并不是想用本文中的詳細(xì)展示和說明來限定本發(fā)明，而是要覆蓋落入所附權(quán)利要求范圍中的所有的改變和修改。
權(quán)利要求
1.一種為用于其中而安裝于陰極射線管上的偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)，包括水平線圈；垂直線圈；和磁芯，其中所述磁芯在水平方向的厚度與在垂直方向的厚度之比約等于1或小于1，所述偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)還包括能夠安裝于陰極射線管頸部的固定部件，其直徑為等于或大于φ18mm和等于或小于φ26mm。
2.如權(quán)利要求1所述的偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)，其特征在于，所述陰極射線管的偏轉(zhuǎn)角大于90°和等于或小于115°。
3.如權(quán)利要求2所述的偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)，其特征在于，所述陰極射線管的偏轉(zhuǎn)角等于或大小95°和等于或小于110°。
4.如權(quán)利要求2所述的偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)，其特征在于，所述陰極射線管的偏轉(zhuǎn)角等于或大小97°和等于或小于105°。
5.如權(quán)利要求1所述的偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)，其特征在于，所述陰極射線管的頸部直徑為等于或大于φ22mm和等于或小于φ26mm。
6.如權(quán)利要求3所述的偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)，其特征在于，所述陰極射線管的頸部直徑為等于或大于φ22mm和等于或小于φ26mm。
7.如權(quán)利要求4所述的偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)，其特征在于，所述陰極射線管的頸部直徑為等于或大于φ22mm和等于或小于φ26mm。
8.如權(quán)利要求1所述的偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)，其特征在于，所述陰極射線管的頸部直徑為等于或大于φ24mm和等于或小于φ25mm。
9.如權(quán)利要求3所述的偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)，其特征在于，所述陰極射線管的頸部直徑為等于或大于φ24mm和等于或小于φ25mm。
10.如權(quán)利要求4所述的偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)，其特征在于，所述陰極射線管的頸部直徑為等于或大于φ24mm和等于或小于φ25mm。
11.如權(quán)利要求1所述的偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)，其特征在于，所述磁芯在水平方向的厚度與在垂直方向的厚度之比約為等于或小于1和等于或大于0.7。
12.如權(quán)利要求1所述的偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)，其特征在于，所述偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的所述水平偏轉(zhuǎn)線圈的軸向尺寸為等于或大于80mm和等于或小于100mm，所述垂直偏轉(zhuǎn)線圈的軸向尺寸為等于或大于50mm和等于或小于70mm，并且所述磁芯尺寸為等于或大于30mm和等于或小于50mm。
13.如權(quán)利要求1所述的偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)，其特征在于，所述偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的所述水平偏轉(zhuǎn)線圈的軸向尺寸為等于或大于90mm和等于或小于95mm，所述垂直偏轉(zhuǎn)線圈的軸向尺寸為等于或大于60mm和等于或小于65mm，并且所述磁芯尺寸為等于或大于40mm和等于或小于45mm。
14.如權(quán)利要求1所述的偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)，其特征在于，這樣設(shè)置所述磁芯，以便在所述水平偏轉(zhuǎn)線圈的開口側(cè)一端與所述磁芯的開口側(cè)一端之間的距離大于所述水平偏轉(zhuǎn)線圈的頸部側(cè)一端與所述磁芯的頸部側(cè)一端之間的距離。
15.如權(quán)利要求1所述的偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)，其特征在于，在所述水平偏轉(zhuǎn)線圈的開口側(cè)一端與所述磁芯的開口側(cè)一端之間的距離等于或大于15mm。
16.如權(quán)利要求1所述的偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)，其特征在于，這樣設(shè)置所述磁芯，以便在所述垂直偏轉(zhuǎn)線圈的開口側(cè)一端與所述磁芯的開口側(cè)一端之間的距離大于所述垂直偏轉(zhuǎn)線圈的頸部側(cè)一端與所述磁芯的頸部側(cè)一端之間的距離。
17.如權(quán)利要求1所述的偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)，其特征在于，在所述垂直偏轉(zhuǎn)線圈的開口側(cè)一端與所述磁芯的開口側(cè)一端之間的距離等于或大于5mm。
18.一種陰極射線管裝置，包括陰極射線管；偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)；和電子槍，其中所述陰極射線管的頸部直徑為等于或大于φ18mm和等于或小于φ26mm，其偏轉(zhuǎn)角大于90°和等于或小于115°，并且所述偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)包括水平線圈；垂直線圈；和磁芯，其中所述磁芯在水平方向的厚度與在垂直方向的厚度之比約等于1或小于1。
19.如權(quán)利要求18所述的陰極射線管，其特征在于，所述陰極射線管的偏轉(zhuǎn)角等于或大于95°和等于或小于110°。
20.如權(quán)利要求18所述的陰極射線管，其特征在于，所述陰極射線管的偏轉(zhuǎn)角等于或大于97°和等于或小于105°。
21.如權(quán)利要求18所述的陰極射線管，其特征在于，陰極射線管的頸部直徑為等于或大于φ22mm和等于或小于φ26mm。
22.如權(quán)利要求19所述的陰極射線管，其特征在于，陰極射線管的頸部直徑為等于或大于φ22mm和等于或小于φ26mm。
23.如權(quán)利要求20所述的陰極射線管，其特征在于，陰極射線管的頸部直徑為等于或大于φ22mm和等于或小于φ26mm。
24.如權(quán)利要求18所述的陰極射線管，其特征在于，陰極射線管的頸部直徑為等于或大于φ24mm和等于或小于φ25mm。
25.如權(quán)利要求19所述的陰極射線管，其特征在于，陰極射線管的頸部直徑為等于或大于φ24mm和等于或小于φ25mm。
26.如權(quán)利要求20所述的陰極射線管，其特征在于，陰極射線管的頸部直徑為等于或大于φ24mm和等于或小于φ25mm。
27.如權(quán)利要求18所述的陰極射線管，其特征在于，所述磁芯在水平方向的厚度與在垂直方向的厚度之比約為等于或小于1和等于或大于0.7。
28.如權(quán)利要求18所述的陰極射線管，其特征在于，所述偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的所述水平偏轉(zhuǎn)線圈的軸向尺寸為等于或大于80mm和等于或小于100mm，所述垂直偏轉(zhuǎn)線圈的軸向尺寸為等于或大于50mm和等于或小于70mm，并且所述磁芯尺寸為等于或大于30mm和等于或小于50mm。
29.如權(quán)利要求18所述的陰極射線管，其特征在于，所述偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的所述水平偏轉(zhuǎn)線圈的軸向尺寸為等于或大于90mm和等于或小于95mm，所述垂直偏轉(zhuǎn)線圈的軸向尺寸為等于或大于60mm和等于或小于65mm，并且所述磁芯尺寸為等于或大于40mm和等于或小于45mm。
30.如權(quán)利要求18所述的陰極射線管，其特征在于，這樣設(shè)置所述磁芯，以便在所述水平偏轉(zhuǎn)線圈的開口側(cè)一端與所述磁芯的開口側(cè)一端之間的距離大于所述水平偏轉(zhuǎn)線圈的頸部側(cè)一端與所述磁芯的頸部側(cè)一端之間的距離。
31.如權(quán)利要求18所述的陰極射線管，其特征在于，在所述水平偏轉(zhuǎn)線圈的開口側(cè)一端與所述磁芯的開口側(cè)一端之間的距離等于或大于15mm。
32.如權(quán)利要求18所述的陰極射線管，其特征在于，這樣設(shè)置所述磁芯，以便在所述垂直偏轉(zhuǎn)線圈的開口側(cè)一端與所述磁芯的開口側(cè)一端之間的距離大于所述垂直偏轉(zhuǎn)線圈的頸部側(cè)一端與所述磁芯的頸部側(cè)一端之間的距離。
33.如權(quán)利要求18所述的陰極射線管，其特征在于，在所述垂直偏轉(zhuǎn)線圈的開口側(cè)一端與所述磁芯的開口側(cè)一端之間的距離等于或大于5mm。
34.一種具有陰極射線管裝置的顯示器，其中偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)和電子槍裝在陰極射線管上，其中所述陰極射線管的頸部直徑為等于或大于φ18mm和等于或小于φ26mm，其偏轉(zhuǎn)角大于90°和等于或小于115°；所述偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)包括水平線圈；垂直線圈；和磁芯，其中所述磁芯在水平方向的厚度與在垂直方向的厚度之比約等于1或小于1，所述顯示器還包括偏轉(zhuǎn)電路和驅(qū)動(dòng)所述陰極射線管裝置的高電壓電路；和用于信號(hào)處理外部信號(hào)的視頻電路。
全文摘要
一種陰極射線管的偏轉(zhuǎn)系統(tǒng),該陰極射線管的偏轉(zhuǎn)角大于90°和等于或小于115°并且其頸部直徑為等于或大于Φ18mm和等于或小于Φ26mm,磁芯在垂直方向的厚度薄于其在水平方向的厚度,并且水平和垂直偏轉(zhuǎn)線圈以及磁芯的尺寸分別被選擇為等于或大于80mm和等于或小于100mm、等于或小于50mm和等于或小于70mm、等于或大于約30mm和等于或小于約50mm,并且磁芯還被設(shè)置在相對(duì)于偏轉(zhuǎn)線圈來說更靠近陰極射線管頸部一側(cè)。
文檔編號(hào)H01J29/76GK1244026SQ9911184
公開日2000年2月9日 申請(qǐng)日期1999年7月30日 優(yōu)先權(quán)日1998年7月30日
發(fā)明者福間康二, 奧山宣隆, 桜井宗一, 池田操, 佐佐木知彥, 幸松孝憲 申請(qǐng)人:株式會(huì)社日立制作所, 日立視聽媒介電子股份有限公司