專利名稱：平板型等離子體放電顯示裝置和驅(qū)動方法
本申請涉及一種平板型等離子體放電顯示裝置及其驅(qū)動方法。
至今，利用等離子體放電的交流型的顯示裝置，或稱為AC(交流)型的等離子體顯示面板(PDP)已經(jīng)是公知的。
這種AC型的PDP在兩電極結構和三電極的結構中可以使用。
在圖27中以剖視圖表示了三電極結構中普通的PDP，即，如打開狀態(tài)的該示意結構圖所示，例如由玻璃襯底作成的第一和第二襯底51和52彼此以通過置于它們之間的隔墻53規(guī)定的間隔相對設置，它們的周邊部分由玻璃粉或類似物密封，這樣構成平板型顯示器的殼體。
例如，在第一襯底51的內(nèi)表面上，形成掃描電極(第一放電維持電極)54，該電極也用做放電維持電極和其它放電維持電極(第二放電維持電極)55(在圖27中，只表示與一個掃描行對應的第一和第二放電維持電極)之一，在第二電極52的內(nèi)表面上，在與掃描電極54和放電維持電極55相交方向上形成尋址電極56。
在兩個襯底51和52的電極形成表面上，通過印刷或其它方式層壓電介層57，在該表面上進一步形成由MgO或類似物制作的表面保護層58。
在第二襯底52上，例如，涂上通過由放電產(chǎn)生的紫外線發(fā)出可見光的熒光材料59。
把適合于放電的氣體密封填充在由第一和第二襯底51和52形成的平板型顯示器殼體中。
驅(qū)動電路與每個電極相連，在由襯底51和52及隔墻53包圍的空間內(nèi)產(chǎn)生放電，通過由這樣放電產(chǎn)生的紫外線，激發(fā)熒光材料59發(fā)光，獲得目標或需要的顯示。
在圖9中示意性地表示了驅(qū)動這樣PDP的電壓波形。這樣的驅(qū)動分成確定引起通常放電象素的“掃描放電周期”、和維持這樣所確定的象素放電的“維持放電周期”。
首先，在掃描放電周期中，當掃描需要放電的象素時，在掃描電極54和尋址電極56之間在與象素對應的一個位置施加等于或高于放電開始電壓的一個電壓。結果，將在該位置的象素設定在放電開始狀態(tài)，因此，選擇放電象素。對一個掃描電極的每一個尋址電極來說都要進行這樣的選擇。即，能夠單獨驅(qū)動與尋址電極數(shù)相同數(shù)量的象素。
因此，通過由每個掃描行順序掃描多個電極，并根據(jù)需要顯示的圖象，每次都轉換尋址電極56的電壓，能夠控制構成一個屏幕的所有象素。
接著，在維持放電周期中，在掃描電極54和放電維持電極55之間，施加一個稱為放電維持電壓的AC電壓波形。同時，在掃描放電周期中，對于曾經(jīng)用等于或高于放電開始電壓施加的象素，僅僅施加放電維持電壓之后，它的放電就能得到維持，發(fā)光顯示繼續(xù)進行。這就是所說的記憶效應。
圖9表示顯示有關一個尋址電極56的驅(qū)動波形。
圖9A表示施加到該尋址電極56的顯示信號波形，在這樣情況下，例如，在與第一、第二和第四水平掃描行相交定位的象素放電或通電，在這樣情況下，在部分τ1、τ2、τ4提供規(guī)定的ON電壓Va。
另一方面，在與每個水平掃描行對應的每個掃描電極54中，如圖9B1，B2，B3...所示，對在垂直方向中鄰近的掃描電極54來說，轉換與電壓Va相反極性的規(guī)定的ON電壓Vb，并在部分τ1、τ2、τ3、τ4...中施加該電壓。同時，對用每個掃描電極54構成一對的放電維持電極55來說，不施加電壓，如圖9C所示。
在下面的維持放電周期中，在每個水平掃描行中，圖9B1，B2，B3...和C所示的脈沖電壓施加到掃描電極54和面對的放電維持電極55。
當這樣的驅(qū)動波形施加到相應的電極時，如圖9D1，D2，D3...所示，在掃描放電周期中，在第一水平掃描行的掃描電極54和尋址電極56之間的部分τ1，在第二水平掃描行的掃描電極54和一個尋址電極56之間的部分τ2，以及盡管沒有表示，在第四水平掃描行的掃描電極54和一個尋址電極56之間的部分τ4，有選擇地施加電壓Va+Vb。
同時，通過預先選擇等于或高于上述所述放電開始電壓的Va+Vb，在電壓沒有達到放電開始電壓時選擇每個電壓Va和Vb，僅對在與選擇的第一、第二和第四水平掃描行中的尋址電極54相交的象素來說，建立放電開始狀態(tài)，即，ON狀態(tài)。
當在能夠掃描電極和放電維持電極之間連續(xù)施加圖9E所示的需要的AC電壓時，曾經(jīng)導通的象素在連續(xù)維持放電周期中變成放電狀態(tài)。
因此，放電，即有關整個屏幕的發(fā)光，即通過顯示信號能夠控制所有象素，并且能夠顯示目標或需要的圖象。
在最近顯著改善的顯示裝置中，如個人計算機、辦公室工作站、壁掛電視接受機、大屏幕電視接受機或類似的裝置，人們不斷需要更高的清晰度、更好的發(fā)光、更低的功耗。同時，在大屏幕的發(fā)展方向中，由于電極電阻的增加，在功耗和響應中出現(xiàn)了問題。
為了解決這樣的問題，本發(fā)明的申請人很久以前就提出了平板型等離子體放電顯示裝置，例如，日本專利申請第10-32974號和日本專利申請第10-37546號。
在這些所提出的顯示裝置中，能夠使一對放電維持的放電維持電極之間的間隔變窄、或者使放電維持電極和放電開始尋址電極之間的間隔變窄，以便通過陰極發(fā)光放電可以連續(xù)實現(xiàn)放電模式。因此，通過使電極之間的間隔變窄，可實現(xiàn)更高的清晰度，進一步能夠改善陰極發(fā)光特性，如更好地發(fā)光、更低的功耗。
在上述提到的日本專利申請第10-32974號和日本專利申請第10-37546號中公開的顯示裝置中，通過在公共襯底側設置和形成放電維持電極組和尋址電極組，便于電極之間的相互定位和電極的制作。
即，在這種平板型等離子體放電顯示裝置中，例如，如圖28所示的打開示意透視圖，第一和第二襯底1和2跨過規(guī)定的間隔面對面設置，對周邊部分進行燒結并密封，以構成氣密密封的平板顯示器的殼體，將放電氣體裝入該殼體中。
如圖29平面示意圖中表示的它的必要部分那樣，在公共第一襯底1上，形成放電維持電極組X和尋址電極組X。
放電維持電極組X由分別沿一個方向延伸設置的多個成對的第一放電維持電極XA(XA-1，XA-2，XA-3，...)和第二放電維持電極XB(XB-1，XB-2，XB-3...)構成，尋址電極組Y由沿與放電維持電極XA(XA-1，XA-2，XA-3，...)和XB(XB-1，XB-2，XB-3...)相交方向形成的多個尋址電極Y1，Y2，Y3...平坦形成。絕緣層14至少與這些第一和第二放電維持電極XA(XA-1，XA-2，XA-3，...)和XB(XB-1，XB-2，XB-3...)以及尋址電極組Y的尋址電極Y1，Y2，Y3...相交設置。
對每個尋址電極Y1，Y2，Y3...來說，在襯底1上設置的放電開始尋址電極C相對于每對第一和第二放電維持電極XA和XB電連接，它們與每個第一放電維持電極XA以規(guī)定的窄間隔相對。
圖30表示第一和第二放電維持電極XA(XA-1，XA-2，XA-3，...)和XB(XB-1，XB-2，XB-3...)，尋址電極Y(Y1，Y2，Y3...)，和放電開始尋址電極C之間關系的電極示意構成。
本發(fā)明涉及諸如上述提到的顯示裝置之類的平板型等離子體放電顯示裝置，本發(fā)明要提出一種能夠改善發(fā)光或簡化驅(qū)動電路的平板型等離子體放電顯示裝置及其驅(qū)動方法。
在本發(fā)明的平板型等離子體放電顯示裝置中，在公共襯底或在相互不同的襯底上形成布置多個放電維持電極的放電維持電極組以及布置多個尋址電極的尋址電極組。
對通過尋址電極的一個放電開始部分來說，形成多個等離子體放電部分，將相對于每個等離子體放電部分的放電維持中的每對放電維持電極之間的間隔設定成等于或小于50μm，主要通過陰極發(fā)光放電實現(xiàn)等離子體顯示。
在本發(fā)明平板型等離子體放電顯示裝置的驅(qū)動方法中，在具有這樣結構的平板型等離子體放電顯示裝置中，在相對于選擇的等離子體放電部分和放電維持電極的放電開始部分的尋址電極之間，在放電開始狀態(tài)下產(chǎn)生目標或要顯示的圖象。
另外，在本發(fā)明平板型等離子體放電顯示裝置的驅(qū)動方法中，在上述提到的驅(qū)動方法中，在制作這樣需要顯示的過程中，作為通過第一和第二半幀形成一屏的驅(qū)動方法，在第一半幀內(nèi)，通過對應于每個放電開始部分的一部分等離子體放電部分進行顯示，在第二半幀內(nèi)，通過對應于每個放電開始部分的其它等離子體放電部分進行顯示。
進一步，在本發(fā)明平板型等離子體放電顯示裝置的驅(qū)動方法中，在以上提到的驅(qū)動方法中，在進行這樣需要的顯示時，通過同時驅(qū)動并顯示對應于放電開始部分的多個等離子體放電部分來進行需要的顯示。
在本發(fā)明平板型等離子體放電顯示裝置中，在公共襯底上形成布置多個放電維持電極的放電維持電極組和布置多個各具有放電開始尋址電極的尋址電極的尋址電極組，設置放電維持電極和尋址電極，以便經(jīng)過絕緣層彼此相交，對每個放電開始尋址電極來說，形成多個等離子體放電部分。
在本發(fā)明平板型等離子體放電顯示裝置的驅(qū)動方法中，驅(qū)動方法基本與以上提到的每個驅(qū)動方法相同。
另外，在本發(fā)明的平板型等離子體放電顯示裝置中，第一襯底和第二襯底彼此相對設置，同時它們之間保持一個規(guī)定的間隔，在第一襯底側形成通過布置多個放電維持電極形成的放電維持電極組，在第二襯底側形成通過布置多個尋址電極形成的尋址電極組，在尋址電極的一個放電開始部分中形成多個等離子體放電部分，將在放電維持中相對于等離子體放電部分形成一對的放電維持電極之間的間隔設定成等于或小于50μm，主要通過陰極發(fā)光放電進行等離子體放電顯示。
在本發(fā)明平板型等離子體放電顯示裝置的驅(qū)動方法中，驅(qū)動方法也基本與以上提到每個驅(qū)動方法相同。
另外，在本發(fā)明平板型等離子體放電顯示裝置中，第一襯底和第二襯底彼此相對設置，同時它們之間保持規(guī)定的間隔，在第一襯底側形成通過布置多個放電維持電極形成的放電維持電極組，由在與放電維持電極的主要延伸方向相交的方向上延伸的、同時保持規(guī)定間隔的多個隔墻形成尋址電極組，和多個沿隔墻延伸方向布置并在每個隔墻上形成的尋址電極在第二襯底側形成，多個等離子體放電部分在尋址電極的一個放電開始部分中形成，將在放電維持中相對于等離子體放電部分形成一對的放電維持電極之間的間隔設定成等于或小于50μm，主要通過陰極發(fā)光放電實現(xiàn)等離子體放電顯示。
在本發(fā)明平板型等離子體放電顯示裝置的驅(qū)動方法中，驅(qū)動方法也基本與以上提到每個驅(qū)動方法相同。
因此，根據(jù)本發(fā)明，如上所述，由于對一個放電開始部分形成多個等離子體放電部分，即一個尋址電極或放電開始尋址電極，尋址電極或放電開始尋址電極的數(shù)目可以減少，面積得到減小，以便象素的數(shù)目即等離子體放電部分的數(shù)目能夠在相同面積內(nèi)得到減少，同時保持電極象素有足夠的寬度。
在其驅(qū)動中，根據(jù)后面的描述將會很清楚，不使用任何特定的信號處理電路或類似的電路，就能夠驅(qū)動平板型等離子體顯示裝置。
通過同時使多個等離子體放電部分通電和斷電，可以高亮度進行顯示。


圖1是根據(jù)本發(fā)明平板型等離子體放電顯示裝置一個例子的透視圖；圖2根據(jù)本發(fā)明平板型等離子體放電顯示裝置例子的部分切開主要透視圖；圖3表示在根據(jù)本發(fā)明平板型等離子體放電顯示裝置的公共襯底上形成電極的狀態(tài)平面圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明平板型等離子體放電顯示裝置電極布局的示意圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明平板型等離子體放電顯示裝置制作方法過程一個例子的平面圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明平板型等離子體放電顯示裝置制作方法過程一個例子的平面圖；圖7是根據(jù)本發(fā)明平板型等離子體放電顯示裝置一個例子第一襯底側的主要長軸剖面圖；圖8是選擇放電電極之間距離的說明圖；圖9是根據(jù)本發(fā)明驅(qū)動方法一個例子的驅(qū)動波形圖；圖10是根據(jù)本發(fā)明驅(qū)動方法其它例子的驅(qū)動波形圖；圖11是根據(jù)本發(fā)明平板型等離子體放電顯示裝置其它例子的部分切開主要透視圖；圖12表示在根據(jù)本發(fā)明平板型等離子體放電顯示裝置的公共襯底上形成電極的狀態(tài)平面圖；圖13表示根據(jù)本發(fā)明平板型等離子體放電顯示裝置電極布局例子的電極布局示意圖；圖14是根據(jù)本發(fā)明平板型等離子體放電顯示裝置一個例子的部分透視圖；圖15表示根據(jù)本發(fā)明平板型等離子體放電顯示裝置電極布局例子的平面圖；圖16表示根據(jù)本發(fā)明平板型等離子體放電顯示裝置其它電極布局例子的平面圖；圖17表示根據(jù)本發(fā)明平板型等離子體放電顯示裝置其它電極布局例子的平面圖；圖18表示根據(jù)本發(fā)明平板型等離子體放電顯示裝置其它電極布局例子的平面圖19表示根據(jù)本發(fā)明平板型等離子體放電顯示裝置其它電極布局例子的平面圖；圖20表示根據(jù)本發(fā)明平板型等離子體放電顯示裝置其它電極布局例子的平面圖；圖21是根據(jù)本發(fā)明平板型等離子體放電顯示裝置其它例子的部分透視圖；圖22表示根據(jù)本發(fā)明的平板型等離子體放電顯示裝置的電極和突起之間布局關系的一個例子平面圖；圖23A和23B是在根據(jù)本發(fā)明的平板型等離子體放電顯示裝置的一個例子中尋址電極制作方法一個例子的每個制作過程的透視圖；圖24A和24B是在根據(jù)本發(fā)明的平板型等離子體放電顯示裝置的一個例子中尋址電極制作方法一個例子的每個制作過程的透視圖；圖25A和25B是在根據(jù)本發(fā)明的平板型等離子體放電顯示裝置的一個例子中尋址電極制作方法一個例子的每個制作過程的透視圖；圖26是是在根據(jù)本發(fā)明的平板型等離子體放電顯示裝置的一個例子中尋址電極制作方法一個例子的每個制作過程的透視圖；圖27是傳統(tǒng)的平板型等離子體放電顯示裝置的分解透視圖；圖28是與根據(jù)本發(fā)明的裝置相比較的平板型等離子體放電顯示裝置的部分切開主要透視圖；圖29是圖27所示平板型等離子體放電顯示裝置的主要部分平面圖；圖30是圖27所示平板型等離子體放電顯示裝置的電極布局示意圖。
下面描述根據(jù)本發(fā)明平板型等離子體放電顯示裝置的一個實施例(第一實施例)。[第一實施例]在該實施例中，面對面地設置第一和第二襯底，對它們的周邊部分進行燒結并密封，以構成平板型顯示器殼體。
在公共襯底上，例如在構成平板型顯示器殼體的第一襯底上，形成通過布置多個平行放電維持電極形成的放電維持電極組、和通過布置多個與放電開始尋址電極相連的平行尋址電極形成的尋址電極。
放電維持電極在一個方向上延伸、例如在平行方向上延伸，并平行布置，尋址電極例如在與放電維持電極相交的垂直方向上形成，至少在這些放電維持電極和要平坦設置的尋址電極相交部分放入絕緣層。
在尋址電極的側面連接和布置例如多個放電開始尋址電極，同時這些電極之間保持規(guī)定的間隔。
對每個尋址電極來說，形成多個例如兩個等離子體放電部分。例如，布置放電維持電極，以便形成等離子體放電部分，通過通常夾在置于對應水平行的每個放電開始尋址電極之間，在兩側設置每對的第一和第二放電維持電極。即在這樣情況下，在尋址電極延伸方向中的鄰近放電開始尋址電極之間，布置兩對、即兩套成對的放電維持電極。
另外，在上述提到的尋址電極延伸方向中的鄰近放電開始尋址電極之間，布置三個放電維持電極，通常使用三個放電維持電極的中間的放電維持電極，可以通過該放電維持電極和在其兩側的放電維持電極的組合，形成一對放電維持電極，以便對每個放電開始尋址電極來說，構成兩個等離子體放電部分。
在尋址電極的延伸方向中，在鄰近的放電開始尋址電極中間設置分割絕緣層。
當兩套放電維持電極在上述所說的鄰近放電開始尋址電極之間設置時，至少在成對的放電維持電極之間設置該分割絕緣層，在這兩套放電維持電極之間的分割絕緣層的厚度等于或大于(較厚)它們的距離。
該分割絕緣層可以由同時具有放入在上述提到的放電維持電極和尋址電極之間的絕緣層的相同的絕緣層構成。
在形成第一襯底區(qū)域的一個電極上，例如在其整個區(qū)域上形成電介層。
該電介層的厚度最好小于電極之間的距離，即成對第一和第二放電維持電極之間的距離，以及第一放電維持電極和放電開始尋址電極之間的距離。
在電介層表面上，可以形成例如由氧化鎂MgO構成的表面層，該層具有噴射阻抗特性保護層和降低功函數(shù)的雙重功能。
另一方面，在第二襯底上，例如，可以形成由等離子體放電產(chǎn)生的紫外線激發(fā)發(fā)光的熒光層。
例如，當由第一襯底側觀察發(fā)光顯示時，該第一襯底是能夠透過顯示光的透明襯底。在這樣情況下，在第二襯底上形成反射膜，以便由第一襯底側出現(xiàn)高亮度的發(fā)光顯示。即，例如可以在其它襯底和熒光層之間形成反射膜。
或者，在第一襯底側形成反射膜，也可以構成為由第二襯底側進行觀察。
作為反射膜，可以使用高反射率的材料，例如，鋁(Al)，鎳(Ni)，銀(Ag)、其它金屬膜或類似物。
將在放電維持電極組的放電維持中形成一對的第一和第二放電維持電極之間的間隔Ds設定成小于50μm，30μm或更小，最好為20μm或更小，5μm或更小，或1μm或更小，即窄的間隔主要用于產(chǎn)生陰極發(fā)光放電(即重點在于產(chǎn)生陰極發(fā)光放電)。
把其間開始放電的開始尋址電極和放電維持電極(后面稱為第一放電維持電極)之間的間隔既可以設定為與上述相同的主要用于產(chǎn)生陰極發(fā)光放電的間隔、等于或類似于放電維持電極之間間隔的間隔，也可以選擇為主要產(chǎn)生例如負發(fā)光放電的間隔，例如100μm和70μm，。
用密封氣體、例如從He，Ne，Ar，Xe和Kr中至少選擇一種類型的氣體、例如所謂Ne和Xe混合的Penning氣體，在例如0.05到5.0個大氣壓下，填充平板型顯示器的殼體。
由金屬膜、例如單層透明導電膜，或由Al，Cr，Au，Ag或類似物，Al/Cr組合的兩層膜結構，Cr/Al/Cr或類似物的三層膜結構，形成放電維持電極。
當放電開始尋址電極與放電維持電極組同時形成時，其可以用與放電維持電極組相同的材料形成，或者當放電開始尋址電極與尋址電極同時形成時，其可以用與尋址電極相同的成分形成，如Al，Ag，或其它金屬材料。
根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置可用于彩色顯示裝置中，也可以用于單色顯示裝置中。
在彩色顯示裝置中的情況下，一個象素由一套，例如紅、綠、藍單元放電區(qū)域(所說的點)構成，而在單色顯示裝置的情況下，一個象素由一個單元放電區(qū)域(點)構成。
參下面考圖1到圖8描述根據(jù)本發(fā)明的實施例，但是必須注意本發(fā)明并不只限于所描述的例子。
圖1表示根據(jù)本發(fā)明平板型等離子體放電顯示裝置實施例的一個例子的示意透視圖，圖2是它的主要部分的部分切開分解透視圖。
在該顯示裝置中，例如以規(guī)定的間隔面對面設置都是由玻璃襯底作成的第一和第二襯底1和2，對它們的周邊部分進行燒結并進行氣密密封，形成平板顯示器的殼體，在該殼體中在襯底1和2之間定義平板空間。
第一和第二襯底1和2中的至少一個，例如第一襯底1由用于透過顯示光的透明襯底形成，由該第一襯底1觀察發(fā)光顯示。
用以上提到的放電氣體，例如從He，Ne，Ar，Xe和Kr中選擇的至少一種類型的氣體，例如所說的Ne和Xe混合的Penning氣體，填充該空間。
如圖3所示的平面圖所示，圖3示意性表示電極布置，在第一襯底1上，用上述提到的規(guī)定間隔平行布置成對的多條第一放電維持電極XA(XA-1，XA-2，XA-4...)和第二放電維持電極XB(XB-1，XB-2，XB-3...)，以構成放電維持電極組X，這些多條成對的電極沿一個方向，例如水平方向(X-方向)延伸，并以帶的形式形成。
在該放電維持電極組X的布置或構成中，布置與其它的對相互鄰近的放電維持電極，以便第一放電維持電極XA可以彼此相對，第二放電維持電極XB可以彼此相對。即如圖3和圖4所示，在每對放電維持電極XA-1和XB-1，XA-2和XB-2，XA-3和XB-3...中設置它們，以便第一放電維持電極XA-1和XA-2可以彼此鄰近，第二放電維持電極XB-2和XB-3可以彼此鄰近，第一放電維持電極XA-3和XA-4可以彼此鄰近，等等。
跨過放電維持電極組X的第一和第二放電維持電極XA(XA-1，XA-2，XA-3...)和XB(XB-1，XB-2，XB-3...)，在另一個方向上、例如垂直方向(Y-方向)延伸的以帶形式的平行電極的尋址電極Y(Y1，Y2，Y3...)，穿過絕緣層14在電極XA(XA-1，XA-2，XA-3...)和XB(XB-1，XB-2，XB-3...)相交的部分之間形成。
設置在每個尋址電極Y(Y1，Y2，Y3...)的如圖3例子中的一側或左側的放電開始尋址電極C與每個尋址電極電連接，每個放電開始電極對應鄰近的兩條成對的放電維持電極。
在這樣情況下，為了以規(guī)定的距離d面對電極XA(XA-1，XA-2，XA-3，XA-4...)，放電開始尋址電極C或C11，C13，C15，...，C21，C23，C25...，C31，C33，C35，...被設置在鄰近兩對放電維持電極的第一放電維持電極XA之間，即在XA-1和XA-2，XA-3和XA-4...之間。換句話說，兩對放電維持電極XA和XB，即四個放電維持電極置于放電開始尋址電極C之間(在C11和C13，C13和C15...，C21和C23，C23和C25...之間)。
因此，如圖4所示，在每個放電開始尋址電極C和在兩側相對以夾在放電開始尋址電極之間的兩條放電維持電極之間，形成一對等離子體放電部分P(P11和P21，P31和P41，P51和P61...，P12和P22...)。即，對每個放電開始尋址電極C的放電開始部分來說，形成每對等離子體放電部P。
如圖1所示，由放電維持電極組XA(XA-1，XA-2，XA-3...)和XB(XB-1，XB-2，XB-3...)的放電維持電極XA的每一端伸出的端子TX(TXA-1，TXA-2，TXA-3，...，和TXB-1，TXB-2，TXB-3...)指向由第二襯底2伸出的第一襯底1的一側或相互面對的兩側，由尋址電極Y(Y1，Y2，Y3...)的每一端伸出的端子TY(TY1，TY2，TY3...)類似地指向襯底1的一側和相互面對的兩側。
在彼此成對不干涉其間放電開始尋址電極的兩套放電維持電極之間，即在所說明的例子中，在第二放電維持電極XB之間，在XB-2和XB-3，XB-4和XB-5之間以D＞d這樣的關系定義間隔D，高度(厚度)等于和高于(厚于)這個距離D的分割絕緣層14B置于它們之間?？梢杂孟嗤慕^緣層同時形成該分割絕緣層14B和上述提到的置于放電維持電極和尋址電極之間的絕緣層14。
因此，通過在其它成條相互鄰近的放電維持電極之間放入分割絕緣層14B，而不干涉放電開始尋址電極C，能夠安全地避免其它等離子體放電部分P之間出現(xiàn)異常放電的危險。
在第二襯底2上，如圖2所示，與在y-方向延伸的尋址電極Y(Y1，Y2，Y3...)相對，以帶形式的隔墻18沿相同的方向形成。該隔墻18用于避免在每個單元放電區(qū)域內(nèi)、即每個等離子體放電部分P內(nèi)，相互干擾。
此外，在第二襯底2上形成通過由等離子體放電產(chǎn)生的紫外線(真空紫外線)發(fā)出可見光的熒光層19。例如，在彩色顯示器的情況下，在隔墻18之間以規(guī)定的順序和排列覆蓋發(fā)出紅、綠和藍光的熒光材料R，G，B。
在這樣布置等離子體放電部分P的所選擇的等離子體放電部分P中，如下面描述的那樣，通過在放電開始尋址電極C和面對規(guī)定的第一放電維持電極XA之間，以及連續(xù)在第一和第二放電維持電極XA和XB之間，施加規(guī)定的電壓以有選擇地進行放電，使熒光層19規(guī)定的區(qū)域發(fā)光，以制作目標或需要的顯示。
在AC驅(qū)動中，覆蓋至少包括放電維持電極組X和放電開始尋址電極C的整個尋址電極Y，在除了端子的引出部分外的整個區(qū)域上形成例如由SiO2作成的電介層16。
在該電介層16上，形成由例如MgO作成的表面層17，該層的功函數(shù)比電介層16小，并保護電介層16不受到由于放電等離子體帶來的損壞。
為了便于理解具有這樣結構的顯示裝置，下面描述它的制作方法的一個例子。在該例子中，放電維持電極組的第一和第二放電維持電極XA(XA-1，XA-2，XA-3...)和XB(XB-1，XB-2，XB-3...)，以及放電開始尋址電極C是由相同的導電層形成的，即，通過相同的過程形成的。
首先，描述第一襯底的制作過程。如圖5所示，制備例如玻璃襯底的第一襯底1，在它的一個主要表面上形成放電維持電極組第一和第二放電維持電極XA(XA-1，XA-2，XA-3...)和XB(XB-1，XB-2，XB-3...)以及放電開始尋址電極C(C11，C13，C15，...，C21，C23，C25...，C31，C33，C35，...)。
例如，能夠通過使用感光性樹脂層升離的方法形成這些電極。即，盡管沒有表示，但是在襯底1的整個區(qū)域上覆蓋了感光性樹脂層，感光性樹脂層要經(jīng)過模式暴露和顯影過程，通過在相應的電極單元XA(XA-1，XA-2，XA-3...)和XB(XB-1，XB-2，XB-3...)以及C(C11，C13，C15，...，C21，C23，C25...，C31，C33，C35，...)的最后形成部分移開感光性樹脂層形成開口，然后在第一襯底1的整個區(qū)域上，例如通過蒸汽沉積形成導電層。
該導電層可以包括，例如透明的導電層ITO(氧化銦錫)，諸如Al，Cu，Ni，F(xiàn)e，Cr，Zn，Au，Ag，Pb之類的一種或多種金屬層或類似層，避免Al氧化的Al層和Cr層表面層的Cr/Al等的發(fā)光結構，或進一步包括底部層，例如非常好地粘結到玻璃襯底的Cr層的底部層的Cr/Al/Cr的多層結構的導電層。
通過移開感光性樹脂層，結果是，移開了，即升離了在感光樹脂層上形成的導電層，通過保留的導電層形成了電極XA(XA-1，XA-2，XA-3...)和XB(XB-1，XB-2，XB-3...)以及C(C11，C13，C15，...，C21，C23，C25...，C31，C33，C35，...)。
接著，如圖6所示，形成絕緣層14。以包括按帶形式、例如在上述提到的垂直方向延伸的尋址電極Y形成部分的點陣形式，在不干涉放電開始尋址電極C的鄰近成套放電維持電極之間(即，XB-2和XB-3，XA-4和XA-5...之間)，形成絕緣層14，開口14W跨過由每個放電開始尋址電極C和在兩側第一相互面對放電維持電極XA構成的每個等離子體放電部分P，以夾在它們之間。
即，在該例子中，整體形成置于第一和第二放電維持電極XA和XB和尋址電極Y之間的絕緣層部分、以及分割絕緣層14B。
為了形成該絕緣層14，在第一襯底1的整個表面上，例如，覆蓋感光玻璃膠用于構成絕緣層，在80℃溫度下加熱20分鐘，對該玻璃層進行模式暴光并顯影，形成上述提到的點陣形式。然后在600℃溫度下烘烤形成。
接著，如圖3所示，形成尋址電極Y和在對應的放電開始尋址電極C上延伸并將它們進行電連接的連接片15。在這樣的形成中，也能夠通過升離方法形成它們。即，在這樣情況下，感光性樹脂層也覆蓋第一襯底1的整個區(qū)域，通過模式暴光和顯影鋪上感光性樹脂，然后在整個表面上通過蒸汽沉積或類似的方法形成例如Al的導電層。然后，通過剝?nèi)ジ泄鈽渲瑢樱瑫r形成尋址電極Y和伸出的連接片15。
用這樣的方法，在第一襯底上形成相應的電極。
能夠借助于相應的放電維持電極XA(XA-1，XA-2，XA-3...)和XB(XB-1，XB-2，XB-3...)，以及尋址電極Y(Y1，Y2，Y3...)，通過使這些電極的每一個由異端延伸，同時形成與相應的電極對應的端子TX和TY。
然后，如圖2所示，在除了這些端子延伸部分外的整個表面上，即通過CVD(化學蒸汽沉積)方法的襯底外周邊部分，形成SiO2或類似材料的電介層16，在其上面，進一步如圖2所示，通過蒸汽沉積或其它的方法形成MgO或類似材料的表面層17。
下面描述第二襯底2的制作方法。在這樣情況下，制備例如也由玻璃襯底形成的第二襯底2。在它的主要表面上，形成如圖2所示的隔墻18。通過將發(fā)光的玻璃平板，例如，Green Sheet(杜邦的一個商標)粘結到襯底2的整個內(nèi)表面上，并在210℃或410℃的溫度下進行預烘烤，形成該隔墻18。
然后通過覆蓋感光樹脂層，并通過模式暴光和顯影，通過剩下形成隔墻118的部分，即以隔墻18的模式，移開感光樹脂層。
使用該感光樹脂層作為掩膜，通過研磨束處理或所說的噴砂處理，當剩下感光樹脂層的形成部分時，移開玻璃平板。
然后，移開感光樹脂層，例如，在600℃的溫度下對它進行燒結。這樣，由玻璃形成了隔墻18。
在這樣形成條狀形式的隔墻18的第二襯底2的內(nèi)表面上，例如在相應隔墻18之間的每兩個凹槽中，順序形成紅、綠和蘭色熒光材料R，G，B，并在例如430℃溫度下進行烘烤，形成熒光層19。
在完成第一和第二襯底1和2的制作過程之后，設定第一和第二襯底1和2，以便與第一襯底1的尋址電極Y(Y1，Y2，Y3...)以及第二襯底2的隔墻18相對，用玻璃對它們的周邊部分進行燒結，并通過例如在430℃的溫度下進行加熱來密封。
在這樣情況下，在外部引導部分和相應電極單元端子TX和TY的內(nèi)部位置選擇燒結位置。
在這樣情況下，隔墻18和尋址電極Y(Y1，Y2，Y3...)位置的設定不需要特別高的精確。
例如，在380℃溫度下，對第一和第二襯底1和2之間這樣形成的平板空間進行加熱，在這樣狀態(tài)下排氣2個小時，在規(guī)定的氣體壓力下對該平板空間填充氣體。因此，構成了根據(jù)本發(fā)明的平板型等離子體放電顯示裝置。
圖7表示它的主要部分的縱向剖視圖。
通過該方法，當形成底層電極組之后進行這樣高溫熱處理時，在該例子中，如果在這樣高溫熱處理之前形成的導電層例如包括Al，那么放電維持電極組和放電開始尋址電極C可能伴隨諸如Al氧化之類的特性損壞這樣各種不同的問題。在這樣的情況下，如上所述，最好通過形成對Al氧化穩(wěn)定的Cr不完全導電層用于保護它，來形成該導電層作為多層結構。
在這樣的方法中，通過升離方法形成相應的電極，但是并不限于這個方法，可以使用各種不同的方法，例如在整個表面上形成導電層，并通過光蝕刻法進行模式蝕刻形成該導電層的方法。
如上所述，分別以特定的間隔設定第一放電維持電極XA(XA-1，XA-2，XA-3...)和面對的放電開始尋址電極C之間的間隔，或第一和第二放電維持電極XA(XA-1，XA-2，XA-3...)和XB(XB-1，XB-2，XB-3...)之間的間隔，但是，如上所述，通過相同的導電層以相同的過程形成這些電極，能夠精確地設定相應的間隔。然而，它們也可以由不同的過程由導電層形成。
通過分開單元放電區(qū)域，以能夠避免放電相互泄漏的高度選擇隔墻18。
如上所述，可以以0.05到5大氣壓設定密封到第一和第二襯底1和2之間空間的氣體壓力P。
根據(jù)Paschen定律選擇該密封氣體壓力，即當以規(guī)定的電壓選擇放電開始電壓時，例如，選擇Pascgen定律的最小值，以便放電電極之間的距離d，即面對形成等離子體放電部分P平板的每個放電開始尋址電極C與和第一放電維持電極XA之間的距離(后面稱為放電電極之間的距離)，其乘積，即P·d可以是常數(shù)。
當例如以Paschen定律的最小值選擇放電開始電壓Vs時，可以允許放電電極之間的距離d在此時確定的距離d的±10％的波動范圍內(nèi)。當選擇放電開始電壓Vs不是Paschen定律的最小值時，實際上，允許在此時確定的電極距離d的±30％的波動。
能夠以小于50μm，30μm或更小，最好20μm或更小，5μm或更小，或1μm或更小，這樣極小的間隔選擇放電維持電極之間的距離。
另一方面，也必須與電介層16的厚度相關選擇放電電極之間的距離d。即，如圖8A所示的放電模式，為了在電介層16上面進行等離子體放電，需要透過電介層16的厚度方向進行放電，如圖8B所示，需要避免在電介層16內(nèi)的第一放電維持電極XA和尋址電極C之間的放電，為此，建議表面層17的電介常數(shù)要足夠小于電介層16的的電介常數(shù)，需要以2t＜d這樣的關系進行選擇。
下面描述這樣結構顯示裝置的驅(qū)動方法。
參考圖9中的電壓波形說明一個例子。
在該例子中，表示了用于進行有關一個尋址電極Y1顯示的驅(qū)動波形。
圖9A表示施加到該尋址電極Y1的顯示信號波形，在這樣情況下，例如，表示了放電，或?qū)χ糜诘谝?、第二和第四水平掃描行相交點處的象素進行通電的操作，相距一定的距離或在部分τ1，τ2，τ4處提供規(guī)定的ON電壓Va。
另一方面，對對應于水平掃描行的第一放電維持電極XA-1，XA-2，XA-3...來說，轉換與電壓Va相反極性的規(guī)定的ON電壓Vb，并在部分τ1，τ2，τ3順序施加該電壓，如圖9B1，B2，B3...所示。同時，對第二放電維持電極XB(XB-1，XB-2，XB-3...)不施加電壓，如圖9C所示。
結果，在接著的維持放電周期內(nèi)，在每個水平掃描行，圖9B1，B2，B3....和C所示的脈沖電壓施加到每對第一和第二放電維持電極XA(XA-1，XA-2，XA-3...)和XB(XB-1，XB-2，XB-3...)。
當這樣的驅(qū)動波形施加到每個電極上時，如圖9D1，D2，D3....，在掃描放電周期內(nèi)，在部分τ1，在第一放電維持電極XA-1和在第一水平掃描行內(nèi)的放電開始尋址電極C11之間，即，在等離子體放電部分P11內(nèi)，在部分τ2，在第一放電維持電極XA-2和在第二水平掃描行內(nèi)的放電開始尋址電極C11之間，即在等離子體放電部分P21內(nèi)，在部分τ4，在第一放電維持電極XA-4和在第四水平掃描行內(nèi)的放電開始尋址電極C12之間，即在等離子體放電部分41內(nèi)，施加電壓Va+Vb。
同時，提供初步選擇Va+Vb大于放電開始電壓，并以單獨沒有達到放電開始電壓的一個電壓選擇電壓Va和Vb，只在所選擇的第一、第二和第四水平掃描行內(nèi)的等離子體放電部分P11，P21，P31，P41中小象素內(nèi)開始ON(放電)。
因此，對以這樣的方法曾經(jīng)導通的象素來說，在接著的維持放電周期內(nèi)，在每個掃描電極和放電維持電極之間施加圖9E所示的規(guī)定AC電壓，以便繼續(xù)它們的放電狀態(tài)。
因此，在整個屏幕上放電或發(fā)光，即能夠提供顯示信號控制所有的象素，并能夠顯示目標或需要的圖象。
或者，在掃描周期之前通過曾經(jīng)使所有的象素導通，根據(jù)在掃描周期內(nèi)顯示的圖象可以清除目標象素，可以顯示圖象。
如本文所述，在根據(jù)本發(fā)明的結構中，通過對每個第一放電維持電極XA(XA-1，XA-2，XA-3...)施加轉換的電壓，對尋址電極Y(Y1，Y2，Y3...)施加圖象信號，能夠?qū)崿F(xiàn)與通常矩陣性等離子體放電顯示裝置相同的顯示操作。
另外在根據(jù)本發(fā)明構成的平板型等離子體放電顯示裝置中，特別是，當進行隔行掃描方法時，能夠省略該隔行掃描的信號處理電路。以便簡化驅(qū)動電路。
即，在根據(jù)本發(fā)明構成的平板型等離子體放電顯示裝置中，對一個放電開始尋址電極C來說，形成成對的等離子體放電部分P11和P21，P12和P22，P13和P23...，因此，在隔行掃描驅(qū)動中，在第一半幀內(nèi)能夠操作每一個等離子體放電部分P11，P12，P13...，P31，P32，P33...，在第二半幀內(nèi)，能夠操作其它的等離子體放電部分P21，P22，P23...，P41，P42，P43...。即，如圖10所示的驅(qū)動波形所示(該波形只表示了關于圖象信號的電極單元Y1)，在第一半幀之前期間，順序?qū)τ嘘P每個等離子體放電部分P11，P12，P13...，P31，P32，P33...，的第一放電維持電極XA-1，XA-3，XA-5...施加上述提到的規(guī)定電壓Vb，在第二半幀內(nèi)，對其它的每一個第一放電維持電極XA-2，XA-4，XA-6...順序施加規(guī)定的電壓Vb，因此使其能夠進行隔行掃描顯示。
因此，根據(jù)本發(fā)明的裝置，不使用任何特定的信號處理單元能夠執(zhí)行隔行掃描顯示。
即，在現(xiàn)在的一般電視廣播中，發(fā)送隔行掃描廣播的視頻信號。因此，大多數(shù)電視接受機符合隔行掃描的標準，包媒也符合同樣的標準。相反，在個人計算機的顯示中，等離子體面板或類似的部分，以諸如順序或非隔行掃描的過程之類的順序掃描為基礎，用于執(zhí)行隔行掃描圖象顯示，一旦獲得一幀(兩個半幀)的視頻信號并存儲在信號處理電路中，在這同時就順序取出信號，并進行驅(qū)動和顯示。實際上，通過使用半導體存儲器和或其它元件，保持視頻信號，并順序轉換并掃描該信號。
特別是，當在480行屏幕上顯示NTSC信號時，進行下面的操作。傳輸側以一幀(30Hz)發(fā)出兩屏。一屏具有跳躍240行的信息。因此，在接受兩屏之后，顯示順序掃描480行。在由液晶表示的閃爍影響的極端顯示中，在一幀掃描480行30Hz的寫入的情況下，發(fā)生閃爍或類似的情況，通過兩次發(fā)出相同的圖象，或在每半幀重寫每240行的圖象信息，來避免這樣的現(xiàn)象。然而，根據(jù)兩次的寫入，圖象的分辨率降低，圖象變暗?？傊?，為了通過這樣的裝置顯示隔行掃描的圖象，需要信號處理單元具有存儲器的功能。
根據(jù)本發(fā)明的裝置和根據(jù)本發(fā)明的隔行掃描驅(qū)動方法，不需要這樣的存儲器功能，因此顯示器的電路結構得到簡化。
根據(jù)上述的每個驅(qū)動方法，當每對等離子體放電部分P(P11，P12，P13...P21，P22，P23...，P31，P132，P33)單獨放電時，即當它們作為單個的象素構成時，通過使每對，即等離子體放電部分P11和P21，P12和P22，P13和P23，同時導通，能夠使發(fā)光亮度成倍增加。在這樣情況下，通過例如在第一放電維持電極XA-1和XA-2，XA-3和XA-4...之間同時施加上述提到的電壓Vb，在成對的等離子體放電部分P中顯示系統(tǒng)的信息。因此，根據(jù)該驅(qū)動方法，可實現(xiàn)高亮度的顯示。
如上述的例子所示，通過使用于放電維持的成對的放電維持電極之間的間隔變窄，并主要通過陰極發(fā)光放電執(zhí)行顯示，當驅(qū)動功率遠遠小于負發(fā)光放電時，能夠增加亮度，例如，與負發(fā)光放電的情況相比，亮度增加大于40％。
另外，當放電維持電極之間的間隔變窄時，可以在有關放電開始部分中形成兩個等離子體放電部分P，因此，在隔行掃描顯示或同時發(fā)光的情況下，可獲得足夠高的精度。
在該實施例的例子中，如圖4所示，例如，在尋址電極Y的延伸方向或垂直方向(y-方向)，在鄰近的放電開始尋址電極C之間設置兩對放電維持電極，或四個放電維持電極，但是代替兩對放電維持電極的是，使用一對電極的一個電極作為公共電極，也可以在鄰近的放電開始尋址電極C之間設置三個放電維持電極。
在這樣的結構中，在垂直方向上放電開始尋址電極C之間的間隔每個變窄，以便表現(xiàn)出許多優(yōu)點，如能夠提高發(fā)光區(qū)域的密度，能夠增強有助于光發(fā)出的孔隙率，能夠降低電極端子的數(shù)量，等等。
圖11是根據(jù)本發(fā)明平板型等離子體放電顯示裝置一個例子的主要部分的部分切開分解透視圖，其中兩對鄰居的放電維持電極之一用于一個公共電極，圖12是它的主要部分平面圖，圖13是它的電極布置或構成的示意圖。
在圖11到圖13中，與圖2到圖4對應部分用相同的參考數(shù)字表示，并且省略重復的說明。
在該例子中，在垂直方向彼此鄰居的放電開始尋址電極C之間，設置三個放電維持電極。在主要的結構中，同時在每個放電開始尋址電極C的兩側，設置放電維持電極XA(XA-1，XA-2，XA-3...)，與每個電極C相對，因此形成成對的等離子體放電部分P11和P21，P31和P41...，P12和P22...。然而，在這樣情況下，一個放電維持電極XB，即，XB-23，XB-45公共設置在鄰居的兩個放電維持電極XA之間，即XA-2和XA-3，XA-4和XA-5...之間，因此分別構成放電部分P。
相應部分的結構、具有這樣結構的平板型等離子體放電顯示裝置的制作方法和驅(qū)動方法，也可以與相應部分的結構、前面實施例例子的制作方法和驅(qū)動方法相同。
同樣，說明這樣情況下的驅(qū)動方法，對與水平掃描行對應的第一放電維持電極XA-1，XA-2，XA-3...來說，轉換與電壓Va相反極性的規(guī)定的電壓Vb，并在部分τ1，τ2，τ3，τ4順序施加該電壓，如圖9B1，B2，B3所示。同時，對第二放電維持電極XB(XB-10，XB-23，XB-45...)不施加電壓，如圖9C所示。
結果，在接著的維持放電周期內(nèi)，在每個水平掃描行內(nèi)，圖9B1，B2，B3...和C所示的脈沖電壓施加到每對第一和第二放電維持電極XA(XA-1，XA-2，XA-3...)和XB(XB-10，XB-23，XB-45...)。
當這樣的驅(qū)動波形施加到每個電極上時，如圖9D1，D2，D3....，在掃描放電周期內(nèi)，在部分τ1，在第一放電維持電極XA-1和在第一水平掃描行內(nèi)的放電開始尋址電極C11之間，即在等離子體放電部分P11內(nèi)，在部分τ4，在第一放電維持電極XA-2和在第二水平掃描行內(nèi)的相同放電開始尋址電極C11之間，即等離子體放電維持電極XA-4和放電開始尋址電極C12之間的等離子體放電部分P41內(nèi)，施加電壓Va+Vb。
同時，也通過預先選擇Va+Vb等于或大于放電開始電壓，并以沒有達到放電開始電壓的一個電壓單獨選擇每個電壓Va和Vb，僅僅在所選擇的第一和第二和第四水平掃描行內(nèi)等離子體放電部分P11，P21，P41中的象素內(nèi)開始ON(放電)。
因此，對于曾經(jīng)通電的象素來說，在接著的維持放電周期內(nèi)，如果在每個掃描電極和放電維持電極之間順序施加圖9E所示的規(guī)定AC電壓，它們的放電狀態(tài)能夠繼續(xù)。
因此，通過顯示信號能夠控制整個屏幕的放電或發(fā)光，即所有的象素，能夠顯示需要的圖象。
在這樣情況下，也通過在掃描周期之前曾經(jīng)使所有象素通電，在掃描周期內(nèi)根據(jù)顯示小圖象可以清除目標象素，可以顯示圖象。
如文中所述，在該構成中，通過對每個第一放電維持電極XA(XA-1，XA-2，XA-3...)施加轉換的電壓，對每個尋址電極Y(Y1，Y2，Y3...)施加圖象信號，能夠?qū)崿F(xiàn)與通常矩陣性等離子體放電顯示裝置相同的顯示操作。
同時在該實施例中，特別是，當進行隔行掃描方法時，能夠省略該隔行掃描的信號處理電路，以便可以簡化取驅(qū)動電路。
即對于放電開始尋址電極C來說，構成成對的等離子體放電部分，即P11和P21，P12和P22，P13和P23...，因此，在隔行掃描驅(qū)動中，在第一半幀內(nèi)，操作每個等離子體放電部分P11，P12，P13，...，P31，P32，P33...，而在第二半幀內(nèi)，能夠操作其它的等離子體放電部分P21，P22，P23...，P41，P42，P43...。即，如圖10所示的驅(qū)動波形所示(該波形只表示了關于圖象信號的電極單元Y1)，在第一半幀之前期間，順序?qū)τ嘘P每個等離子體放電部分P11，P12，P13...，P31，P32，P33...，的第一放電維持電極XA-1，XA-3，XA-5...施加上述提到的規(guī)定電壓Vb，在第二半幀內(nèi)，對其它的每一個第一放電維持電極XA-2，XA-4，XA-6...順序施加規(guī)定的電壓Vb，因此使其能夠進行隔行掃描顯示。
同時，在這樣情況下，通過同時使每對等離子體放電部分P11和P21，P12和P22，P13和P23，...通電也可以使發(fā)光亮度成倍地增加。即，在這樣的情況下，例如，通過對第一放電維持電極XA-1和XA-2，XA-3和XA-4...同時施加電壓Vb，在成對的等離子體放電部分P中顯示相同的信息。因此，根據(jù)該驅(qū)動方法，實現(xiàn)高亮度的顯示。
同時在具有圖11到圖13所示結構的平板型等離子體放電顯示裝置的該例子中，也可以獲得根據(jù)本發(fā)明圖1到圖4說明的裝置中的相同效果，另外與具有圖1到圖13所示結構的平板型等離子體放電顯示裝置比較，由于每個減少放電維持電極的數(shù)量，可以實現(xiàn)更高的清晰度和更高的密度。
在上述實施例中，在公共襯底上設置放電維持電極組和尋址電極組，但是也可以在相互相同的襯底設置放電維持電極組和尋址電極組?，F(xiàn)在描述根據(jù)這樣結構的平板型等離子體放電顯示裝置的一個實施例和它的驅(qū)動方法(作為第二實施例)。[第二實施例]在該平板型等離子體放電顯示裝置中，第一襯底和第二襯底也面對面地設置，同時它們之間保持規(guī)定的間隔，因此構成平板型顯示器的殼體。在該平板型等離子體放電顯示裝置中，在第一襯底上形成布置多個放電維持電極的放電維持電極組，在第二襯底上形成布置多個尋址電極的尋址電極組。
對尋址電極的一個放電開始部分來說，形成多個等離子體放電部分，將在放電維持中對于等離子體放電部分的成對放電維持電極之間的間隔設定成等于或小于50μm，最好是20μm或更小，例如，是10μm或更小，基本上，不依靠主要由陰極發(fā)光放電(即，主要由陰極發(fā)光放電控制的放電)的負發(fā)光放電，維持等離子體放電。
選擇尋址電極和相應的放電維持電極之間的距離，例如，在100μm或更大，或130μm，能夠形成負發(fā)光放電的放電開始，即放電開始狀態(tài)。
根據(jù)第二實施例，由于主要有陰極發(fā)光放電進行放電維持，與負發(fā)光放電相比，它的驅(qū)動電源非常小，同時增強了亮度。
此外，在放電由陰極發(fā)光放電進行的情況下，與負發(fā)光放電相比，如果驅(qū)動電源相同，那么亮度增加40％。
另外，由于由該陰極發(fā)光放電的模式使第一和第二放電維持電極之間的距離變窄，增強了每個等離子體發(fā)光部分的密度，實現(xiàn)較高的清晰度和較高的密度。
圖14是第二實施例的平板型等離子體放電顯示裝置一個例子的部分透視圖。
即，在該平板型等離子體放電顯示裝置中，例如由玻璃襯底構成的第一和第二襯底1和2也面對面地設置，同時它們之間保持規(guī)定的間隔，盡管沒有表示，但是它們的周邊部分例如提高燒結和密封氣密密封，在兩個襯底1和2之間形成平坦的空間，因此構成平板殼體。
在該例子中，也由第一襯底1側觀察發(fā)光顯示，在該情況下，至少第一襯底1由透明玻璃形成，用于透過顯示光線。
在第一襯底1的內(nèi)表面，形成放電維持電極組X，該電極組由多個條形的第一和第二放電維持電極XA和XB形成，主要在沿襯底表面的方向(X-方向)上延伸，并彼此平行設置，且由透明電極或好的導電率、例如不透明的金屬電極以規(guī)定布置形成，如下面所述。
放電維持電極組X的第一和第二放電維持電極XA和XB例如由透明的導電層ITO，導電并且不能透過顯示光或具有足夠厚度的單層金屬導電層，例如，Al，Ag，Cr，Cu，Ni或類似的金屬元素，兩層薄膜結構、例如Al/Cr這樣金屬層的組合，或Cr/Al/Cr三層薄膜結構，等等形成。
在放電維持電極組X中，形成與上述提到例子中相同的SiO2或類似物的電介層16，進一步與上面的情況相同，形成MgO或類似物的表面層。
在第二襯底2的內(nèi)表面上，形成尋址電極組Y，該電極組由多個條形的尋址電極Y1，Y2，Y3...形成，在與X方向相交的方向、例如垂直方向沿襯底的表面延伸，并彼此平行設置，且由導電并且不能透過顯示光的材料或具有厚度的不透明的金屬電極構成。
尋址電極組Y的每個尋址電極例如由導電性非常好的單層金屬導電層，如，Al，Ag，Cr，Cu，Ni或類似的金屬元素，兩層薄膜結構、例如Al/Cr這樣金屬層的組合，或Cr/Al/Cr三層薄膜結構，等等構成。
在尋址電極層Y上，形成由例如SiO2構成的電介層(絕緣層)26。進一步，在尋址電極Y(Y1Y2，Y3...)之間的位置形成沿y-方向延伸條形的隔墻18。在隔墻18之間，與第一個實施例相同，以規(guī)定的順序覆蓋由等離子體放電產(chǎn)生的紫外線(真空紫外線)激發(fā)的發(fā)紅、綠、和藍光的熒光材料R，G，B。
隔墻18具有間隔物的功能，用于以規(guī)定的厚度保持第一和第二襯底1和2之間的空間，并且具有確定相對于x-方向放電空間的功能。
圖15表示放電維持電極組X和尋址電極組Y之間布置關系的一個例子示意平面圖。
在該例子中，放電維持電極組X是這樣的一個電極組，以便對每個第一放電維持電極XA來說，在它的兩側，設置每個第二放電維持電極XB。
即，在第一放電維持電極XA(XA-12，XA-34，XA-56...)的兩側，設置第二放電維持電極XB(XB-1和XB-2，XB-3和XB-4，XB-5和XB-6...)，并夾在它門之間。
在這樣情況下，每個第一放電維持電極XA(XA-12，XA-34，XA-56...)和第二放電維持電極XB(XB-1和XB-2，XB-3和XB-4，XB-5和XB-6...)之間的間隔，即在放電維持中形成一對的記數(shù)電極之間的間隔，以上述提到間隔DS，即等于和小于主要產(chǎn)生發(fā)光放電的距離50μm，最好是20μm或更小，例如10μm，來進行選擇。在這樣情況下，由于記數(shù)電極之間的任何一個放電路徑都不是最短的路徑，即使負發(fā)光放電與陰極發(fā)光放電同時發(fā)生，陰極發(fā)光放電也總是占優(yōu)勢的。
另一方面，以D＞Ds這樣的關系定義鄰近第二放電維持電極XB之間的間隔D。
以例如100μm或更大，例如130μm來選擇尋址電極Y(Y1，Y2，Y3，....)和第一放電維持電極XA之間的間隔，以便基本上由負發(fā)光放電開始放電，即形成放電開始狀態(tài)。
抽空由第一和第二襯底1和2形成的氣密空間，用規(guī)定的放電氣體、例如諸如He，Ne，Ar，Xe，Kr，之類的惰性氣體的一種或多種氣體，或所說的混合Ne和Xe，最好是Ne(96％)，Xe(4％)的Penning氣體，在例如0.05到5大氣壓下填充該空間。相對于尋址電極Y(Y1，Y2，Y3，....)和第一和第二放電維持電極XA和XB之間的間隔來說，在能夠維持高亮度、高效率的穩(wěn)定放電的壓力下選擇該氣體密封壓力。
因此，相對于尋址電極Y(Y1，Y2，Y3，...)和第一放電維持電極XA(XA-12，XA-34，XA-56...)相交處形成放電開始部分，與每個放電開始部分相對應，形成兩個放電部分P(P11和P21，P31和P41...，P12和P22，P32和P42)。
現(xiàn)在描述在該實施例中顯示裝置驅(qū)動方法實施例的一個例子，但是，在這個情況下，基本上也能夠由與第一個實施例中提到的相同的方法進行驅(qū)動。這里，也參考圖9中的波形進行說明。
在該例子中，借助于用做公共的每個第一放電維持電極XA(XA-12，XA-34XA-56...)，通過在其兩側設置的每個第二放電維持電極Y(Y1和Y2，Y3和Y4，Y5和Y6...)形成兩個水平掃描行。
這是為了表示用于顯示有關一個尋址電極Y1的驅(qū)動波形。
圖9A表示施加到該尋址電極Y1的顯示信號的波形，該情況表示有關位于第一、第二和第四水平掃描行相交處象素放電或通電的一個例子，在這樣情況下，在部分τ1，τ2，τ4施加規(guī)定的ON電壓Va。
另一方面，對與每個水平掃描行相對應的第一放電維持電極XA(XA-12，XA-34，XA-56...)來說，轉換與電壓Va極性相反的規(guī)定ON電壓Vb，并在部分τ1，τ2，τ3，τ4......順序施加該電壓，如圖9 B1，B2，B3...所示。同時，對第二放電維持電極XB(XB-1，XB-2，XB-3...)不施加電壓，如圖9C所示。
在接著的維持放電周期內(nèi)，在每個掃描行，對每個成對的第一和第二放電維持電極XA(XA-12，XA-34，XA-56...)和XB(XB-1，XB-2XB-3...)施加圖9B1，B2，B3，...和C所示的脈沖電壓。
當這樣的驅(qū)動波形施加到每個電極時，如圖9D1，D2，D3，...，在掃描放電周期內(nèi)，在第一水平掃描行內(nèi)的第一放電維持電極XA-12和尋址電極Y1之間，即在部分τ1的等離子體放電部分P11上，在第二水平掃描行內(nèi)的第一放電維持電極XA-12和類似的尋址電極Y1之間，即在部分τ2的等離子體放電部分P21，進一步在第四水平掃描行內(nèi)的第一放電維持電極XA-34和尋址電極Y1之間，即在部分τ4的等離子體放電部分P41上，有選擇地施加電壓Va+Vb。
同時，通過預先將該Va+Vb設定成等于或大于上述給定的放電開始電壓，通過選擇Va或Vb每個都不達到放電開始電壓，只在選擇的第一、第二和第四水平掃描行上的等離子體放電部分P11，P21，P41中的象素上開始ON(放電)。
對上述提到的曾經(jīng)通電的象素來說，在接著的維持放電周期內(nèi)，當在每個掃描電極和放電維持電極之間順序施加圖9E所示的規(guī)定AC電壓時，維持放電狀態(tài)。該放電狀態(tài)主要由陰極發(fā)光放電來維持，如上所述，以等于或小于50μm、最好是20μm或更小的窄的間隔選擇第一和第二放電維持電極XA和XB之間的間隔。
按照上述提到的驅(qū)動方法，能夠通過顯示信號控制整個屏幕上即整個象素的放電或光發(fā)射，并能夠顯示需要的視頻信號。
按照該方法，在掃描周期之前，通過曾經(jīng)使所有的象素通電，在掃描周期內(nèi)通過依靠顯示圖象清除需要的象素可以形成視屏顯示。
如這里所述，在根據(jù)本發(fā)明的結構中，通過對第一放電維持電極XA(XA-12，XA-34XA-56...)施加轉換的電壓，對尋址電極Y(Y1，Y2，Y3，...)施加圖象信號，能夠?qū)崿F(xiàn)與普通矩陣型等離子體放電顯示裝置相同的顯示操作。
同時，在該平板型等離子體放電顯示裝置中，能夠進行隔行掃描的驅(qū)動方法。即在這樣情況下，例如，在第一半幀內(nèi)，通過彼此鄰近的第一放電維持電極XA(XA-12，XA-34，XA-56...)和第二放電維持電極Y(Y1，Y2，Y3，...)、即相對于第一、第三、第五...水平掃描行，實現(xiàn)放電發(fā)光，在第二半幀內(nèi)，類似地通過彼此鄰近的第一放電維持電極XA(XA-12，XA-34，XA-56...)和第二放電維持電極Y(Y2，Y4，Y6...)、即相對于第二、第四、第六...水平掃描行，實現(xiàn)放電發(fā)光。
即，在根據(jù)本發(fā)明結構的平板型等離子體放電顯示裝置中，由于對一個放電開始尋址電極C來說，包括成對的等離子體放電部分P11和P21，P12和P22，P13和P23，在隔行驅(qū)動方法中，在第一半幀內(nèi)操作一個等離子體放電部分P11，P12，P13，...，P31，P32，P33...，在第二半幀內(nèi)操作另一個等離子體放電部分P21，P22，P23，...P41，P42，P43。
因此，根據(jù)本發(fā)明的裝置，不使用任何特定的信號處理電路就能實現(xiàn)隔行掃描顯示。
另外，在該驅(qū)動方法中，每對等離子體放電部分P(P11P12，P13，...，P21，P22，P23，...，P31P32，P33...)單獨放電，即，它們作為單個的象素構成，但是通過使每對、即等離子體放電部分P11和P21P12和P22，P13和P23...同時通電，能夠使發(fā)光密度成倍地增加。在這樣情況下，關于第二放電維持電極XB(XB-1和XB-2，XB-3和XB-4...)，通過同時施加放電維持電壓，在每對等離子體放電部分P中顯示相同的信息。在這樣情況下，對一個象素也形成高亮度的顯示。
因此，在成對的等離子體放電部分P11和P21，P12和P22，P13和P23...同時執(zhí)行發(fā)光顯示的情況下，如圖16所示，可以以互相連接模式形成要夾在設置在第一放電維持電極XA(XA-12，XA-34，XA-56...)兩側的成對的等離子體放電部分之間的第二放電維持電極XB(XB-1和XB-2，XB-3和XB-4...)，以便夾在成對的等離子體放電部分之間。
在圖16中，與圖15相應的部分用相同的參考數(shù)字表示，省去對它的詳細說明。
在圖15和圖16所示的例子中，在每個第一放電維持電極XA(XA-12，XA-34，XA-56...)的兩側，設置成對的第二放電維持電極XB(XB-1和XB-2，XB-3和XB-4...)，以便夾在第一放電維持電極之間，或如圖17所示，安裝多個，例如每兩個第一放電維持電極XA(XA-12；和XA-34，XA-56和XA-78...)作為一套，第二放電維持電極XB(XB-1和XB-23和XB-4，XB-5和XB-67和XB-8...)可以設置在成套的第一放電維持電極XA的兩側，可以對每個放電開始部分設置四個等離子體放電部分，每個P1和P21和P31和P41，P12和P22和P32和P42。
第一和第二放電維持電極的布置形式并不只局限于所描述的例子，各種各樣的布置形式是可行的，這樣能夠形成多個等離子體放電部分P。
如上所述，第一和第二放電維持電極XA和XB可以包括透明的電極，或不透明的金屬電極。另外，只有一個放電維持電極、例如只有第一放電維持電極XA可以由不透明的金屬電極構成，第二放電維持電極可以由透明的電極形成。
例如，如圖18所示，第二放電維持電極XB由透明的電極20形成，沿它的一側邊緣、層壓并形成不透明、高導電率金屬總線電極20b。
或者，可以如圖19或20所示形成第一和第二放電維持電極XA和XB，在這些圖中沿上述提到的x-方向選擇主要延伸方向，但是相互放電維持的面對邊緣，即放電間隔g可以在電極XA和XB寬度方向中以彎曲或彎折的蜿蜒彎曲形式形成。當按照該方式放電間隔g的形狀是彎折或彎曲的形式時，面對邊緣的長度長，以便能夠增加真空紫外線的光的發(fā)射量，因此可以進一步增加亮度。
因此，能夠以彎曲或彎折的形式形成放電間隔，因為如上所述，通過使第一和第二放電維持電極XA和XB之間的間隔變窄，與傳統(tǒng)的具有100μm或更大、例如平均130μm間隔的負發(fā)光放電的情況相比，能夠增加放電維持電極XA和XB的寬度。
另外，由于增加第一和第二放電維持電極XA和XB的寬度，如上面提出的那樣，能夠減少這些電極的電阻，通過有效地增加一個或兩個電極XA和XB的寬度，能夠省去總線電極的沉積。
另外，由于第一和第二放電維持電極XA和XB之間的間隔變窄，如果對一個象素同時執(zhí)行多個光發(fā)射，那么可維持高清晰度和高密度，同時能夠增加亮度。
如例子中所示，對它的放電維持來說，可以形成主要的陰極發(fā)光放電，但是通過在負發(fā)光放電的情況下，以較大的間隔、例如150μm，選擇開始放電的尋址電極Y和第一放電維持電極XA之間的間隔，通過有效地增加放電空間、熒光材料R，G和B的布置空間、熒光材料R，G和B的布置區(qū)域，可實現(xiàn)光亮的顯示。
現(xiàn)在描述第二個實施例平板型等離子體顯示裝置制作方法的一個例子。
首先，描述圖14所示第一襯底1的制作方法。例如，制備由透明玻璃襯底構成的第一襯底1，在該襯底1的內(nèi)表面形成放電維持電極XA和XB。
以這樣的方式在整個襯底1的內(nèi)表面上形成這些放電維持電極XA和XB，通過諸如噴射方法或類似方法之類的薄膜技術，把用于構成放電維持電極XA和XB的上述透明導電層的ITO或各種金屬形成為薄膜，且該薄膜要經(jīng)過模式蝕刻，例如通過光蝕刻法，或通過導電粘接劑的絲網(wǎng)印刷，因此形成需要的形式。
為了形成總線電極20，在整個區(qū)域通過噴射和類似的方法，形成構成該總線電極的導電金屬，例如Ag，Al，Ni，Cu，Cr，或類似的金屬，通過光蝕刻法執(zhí)行模式蝕刻形成需要的模式，或?qū)щ娬辰觿┻M行絲網(wǎng)印刷，形成需要的模式。
然后，在整個區(qū)域上，通過CDV(化學蒸汽沉積)方法或類似的方法，形成SiO2的電介層16，例如通過電子束蒸汽沉積方法或類似的方法，以大約0.5到1.0μm的厚度在其上形成小功函數(shù)并且具有可見光透過性的MgO，并且形成表面層17。
另一方面，在第二襯底2的制作方法中，例如，制備由玻璃襯底構成的第二襯底2，其上形成尋址電極Y(Y1，Y2，Y3，...)。為了形成尋址電極，通過噴射或類似的方法形成諸如Au，Ag，Al，Ni，Cu，Cr或類似金屬這樣的導電金屬，然后通過光蝕刻法的模式蝕刻形成需要的模式，或?qū)щ娬辰觿┻M行絲網(wǎng)印刷，形成需要的模式。
然后，如圖14所示，覆蓋尋址電極Y(Y1，Y2，Y3，...)，通過CVD或類似的方法，在整個區(qū)域上類似地形成、例如由SiO2或類似物作成的電介層26。
然后，在電介層26上的相應的尋址電極Y(Y1，Y2，Y3，...)之間，以大約100μm或更高的高度、例如大約130μm的高度形成隔墻18。通過反復印刷和使玻璃膠干燥、例如幾次形成隔墻18。另外，通過在整個區(qū)域覆蓋玻璃膠，通過光蝕刻法以規(guī)定模式形成感光樹脂層掩膜，通過噴砂去掉沒有覆蓋掩膜的突起狀的玻璃膠，以便形成需要模式的隔墻18。
之后，在鄰近隔墻18側表面之間凹槽的底部，通過使用感光泥漿絲網(wǎng)印刷或暴光印刷，覆蓋相應顏色的熒光層R，G，B，以規(guī)定的順序沿每個凹槽形成，即沿隔墻18的延伸方向形成。
之后，以這樣的方式面對面地設置第一和第二襯底1和2，以便放電維持電極X的每個電極的延伸方向可以與尋址電極組Y的每個電極及隔墻18的延伸方向以直角相交，對第一和第二襯底1和2的周邊部分進行燒結和密封，因此由兩個襯底1和2構成平板型殼體。
這樣，通過隔墻18的高度，由間隔確定第一和第二襯底1和2，兩個襯底1和2之間的間隔、即尋址電極和放電維持電極之間的間隔被確定。
抽空由第一和第二襯底1和2形成的平板型殼體，用放電氣體、例如Penning氣體，以規(guī)定的壓力進行填充。
在這樣情況下，至少每個第一和第二襯底1和2的一個邊緣實際上也由相互的另一個襯底外側形成突出，每個電極的端部伸到氣密空間外側的該突出區(qū)域，以便形成每個電極的電流輸送端。
在上述提到的第二個實施例中，以100μm或更大，例如130μm，設定開始放電的尋址電極和放電維持電極之間的間隔，通過負發(fā)光放電進行這個放電開始，但是可以通過陰極發(fā)光放電主要實現(xiàn)這個放電開始，下面將描述這樣情況的一個實施例(第三實施例)。[第三實施例]在該實施例中，也面對面設置第一和第二襯底，通過燒結或類似的方法對周邊部分氣密密封，在兩個襯底之間形成平板型空間，以作為平板型殼體。
在第一襯底上形成布置多個放電維持電極的放電維持電極組，在第二襯底上，除了平行形成的多個隔墻外，形成布置多個尋址電極的尋址電極組。
放電維持電極組包括多個在維持放電時形成一對的放電電極，該放電電極平行設置、同時相互保持規(guī)定的間隔，主要在沿第一襯底的襯底表面的一個方向(x-方向)上延伸。
沿第二襯底表面平行形成隔墻，同時相互之間保持規(guī)定的間隔，在與x-方向相交的一個方向、例如在垂直方向(y-方向)上延伸，在至少每個隔墻的一側表面上形成尋址電極。
可以形成該尋址電極以跨過鄰近隔墻相互面對側凹槽的底部。
如上所述，可以沉積尋址電極并在每個隔墻的側面形成尋址電極，或可以形成沿每個隔墻內(nèi)隔墻延伸方向延伸的導電層，以便一側邊緣可以與隔墻的側表面相對或接近側表面而定位，并在移動到該側面的位置定位。
因此，當按照這樣方式通過導電層形成尋址電極時，每個隔墻包括例如隔墻主體，和在其上面形成的層壓絕緣層，在隔墻主體和層壓絕緣層之間設置上述提到的導電層，即尋址電極。
能夠在每個隔墻的兩側設置尋址電極，在這樣情況下，形成與每個隔墻的兩側相關的尋址電極。特別是，與鄰近隔墻的相互面對的表面相關的尋址電極在他們的端部電連接。另外，尋址電極跨過面對表面上的尋址電極，在隔墻之間的凹槽底部延伸，以便上述提到的尋址電極相互電連接。
由相互連接的尋址電極能夠引出公共端子。
在鄰近隔墻相互面對表面之間的凹槽上，覆蓋用于通過后面要描述的等離子體放電產(chǎn)生的真空紫外線激發(fā)發(fā)光的熒光材料。
例如在執(zhí)行彩色顯示的顯示裝置中，按規(guī)定的順序在每隔一個凹槽的內(nèi)部覆蓋發(fā)出紅、綠和藍光的熒光材料，并以規(guī)定的布置形成這些熒光材料。
用于開始放電或激發(fā)放電的尋址電極和作為與尋址電極形成一對面對放電電極的放電維持電極之間的間隔少于50μm，最好是20μm或更小，例如10μm。
當維持放電維持電極組的放電時，成對的放電維持電極之間的間隔也選擇在50μm或更小，最好是20μm或更小，例如10μm。
進一步，在第一襯底上，形成十字形的突起。
十字形突起由例如沿與每個第二襯底的隔墻相對的y-方向延伸的突起形成，相交的突起在一套用于維持放電維持電極放電并與這些突起相交的面對電極之間的x-方向上延伸。
參考圖21描述第三實施例，圖21表示部分切開示意透視圖，但是該實施例并不限于這個例子。
在該例子中，第一和第二襯底1和2也由例如玻璃襯底面對面地形成，盡管沒有表示，但兩個襯底1和2的周邊部分也由燒結或類似的方法氣密密封。
在該實施例中，第一襯底也用做前側襯底，由該襯底1的側面觀察發(fā)光顯示。在這樣情況下，至少第一襯底1由透明的玻璃襯底形成，用于透過顯示的光。
在第一襯底1的內(nèi)表面上，形成放電維持電極組X，該電極組由多個、例如條形的、主要沿襯底表面方向延伸的(x-方向)、彼此平行設置的、由后面要描述的規(guī)定布置的透明電極或?qū)щ姴煌该鞯慕饘匐姌O形成的第一和第二放電維持電極XA和XB形成。
放電維持電極組X的每個第一和第二放電維持電極XA和XB、例如由ITO透明的導電層，導電并且顯示光可透過的材料或具有足夠厚度的單層金屬導電層、如Al，Ag，Cr，Cu，Ni或類似的金屬，由例如Al/Cr這樣金屬層組合的兩層薄膜結構，或Cr/Al/Cr三層薄膜結構來形成。
同時在第一襯底1上，如圖22的示意平面圖中表示的它的主要部分，跨過放電維持電極XA和XB，在與x-方向相交或正交的方向中，例如y-方向中延伸的突起30y，與對應在第二襯底2側面形成的隔墻18設置間隔的規(guī)定的間隔相平行形成，后面將要描述，同時，與這些突起30y相交，形成相交突起30x，以在x方向上延伸，因此構成十字形突起30。
在成套的放電維持電極之間，通過跨過或不跨過放電維持電極部分形成相交突起30x，后面將描述。
在第一襯底1內(nèi)表面的整個區(qū)域上，形成SiO2或類似物作成的電介層16，進一步，在其上面形成由MgO和類似物制作成的小功函數(shù)的表面層17，以便保護電極。
在第二襯底2的內(nèi)表面上，平行形成多個在y-方向延伸條形的隔墻18。
以與第一襯底1突起30的突起30y相對應的間隔選擇隔墻18。
除了例如隔墻18的頂部，在它的側表面上，沿y-方向形成構成尋址電極Y1，Y2，Y3...的尋址電極組y。在圖21所示的例子中，在鄰近隔墻18之間形成尋址電極Y(Y1，Y2，Y3，...)。
在第三實施例中，放電維持電極組也包括第一和第二放電維持電極XA和XB，它們的布局、形式等與第二個實施例中的相同，即，與圖15到圖20所示的布局和形式相同。即，在該實施例中，對一個放電維持電極來說也形成多個等離子體放電部分P。
在第三實施例中，每個尋址電極Y(Y1，Y2，Y3，...)和第一放電維持電極XA之間的間隔變窄。即，例如在每個尋址電極Y(Y1，Y2，Y3，...)中，以窄的間隔、即小于50μm、最好20μm或更小，設定隔墻18側表面上的面對第一襯底1側面的邊緣與第一放電維持電極XA之間的間隔，當開始放電時，構成主要陰極發(fā)光放電。其他點可以與第二個實施例驅(qū)動方法中的相同。即，如圖9所解釋的那樣，通過第一放電維持電極XA(XA-12，XA-34，XA-56...)和第二放電維持電極XB(XB-1，XB-2，XB-3...)，可以對其進行設計以顯示有關每個水平掃描行，或通過隔行掃描也能夠進行驅(qū)動，或用其他的方法也能夠同時照亮一個象素的多個等離子體放電部分。
下面描述根據(jù)本發(fā)明平板型顯示裝置制作方法實施例的例子，這是一個獲得具有圖21所示結構平板型顯示裝置的一個例子，但是根據(jù)本發(fā)明的制作方法并不只限于該例子。
首先，描述第一襯底1制作方法的例子。
在該例子中，例如，也在整個區(qū)域上形成構成第一和第二放電維持電極XA和XB的透明導電層或金屬層，該層要經(jīng)過光蝕刻法的模式蝕刻，因此形成圖15到圖20所示需要的模式。
在這樣情況下，如果需要，也形成總線電極。
然后，例如通過印刷方法，以例如20μm高、30μm到40μm的寬度，形成包括突起30y和相交突起30x的十字形突起30。
如上所述，之后，例如通過CVD方法在整個區(qū)域上形成SiO2的電介層16，例如對MgO進行蒸汽沉積以在其上形成表面層17。
參考表示每個步驟中部分透視圖的圖23到26描述第二襯底2制作方法的例子。
在這樣情況下，首先如圖23A所示，制備由玻璃襯底制作成的第二襯底2，在第二襯底2的主要表面上形成在y-方向延伸并與x-方向規(guī)定的間隔平行設置的隔墻18。形成連接部分18c，以用于相互連接這些隔墻18的兩端(在圖23A中只表示了一端)。
通過印刷方法能夠形成隔墻18和連接部分18c。例如，多次印刷玻璃膠。在這樣情況下，一次印刷的厚度大約是10μm，通過反復印刷，印刷50μm到80μm高(厚度)的長條。之后，在500℃到600℃溫度下對玻璃膠進行烘烤。結果，形成30μm到60μm高的隔墻18。
然后，至少在隔墻18的一個側表面，除了隔墻18的頂部外，形成導電層和尋址電極。在該例子中，在隔墻18的兩個側表面上、并且在隔墻18之間形成的凹槽32的底部形成尋址電極Y(Y1，Y2，Y3，....)。
在這樣情況下，首先如圖23B所示，對沿y-方向形成的隔墻18來說，如箭頭所示從對應于隔墻18一個側表面上面傾斜，沉積導電元件31，以主要覆蓋該側表面。
接著，如圖24A箭頭所示，從隔墻18的其他側表面上面傾斜，即，由圖23B所示傾斜側相對側傾斜，通過蒸汽沉積方法沉積在飛行方向具有方向性的例如由Al構成的導電元件31，因此主要覆蓋隔墻18的其他側表面。
如圖24B箭頭所示，由襯底1上面，幾乎沿垂直襯底表面的方向噴射Al或類似金屬的導電元件31，將導電元件31用來覆蓋鄰近隔墻18之間凹槽32的底部。
如圖25A所示，然后，在每個凹槽32中和在連接部分18c上面延伸，通過光蝕刻法形成條形的例如感光性樹脂的抗腐蝕劑33。
在這樣情況下，以能夠使在隔墻18的頂部形成的導電元件31暴露于凹槽32內(nèi)的外部的厚度，選擇抗腐蝕劑33的厚度。使用該抗腐蝕劑作為掩膜，然后，通過對導電元件31進行蝕刻，在整個連接部分18c上去掉隔墻18頂部的導電元件31，使在每個隔墻18的亮光側表面上形成的導電元件31電隔離。
按照這樣的方法，如圖25B所示，去掉抗腐蝕劑33。
因此，相對于每個凹槽32，在每個底部和跨過底部的每個面對隔墻18一側形成的導電元件31的旁邊，通過尋址電極Y(Y1，Y2，Y3，....)形成尋址電極組Y。
在這樣情況下，能夠分別在尋址電極Y1，Y2，Y3，...的端部形成在隔墻18的連接部分18c上延伸的端子Ya。
在圖25B的例子中，在相同的一端形成尋址電極Y1，Y2，Y3，...的所有端子Ya，但是，例如在每隔一個鄰近尋址電極Y上，可以由凹槽32的兩端引出端子。
如圖26所示，然后，在隔墻18之間的凹槽32中，通過反復覆蓋和烘烤順序具有彩色熒光材料R，G，B的感光性熒光泥漿，形成紅、綠和藍熒光材料R，G，B。
進一步，如圖21所示，在整個區(qū)域上形成MgO或類似物的表面層28。
按照這樣的方法，制作第二襯底2。
之后，按上述提到的位置關系面對面地設置第一和第二襯底1和2，對它們的周邊部分進行燒結和密封，通過抽真空并用規(guī)定的氣體填充，來獲得目標和需要的平板型顯示裝置。
在這樣情況下，每個電極端子也引出到在氣密空間外側延伸的襯底1和2的外側，因此形成電流輸送端。
在上面描述的例子中，在每個凹槽32的內(nèi)側表面和底部形成每個尋址電極Y(Y1，Y2，Y3，....)。當在凹槽32的底部這樣形成尋址電極Y(Y1，Y2，Y3，....)時，這些電極Y(Y1，Y2，Y3，....)用做光反射平面，發(fā)出的光在熒光材料R，G，B的后面反射，并由前平面?zhèn)?、即第一襯底1有效地引向前，以便可以順序明亮的顯示。然而，也可以只在凹槽32的一側表面上形成這些電極，在這樣情況下，能夠省略圖24A和B所示的步驟。
另外，當只在凹槽32的兩側、不包括底部，形成尋址電極(Y1，Y2，Y3，...)時，能夠省略圖24B的步驟。
在該方法中，通過玻璃膠模式的重復印刷、以重疊印刷的方法，形成隔墻18，但是另外通過在整個區(qū)域上按例如50到80μm的厚度印刷膠，并進行干燥，通過噴砂可以形成需要的模式。在這樣情況下，形成噴砂的掩膜。為了形成掩膜，在整個區(qū)域上層壓感光性薄膜，以平行條形的形式對該薄膜進行暴光及烘烤、并顯影，形成需要的掩膜模式。之后，通過掩膜的開口進行噴砂，去掉不需要部分的玻璃膠，然后去掉感光性薄膜，在500℃到600℃的溫度下進行烘烤，可以形成需要高度的隔墻18。
在該例子中，在凹槽32內(nèi)形成尋址電極Y(Y1，Y2，Y3，...)，然而，例如通過沿隔墻18等的延伸方向(y-方向)掩埋尋址電極來形成金屬導電層的尋址電極Y(Y1，Y2，Y3，...)，即，能夠用各種不同的形式形成。
在上述提到的結構中，隔墻18和十字形突起30的突起30y，通過電介層和在說明的例子中的表面層，彼此相鄰，通過它們的高度和厚度選擇第一和第而襯底1和2之間的間隔，同時，以規(guī)定的間隔選擇尋址電極Y(Y1，Y2，Y3，...)和開始放電第一放電維持電極XA之間的間隔，特別是，產(chǎn)生如上所述的陰極發(fā)光放電的間隔，即小于50μm，最好是20μm或更小，例如10μm。
通過由突起30y和隔墻18的協(xié)作截留放電，形成與其他區(qū)域相隔離的放電區(qū)域，在這些區(qū)域內(nèi)，形成用于分別發(fā)出彩色光的象素區(qū)域。
對由第一和第二襯底1和2形成的氣密空間進行抽真空，用規(guī)定的氣體，如He，Ne，Ar，Xe，或Kr，或Ne和Xe的混合氣體，即所說的Penning氣體，在能夠維持穩(wěn)定高亮度和高效率的壓力下，例如0.05到5.0大氣壓下，填充該空間。
在第三實施例中，主要由陰極發(fā)光放電構成放電維持和放電開始，以便與負發(fā)光放電相比，可以進一步減少驅(qū)動功率。
如上所述，在前面的實施例中，當主要由陰極發(fā)光放電實現(xiàn)放電維持時，即，主要按陰極發(fā)光放電的模式，或進一步如第三實施例中所述的，當放電開始也主要由陰極發(fā)光放電實現(xiàn)時，如上所述驅(qū)動功率減少，因此可以不使用冷卻扇，或冷卻扇的數(shù)量減少，或功率減少，因此能夠節(jié)省冷卻扇的數(shù)量和空間，在大面積的顯示中能夠減小整個裝置的規(guī)模和重量。
另外，如果驅(qū)動功率與已有技術中相同或相當，能夠增加發(fā)光亮度。
如文中所述，根據(jù)本發(fā)明的平板型等離子體放電顯示裝置和驅(qū)動方法，對一個放電開始部分形成多個等離子體放電部分，但是結構、驅(qū)動方法、和它們的制作方法并不只限于所描述的例子，能夠進行各種不同的修改。
由文中的描述可以了解到，在根據(jù)本發(fā)明的平板型等離子體放電顯示裝置，由于對一個放電開始部分形成多個等離子體放電部分，第一放電維持電極的數(shù)目能夠得到減少，結構得以簡化，因此制作更容易，能夠降低有缺陷的入射，，也能夠增強可靠性。
在執(zhí)行主要由陰極發(fā)光放電放電維持的結構中，獲得高的亮度，節(jié)省了進一步的驅(qū)動功率。進一步，當放電開始也主要由陰極發(fā)光放電實現(xiàn)時，進一步節(jié)省驅(qū)動功率。在陰極發(fā)光放電中，由于電極之間的間隔變窄，能夠高清晰度高密度地做出明亮的點。
通過降低驅(qū)動功率，如上所述，降低了熱的產(chǎn)生，以便可以不使用冷卻扇，或可以減少冷卻扇的數(shù)目或功率，因此能夠節(jié)省冷卻扇數(shù)目和空間。結果，在大面積的顯示中，能夠減小整個裝置的規(guī)格和重量，可以獲得許多其他的益處。
另外，由于對每個放電開始部分形成多個等離子體放電部分，如上所述，可以容易地進行隔行掃描，在該隔行掃描驅(qū)動方法中，由于不需要具有存儲功能的信號處理電路，能夠簡化電路的結構。
另外，通過同時操作多個等離子體放電部分，很容易實現(xiàn)高亮度的明亮顯示，即使在大屏幕平板型等離子體放電顯示裝置中，也能夠?qū)崿F(xiàn)足夠亮的顯示。參考附圖已經(jīng)描述了根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例，可以理解，本發(fā)明并不限于這些具體的實施例，本領域的技術人員在不脫離所附權利要求定義的精神和范圍內(nèi)，能夠進行各種不同的變化和修改。
權利要求
1.一種平板型等離子體顯示裝置，其中在公共襯底或相互不同的襯底上形成布置多個放電維持電極的放電維持電極組和布置多個尋址電極的尋址電極組，對所說尋址電極的一個放電開始部分形成多個等離子體放電部分，將相對于每個等離子體放電部分的放電維持中的每對放電維持電極之間的間隔設定為小于50μm，并且主要通過陰極發(fā)光放電實現(xiàn)等離子體放電顯示。
2.一種平板型等離子體放電顯示裝置的驅(qū)動方法，在該裝置中，在公共襯底或相互不同的襯底上形成布置多個放電維持電極的放電維持電極組和布置多個尋址電極的尋址電極組，對所說尋址電極的一個放電開始部分形成多個等離子體放電部分，將相對于每個等離子體放電部分的放電維持中的每對放電維持電極之間的間隔設定為小于50μm，并且主要通過陰極發(fā)光放電實現(xiàn)等離子體放電顯示，其中通過在放電開始狀態(tài)下在相對于選擇的等離子體放電部分的放電開始部分的尋址電極和放電維持電極之間做出一個部分，來執(zhí)行目標和需要的顯示。
3.如權利要求2所述的平板型等離子體放電顯示裝置的驅(qū)動方法，其中在執(zhí)行需要的顯示中，作為通過第一和第二半幀形成一個屏幕的驅(qū)動方法，在第一半幀內(nèi)，通過與每個放電開始部分對應的等離子體放電部分的部分進行顯示，和在第二半幀內(nèi)，通過與每個放電開始部分對應的其他等離子體放電部分進行顯示。
4.如權利要求2所述的平板型等離子體放電顯示裝置的驅(qū)動方法，其中在執(zhí)行需要的顯示時，通過同時驅(qū)動和顯示與放電開始部分對應的多個等離子體放電部分，來進行需要的顯示。
5.一種平板型等離子體放電顯示裝置，其中在公共襯底上形成布置多個放電維持電極的放電維持電極組和布置多個各具有放電開始尋址電極的尋址電極的尋址電極組，設置所說放電維持電極和所說尋址電極，以便經(jīng)過絕緣層彼此相交，對每個所說放電開始尋址電極形成多個等離子體放電部分。
6.如權利要求5所述的平板型等離子體放電顯示裝置，其中將構成所說等離子體放電部分的每對放電維持電極之間的間隔設定為小于50μm，主要通過陰極發(fā)光放電實現(xiàn)等離子體放電。
7.如權利要求5所述的平板型等離子體放電顯示裝置，其中在每一個所說放電開始尋址電極兩側設置兩套用于形成兩個等離子體放電部分的所說放電維持電極，以將放電維持電極夾在放電開始尋址電極之間。
8.如權利要求5所述的平板型等離子體放電顯示裝置，其中在位于彼此相鄰的尋址電極的放電開始尋址電極之間的等離子體放電部分的形成部分之間設置分隔絕緣層。
9.如權利要求5所述的平板型等離子體放電顯示裝置，其中在位于彼此相鄰的尋址電極的放電開始尋址電極之間的等離子體放電部分的形成部分之間設置分隔絕緣層，并且將該分割絕緣層的高度設定為大于構成等離子體放電部分的成套放電維持電極之間的間隔。
10.如權利要求5所述的平板型等離子體放電顯示裝置，其中在位于彼此相鄰的放電開始尋址電極之間的等離子體放電部分的形成部分之間設置分割絕緣層，并且通過公共絕緣層以整體矩陣形式形成所說分割絕緣層和在所說放電維持電極與所說尋址電極相交處存在的絕緣層。
11.如權利要求5所述的平板型等離子體放電顯示裝置，其中在彼此相鄰的放電開始電極之間平行布置三個放電維持電極，位于三個放電維持電極中間的放電維持電極用做公共電極，通過與位于它們兩側的放電維持電極的組合構成包括兩個等離子體放電部分的兩對放電維持電極。
12.如權利要求5所述的平板型等離子體放電顯示裝置，其中包括彼此相對的第一襯底和第二襯底，同時它們中間保持規(guī)定的間隔，第一和第二襯底的周邊部分氣密密封，以構成平板型顯示器的殼體，所說第一和第二襯底中的至少一個做成透明襯底，用于透過顯示的光，所說第一襯底用作公共襯底，在該襯底上形成所說放電維持電極組和所說尋址電極組。
13.如權利要求5所述的平板型等離子體放電顯示裝置，其中包括彼此相對的第一襯底和第二襯底，同時它們中間保持規(guī)定的間隔，第一和第二襯底的周邊部分氣密密封，以構成平板型顯示器的殼體，所說第一和第二襯底中的至少一個做成透明襯底，用于透過顯示的光，所說第一襯底用作公共襯底，在該襯底上形成所說放電維持電極組和所說尋址電極組，和在所說第二襯底上形成一熒光層。
14.如權利要求5所述的平板型等離子體放電顯示裝置，其中包括彼此相對的第一襯底和第二襯底，同時它們中間保持規(guī)定的間隔，第一和第二襯底的周邊部分氣密密封，以構成平板型顯示器的殼體，所說第一和第二襯底中的至少一個做成透明襯底，用于透過顯示的光，所說第一襯底用作公共襯底，在該襯底上形成所說放電維持電極組和所說尋址電極組，和在所說第二襯底上形成驅(qū)動一個單元放電區(qū)域的隔墻。
15.如權利要求5所述的平板型等離子體放電顯示裝置，其中形成一電介層，以覆蓋所說放電維持電極組和尋址電極組的整個區(qū)域。
16.如權利要求5所述的平板型等離子體放電顯示裝置，其中形成一電介層，以覆蓋所說放電維持電極組和尋址電極組的整個形成區(qū)域，和當電介層的厚度取為t，等離子體放電部分的放電開始尋址電極和面對的放電維持電極之間的距離取為d時，選擇2t＜d。
17.如權利要求5所述的平板型等離子體放電顯示裝置，其中形成一電介層，以覆蓋所說放電維持電極組和尋址電極組的整個形成區(qū)域，在所說電介層上形成有功函數(shù)小于電介層并用于降低放電電壓的一個表面層。
18.如權利要求5所述的平板型等離子體放電顯示裝置，其中形成一電介層，以覆蓋所說放電維持電極組和尋址電極組的整個形成區(qū)域，在所說電介層上形成有具有噴射電阻特性的一個表面層。
19.一種平板型等離子體放電顯示裝置的驅(qū)動方法，在該裝置中，在公共襯底上形成布置多個放電維持電極的放電維持電極組和布置多個各具有放電開始尋址電極的尋址電極的尋址電極組，設置所說放電維持電極和所說尋址電極，以經(jīng)過一絕緣層彼此相交，對每個放電開始尋址電極形成多個等離子體放電部分，其中在放電開始狀態(tài)下，通過在有關選擇的等離子體放電部分的放電開始尋址電極和放電維持電極之間形成有關部分，來執(zhí)行目標和需要的顯示。
20.如權利要求19所述的平板型等離子體放電顯示裝置的驅(qū)動方法，其中在執(zhí)行需要的顯示時，作為通過第一和第二半幀形成一屏的驅(qū)動方法，在第一半幀內(nèi)，執(zhí)行通過與每個放電開始部分對應的等離子體放電部分的一部分的顯示，在第二半幀內(nèi)，執(zhí)行通過與每個放電開始部分對應的其他等離子體放電部分的顯示。
21.如權利要求19所述的平板型等離子體放電顯示裝置的驅(qū)動方法，其中在執(zhí)行需要的顯示時，通過同時驅(qū)動放電開始部分形成的一對等離子體放電部分和使其放電，形成顯示。
22.一種平板型等離子體放電顯示裝置，其中第一襯底和第二襯底彼此相對，并保持規(guī)定的間隔，在所說第一襯底側形成通過布置多個放電維持電極形成的放電維持電極組，在所說第二襯底側形成通過布置多個尋址電極形成的尋址電極組，在所說尋址電極的一個放電開始部分中形成多個等離子體放電部分，將在放電維持中相對于所說等離子體放電部分形成一對的放電維持電極之間的間隔設定為小于50μm，并且主要由陰極發(fā)光放電實現(xiàn)等離子體放電顯示。
23.如權利要求22所述的平板型等離子體放電顯示裝置，其中將所說尋址電極和對應的放電維持電極之間的間隔選擇為等于或大于100μm，主要由負發(fā)光放電開始放電。
24.如權利要求22所述的平板型等離子體放電顯示裝置，其中將構成所說等離子體放電部分的一對放電維持電極的相互面對邊緣之間的間隔，做成為在所說放電維持電極的寬度方向上彎折或彎曲的形式。
25.如權利要求22所述的平板型等離子體放電顯示裝置，其中所說放電維持電極由高導電率和不透光的電極構成。
26.如權利要求22所述的平板型等離子體放電顯示裝置，其中構成相對于一個放電開始部分的多個等離子體放電部分的一對放電維持電極之一由高導電率和不透光的電極構成。
27.如權利要求22所述的平板型等離子體放電顯示裝置，其中構成相對于一個放電開始部分的多個等離子體放電部分的一對放電維持電極之一與另一對放電維持電極之一電連接。
28.如權利要求22所述的平板型等離子體放電顯示裝置，其中在整個區(qū)域上形成一電介層，以覆蓋所說放電維持電極組。
29.如權利要求22所述的平板型等離子體放電顯示裝置，其中在整個區(qū)域上形成一電介層，以覆蓋所說放電維持電極組，并且在所說電介層上形成功函數(shù)小于電介層并用于降低放電電壓的一個表面層。
30.如權利要求22所述的平板型等離子體放電顯示裝置，其中在整個區(qū)域上形成一電介層，以覆蓋所說放電維持電極組，并且在所說電介層上形成具有噴射電阻特性的一個表面層。
31.一種平板型等離子體放電顯示裝置的驅(qū)動方法，在該裝置中，第一和第二襯底彼此相對，并保持規(guī)定的間隔，在所說第一襯底側形成通過布置多個放電維持電極形成的放電維持電極組，在所說第二襯底側形成通過布置多個尋址電極形成的尋址電極組，在所說尋址電極的一個放電開始部分形成多個等離子體放電部分，將相對于所說等離子體放電部分在放電維持中形成一對的放電維持電極之間的間隔設定為小于50μm，并且主要由陰極發(fā)光放電實現(xiàn)等離子體放電顯示，其中通過在放電開始狀態(tài)下在相對于選擇的等離子體放電部分的放電開始部分的尋址電極和放電維持電極之間做出一個部分，來執(zhí)行目標或需要的顯示。
32.如權利要求31所述的平板型等離子體放電顯示裝置的驅(qū)動方法，其中在執(zhí)行需要的顯示中，作為通過第一和第二半幀形成一個屏幕的驅(qū)動方法，在第一半幀內(nèi)，執(zhí)行通過與每個放電開始部分對應的等離子體放電部分的部分進行顯示，和在第二半幀內(nèi)，通過與每個放電開始部分對應的其他等離子體放電部分進行顯示。
33.如權利要求31所述的平板型等離子體放電顯示裝置的驅(qū)動方法，其中在執(zhí)行需要的顯示時，通過同時驅(qū)動與放電開始部分對應的多個等離子體放電部分和使其放電，進行顯示。
34.一種平板型等離子體放電顯示裝置，其中第一襯底和第二襯底彼此相對，同時保持規(guī)定的間隔，在所說第一襯底側形成有布置多個放電維持電極形成的放電維持電極組，在所說第二襯底側形成沿與所說放電維持電極的主要延伸方向相交的方向延伸、同時其間保持規(guī)定間隔的多個隔墻，以及沿所說隔墻的延伸方向在每個所說隔墻上形成的、布置多個尋址電極的尋址電極組，在所說尋址電極的一個放電開始部分形成多個等離子體放電部分，和將相對于所說等離子體放電部分在放電維持中形成一對的放電維持電極之間的間隔設定為小于50μm，并且主要由陰極發(fā)光放電實現(xiàn)等離子體放電顯示。
35.如權利要求34所述的平板型等離子體放電顯示裝置，其中將所說尋址電極和對應的放電維持電極之間的間隔選擇為小于50μm，有關尋址電極的放電主要由陰極發(fā)光放電開始。
36.如權利要求34所述的平板型等離子體放電顯示裝置，其中構成所說等離子體放電部分一對放電維持電極相互面對的邊緣之間的間隔形狀做成為在所說放電維持電極的寬度方向上彎折或彎曲的形狀。
37.如權利要求34所述的平板型等離子體放電顯示裝置，其中所說放電維持電極的每一個都由高導電率和不透光的電極形成。
38.如權利要求34所述的平板型等離子體放電顯示裝置，其中構成有關一個放電開始部分的多個等離子體放電部分的一對放電維持電極之一由高導電率和不透光的電極形成。
39.如權利要求34所述的平板型等離子體放電顯示裝置，其中構成有關一個放電開始部分的多個等離子體放電部分的一對放電維持電極之一與其他對放電維持電極之一電連接。
40.如權利要求34所述的平板型等離子體放電顯示裝置，其中在整個區(qū)域上形成一電介層，以覆蓋所說放電維持電極組。
41.如權利要求34所述的平板型等離子體放電顯示裝置，其中在整個區(qū)域上形成一電介層，以覆蓋所說放電維持電極組，并且在所說電介層上形成功函數(shù)小于電介層并用于降低放電電壓的一個表面層。
42.如權利要求34所述的平板型等離子體放電顯示裝置，其中在整個區(qū)域上形成一電介層，以覆蓋所說放電維持電極組，并且在所說電介層上形成具有噴射電阻特性的一個表面層。
43.一種平板型等離子體放電顯示裝置的驅(qū)動方法，在該裝置中，第一襯底和第二襯底彼此相對，并保持規(guī)定的間隔，在所說第一襯底側形成通過布置多個放電維持電極形成的放電維持電極組，在所說第二襯底側形成沿與所說放電維持電極的主要延伸方向相交的方向延伸、同時其間保持規(guī)定間隔的多個隔墻，以及包括所布置的多個尋址電極并沿所說隔墻的延伸方向在每個所說隔墻上形成的尋址電極組，在所說尋址電極的一個放電開始部分形成多個等離子體放電部分，將有關所說等離子體放電部分在放電維持中形成一對的放電維持電極之間的間隔設定為小于50μm，并且主要通過陰極發(fā)光放電實現(xiàn)等離子體放電顯示，其中通過在放電開始狀態(tài)下相對于選擇的等離子體放電部分的尋址電極和放電維持電極之間形成一個部分，產(chǎn)立目標或需要的顯示。
44.如權利要求43所述的平板型等離子體放電顯示裝置的驅(qū)動方法，其中在執(zhí)行需要的顯示時，作為通過第一和第二半幀形成一屏的驅(qū)動方法，在第一半幀內(nèi)，通過與每個放電開始部分對應的等離子體放電部分的一部分進行顯示，在第二半幀內(nèi)，通過與每個放電開始部分對應的其他等離子體放電部分進行顯示。
45.如權利要求43所述的平板型等離子體放電顯示裝置的驅(qū)動方法，其中在執(zhí)行需要的顯示時，通過同時驅(qū)動與放電開始部分對應的多個等離子體放電部分和使其放電，進行需要的顯示。
全文摘要
一種平板型等離子體放電顯示裝置,包括具有第一和第二放電維持電極的放電維持電極組(X)和具有尋址電極的尋址電極組(Y),對其一個放電開始部分形成多個等離子體放電部分(P),并順序或同時驅(qū)動相對于一個放電開始部分的等離子體放電部分,能在該平板型等離子體放電顯示裝置中執(zhí)行高清晰度和高亮度的等離子體顯示。
文檔編號H01J17/49GK1260579SQ9912738
公開日2000年7月19日 申請日期1999年10月23日 優(yōu)先權日1998年10月23日
發(fā)明者森啟, 安倍浩信 申請人:索尼公司