復(fù)合透鏡及使用該復(fù)合透鏡的光源裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種復(fù)合透鏡及使用該復(fù)合透鏡的光源裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 發(fā)光二極管（li曲t emitting diode, LED)作為一種高效的發(fā)光源，具有環(huán)保、省 電、壽命長等諸多特點已經(jīng)被廣泛的運用于各種領(lǐng)域，特別是背光照明領(lǐng)域。在背光照明領(lǐng) 域，為了均勻光線，發(fā)光二極管光源通常會搭配擴散透鏡使用，使發(fā)光二極管光源的光線能 W較大角度出射，從而達到大面積照明的效果。
[0003] 然而，在實際使用中，發(fā)光二極管光源發(fā)出的光線經(jīng)過透鏡的擴散之后，由于出射 光線仍然集中在發(fā)光二極管光源的光軸附近，出射光場中也區(qū)域的能量過高、中也區(qū)域外 側(cè)的能量較弱，導(dǎo)致整個光場的能量分布不均勻。當將所述發(fā)光二極管光源及透鏡應(yīng)用于 背光照明中時，會影響整體出光效果。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 有鑒于此，有必要提供一種能獲得均勻出光效果的透鏡組合及使用該透鏡組合的 光源裝置。
[0005] -種復(fù)合透鏡，包括用于擴散一發(fā)光二極管光源發(fā)射光束的第一透鏡W及位于第 一透鏡頂部的第一光萃取層和第二光萃取層，該第一透鏡包括入光面W及與該入光面相對 設(shè)置的出光面，該第一透鏡的頂部具有一凹槽，該凹槽位于第一透鏡的出光面的中也區(qū)域 并朝向該第一透鏡的入光面凹陷，該第一光萃取層和第二光萃取層依次形成于該第一透鏡 的凹槽內(nèi)，該第二光萃取層位于該第一光萃取層上方，該第一光萃取層的折射率小于第一 透鏡的折射率，該第二光萃取層的折射率小于第一光萃取層的折射率。
[0006] -種光源裝置，包括一發(fā)光二極管光源及與該發(fā)光二極管光源配合的復(fù)合透鏡， 該復(fù)合透鏡包括用于擴散一發(fā)光二極管光源發(fā)射光束的第一透鏡和設(shè)置于該第一透鏡頂 部的第一光萃取層和第二光萃取層，該第一透鏡包括入光面W及與該入光面相對設(shè)置的出 光面，該第一透鏡的頂部具有一凹槽，該凹槽位于第一透鏡的出光面的中也區(qū)域并朝向該 第一透鏡的入光面凹陷，該第一光萃取層和第二光萃取層依次形成于該第一透鏡的凹槽 內(nèi)，該第二光萃取層位于該第一光萃取層上方，該第一光萃取層的折射率小于第一透鏡的 折射率，該第二光萃取層的折射率小于第一光萃取層的折射率，該發(fā)光二極管光源面向該 復(fù)合透鏡的第一透鏡的入光面設(shè)置。
[0007] 與現(xiàn)有技術(shù)比較，本發(fā)明中該凹槽內(nèi)設(shè)置有第一、第二光萃取層，且第一、第二光 萃取層的折射率大小依次遞減，從而有效降低光線全反射，有效提升了透鏡的光線取出效 率，部分削弱了光場中也區(qū)域的光強同時有效增強了光場中也區(qū)域外側(cè)的光強，使得整個 光源裝置獲得了均勻的出光。
【附圖說明】
[000引圖1為本發(fā)明第一實施例的光源裝置立體結(jié)構(gòu)示意圖。
[0009] 圖2為圖1所示光源裝置中第一透鏡的倒置立體結(jié)構(gòu)示意圖。
[0010] 圖3為圖1所不光源裝直沿111-111線方向的剖面不思圖。
[0011] 圖4為圖1中所述光源裝置未設(shè)置第一光萃取層和第二光萃取層時的光強分布曲 線示意圖。
[0012] 圖5為圖1中所示光源裝置的光強分布曲線示意圖。
[0013] 圖6為本發(fā)明第二實施例的光源裝置的剖面示意圖。
[0014] 主要元件符號說明
【主權(quán)項】
1. 一種復(fù)合透鏡，包括用于擴散一發(fā)光二極管光源發(fā)射光束的第一透鏡，該第一透鏡 包括入光面以及與該入光面相對設(shè)置的出光面，其特征在于：該復(fù)合透鏡還包括位于第一 透鏡頂部的第一光萃取層和第二光萃取層，該第一透鏡的頂部具有一凹槽，該凹槽位于第 一透鏡的出光面的中心區(qū)域并朝向該第一透鏡的入光面凹陷，該第一光萃取層和第二光萃 取層依次形成于該第一透鏡的凹槽內(nèi)，該第二光萃取層位于該第一光萃取層上方，該第一 光萃取層的折射率小于第一透鏡的折射率，該第二光萃取層的折射率小于第一光萃取層的 折射率。
2. 如權(quán)利要求1所述的透鏡，其特征在于：該第一透鏡具有一光軸，該光軸貫穿該第一 透鏡的入光面和出光面，該凹槽的橫截面寬度沿第一透鏡的光軸朝向遠離第一透鏡入光面 的方向逐漸增大。
3. 如權(quán)利要求2所述的透鏡，其特征在于：該凹槽呈漏斗狀，該凹槽的橫截面為V形。
4. 如權(quán)利要求2所述的透鏡，其特征在于：該第一光萃取層貼置于該凹槽的底部，該第 二光萃取層覆蓋于該第一光萃取層上，該第二光萃取層遠離該第一透鏡的入光面的外表面 與第一透鏡的出光面的頂部平齊。
5. 如權(quán)利要求2所述的透鏡，其特征在于：該復(fù)合透鏡還包括形成于該凹槽內(nèi)并覆蓋 該第二光萃取層的第三光萃取層，該第三光萃取層的折射率小于該第二光萃取層的折射 率。
6. 如權(quán)利要求5所述的復(fù)合透鏡，其特征在于：該第三光萃取層遠離該第一透鏡的入 光面的頂面與第一透鏡的出光面的頂部平齊。
7. 如權(quán)利要求6所述的復(fù)合透鏡，其特征在于：該第三光萃取層的頂面為粗糙面。
8. 如權(quán)利要求5所述的復(fù)合透鏡，其特征在于：該第二光萃取層中進一步摻雜有突光 粉顆粒。
9. 如權(quán)利要求2所述的復(fù)合透鏡，其特征在于：所述第一透鏡還包括一環(huán)形安裝面，該 安裝面連接該第一透鏡的入光面與出光面，該第一透鏡的入光面位于環(huán)形安裝面的中心區(qū) 域，該第一透鏡的入光面自該安裝面的內(nèi)緣朝向該第一透鏡的出光面凹陷。
10. 如權(quán)利要求9所述的復(fù)合透鏡，其特征在于：該第一透鏡的出光面包括自該環(huán)形安 裝面外周緣垂直向上延伸的第一輔助出光面以及由第一輔助出光面頂部周緣向上并向內(nèi) 彎曲延伸的第二主出光面，該凹槽位于該第一透鏡的第二主出光面的中心區(qū)域。
11. 一種光源裝置，包括一發(fā)光二極管光源及與該發(fā)光二極管光源配合的復(fù)合透鏡，其 特征在于：所述復(fù)合透鏡為如權(quán)利要求1至10項中任一項所述的復(fù)合透鏡，該發(fā)光二極管 光源面向該復(fù)合透鏡的第一透鏡的入光面設(shè)置。
【專利摘要】一種復(fù)合透鏡，包括一第一透鏡以及設(shè)置于第一透鏡頂部的第一光萃取層和第二光萃取層，該第一透鏡包括入光面以及與該入光面相對的出光面，該第一透鏡的頂部具有一凹槽，該第一光萃取層和第二光萃取層依次形成于該凹槽內(nèi)，該第二光萃取層位于該第一光萃取層上方，該第一光萃取層的折射率小于第一透鏡的折射率，該第二光萃取層的折射率小于第一光萃取層的折射率。與現(xiàn)有技術(shù)比較，本發(fā)明中該凹槽內(nèi)設(shè)置有第一、第二光萃取層，且第一、第二光萃取層的折射率大小依次遞減，從而有效降低光線全反射，有效提升了透鏡的光線取出效率，部分削弱了光場中心區(qū)域的光強同時有效增強了光場中心區(qū)域外側(cè)的光強。本發(fā)明還涉及一種使用該復(fù)合透鏡的光源裝置。
【IPC分類】F21V5-04, F21Y101-02
【公開號】CN104566211
【申請?zhí)枴緾N201310514660
【發(fā)明人】戴豐源, 胡朝景, 王何立穎, 黃雍倫
【申請人】鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司
【公開日】2015年4月29日
【申請日】2013年10月28日