發(fā)光模塊、包括模塊的背光單元及包括該單元的顯示裝置的制造方法
【技術領域】
[0001] 實施例設及一種發(fā)光模塊、包括該模塊的背光單元W及包括該單元的顯示裝置。
【背景技術】
[0002] 隨著金屬有機物化學氣相沉積和氮化嫁（GaN)的分子束外延的生長，能夠生成白 光同時表現(xiàn)出高亮度的紅色、綠色和藍色發(fā)光二極管（LED)已經(jīng)得到發(fā)展。
[0003] L邸不包含在諸如白識燈或巧光燈的傳統(tǒng)照明裝置中使用的諸如隸化g)的導致 環(huán)境污染的任何材料。因此，L邸表現(xiàn)出優(yōu)良的環(huán)境友好性。此外，LED的特點是長壽命和 低功耗。由于運些原因，LED已經(jīng)取代了傳統(tǒng)光源。在L邸領域，高效率、高輸出和高亮度 是至關重要的。
[0004] 此外，透鏡可W位于包括L邸的傳統(tǒng)發(fā)光器件封裝上。在運種情況下，使用粘合劑 將透鏡接合到發(fā)光器件封裝。因此，當使用多個發(fā)光器件封裝來制造發(fā)光模塊時，不良率可 能增加，并且制造工藝可能會很復雜，因而制造成本和時間可能增加。
【發(fā)明內(nèi)容】
陽〇化]實施例提供一種發(fā)光模塊、包括該模塊的背光單元W及包括該單元的顯示裝置。
[0006] 在一個實施例中，一種發(fā)光模塊包括：板；多個發(fā)光器件封裝，安裝在所述板上同 時彼此間隔開；W及多個透鏡，W接觸方式位于所述發(fā)光器件封裝的上表面處，其中每個所 述透鏡包括由如下所示的貝塞爾度ezier)曲線的起點SP、終點EP W及兩個調(diào)整點APl和 AP2 表示的彎曲表面：SP = (X，Z)，EP = (X，Z_E)，AP1 =狂_01，Z_01)，AP2 =狂_02, Z_02)， 其中SP = (X，z)中的X表示在與光軸交叉的方向上SP的位置，SP = (X，z)中的Z表示 在與所述光軸平行的方向上SP的位置，EP= (x，Z_E)中的X表示在與光軸交叉的方向 上EP的位置，Z_E表示在與所述光軸平行的方向上EP的位置，X_01表示在與光軸交叉的 方向上APl的位置，Z_01表示在與所述光軸平行的方向上APl的位置，X_02表示在與光 軸交叉的方向上AP2的位置，Z_02表示在與所述光軸平行的方向上AP2的位置，SP是固 定的，并且 0. 5mm《Z_E《0. 78mm，1. 62mm《X_01《I. 8mm，I. 44mm《Z_01《I. 5mm， 0. 19mm《X_02《0. 25mm，I. 06mm《Z_02《I. 26mm，或者 X_01 為 I. 0mm，Z_01 為 0. 9mm， X_02 為 0. 2mm，Z_02 為 0. 1mm，[^及 Z_E 為 I. 2mm。
[0007] 所述起點SP的X可W是I. 5mm，W及所述起點SP的Z可W是0dX_01可W是I. 7mm， Z_01 可[^是 1. 45mm, X_02 可[^是 0. 2mm，Z_02 可[^是 I. 1mm. [^及 Z_E 可[^是 0. 6mm。
[0008] 例如，所述透鏡可具有相同的形狀或不同的形狀。
[0009] 例如，至少一個所述透鏡可具有半球形狀，或者具有形成在其上部的凹部的半球 形狀。具有所述凹部的所述透鏡可W在與所述光軸交叉的方向上相對于所述光軸對稱。所 述凹部可W位于所述光軸上，并且可W朝向所述多個發(fā)光器件封裝中相應的一個的中屯、凹 入?；蛘?，至少一個所述透鏡可具有截斷半球形狀。
[0010] 例如，所述板可具有限定多個透鏡區(qū)域的多個凹部，并且每個所述透鏡可W位于 所述多個透鏡區(qū)域中相應的一個內(nèi)。
[0011] 例如，多個發(fā)光器件封裝可W W相同的間隔布置，并且所述多個透鏡可具有相同 的寬度?；蛘?，多個發(fā)光器件封裝可W W不同的間隔布置，并且所述多個透鏡可具有不同的 寬度。
[0012] 例如，所述多個透鏡可W W相同的間隔或不同的間隔布置。
[0013] 例如，所述多個透鏡可W被布置W便包圍所述多個發(fā)光器件封裝。所述多個透鏡 的下表面可接觸所述板的上表面和所述多個發(fā)光器件封裝的上表面。
[0014] 或者，所述多個透鏡的下表面可W與所述板的上表面間隔開。
[0015] 在另一個實施例中，一種背光單元包括：發(fā)光模塊；反射單元，位于所述發(fā)光模塊 下方；W及擴散單元，位于所述發(fā)光模塊上。
[0016] 在又一個實施例中，一種顯示裝置包括：背光單元；W及顯示面板，位于所述背光 單元上。
[0017] 根據(jù)本發(fā)明的技術方案，可W提高光提取效率。
【附圖說明】
[0018] 參照下面的附圖，將詳細描述布置和實施例，其中類似的附圖標記指代類似的元 件，在附圖中：
[0019] 圖1是示出根據(jù)實施例的發(fā)光模塊的剖視圖；
[0020] 圖2是圖1所示的發(fā)光模塊的俯視圖；
[0021] 圖3是示出圖1和圖2所示的每個發(fā)光器件封裝的示意性剖視圖；
[0022] 圖4是示出根據(jù)實施例的由貝塞爾曲線表示的第一彎曲表面的視圖；
[0023] 圖5是示出根據(jù)另一個實施例的由貝塞爾曲線表示的第二彎曲表面的視圖；
[0024] 圖6A到圖6C是示出圖1和圖2所示的多個透鏡中每個透鏡的剖視圖；
[0025] 圖7是示出根據(jù)另一個實施例的發(fā)光模塊的剖視圖；
[00%] 圖8是示出根據(jù)又一個實施例的發(fā)光模塊的剖視圖；
[0027] 圖9是示出根據(jù)比較例的不包括透鏡的發(fā)光模塊的剖視圖；
[0028] 圖10是圖1所示的發(fā)光模塊的剖視圖；
[0029] 圖IlA和圖IlB是示出制造圖6A所示的透鏡的方法的過程剖視圖；
[0030] 圖12A和圖12B是示出制造圖她所示的透鏡的方法的過程剖視圖；
[0031] 圖13A和圖13B是示出制造圖6C所示的透鏡的方法的過程剖視圖； 陽0巧圖14是示意性示出根據(jù)實施例的背光單元的剖視圖；W及
[0033] 圖15是示出根據(jù)比較例的發(fā)光模塊的剖視圖。
【具體實施方式】
[0034] 現(xiàn)將詳細參照優(yōu)選實施例，其示例在附圖中示出。然而，實施例可W被修改為各種 其他形式。實施例不是限制性的，而是說明性的。提供運些實施例W將本公開更全面地解 釋給本領域技術人員。
[0035] 應理解的是，當元件被稱為在另一個元件"上"或"下方"時，其可W直接地在該元 件上/下方，或者也可W存在一個或多個介入元件。當元件被稱為在"上"或"下方"時，可 W包括基于元件的"在元件下方"和"在元件上"。
[0036] 此外，使用諸如"第一"和"第二"W及"上部"和"下部"之類的相對性術語只是為 了在一個對象或元件與另一個對象或元件之間進行區(qū)分，而不一定需要或包括運種對象或 元件之間的任何物理的或邏輯的關系或順序。
[0037] 在附圖中，為了方便描述和清楚起見，各層（各部件）的厚度或尺寸可W被夸大、 省略或示意性示出。此外，各元件的尺寸并不表示其實際尺寸。 陽03引圖1是示出根據(jù)實施例的發(fā)光模塊IOOA的剖視圖，圖2是圖1所示發(fā)光模塊IOOA 的俯視圖。圖1是沿圖2的線1-1'的部分剖視圖。然而，根據(jù)實施例的在圖1中示出的發(fā) 光模塊IOOA不受圖2的俯視圖的限制。
[0039] 圖1和圖2所示的發(fā)光模塊IOOA可包括板110A、多個發(fā)光器件封裝120-1到 120-6 W及多個透鏡 130A1-1 到 130A1-6。 W40] 在圖2中，為了方便描述，示出六個發(fā)光器件封裝120-1到120-6 W及六個透鏡 130A1-1到130A1-6。然而，本公開不限于此。例如，可W提供多于或少于六個發(fā)光器件封 裝，并且可W數(shù)量與發(fā)光器件封裝的數(shù)量相對應的透鏡。然而，實施例不限于此。
[0041] 發(fā)光器件封裝120-1到120-6可W被安裝在板IlOA上，使得發(fā)光器件封裝120-1 至Ij 120-6彼此間隔開。板IlOA可W通過在絕緣體上印刷電路圖案被配置。例如，板IlOA 可包括通用印刷電路板（PCB)、金屬忍PCB、柔性PCB或陶瓷PCB。
[0042] 基于其中發(fā)光表面被指向的方向，發(fā)光器件封裝120-1到120-6中的每個可W被 分為頂視型發(fā)光器件封裝或側視型發(fā)光器件封裝。在下文中，將發(fā)光器件封裝120-1到 120-6中的每個描述為頂視型發(fā)光器件封裝，其中向上指向發(fā)光表面。然而，下面的描述也 適用于側視型發(fā)光器件封裝。
[0043] 此外，發(fā)光器件封裝120-1到120-6中的每個可包括發(fā)出選自紅色、藍色和綠色中 的至少一種的彩色發(fā)光器件（LED),或白色LED。彩色L邸可包括選自紅色LED、藍色L邸和 綠色LED中的至少一種。 W44] 圖3是示出圖1和圖2所示的發(fā)光器件封裝120-1到120-6的示意性剖視圖。 W45] 例如，如圖3所示，發(fā)光器件封裝120-1到120-6 (用120表示）中的每個可包括 封裝體122、第一引線框124和第二引線框126、模制件（molding member) 128 W及發(fā)光器 件（L邸)。
[0046] LED可包括器件襯底121、發(fā)光結構123 W及第一凸塊125A和第二凸塊125C。
[0047] 器件襯底121可W由適用于生長半導體材料的諸如載體晶片的材料制成。此外， 器件襯底121可W由表現(xiàn)出高導熱率的材料制成。器件襯底121可W是導電襯底或絕緣襯 底。例如，器件襯底121可W由包括選自藍寶石（Al2〇3)、GaN、SiC、ZnO、Si、GaP、InP、Ga2〇3 和GaAs中的至少一種的材料制成。雖然未示出，然而凹凸圖案也可W形成在器件襯底121 的下表面上。
[0048] 發(fā)光結構123可W是其中第一導電半導體層123A、有源層123B和第二導電半導體 層123C依次堆疊在器件襯底121下方的結構。
[0049] 第一導電半導體層123A可W由半導體化合物制成。第一導電半導體層123A可W 由III-V族或II-VI族化合物半導體制成。第一導電半導體層123A可W滲雜有第一導電 滲雜劑。
[0050] 例如，第一導電半導體層123A可W由具有InxAlyGalxyN(0《x《l，0《y《l， 0《x+y《I)的化學分子式的半導體制成。例如，第一導電半導體層123A可包括選自 InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的任何一種。第一導電半導體層123A可W滲雜 有n型滲雜劑（例如Si、Ge或Sn)。
[0051] 有源層123B可W位于第一導電半導體層123A與第二導電半導體層123C之間。有 源層123B可W使用在分別由第一導電半導體層123A和第二導電半導體層123C提供的電 子和空穴的復合期間產(chǎn)生的能量產(chǎn)生光。<