專利名稱：微熔接及微組立加工制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于微型零件熔接及組立方法，特別是一種微熔接及微組立加工制造方法。
習(xí)知的一些相關(guān)設(shè)備或制造方法，例如，公開(kāi)的‘雷射熔接方法及裝置’、‘多功能微放電加工設(shè)備’及‘放電加工機(jī)之放電狀態(tài)檢測(cè)裝置’等，其在作法上具有許多缺點(diǎn)，例如，缺少設(shè)備整合技術(shù)，以致微放電制程中雖然能夠加工出高精度的微小零組件，但在制造過(guò)程中，所需的加工時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，而且組裝時(shí)的夾持、裝卸及接合十分困難，并不適合應(yīng)用于大量生產(chǎn)的技術(shù)中，大部分的制程技術(shù)皆需要通過(guò)模具加工的協(xié)助來(lái)完成，而且必須藉助微射出成型技術(shù)，然而所使用的模具更要求相當(dāng)高復(fù)雜性及高精密性，以致不太適合于各種形狀的小元件組合及成型。
本發(fā)明的目的是提供一種產(chǎn)品精度高、生產(chǎn)速度快、適用于大批量生產(chǎn)的各種形狀小元件組合及成型的微熔接及微組立加工制造方法。
本發(fā)明包括如下步驟(1)用修整線修整電極端面，并將電極修整到所需直徑；(2)用電極以放電加工方式于底板上作出貫穿孔；(3)再次用修整線修整因鉆孔而損耗的電極端面；(4)用修整線于電極適當(dāng)位置修整出一道頸口；(5)將電極移動(dòng)穿過(guò)貫穿孔停于適當(dāng)位置；(6)調(diào)整三軸雷射位置進(jìn)行雷射三點(diǎn)微熔接該電極與底板；(7)轉(zhuǎn)動(dòng)主軸使電極于直徑較細(xì)的頸口部分扭斷；(8)再以修整線修整剩余電極的端面；(9)用電極以微放電加工修平熔接平面。
其中雷射熔接系采用陣列式，并從電極背面進(jìn)行。
雷射熔接為單一電極熔接時(shí)，應(yīng)于電極尚未扭斷前進(jìn)行雷射熔接。
雷射熔接為單一電極熔接時(shí)，三軸雷射同時(shí)使用，并且均勻分布于電極背面，確保熔池呈60°均勻分布。
熔池深度應(yīng)滿足電極與底板有效地接合。
雷射熔接為多極熔接時(shí)，貫穿孔加工與電極熔接應(yīng)間隔進(jìn)行。
單一電極熔接完成并扭斷后，以微放電加工修平底板背面。
扭斷電極時(shí)所需的頸口直徑不可大于前端所修的電極直徑。
頸口最低位置不低于雷射熔接時(shí)會(huì)被熔融的高度，最高位置不高于影響修平底板的高度。
扭斷電極的方式系采用便于找出允許最大頸口直徑的主軸旋轉(zhuǎn)直接扭斷方式。
陣列式雷射微熔接更換電極后，可進(jìn)行一次程式原點(diǎn)的重新定位。
陣列式雷射熔接時(shí)，應(yīng)于電極尚未扭斷前進(jìn)行雷射熔接。
被加工的電極作設(shè)置定位面的微改變，再以微放電穿入貫穿孔。
雷射微熔接部分采用淺層熔接。
修整線為黃銅線、鎢線或鉬線。
一種微熔接及微組立加工制造方法，它包括如下步驟(1)用修整線修整電極端面，并將電極修整到所需直徑；(2)用電極以放電加工方式于底板上作出貫穿孔；(3)再次用修整線修整因鉆孔而損耗的電極端面；(4)用修整線于電極適當(dāng)位置修整出一道頸口；(5)將電極移動(dòng)穿過(guò)貫穿孔停于適當(dāng)位置；(6)精確使用瞬間接著劑，將膠適度加于電極背面適當(dāng)位置；(7)轉(zhuǎn)動(dòng)主軸使電極于直徑較細(xì)的頸口部分扭斷；(8)將工件底板移到雷射微熔接設(shè)備，并調(diào)整三軸雷射位置進(jìn)行雷射三點(diǎn)微熔接該電極與底板；
(9)再以修整線修整剩余電極的端面；(10)用電極以微放電加工修平熔接平面。
雷射熔接系采用陣列式，并從電極背面進(jìn)行。
雷射熔接為單一電極熔接時(shí)，應(yīng)于電極尚未扭斷前進(jìn)行雷射熔接。
雷射熔接為單一電極熔接時(shí)，三軸雷射同時(shí)使用，并且均勻分布于電極背面，確保熔池呈60°均勻分布。
熔池深度應(yīng)滿足電極與底板有效地接合。
雷射熔接為多極熔接時(shí)，貫穿孔加工與電極熔接應(yīng)間隔進(jìn)行。
單一電極熔接完成并扭斷后，以微放電加工修平底板背面。
扭斷電極時(shí)所需的頸口直徑不可大于前端所修的電極直徑。
頸口最低位置不低于雷射熔接時(shí)會(huì)被熔融的高度，最高位置不高于影響修平底板的高度。
扭斷電極的方式系采用便于找出允許最大頸口直徑的主軸旋轉(zhuǎn)直接扭斷方式。
陣列式雷射微熔接更換電極后，可進(jìn)行一次程式原點(diǎn)的重新定位。
陣列式雷射熔接時(shí)，應(yīng)于電極尚未扭斷前進(jìn)行雷射熔接。
被加工的電極作設(shè)置定位面的微改變，再以微放電穿入貫穿孔。
雷射微熔接部分采用淺層熔接。
修整線為黃銅線、鎢線或鉬線。
一種微熔接及微組立加工制造方法，它包括如下步驟(1)固定下模與活動(dòng)上模定位孔加工；(2)以微電極對(duì)固定下模放電加工，制作導(dǎo)孔；(3)活動(dòng)上模與固定下模合成，并利用定位銷固定，維持上、下模的對(duì)位精度；(4)在同一基準(zhǔn)下，以微電極對(duì)活動(dòng)上模放電加工，制作導(dǎo)孔；(5)以修整線對(duì)微電極放電加工，形成與模具模心相對(duì)應(yīng)的形狀尺寸，并于適當(dāng)位置修整出頸口；(6)電極表面拋光；(7)插入電極；(8)以雷射將電極與活動(dòng)上模熔接后，將電極頸口位置扭斷，并修整底面，完成組合。
模具為噴嘴薄片模具。
電極插入導(dǎo)孔中以為模具的模心(core)。
所有加工步驟在可維持加工精度的同一基準(zhǔn)下加工組合。
由于本發(fā)明包括(1)用修整線修整電極端面及所需直徑；(2)用電極于底板上作出貫穿孔；(3)再次修整電極端面；(4)于電極上整出頸口；(5)將電極穿過(guò)貫穿孔；(6)微熔接該電極與底板；(7)于頸口處扭斷電極；(8)修整剩余電極的端面；(9)用電極修平熔接平面。即利用微放電加工的雷射微熔接設(shè)備，使加工與組立一氣呵成，無(wú)須浪費(fèi)時(shí)間從事裝卸及夾持的加工制程，解決了不同零件的個(gè)別夾持會(huì)產(chǎn)生不同程度的位置精度誤差的問(wèn)題，也解決了超音波熔接無(wú)法對(duì)微組立零件提供足夠的熔接強(qiáng)度的問(wèn)題，不僅產(chǎn)品精度高、生產(chǎn)速度快，而且適用于大批量生產(chǎn)的各種形狀小元件組合及成型，從而達(dá)到本發(fā)明的目的。


圖1、為本發(fā)明所用微放電設(shè)備的放電及檢測(cè)電路。
圖2、為本發(fā)明所用陣列式雷射微熔接規(guī)格。
圖3、為本發(fā)明所用陣列式雷射微熔接規(guī)格。
圖4、為本發(fā)明所作陣列式雷射微熔接加工制程圖。
圖5、為本發(fā)明所作陣列式雷射微熔接加工制程圖。
圖6、為本發(fā)明所作陣列式雷射微熔接加工制程圖。
圖7、為本發(fā)明所作陣列式雷射微熔接加工制程圖。
圖8、為本發(fā)明所作陣列式雷射微熔接加工制程圖。
圖9、為本發(fā)明所作陣列式雷射微熔接加工制程圖。
圖10、為本發(fā)明所作陣列式雷射微熔接加工制程圖。
圖11、為本發(fā)明所作陣列式雷射微熔接加工制程圖。
圖12、為本發(fā)明所作陣列式雷射微熔接加工制程圖。
圖13、為本發(fā)明流程圖。
圖14、為本發(fā)明遇到需于不同設(shè)備進(jìn)行分段制程加工時(shí)新流程圖。
圖15、為本發(fā)明所作陣列雷射微熔接加工新制程關(guān)鍵圖。
圖16、為本發(fā)明所作微組立的噴嘴薄片模具組合步驟示意圖。
圖17、為本發(fā)明所作微組立的噴嘴薄片模具組合步驟示意圖。
圖18、為本發(fā)明所作微組立的噴嘴薄片模具組合步驟示意圖。
圖19、為本發(fā)明所作微組立的噴嘴薄片模具組合步驟示意圖。
圖20、為本發(fā)明所作微組立的噴嘴薄片模具組合步驟示意圖。
圖21、為本發(fā)明所作微組立的噴嘴薄片模具組合步驟示意圖。
圖22、為本發(fā)明另一流程圖。
下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)闡述。
設(shè)備的設(shè)計(jì)階段，規(guī)劃將微放電制程及Nd-YAG雷射熔接設(shè)備整合成一部設(shè)備，因此在規(guī)劃、設(shè)計(jì)的過(guò)程中，使直接以整合的型狀作為主要設(shè)計(jì)目標(biāo)。微放電設(shè)備的設(shè)計(jì)將直接采用原微放電設(shè)備的設(shè)計(jì)方式，再將部件零件依照需要作局部修改。至于Nd-YAG雷射微熔接設(shè)備則另外與XYZ平臺(tái)一同外購(gòu)。因?yàn)檎紫到y(tǒng)的監(jiān)按部分將采用個(gè)人電腦基準(zhǔn)的架構(gòu)，因此系統(tǒng)軟體部分需要自行設(shè)計(jì)，以符合整體制程的監(jiān)按程序要求，上述硬體部分如XYZ平臺(tái)及Nd-YAG雷射微熔接設(shè)備直接采用外購(gòu)，并直接整合一起，而電控部分采用工業(yè)用電腦作為個(gè)人電腦基準(zhǔn)的控制硬體。在規(guī)劃這部分硬體時(shí)，采用三軸立式設(shè)計(jì)。而雷射部分則直接用光纖分三條導(dǎo)入所需要部位，因此，在Z軸的設(shè)計(jì)上便需要采用龍門式才可將雷射導(dǎo)入主軸電極的預(yù)設(shè)位置，三條光纖以120°等分間隔。
本發(fā)明利用微放電加工制程整合釹-石榴石(Neodimium Doped YttriumAluminium Garnet，簡(jiǎn)稱Nd-YAG)雷射微熔接設(shè)備，使加工與組立一氣呵成，無(wú)須浪費(fèi)時(shí)間從事裝卸及夾持的加工制程，解決了不同零件的個(gè)別夾持會(huì)產(chǎn)生不同程度的位置精度誤差的問(wèn)題，也解決了超音波熔接無(wú)法對(duì)微組立零件提供足夠的熔接強(qiáng)度的問(wèn)題。
如圖1所示，本發(fā)明所用的微放電設(shè)備的放電及檢測(cè)電路，其主要部分RC放電及檢測(cè)回路功能在于提供放電所需的脈沖電壓，并隨時(shí)輸出電壓的變化以檢測(cè)出電極空隙。利用AD卡檢測(cè)出電壓，再以此控制微放電設(shè)備XYZ平臺(tái)，避免電極之間短路，以維持穩(wěn)定放電狀態(tài)。
如圖2、圖3所示，本發(fā)明所用陣列式雷射微熔接規(guī)格系先以一排三根的微熔接電極設(shè)定方便加工的規(guī)格尺寸，再以4×4陣列，共16根相同規(guī)格的電極2來(lái)分別重復(fù)相同制程。
本發(fā)明雷射熔接的原理在于利用聚焦后焦點(diǎn)的高能量密度對(duì)材料進(jìn)行加熱熔融，再自然冷卻而完成熔接。焦點(diǎn)的大小直接影響熔融部分的面積及熱影響區(qū)的大小，在微組立的制程上，因?yàn)樗M立的零件皆屬微小零組件，所以理論上是焦點(diǎn)越小越好，雷射光本身是利用光學(xué)透鏡進(jìn)行聚焦，其聚焦的焦點(diǎn)大小依據(jù)光學(xué)特性可依照下列公式d=2λF/(πD)；d焦點(diǎn)大??；λ雷射光波長(zhǎng)；F聚焦長(zhǎng)度；D透鏡入射側(cè)雷射光直徑；由上式可以找出，焦點(diǎn)大小與波長(zhǎng)及聚焦長(zhǎng)度成正比，也就是說(shuō)，當(dāng)希望焦點(diǎn)較小時(shí)，波長(zhǎng)及聚焦長(zhǎng)度就必須減小。
就波長(zhǎng)減小而言，當(dāng)波長(zhǎng)小到超出紅色光波長(zhǎng)范圍時(shí)，便因?yàn)椴牧蠈?duì)其熱吸收率不佳而不適用于熔接。
當(dāng)聚焦長(zhǎng)度減小時(shí)，也就是聚焦透鏡與工件相距的距離減小，這需要視不同工作條件下來(lái)決定所需要的距離，不過(guò)一般而言，過(guò)小的聚焦長(zhǎng)度會(huì)因?yàn)橥哥R過(guò)于靠近工件容易受到污染而降低使用壽命，并且會(huì)使可熔接工件大小受到限制而顯得不實(shí)用。另外焦點(diǎn)大小亦與入射側(cè)雷射光直徑成反比，也就是焦點(diǎn)小，直徑就要大。而入射側(cè)雷射光直徑又正比于透鏡大小，因此透鏡直徑需要足夠大才可以使焦點(diǎn)變小，但是透鏡的直徑會(huì)因?yàn)榭臻g上的限制而有所局限。所以綜合以上分析，可以發(fā)現(xiàn)焦點(diǎn)大小的決定是在各種限制條件下所作出的權(quán)衡，所以當(dāng)可以克服上述的條件限制時(shí)，將可得到期望的焦點(diǎn)大小。
現(xiàn)行系統(tǒng)所設(shè)計(jì)透鏡與工件間距，即焦距長(zhǎng)度為100mm，而實(shí)驗(yàn)所得的最小焦點(diǎn)大小為200μm。加上釹-石榴石雷射波長(zhǎng)為1.06μm，利用上述公式，可算出所需要的透鏡入射側(cè)雷射光直徑為337.4μm。因此，如果在不改變焦點(diǎn)與工件間距下，而所得到的焦點(diǎn)希望比現(xiàn)行系統(tǒng)更小，則需要更換透鏡組使入射側(cè)雷射直徑增大，但這也可能使得透鏡組體積因此而增加。
如圖4、圖5、圖6、圖7、圖8、圖9、圖10、圖11、圖12、圖13所示，本發(fā)明所作陣列式雷射微熔接加工制程圖。陣列式微熔接所面臨最大困難在于多根排列的電極會(huì)阻擋雷射的行進(jìn)路線，因此，于正面進(jìn)行微熔接顯然有問(wèn)題，因此，陣列式微熔接的關(guān)鍵在于需要從電極2背面進(jìn)行雷射微熔接，其步驟如下(1)如圖4所示，由主軸22帶動(dòng)電極2旋轉(zhuǎn)，用修整用黃銅線1修整電極2端面，并將電極2修整到所需直徑；(2)如圖5所示，用電極2以放電加工方式于底板3上作出貫穿孔31；(3)如圖6所示，再次用修整用黃銅線1修整因鉆孔而損耗的電極2端面；(4)如圖7所示，用修整用黃銅線1于電極2適當(dāng)位置修整出一道頸口21；(5)如圖8所示，將電極2移動(dòng)穿過(guò)貫穿孔31停于適當(dāng)位置；(6)如圖9所示，調(diào)整三軸雷射4的位置進(jìn)行雷射三點(diǎn)微熔接該電極2與底板3；
(7)如圖10所示，轉(zhuǎn)動(dòng)主軸22使電極2于直徑較細(xì)的頸口21部分扭斷；(8)如圖11所示，再以修整用黃銅線1修整剩余電極2的端面；(9)如圖12所示，用電極2以微放電加工修平熔接平面。
上述步驟實(shí)施時(shí)，若遇到需于不同設(shè)備進(jìn)行分段制程加工時(shí)，其步驟需作修改，如圖14所示，將步驟(6)中雷射熔接改成使用瞬間接著劑，將雷射熔接改到步驟(7)的扭斷電極2之后，扭斷電極2后將工件底板3移至雷射熔接設(shè)備進(jìn)行熔接。其中，瞬間接著劑的量必須精確控制，否則會(huì)有部分滲進(jìn)貫穿孔31中而流到正面32。又其中雷射4焦點(diǎn)瞄準(zhǔn)位置必須沒(méi)有偏差且電極2底部不可產(chǎn)生不均勻的熔融，否則冷卻時(shí)會(huì)因不對(duì)稱收縮應(yīng)力而導(dǎo)致傾斜。
為了將上述雷射微熔接步驟達(dá)到最佳效果，必須遵循下列指示1、進(jìn)行單一電極2熔接時(shí)，電極2必須于尚未扭斷前進(jìn)行雷射4微熔接，也就是依照上述步驟；2、進(jìn)行單一電極2熔接時(shí)，必須使三軸雷射4同時(shí)使用，并且均勻分布于電極2背面，確保熔池呈60°均勻分布，以產(chǎn)生對(duì)稱的收縮應(yīng)力，可以避免電極2傾斜；3、雷射功率不同會(huì)產(chǎn)生不同深度的熔池，適當(dāng)深度的熔池可以確保電極2與底板3有效地接合；4、如果采用加工所有貫穿孔31后，再一一放放電極2熔接，將會(huì)發(fā)生熔接時(shí)熔池會(huì)覆蓋掉旁邊的貫穿孔31；5、單一電極2熔接完成并扭斷后，必須進(jìn)行步驟(9)，以微放電加工修平底板3背面，以避免殘留電極阻擋雷射4路徑，并且修平突起的熔池，以便下一個(gè)電極2的加工；6、扭斷電極2時(shí)所需的頸口21直徑不可大于前端所修的電極2直徑，否則無(wú)法使電極2于該處扭斷。另外，頸口21位置不可過(guò)低，過(guò)低會(huì)造成雷射4微熔接時(shí)被熔融而直接斷裂，影響電極2精度。但過(guò)高會(huì)增加最后修平底板3的復(fù)雜性；
7、扭斷電極2的方式系采用主軸22旋轉(zhuǎn)直接扭斷。但因主軸22采用皮帶傳動(dòng)，因此在扭斷電極2的扭力輸出上會(huì)有不足的現(xiàn)象，因此，可作幾次扭斷以便找出允許的最大頸口21直徑；8、進(jìn)行陣列式雷射微熔接步驟時(shí)，會(huì)有更換電極2的步驟，更換后的電極2軸心與前者會(huì)有此許差異，因此需要在更換電極2后，進(jìn)行一次程式原點(diǎn)的重新定位，以補(bǔ)償軸心不同所產(chǎn)生的座標(biāo)誤差，亦需要作更換電極2時(shí)其軸心誤差的統(tǒng)計(jì)實(shí)驗(yàn)，找出最大的軸心誤差量；9、微熔接過(guò)程中，可能產(chǎn)生電極2傾斜，只要在電極2尚未扭斷前進(jìn)行微熔接將可獲得較佳的精度。如圖15所示，其系對(duì)于所加的電極設(shè)置定位錐面23的微改變，再以微放電穿入貫穿孔31，此時(shí)，可得較佳的支撐效果。
10、雷射微熔接部分采用淺層熔接，因此所產(chǎn)生的熔池較少，對(duì)于電極2的定位精度影響也較小。
如圖16、圖17、圖18、圖19、圖20、圖21、圖22所示，本發(fā)明所作微組立的噴嘴薄片噴頭的模具組合步驟如下(1)固定下模6與活動(dòng)上模7的定位孔8加工；(2)以微電極5對(duì)固定下模6放電加工，制作導(dǎo)孔61，以使模具最后組合完成時(shí)，元件5的前端可以插入導(dǎo)孔61內(nèi)，以避免模具在射出成形時(shí)塑膠溢出；(3)活動(dòng)上模7與固定下模6合成，并利用定位銷插入定位孔8固定，以維持后續(xù)加工時(shí)，上、下模7、6的對(duì)位精度；(4)有同一基準(zhǔn)下，以微電極5對(duì)活動(dòng)上模7放電加工，制作導(dǎo)孔71；(5)微電極5以修整黃銅線放電加工成噴嘴的形狀尺寸，并于適當(dāng)位置修整出頸口；(6)電極5表面拋光；(7)將電極5插入導(dǎo)孔61、71中作為模具的模心(core)；(8)以雷射將電極5與活動(dòng)上模7熔接后，將電極5頸口位置扭斷，并修整底面，完成組合。
本發(fā)明系應(yīng)用于微放電與雷射微組立，包括有1、針對(duì)針(PIN TO PIN)；2、板地板(PLATE TO PLATE)；3、針對(duì)板(PIN TO PLATE)；綜上所述，本發(fā)明實(shí)為不可多得的微熔接及微組立加工制造方法。
權(quán)利要求
1.一種微熔接及微組立加工制造方法，其特征在于它包括如下步驟(1)用修整線修整電極端面，并將電極修整到所需直徑；(2)用電極以放電加工方式于底板上作出貫穿孔；(3)再次用修整線修整因鉆孔而損耗的電極端面；(4)用修整線于電極適當(dāng)位置修整出一道頸口；(5)將電極移動(dòng)穿過(guò)貫穿孔停于適當(dāng)位置；(6)調(diào)整三軸雷射位置進(jìn)行雷射三點(diǎn)微熔接該電極與底板；(7)轉(zhuǎn)動(dòng)主軸使電極于直徑較細(xì)的頸口部分扭斷；(8)再以修整線修整剩余電極的端面；(9)用電極以微放電加工修平熔接平面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微熔接及微組立加工制造方法，其特征在于所述的雷射熔接系采用陣列式，并從電極背面進(jìn)行。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微熔接及微組立加工制造方法，其特征在于所述的雷射熔接為單一電極熔接時(shí)，應(yīng)于電極尚未扭斷前進(jìn)行雷射熔接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微熔接及微組立加工制造方法，其特征在于所述的雷射熔接為單一電極熔接時(shí)，三軸雷射同時(shí)使用，并且均勻分布于電極背面，確保熔池呈60°均勻分布。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微熔接及微組立加工制造方法，其特征在于所述的熔池深度應(yīng)滿足電極與底板有效地接合。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微熔接及微組立加工制造方法，其特征在于所述的雷射熔接為多極熔接時(shí)，貫穿孔加工與電極熔接應(yīng)間隔進(jìn)行。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微熔接及微組立加工制造方法，其特征在于所述的單一電極熔接完成并扭斷后，以微放電加工修平底板背面。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微熔接及微組立加工制造方法，其特征在于所述的扭斷電極時(shí)所需的頸口直徑不可大于前端所修的電極直徑。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的微熔接及微組立加工制造方法，其特征在于所述的頸口最低位置不低于雷射熔接時(shí)會(huì)被熔融的高度，最高位置不高于影響修平底板的高度。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微熔接及微組立加工制造方法，其特征在于所述的扭斷電極的方式系采用便于找出允許最大頸口直徑的主軸旋轉(zhuǎn)直接扭斷方式。
11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微熔接及微組立加工制造方法，其特征在于所述的陣列式雷射微熔接更換電極后，可進(jìn)行一次程式原點(diǎn)的重新定位。
12.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微熔接及微組立加工制造方法，其特征在于所述的陣列式雷射熔接時(shí)，應(yīng)于電極尚未扭斷前進(jìn)行雷射熔接。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微熔接及微組立加工制造方法，其特征在于所述的被加工的電極作設(shè)置定位面的微改變，再以微放電穿入貫穿孔。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微熔接及微組立加工制造方法，其特征在于所述的雷射微熔接部分采用淺層熔接。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微熔接及微組立加工制造方法，其特征在于所述的修整線為黃銅線、鎢線或鉬線。
16.一種微熔接及微組立加工制造方法，其特征在于它包括如下步驟(1)用修整線修整電極端面，并將電極修整到所需直徑；(2)用電極以放電加工方式于底板上作出貫穿孔；(3)再次用修整線修整因鉆孔而損耗的電極端面；(4)用修整線于電極適當(dāng)位置修整出一道頸口；(5)將電極移動(dòng)穿過(guò)貫穿孔停于適當(dāng)位置；(6)精確使用瞬間接著劑，將膠適度加于電極背面適當(dāng)位置；(7)轉(zhuǎn)動(dòng)主軸使電極于直徑較細(xì)的頸口部分扭斷；(8)將工件底板移到雷射微熔接設(shè)備，并調(diào)整三軸雷射位置進(jìn)行雷射三點(diǎn)微熔接該電極與底板；(9)再以修整線修整剩余電極的端面；(10)用電極以微放電加工修平熔接平面。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的微熔接及微組立加工制造方法，其特征在于所述的雷射熔接系采用陣列式，并從電極背面進(jìn)行。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的微熔接及微組立加工制造方法，其特征在于所述的雷射熔接為單一電極熔接時(shí)，應(yīng)于電極尚未扭斷前進(jìn)行雷射熔接。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的微熔接及微組立加工制造方法，其特征在于所述的雷射熔接為單一電極熔接時(shí)，三軸雷射同時(shí)使用，并且均勻分布于電極背面，確保熔池呈60°均勻分布。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的微熔接及微組立加工制造方法，其特征在于所述的熔池深度應(yīng)滿足電極與底板有效地接合。
21.根據(jù)權(quán)利要求16所述的微熔接及微組立加工制造方法，其特征在于所述的雷射熔接為多極熔接時(shí)，貫穿孔加工與電極熔接應(yīng)間隔進(jìn)行。
22.根據(jù)權(quán)利要求16所述的微熔接及微組立加工制造方法，其特征在于所述的單一電極熔接完成并扭斷后，以微放電加工修平底板背面。
23.根據(jù)權(quán)利要求16所述的微熔接及微組立加工制造方法，其特征在于所述的扭斷電極時(shí)所需的頸口直徑不可大于前端所修的電極直徑。
24.根據(jù)權(quán)利要求16所述的微熔接及微組立加工制造方法，其特征在于所述的頸口最低位置不低于雷射熔接時(shí)會(huì)被熔融的高度，最高位置不高于影響修平底板的高度。
25.根據(jù)權(quán)利要求16所述的微熔接及微組立加工制造方法，其特征在于所述的扭斷電極的方式系采用便于找出允許最大頸口直徑的主軸旋轉(zhuǎn)直接扭斷方式。
26.根據(jù)權(quán)利要求16所述的微熔接及微組立加工制造方法，其特征在于所述的陣列式雷射微熔接更換電極后，可進(jìn)行一次程式原點(diǎn)的重新定位。
27.根據(jù)權(quán)利要求16所述的微熔接及微組立加工制造方法，其特征在于所述的陣列式雷射熔接時(shí)，應(yīng)于電極尚未扭斷前進(jìn)行雷射熔接。
28.根據(jù)權(quán)利要求16所述的微熔接及微組立加工制造方法，其特征在于所述的被加工的電極作設(shè)置定位面的微改變，再以微放電穿入貫穿孔。
29.根據(jù)權(quán)利要求16所述的微熔接及微組立加工制造方法，其特征在于所述的雷射微熔接部分采用淺層熔接。
30.根據(jù)權(quán)利要求16所述的微熔接及微組立加工制造方法，其特征在于所述的修整線為黃銅線、鎢線或鉬線。
31.一種微熔接及微組立加工制造方法，其特征在于它包括如下步驟(1)固定下模與活動(dòng)上模定位孔加工；(2)以微電極對(duì)固定下模放電加工，制作導(dǎo)孔；(3)活動(dòng)上模與固定下模合成，并利用定位銷固定，維持上、下模的對(duì)位精度；(4)在同一基準(zhǔn)下，以微電極對(duì)活動(dòng)上模放電加工，制作導(dǎo)孔；(5)以修整線對(duì)微電極放電加工，形成與模具模心相對(duì)應(yīng)的形狀尺寸，并于適當(dāng)位置修整出頸口；(6)電極表面拋光；(7)插入電極；(8)以雷射將電極與活動(dòng)上模熔接后，將電極頸口位置扭斷，并修整底面，完成組合。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的微熔接及微組立加工制造方法，其特征在于所述的模具為噴嘴薄片模具。
33.根據(jù)權(quán)利要求31所述的微熔接及微組立加工制造方法，其特征在于所述的電極插入導(dǎo)孔中以為模具的模心(core)。
34.根據(jù)權(quán)利要求31所述的微熔接及微組立加工制造方法，其特征在于所述的所有加工步驟在可維持加工精度的同一基準(zhǔn)下加工組合。
全文摘要
一種微熔接及微組立加工制造方法。為提供一種產(chǎn)品精度高、生產(chǎn)速度快、適用于大批量生產(chǎn)的各種形狀小元件組合及成型微型零件熔接及組立的制造方法,提出本發(fā)明,其包括用修整線修整電極端面及所需直徑;用電極于底板上作出貫穿孔;再次修整電極端面;于電極上整出頸口;將電極穿過(guò)貫穿孔;微熔接該電極與底板;于頸口處扭斷電極;修整剩余電極的端面;用電極修平熔接平面。
文檔編號(hào)B23K26/00GK1315236SQ00103590
公開(kāi)日2001年10月3日 申請(qǐng)日期2000年3月31日 優(yōu)先權(quán)日2000年3月31日
發(fā)明者郭佳儱, 方仁宇, 吳英正, 鄭俊誠(chéng) 申請(qǐng)人:微邦科技股份有限公司