專利名稱：在激光微調(diào)電阻器期間降低熱電效應(yīng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
0003本發(fā)明涉及激光微調(diào)，且特別的是涉及解決因電阻器的激光微調(diào)期間所發(fā)生的熱電電位所造成的誤差。
背景技術(shù)：
0004電子工業(yè)利用激光系統(tǒng)來微調(diào)厚膜或者薄膜電阻器為相對是所需的電阻數(shù)值。Albin等人所著作的文章，標(biāo)題為“從測量觀點的激光電阻微調(diào)”，IEEE構(gòu)件、混合物與封裝期刊，第PHP-8冊第二號，1972年6月，其說明了使用微調(diào)薄膜電阻器的固態(tài)激光的測量議題與優(yōu)點。Swenson等人所著作的文章，標(biāo)題為“通過最佳化YAG激光輸出特性來降低薄膜電阻器的微調(diào)后的漂移”，IEEE構(gòu)件、混合物與制造技術(shù)期刊，1978年12月，其說明了使用綠色(532nm)固態(tài)激光高斯輸出來微調(diào)薄膜電阻器，以降低熱影響區(qū)域(HAZ)與微調(diào)后的漂移。
0005Sun與Swenson的美國專利第5,569,398、5,685,995以及5,808,272號說明諸如1.3微米的非傳統(tǒng)激光波長的使用，以微調(diào)薄膜或組件，在被動、作用、或者促動激光微調(diào)技術(shù)期間避免硅質(zhì)基片的損壞和/或縮短趨穩(wěn)(settling)時間。Swenson等人的美國專利第6,534,743號說明均勻激光光點在一般燒蝕非熱波長上的使用，以降低微裂縫、HAZ以及電阻溫度系數(shù)(TCR)的改變。
0006某些電阻器微調(diào)技術(shù)利用一種測量/預(yù)測微調(diào)測量處理，這是要以非切削的激光來測量電阻器的數(shù)值，并且之后預(yù)測要實施多少額外的激光微調(diào)行為才能達(dá)到所需的數(shù)值。在電阻器微調(diào)操作期間，此預(yù)測微調(diào)程序可以僅執(zhí)行一次，或者重復(fù)數(shù)次，而且由于必須容許電阻器穩(wěn)定提供所需的測量準(zhǔn)確度，因此相對較為緩慢。
0007某些電阻器微調(diào)技術(shù)利用一種尋跡微調(diào)或者連續(xù)微調(diào)處理。在典型的尋跡微調(diào)或連續(xù)微調(diào)的操作下，將電流或者電壓施加至電阻器待測組件(DUT)，并且在進(jìn)行這一電阻器的微調(diào)時監(jiān)測其電阻值。某些尋跡或者模擬微調(diào)與測量處理則會在每一個脈沖之后測量電阻器的數(shù)值。在這些技術(shù)中，一旦電阻器達(dá)到所需數(shù)值，激光脈沖便會停止。由于有更多的時間用來從事測量，因此測量/預(yù)測微調(diào)能夠更為準(zhǔn)確；然而，尋跡微調(diào)典型是更為快速，特別是當(dāng)測量趨穩(wěn)延遲最小化時。然而，當(dāng)未考慮到某些瞬時偏差效應(yīng)時，這種技術(shù)的準(zhǔn)確度便會受到限制。
0008激光微調(diào)處理會使電阻器的溫度上升。這種額外附加的熱會因為電阻器的TCR、激光感應(yīng)熱電動勢(EMF)以及由諸如賽貝克(Seebeck)與珀爾帖(Peltier)效應(yīng)所導(dǎo)致的電流而影響所測量的電阻值。通常能夠通過使用自動歸零的測量來修正測量上固定的偏移量。要修正由實際激光微調(diào)所致的偏移量更為困難，特別是針對低電阻數(shù)值而言。由于尋跡微調(diào)處理中加熱所致的瞬時效應(yīng)實際上無法克服，因此這些誤差修正更為困難。此外，低數(shù)值電阻器的熱效應(yīng)正比于用來測量跨于低數(shù)值電阻器的電阻值的電壓而變得更大。在高增益或臨界平衡電路、或者諸如具有小于或等于10歐姆的低歐姆電阻器下這些加熱效應(yīng)可能更為明顯。低歐姆電阻器經(jīng)常利用于電流感測應(yīng)用并充當(dāng)測量分流器，而其可能具有小于或者等于0.1歐姆的數(shù)值。
0009隨著所要微調(diào)的電阻器的歐姆數(shù)值更低，相較于電阻器的歐姆電壓，所感應(yīng)的熱(亦即，熱耦合)電壓可以變得更大。已經(jīng)觀測到了等效于0.1歐姆電阻器上由0.2安培所生成的電壓的數(shù)個百分比的熱電壓。

發(fā)明內(nèi)容
0010本發(fā)明的一個目的為通過解決伴隨著激光微調(diào)的熱電效應(yīng)所相關(guān)的不準(zhǔn)確性來輔助電阻器或者其它電氣組件的高速微調(diào)。
0011在一個實施例中，盡管沒有施加激勵源，然而因為激光加熱所引起的電壓偏差之重要性可以由仿真激光微調(diào)的激光脈沖的施加前后從事電壓測量來判斷。如果有明顯的熱電壓，則這些熱感應(yīng)電壓便會用來判斷電阻器的相對熱中性的切削位置，在該位置的熱感應(yīng)電壓會最小化或者接近零，以便在較為高速下執(zhí)行微調(diào)至數(shù)值的操作。能夠在該相對熱中性的位置上，微調(diào)相同橫列、縱行、薄板、或者批次的所有具有相同配置與相同所需參數(shù)的電阻器為所需數(shù)值，以在所微調(diào)的電阻器的最終、穩(wěn)態(tài)、所需電阻數(shù)值上實現(xiàn)相對較高的準(zhǔn)確度?？商娲氖?，能夠獨立地判斷相同橫列、縱行、薄板、或者批次中各個電阻器的相對熱中性位置，而且能夠單次執(zhí)行其判斷與微調(diào)行為，或者以分次實施其判斷與微調(diào)行為。
0012在另一個實施例中，將電流以及在某些狀況下的平衡電壓設(shè)定為零或者參考數(shù)值。之后，便能夠在微調(diào)操作期間的各個激光脈沖前后立即分別地進(jìn)行脈沖前(pre-pulse)以及脈沖后(post-pulse)的電壓測量。將脈沖前的電壓數(shù)值與上一個或者下一個脈沖前的電壓數(shù)值平均，以得到基線(baseline)電壓數(shù)值，之后則能夠?qū)⑵鋸拿}沖后的電壓數(shù)值減去，以得到熱偏差電壓數(shù)值。同樣也能夠在每一個激光脈沖之后從電阻器獲取所施加的電流下的測試電阻數(shù)值，并且將其與已經(jīng)調(diào)整用以補(bǔ)償熱偏差電壓數(shù)值所需的最終電阻數(shù)值相比較。當(dāng)測試電阻數(shù)值位于已調(diào)整所需的電阻數(shù)值范圍之內(nèi)時，停止電阻器的激光微調(diào)，并且在所要微調(diào)的下一個電阻器上重復(fù)其處理。這一實施例同樣也有助于得到在已微調(diào)電阻器的最終、穩(wěn)態(tài)、所需電阻數(shù)值上相對較高的準(zhǔn)確度。
0013在另一個實施例中，能夠順序地微調(diào)橫列或縱行中的空間上遠(yuǎn)離的電阻器，以最小化熱效應(yīng)，否則可能會致使鄰接或鄰近電阻器上電阻數(shù)值失真。
0014參照附圖通過以下優(yōu)選實施例的細(xì)節(jié)說明，額外的觀點與優(yōu)點將是顯見的。


0015圖1描繪一般電阻器，顯示電阻器不同區(qū)域上三個可供選擇的直進(jìn)切削。
0016圖2A描繪典型用來測量電阻器的電阻數(shù)值的探測位置。
0017圖2B描繪用來測量與電阻器相關(guān)聯(lián)的熱電壓的探測位置。
0018圖2C描繪用來測量與電阻器相關(guān)聯(lián)的熱電壓的可替代的探測位置。
0019圖2D描繪一組一般電阻器，顯示在各個電阻器的不同區(qū)域上三個可供選擇的直進(jìn)切削。
0020圖2E描繪一組成縱行及其被處理的一個示例性順序的一般電阻器。
0021圖2F為示例性的測量器系統(tǒng)的建立的簡化流程圖。
0022圖2G為示例性的測量器系統(tǒng)的測試?yán)泄ぷ鞯暮喕鞒虉D。
0023圖3為平均熱EMF為電阻器上的激光微調(diào)位置函數(shù)的示例圖。
0024圖4為熱電電壓為時間函數(shù)響應(yīng)于高低區(qū)域施加至電阻器的激光熱的示例圖。
0025圖5為在不同測量循環(huán)周期期間熱電電壓為時間函數(shù)響應(yīng)于施加至電阻器的激光熱的示例圖。
0026圖6為包括測試與測量的范例電阻器微調(diào)處理的簡化流程圖。
0027圖7為能夠用來提供執(zhí)行在此所述說的各種不同應(yīng)用所需激光輸出的范例激光微調(diào)系統(tǒng)的概要圖標(biāo)。
具體實施例方式
熱電實驗0028圖1描繪三種由一連串激光脈沖光點12在位于一般電阻器20的兩個導(dǎo)電墊16a與16b之間的電阻性材質(zhì)(典型為糊狀物或者薄膜)14上的不同區(qū)域或位置18a、18b以及18c(通稱為位置18)上所制成的可供選擇的直進(jìn)切削10a、10b以及10c。請參照圖1與2A，典型地將電阻器20a-20j組裝成以橫列22相互連接。圖2A以縱行的方向來描繪橫列22。測量探針24典型連接至一個探針卡(并未示出)，并且典型地被定位而接觸導(dǎo)電墊16或者可替代的測試墊(并未示出)，其提供跨于電阻器20的接觸點。
0029芯片電阻器典型以橫列和/或縱行的電阻器網(wǎng)絡(luò)形成于薄板之上。典型以縱行或橫列、或者縱行或橫列群組來微調(diào)電阻器，以將整個單次微調(diào)流程的產(chǎn)出量最大化，特別是針對2個端點(2T)的微調(diào)配置而言。
0030通常以四端點來從事低歐姆電阻值的測量，除了兩個力或電流引線之外，還有兩個為感測引線。在固定點上附加額外的感測引線，故而有助于凱氏(Kelvin)連接，消除來自電流引線的電壓降誤差。
0031然而，當(dāng)凱氏微調(diào)時，該薄板便可以轉(zhuǎn)動90度，以容納探針的接觸，以為補(bǔ)償測量輸入/輸出能力之用。例如，對2T測量而言，57個電阻器(縱行)0603將需要114個探針，而且相同方向上的凱氏測量將需要228個探針。通過轉(zhuǎn)動薄板90度，凱氏測量將僅需要78個探針。
0032電阻器的微調(diào)絕大多數(shù)皆實施為一種縱行處理。在橫列方向微調(diào)的范例中，順序地處理鄰接橫列22中的電阻器20a。在縱行方向微調(diào)的范例中，順序地處理橫列22中的鄰接電阻器20a、20b以及20c等等。在示例性的實際微調(diào)成數(shù)值的操作中，在可以測量初始電阻數(shù)值后，典型針對微調(diào)輪廓的任何一個給定的腳柱(leg)，監(jiān)視一個截止比較器，當(dāng)達(dá)到所需的電阻數(shù)值之時，便停止其微調(diào)行為。
0033雙直進(jìn)切削是微調(diào)輪廓的一種常見的類型，其中第一個切削或者“腳柱”10a被制作于電阻器20上，以促使其電阻數(shù)值在低于所需的最終電阻數(shù)值的預(yù)定微調(diào)數(shù)值之內(nèi)。之后則將第二個切削或者腳柱10c制作于電阻器20上，以促使其電阻數(shù)值成為最終電阻數(shù)值，而如果順利則會處于所需電阻數(shù)值可接受的偏差之內(nèi)。產(chǎn)業(yè)上的實務(wù)是設(shè)計兩個直進(jìn)切削10為位于電阻性材質(zhì)14相反的末端上，致使切削10看似為對稱的，并且盡可能在視覺上美化。
0034圖2A同樣也描繪典型或者一般用來測量典型的電阻器20f的歐姆電阻數(shù)值的探針位置。特別的是，將高強(qiáng)度(HF)與低強(qiáng)度(LF)探針24f與24g定位于電阻器20f正對的側(cè)邊之上，以提供所施加的電流或者電壓的路徑，而高感測(HS)與低感測(LS)探針24b與24j則定位于電阻器20f相反側(cè)邊上，而在末端與電阻器20f間隔開數(shù)個電阻器20。高感測(HS)與低感測(LS)探針24b與24j提供遠(yuǎn)離電阻器20f的遠(yuǎn)程測量點。
0035圖2B描繪定位于電阻器20f相反側(cè)邊上，而在末端與電阻器20f間隔開數(shù)個電阻器20的HS與LS探針24b以及24j，即如同用于與電阻器20f相關(guān)的熱電電壓的“遠(yuǎn)程感測”測量。
0036圖2C描繪定位于電阻器20f正對的側(cè)邊上的可供選擇的HS與LS探針24f與24g，即如同用于與電阻器20f相關(guān)的熱電電壓的“近端感測”測量。
0037請參照圖1、2B以及2C，在一個實驗中，基片上以55橫列及78縱行所排列的0402大小0.1歐姆的電阻器20在三個或者更多的微調(diào)位置10a、10b以及10c上分別以激光將其加熱，如圖1所示。將激光光點散焦，以便提供低于電阻性材質(zhì)的微調(diào)臨界的強(qiáng)度。熟知此技術(shù)者所知悉的其它激光加熱方法可能已經(jīng)用來提供等效的結(jié)果。
0038就在熱施加之前以及在激光射束傳播結(jié)束之前大約300微秒左右(或者在大多數(shù)明顯瞬時非熱或光電效應(yīng)減小之充分時間區(qū)間)，測量各個電阻器20的HS與LS探針之間的電壓。為方便起見，將電壓的改變表示為一種等同的電阻值改變百分比。在主體電阻器20從激光加熱冷卻之后，進(jìn)行另一項測量，以驗證電壓已經(jīng)返回至加熱之前所具有的數(shù)值(通常為零)。以用來測量熱電電壓的遠(yuǎn)程感測或者近端感測連接來實施個別的試驗。沒有電壓或者電流會透過探針24而施加至電阻器20。所收集的數(shù)據(jù)指示放置最靠近于中間的位置18b的切削10b會提供電阻性材質(zhì)14上最為多數(shù)的熱電電壓中性位置18。
0039在熱評估之前，同樣也以激光被關(guān)閉的情形來實施評估，其中并沒有熱會施加至電阻器20。沒有熱的測量會顯露出系統(tǒng)中的噪聲，并且充當(dāng)測量的可重復(fù)性的測試。將噪聲的測量平均，并且之后將其從激光脈沖施加期間所取得的測量值扣除。可替代的是，可以監(jiān)視其噪聲，并且對于每一單獨的電阻器將其扣除。
0040在另一個實驗中，以相似于典型用于單個電阻器微調(diào)的激光功率及速度，順序地從事諸如一個或者多個縱行的成組的電阻器20中的單一微調(diào)10。以截止比較器或者激光距離限制來監(jiān)視這些實際的微調(diào)10，以避免微調(diào)擴(kuò)展到電阻性材質(zhì)14的整個寬度而導(dǎo)致電阻器20發(fā)生故障。
0041圖2D敘述一組一般電阻器20a、20b、20c、20d...20n，顯示各個電阻器20不同區(qū)域上的直進(jìn)切削。在所要微調(diào)的各個連串的電阻器20中從接觸點16a算起逐漸加大的距離上制作第一個或者單個切削10的各個位置18。就在微調(diào)施加之前以及在激光射束傳播結(jié)束之后大約300微秒時，測量各個電阻器20的LS與HS探針間的電壓。為方便起見，將電壓的改變表示為一種等效的電阻值改變百分比。在主體電阻器20從激光加熱而后冷卻之后，進(jìn)行另一種測量，以驗證電壓已經(jīng)返回至加熱之前所擁有的數(shù)值(標(biāo)稱為零)。以被使用來測量熱電電壓的遠(yuǎn)程感測或者近端感測連接來實施分離試驗。沒有電壓或者電流會透過探針24施加至電阻器20。
0042圖3針對0402 0.1歐姆的芯片-R電阻器的電阻性材質(zhì)14的中間，顯示10-mJ激光能量尋跡(常態(tài)、連續(xù))微調(diào)的激光截止數(shù)值的熱電電壓平均效應(yīng)為微調(diào)位置的函數(shù)。此效應(yīng)的平均斜率為微調(diào)位置每微米變化0.017％。所測量到的最大與最小斜率是在于平均8％之內(nèi)。熱電效應(yīng)的差值在遠(yuǎn)距感測與近距感測測量技術(shù)之間大約是9％。此相對較低百分比的差值會引導(dǎo)出一種推論，導(dǎo)致已觀察到的效應(yīng)的熱電接面絕大多數(shù)是位于電阻器中，并且不會是在探針至墊的連接中。
0043圖4顯示單個電阻器中以0402 0.1歐姆的芯片-R電阻器上的10mJ激光能量響應(yīng)于切削10a與10c所產(chǎn)生的熱電電壓時間響應(yīng)。冷卻的電壓時間常數(shù)大約趨近于一毫秒。如同在激光進(jìn)行時能夠從電壓漣波所判斷的，激光脈沖速率為3.3kHz。
0044請參照圖1-4，熱電實驗中所得到的數(shù)據(jù)清楚地顯示所感測到的熱電電壓會依據(jù)電阻器20上的加熱位置18以及感測探針24的位置改變。電阻性材質(zhì)14中間的不同側(cè)邊上的加熱或切削會生成相反極性的熱電電壓。針對各種不同電阻器類型與大小也發(fā)現(xiàn)相似的傾向。所以，推論出各個電阻器20在電阻性材質(zhì)14上具有一個熱電電中性(voltage-neutral location)位置18，在此處可以執(zhí)行微調(diào)10，以將影響各個電阻器20上要執(zhí)行多少微調(diào)行為的電阻數(shù)值測定上的熱電電壓誤差最小化。然而，熟習(xí)技藝者將意識到各種類型、批次、和/或個別的電阻器20都可能具有偏離電阻性材質(zhì)14的正中間的熱電電中性位置18。
0045有鑒于之前的實驗，能夠判斷用來執(zhí)行電阻器20的微調(diào)10的最佳位置18將會最小化某TCR以及賽貝克(Seebeck)電熱效應(yīng)。在電阻器DUT 20的整個長度上，執(zhí)行或者模擬電阻器20的微調(diào)10能夠顯示熱電電壓的大小為微調(diào)位置18的函數(shù)。利用這一信息，便能夠判斷出用以微調(diào)電阻器20或者批次的電阻器20的最佳化位置18，以最小化常態(tài)微調(diào)程序期間的效應(yīng)。
0046在一個示例性實施例中，諸如步進(jìn)重復(fù)臺或者如后所述其它實施例的工件定位系統(tǒng)會將電阻器工件40移動至測試探針24將向下接觸墊16的位置。降低探針24的位置(亦即連接)至電阻器20，并且啟動測量系統(tǒng)，如圖2F的初始化的處理步驟60所指示的，其為測量系統(tǒng)的設(shè)定的簡化流程圖。
0047請參照圖2F，基于使用者所輸入的標(biāo)稱電阻數(shù)值來校正測量系統(tǒng)。經(jīng)由此校正，測量機(jī)板將具有適當(dāng)?shù)奈⒄{(diào)特殊電阻器20所需的硬件設(shè)定及范圍，如處理步驟62所指示的。
0048將通過電阻器DUT 20的激勵源(電流和/或電壓)設(shè)定為零，致使沒有任何電流會受迫而經(jīng)過電阻器20，即如處理步驟66所示。由于第一次關(guān)斷的測量會是一種無激勵源的電阻器20的測量，如圖2G的測量系統(tǒng)的測試處理程序簡化流程圖的處理步驟68所指示的，所以此設(shè)定導(dǎo)致接近零伏特(或者基線數(shù)值)的數(shù)值。
0049因此，請參照圖2F，當(dāng)如處理步驟78所指示地進(jìn)行激光切削或者加熱電阻器20時，便能夠通過就在激光啟動(處理步驟68)之前取得的電壓測量值以及在激光截止(處理步驟84)之后立即取得的電壓測量值之間的差異量(處理步驟86)來判斷歸因于激光加熱所導(dǎo)致的熱電電壓偏差。在短暫的時間之后，便可以進(jìn)行另一次的測量(第二次關(guān)斷的測量)，用以在微調(diào)開始之前，判斷電阻器20是否返回至其原來的電壓數(shù)值，以確保電阻器20并不會明顯地改變電阻和/或電壓數(shù)值。之后則在相同或者不同電阻器20的不同位置18上重復(fù)其處理，如之后根據(jù)處理步驟88以及返回箭號92所指示和描述的。
0050在某些實施例中，諸如激光功率的激光參數(shù)優(yōu)選地設(shè)定在不致產(chǎn)生電阻性材質(zhì)14的顯著移除和/或不致產(chǎn)生穩(wěn)態(tài)的模擬前電阻數(shù)值與穩(wěn)態(tài)的模擬后電阻數(shù)值之間明顯改變的處理窗之內(nèi)。然而，能夠以常態(tài)微調(diào)參數(shù)的激光，諸如功率與速度，來執(zhí)行評估求值?？梢詫⒓す饩劢够虿痪劢?。優(yōu)選地是調(diào)整微調(diào)長度，故而待測電阻器20不會切穿或者成開路的。能夠使微調(diào)長度在熱飽和發(fā)生之前適當(dāng)?shù)亟K止，以及可以諸如是電阻性材質(zhì)14寬度的四分之一或者大至一半。
0051能夠繪制熱感應(yīng)電壓跨于電阻性材質(zhì)14的表面區(qū)域所需的位置18。如在上述實驗中所論證的，根據(jù)微調(diào)10的實際位置18，其是否朝向電阻器20之上部或下部，或者根據(jù)縱行或橫列方向微調(diào)而為電阻器20的左邊或者右邊，便能夠判斷偏離原來數(shù)值的正與負(fù)電壓偏差量。因此能夠使用一系列從上至下具有不同位置18的仿真或?qū)嶋H微調(diào)10來判斷充分足夠的熱電壓偏差信息，以從事電阻器20上的相對熱中性位置18的定位，此處能夠執(zhí)行激光微調(diào)至數(shù)值的操作，致使經(jīng)由激光所產(chǎn)生的熱效應(yīng)最小化。
0052之后則能夠使用這一位置信息適當(dāng)?shù)卦O(shè)定單一腳柱微調(diào)10的位置18、或是多直進(jìn)切削或其它微調(diào)輪廓的第二個或者額外的腳柱微調(diào)10的位置18。能夠以某些方式來儲存位置信息，諸如CAD檔案，并且將其直接或者間接傳送至適當(dāng)?shù)目刂破骰蛘呒す馍涫鴤魉偷纳涫鴤魉筒考约肮ぜㄎ幌到y(tǒng)。如此的射束傳送部件可以包括而不受限于誤差修正部件、諸如電流計或其它快速導(dǎo)鏡(steering mirror)的快速定位組件、或者一個或多個AOM裝置。能夠類似誤差修正或與原來射束傳送數(shù)據(jù)整合地處置所需的位置信息。
0053能夠在所建立相對熱中性位置18上，將相同橫列22、縱行、薄板、或者批次中具有相同配置以及相同需求參數(shù)的所有電阻器20微調(diào)至數(shù)值，以實現(xiàn)所微調(diào)的電阻器20相對較高準(zhǔn)確度的最終、穩(wěn)態(tài)、所需的電阻數(shù)值。
0054在一個實施例中，多個模擬微調(diào)10，諸如3至50個仿真單一直進(jìn)類型的微調(diào)10，能夠跨于電阻器20進(jìn)行，即如圖1所描繪的。熟習(xí)技藝者將意識到所模擬的微調(diào)10能夠替代為雙直進(jìn)切削的輪廓；L-、J-或U-切削輪廓、或者其變體；蛇紋切削輪廓；局部區(qū)域或掃瞄切削輪廓；表面燒蝕輪廓；或者任何其它激光微調(diào)輪廓的類型或組合。在某些實施例中，所模擬的微調(diào)10可以執(zhí)行于單個電阻器20之上。
0055然而，所模擬的微調(diào)10可以執(zhí)行于一個或者多個橫列22或縱行中的一組相類似的電阻器20上，例如，假定所模擬的微調(diào)10執(zhí)行于成組的電阻器20的不同位置18上，諸如針對圖2D所展現(xiàn)的。例如，可以相同的模擬的微調(diào)輪廓來測試橫列22或縱行中各個電阻器20，而在些微不同的位置18上，則用以判斷薄板或者批次的所有電阻器20的最佳位置18。如此的組合其后可以是非鄰接的電阻器20，如同之后所要說明的。額外組合中的額外電阻器20同樣也能夠隨著需要測試額外不同位置18而進(jìn)行求值。
0056在另外的實施例中，單個由上至下的模擬線或者接點對接點的微調(diào)(垂直的直進(jìn)切削輪廓)可以用來判斷優(yōu)選的微調(diào)位置。如此的范例仿真微調(diào)以及評估求值處理可以執(zhí)行于縱行、薄板或者批次的相似電阻器20中的僅單個電阻器20上。可替代的是，如此的范例仿真微調(diào)以及評估求值處理可以執(zhí)行于每一個電阻器20之上、各縱行或薄板其中一個電阻器20之上、或者在適當(dāng)時間或數(shù)值區(qū)間的電阻器20之上。當(dāng)多數(shù)的電阻器20將被獨立評估求值時，在評估求值的運作中，在微調(diào)運作執(zhí)行于縱行或薄板中所有電阻器20之前，首先可以對電阻器20整個縱行或薄板進(jìn)行評估求值，致使于各個電阻器之間不需切換激光功率以及其它參數(shù)。然而，熟習(xí)技藝者將會意識到的是，在其后的電阻器20進(jìn)行評估求值以及處理之前，能夠?qū)λo定的電阻器20評估求值以及處理。可預(yù)見的是，對各個電阻器20進(jìn)行獨立評估求值用以最小化探針布置而言，一個或者多個縱行的評估求值可能提供最快速的方案。如同上述的，能夠以軟件或者硬件儲存優(yōu)選的微調(diào)位置18。
0057熟習(xí)技藝者將進(jìn)一步意識到的是，熱中性微調(diào)位置18的評估，不論是在單個或者是在多個電阻器上，都可通過測試其中一個或者多個預(yù)定數(shù)目電阻器20上的預(yù)定數(shù)量位置18，以其詳盡的方式進(jìn)行?？商娲氖牵?dāng)資料正在收集時，可以進(jìn)行評估，致使一旦熱中性位置18建立于所需的確定度之內(nèi)，便結(jié)束評估。例如，當(dāng)在單個電阻器20上多個位置18(諸如從上方位置18a至下方位置18c)進(jìn)行評估時，則一旦充分?jǐn)?shù)目的下方位置18c已經(jīng)評估完成，用以判斷熱中性位置18位于其上方時，即刻結(jié)束評估。類似的是，當(dāng)在不同位置18(諸如從上方位置18a至下方位置18c)上進(jìn)行多個電組器20的評估時，則在不同電阻器20上已經(jīng)評估完成充分?jǐn)?shù)目的下方位置18c，以判斷熱中性位置18位于先前所評估的下方位置18c的上方后，即刻結(jié)束額外的電阻器20的評估。
0058如同之前所探討的，同樣也可以關(guān)掉激光來測量仿真的微調(diào)，以監(jiān)視并且考慮測量系統(tǒng)之內(nèi)的噪聲。測量系統(tǒng)的輸出可以是正比于電阻或?qū)щ姸纫约半姾傻碾妷?，其中電壓的變化則為噪聲測量值。如果縮放率(亦即，增益)同于一般者，則其噪聲結(jié)果將具有相同于一般測量值的單位。此種方式的優(yōu)點(相較于觀測電阻讀數(shù)的變化)為電阻數(shù)值的補(bǔ)償為自動的?？梢允占肼晹?shù)值并且分別利用之，或者可以收集、平均以及整體利用之。
0059請再次參照圖2B與2C，同樣也可能受到測試導(dǎo)線(亦即，測量探針24以及連接至電阻器20的接線)的位置而影響測量數(shù)值。因而能夠調(diào)整探針位置，以最小化噪聲與變動或者由瞬時熱效應(yīng)所產(chǎn)生的誤差。在芯片-R微調(diào)的某些實施例中，諸如端點對端點連接的橫列22中的電阻器22的橫列方位微調(diào)可能是優(yōu)選的，致使感測探針的連接能夠移離受到激光加熱的電阻器20。“高”連接同樣也可以設(shè)置于相同端上，諸如所有電阻器20的“上”端，致使熱電效應(yīng)處于相同的方向，而且激光加熱行為所導(dǎo)致的偏差能夠更為一致并為可修正的。然而，熟習(xí)技藝者將會意識到的是，能夠?qū)⒏哌B接設(shè)置于“下”端，或者高連接能夠由上至下變動，特別是在倘若如此變動對增進(jìn)產(chǎn)出量變得有用的狀況下。用于測量的探針24同樣也可以位于探針卡的同一側(cè)，以最小化因?qū)Ь€所致的噪聲拾訊回路的尺寸。
0060請再次參照圖2A，一般的微調(diào)操作系以縱行的方式對空間上連續(xù)的電阻器20進(jìn)行微調(diào)，諸如55個芯片-R電阻器20。如果這些電阻器20以縱行方位的橫列22連接，則來自進(jìn)行微調(diào)操作的電阻器20a的熱也可能使下一個電阻器20b變熱，進(jìn)而影響其測試數(shù)值。類似的是，來自接受微調(diào)操作的電阻器20b的熱也可能使下一個電阻器20c變熱，等等諸如此類。
0061為了避免致使來自一個電阻器20a的熱因太過靠近其本身或者其探針24而影響下一個電阻器20b的測量，將電阻器20分組成為集合，該些集合可以有相等或者幾乎相等的電阻器20的數(shù)目。按順序微調(diào)該些集合，但內(nèi)含于各個集合中的電阻器20是處于縱行中不同或者非鄰接的位置。在某些實施例中，各個集合優(yōu)選地是包括接近橫列22或者縱行的上部、中間以及下部的電阻器20，致使例如將所要微調(diào)的集合中第一個電阻器20定位靠近上部，將所要微調(diào)的集合中第二個電阻器20定位靠近下部，而第三個電阻器則接近中間。該處理則以第二個集合第一個電阻器20在上部重復(fù)之，等等諸如此類。
0062圖2E描繪了以縱行中各個位置Ra-Ri順序設(shè)置的一組一般電阻器20a-20i的集合。請參照圖2E，用于如此九個電阻器20集合的示例性處理順序可以和位置Ra上的電阻器20a的處理一起開始。接著，可以按第二順序地處理位置Rd上的電阻器20d，可以按第三順序地處理位置Rg上的電阻器20g，可以按第四順序地處理位置Rb上的電阻器20b，可以按第五順序地處理位置Re上的電阻器20e，可以按第六順序地處理位置Rh上的電阻器20h，可以按第七順序地處理位置Rc上的電阻器20c，可以按第八順序地處理位置Rf上的電阻器20f，并且可以按第九順序地處理位置Ri上的電阻器20i。
0063熟習(xí)技藝者將會意識到的是，在激光射束遞送與材質(zhì)定位系統(tǒng)的觀測能力領(lǐng)域、或者其任何組件的觀測能力領(lǐng)域之內(nèi)，能夠以一種將處理速度最大化的方式來決定集合的數(shù)目或者其中所述電阻器20的數(shù)目。在其中之一范例實施例中，將電阻器20分組成為五個集合，致使電阻器20加熱或者微調(diào)的順序為1、34、12、45、23、2、35、13、46、24、3...，其中縱行方位的橫列22中的電阻器20是順序地設(shè)置為1、2、3...。
0064不同的間隔或者分組也能夠用來容納橫列22或者縱行中不同數(shù)目的電阻器20。熟習(xí)技藝者同樣也會意識到的是，非鄰接的電阻器的微調(diào)(或者序列跳躍的處理程序或1、4、2、5、3之處理程序)同樣也能夠用于橫列方位的處理，或者當(dāng)多個橫列22或縱行同時處理時利用之。例如，在縱行方位處理上，在定位設(shè)置以及遞送系統(tǒng)的觀測領(lǐng)域之內(nèi)，射束可以順序地處理可能位于不同橫列22的電阻器20。熟習(xí)技藝者將進(jìn)一步意識到的是，非鄰接電阻器的微調(diào)處理能夠與在此所公開的任何其它技術(shù)組合使用。
0065使用微調(diào)序列以及上述的連接方法，將電阻器20微調(diào)成為0.2％的標(biāo)準(zhǔn)偏差(對1％電阻器而言夠好)。使用雙直進(jìn)微調(diào)，而第二個直進(jìn)切削大約以電阻器20的位置18b為中心，而得到這些特定的結(jié)果。利用精確的熱中性位置18便能夠更進(jìn)一步地改善這些結(jié)果。所使用的連接方法的另一個特征為使得全凱氏連接的兩個感測導(dǎo)線在探針卡的相同側(cè)邊上，以最小化感應(yīng)耦合的噪聲。
0066請再次參照圖4，激勵被關(guān)斷下的讀數(shù)會隨著時間的函數(shù)出現(xiàn)變化，特別是倘若加熱行為是發(fā)生于遠(yuǎn)離熱中性位置18的情況。此測量的變動可能會影響并且?guī)碚`差在所微調(diào)的電阻數(shù)值的計算中，而最終會降低最后的電阻數(shù)值的準(zhǔn)確度，或者減少具有預(yù)定范圍內(nèi)的電阻數(shù)值的電阻器20的產(chǎn)出。
0067傳統(tǒng)的自動歸零測量具有兩個階段。以激勵啟動來獲取其中一個測量值，并且就在激勵關(guān)斷之后，立即取得另一個測量值。之后則彼此相減這些測量值，以抵償存在于測量機(jī)板上的任何偏移量。然而，基于圖4的發(fā)現(xiàn)，在激勵被關(guān)斷下的讀數(shù)會出現(xiàn)隨著時間(以及隨著距熱中性位置18的距離)而變化，所以測量數(shù)值會隨著時間增加或者減少。
0068為了修正這些誤差以及偏差，能夠?qū)崿F(xiàn)一種稱為“奇循環(huán)”自動歸零測量的新程序。在“奇循環(huán)”自動歸零測量中系取得三個讀數(shù)。在微調(diào)(或者測試微調(diào))執(zhí)行之前取得以激勵關(guān)斷的第一個測量值；取得以激勵啟動(于微調(diào)期間)的第二個測量值；以及再次取得以激勵關(guān)斷(在微調(diào)之后)的第三個測量值。由于各個測量之間的時間間隔為已知的，因此人們能夠內(nèi)插得到激勵關(guān)斷的測量數(shù)值應(yīng)該在的位置，以正確提供自動歸零測量，亦即內(nèi)插得到在激勵啟動下取得測量數(shù)值的時的基線數(shù)值。
0069在某些實施例中，能夠在最明顯的瞬時(熱與非熱)效應(yīng)縮小的充分時間區(qū)間后取得第三個測量值。如果實施如同前述的熱測試行為，則第三個測量值之前的延遲便能夠更為準(zhǔn)確地縮短至最小的時間區(qū)間，諸如圖4的圖示中與接近零點相關(guān)聯(lián)的時間，并且可以隨選地實施而不需確認(rèn)完全趨穩(wěn)。如果在熱中性位置18上實施微調(diào)行為，則在第三個測量值之前的時間區(qū)間同樣也能夠更進(jìn)一步地最小化。
0070圖5展示這一程序的范例，其中這些測量值以時間函數(shù)均勻地間隔，亦即在第一個與第三個測量值之間的時間中點上取得第二個測量值。如果變化的偏移量為線性的，則第一個與第三個測量值的平均值是在沒有激勵脈沖下提供在第二個“啟動”測量時測量到(基線)的數(shù)值所應(yīng)該是的一個接近的近似?？商娲氖?，能夠使用指數(shù)或某些其它函數(shù)來外插得到這一基線數(shù)值，以適應(yīng)例如是圖4中所見到的熱偏移之形狀。測量的時間區(qū)間會隨著不同的激光參數(shù)以及電阻器20不同類型、材料與種類而變化，也外插函數(shù)也會變化。
0071之后則能夠在自動歸零測量循環(huán)周期中，從第二個測量數(shù)值減去外插得到的基線數(shù)值，以提供第二個或者“啟動”測量值更為準(zhǔn)確的數(shù)值。由于能夠在激光脈沖后較短的延遲之后完成所需的準(zhǔn)確度測量值，故而如此的奇循環(huán)自動歸零測量程序允許微調(diào)處理以較為快速的速率進(jìn)行，亦即傳統(tǒng)的趨穩(wěn)時間能夠最小化。同樣也能夠使用所外插得到的數(shù)值來增強(qiáng)其準(zhǔn)確度，諸如用來設(shè)定截止比較器的數(shù)值。
0072圖6為一種示例性電阻器微調(diào)處理的簡化流程圖，包括測試以及測量。請參照圖6，在一般測試以及微調(diào)處理中，針對探針的位置和/或射束定位來排列工件40，并且使得探針24接觸電阻器20，如同處理步驟120所指示的。如果先前尚未完成，則將測量系統(tǒng)啟動初始化，如參照圖2F所探討的。
0073如同處理步驟122所指示的，設(shè)定諸如圖7中所說明的激光系統(tǒng)50以產(chǎn)生所需的激光輸出，并且實施測試行為，如同針對圖2D以及2G所探討的。微調(diào)測試可包括一種無脈沖模式，用以測試以及考慮系統(tǒng)的噪聲。如果測試多個電阻器20，則針對圖2E所說明的序列跳躍的程序便可以利用在測試程序期間。
0074如同處理步驟124所指示的，將激光系統(tǒng)設(shè)定為一種標(biāo)準(zhǔn)微調(diào)運作參數(shù)。諸如直進(jìn)切削10(或者如果加熱測試?yán)脤嶋H的微調(diào)行為，則為第二個直進(jìn)切削10)的微調(diào)輪廓系執(zhí)行于電阻器20的一個子集合(諸如縱行或薄板的電阻器20)上所建立的中性位置18。同樣也可以利用針對圖2E所說明的序列跳躍的程序以及針對圖5所說明的奇循環(huán)周期自動測量程序。
0075如同處理步驟126所指示的，分析電阻器20的子集合的微調(diào)結(jié)果，以判斷其電阻數(shù)值是否在公差之內(nèi)。如果此結(jié)果不符合產(chǎn)品的標(biāo)準(zhǔn)，則如同處理步驟128中所指示的，電阻器20會受到如同處理步驟124所述的后續(xù)的微調(diào)。如果此結(jié)果符合產(chǎn)品的標(biāo)準(zhǔn)，則微調(diào)薄板或者批次內(nèi)所剩余的電阻器20，如同處理步驟128所指示的。
0076請參照圖7，用于工件40上的電阻器微調(diào)(諸如包括厚膜與薄膜電阻器20的橫列22與縱行的晶圓)的激光系統(tǒng)50的一個實施例使用一種Q-開關(guān)、二極管泵浦(DP)、固態(tài)(SS)紫外線(UV)激光52。示例性的固態(tài)激光包括但不受限于Nd:YAG、Nd:YLF、或者Nd:YVO4。激光52可以提供主要是TEM00空間模式輪廓的諧波在諸如355nm(三倍頻率的Nd:YAG)、266nm(四倍頻率的Nd:YAG)、213nm(五倍頻率的Nd:YAG)波長所產(chǎn)生的激光脈沖或者輸出54。熟習(xí)技藝者將會意識到的是，可從其它所列激光得到其它波長和/或其諧波，并且能夠利用之，乃至于在大約0.2至12微米間的波長范圍內(nèi)的任何激光波長。
0077優(yōu)選的YLF波長包括349nm以及262nm。熟習(xí)技藝者同樣會意識到的是，大多數(shù)的激光52并不會放射出理想的高斯輸出54；然而，就方便起見，在此自由地使用高斯來描述激光輸出54的輻照(irradiance)輪廓。激光空腔的安排、諧波的產(chǎn)生以及Q-開關(guān)的操作對熟習(xí)技藝者而言乃是公知的。范例激光52的細(xì)節(jié)說明在Sun與Swenson的國際刊物第WO 99/40591號中。
0078雖然能夠利用其它的固態(tài)激光波長，諸如綠光(例如，532nm)或紅光(IR)(例如，1.06μm或1.32μm)，但由于UV激光波長具有降低微調(diào)后的漂移的燒蝕且相對非熱的本質(zhì)，因此對某些微調(diào)應(yīng)用而言則UV激光波長可能是優(yōu)選的。UV激光波長同樣也固有地在工件40表面上提供較小于利用相同場深度的IR或綠色激光波長所提供的光點尺寸。
0079激光脈沖54可以傳遞通過多樣而已知的光學(xué)裝置，包括順著射束路徑64所定位的射束放大器和/或放大準(zhǔn)直儀的透鏡組件56與58。激光脈沖54可以隨選地指向穿過一種塑形和/或成像系統(tǒng)70，以產(chǎn)生均勻的脈沖或輸出72，此輸出之后則通過一種射束定位系統(tǒng)74來指向之，致使輸出74的目標(biāo)透過掃瞄透鏡80而朝向在于工件40的影像平面上所需的激光目標(biāo)位置82。激光輸出72可以隨選地截去(削去)、聚焦與削去、塑形、或者塑形及削去。
0080成像系統(tǒng)70可以利用一種光圈屏蔽98，其定位于光學(xué)構(gòu)件90以及收集或準(zhǔn)直透鏡112之間并且位于或靠近光學(xué)構(gòu)件90所產(chǎn)生的射束中部的焦點。如此的光圈屏蔽98可以隨選地用來阻隔射束中任何不需的旁波瓣，以呈現(xiàn)出圓形或其它形狀的光點輪廓，其隨后便會成像于工件表面上。再者，變化光圈的尺寸便能夠控制光點輪廓的邊緣清晰度，以產(chǎn)生較小、較清晰邊緣的強(qiáng)度輪廓，此能夠用來增強(qiáng)準(zhǔn)直的準(zhǔn)確度。此外，光圈形狀能夠是準(zhǔn)確的圓形或者能夠改變成矩形、橢圓形、或者其它非圓形狀，此能夠有利地用于電阻器的微調(diào)行為。
0081屏蔽98可以包括適用于激光輸出54波長的材質(zhì)。如果激光輸出54為UV，則屏蔽98便可以諸如包括一種UV反射或UV-吸收的材質(zhì)，或者能夠由一種諸如UV-等級的熔融硅石或者涂敷著多層高UV-反射外層或其它抗UV外層的藍(lán)寶石的絕緣材質(zhì)所制作。屏蔽98的光圈可以隨選地向外閃光于其光線外出側(cè)。
0082光學(xué)構(gòu)件90可以包括聚焦的光學(xué)裝置或者射束塑形組件，諸如非球面的光學(xué)裝置、折射二元光學(xué)裝置、偏向二元光學(xué)裝置、或者繞射光學(xué)裝置。此中的某些或者全部可需或者不需光圈屏蔽98地利用之。在一個優(yōu)選實施例中，射束塑形組件包括一種繞射光學(xué)構(gòu)件(DOE)，其能夠執(zhí)行具有高效率與準(zhǔn)確度的復(fù)雜射束塑形行為。射束塑形組件不只會將高斯輻照輪廓變換成為一種接近均勻的輻照輪廓，而且同樣也會將已塑形的輸出94聚焦成為可判定或者特定的光點尺寸。設(shè)計已塑形的輻照輪廓94b以及規(guī)定的光點尺寸以便出現(xiàn)在光學(xué)構(gòu)件90下游的設(shè)計距離Z0上。雖然單一構(gòu)件的DOE乃是優(yōu)選的，然而熟習(xí)技藝者將會意識到DOE可以包括多個分離的構(gòu)件，諸如Dickey等人在美國專利第5,864,430號中所公開的相位板以及變換構(gòu)件。以上探討的塑形以及成像技術(shù)詳細(xì)地說明于Dunsky等人的美國專利第6,791,060號，再次以參考方式把其中相關(guān)的部分并入本文。
0083射束傳遞以及材質(zhì)定位系統(tǒng)74優(yōu)選地利用一種用于激光微調(diào)系統(tǒng)的傳統(tǒng)定位器。如此的定位系統(tǒng)74典型地具有一個或者多個移動工件40的階段。定位系統(tǒng)74能夠以一種重迭方式用來移動已塑形輸出118的激光光點，以順著所需微調(diào)路徑形成切口(kerf)10。能夠在伊雷克托科學(xué)工業(yè)股份有限公司之Model 2300、Model 4370、Model 2370、或者M(jìn)odel 2350激光微調(diào)系統(tǒng)中找到優(yōu)選的射束定位系統(tǒng)，其可從奧勒岡州波特蘭的伊雷克托科學(xué)工業(yè)股份有限公司購得。其它的定位系統(tǒng)能夠替代之，并且對激光習(xí)知技術(shù)之實施者而言乃是公知的。
0084包括有諸多上述系統(tǒng)組件的優(yōu)選激光系統(tǒng)50的其中一個范例系利用Model 5200激光系統(tǒng)之UV激光(355nm或者266nm)或者其它在奧勒岡州波特蘭的伊雷克托科學(xué)工業(yè)股份有限公司所制造的系列。然而，熟習(xí)技藝者將會意識到的是，任何一種其它的激光類型，特別而不受限于具有高斯射束強(qiáng)度輪廓(在所公開的成像或者塑形行為之前)、其它諸如IR的波長或者其它射束展開因子都能夠利用之。
0085射束傳遞以及材質(zhì)定位系統(tǒng)74同樣也可以利用一個或者多個用于射束定位或者電力控制的腔內(nèi)或者腔外AOM裝置100，這是通過美國專利申請案第11/138,662號中所說明的技術(shù)，且在此合并參考之。特別的是，隨選的AOM(s)100可以在所模擬的微調(diào)期間用來降低激光電力；進(jìn)行射束位置之調(diào)整，特別是針對優(yōu)選的微調(diào)位置18；以及在適當(dāng)?shù)臅r候用以阻隔激光脈沖。
0086激光系統(tǒng)50能夠用來產(chǎn)生具有典型電阻器微調(diào)窗的優(yōu)選參數(shù)的激光系統(tǒng)輸出114，其可以包括優(yōu)選為大約180nm與400nm之間或者高到超過1.3μm的波長；大于100mW的平均功率密度，而大于300mW優(yōu)選；大約5μm乃至大于50μm左右的光點尺寸直徑或者空間主軸；大于1kHz左右的重復(fù)率，大于5kHz左右或者甚大于50kHz優(yōu)選；短于100ns的短暫脈沖寬度，從大約40ns至90ns或者更短為優(yōu)選，或者優(yōu)選地短于10ns、1ns或25ps，或者可能低至大約1000飛秒(femtosecond)；大約1mm/sec至200mm/sec或者更快的掃描速度，大約10mm/sec至100mm/sec左右優(yōu)選，而大約10mm/sec至50mm/sec則最佳；以及大約0.1μm至20μm的適量大小，0.1μm至10μm為優(yōu)選，而0.1μm至5μm則為最佳。試圖針對防止熱或者其它非所要的損壞發(fā)生于支撐著電阻器20的基片上來選擇激光系統(tǒng)輸出114的優(yōu)選參數(shù)。熟習(xí)技藝者將會意識到這些輸出脈沖參數(shù)乃是相依的，并且受所需的效能所支配。
0087熟習(xí)技藝者同樣也會意識到到激光系統(tǒng)輸出114的光點區(qū)域優(yōu)選為圓形或者方形，但可用其它諸如橢圓以及矩形的簡單形狀，而若適當(dāng)選擇與所期望的屏蔽98光圈形狀共同運作的光學(xué)構(gòu)件90，則更為復(fù)雜的射束形狀也是可行的。優(yōu)選的激光微調(diào)光點面積，更特別是針對UV激光微調(diào)，直徑小于大約40μm為優(yōu)選，直徑小于大約20μm更好，而直徑小于大約15μm則最佳。熟習(xí)技藝者將會意識到的是，由于UV激光輸出的光點面積較小于傳統(tǒng)激光微調(diào)輸出的光點尺寸，并且由于均勻的輸出72允許切口10具有筆直的均勻障壁或邊緣，因而有較小的HAZ，所以電阻器20便能夠微調(diào)至較傳統(tǒng)切口微調(diào)技術(shù)可能容許公差更嚴(yán)格之容許公差。
0088在此所公開的微調(diào)技術(shù)能夠用于厚薄兩者的薄膜電阻器的處理應(yīng)用，其包括部分深度之微調(diào)。針對厚膜電阻器而言，特別是包括具有小于約200μm釕質(zhì)層高度或厚度的0402以及0201芯片電阻器的陶瓷上的釕氧化物，優(yōu)選的微調(diào)規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)為移除切口10內(nèi)的所有釕質(zhì)，而極微量穿入于陶瓷基片之中。這些期望的切口10乃是整齊的，致使陶瓷材質(zhì)均勻地暴露，而且切口10的底部為“白的”。如此的清除行為通常伴隨著陶瓷中故意的穿透至大約0.1μm至5μm左右的深度，而通常至少1μm。成像塑形的輸出118能夠提供這些的清除或者白的切口10，而不會產(chǎn)生明顯的細(xì)微裂縫。對在陶瓷上處理電阻器材質(zhì)而言，UV特別良好；然而，仍可以利用其它的波長。
0089雖然可以利用UV波長，然對利用均勻光點經(jīng)由硅質(zhì)基片來微調(diào)諸如鎳鎘(NiCr)、硅鎘(SiCr)、或者鉭氮化物(TaN)之材質(zhì)而言，特別是大約1.32μm左右的IR波長仍是優(yōu)選的波長，特別用來微調(diào)主動或者光電裝置以及在涵蓋功能性微調(diào)的應(yīng)用中。
0090熟習(xí)技藝者將會意識到的是，在此所公開的微調(diào)技術(shù)可以用于單個電阻器、電阻器數(shù)組(包括在snapstrates上的電阻器數(shù)組)、電壓調(diào)節(jié)器、電容器、電感器、或者其它需要微調(diào)操作的裝置。此外，微調(diào)技術(shù)能夠用于表面燒蝕微調(diào)或者其它的應(yīng)用，其中已成像塑形的輸出118并不會穿入基片的應(yīng)用，以及其中期望有基片穿入的應(yīng)用亦然。
0091當(dāng)進(jìn)行常態(tài)追蹤(亦即，模擬或者連續(xù))微調(diào)時，因熱電壓所致的分離誤差行為是困難的。通過在前述的兩個零電流測量之間進(jìn)行一個或者多個實際或者仿真激光微調(diào)，便能夠簡易地對因熱電壓所致的誤差進(jìn)行評估求值。上述熱測試的結(jié)果能夠用來輔助其后的微調(diào)布置。在此所說明的探針定位、微調(diào)次序、電阻值測量技術(shù)都可以用來增強(qiáng)產(chǎn)量和/或收益。在此所說明的各種不同的技術(shù)同樣也可以有助于較高速追蹤微調(diào)的使用，而不是較低速測量預(yù)測微調(diào)。
0092對熟習(xí)技藝者而言明顯的是，可以針對上述實施例的細(xì)節(jié)從事諸多改變，而不違反本發(fā)明基本的原理。所附權(quán)利要求僅僅是示例性的，而且應(yīng)該被視為公開的部分。
權(quán)利要求
1.一種利用激光輸出來微調(diào)電阻器的電阻器材質(zhì)以改變所述電阻器的初始電阻數(shù)值為標(biāo)稱電阻數(shù)值的方法，其中所述電阻器材質(zhì)具有定位于電氣接點之間的表面區(qū)域，并且其支承于一基片之上，其中施加至所述電阻器材質(zhì)的激光輸出在所述電阻器中感應(yīng)出熱電效應(yīng)，此熱電效應(yīng)導(dǎo)致所述電阻器呈現(xiàn)一種偏離在無激光輸出期間所測量到的電阻器真實和/或穩(wěn)態(tài)電阻數(shù)值的錯誤和/或瞬時電阻數(shù)值，致使所施加的激光輸出妨礙就在所施加的激光輸出之后真實和/或穩(wěn)態(tài)電阻數(shù)值的準(zhǔn)確測量值，一種用來降低激光感應(yīng)熱電效應(yīng)所致的電阻數(shù)值偏差的方法，其包括將測量設(shè)備的探針定位，與單個電阻器或者一組電阻器中各個電阻器相互通信；設(shè)定所述測量設(shè)備所施加的電流數(shù)值為一個參考或者零數(shù)值；導(dǎo)引激光輸出的各組一個或者多個評估求值脈沖沿著個別的仿真路徑，以將熱施加至單個電阻器或者各個電阻器的表面區(qū)域上不同的各個位置；在所述各組評估求值激光脈沖之后，測量跨于所述單個電阻器或者所述各個電阻器上的電壓數(shù)值，以得到所述各個不同位置中每一個的電壓偏差信息；使用所述電壓偏差信息來判斷所述各個電阻器的所述各個表面區(qū)域上的優(yōu)選位置，其呈現(xiàn)最小電壓偏差；以及沿著所述單個電阻器表面區(qū)域的所述優(yōu)選位置和/或所述電阻器組中的某些或全部電阻器的表面區(qū)域的所述優(yōu)選位置的微調(diào)路徑，導(dǎo)引激光輸出的微調(diào)脈沖，以移除其電阻器材質(zhì)，進(jìn)而改變其初始電阻數(shù)值為標(biāo)稱電阻數(shù)值，以降低因所述激光輸出所感應(yīng)的熱電電阻偏差。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中每一組評估求值脈沖包括單個激光脈沖。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述微調(diào)路徑包括一種直進(jìn)切削輪廓、L形切削輪廓、蛇紋切削輪廓、或者表面燒蝕輪廓。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述電阻材質(zhì)表面區(qū)域的不同位置上所執(zhí)行的仿真路徑實質(zhì)上是相同的。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述仿真路徑包括所述單個電阻器的一部份表面區(qū)域的光柵掃描。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述評估求值激光脈沖具有不足以致使電阻器材質(zhì)明顯移除的參數(shù)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述微調(diào)激光脈沖被施加于一種追蹤微調(diào)處理，其中在每個微調(diào)激光脈沖之后得到電阻測量數(shù)值，并將之與所需的電阻數(shù)值相比較，且當(dāng)所述電阻測量數(shù)值處于所需電阻數(shù)值的預(yù)定范圍之內(nèi)時，便停止所述微調(diào)激光脈沖的施加。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述微調(diào)激光脈沖被施加于一種預(yù)測微調(diào)處理中。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述電阻器包括芯片-R電阻器。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述電阻器包括低歐姆值的電阻器。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述電阻器具有小于或者等于0.1歐姆的所需電阻數(shù)值。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述電阻器包括四條導(dǎo)線。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述測量設(shè)備利用一種凱氏測量技術(shù)。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中真實的電阻數(shù)值處于所需的電阻數(shù)值0.1％之內(nèi)。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述優(yōu)選位置為所述接點之間相對熱平衡之處。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步地包括在所述各個優(yōu)選位置處理具有相似配置與規(guī)格的各個電阻器的多個橫列或縱行。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中產(chǎn)生波長在200nm與2,000nm之間的所述激光輸出。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述電阻器包括0402或者0201的芯片電阻器。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述基片包括一種陶瓷材質(zhì)。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述電阻器材質(zhì)包括一種厚膜電阻器材質(zhì)，此材質(zhì)則包括有釕氧化物。
21.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述電阻器材質(zhì)包括一種鎳鎘化合物或者鉭氮化化合物。
22.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述電阻器由基片中所形成的預(yù)鑄標(biāo)線所分離。
23.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述熱電效應(yīng)包括對電阻溫度系數(shù)的影響。
24.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述熱電效應(yīng)系包括賽貝克或emf效應(yīng)。
25.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步地包括在判斷所述電阻器上所述優(yōu)選位置之后，設(shè)定來自所述測量設(shè)備的所施加的電流數(shù)值為在導(dǎo)引微調(diào)脈沖于所述單個電阻器和/或任何各個電阻器之前所需的非零數(shù)值。
26.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在導(dǎo)引評估求值脈沖于所述電阻器之前，將所施加的平衡電壓數(shù)值設(shè)定為零或者一參考數(shù)值。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其中在導(dǎo)引微調(diào)脈沖于單個電阻器和/或任何各個電阻器之前，將所施加的平衡電壓數(shù)值設(shè)定為一個所需的數(shù)值。
28.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述評估求值激光脈沖在所述激光感應(yīng)熱電效應(yīng)已經(jīng)平息之后，會具有不足以致使所述單個電阻器和/或任何各個電阻器初始電阻數(shù)值明顯改變的參數(shù)。
29.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中通過所述測量設(shè)備探針的中繼來測量電壓數(shù)值，此測量設(shè)備遠(yuǎn)離于所要測量的電阻器。
30.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中每個電阻器針對其特定優(yōu)選位置進(jìn)行獨立評估。
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的方法，其中在所述電阻器組的任何一個被微調(diào)之前進(jìn)行每個電阻器的獨立評估。
32.根據(jù)權(quán)利要求30所述的方法，其中在其后的電阻器進(jìn)行評估之前進(jìn)行每個電阻器的獨立評估以及微調(diào)。
33.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述順序評估的電阻器是非鄰接的。
34.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述各個電阻器組包括一組某些或者全部連接的電阻器。
35.一種利用激光輸出來微調(diào)電阻器的電阻器材質(zhì)以改變所述電阻器的初始電阻數(shù)值為標(biāo)稱電阻數(shù)值的方法，其中所述電阻器材質(zhì)具有定位于電氣接點之間的表面區(qū)域，并且其支承于一基片之上，其中施加至所述電阻器材質(zhì)的激光輸出在所述電阻器中感應(yīng)出熱電效應(yīng)，此熱電效應(yīng)導(dǎo)致所述電阻器呈現(xiàn)一種偏離在無激光輸出期間所測量到的電阻器真實和/或穩(wěn)態(tài)電阻數(shù)值的錯誤和/或瞬時電阻數(shù)值，致使所施加的激光輸出妨礙就在所施加的激光輸出之后真實和/或穩(wěn)態(tài)電阻數(shù)值的準(zhǔn)確測量值，一種用來降低激光感應(yīng)熱電效應(yīng)所致的電阻數(shù)值偏差的方法，其包括將測量設(shè)備的探針定位與一個電阻器相互通信；設(shè)定所述測量設(shè)備所施加的電流數(shù)值為一個參考或者零數(shù)值；導(dǎo)引激光輸出的低功率脈沖沿著一個仿真路徑，以順序地將熱施加至所述電阻器材質(zhì)表面區(qū)域上的多個位置；在各個順序的激光脈沖組之后，重復(fù)測量跨于所述電阻器上的電壓數(shù)值，以得到所述多個位置中的某些或者全部的電壓偏差信息；使用此電壓偏差信息來判斷所述電阻器表面上呈現(xiàn)最小電壓偏差的優(yōu)選位置；以及沿著所述電阻器表面區(qū)域的所述優(yōu)選位置或在相同基片上或者同批次電阻器的任何各個電阻器的所述優(yōu)選位置的微調(diào)路徑，導(dǎo)引激光輸出的高功率脈沖，以從所述各個電阻器移除電阻器材質(zhì)，進(jìn)而改變其初始電阻數(shù)值為標(biāo)稱電阻數(shù)值，以降低因所述激光輸出所感應(yīng)的熱電電阻偏差。
36.一種利用激光輸出來微調(diào)電阻器的電阻器材質(zhì)以改變所述電阻器的初始電阻數(shù)值為標(biāo)稱電阻數(shù)值的方法，其中所述電阻器材質(zhì)具有定位于電氣接點之間的表面區(qū)域，并且其支承于一基片之上，其中施加至所述電阻器材質(zhì)的激光輸出在所述電阻器中感應(yīng)出熱電效應(yīng)，此熱電效應(yīng)導(dǎo)致所述電阻器呈現(xiàn)一種偏離在無激光輸出期間所測量到的電阻器真實和/或穩(wěn)態(tài)電阻數(shù)值的錯誤和/或瞬時電阻數(shù)值，致使所施加的激光輸出妨礙就在所施加的激光輸出之后真實和/或穩(wěn)態(tài)電阻數(shù)值的準(zhǔn)確測量值，一種用來降低激光感應(yīng)熱電效應(yīng)所致的電阻數(shù)值偏差的方法，其包括將測量設(shè)備之探針定位與一個電阻器相互通信；設(shè)定從所述測量設(shè)備至所述電阻器所要施加的電流數(shù)值為零或者一個參考數(shù)值；測量跨于所述電阻器的第一個脈沖前的電壓數(shù)值；將激光輸出的一個或者多個脈沖導(dǎo)引于所述電阻器的電阻器材質(zhì)上；測量跨于所述電阻器的脈沖后的電壓數(shù)值；測量跨于所述電阻器的第二個脈沖前的電壓數(shù)值；比較此脈沖后的電壓數(shù)值以及所述第一與第二脈沖前的電壓數(shù)值的函數(shù)，以建立熱電偏差信息；以及利用此熱電偏差信息來調(diào)整電阻數(shù)值的測量，以補(bǔ)償熱電偏差。
37.根據(jù)權(quán)利要求36所述的方法，其進(jìn)一步包括在測量所述脈沖后的電壓數(shù)值之后，設(shè)定所述測量設(shè)備所要施加的電流數(shù)值為所需的非零數(shù)值；在所施加的電流下測量電阻器的電阻數(shù)值；在測量第二個脈沖前的電壓數(shù)值之前，重新設(shè)定所述測量設(shè)備所要施加的電流數(shù)值為零或者一參考數(shù)值；以及比較所調(diào)整的電阻數(shù)值測量以及所需的電阻數(shù)值，以判斷所調(diào)整的電阻測量數(shù)值是否在于所需電阻數(shù)值之預(yù)定范圍之內(nèi)。
38.根據(jù)權(quán)利要求37所述的方法，其中脈沖與測量循環(huán)周期包括設(shè)定從所述測量設(shè)備至電阻器所要施加的電流數(shù)值為零或者一參考數(shù)值；測量跨于所述電阻器的一個脈沖前的電壓數(shù)值；將激光輸出脈沖導(dǎo)引于所述電阻器的電阻器材質(zhì)上；測量跨于所述電阻器的脈沖后的電壓數(shù)值；設(shè)定所述測量設(shè)備所要施加的電流數(shù)值為一個所需的非零數(shù)值；在所施加的電流下測量所述電阻器的電阻數(shù)值；比較所述脈沖后的電壓數(shù)值以及所述脈沖前的電壓數(shù)值與之前的脈沖前的電壓數(shù)值的函數(shù)，以建立熱電偏差信息；利用此熱電偏差信息來調(diào)整電阻數(shù)值的測量，以補(bǔ)償熱電偏差；以及比較所調(diào)整的電阻數(shù)值測量以及所需的電阻數(shù)值，以判斷所調(diào)整的電阻測量數(shù)值是否處于所需電阻數(shù)值的預(yù)定范圍之內(nèi)。
39.根據(jù)權(quán)利要求37所述的方法，其中脈沖與測量循環(huán)周期包括針對此脈沖與測量循環(huán)周期，測量跨于所述電阻器上的脈沖前的電壓數(shù)值；將激光輸出脈沖導(dǎo)引于所述電阻器的電阻器材質(zhì)上；測量跨于所述電阻器的脈沖后的電壓數(shù)值；設(shè)定所述測量設(shè)備所要施加的電流數(shù)值為一個所需的非零數(shù)值；在所施加的電流下測量所述電阻器的電阻數(shù)值；設(shè)定從所述測量設(shè)備至電阻器所要施加的電流數(shù)值為零或者一參考數(shù)值；針對其后的脈沖與測量循環(huán)周期，測量跨于所述電阻器上的脈沖前的電壓數(shù)值；比較所述脈沖后的電壓數(shù)值以及所述脈沖前的電壓數(shù)值的函數(shù)，以建立熱電偏差信息；利用此熱電偏差信息來調(diào)整電阻數(shù)值的測量，以補(bǔ)償熱電偏差；以及比較所調(diào)整的電阻數(shù)值測量以及所需的電阻數(shù)值，以判斷所調(diào)整的電阻測量數(shù)值是否處于所需電阻數(shù)值的預(yù)定范圍之內(nèi)。
40.根據(jù)權(quán)利要求36所述的方法，其進(jìn)一步包括每當(dāng)所調(diào)整的電阻測量數(shù)值低于并且不在所需電阻數(shù)值的所需范圍之內(nèi)，則施加額外的脈沖與測量循環(huán)周期；以及每當(dāng)所調(diào)整的電阻測量數(shù)值大于或者在于所需電阻數(shù)值的所需范圍之內(nèi)，則制止額外的脈沖與測量循環(huán)周期。
41.根據(jù)權(quán)利要求36所述的方法，其中沿著微調(diào)路徑所施加的激光脈沖包括一種直進(jìn)切削輪廓、L形切削輪廓、蛇紋切削輪廓、或者表面燒蝕輪廓。
42.根據(jù)權(quán)利要求36所述的方法，其中所述電阻器系包括芯片-R電阻器。
43.根據(jù)權(quán)利要求36所述的方法，其中電阻器包括0402或者0201的芯片電阻器。
44.根據(jù)權(quán)利要求36所述的方法，其中所述基片包括一種陶瓷材質(zhì)。
45.根據(jù)權(quán)利要求36所述的方法，其中所述電阻器材質(zhì)包括一種厚膜電阻器材質(zhì)，此材質(zhì)則包括有釕氧化物。
46.根據(jù)權(quán)利要求36所述的方法，其中所述電阻器材質(zhì)包括一種鎳鎘化合物或者氮化鉭化合物。
47.根據(jù)權(quán)利要求36所述的方法，其中所述電阻器包括低歐姆值的電阻器。
48.根據(jù)權(quán)利要求36所述的方法，其中所述電阻器系具有小于或者等于0.1歐姆的所需電阻數(shù)值。
49.根據(jù)權(quán)利要求36所述的方法，其中所述電阻器包括四條導(dǎo)線。
50.根據(jù)權(quán)利要求36所述的方法，其中所述測量設(shè)備利用一種凱氏測量技術(shù)。
51.根據(jù)權(quán)利要求36所述的方法，其中真實的電阻數(shù)值處于所需電阻數(shù)值0.1％之內(nèi)。
52.根據(jù)權(quán)利要求36所述的方法，其中產(chǎn)生波長在200nm與2,000nm之間的激光輸出。
53.根據(jù)權(quán)利要求36所述的方法，其中所述電阻器由所述基片中所形成的預(yù)鑄標(biāo)線所分離。
54.根據(jù)權(quán)利要求36所述的方法，其中當(dāng)所施加的電流數(shù)值設(shè)定為零或者一參考數(shù)值時，便將所施加的平衡電壓數(shù)值設(shè)定為零或者一參考數(shù)值。
55.根據(jù)權(quán)利要求54所述的方法，其中當(dāng)所施加的電流數(shù)值設(shè)定為一個所需的非零數(shù)值時，便將所施加的平衡電壓數(shù)值設(shè)定為一個所需的非零數(shù)值。
56.根據(jù)權(quán)利要求36所述的方法，其中通過所述測量設(shè)備的探針的中繼來測量電壓數(shù)值，此測量設(shè)備遠(yuǎn)離于所要測量的電阻器。
57.根據(jù)權(quán)利要求36所述的方法，其中所述順序微調(diào)電阻器是非鄰接的。
58.一種利用激光輸出來微調(diào)相似的各個電阻器橫列或者縱行中的電阻器所謂電阻器材質(zhì)以改變所述電阻器的初始電阻數(shù)值為標(biāo)稱電阻數(shù)值的方法，其中所述電阻器材質(zhì)具有定位于電氣接點之間的表面區(qū)域，并且其支承于一基片之上，其中施加至所述電阻器材質(zhì)的激光輸出會在鄰近電阻器中感應(yīng)出熱電效應(yīng)一段延長的時間區(qū)間，此則會導(dǎo)致鄰近電阻器呈現(xiàn)偏離在無激光輸出期間以及在所延長的時間區(qū)間之后所測量到的電阻器真實和/或穩(wěn)態(tài)電阻數(shù)值的錯誤和/或瞬時電阻數(shù)值，致使施加到所述電阻器的激光輸出會抑制在所述延長的時間周期的真實和/或穩(wěn)態(tài)電阻數(shù)值的準(zhǔn)確測量，一種用來降低由激光感應(yīng)熱電效應(yīng)所致的電阻數(shù)值偏差的方法，其包括將測量設(shè)備的探針定位與一個或多個橫列或縱行的電阻器相互通信；將激光輸出的脈沖導(dǎo)引以移除第一個電阻器的電阻器材質(zhì)，以改變其初始電阻數(shù)值為一個標(biāo)稱電阻數(shù)值；以及在所述延長的時間區(qū)間內(nèi)，將激光輸出的脈沖導(dǎo)引以移除非鄰接于所述第一個電阻器的第二個電阻器的電阻器材質(zhì)，以降低因施加至所述第一個電阻器的激光輸出所感應(yīng)的熱電電阻偏差。
59.根據(jù)權(quán)利要求58所述的方法，其中所述第一個與第二個電阻器位于相同的橫列或者縱行中。
60.根據(jù)權(quán)利要求58所述的方法，其中將橫列或者縱行中的電阻器分組成為空間上間隔的電阻器組，并且順序地微調(diào)所述電阻器組。
61.根據(jù)權(quán)利要求60所述的方法，其中每組都包括有至少三個電阻器。
62.根據(jù)權(quán)利要求61所述的方法，其中所述三個電阻器包括來自橫列或縱行的各個起始、中間以及末端部分的電阻器。
63.根據(jù)權(quán)利要求58所述的方法，其中第一組中的初始電阻器鄰接于第二組中的初始電阻器。
64.根據(jù)權(quán)利要求58所述的方法，其中沿著包括直進(jìn)切削輪廓、L形切削輪廓、蛇紋切削輪廓或者表面燒蝕輪廓的微調(diào)路徑來施加所述激光輸出。
65.根據(jù)權(quán)利要求58所述的方法，其中所述激光脈沖被施加于一種追蹤微調(diào)處理中，其中在每個激光脈沖之后得到電阻測量數(shù)值，并將其與所需的電阻數(shù)值相比較，且當(dāng)所述電阻測量數(shù)值處于所需電阻數(shù)值預(yù)定范圍之內(nèi)時，便停止所述激光脈沖的施加。
66.根據(jù)權(quán)利要求58所述的方法，其中所述激光脈沖被施加于一種預(yù)測微調(diào)處理中。
67.根據(jù)權(quán)利要求58所述的方法，其中所述電阻器包括芯片-R電阻器。
68.根據(jù)權(quán)利要求58所述的方法，其中電阻器包括0402或者0201的芯片電阻器。
69.根據(jù)權(quán)利要求58所述的方法，其中所述基片包括一種陶瓷材質(zhì)。
70.根據(jù)權(quán)利要求58所述的方法，其中所述電阻器材質(zhì)包括一種厚膜電阻器材質(zhì)，此材質(zhì)則包括有釕氧化物。
71.根據(jù)權(quán)利要求58所述的方法，其中所述電阻器材質(zhì)包括一種鎳鎘化合物或者氮化鉭化合物。
72.根據(jù)權(quán)利要求58所述的方法，其中所述電阻器包括低歐姆值的電阻器。
73.根據(jù)權(quán)利要求58所述的方法，其中所述電阻器具有小于或者等于0.1歐姆的所需電阻數(shù)值。
74.根據(jù)權(quán)利要求58所述的方法，其中所述電阻器包括四條導(dǎo)線。
75.根據(jù)權(quán)利要求58所述的方法，其中所述測量設(shè)備利用一種凱氏測量技術(shù)。
76.根據(jù)權(quán)利要求58所述的方法，其中真實的電阻數(shù)值處于所需電阻數(shù)值0.1％之內(nèi)。
77.根據(jù)權(quán)利要求58所述的方法，其中產(chǎn)生波長在200nm與2,000nm之間的所述激光輸出。
78.根據(jù)權(quán)利要求58所述的方法，其中所述電阻器由所述基片中所形成的預(yù)鑄標(biāo)線所分離。
全文摘要
通過進(jìn)行電壓測量來解決在電阻器(20)的激光微調(diào)期間所發(fā)生的熱電效應(yīng)。使用歸因于在低功率模擬微調(diào)(10)期間的電阻器(20)上激光加熱所導(dǎo)致的電壓來判斷電阻器(20)上的一相對熱中性的位置(18)。之后則能夠在所有類似的電阻器(20)上執(zhí)行微調(diào)至數(shù)值的操作。同樣也能夠在微調(diào)操作中的每一個脈沖前后進(jìn)行電壓測量，以建立能夠用來補(bǔ)償所需的微調(diào)數(shù)值的熱偏差信息，所需的微調(diào)數(shù)值可以與電阻器測量數(shù)值比較。同樣也能夠順序地微調(diào)橫列或者縱行中空間上間隔或者非鄰接的電阻器(20)，以最小化加熱效應(yīng)，否則該熱效應(yīng)可能會致使鄰接或者鄰近的電阻器(20)的電阻數(shù)值失真。
文檔編號B23K26/00GK101023500SQ200580030656
公開日2007年8月22日 申請日期2005年8月31日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月13日
發(fā)明者B·麥克倫, R·M·派爾松 申請人:電子科學(xué)工業(yè)公司