專(zhuān)利名稱(chēng)：In焊錫包覆銅箔帶狀導(dǎo)線及其連接方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于將安裝于玻璃基板上的電子裝置的導(dǎo) 體之間連接的In (銦)焊錫包覆(indium solder coated)銅
箔帶狀導(dǎo)線及其連接方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體零件等電子裝置安裝于印刷電路板或塑料樹(shù)脂基 板等除了玻璃基板以外的基板上的情況下，在連接該電子裝置 的電極和基板上的電路布線時(shí)、在連接上述電路布線和外部電 極時(shí)等，出于對(duì)環(huán)境問(wèn)題、基板材料、電極、電路布線等材料 的性質(zhì)以及生產(chǎn)率等的考慮，開(kāi)發(fā)出避免使用含鉛焊錫的、特 殊的焊錫材料以及釬焊方法。
對(duì)于上述半導(dǎo)體零件等電子裝置上的半導(dǎo)體裝置的電極和 基板上的電路布線的連接、上述電路布線和外部電極的連接有 如下方法使用含In的焊錫，利用超聲波壓焊法進(jìn)行固定而連 接導(dǎo)線之間的方法(例如，參照專(zhuān)利文獻(xiàn)l);使用含In的導(dǎo)電 性樹(shù)脂，利用超聲波工具對(duì)連接部位施加超聲波而進(jìn)行連接的 方法(例如，參照專(zhuān)利文獻(xiàn)2);使用含In的導(dǎo)電粘接劑，對(duì)連 接部位施加超聲波振動(dòng)而進(jìn)行連接的方法(例如，參照專(zhuān)利文 獻(xiàn)3)等。
另外，對(duì)于相同的半導(dǎo)體零件等電子裝置上的半導(dǎo)體裝置 的電極和基板上的電路布線的連接、上述電路布線和外部電極 的連接有如下方法使用在含錫的焊錫主體的表面包覆了 In的 焊錫進(jìn)行導(dǎo)體連接的方法；或是在上述電極、電路布線、外部 電極等的表面上包覆I n而不使用焊錫的焊錫壓焊固定的方法
(例如，參考專(zhuān)利文獻(xiàn)4。)，該方法中In和作為電路布線等材
料的Cu的接合強(qiáng)度較大，從而具有利用柔軟的In緩解因連接材 料之間的熱膨脹系數(shù)之差導(dǎo)致的變形的效果等。 專(zhuān)利文獻(xiàn)l:日本特開(kāi)平IO - 84055號(hào)乂〉報(bào) 專(zhuān)利文南史2:曰本凈爭(zhēng)開(kāi)2000 — 332373號(hào)7>凈艮 專(zhuān)利文南史3:曰本凈爭(zhēng)開(kāi)2002 — 76587號(hào)7>才艮 專(zhuān)利文獻(xiàn)4:再公表特許(WO97/00753 )號(hào)公報(bào) 本發(fā)明的對(duì)象是電子裝置、例如薄膜太陽(yáng)電池等，上述電 子裝置形成在玻璃基板上，其電極膜(或?qū)?或者導(dǎo)電膜(或 層)的材質(zhì)使用除了 Cu以外的Mo等金屬或ITO(透明導(dǎo)電膜)， 該膜(或?qū)?的厚度等極薄，機(jī)械強(qiáng)度較低，從而容易破損， 因此在與作為連接對(duì)象物的帶狀的鍍錫銅箔(帶狀導(dǎo)線)相連 接時(shí)，若利用采用了上述以往的焊錫的連接方法，難以不損傷 金屬背面電極層地可靠地固定上述金屬背面電極層和帶狀導(dǎo)線 兩者。
并且，上述專(zhuān)利文獻(xiàn)1 4中所述的半導(dǎo)體等電子裝置是安 裝于印刷電路板或者塑料樹(shù)脂基板等除了玻璃基板以外的基板 上的，在電極膜(或?qū)?或者導(dǎo)電膜(或?qū)?的材質(zhì)、該膜(或 層)的厚度以及機(jī)械強(qiáng)度方面有很大差異，難以將安裝于上述 除了玻璃基板以外的基板上的半導(dǎo)體等電子裝置的導(dǎo)體連接方 法直接轉(zhuǎn)用成安裝于本發(fā)明對(duì)象的玻璃基板上的電子裝置的導(dǎo)
體連^妄方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決了上述問(wèn)題點(diǎn)，其目的在于提供一種可通過(guò)降
低高價(jià)的In焊錫的使用量來(lái)降低生產(chǎn)成本、且可筒單且牢固地 進(jìn)行導(dǎo)體連接的I n焊錫包覆銅箔帶狀導(dǎo)線及其制造方法，并提
供一種在使用了上述In焊錫包覆銅箔帶狀導(dǎo)線或In焊錫的簡(jiǎn)
單且較少的工序中，不會(huì)損壞電極膜或者導(dǎo)電膜地可靠且牢固
地將兩者固定、利用柔軟的I n緩解因連接材料之間的熱膨脹系 數(shù)之差導(dǎo)致的變形的銅箔或者鍍錫銅箔帶狀導(dǎo)線的連接方法。
(1 )本發(fā)明是為了解決上述問(wèn)題點(diǎn)而做成的，其是一種 僅在長(zhǎng)條帶狀的銅箔或鍍錫銅箔的 一 面上包覆I n焊錫、或在一 面上包覆較厚In焊錫而在除了該 一 面之外的其他部分包覆較 薄的In焊錫而成的In焊錫包覆銅箔帶狀導(dǎo)線。
(2)本發(fā)明提供一種上述(1 )所述的In焊錫包覆銅箔帶 狀導(dǎo)線，上述長(zhǎng)條帶狀的銅箔或者鍍錫銅箔的厚度為300pm以 下，上述In焊錫的組成是由In以及Ag構(gòu)成，In占100~90重量％， Ag占10~0重量％，上述一面的In焊錫厚度為100iLim以下。
(3 )本發(fā)明提供一種上述(1 )或者(2 )所述的In焊錫 包覆銅箔帶狀導(dǎo)線，其用于連接CIS系薄膜太陽(yáng)電池電路(子 組件submodule)上的、上述CIS系薄膜太陽(yáng)電池電路彼此之 間或CIS系薄膜太陽(yáng)電池電路與其他電氣元件，該CIS系薄膜太 陽(yáng)電池電路是通過(guò)導(dǎo)電圖案將在玻璃基板上依次層疊金屬背面 電極層、堿性勢(shì)壘層、光吸收層、緩沖層、窗層(透明電極層) 而得到的CIS系薄膜太陽(yáng)電池器件電連接而成的，上述金屬背 面電極層由Mo構(gòu)成。
(4) 本發(fā)明提供一種上述(1 )或者(2)所述的In焊錫 包覆銅箔帶狀導(dǎo)線，其用于將在玻璃基板上設(shè)置有金屬電極以 及電子器件的電子裝置上的上述金屬電極與電子器件電連接、 或?qū)⑸鲜鼋饘匐姌O與外部電極電連接。
(5) 本發(fā)明提供一種In焊錫包覆銅箔帶狀導(dǎo)線的制造方 法，將長(zhǎng)條帶狀的銅箔或鍍錫銅箔自前端順次浸到熔融In焊錫 中之后，將銅箔或鍍錫銅箔自熔融In焊錫中抽出，用金屬刮刀
等焊錫除去部件除去(刮掉)粘附在上述銅箔下表面上的熔融 In焊錫，從而在上述銅箔或鍍錫銅箔的上表面或下表面中任意
一面上包覆有In焊錫。
(6)本發(fā)明提供一種In焊錫包覆銅箔帶狀導(dǎo)線的制造方 法，將長(zhǎng)條帶狀的銅箔或鍍錫銅箔自前端順次浸到熔融In焊錫 中，從而在上述帶狀的銅箔或鍍錫銅箔的周?chē)嫔习灿蠭n 焊錫，然后，將銅箔或鍍錫銅箔自上述熔融In焊錫中抽出，用 金屬刮刀等焊錫除去部件除去(刮掉)粘附在上述銅箔下表面 上的熔融In焊錫，使包覆在上表面上的In焊錫的厚度大于包覆 在下表面上的In焊錫的厚度。
(7 )本發(fā)明提供一種上述(5 )或者(6 )所述的In焊錫 包覆銅箔帶狀導(dǎo)線的制造方法，上述長(zhǎng)條帶狀的銅箔或鍍錫銅 箔的厚度為300^m以下，上述In焊錫的組成是由In以及Ag構(gòu) 成，In占100 90重量％, Ag占10 0重量0/0,上述一面的In焊錫 厚度為100pm以下。
(8 )本發(fā)明提供一種CIS系薄膜太陽(yáng)電池組件的銅箔帶狀 導(dǎo)線的連接方法，該方法用于連接CIS系薄膜太陽(yáng)電池電路(子 組件)彼此之間或CIS系薄膜太陽(yáng)電池電路與其他電氣元件之 間，該CIS系薄膜太陽(yáng)電池電路是通過(guò)導(dǎo)電圖案將在玻璃基板 上依次層疊金屬背面電極層、堿性勢(shì)壘層、光吸收層、緩沖層、 窗層(透明電極層)而得到的CIS系薄膜太陽(yáng)電池器件部電連 接而成的，上述金屬背面電極層由Mo構(gòu)成；其中，僅在長(zhǎng)條帶 狀的銅箔或鍍錫銅箔的一面上包覆In焊錫、或在一面包覆較厚 In焊錫而在除了該一面之外的其他部分包覆較薄的In焊錫，使 上述In焊錫包覆銅箔帶狀導(dǎo)線的包覆較厚一面的In焊錫包覆 面與金屬背面電極層相接觸地將上述In焊錫包覆銅箔帶狀導(dǎo) 線載置在露出來(lái)的金屬背面電極層上，將超聲波釬焊烙鐵壓接
到上述I n焊錫包覆銅箔帶狀導(dǎo)線的上表面上，使上述I n焊錫熔 融，從而將上述In焊錫包覆銅箔帶狀導(dǎo)線連接于上述金屬背面 電極層上。
(9) 本發(fā)明提供一種電子裝置的銅箔帶狀導(dǎo)線的連接方 法，該方法用于將在玻璃基板上設(shè)置有金屬電極以及電子器件 的電子裝置上的上述金屬電極與電子器件電連接、或?qū)⑸鲜鼋?屬電極與外部電極電連接，其中，僅在長(zhǎng)條帶狀的銅箔或鍍錫 銅箔的一面上包覆In焊錫、或在一面包覆較厚In焊錫而在除了 該 一 面之外的其他部分包覆較薄的I n焊錫，使上述銅箔帶狀導(dǎo) 線的包覆較厚一面的In焊錫包覆面與金屬背面電極層相接觸 地將上述銅箔帶狀導(dǎo)線載置在露出來(lái)的金屬背面電極層上，一 邊對(duì)超聲波釬焊烙鐵進(jìn)行加熱 一 邊將其壓接到上述I n焊錫包 覆銅箔帶狀導(dǎo)線的上表面上，使上述In焊錫熔融，從而將上述 In焊錫包覆銅箔帶狀導(dǎo)線連接于上述金屬背面電極層上。
(10) 本發(fā)明提供一種CIS系薄膜太陽(yáng)電池組件的銅箔帶 狀導(dǎo)線的連接方法，其用于連接CIS系薄膜太陽(yáng)電池電路(子 組件)彼此之間、或CIS系薄膜太陽(yáng)電池電路與其他電氣元件 之間，該CIS系薄膜太陽(yáng)電池電路是通過(guò)導(dǎo)電圖案將在玻璃基 板上依次層疊金屬背面電極層、堿性勢(shì)壘層、光吸收層、緩沖 層、窗層(透明電極層)而得到的CIS系薄膜太陽(yáng)電池器件部 電連接而成的，上述金屬背面電極層由Mo構(gòu)成，其中，預(yù)先在 露出來(lái)的金屬背面電極層上錫焊In焊錫，將長(zhǎng)條帶狀的銅箔或 鍍錫銅箔載置于該In焊錫層上，將超聲波釬焊烙鐵壓接到上述 帶狀的銅箔或鍍錫銅箔的上表面上，使上述In焊錫熔融，從而 將上述帶狀的銅箔或鍍錫銅箔連接于上述金屬背面電極層上。
(11 )本發(fā)明提供一種電子裝置的銅箔帶狀導(dǎo)線的連接方 法，其用于將在玻璃基板上設(shè)置有金屬電極以及電子器件的電
子裝置上的上述金屬電極與電子器件電連接、或?qū)⑸鲜鼋饘匐?極與外部電極電連接，其中，預(yù)先在露出來(lái)的金屬背面電極層
上錫焊I n焊錫，將長(zhǎng)條帶狀的銅箔或鍍錫銅箔載置于該I n焊錫
層上， 一邊對(duì)超聲波釬焊烙鐵進(jìn)行加熱一邊將其壓接到上述帶
狀的銅箔或鍍錫銅箔的上表面上，使上述In焊錫熔融，從進(jìn)將
上述帶狀的銅箔或鍍錫銅箔連接于上述金屬背面電極層上。
(12)本發(fā)明提供一種上述(8) ~ ( 11 )中任意一項(xiàng)所述 的CIS系薄膜太陽(yáng)電池組件或電子裝置的銅箔帶狀導(dǎo)線的連接 方法，上述長(zhǎng)條帶狀的銅箔或鍍錫銅箔的厚度為300夂im以下， 上述In焊錫的組成是由In以及Ag構(gòu)成，In占100~90重量％, Ag占10~0重量％，上述一面的In焊錫厚度為100pm以下。
采用本發(fā)明的In焊錫包覆銅箔帶狀導(dǎo)線、即僅在厚度為 300pm以下的長(zhǎng)條帶狀的銅箔或鍍錫銅箔的 一 面上包覆In焊 錫、或在一面上包覆較厚In焊錫而在除了該一面之外的其他部 分包覆較薄的In焊錫而成的In焊錫包覆銅箔帶狀導(dǎo)線，可以降 低高價(jià)的In焊錫的使用量，并且可以不損傷金屬背面電極層等 地將形成于玻璃基板上的金屬背面電極層、其他電極或?qū)щ娔?與In焊錫包覆銅箔帶狀導(dǎo)線可靠地固定連接起來(lái)，可以利用柔 軟的I n緩解因連接材料之間的熱膨脹系數(shù)之差導(dǎo)致的變形。
采用本發(fā)明的上述薄膜太陽(yáng)電池或其他電子裝置中的使用 了 In焊錫包覆銅箔帶狀導(dǎo)線的連接方法、即In焊錫包覆銅箔帶 狀導(dǎo)線的連接方法(方法l )可以不損傷金屬背面電極層地將In 焊錫包覆銅箔帶狀導(dǎo)線可靠地連接于金屬背面電極層(或其他 電極等)上。上述In焊錫包覆銅箔帶狀導(dǎo)線的連接方法(方法 1)是指僅在厚度為30(Vm以下的長(zhǎng)條帶狀的銅箔或鍍錫銅 箔的一面上包覆In焊錫、或在一面包覆較厚In焊錫而在除了該 一面之外的其他部分包覆較薄的In焊錫，上述In焊錫中In占
100 90重量％、 Ag占10 0重量0/。，從而做成In焊錫包覆銅箔帶 狀導(dǎo)線，使其In焊錫包覆面與金屬背面電極層相接觸地將該In 焊錫包覆銅箔帶狀導(dǎo)線載置在形成于玻璃基板上的、露出來(lái)的 金屬電極層上， 一邊對(duì)超聲波釬焊烙鐵進(jìn)行加熱一邊將其壓接 到上述In焊錫包覆銅箔帶狀導(dǎo)線的上表面上，使上述In焊錫熔 融，從而將上述In焊錫包覆銅箔帶狀導(dǎo)線連接于上述金屬背面 電極層(或其他電極等)上。
采用本發(fā)明的上述薄膜太陽(yáng)電池或其他電子裝置中的使用 了 In焊錫包覆銅箔帶狀導(dǎo)線的連接方法，即采用銅箔帶狀導(dǎo)線 的連接方法(方法l)可以不損傷金屬背面電極層地將銅箔或 鍍錫銅箔帶狀導(dǎo)線可靠地連接于金屬背面電極層(或其他電極 等)上。上述銅箔帶狀導(dǎo)線的連接方法(方法l )是指預(yù)先 在形成于玻璃基板上的、露出來(lái)的金屬電極層上釬焊In占 100 90重量％、 Ag占0 10重量o/o的In焊錫、在其上面載置厚度 為3 0 0 p m以下的長(zhǎng)條帶狀的銅箔或鍍錫銅箔， 一 邊對(duì)超聲波釬 焊烙鐵進(jìn)行加熱 一 邊將其壓接到上述帶狀的銅箔或鍍錫銅箔的 上表面上，使上述In焊錫熔融，從而將上述帶狀的銅箔或鍍錫 銅箔連接于上述金屬背面電極層(或其他電極等)上。
另外，方法l ( l個(gè)工序)的情況與方法2 ( 2個(gè)工序)的情 況相比，工序數(shù)量少、In焊錫的使用量也少，因此可以降低制 造成本，并可以不損失金屬背面電極層地更可靠且牢固地將上 述金屬背面電極層和帶狀導(dǎo)線連接起來(lái)。


圖l是本發(fā)明的In焊錫包覆銅(Cu)箔帶狀導(dǎo)線的概略結(jié)構(gòu)圖。
圖2是本發(fā)明的In焊錫包覆銅(Cu)箔帶狀導(dǎo)線的制造方
法的說(shuō)明圖。
圖3是本發(fā)明的In焊錫包覆銅(Cu)箔帶狀導(dǎo)線的連接方 法(方法1 )的說(shuō)明圖。
圖4是本發(fā)明的由銅箔或鍍錫銅箔構(gòu)成的帶狀導(dǎo)線的連接 方法(方法2 )的說(shuō)明圖。
附圖標(biāo)記i兌明
1、 In焊錫包覆銅(Cu)箔帶狀導(dǎo)線；2、銅(Cu)箔或 鍍錫銅(Cu)箔；3、 In焊錫；3A、熔融In焊錫；4A、玻璃基 板；4B、 Mo金屬背面電極層；4C、太陽(yáng)電池器件部；5、超聲 波釬焊烙鐵。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明涉及一種適合用于對(duì)安裝在玻璃基板上的電子裝 置、例如CIS系薄膜太陽(yáng)電池、Si系薄膜太陽(yáng)電池、液晶顯示
器面板、等離子顯示器面板等的電極膜(或?qū)?或者導(dǎo)電膜(或 層)與帶狀導(dǎo)線(銅箔或鍍錫銅箔帶狀導(dǎo)線)進(jìn)行導(dǎo)體連接的
In焊錫包覆銅箔帶狀導(dǎo)線及使用了該In焊錫或In焊錫包覆鍍 錫銅箔帶狀導(dǎo)線的導(dǎo)體連接方法。
由于上述電子裝置的電極膜(或?qū)?或者導(dǎo)電膜(或?qū)? 形成于玻璃基板上，因此，其材質(zhì)使用除了 Cu以外的Mo等金 屬或ITO (透明導(dǎo)電膜)，該膜(或?qū)?的厚度等極薄，機(jī)械強(qiáng) 度較低，從而容易破損。
因此，不能直接利用對(duì)安裝在除了玻璃基板以外的基板上 的電子裝置進(jìn)行導(dǎo)體連接所使用的焊錫、或使用了該焊錫的導(dǎo)
體連^妾方法。
因此，首先，選擇且開(kāi)發(fā)了適合于對(duì)安裝在玻璃基板上的 電子裝置、例如CIS系薄膜太陽(yáng)電池、Si系薄膜太陽(yáng)電池、液晶顯示裝置等的電極膜或?qū)щ娔づc帶狀導(dǎo)線(銅箔或鍍錫銅箔 帶狀導(dǎo)線)進(jìn)行導(dǎo)體連接的焊錫。
本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，最適于上述導(dǎo)體連接的In (銦)焊錫是In 占100~90重量％、 Ag占10 0重量0/0,優(yōu)選In占100 97重量％、 Ag占3 0重量％左右。
下面說(shuō)明第l技術(shù)方案的In焊錫包覆(銅箔或鍍錫銅箔) 銅箔帶狀導(dǎo)線。
如圖l所示，優(yōu)選在厚度為300)Lim以下、優(yōu)選150 160pm 左右的長(zhǎng)條帶狀的銅箔或鍍錫銅箔2的一面(上表面或下表面 中任意一面)上包覆了厚度為10(Vm以下、優(yōu)選40jLim左右的 上述In焊錫3 ( In占100~90重量％、 Ag占10 0重量0/。，優(yōu)選In 占100 97重量％、 Ag占3 0重量。/o左右)而成的In焊錫包覆鍍 錫銅箔帶狀導(dǎo)線l (參照?qǐng)Dl (c))。
但是，在上述In焊錫包覆銅箔帶狀導(dǎo)線1上包覆上述In焊 錫3時(shí)，也在上述鍍錫銅(Cu)箔2的除了上表面或下表面任意 一面以外的部分上包覆了 In焊錫3，因此如圖l (a)以及(b) 所示，即使是在銅箔或鍍錫銅箔2的上表面或下表面任意一面 上包4隻厚度為lOOiim以下(優(yōu)選40pm左右)的In焊錫、在其 他面上的In焊錫的包覆量(厚度)少于上述面的In焊錫包覆量 的I n焊錫包覆銅箔帶狀導(dǎo)線1在使用上也不會(huì)有問(wèn)題。
接著，下面說(shuō)明第2技術(shù)方案的In焊錫包覆銅箔帶狀導(dǎo)線1 的制造方法，該方法是僅在銅(Cu)箔或鍍錫銅(Cu)箔2的 一面上包覆In焊錫、或在一面包覆較厚的In焊錫而在除了該一 面以外的其他部分包覆較薄的In焊錫，上述一面的In焊錫(In 占100 90重量％、 Ag占0 10重量0/0, In優(yōu)選100 97重量0/。、 Ag優(yōu)選3 0重量Q/。左右)的厚度為100pni以下(優(yōu)選40pm左 右)。 如圖2所示，將上述厚度在300nm以下、優(yōu)選150 160jim 左右的長(zhǎng)條帶狀的銅箔或鍍錫銅箔2自前端順次浸到熔融I n焊 錫(In占100 90重量％、 Ag占0 10重量0/0) 3A中，從而在上 述帶狀的銅箔或鍍錫銅箔2的周?chē)嫔习灿蠭n焊錫3，然 后，將銅箔或鍍錫銅箔2自熔融In焊錫3A中抽出，利用金屬刮 刀H等焊錫除去部件除去(刮掉)粘附在上述銅箔2的下表面上 的熔融In焊錫3A,從而制作成了在上表面包覆有厚度為100pm 以下、伊乙選4(Him左右的ln焊4易3 ( In占100~90重量％、 Ag占 0 10重量％，優(yōu)選In占100~97重量％、 Ag占3 0重量。/o左右) 的I n焊錫包覆銅箔帶狀導(dǎo)線1 。
在上述銅箔或鍍錫銅箔2的 一 面上包覆了 In焊錫而成的In 焊錫包覆銅箔帶狀導(dǎo)線1,即使在上述焊錫除去工序中不能完 全除去粘附在下表面以及側(cè)面上的In焊錫3，稍微附著一些， 在使用上也沒(méi)有問(wèn)題。
通過(guò)如上所述地除去不需要的In焊錫3 ,降低高價(jià)的In焊 錫的使用量，能夠降低制造成本。
接著，下面說(shuō)明第3技術(shù)方案的使用了上述In焊錫包覆銅 箔帶狀導(dǎo)線1的對(duì)安裝在玻璃基板上的電子裝置的導(dǎo)體之間進(jìn) 行連接的連接方法。
作為安裝在玻璃基板上的電子裝置，以CIS系薄膜太陽(yáng)電 池組件的情況為實(shí)例進(jìn)行說(shuō)明。
在CIS系薄膜太陽(yáng)電池組件中形成有通過(guò)導(dǎo)電圖案電連接 CIS系薄膜太陽(yáng)電池器件部4C而成的CIS系薄膜太陽(yáng)電池電路 (子組件)，該CIS系薄膜太陽(yáng)電池器件部4C是在玻璃基板4A 上依次層疊金屬背面電極層、堿性勢(shì)壘層、光吸收層、緩沖層、 窗層(透明電極層)而成的，上述金屬背面電極層由Mo構(gòu)成， 為了將上述太陽(yáng)電池器件部4C彼此之間或?qū)⑻?yáng)電池器件部
4C與其他電氣元件連接起來(lái)，必須利用由銅箔或鍍錫銅箔2構(gòu) 成的帶狀導(dǎo)線進(jìn)行導(dǎo)體連接。本發(fā)明的導(dǎo)體之間的連接方法(方
法l),如圖3所示，僅在厚度為300ptm以下、優(yōu)選150 160iim 左右的長(zhǎng)條帶狀的銅箔或鍍錫銅箔2的 一 面上包覆In焊錫、或 在一面包覆較厚In焊錫而在除了該一面以外的其他部分上包 覆較薄的In焊錫(上述In焊錫中，In占100 90重量％、 Ag占 0 10重量％,優(yōu)選In占100~97重量％、 Ag占3~0重量％左右)， 從而做成上述一面的In焊錫厚度為100pm以下、優(yōu)選40)im左 右的In焊錫包覆銅箔帶狀導(dǎo)線l (參照?qǐng)Dl),使其In焊錫包覆 面3與金屬背面電極層4 B相接觸地將該I n焊錫包覆銅箔帶狀導(dǎo) 線l載置在露出來(lái)的Mo金屬電極層4B上，將超聲波釬焊烙鐵5 壓接到上述In焊錫包覆銅箔帶狀導(dǎo)線l的上表面而使上述In焊 錫3熔融，從而將上述In焊錫包覆銅箔帶狀導(dǎo)線l連接于上述金 屬背面電極層4B上。
另外，作為金屬背面電極層的材料，雖然例示了Mo,但也 可以應(yīng)用其他金屬材料。
利用上述導(dǎo)體之間的連接方法(方法l)可以不損傷金屬 背面電極層4B地、以低溫且簡(jiǎn)單的工序可靠且牢固地將In焊錫 包覆銅箔帶狀導(dǎo)線l連接于金屬背面電極層(或其它電極等) 4B上，并且，還能利用柔軟的In緩解因連接材料之間的熱膨脹 系數(shù)之差導(dǎo)致的變形。
另外，上述導(dǎo)體之間的連接方法(方法l)并不只限定于 CIS系薄膜太陽(yáng)電池組件的導(dǎo)體之間的連接，也可以用于在玻 璃基板上設(shè)置有金屬電極以及電子器件的電子裝置、S i系薄膜 太陽(yáng)電池、液晶顯示器面板、等離子顯示器面板、其他電子裝 置。
接著，下面說(shuō)明第4技術(shù)方案的使用了上述In焊錫包覆銅
箔帶狀導(dǎo)線l的對(duì)安裝在玻璃基板上的電子裝置的導(dǎo)體之間進(jìn) 行連接的另一連接方法(方法2)(作為安裝在玻璃基板上的電 子裝置，以CIS系薄膜太陽(yáng)電池組件為實(shí)例)。
如圖4所示，預(yù)先在露出來(lái)的金屬背面電極層4B上釬焊In 焊錫3(工序1),該ln焊錫3中In占100~90重量％、 Ag占0 10 重量％,優(yōu)選In占100~97重量％、 Ag占3 0重量。/。左右，在該 In焊錫層3上載置厚度為3001im以下、優(yōu)選150~ 160)1in左右的
長(zhǎng)條帶狀的銅箔或鍍錫銅箔2,將超聲波釬焊烙鐵5壓接到上述 銅箔或鍍錫銅箔2的上表面而使上述In焊錫3熔融，從而將上述 帶狀的銅箔或鍍錫銅箔2連接在上述金屬背面電極層4B上(工 序2 )。
利用上述導(dǎo)體之間的連接方法(方法2)，可以不損傷金屬 背面電極層4B地、以低溫且簡(jiǎn)單的工序可靠且牢固地將由銅箔 或鍍錫銅箔2構(gòu)成的帶狀導(dǎo)線連接在金屬背面電極層(或其它 電極等)4B上，并且還能利用柔軟的In緩解因連接材料之間的 熱膨脹系數(shù)之差導(dǎo)致的變形。
另外，上述導(dǎo)體之間的連接方法(方法2)并不只限定于 CIS系薄膜太陽(yáng)電池組件的導(dǎo)體之間的連接，也可以用于在玻 璃基板上設(shè)置有金屬電極以及電子器件的電子裝置、S i系薄膜 太陽(yáng)電池、液晶顯示器面板、等離子顯示器面板、其他電子裝 置。
在該導(dǎo)體之間的連接方法(方法2)中，增加了預(yù)先釬焊In 焊錫3的工序，因此，與上述導(dǎo)體之間的連接方法(方法l)相 比增多了工程數(shù)量。并且，方法l (參考圖3)在上述金屬背面 電極層與帶狀導(dǎo)線之間的緊固力方面也比較優(yōu)秀。
工業(yè)實(shí)用性
采用本發(fā)明的技術(shù)方案(1 ) ~ ( 12 ),可以降低高價(jià)的In
焊錫的使用量，并且可以不損傷金屬背面電極層等地、可靠地 將形成于玻璃基板上的金屬背面電極層、其他電極或?qū)щ娔づc
In焊錫包覆銅箔帶狀導(dǎo)線固定連接，可以利用柔軟的In緩解由
連接材料之間的熱膨脹系數(shù)之差導(dǎo)致的變形，在工業(yè)上的可利 用性極大。
權(quán)利要求
1.一種In焊錫包覆銅箔帶狀導(dǎo)線，其特征在于，僅在長(zhǎng)條帶狀的銅箔或鍍錫銅箔的一面上包覆In焊錫、或在一面包覆較厚In焊錫而在除了該一面之外的其他部分包覆較薄的In焊錫而成。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的In焊錫包覆銅箔帶狀導(dǎo)線，其特 征在于，上述長(zhǎng)條帶狀的銅箔或鍍錫銅箔的厚度為300)im以下， 上述In焊錫的組成是由In以及Ag構(gòu)成，In占100 90重量％、 Ag占10 0重量°/。，上述一面的In焊錫厚度為100(im以下。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l或者2所述的In焊錫包覆銅箔帶狀導(dǎo) 線，其特征在于，該In焊錫包覆銅箔帶狀導(dǎo)線用于連接CIS系 薄膜太陽(yáng)電池電路(子組件)上的、上述CIS系薄膜太陽(yáng)電池 電路彼此之間、或連接該CIS系薄膜太陽(yáng)電池電路與其他電氣 元件，該CIS系薄膜太陽(yáng)電池電路是通過(guò)導(dǎo)電圖案將在玻璃基 板上依次層疊金屬背面電極層、堿性勢(shì)壘層、光吸收層、緩沖 層、窗層(透明電極層)而得到的CIS系薄膜太陽(yáng)電池器件部 電連接而成的，上述金屬背面電極層由Mo構(gòu)成。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l或者2所述的In焊錫包覆銅箔帶狀導(dǎo) 線，其特征在于，該In焊錫包覆銅箔帶狀導(dǎo)線用于將在玻璃基 板上設(shè)置有金屬電極以及電子器件的電子裝置上的上述金屬電 極與電子器件電連接、或?qū)⑸鲜鼋饘匐姌O與外部電極電連接。
5. —種In焊錫包覆銅箔帶狀導(dǎo)線的制造方法，其特征在 于，將長(zhǎng)條帶狀的銅箔或鍍錫銅箔自前端順次浸到熔融In焊錫 中之后，將銅箔或鍍錫銅箔自熔融In焊錫中抽出，用金屬刮刀 等焊錫除去部件除去(刮掉)粘附在上述銅箔下表面上的熔融 In焊錫，從而在上述銅箔或鍍錫銅箔的上表面或下表面中任意 一面上包覆有In焊錫。
6. —種In焊錫包覆銅箔帶狀導(dǎo)線的制造方法，其特征在 于，將長(zhǎng)條帶狀的銅箔或鍍錫銅箔自前端順次浸到熔融In焊錫 中而將In焊錫包覆在上述帶狀的銅箔或鍍錫銅箔的周?chē)?上之后，將銅箔或鍍錫銅箔自上述熔融In焊錫中抽出，用金屬 刮刀等焊錫除去部件除去(刮掉)粘附在上述銅箔下表面上的 熔融In焊錫，使包覆在上表面上的In焊錫厚度大于包覆在下表 面上的In焊錫厚度。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5或者6所述的In焊錫包覆銅箔帶狀導(dǎo)線 的制造方法，其特征在于，上述長(zhǎng)條帶狀的銅箔或鍍錫銅箔的 厚度為3()0pm以下，上述In焊錫的組成是由In以及Ag構(gòu)成，In 占1()0~90重量％, Ag占10 0重量。/。，上述一面的In焊錫厚度為 100,以下。
8. —種CIS系薄膜太陽(yáng)電池組件的銅箔帶狀導(dǎo)線的連接 方法，該方法用于連接CIS系薄膜太陽(yáng)電池電路(子組件)彼 此之間、或連接該CIS系薄膜太陽(yáng)電池電路與其他電氣元件， 該CIS系薄膜太陽(yáng)電池電路是通過(guò)導(dǎo)電圖案將在玻璃基板上依 次層疊金屬背面電極層、堿性勢(shì)壘層、光吸收層、緩沖層、窗 層(透明電極層)而得到的CIS系薄膜太陽(yáng)電池器件部電連接 而成的，上述金屬背面電極層由Mo構(gòu)成，其特征在于，僅在長(zhǎng) 條帶狀的銅箔或鍍錫銅箔的 一 面上包覆In焊錫、或在 一 面包覆 較厚In焊錫而在除了該一面之外的其他部分包覆較薄的In焊 錫，使上述In焊錫包覆銅箔帶狀導(dǎo)線的包覆較厚 一 面的In焊錫 包覆面與金屬背面電極層相接觸地將該I n焊錫包覆銅箔帶狀 導(dǎo)線載置在露出來(lái)的金屬背面電極層上，將超聲波釬焊烙鐵壓 接到上述I n焊錫包覆銅箔帶狀導(dǎo)線的上表面上，使上述I n焊錫 熔融，從而將上述In焊錫包覆銅箔帶狀導(dǎo)線連接于上述金屬背 面電極層上。
9. 一種電子裝置的銅箔帶狀導(dǎo)線的連接方法，該方法用于 將在玻璃基板上設(shè)置有金屬電極以及電子器件的電子裝置上的 上述金屬電極與電子器件電連接、或?qū)⑸鲜鼋饘匐姌O與外部電 極電連接，其特征在于，僅在長(zhǎng)條帶狀的銅箔或鍍錫銅箔的一面上包覆In焊錫、或是在一面包覆較厚In焊錫而在除了該一面 之外的其他部分包覆較薄的In焊錫，使上述In焊錫包覆銅箔帶 狀導(dǎo)線的包覆較厚 一 面的In焊錫包覆面與金屬背面電極層相 接觸地將該In焊錫包覆銅箔帶狀導(dǎo)線載置在露出來(lái)的金屬背 面電極層上， 一邊對(duì)超聲波釬焊烙鐵進(jìn)行加熱一邊將其壓接到 上述In焊錫包覆銅箔帶狀導(dǎo)線的上表面上，使上述In焊錫熔 融，從而將上述In焊錫包覆銅箔帶狀導(dǎo)線連接于上述金屬背面 電極層上。
10. —種CIS系薄膜太陽(yáng)電池組件的銅箔帶狀導(dǎo)線的連接 方法，該方法用于連接CIS系薄膜太陽(yáng)電池電路(子組件)彼 此之間、或連接該CIS系薄膜太陽(yáng)電池電路與其他電氣元件， 上述CIS系薄膜太陽(yáng)電池電路是通過(guò)導(dǎo)電圖案將在玻璃基板上 依次層疊金屬背面電極層、堿性勢(shì)壘層、光吸收層、緩沖層、 窗層(透明電極層)而得到的CIS系薄膜太陽(yáng)電池器件部電連 接而成的，上述金屬背面電極層由Mo構(gòu)成，其特征在于，預(yù)先 在露出來(lái)的金屬背面電極層上釬焊In焊錫，將長(zhǎng)條帶狀的銅箔 或鍍錫銅箔載置在該In焊錫層上，將超聲波釬焊烙鐵壓接到上 述帶狀的銅箔或鍍錫銅箔的上表面上，使上述In焊錫熔融，從 而將上述帶狀的銅箔或鍍錫銅箔連接于上述金屬背面電極層 上。
11. 一種電子裝置的銅箔帶狀導(dǎo)線的制造方法，該方法用 于將在玻璃基板上設(shè)置有金屬電極以及電子器件的電子裝置上 的上述金屬電極與電子器件電連接、或?qū)⑸鲜鼋饘匐姌O與外部 電極電連接，其特征在于，預(yù)先在露出來(lái)的金屬背面電極層上 釬焊I n焊錫，將長(zhǎng)條帶狀的銅箔或鍍錫銅箔載置在該I n焊錫層 上， 一邊對(duì)超聲波釬焊烙鐵進(jìn)行加熱一邊將其壓接到上述帶狀 的銅箔或鍍錫銅箔的上表面上，使上述In焊錫熔融，從而將上 述帶狀的銅箔或鍍錫銅箔連接于上述金屬背面電極層上。
12.根據(jù)權(quán)利要求8 11中任一項(xiàng)所述的CIS系薄膜太陽(yáng)電 池組件或電子裝置的銅箔帶狀導(dǎo)線的連接方法，其特征在于， 上述長(zhǎng)條帶狀的銅箔或鍍錫銅箔的厚度為300fim以下，上述In 焊錫的組成是由In以及Ag構(gòu)成，In占100 90重量％， Ag占10 0 重量％，上述一面的In焊錫厚度為lOOiim以下。
全文摘要
本發(fā)明提供In焊錫包覆銅箔帶狀導(dǎo)線及其連接方法。該方法可無(wú)破損地、低成本、可靠且牢固地連接玻璃基板上的導(dǎo)體電極與帶狀導(dǎo)線，將僅在厚度為300μm以下的銅箔或鍍錫銅箔(2)的一面上包覆了厚度為100μm以下的In焊錫(3)、或在一面上包覆上述In焊錫(3)而除了該一面之外的其他面上包覆很少I(mǎi)n焊錫(3)(上述焊錫(3)中，In100～90％、Ag10～0％)而成的In焊錫包覆銅箔帶狀導(dǎo)線(1)載置在玻璃基板(4A)上的Mo金屬背面電極層(4B)的露出部上之后，將超聲波釬焊烙鐵(5)壓接到上述銅箔帶狀導(dǎo)線(1)的上表面上，使上述In焊錫(3)熔融，從而將上述銅箔帶狀導(dǎo)線(1)連接于上述電極層(4B)上。另外，也有這樣的方法預(yù)先在上述電極層(4B)上釬焊In焊錫(3)(與上述組成相同)之后，將帶狀的銅箔或鍍錫銅箔(2)載置到其上，利用超聲波釬焊烙鐵(5)將上述銅箔(2)連接于上述電極層(4B)上。
文檔編號(hào)B23K35/26GK101375412SQ20078000395
公開(kāi)日2009年2月25日 申請(qǐng)日期2007年1月30日 優(yōu)先權(quán)日2006年1月31日
發(fā)明者田澤健一 申請(qǐng)人:昭和硯殼石油株式會(huì)社