專利名稱：晶片的分割方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用切削刀具將晶片沿間隔道切斷從而分割為一個(gè)個(gè)器件 的晶片的分割方法，所述晶片形成為在半導(dǎo)體基板的表面上，通過層疊 絕緣膜和功能膜所成的層疊體而形成的器件被間隔道劃分開來。
背景技術(shù)：
如本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知的那樣，在半導(dǎo)體晶片制造工序中形成有 這樣的半導(dǎo)體晶片在硅等半導(dǎo)體基板的表面上，通過層疊絕緣膜和功
能膜所成的層疊體，而呈矩陣狀地形成了多個(gè)IC (Integrated Circuit:集 成電路)、LSI (large scale integration:大規(guī)模集成電路)等器件。如此形 成的半導(dǎo)體晶片的上述器件由稱為間隔道的分割預(yù)定線劃分開來，通過 沿該間隔道進(jìn)行分割，來制造出一個(gè)個(gè)器件。
沿此類半導(dǎo)體晶片的間隔道進(jìn)行的分割通常利用切削裝置來進(jìn)行。 該切削裝置具有保持作為被加工物的半導(dǎo)體晶片的卡盤工作臺(tái)；用于 切削在該卡盤工作臺(tái)上保持的半導(dǎo)體晶片的切削構(gòu)件；以及使卡盤工作 臺(tái)和切削構(gòu)件相對(duì)移動(dòng)的移動(dòng)構(gòu)件。切削構(gòu)件包括高速旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)主軸 和在該主軸上安裝的切削刀具。切削刀具由圓盤狀的基座和在該基座的 側(cè)面外周部安裝的環(huán)狀的切削刃構(gòu)成，切削刃通過將例如粒徑為3pm左 右的金剛石磨粒利用電鑄固定而形成。
近來，為了提高IC、 LSI等器件的處理能力，以下形式的半導(dǎo)體晶 片正被實(shí)用化在硅等半導(dǎo)體基板的表面上，通過層疊低介電常數(shù)絕緣
體覆膜(Low—k膜)以及形成電路的功能膜所成的層疊體，來形成器件， 其中所述低介電常數(shù)絕緣體覆膜(Low—k膜)由SiOF、 BSG (SiOB) 等無(wú)機(jī)物系的膜、或作為聚酰亞胺系、聚對(duì)二甲苯系等的聚合物膜的有 機(jī)物系的膜所構(gòu)成。
由于上述L0W — k膜與晶片的原材料不同，所以難以用切削刀具同 時(shí)進(jìn)行切削。即，由于Low — k膜如云母那樣非常脆，所以當(dāng)用切削刀具 沿間隔道切削時(shí)，Low—k膜會(huì)剝離，存在該剝離到達(dá)電路而對(duì)器件造成
致命的損傷的問題。
為解決上述問題，在下述專利文獻(xiàn)1中公開了這樣的晶片的分割方
法沿在半導(dǎo)體晶片上形成的間隔道來形成激光加工槽，將層疊體分割 開，并在該激光加工槽處定位切削刀具，使切削刀具和半導(dǎo)體晶片相對(duì) 移動(dòng)，從而沿間隔道切斷半導(dǎo)體晶片。
專利文獻(xiàn)l:日本特開2005—64231號(hào)公報(bào)
然而，通過通常所使用的具有聚光透鏡的聚光器而會(huì)聚的激光光線 的能量分布呈中心部強(qiáng)、越靠外側(cè)越弱的高斯分布。這樣，通過形成高 斯分布的激光光線加工而成的激光加工槽在側(cè)壁下部會(huì)產(chǎn)生加工殘余。 因此，由于考慮到該加工殘余需要形成間隔比切削刀具的厚度寬相當(dāng)量 的激光加工槽，所以必須增大在晶片上形成的間隔道的間隔。因此，間 隔道在晶片上所占的比例變大，存在生產(chǎn)率差的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于上述問題而完成，其主要目的是提供一種晶片的分割方 法，其可在不增大間隔道的間隔的情況下，將晶片分割成一個(gè)個(gè)器件， 所述晶片在硅等半導(dǎo)體基板的表面上，通過層疊絕緣膜和功能膜所成的 層疊體，而形成有多個(gè)器件。
為解決上述主要技術(shù)問題，根據(jù)本發(fā)明，提供一種晶片的分割方法， 其利用切削刀具將晶片沿間隔道切斷從而分割為一個(gè)個(gè)器件，所述晶片 形成為在半導(dǎo)體基板的表面上，通過層疊絕緣膜和功能膜所成的層疊體 而形成的器件被所述間隔道劃分開來，其特征在于，
所述晶片的分割方法包括以下工序-
激光加工槽形成工序，從所述晶片的所述層疊體側(cè)沿所述間隔道照 射激光光線，在所述層疊體上形成到達(dá)所述半導(dǎo)體基板的激光加工槽， 所述激光光線形成為外徑比所述切削刀具的寬度大、且比所述間隔道的
寬度小的環(huán)狀光斑；和
切斷工序，利用所述切削刀具將所述半導(dǎo)體晶片的所述半導(dǎo)體基板 沿在所述間隔道上形成的所述激光加工槽切斷。
本發(fā)明的晶片的分割方法，在激光加工槽形成工序中，從晶片的層 疊體沿間隔道照射激光光線，在層疊體上形成到達(dá)該半導(dǎo)體基板的激光 加工槽，所述激光光線形成為外徑比切削刀具的寬度大、且比所述間隔 道的寬度小的環(huán)狀光斑，所以激光加工槽的側(cè)壁相對(duì)于層疊體的加工面 (上表面)垂直地形成，因而在側(cè)壁下部不會(huì)產(chǎn)生加工殘余。因此，由 于不需要考慮加工殘余而增大激光加工槽的側(cè)壁間的寬度，所以可使在 晶片上形成的間隔道的寬度盡可能地小。


圖1是表示利用本發(fā)明的晶片的分割方法而分割的半導(dǎo)體晶片的立 體圖。
圖2是圖1所示的半導(dǎo)體晶片的剖面放大圖。
圖3是表示圖1所示的半導(dǎo)體晶片隔著切割帶支撐于環(huán)狀框架上的
狀態(tài)的立體圖。
圖4是用于實(shí)施本發(fā)明的晶片的分割方法中的激光加工槽形成工序
的激光加工裝置的主要部分立體圖。
圖5是簡(jiǎn)要地表示在圖4所示的激光加工裝置上裝備的激光光線照 射構(gòu)件的構(gòu)成的方框圖。
圖6是表示由圖5所示的激光光線照射構(gòu)件所照射的截面形狀形成 為環(huán)狀光斑的激光光線的能量分布的說明圖。
圖7是表示本發(fā)明的晶片的分割方法中的激光加工槽形成工序的說 明圖。
圖8是表示通過圖7所示的激光加工槽形成工序而在半導(dǎo)體晶片的 間隔道上形成的激光加工槽的半導(dǎo)體晶片的主要部分放大剖視圖。
圖9是用于實(shí)施本發(fā)明的晶片的分割方法中的切斷工序的切削裝置 的主要部分立體圖。
圖io是表示本發(fā)明的晶片的分割方法中的切斷工序的說明圖。 圖11是通過圖io所示的切斷工序切斷了半導(dǎo)體基板后的半導(dǎo)體晶
片的主要部分放大剖視圖。 標(biāo)號(hào)說明
2:半導(dǎo)體晶片；20:半導(dǎo)體基板；21:層疊體；211:激光加工槽; 22:器件；23:間隔道；3:環(huán)狀框架；30:保護(hù)帶；4:激光加工裝置; 41:激光加工裝置的卡盤工作臺(tái)；42:激光光線照射構(gòu)件；43;脈沖激 光光線振蕩構(gòu)件；44:輸出調(diào)整構(gòu)件；45:環(huán)狀光斑形成構(gòu)件；46:聚 光器；5:切削裝置；51:切削裝置的卡盤工作臺(tái)；52:切削刀具。
具體實(shí)施例方式
下面參照附圖來對(duì)本發(fā)明的晶片的激光加工方法更詳細(xì)地進(jìn)行說明。
圖1中表示了利用本發(fā)明的晶片的激光加工方法加工的作為晶片的 半導(dǎo)體晶片的立體圖，圖2中表示了圖1所示的半導(dǎo)體晶片的主要部分 放大剖視圖。圖1及圖2所示的半導(dǎo)體晶片2，在硅等半導(dǎo)體基板20的 表面上，通過層疊絕緣膜和形成電路的功能膜所成的層疊體21，而呈矩 陣狀地形成有多個(gè)IC (Integrated Circuit:集成電路)、LSI (large scale integration:大規(guī)模集成電路)等器件22。而且，各器件22通過形成為 格子狀的間隔道23被劃分開來。再有，在圖示的實(shí)施方式中，形成層疊 體21的絕緣膜由低介電常數(shù)絕緣體覆膜(Low—k膜)構(gòu)成，該低介電 常數(shù)絕緣體覆膜(Low—k膜)由SiOj莫或SiOF、 BSG (SiOB)等無(wú)機(jī) 物系的膜、或作為聚酰亞胺系、聚對(duì)二甲苯系等的聚合物膜的有機(jī)物系 的膜所構(gòu)成。
要沿間隔道23分割上述半導(dǎo)體晶片2時(shí)，就要將半導(dǎo)體晶片2如圖 3所示那樣粘貼到安裝于環(huán)狀框架3的切割帶30上。此時(shí)，半導(dǎo)體晶片 2使表面2a朝上并將背面?zhèn)日迟N在切割帶30上。
接著，實(shí)施這樣的激光加工槽形成工序從半導(dǎo)體晶片2的層疊體 21側(cè)沿間隔道23,照射形成為外徑比后述的切削刀具的寬度要大的環(huán)狀 光斑的激光光線，以在層疊體21上形成到達(dá)半導(dǎo)體基板20的激光加工 槽。該激光加工槽形成工序使用圖4及圖5所示的激光加工裝置4來實(shí) 施。圖4及圖5所示的激光加工裝置4具有保持被加工物的卡盤工作 臺(tái)41;和向保持于該卡盤工作臺(tái)41上的被加工物照射激光光線的激光光 線照射構(gòu)件42。卡盤工作臺(tái)41構(gòu)成為吸引保持被加工物，卡盤工作臺(tái) 41通過未圖示的移動(dòng)機(jī)構(gòu)，在圖4中箭頭X所示的加工進(jìn)給方向及箭頭 Y所示的分度進(jìn)給方向上移動(dòng)。
上述激光光線照射構(gòu)件42包括實(shí)質(zhì)上水平配置的圓筒形狀的殼體 421。在殼體421內(nèi)，如圖5所示配置有脈沖激光光線振蕩構(gòu)件43、輸出 調(diào)整構(gòu)件44以及環(huán)狀光斑形成構(gòu)件45。脈沖激光光線振蕩構(gòu)件43構(gòu)成 具有由YAG激光振蕩器或YV04激光振蕩器構(gòu)成的脈沖激光光線振蕩 器431;以及附設(shè)在脈沖激光光線振蕩器431上的重復(fù)頻率設(shè)定構(gòu)件432。 如此構(gòu)成的脈沖激光光線振蕩構(gòu)件43輸出截面形狀為圓形、例如直徑D 為2mm的脈沖激光光線LBa。上述輸出調(diào)整構(gòu)件44將從脈沖激光光線 振蕩構(gòu)件43振蕩出的脈沖激光光線的輸出調(diào)整為期望的輸出。所述脈沖 激光光線振蕩構(gòu)件43及輸出調(diào)整構(gòu)件44由未圖示的控制構(gòu)件控制。
上述環(huán)狀光斑形成構(gòu)件45在圖示的實(shí)施方式中由一對(duì)第一圓錐透 鏡451和第二圓錐透鏡452構(gòu)成。該環(huán)狀光斑形成構(gòu)件45使從脈沖激光 光線振蕩構(gòu)件43振蕩出、并由輸出調(diào)整構(gòu)件44調(diào)整為預(yù)定輸出的、截 面形狀為圓形的脈沖激光光線LBa成為截面形狀為環(huán)狀的脈沖激光光線 LBb。即，環(huán)狀光斑形成構(gòu)件45將直徑為2mm的脈沖激光光線LBa擴(kuò) 展成例如外徑Dl為10mm、內(nèi)徑D2為8mm的環(huán)狀脈沖激光光線LBb， 并形成為平行的光線。
在上述殼體421的前端部安裝有聚光器46。聚光器46具有方向轉(zhuǎn) 換鏡461和物鏡聚光透鏡462。方向轉(zhuǎn)換鏡461將通過上述環(huán)狀光斑形成 構(gòu)件45而形成為截面形狀為環(huán)狀的脈沖激光光線LBb朝向物鏡聚光透鏡 462進(jìn)行方向轉(zhuǎn)換。物鏡聚光透鏡462使通過方向轉(zhuǎn)換鏡461進(jìn)行了方向 轉(zhuǎn)換的脈沖激光光線LBb會(huì)聚，并以光斑S照射向保持在上述卡盤工作 臺(tái)41上的被加工物。該光斑S的截面形狀如夸張地表示那樣形成為外徑
為dl、內(nèi)徑為d2的環(huán)狀。這里，關(guān)于形成為外徑為dl、內(nèi)徑為d2的環(huán) 狀截面形狀的光斑S的脈沖激光光線LBb的能量分布，參照?qǐng)D6來進(jìn)行 說明。如圖6所示，形成為截面為環(huán)狀的光斑S的脈沖激光光線LBb的 能量分布為，外周部最強(qiáng)，越靠近內(nèi)周部越弱。因此，在利用脈沖激光 光線LBb進(jìn)行加工時(shí)，在環(huán)狀的光斑S的外周部加工最大。而且，環(huán)狀 的光斑S的外徑dl和內(nèi)徑d2之間的關(guān)系優(yōu)選為0.5^(dl-d2)/dl。此外， 環(huán)狀的光斑S的外徑dl設(shè)定為比后述的切削刀具的厚度要大，且比在半 導(dǎo)體晶片2上形成的間隔道23的寬度要小的尺寸，但優(yōu)選為 100nm^dl230(im。
圖示的激光加工裝置4如圖4所示那樣具有攝像構(gòu)件47，該攝像構(gòu) 件47安裝在構(gòu)成上述激光光線照射構(gòu)件42的殼體421的前端部。該攝 像構(gòu)件47對(duì)保持在卡盤工作臺(tái)41上的被加工物進(jìn)行攝像。攝像構(gòu)件47 由光學(xué)系統(tǒng)及攝像元件(CCD)等構(gòu)成，其將拍攝到的圖像信號(hào)發(fā)送向 未圖示的控制構(gòu)件。
參照?qǐng)D4、圖7及圖8來對(duì)使用上述激光加工裝置4實(shí)施的激光加 工槽形成工序進(jìn)行說明。
關(guān)于該激光加工槽形成工序，首先在上述圖4所示的激光加工裝置 4的卡盤工作臺(tái)41上裝載半導(dǎo)體晶片2，并在該卡盤工作臺(tái)41上吸附保 持半導(dǎo)體晶片2。此時(shí)，半導(dǎo)體晶片2將切割帶30側(cè)裝載于卡盤工作臺(tái) 41上。因此，半導(dǎo)體晶片2保持成使表面2a朝上側(cè)。再有，在圖4中， 雖然省略表示了安裝有切割帶30的環(huán)狀框架3，但環(huán)狀框架3由在卡盤 工作臺(tái)41上配置的未圖示的夾緊器固定。
如上所述吸引保持有半導(dǎo)體晶片2的卡盤工作臺(tái)41,通過未圖示的 加工進(jìn)給構(gòu)件移動(dòng)到攝像構(gòu)件47的正下方。當(dāng)卡盤工作臺(tái)41位于攝像 構(gòu)件47的正下方時(shí)，通過攝像構(gòu)件47及未圖示的控制構(gòu)件來執(zhí)行檢測(cè) 半導(dǎo)體晶片2的應(yīng)進(jìn)行激光加工的加工區(qū)域的校準(zhǔn)作業(yè)。即，攝像構(gòu)件 47及未圖示的控制構(gòu)件執(zhí)行圖案匹配等圖像處理，以完成激光光線照射 位置的校準(zhǔn)，所述圖案匹配等圖像處理用于進(jìn)行在半導(dǎo)體晶片2的預(yù)定 方向上形成的間隔道23與沿間隔道23照射激光光線的激光光線照射構(gòu)件42的聚光器46的對(duì)位。此外，對(duì)于在半導(dǎo)體晶片2上形成的與上述 預(yù)定方向成直角地延伸的間隔道23，也同樣地完成激光光線照射位置的 校準(zhǔn)。
如上述那樣檢測(cè)在保持于卡盤工作臺(tái)41的半導(dǎo)體晶片2上形成的間 隔道23，進(jìn)行激光光線照射位置的校準(zhǔn)，然后，如圖7所示那樣，使卡 盤工作臺(tái)41移動(dòng)到照射激光光線的激光光線照射構(gòu)件42的聚光器424 所在的激光光線照射區(qū)域，并將預(yù)定的間隔道23定位于聚光器46的正 下方。此時(shí)，如圖7 (a)所示，半導(dǎo)體晶片2被定位成間隔道23的一端 (在圖7 (a)中為左端)位于聚光器46正下方。接著，從激光光線照射 構(gòu)件42的聚光器46對(duì)層疊體21照射具有吸收性的脈沖激光光線，并同 時(shí)使卡盤工作臺(tái)41在圖7 (a)中箭頭X1所示的方向上以預(yù)定的加工進(jìn) 給速度移動(dòng)。然后，如圖7 (b)所示，在間隔道23的另一端(在圖7中 為右端)到達(dá)聚光器46的正下方位置之后，停止脈沖激光光線的照射， 并且停止卡盤工作臺(tái)41的移動(dòng)。在該激光加工槽形成工序中，使脈沖激 光光線的聚光點(diǎn)P對(duì)準(zhǔn)于間隔道23的表面附近。
其結(jié)果為，在半導(dǎo)體晶片10的層疊體21上，通過形成為上述環(huán)狀 截面形狀的光斑S的脈沖激光光線LBb，如圖8所示形成了到達(dá)半導(dǎo)體 基板20的激光加工槽211。這樣，形成激光加工槽211的具有環(huán)狀截面 形狀的光斑S的脈沖激光光線LBb,如圖6所示構(gòu)成外周部最強(qiáng)的能量 分布，所以激光加工槽211的側(cè)壁相對(duì)于層疊體21的加工面(上表面) 垂直地形成。這樣，由于脈沖激光光線LBb的環(huán)狀的光斑S的外徑dl 如上述那樣設(shè)定成比后述的切削刀具的厚度要大、且比在半導(dǎo)體晶片10 上形成的間隔道23的寬度要小的尺寸，所以在間隔道23上形成的激光 加工槽211的兩側(cè)壁間的寬度E形成為比后述的切削刀具的厚度大。再 有，由于沿間隔道23形成的激光加工槽211的側(cè)壁相對(duì)于層疊體21的 加工面(上表面)垂直地形成，所以在側(cè)壁下部不會(huì)產(chǎn)生加工殘余，因 而不需要考慮加工殘余而增大激光加工槽211的側(cè)壁間的寬度E。因此， 可使在半導(dǎo)體晶片10上形成的間隔道23的寬度盡可能地小。這樣對(duì)在 半導(dǎo)體晶片2上形成的所有間隔道23實(shí)施上述的激光光線照射工序。
上述激光加工槽形成工序的加工條件例如如下述那樣設(shè)定。
激光光線的光源YV04激光器或YAG激光器
波長(zhǎng) 355nm
輸出 4 10W
重復(fù)頻率 10 100kHz
光斑直徑(外徑)30 100pm
加工進(jìn)給速度 50 200mm/秒
再有，上述激光加工槽形成工序中的脈沖激光光線LBb的環(huán)狀的光 斑S的每1脈沖的能量密度優(yōu)選為5.7J/cr^以上。此外，在上述激光光 線照射工序中為了使形成的激光加工槽211的兩側(cè)壁形成為平面狀，只 要減慢加工進(jìn)給速度即可，但生產(chǎn)率方面成為問題。因此，在將脈沖激 光光線的重復(fù)頻率設(shè)為H (Hz)，將加工進(jìn)給速度設(shè)為X (pm/秒)，將環(huán) 狀的光斑S的外徑設(shè)為dl (pin)的情況下，優(yōu)選將加工進(jìn)給速度及脈沖 激光光線的重復(fù)頻率設(shè)定成滿足X/H^).ldl。
在如上述那樣對(duì)在半導(dǎo)體晶片2上形成的所有間隔道23實(shí)施了上述 激光加工槽形成工序之后，實(shí)施用切削刀具將半導(dǎo)體晶片2的半導(dǎo)體基 板20沿著在間隔道23上形成的激光加工槽211切斷的切斷工序。該切 斷工序使用圖9所示的切削裝置來實(shí)施。圖9所示的切削裝置5具有 保持被加工物的卡盤工作臺(tái)51;具有對(duì)在該卡盤工作臺(tái)51上保持的被加 工物進(jìn)行切削的切削刀具521的切削構(gòu)件52;以及對(duì)卡盤工作臺(tái)51上保 持的被加工物進(jìn)行攝像的攝像構(gòu)件53?？ūP工作臺(tái)51構(gòu)成為吸引保持被 加工物，卡盤工作臺(tái)51通過未圖示的移動(dòng)機(jī)構(gòu)而在圖9中箭頭X所示的 加工進(jìn)給方向及箭頭Y所示的分度進(jìn)給方向上移動(dòng)。切削刀具521安裝 在圓盤狀的基座和該基座的側(cè)面外周部，且形成為例如20 40nm的厚 度。上述攝像構(gòu)件53在圖示的實(shí)施方式中由利用可視光線進(jìn)行攝像的通 常的攝像元件(CCD)等構(gòu)成，其將攝像到的圖像信號(hào)送至未圖示的控 制構(gòu)件。
在使用如此構(gòu)成的切削裝置5來實(shí)施上述切斷工序時(shí)，在卡盤工作 臺(tái)51上裝載半導(dǎo)體晶片2，并在該卡盤工作臺(tái)51上吸附保持半導(dǎo)體晶片
2。此時(shí)，半導(dǎo)體晶片2將切割帶30側(cè)裝載在卡盤工作臺(tái)51上。因此， 半導(dǎo)體晶片2保持成使表面2a朝向上側(cè)。再有，在圖9中，雖然省略了 安裝有切割帶30的環(huán)狀框架3進(jìn)行表示，但環(huán)狀框架3由在卡盤工作臺(tái) 51上配置的未圖示的夾緊器來固定。
如上所述吸引保持有半導(dǎo)體晶片2的卡盤工作臺(tái)51通過未圖示的加 工進(jìn)給構(gòu)件而被移動(dòng)到攝像構(gòu)件53的正下方。當(dāng)卡盤工作臺(tái)51定位于 攝像構(gòu)件53的正下方時(shí)，通過攝像構(gòu)件53及未圖示的控制構(gòu)件來執(zhí)行 檢測(cè)半導(dǎo)體晶片2的應(yīng)進(jìn)行切削的切削區(qū)域的校準(zhǔn)作業(yè)。即，攝像構(gòu)件 53及未圖示的控制構(gòu)件執(zhí)行圖案匹配等圖像處理，以完成切削區(qū)域的校 準(zhǔn)，所述圖案匹配等圖像處理用于進(jìn)行通過上述激光光線照射工序而沿 半導(dǎo)體晶片2的間隔道23形成的激光加工槽211與切削刀具521的對(duì)位。 此外，對(duì)于在半導(dǎo)體晶片2上形成的相對(duì)于上述預(yù)定方向成直角地延伸 的間隔道23，也同樣地完成切削區(qū)域的校準(zhǔn)。
如上述那樣檢測(cè)保持于卡盤工作臺(tái)51上的半導(dǎo)體晶片2的沿間隔道 23形成的激光加工槽211，進(jìn)行切削區(qū)域的校準(zhǔn)，然后，使保持有半導(dǎo) 體晶片2的卡盤工作臺(tái)51移動(dòng)到切削區(qū)域的切削開始位置。此時(shí)，如圖 10 (a)所示，半導(dǎo)體晶片2定位成使應(yīng)切削的間隔道23 (形成有激光加 工槽211)的一端(在圖10 (a)中為左端)位于比切削刀具521的正下 方向右側(cè)離開預(yù)定量之處。然后，使切削刀具521向圖10 (a)中箭頭 521a所示的方向以預(yù)定的旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)，并從雙點(diǎn)劃線所示的待機(jī)位置 通過未圖示的切入進(jìn)給機(jī)構(gòu)，如圖10 (a)中實(shí)線所示那樣向下方進(jìn)行預(yù) 定量的切入進(jìn)給。該切入進(jìn)給位置如圖10 (a)及圖10 (b)所示設(shè)定為 使切削刀具521的外周緣到達(dá)切割帶30的位置。'
在如上述那樣實(shí)施切削刀具521的切入進(jìn)給之后，邊使切削刀具521 向圖10 (a)中箭頭521a所示的方向以預(yù)定的旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)，同時(shí)使卡 盤工作臺(tái)51在圖10 (a)中箭頭XI所示的方向上以預(yù)定的切削進(jìn)給速 度移動(dòng)。然后，在保持于卡盤工作臺(tái)51上的半導(dǎo)體晶片2的右端通過了 切削刀具521的正下方之后，停止卡盤工作臺(tái)51的移動(dòng)。
再有，上述切斷工序在例如以下的加工條件下進(jìn)行。
切削刀具 外徑52mm、厚度40|im
切削刀具的旋轉(zhuǎn)速度30000rpm 切削進(jìn)給速度 50mm/秒
沿在形成于半導(dǎo)體晶片2的所有間隔道23上形成的激光加工槽211 實(shí)施上述的切斷工序。其結(jié)果為，如圖11所示，半導(dǎo)體晶片2的半導(dǎo)體 基板20沿在間隔道23上形成的激光加工槽211形成了切削槽212而被 切斷，從而分割成一個(gè)個(gè)器件22。
權(quán)利要求
1.一種晶片的分割方法，利用切削刀具將晶片沿間隔道切斷從而分割為一個(gè)個(gè)器件，所述晶片形成為在半導(dǎo)體基板的表面上，通過層疊絕緣膜和功能膜所成的層疊體而形成的器件被所述間隔道劃分開來，其特征在于，所述晶片的分割方法包括以下工序激光加工槽形成工序，從所述晶片的所述層疊體側(cè)沿所述間隔道照射激光光線，在所述層疊體上形成到達(dá)所述半導(dǎo)體基板的激光加工槽，所述激光光線形成為外徑比所述切削刀具的寬度大、且比所述間隔道的寬度小的環(huán)狀光斑；和切斷工序，利用所述切削刀具將所述半導(dǎo)體晶片的所述半導(dǎo)體基板沿在所述間隔道上形成的所述激光加工槽切斷。
全文摘要
本發(fā)明提供一種晶片的分割方法，其可在不增大間隔道的間隔的情況下將在半導(dǎo)體基板的表面上通過層疊體而形成有多個(gè)器件的晶片分割成一個(gè)個(gè)器件。該晶片的分割方法用切削刀具將晶片沿該間隔道切斷從而分割為一個(gè)個(gè)器件，所述晶片形成為在半導(dǎo)體基板的表面上，通過層疊絕緣膜和功能膜所成的層疊體而形成的器件被間隔道劃分開來，其特征在于，所述晶片的分割方法包括以下工序激光加工槽形成工序，從晶片的層疊體側(cè)沿間隔道照射激光光線，在層疊體上形成到達(dá)半導(dǎo)體基板的激光加工槽，所述激光光線形成為外徑比切削刀具的寬度大、且比間隔道的寬度小的環(huán)狀光斑；和切斷工序，利用切削刀具將半導(dǎo)體晶片的半導(dǎo)體基板沿在間隔道上形成的激光加工槽切斷。
文檔編號(hào)B23K26/40GK101345212SQ200810127250
公開日2009年1月14日 申請(qǐng)日期2008年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月13日
發(fā)明者山口浩司, 桐原直俊, 森重幸雄 申請(qǐng)人:株式會(huì)社迪思科