專利名稱：雙面接觸的太陽(yáng)能電池及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于制造雙面接觸的太陽(yáng)能電池的方法，該方法基于具有介電層的晶圓的微結(jié)構(gòu)化和被微結(jié)構(gòu)化的區(qū)域的摻雜。隨后實(shí)現(xiàn)含金屬的成核層的沉積以及接觸的電鍍加固。本發(fā)明還涉及能夠以這種方式制造的太陽(yáng)能電池。
背景技術(shù)：
太陽(yáng)能電池的制造與用于精密加工晶圓的大量工序相關(guān)聯(lián)。這里包括發(fā)射極擴(kuò)散、介電層的施加及其微結(jié)構(gòu)化、晶圓的摻雜、接觸、成核層的施加及其加厚。關(guān)于正面接觸的微結(jié)構(gòu)化，目前常見的應(yīng)用是薄氮化硅層(SiNx)的微結(jié)構(gòu)化。這些層就商業(yè)電池而言目前形成標(biāo)準(zhǔn)減反射涂層。由于該減反射涂層還部分地起到太陽(yáng)能電池的正面鈍化作用，并且該層在正面金屬化之前被施加，因此必須通過(guò)相應(yīng)的微結(jié)構(gòu)化使此非導(dǎo)電層局部開口，以便將金屬接觸直接施加到硅襯底上。因此，現(xiàn)有技術(shù)是利用含玻璃粉的金屬膏印刷SiNx層。首先進(jìn)行干燥以驅(qū)除有機(jī)溶劑，然后在高溫下(大約900°C )燒成。由此玻璃粉破壞SiNx層，使SiNx層局部溶解，因此能夠形成硅-金屬接觸。這種方法的缺陷是由玻璃粉產(chǎn)生的高接觸電阻(> IO-3Qcm2) 以及能夠降低鈍化層質(zhì)量和硅襯底質(zhì)量的必需的高工藝溫度。用于使SiNx層局部開口的已知的溫和方法是應(yīng)用光刻法結(jié)合濕化學(xué)蝕刻工藝。 首先，將光刻膠層施加在晶圓上，并且經(jīng)由UV曝光和顯影使該光刻膠層結(jié)構(gòu)化。隨后，在含氫氟酸或含磷酸的化學(xué)體系中執(zhí)行濕化學(xué)蝕刻步驟，以去除在光刻膠的已開口位置處的 SiNx。這種方法的一個(gè)很大的缺陷是極大的復(fù)雜性以及與此相關(guān)的成本。此外，利用該方法制造太陽(yáng)能電池不能實(shí)現(xiàn)足夠的生產(chǎn)量。就某些氮化物而言，由于蝕刻速率太低，因此不能再應(yīng)用此處描述的方法。此外，根據(jù)目前的技術(shù)發(fā)展水平已知，借助激光束，完全通過(guò)熱燒蝕(干式激光燒蝕)去除由SiNx制成的鈍化層。關(guān)于晶圓摻雜，在微電子學(xué)中，通過(guò)外延生長(zhǎng)的SiO2掩模的光刻結(jié)構(gòu)化以及隨后在擴(kuò)散爐內(nèi)的全表面擴(kuò)散來(lái)進(jìn)行局部摻雜是目前的技術(shù)發(fā)展水平。通過(guò)在光刻限定的抗蝕劑掩模上真空蒸發(fā)以及隨后在有機(jī)溶劑內(nèi)溶解抗蝕劑實(shí)現(xiàn)金屬化。該方法的缺陷是具有非常大的復(fù)雜性、時(shí)間長(zhǎng)和成本要求高，并且整個(gè)表面加熱元件，這還會(huì)改變可能存在的擴(kuò)散層并且也能損壞襯底的電學(xué)性質(zhì)。通過(guò)自摻雜(如含鋁的)金屬膏的絲網(wǎng)印刷以及隨后在約900°C的溫度下干燥和燒成也可以實(shí)現(xiàn)局部摻雜。該方法的缺陷是元件的高機(jī)械負(fù)荷、昂貴的耗材以及整個(gè)元件經(jīng)受的高溫。此外，僅大于100 μ m的結(jié)構(gòu)寬度在此是可以使用的。另一種方法(“埋入式基極接觸”)使用全表面SiNx層，利用激光輻射使該層局部開口，然后在擴(kuò)散爐中擴(kuò)散摻雜層。由于SiNx層的遮蔽，僅在被激光開口的區(qū)域形成高度摻雜區(qū)。在對(duì)產(chǎn)生的磷硅酸鹽玻璃(PSG)進(jìn)行再蝕刻之后，通過(guò)在含金屬的液體內(nèi)無(wú)電流沉積形成金屬化。該方法的缺陷是激光所造成的損傷以及去除PSG所需的蝕刻步驟。此外，該方法包括一些單獨(dú)的步驟，這些單獨(dú)的步驟又需要很多處理步驟。

發(fā)明內(nèi)容
由此，本發(fā)明的目的是提供一種制造太陽(yáng)能電池的更加有效的方法，該方法可以減少工序的數(shù)量且在本質(zhì)上可以無(wú)需昂貴的平板印刷步驟。另外，也設(shè)法減少用于接觸的
金屬的量。通過(guò)具有權(quán)利要求1的特性的方法和據(jù)此制造的具有權(quán)利要求18的特性的太陽(yáng)能電池實(shí)現(xiàn)該目的。進(jìn)一步的多個(gè)從屬權(quán)利要求揭示了一些優(yōu)勢(shì)發(fā)展。根據(jù)本發(fā)明，提供了一種制造雙面接觸的太陽(yáng)能電池的方法，其中a)晶圓的正面和背面的至少一些區(qū)域內(nèi)涂敷至少一個(gè)介電層；b)實(shí)現(xiàn)所述至少一個(gè)介電層的微結(jié)構(gòu)化；c)通過(guò)引導(dǎo)至少一個(gè)液體射流在待摻雜表面的一些區(qū)域上方，實(shí)現(xiàn)被微結(jié)構(gòu)化的表面區(qū)域的摻雜，該至少一個(gè)液體射流指向?qū)嶓w的表面且包括至少一種摻雜劑，并利用激光束提前或同時(shí)局部加熱該待摻雜表面；d)在該晶圓的背面上的至少一些區(qū)域內(nèi)沉積含金屬的成核層；以及e)為了該晶圓的雙面接觸，實(shí)現(xiàn)在晶圓的正面和背面上金屬化的至少一些區(qū)域內(nèi)的電鍍沉積。優(yōu)選用干式激光器、或水射流引導(dǎo)激光器、或包含蝕刻劑的液體射流引導(dǎo)激光器處理表面以實(shí)現(xiàn)微結(jié)構(gòu)化。因此，實(shí)現(xiàn)包含蝕刻劑的液體射流引導(dǎo)激光器的使用，以使得指向晶圓表面并且包括用于晶圓的至少一種蝕刻劑的液體射流被引導(dǎo)在待結(jié)構(gòu)化的表面的多個(gè)區(qū)域上方，該待結(jié)構(gòu)化的表面被激光束提前或同時(shí)局部加熱。因此，優(yōu)選在所述至少一個(gè)介電層上比在襯底上具有更強(qiáng)的蝕刻效果的制劑作為蝕刻劑。該蝕刻劑尤其優(yōu)選自H3P04、H3P03、PC13、PC15、POCl3, KOH、HF/HN03、HCl、氯化合物、 硫酸以及它們的混合物構(gòu)成的組。所述液體射流尤其優(yōu)選是由純的或高濃度磷酸或稀釋的磷酸形成。磷酸可以例如在水中或別的合適溶劑中稀釋，或者以不同的濃度使用。也可以添加改變PH值(酸或堿溶液)、潤(rùn)濕特性(如表面活性劑)或粘度(如乙醇)的添加劑。當(dāng)使用包括重量百分比為 50%到85%的磷酸的液體時(shí)，會(huì)達(dá)到特別良好的效果。特別地，可以完成表面層的迅速處理而不損壞襯底以及周邊區(qū)域。借助于根據(jù)本發(fā)明的微結(jié)構(gòu)化，能夠以非常低的復(fù)雜性實(shí)現(xiàn)兩點(diǎn)。一方面，因?yàn)樗鲆后w對(duì)襯底具有較弱的(最好是根本沒有)蝕刻效果，所以可以在不損壞襯底的情況下在所述的區(qū)域中完全去除表面層。同時(shí)，由于局部加熱待去除區(qū)域內(nèi)的表面層，優(yōu)選是僅加熱這些區(qū)域，所以能夠很好地局部去除被限制在這些區(qū)域內(nèi)的表面層。這由這樣的事實(shí)造成液體的蝕刻效果通常隨著溫度的升高而增加，因此大范圍地避免了由于部分可能到達(dá)相鄰的、未加熱區(qū)域內(nèi)的蝕刻液體對(duì)這些區(qū)域內(nèi)的表面層的損壞。沉積在晶圓上的介電層作為鈍化和/或減反射層。所述介電層優(yōu)選自SiNx、Si02、 SiOx、MgF2, TiO2, SiCx 和 Al2O3 構(gòu)成的組。多個(gè)這樣的層沉積層疊也是可能的。優(yōu)選地，在步驟c)中利用激光束耦合的含H3P04、H3P03和/或POCl3的液體射流實(shí)施所述摻雜。摻雜劑優(yōu)選自磷、硼、鋁、銦、鎵和它們的混合物構(gòu)成的組，尤其是磷酸、亞磷酸、磷酸鹽和磷酸氫鹽的溶液、硼砂、硼酸、硼酸鹽和過(guò)硼酸鹽、硼化合物、鎵化合物以及它們的混合物構(gòu)成的組。另一優(yōu)選變型例提供，利用液體射流引導(dǎo)激光器同時(shí)實(shí)施所述微結(jié)構(gòu)化和摻雜。根據(jù)本發(fā)明的又一變型例包括在精密處理并且處理試劑包括摻雜劑的情況下，繼微結(jié)構(gòu)化之后，實(shí)現(xiàn)被微結(jié)構(gòu)化的硅晶圓的摻雜。這可以通過(guò)使用包括至少一種蝕刻固體材料的化合物的液體代替包括至少一種摻雜劑的液體來(lái)實(shí)現(xiàn)。該變型例尤其優(yōu)選，因?yàn)榭梢栽谕谎b置內(nèi)先實(shí)施微結(jié)構(gòu)化，通過(guò)液體交換，隨后實(shí)施摻雜。或者，也可以利用氣溶膠射流來(lái)實(shí)施微結(jié)構(gòu)化。由于可以通過(guò)提前加熱氣溶膠或其組分實(shí)現(xiàn)相似的結(jié)果，因此在該變型例中，不是絕對(duì)地需要激光輻射。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選用于微結(jié)構(gòu)化和摻雜的方法使用一種技術(shù)體系，在該技術(shù)體系中，可以配各種化學(xué)體系的液體射流作為用于激光束的液體光導(dǎo)管。激光束經(jīng)由特殊耦合裝置耦合入液體射流中且由內(nèi)部全反射進(jìn)行引導(dǎo)。這樣，確保了在同一時(shí)間和地點(diǎn)向工藝爐供應(yīng)化學(xué)制劑和激光束。因此激光承擔(dān)不同的任務(wù)一方面能夠在其撞擊點(diǎn)局部加熱襯底表面，從而可選擇地熔化襯底表面，并且在極端情況下使其蒸發(fā)。因?yàn)橐恍┗瘜W(xué)過(guò)程受動(dòng)力學(xué)限制或從熱力學(xué)觀點(diǎn)來(lái)看是不適宜的，在標(biāo)準(zhǔn)條件下不發(fā)生所述化學(xué)過(guò)程，但是由于被加熱的襯底表面上化學(xué)制劑的同時(shí)撞擊，所以可以激活這些化學(xué)過(guò)程。除了激光的熱效應(yīng)外，關(guān)于激光在襯底表面上產(chǎn)生例如電子空穴對(duì)方面，還能夠?qū)崿F(xiàn)光化活化，這些電子空穴對(duì)可以促進(jìn)該區(qū)域內(nèi)氧化還原反應(yīng)的過(guò)程或使得氧化還原反應(yīng)成為可能。除了集中激光束和化學(xué)制劑供應(yīng)，液體射流還確保了工藝爐的邊緣區(qū)域的冷卻以及反應(yīng)產(chǎn)物的迅速移除。最后提到的這方面是促進(jìn)和加速迅速進(jìn)行化學(xué)(平衡)過(guò)程的一個(gè)重要的前提條件。射流的冷卻作用可以保護(hù)不參與反應(yīng)、最重要的是不經(jīng)過(guò)材料去除的邊緣區(qū)域，使其免于受到熱應(yīng)力的損傷和由此產(chǎn)生的晶體損壞，這使太陽(yáng)能電池能夠低損傷或無(wú)損傷的結(jié)構(gòu)化。此外，由于液體射流的高流速，它賦予供應(yīng)的材料明顯的機(jī)械動(dòng)力， 當(dāng)射流撞擊在熔化的襯底表面上時(shí)，該機(jī)械動(dòng)力尤其顯著。激光束和液體射流共同形成新的工藝工具，原則上，這種組合優(yōu)于它們各自構(gòu)成的系統(tǒng)。優(yōu)選通過(guò)真空蒸發(fā)、濺射或通過(guò)從水溶液還原沉積所述含金屬的成核層。優(yōu)選同時(shí)在晶圓的正面和背面實(shí)現(xiàn)該沉積。因此該含金屬的成核層優(yōu)選包括選自鋁、鎳、鈦、鉻、 鎢、銀和它們的合金構(gòu)成的組的金屬。施加所述成核層之后，優(yōu)選例如利用激光退火進(jìn)行熱處理。在沉積所述含金屬的成核層之后，優(yōu)選地，在晶圓的正面上的至少一些區(qū)域中沉積用以增加粘著度的層。用于增加粘著度的該層優(yōu)選包括選自鎳、鈦、銅、鎢和它們的合金構(gòu)成的組的金屬或由這些金屬構(gòu)成。施加所述含金屬的成核層之后，優(yōu)選地，通過(guò)金屬化，尤其是銀或銅的電鍍沉積實(shí)現(xiàn)至少一些區(qū)域內(nèi)的成核層的加厚，從而實(shí)現(xiàn)晶圓的正面和背面的接觸。優(yōu)選地，使用盡可能層流的液體射流來(lái)實(shí)施該方法。于是可以通過(guò)液體射流內(nèi)的全反射特別有效地引導(dǎo)該激光束，由此液體射流實(shí)現(xiàn)光導(dǎo)管的功能。例如通過(guò)在噴嘴單元內(nèi)與液體射流射束方向垂直的窗口來(lái)實(shí)現(xiàn)激光束的耦合。因此該窗口可以配置成聚焦激光束的透鏡。選擇地或附加地還可以使用獨(dú)立于該窗口的透鏡用于聚焦或形成激光束。因此可以在本發(fā)明的特別簡(jiǎn)單的實(shí)施例中設(shè)計(jì)所述噴嘴單元，這樣可以在射流方向的徑向上從一側(cè)或多側(cè)供應(yīng)液體。優(yōu)選作為可用類型的激光器是各種固體激光器，尤其是商業(yè)上經(jīng)常使用的波長(zhǎng)為1064nm、532nm、355nm、266nm 和213nm的Nd-YAG激光器、波長(zhǎng)< IOOOnm的二極管激光器、波長(zhǎng)為514nm到458nm的氬離子激光器和準(zhǔn)分子激光器(波長(zhǎng)157nm到351nm)。因?yàn)樵诒砻鎸觾?nèi)由激光引入的能量逐漸越來(lái)越好地集中在表面，這易于減小熱影響區(qū)以及相應(yīng)的減少材料內(nèi)、尤其是鈍化層下面的摻磷硅內(nèi)的晶體損壞，所以趨勢(shì)是隨著波長(zhǎng)減小微結(jié)構(gòu)化的質(zhì)量更好。由于這個(gè)原因，具有飛秒到納秒范圍脈沖寬度的藍(lán)色激光器和近紫外線(UV)范圍(如355nm)內(nèi)的激光器已被證明特別有效。尤其使用短波激光，還存在在硅內(nèi)直接產(chǎn)生電子/空穴的選擇，這些電子/空穴可以用于鎳沉積(光化活化)期間的電化工藝。因此， 例如由激光產(chǎn)生的硅內(nèi)的自由電子除了有助于以上已經(jīng)描述的鎳離子和磷酸的氧化還原過(guò)程，還直接有助于表面上鎳的減少?？梢栽诮Y(jié)構(gòu)化工藝期間通過(guò)具有規(guī)定波長(zhǎng)(尤其是近UV內(nèi)，λ彡355nm)樣品的永久照明而永久保持產(chǎn)生該電子/空穴，并且可以以持續(xù)的方式促進(jìn)金屬成核過(guò)程。為此，可以利用太陽(yáng)能電池性能，經(jīng)由p-n結(jié)分離多余的電荷載體，由此對(duì)η型傳導(dǎo)表面充負(fù)電。根據(jù)本發(fā)明的所述方法的再一優(yōu)選變型例提供，激光束以時(shí)間和/或空間脈沖形式主動(dòng)調(diào)整。這里包括平頂形式、M形輪廓或矩形脈沖。根據(jù)本發(fā)明，還提供了能夠根據(jù)前述方法制造的太陽(yáng)能電池。


參照附圖和隨后的實(shí)例將更加詳細(xì)地解釋根據(jù)本發(fā)明的主題，而不希望將所述主題限于這里所示的特殊實(shí)施例。圖1示出根據(jù)本發(fā)明制造的太陽(yáng)能電池的實(shí)施例。
具體實(shí)施例方式圖1中根據(jù)本發(fā)明的太陽(yáng)能電池1具有硅基上的晶圓2，其背面涂有平的全表面發(fā)射極3。在發(fā)射極層上布置鈍化層4。在一些規(guī)定的區(qū)域中，這里示出背面上的電場(chǎng)5(背面場(chǎng))和背面接觸6。在晶圓2的正面上，布置平的全表面發(fā)射極7以及鈍化層8。在表面區(qū)域中，在一些規(guī)定的位置處布置具有高度摻雜發(fā)射極(η+) 9和正面接觸10的區(qū)域。實(shí)例 1被鋸開的ρ型晶圓首先經(jīng)過(guò)損傷蝕刻以便去除線鋸損傷，該損傷蝕刻在40% KOH 溶液中80°C下進(jìn)行20分鐘。接著晶圓在KOH溶液中98°C下(持續(xù)約35分鐘)被單面紋理化。接下來(lái)的一步，將三氯氧化磷(POCl3)用作磷源在管式爐內(nèi)進(jìn)行光發(fā)射極擴(kuò)散。發(fā)射極的層電阻在100到400ohm/sq的范圍內(nèi)。隨后，通過(guò)在其上方流過(guò)水蒸氣而在管式爐內(nèi)制造薄熱氧化層。氧化層的厚度據(jù)此在6到15nm的范圍內(nèi)。接下來(lái)的一步，在正面實(shí)現(xiàn)氮化硅(折射率η = 2. 0到2. 1，層的厚度約60nm)的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD) 以及在背面實(shí)現(xiàn)二氧化硅層(厚度約200nm)。隨后利用液體射流使這樣處理后的晶圓結(jié)構(gòu)化。借助于耦合到液體射流的激光(所謂的激光化學(xué)加工，LCP)同時(shí)實(shí)現(xiàn)溝道壁的切割和摻雜。85%磷酸用作射流介質(zhì)。結(jié)構(gòu)的線寬約為30μπι且兩線之間的間距為1到2mm。 因此使用532nm(P = 7W)的Nd: YAG激光器。行進(jìn)速度為400mm/s。隨后，利用LCP工藝， 對(duì)由此被結(jié)構(gòu)化和摻雜的晶圓執(zhí)行鎳的無(wú)電流沉積。這里，使用具有NiSO4(c = 3mol/l) 和H3PO3(c = 3mol/l)的水溶液作為射流介質(zhì)。激光參數(shù)和行進(jìn)速度與上述方法步驟相同。 隨后，通過(guò)使用硼酸(c = 40g/l)的LCP形成局部背面電場(chǎng)(BSF)。線寬約為30μπι且兩線之間的間距為200μπι到2mm。這里的激光參數(shù)和行進(jìn)速度也和前兩個(gè)方法步驟是相同的。隨后，在背面實(shí)現(xiàn)鋁的蒸汽蒸發(fā)(厚度約50nm)，然后在背面實(shí)現(xiàn)接觸金屬的真空蒸發(fā) (例如，鈦，厚度約30nm)。接著，可選擇地，在合成氣體氣氛(N2H2)中300°C到500°C溫度下實(shí)現(xiàn)正面和背面接觸的燒結(jié)。最后，為了加厚正面和背面接觸達(dá)約為IOym的接觸厚度， 實(shí)現(xiàn)銀或銅的光誘導(dǎo)沉積。對(duì)于電鍍?cè)。谶@里氰化銀(c = lmol/1)用作銀源。鍍?cè)囟葹?5°C，施加到晶圓背面的電壓為0. 3V。使用具有波長(zhǎng)為253nm的鹵素?zé)粲糜谠摴庹T導(dǎo)。
權(quán)利要求
1.用于制造雙面接觸的太陽(yáng)能電池的方法，其中a)晶圓的正面和背面的至少一些區(qū)域內(nèi)涂敷至少一個(gè)介電層；b)實(shí)現(xiàn)所述至少一個(gè)介電層的微結(jié)構(gòu)化；c)通過(guò)引導(dǎo)至少一個(gè)液體射流在待摻雜表面的一些區(qū)域上方，實(shí)現(xiàn)被微結(jié)構(gòu)化的表面區(qū)域的摻雜，該至少一個(gè)液體射流指向?qū)嶓w的表面且包括至少一種摻雜劑，并利用激光束提前或同時(shí)局部加熱該待摻雜表面；d)在該晶圓的背面上的至少一些區(qū)域內(nèi)沉積含金屬的成核層；以及e)為了該晶圓的雙面接觸，實(shí)現(xiàn)在晶圓的正面和背面上金屬化的至少一些區(qū)域內(nèi)的電鍍沉積。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，通過(guò)用干式激光器、或水射流引導(dǎo)激光器、或包含蝕刻劑的液體射流引導(dǎo)激光器處理表面以實(shí)現(xiàn)所述微結(jié)構(gòu)化，所述液體射流指向固體的表面且包括用于晶圓的至少一種蝕刻劑，該液體射流被引導(dǎo)在待結(jié)構(gòu)化的表面的多個(gè)區(qū)域上方，該待結(jié)構(gòu)化的表面被激光束提前或同時(shí)局部加熱。
3.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法，其中，所述蝕刻劑在所述至少一個(gè)介電層上比在襯底上具有更強(qiáng)的蝕刻效果，并且該蝕刻劑尤其選自H3PO4、H3PO3、PC13、PC15、poci3、KOH、 HF/HN03、HCl、氯化合物、硫酸以及它們的混合物構(gòu)成的組。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法，其中，所述介電層選自SiNx、SiO2,SiOx, MgF2, Ti02、SiCx和Al2O3構(gòu)成的組。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法，其中，利用激光束耦合的含H3P04、H3PO3和/或 POCl3的液體射流實(shí)施所述摻雜。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法，其中，所述至少一種摻雜劑選自磷、硼、鋁、銦、 鎵和它們的混合物構(gòu)成的組，尤其是磷酸、亞磷酸、磷酸鹽和氫磷酸鹽的溶液、硼砂、硼酸、 硼酸鹽和過(guò)硼酸鹽、硼化合物、鎵化合物以及它們的混合物構(gòu)成的組。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法，其中，利用液體射流引導(dǎo)激光器同時(shí)實(shí)施所述微結(jié)構(gòu)化和摻雜。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法，其中，所述含金屬的成核層通過(guò)蒸發(fā)沉積、濺射或通過(guò)從水溶液還原來(lái)沉積，優(yōu)選同時(shí)在該晶圓的正面和背面實(shí)現(xiàn)該沉積。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法，其中，所述含金屬的成核層包括選自鋁、鎳、鈦、 鉻、鎢、銀和它們的合金構(gòu)成的組的金屬。
10.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法，其中，施加所述成核層之后，尤其通過(guò)激光退火進(jìn)行熱處理。
11.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法，其中，在沉積所述含金屬的成核層之后，在所述正面上的至少一些區(qū)域中沉積用以增加粘著度的層。
12.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法，其中，用于增加粘著度的該層包括選自鎳、鈦、 銅、鎢和它們的合金構(gòu)成的組的金屬或由合金構(gòu)成。
13.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法，其中，施加所述含金屬的成核層之后，通過(guò)金屬化，尤其是銀或銅的電鍍沉積實(shí)現(xiàn)至少一些區(qū)域內(nèi)的成核層的加厚，從而實(shí)現(xiàn)晶圓的正面和背面的接觸。
14.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法，其中，所述激光束被在液體射流內(nèi)全反射引
15.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法，其中，所述液體射流是層流的。
16.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法，其中，所述液體射流具有10到500μ m的直徑。
17.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法，其中，所述激光束以時(shí)間和/或空間脈沖形式，尤其是平頂形式、M形輪廓或矩形脈沖主動(dòng)調(diào)整。
18.根據(jù)如前述權(quán)利要求之一所述的方法可以制造的太陽(yáng)能電池。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于制造正面和背面接觸的太陽(yáng)能電池的方法。該方法基于具有介電層的晶圓的微結(jié)構(gòu)化和被微結(jié)構(gòu)化的區(qū)域的摻雜。隨后沉積含金屬的成核層，并且電鍍加固這些接觸。本發(fā)明還涉及能夠使用所述方法制造的太陽(yáng)能電池。
文檔編號(hào)B23K26/14GK102379043SQ201080015331
公開日2012年3月14日 申請(qǐng)日期2010年2月15日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月2日
發(fā)明者丹尼爾·克賴, 庫(kù)諾·邁爾, 莫尼卡·阿萊曼, 菲利普·格拉內(nèi)克, 西比爾·霍普曼 申請(qǐng)人:弗蘭霍菲爾運(yùn)輸應(yīng)用研究公司